有機ＥＬ装置
【課題】 フォトリソグラフィを用いて有機化合物層をパターニングして形成される発光装置において、素子領域の外側の領域における有機化合物層の端部を素子領域内の発光層の端部と同じ条件でエッチングすると、大きな角度になってしまい、その上に形成される第２電極が途切れたり膜厚が薄くなったりして素子を流れる電流の配線抵抗が高くなり、発光装置の非点灯、シェーディングなどの発光不良や高電圧化などの課題が生じる。
【解決手段】 フォトリソグラフィにてパターニングされる複数の有機化合物層の端部のうち、発光素子間に位置せず、かつ、前記第２電極で覆われる領域に位置する端部の傾斜角を、発光素子間に位置する端部の傾斜角よりも小さくする。
【解決手段】 フォトリソグラフィにてパターニングされる複数の有機化合物層の端部のうち、発光素子間に位置せず、かつ、前記第２電極で覆われる領域に位置する端部の傾斜角を、発光素子間に位置する端部の傾斜角よりも小さくする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも２つ以上の異なる色を表示可能な発光装置であって、特に、互いに異なる色を発光する少なくとも第１および第２の有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の色を表示可能な有機ＥＬ装置の製造方法には、シャドウマスクを用いて特定の領域に特定の色を発する発光層を選択的に形成する方法が広く用いられている。近年は、３００ｐｐｉを超える高精細な発光装置が求められており、従来のシャドウマスクを用いた方法では実現が困難になってきている。そこで、特許文献１では、微細化が可能な技術として、フォトリソグラフィを用いたパターニングにより、発光層を選択的に形成する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４５７８０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１によれば、フォトリソグラフィを用いて発光層の上にレジストを所望のパターンに形成し、レジストが形成されていない領域の発光層をウェットエッチングまたはドライエッチングによって除去することにより発光層を選択的に形成することができる。このような方法でパターニングされた発光層の端部は、シャドウマスクを用いて選択的に形成した発光層の端部に比べて、傾斜領域を小さくすることが可能である。ここでいう傾斜領域とは、膜の端部に向かって膜厚が薄くなっている領域、言い換えると、基板に対して傾斜している領域を言う。
【０００５】
シャドウマスクを用いて形成した膜の場合、シャドウマスクと被成膜面との距離、および、蒸着粒子が被成膜面に入射する角度に応じて、シャドウマスクの開口部に形成される膜の端部には、形成された膜の膜厚の数倍〜数十倍の幅の傾斜領域が形成される。これに対して、フォトリソグラフィとエッチングによって膜をパターニングする場合、傾斜領域を形成された膜の膜厚と同程度かそれ以下の幅にすることが可能となる。特に、基板に対してほぼ垂直方向にエッチングを進行させることができるドライエッチングを用いると、基板に対する膜端部の傾斜角を６０〜９０度と大きくすることができ、傾斜領域の幅を膜厚よりも狭くすることができる。発光装置の素子領域に配置される発光層を、フォトリソグラフィを用いてパターニングすれば、互いに隣接する発光層間の距離を小さくすることができるため有機ＥＬ素子を密に配置することが可能となり、発光装置の細密化や発光素子の開口率向上に有利である。本発明において、素子領域とは、表示に関わる有機ＥＬ素子が複数配置される領域をいう。また、形成された膜の膜厚とは、傾斜領域を除く複数箇所で測定した膜厚を平均化した値をいう。
【０００６】
ところで、発光装置を駆動するための電力は、素子領域の外側にあらかじめ設けられた外部接続端子を介して外部電源から供給される。外部接続端子と有機ＥＬ素子の２つの電極とは配線を介して電気的に接続されている。なお、必要な時に外部接続端子と有機ＥＬ素子の２つの電極を電気的に接続できれば、前記配線の途中にトランジスタなどのスイッチング素子が設けられていても良い。一般に、配線と発光層のパターニング後に形成される第２電極との接続は、素子領域の外側に配線層の上に形成される発光層等の高抵抗材料を除去したコンタクト部を設けておき、コンタクト部で両者を電気的に接続する構成が用いられる。また、発光層などの有機材料は、外部電源との電気接続のために外部接続端子の表面からは除去され、さらに外部から有機ＥＬ素子への水分侵入経路を断つために発光領域を取り囲むように除去される。
【０００７】
コンタクト部など素子領域の外側における発光層の除去を、素子領域内の発光層のパターニングと同時に行えば、製造工程を簡略化できるため好ましい。しかしこの場合、素子領域の外側における発光層の端部の基板に対する傾斜角は、素子領域内の発光層の端部と同じ条件でエッチングされるため、素子領域内と同様に大きくなってしまう。このように、第２電極を形成する面に、基板に対して大きな傾斜角を有する領域があると、第２電極が途切れてしまったり、第２電極の膜厚が薄くなってしまったりして、抵抗が高くなる可能性がある。特に、第２電極を、指向性の高い蒸着法で形成する場合や薄い膜厚で形成する場合、第２電極を形成する面に９０度に近い傾斜角がある場合は、第２電極の抵抗が高くなる可能性が特に高い。第２電極が途切れたり膜厚が薄くなっている箇所があると、発光素子を流れる電流が第２電極から配線層へ流れ込むまでの配線抵抗が高くなり、発光装置の非点灯、シェーディングなどの発光不良や高電圧化などの課題が生じてしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、フォトリソグラフィを用いて発光層がパターニングされる発光装置において、画素の微細化や開口率向上などのフォトリソグラフィの利点を活用しつつ、第２電極の断線や高抵抗化等による発光装置の発光不良や高電圧化を抑制する。
【０００９】
本発明にかかる発光装置は、第１電極と少なくとも発光層を含む有機化合物層と第２電極とがこの順に積層され、基板の所定の領域に配置された複数の有機ＥＬ素子と、
前記基板の所定の領域の外に配置された外部接続端子と前記外部接続端子に電気的に接続されコンタクト部を有する配線と、を備え、
前記第１電極が有機ＥＬ素子ごとに分割され、
前記有機化合物層が１または複数の有機ＥＬ素子ごとに分割され、
前記第２電極が複数の有機ＥＬ素子に共通して設けられ、前記コンタクト部で前記配線と電気的に接続されている有機ＥＬ装置であって、
前記分割された有機化合物層の端部のうち、有機ＥＬ素子間に位置せず、且つ、前記第２電極が設けられる領域に位置する有機化合物層の端部の前記基板に対する傾斜角は、前記有機ＥＬ素子間に位置する有機化合物層の端部の前記基板に対する傾斜角よりも小さい
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によって得られる発光装置は、フォトリソグラフィにて発光層がパターニングされている発光装置であって、有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部の傾斜領域の基板に対する傾斜角（以下、単に傾斜角と記述する）が小さく抑えられている。従って、微細化や開口率向上などのフォトリソグラフィの利点を活用しつつ、素子領域の外側の領域にある傾斜領域で生じる第２電極の断線や高抵抗化による発光不良や高電圧化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明にかかる発光装置を示した模式図。
【図２】本発明の製造方法の一例を簡略に示した断面模式図。
【図３】本発明の製造方法の他の例を簡略に示した断面模式図。
【図４】本発明の平面レイアウトの例を示した平面模式図。
【図５】本発明における有機化合物層の端部の傾斜角を説明するための模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に係る発光装置の実施形態について、図面を参照して説明する。明細書中で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用することができる。また、以下に説明する実施形態は好ましい例であってこれらに限定されるものではない。本発明の技術範囲の中で適宜変更して実施することができる。
【００１３】
図１（ａ）は本発明に係る発光装置の平面模式図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ Ｉ−Ｘ ＩＩラインにおける断面模式図である。基板１０には、外部接続端子１５と外部接続端子に電気的に接続された配線１４とが、有機ＥＬ素子が形成される素子領域１２の外側に設けられている。図示していないが、基板１０は、支持体と、有機ＥＬ素子を制御するためのトランジスタやトランジスタに信号を供給する制御線や信号線、外部接続端子１５と第１電極とを接続する配線等からなる回路層と、回路層を覆う絶縁層を有している。外部配線と電気的に接続する外部接続端子１５、第２電極と電気的に接続する配線１４の一部分（コンタクト部１１）は、それぞれ表面の絶縁層が除去されている。
【００１４】
基板１０の上には、行方向および列方向に複数の第１電極（下部電極）２１〜２３が有機ＥＬ素子毎に形成されており、各第１電極は、回路層を覆う絶縁層に設けられたコンタクトホール（不図示）を介して回路層と電気的に接続されている。第１電極２１の上には少なくとも第１発光層を含む第１有機化合物層３１、第１電極２２の上には少なくとも第２発光層を含む第２有機化合物層３２、第１電極２３の上には少なくとも第３発光層を含む第３有機化合物層３３がそれぞれ設けられている。第１発光層、第２発光層、第３発光層は互いに異なる色を発光する層であり、それぞれに赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）を発光する層を用いれば、フルカラーを表示することができる。
【００１５】
第１〜第３発光層の上には、複数の有機ＥＬ素子に跨って連続する第２電極（上部電極）７０が形成され、有機ＥＬ素子が完成する。ここで言う有機ＥＬ素子とは、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極とに挟まれた有機化合物層とを含む構成であって、外部から回路層に入力される信号に応じて発光する。また、第２電極７０は、素子領域から配線１４のコンタクト部１１にかけて連続して設けられており、コンタクト部１１で配線１４と電気的に接続されている。このような構成により、外部接続端子１５を介して、有機ＥＬ素子を発光させるための電流を流すことができる。
【００１６】
有機化合物層を備える有機ＥＬ素子は水分による劣化が著しいため、外部から素子領域１２へ水分が浸入するのを抑制する封止層９０が有機ＥＬ素子を覆って設けられる。また、有機化合物層などの有機材料は水分を浸透し易いことから、有機化合物層を介して外部から素子領域に水分が浸入するのを抑制するため、素子領域１２を取り囲むように有機化合物層を除去して水分侵入経路を断っておく必要がある。
【００１７】
従って、第２電極を素子領域からコンタクト部１１にかけて連続して設けると、第２電極は必ず有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部を跨いで形成されることになる。つまり、有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部の傾斜角の大きさが、有機ＥＬ素子を流れる電流が第２電極から配線層へ流れ込むまでの電流経路の抵抗（有機ＥＬ素子とコンタクト部との間の配線抵抗）に影響を与えることになる。
【００１８】
本発明において、各有機化合物層はフォトリソグラフィを用いてパターニングされる。一般に、フォトリソグラフィを用いて膜をパターニングする場合、各膜は１回のフォトリソ工程で所望のパターンに形成される。従って、１回のフォトリソ工程でパターニングされる膜の端部は、いずれも同じ条件でエッチングされるためほぼ同じ傾斜角を有することになる。本発明において、各有機化合物層をそれぞれ１回のフォトリソ工程で所望のパターンに形成すると、素子領域に設けられる有機化合物層の端部も素子領域の外に設けられる有機化合物層の端部も同じ条件でエッチングされ、ほぼ同じ傾斜角になる。即ち、素子領域内、素子領域外にかかわらず、どちらの有機化合物層の端部の傾斜角も大きくなる。そのため、有機化合物層の端部を跨いで連続して形成される第２電極が傾斜角の大きな有機化合物層端部で途切れたり膜厚が薄くなったりして、有機ＥＬ素子とコンタクト部との間の配線抵抗が高くなる可能性がある。
【００１９】
本発明におけるフォトリソグラフィを用いた有機化合物層のパターニング法については後に詳細に説明するが、有機ＥＬ素子間に位置する有機化合物層の端部の傾斜部は、図１（ｂ）のように隣接して設けられる有機ＥＬ素子の有機化合物層に接して形成される。そのため、第２電極が途切れたり膜厚が薄くなったりする原因となる傾斜角の大きな有機化合物層の端部が露出することがなく、素子領域内で有機ＥＬ素子とコンタクト部との間の配線抵抗が大きく上昇することはない。一方、有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部には隣接する有機化合層がないため、パターニングしたままの端部が露出することになる。前述したように、第２電極は、素子領域の外側にあって有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部を跨いで形成される。つまり、有機ＥＬ素子間に位置しない傾斜角の大きな有機化合物層の端部で第２電極が途切れたり膜厚が薄くなったりして、有機ＥＬ素子とコンタクト部との間の配線抵抗が大きく上昇してしまう可能性がある。
【００２０】
そこで、本発明にかかる表示装置では、図１（ｂ）に示したように、有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部の基板１０に対する傾斜角を、有機ＥＬ素子間に位置する傾斜角よりも小さくしている。このような構成により、第２電極７０を素子領域１２からコンタクト部１１にかけて連続して設けた際に、第２電極７０が有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部で途切れたり膜厚が薄くなるのを抑制できる。その結果、有機ＥＬ素子とコンタクト部１１との間の配線抵抗が大きく上昇するのが抑制され、発光不良や高電圧化が抑制され、低電力で均質な発光が可能な発光装置を提供することができる。
【００２１】
なお、図１（ａ）、（ｂ）の発光装置は、互いに異なる発光層を備える３種類の有機ＥＬ素子を有しているが、２種類の有機ＥＬ素子からなる発光装置や４種類以上の有機ＥＬ素子からなる発光装置であってもよい。ここで、互いに「異なる発光層」とは、発光層を構成する材料あるいは膜厚の少なくともいずれか一方が異なることを言う。
【００２２】
続いて、本発明にかかる発光装置の製法について説明する。図２（ａ）〜（ｐ）は、本発明にかかる発光装置の製造方法の一例を示した断面模式図である。図２では、図面の簡略化のため、発光装置の一部分即ちコンタクト部１１と３種類の有機ＥＬ素子が１つずつ設けられた領域を示している。
【００２３】
（第１電極形成工程）
まず、複数の第１電極２１、２２、２３と、外部接続端子に電気的に接続された不図示の配線と後に形成する第２電極７０とのコンタクト部１１とが形成された基板１０の上に、少なくとも第１発光層を含む第１有機化合物層３１を形成する（図２（ａ））。基板１０には、支持体と、支持体上に設けられる回路層と、回路層上に形成される絶縁層、回路層と有機ＥＬ素子とを電気的に接続するコンタクトホールなども含まれている。支持体にはガラス基板などの絶縁性基板やシリコン基板の半導体基板、金属基板の表面に絶縁層を設けた基板などを好適に用いることができる。
【００２４】
第１電極は、トップエミッション型の発光装置であれば、例えばＡｌやＡｇやそれらの合金など光を反射する金属材料で構成されるのが好ましい。また、金属層とインジウム酸化物等の導電性酸化層との積層電極も好適に用いられる。ボトムエミッション型の発光装置であれば、第１電極は光を透過する材料でなければならず、例えばとインジウム酸化物やインジウム亜鉛酸化物等が好適である。ボトムエミッション型の場合は、支持基板にもガラス等の透明基材を用いる。
【００２５】
（第１有機化合物層形成工程）
基板１０の第１電極２１〜２３が形成された素子領域に、第１有機化合物層３１を形成する。有機化合物層３１の形成方法は、真空蒸着法、スピンコート法など公知の方法を用いる事ができる。真空蒸着法を用いる場合、第１電極２１〜２３が形成された素子領域に対応する開口を有するエリアマスクを用いて選択的に形成しても良いし、マスクを用いずに基板１０全体に形成してもよい。
【００２６】
各有機ＥＬ素子に含まれる有機化合物層は、それぞれ少なくとも所定の色を発光する発光層を含んでいる。つまり、本発明において、有機化合物層は、１層若しくは複数層の発光層から構成される場合、またはこのような発光層に加えて更に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層などから成る他の層を１層以上含んだ複数の層の積層体から構成される場合を包含するものである。第１有機ＥＬ素子、第２有機ＥＬ素子、第３有機ＥＬ素子に互いに異なる色を表示させる場合、それぞれの有機ＥＬ素子が互いに異なる有機化合物層を含むように形成する。本発明において、互いに「異なる有機化合物層」とは、発光層の材料、組成、膜厚、発光層を形成する場合の成膜方法、成膜条件、発光層以外の他の層の材料、組成、膜厚、他の層を形成する場合の成膜方法、成膜条件等のうち、少なくとも一つが互いに異なる有機化合物層のことを言う。例えば、有機化合物層を発光層と機能層との積層体から構成する場合、発光層のみを第１〜第３有機ＥＬ素子間で互いに異ならせる構成もあり得る。このような場合は、発光層までを積層した有機化合物層をパターニングするフォトリソグラフィを用いた工程を繰り返した後、最後に第１〜第３有機ＥＬ素子に共通する機能層を、第１〜第３有機ＥＬ素子に連続して形成しても良い。
【００２７】
各有機化合物層に含まれる発光層の発光色の組み合わせは特に限定されないが、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の組み合わせが最も一般的である。
【００２８】
（第１有機化合物層のパターニング工程）
第１有機化合物層３１の上に第１中間層４１を形成し（図２（ｂ））、さらに第１レジスト層５１を形成する（図２（ｃ））。第１中間層４１は、第１レジスト層５１のレジスト材料に含まれる溶媒やレジスト現像液が第１有機化合物層３１に与える影響を抑制する保護層の役割を有している。さらに、後の工程では、第１中間層４１を溶解して第１中間層の上に設けられた層を除去するための層としての役割も有している。従って、第１中間層には、レジスト材料に含まれる溶媒やレジスト現像液の浸透を抑制し、かつ、第１中間層４１を除去する際に用いる溶解液が第１有機化合物層３１に影響を与えない材料を選択して用いる。
【００２９】
第１中間層の上に設けられた層を除去するための層としての役割を担うという点では、例えば、水溶性高分子や水溶性無機塩などが好適である。しかし、第１中間層を水溶性材料で形成した場合、第１レジスト層５１を形成する工程や現像工程で、第１中間層自体が溶解や膨潤などの影響を受けてしまう可能性が懸念される。その場合は、第１中間層を、水溶性材料からなる層と水溶性材料からなる層を工程から保護する役割を担う層との積層体とし、第１有機化層物層３１に近い側に水溶性材料からなる層を設けるとよい。水溶性材料からなる層を工程から保護する層としては非水溶性材料が好ましく、具体的には酸化珪素や窒化珪素などが好適に用いられる。
【００３０】
中間層の形成方法は、例えば、水溶性高分子からなる層はスピンコート法やディップコート法などの塗布法、水溶性無機塩からなる層は塗布法や真空蒸着法など、形成する層の材料によって公知の方法から適宜選択することができる。非水溶性材料からなる層を形成する場合は、塗布法の他に、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などの真空成膜法から選択して用いることができる。
【００３１】
もし、第１レジスト層５１のレジスト材料に含まれる溶媒やレジスト現像液に対して第１有機化合物層３１が不溶であれば、第１中間層４１の形成は省略してもよい。他の有機化合物層のフォトリソ工程においても同様である。
【００３２】
第１レジスト層５１には、公知の感光性材料を使用することができる。図２に示した製造方法では、ポジ型レジストを用いた場合を示しているが、ネガ型レジストを用いてもよい。第１レジスト層５１成膜方法は、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法など、既存の方法を用いることができる。
【００３３】
次に、第１電極２１が形成された領域を遮蔽する第１フォトマスク６１を介して基板１０に紫外線６０を照射し、第１電極２１以外の領域の第１レジスト層５１を露光する（図２（ｄ））。第１レジスト層５１がネガ型レジストの場合は、第１電極２１が形成された領域に開口を有するフォトマスクを用いる。
【００３４】
次に、露光後の基板１０を現像液に浸し、露光された領域の第１レジスト層５１を除去（図２（ｅ））する。残った第１レジスト層５１をマスクとして、第１レジスト層５１が除去された領域の第１中間層４１と第１有機化合物層３１をエッチングにより除去する（図１（ｆ））。この時、第１電極２１上の第１有機化合物層３１に影響を与えない範囲であれば、マスクとして残された第１レジスト層５１と、その下の第１中間層４１の一部が同時に除去されてもよい。
【００３５】
第１有機化合物層３１のエッチングには、第１有機化合物層３１を溶かす溶剤を用いたウェットエッチングや、第１有機化合物層３１の材料と反応するガスを用いたドライエッチングを用いることができる。ただし、溶剤を用いたウェットエッチングは、第１レジスト層５１の下の第１有機化合物層３１がある程度サイドエッチングされてしまうため、ほとんどサイドエッチングの心配のないドライエッチングの方が好適である。ドライエッチングは、ウェットエッチングに比べて第１有機化合物層３１の端部の傾斜角を大きくできる点でも好ましい。
【００３６】
（第２有機化合物層の形成工程）
パターニングされた第１有機化合物層３１の上に第１中間層４１を残したまま、第２発光層を含む第２有機化合物層３２を、少なくとも第１電極２２の上に形成する（図２（ｇ））。第２有機化合物層３２は、第１有機化合物層３１と同様にして形成することができる。第２有機化合物層３２は、第１有機化合物層３１の端部を覆って形成されるため、第１有機ＥＬ素子と第２有機ＥＬ素子との間に位置する第１有機化合物層３１の端部と第２有機化合物層３２の端部は互いに接することになる。その結果、第１有機化合物層３１の傾斜角の大きな端部がそのまま露出することがない。
【００３７】
（第２有機化合物層のパターニング工程）
第２有機化合物層３２までが形成された基板１０を第１中間層４１の溶媒に浸漬し、第１中間層４１を、その上に形成された第２有機化合物層３２と共に除去する（図２（ｈ））。その結果、第１電極２１の上には第１有機化合物層３１が形成され、他の第１電極２２、２３の上には第２有機化合物３２が形成された状態となる。
【００３８】
次に、第１有機化合物層３１および第２有機化合物層３２の上に、第２中間層４２を形成し（図２（ｉ））、その上にポジ型の第２レジスト層５２を形成する（図２（ｊ））。第２中間層４２の材料および形成方法は、第１中間層４１と同様である。第２レジスト層５２の溶媒と現像液に対して第１および第２有機化合物層が不溶であれば、第２中間層４２の形成を省略してもよい。
【００３９】
続いて、第２フォトマスク６２にて第１電極２１、２２が設けられた領域を遮蔽して紫外線６０を照射し、第１電極２１、２２が設けられた領域以外に設けられた第２レジスト層５２を露光する（図２（ｋ））。その後、現像液に浸漬して露光された領域の第２レジスト層５２を除去し（図２（ｌ））、残った第２レジスト層をマスクとして、第２レジスト層５２が除去された領域の第２中間層４２と第２有機化合物層３２を除去する（図２（ｍ））。第２有機化合物層３２の除去は、第１有機化合物層３１と同様に行うことができる。この時、第１電極２１および２２の上の第１有機化合物層３１と第２有機化合物層３２に影響を与えない範囲で、マスクとして残された第２レジスト層５２とその下の第２中間層４２の一部を同時に除去してもよい。
【００４０】
（第３有機化合物層の形成工程）
次に、第３発光層を含む第３有機化合物層３３を、第１電極２３の上に形成する（図２（ｎ））。本実施例では図２の通り、最後に形成する第３有機化合物層３３は、有機ＥＬ素子間に位置しないため他の有機化合物層と接していない端部を有している。そこで、第３有機化合物層３３の有機ＥＬ素子間に位置しない端部の傾斜角が、フォトリソグラフィにてパターニングした時の端部の傾斜角よりも小さくなるように、マスク６５を用いた真空蒸着法にて第３有機化合物層３３を形成している。具体的には、素子領域１２に対応する開口を備えたマスク６５を用意し、コンタクト部１１と素子領域１２との間にマスク６５の開口端がくるようにマスク６５と基板１０とをアライメントして、第３有機化合物層３３を真空蒸着する。
【００４１】
一般に、マスクを用いた真空成膜法では、マスクと被成膜面との間にできる隙間に成膜粒子が回り込み、マスクと被成膜面との距離や、被成膜面に付着する成膜粒子の入射角に応じて、マスクの開口端の近傍に膜厚が徐々に薄くなる傾斜部が形成される。従って、マスクと被成膜面との距離や被成膜面に付着する成膜粒子の入射角を調整して、有機化合物層の端部の傾斜角を制御することが可能である。また、マスクを用いることで、不要な領域には第３有機化合物層３３が形成されないため、有機化合物層を介して外部から素子領域に水分が侵入する心配がなく、素子領域を取囲むように有機化合物層を除去する工程を省くことができる。
【００４２】
第３有機化合物層３３は、第１有機化合物層３１および第２有機化合物層３２の端部を覆うように形成されるため、第３有機ＥＬ素子と、第１有機ＥＬ素子および第２有機ＥＬ素子との間に位置する各発光層の端部は互いに接し、傾斜角の大きな端部が露出することがない。
【００４３】
（第３有機化合物層のパターニング工程）
第３有機化合物層３３までが形成された基板１０を第２中間層５２の溶媒に浸漬し、第１電極２１、２２の上に形成された第２中間層４２を溶解して、その上に形成された第３有機化合物層３３を剥離除去する（図２（ｏ））。
【００４４】
（第２電極の形成工程）
最後に、第１、第２、第３の有機化合物層３１〜３３の上に、複数の有機ＥＬ素子およびコンタクト部１１に連続する第２電極７０を形成し、本発明の有機ＥＬ素子が完成する（図２（ｐ））。
【００４５】
図２（ｐ）の通り、有機ＥＬ素子間に位置せず、かつ、第２電極が形成された領域における第３有機化合物層３３の端部の傾斜角は、マスクを用いて成膜した際に形成される端部そのままであるため、有機ＥＬ素子間に位置する端部の傾斜角よりも小さくなっている。つまり、パターニングされた有機化合物層の端部のうち、有機ＥＬ素子間に位置せず、かつ、第２電極が形成された領域に位置する有機化合物層の端部の傾斜角は、前記有機ＥＬ素子間に位置する端部の傾斜角よりも小さくなっている。ここで、有機ＥＬ素子間に位置せず、かつ、第２電極が形成された領域に位置する有機化合物層の端部は、図２（ｐ）に示された領域以外にも存在する。その領域全てにおいて有機ＥＬ素子間に位置する有機化合物層の端部の傾斜角よりも小さくなっている必要はなく、少なくとも一部が小さくなっていればよい。また、図２（ｐ）のように、必ずしもコンタクト部１１が設けられた辺において、有機化合物層の端部の傾斜角が小さくなっているのは、配線抵抗を低減する点で好ましいが、必須の要件ではない。なぜなら、少なくとも一部分で素子領域１２とコンタクト部１１との電気的な接続が確保されており、有機ＥＬ素子とコンタクト部との間の配線抵抗が十分低くなっていればよいからである。
【００４６】
従って、第１または第２有機化合物層をマスクを用いて真空蒸着法により形成し、有機ＥＬ素子間に位置しない領域に、真空成膜法にて形成された有機化合物層の端部の少なくとも一部がそのままの形状で残るように、エッチングでパターニングしてもよい。
【００４７】
マスクを用いた真空蒸着法は、工程数を増やさずに有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部の傾斜角を小さくすることができるため、好適である。
【００４８】
本発明にかかる発光装置は、有機ＥＬ素子間に位置する各有機化合物層の端部は互いに接しているために傾斜角の大きな領域が形成されない。また、有機ＥＬ素子間に位置しない第３有機化合物層３３の端部の傾斜角は小さいため、第２電極が途切れたり膜厚が薄くなったりする恐れもない。その結果、第２電極とコンタクト部１１との間おいて、第２電極のシート抵抗が高くなるのを抑制し、発光装置の発光不良や高電圧化を抑制することができる。
【００４９】
４種類の有機化合物層からなる発光装置、即ち、第４有機化合物層を有する有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ発光装置を作製する場合は、図２（ｇ）から図２（ｍ）と同様の工程を追加することによって、同様に作製することができる。また、２種類の有機化合物層からなる有機ＥＬ発光装置を作製する場合は、図２（ｇ）から図２（ｍ）までの工程を省略することによって作製することができる。
【００５０】
以上、本発明にかかる発光装置の一製造方法を説明したが、他に、有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置しない端部の傾斜角を、ドライエッチングのプロセス条件を調節し作製することもできる。以下、図３を用いて、他の製造方法を説明する。ただし、図２に示した製造方法と共通する点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。さらに、図３において図２と同じ部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
【００５１】
第２有機化合物層３２を形成するまでは図２の製造方法と同様に行う。第１電極２３を露出させた後、図２と異なり蒸着マスクを使用せずに第３の有機化合物層３３を基板１０の全面に形成し（図３（ａ））、第１電極２１、２２に形成された第３有機化合物層を、第２中間層４２とともに除去する（図３（ｂ））。
【００５２】
次に、第３中間層４３と第３レジスト層５３を形成し（図３（ｃ））、第３のフォトマスクの遮蔽領域６３で素子領域１２を遮蔽して露光を行う（図３（ｄ））。その後基板１０を現像液に浸漬し、露光された領域の第３レジスト層５３を現像して、素子領域を取囲む領域およびコンタクト部１１の上の、第３レジスト層５３を除去する（図３（ｅ））。
【００５３】
続いて、残った第３レジスト層５３をマスクとして、第３中間層４３と第３有機化合物層３３をドライエッチングにより除去する（図３（ｆ））。この時、ドライエッチング工程における圧力を調節するなどにより、パターニングされる有機化合物層の端部の傾斜角を小さくすることができる。
【００５４】
第３有機化合物層３３のパターニング後、第３中間層を溶解して除去し（図３（ｇ））、最後に、図２と同様にして第２電極７０を形成し、本発明の発光装置が完成する（図３（ｈ））。図３（ｇ）では、ドライエッチング工程中に、第３レジスト層５３がエッチングされて除去された場合を示しているが、ドライエッチング工程後に第３レジスト層５３が残っている場合は、第３中間層を溶解して除去する際に同時に除去することができる。
【００５５】
図３に示した製造方法を用いた場合、図２の製造方法よりは工程数は増えるが、有機化合物層の端部の位置精度と角度制御を図２の製造方法よりも向上させることができるため、端部の傾斜領域の幅を狭くして周辺領域、即ち額縁を小さくすることができる。
【００５６】
なお、１回のパターニングで形成される有機化合物層の端部の傾斜角は平面内のどの位置でもほぼ同一に形成される。従って、本発明における傾斜角として、それぞれの代表的な一箇所における傾斜角を用いてもよい。もし、パターニング条件によって傾斜角がばらつく場合は、複数箇所の平均を用いても良い。図５に示すように、ある有機化合物層２４の端部における傾斜角が一定でない場合は、傾斜部の各点における接線が基板となす角のうち、最も大きな傾斜角を意味する。図５の場合は、θ１を有機化合物層２４の傾斜角とする。
【００５７】
第１〜第３有機化合物層のパターニングの後、かつ、第２電極の形成前に、素子領域に連続する共通有機化合物層をさらに積層しても良い。この場合も、元からある有機化合物層の端部の上に積層した最上層の有機化合物層を含んで有機化合物層の端部と呼び、最も大きな傾斜角を端部の傾斜角とする。有機化合物層の端部の断面は集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工などの公知の方法で露出させることができ、ＳＥＭなどを用いて公知の方法で観測して傾斜角を確認することができる。
【００５８】
次に、本発明の発光装置における各有機化合物層のパターニングレイアウトについて説明する。図４は本発明に適用できる有機化合物層の平面レイアウトの例を示す模式図である。図中、有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置しない端面のうち、有機ＥＬ素子間に位置する端面より最大傾斜角が小さい端面を点線８１で示している。
【００５９】
図４（ａ）の場合、１番目にパターニングされる第１有機化合物層３１、２番目にパターニングされる第２有機化合物層３２は、それぞれ一方向に配列した複数の不図示の第一電極に連続する短冊状にパターニングされている。このとき、第１有機化合物層３１および第２有機化合物層３２のすべての端部は、フォトリソグラフィを用いてドライエッチングによってパターニングされているため、傾斜角が大きくなっている。最後にパターニングされる第３有機化合物層は、素子領域１２よりも大きな領域に形成され、最外周の全周の端部の傾斜角が有機ＥＬ素子間に位置する端部の傾斜角より小さくなっている。そのため、第２電極を経由してコンタクト部へ流れる電流の経路を全方向に確保することができる構成になっている。この平面レイアウトは、第３の有機化合物層を素子領域よりも大きな開口を有する蒸着マスクを用いた真空蒸着法にて形成し、かつその膜の最外周の端部の形状を残すようにパターニングすれば、工程数を増やすことなく作製することができる。
【００６０】
図４（ｂ）の場合も、図４（ａ）と同様に、第１有機化合物層３１と第２有機化合物層は、短冊状にパターニングされ、すべての端部において傾斜角が大きくなっている。図４（ａ）と異なる点は、第３有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置しない端部のうち、一辺の傾斜角が有機ＥＬ素子間に位置する端部の傾斜角より小さくなっており、第２電極を流れる電流の経路が一方向で確保している構成である。この平面レイアウトは、有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置しない端部のうち、電流の経路となる端部以外の傾斜角を大きくすることができる。そのため周辺領域に占める有機化合物の傾斜領域の面積を小さくしたり、素子領域１２とコンタクト部１１との距離を縮めたりすることができる。従って有機ＥＬ素子部周辺の、有機ＥＬ素子が配置されていない領域、いわゆる額縁領域を狭くするのに有利である。なお、傾斜角の小さな辺はどの一辺でもよい。図４（ｂ）では一辺において傾斜角が小さくなっている例を示しているが、少なくとも一辺において傾斜角が小さくなっていれば良く、複数の辺で傾斜角が小さくなっていてもよい。図４（ｂ）のように、少なくともコンタクト部１１が設けられた辺の端部の傾斜角が小さくなっている構成は、有機ＥＬ素子とコンタクト部との間の配線抵抗を低減する点で特に好ましい。このような平面レイアウトも、第３有機化合物層を素子領域よりも大きな開口を有する蒸着マスクを用いた真空蒸着法にて形成した後、素子内のパターニング時に電流の経路となる辺の端部形状がそのまま維持されるようにパターニングして作製することができる。
【００６１】
図４（ｃ）の場合は、行方向に配列した複数の第１電極に連続する短冊状にパターニングされた有機化合物層それぞれの一端において、端部の傾斜角が有機ＥＬ素子間に位置する端面の傾斜角より小さくなっている。他の例とは異なって、フォトリソ工程によってパターニングされた各短冊状の有機化合物層の間の端部が、隣接する有機化合物層に覆われずに露出している。
【００６２】
この平面レイアウトは、素子領域とコンタクト部１１との間に蒸着マスクの開口の端部を合わせて各有機化合物層を素子領域全体に真空蒸着法にて形成する。その後、蒸着法にて形成された膜の端部を有機ＥＬ素子間に位置しない端部としてそのまま残すようにパターニングして作製することができる。例えば、第２有機化合物層の場合、図２（ｈ）の工程において、中間層層４１を利用して第２有機化合物を剥離するのではなく、中間層層４１を残したまま第１有機化合物層と同様にフォトリソグラフィを用いて第１電極２２の上の第２有機化合物層を除去すればよい。ただしその際、蒸着法にて形成された膜の端部の所定の位置がエッチングされないよう保護しながら有機化合物層をパターニングし、第２電極を経由してコンタクト部へ流れる電流の経路を確保する。
【００６３】
図４（ｃ）の構成によれば、パターニングされた第１乃至第３有機化合物層の上に第２電極を形成すると、他の有機化合物層との間に位置する有機化合物層の端部の傾斜角が大きいため、第２電極が途切れたり高抵抗化したりする可能性がある。しかし、それぞれの有機化合物層は一方向に配置された複数の第１電極に連続して形成されているため、第２電極も前記一方向には途切れる等の問題が発生せず、取り出し側の電流経路を確保することができる。
【００６４】
図４（ｄ）は、各有機化合物層を第１電極に応じて、有機ＥＬ素子毎にパターニングした例である。この場合、図２を用いて説明した製造方法を用いて、パターニングされた有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置する端部が少なくとも一方向で隣接する有機ＥＬ素子の有機化合物層と接するように、各有機化合物層を形成する。その際、図４（ａ）と同様に、第３有機化合物層は、素子領域とコンタクト部１１との間に開口の端部が位置するように蒸着マスクを位置合わせし、素子領域全体に真空蒸着法にて形成する。そして、その後、蒸着マスクを用いて成膜した膜の最外周の端部をそのまま残すようにパターニングを行えば、第２電極を経由してコンタクト部へ流れる電流の経路を確保することができる。
【００６５】
以上のように、本願発明は、様々なレイアウトの有機ＥＬ発光装置にアレンジして適用することができる。
【００６６】
以下、本発明にかかる有機発光装置を製造する例を詳細に説明する。
【００６７】
（実施例１）
本実施例では、図２に示した製造方法と同様に、有機ＥＬ素子間に位置せず、かつ、第２電極が形成される領域に位置する有機化合物層の端部の傾斜角を、蒸着マスクを用いた真空蒸着法にて形成した例について説明する。作製した有機ＥＬ発光装置は、図１と同様の構成のＲ、Ｇ、Ｂによる多色表示の有機ＥＬ発光装置である。
【００６８】
まず、複数の第１電極２１、２２、２３が形成された基板１０を準備する。ガラス板の上に、トランジスタ（Ｔｒ）を用いた回路と、回路上に形成される層間絶縁層と、回路層と配線層を電気的に接続するコンタクトホールと、を含む回路層が形成されたものを基板１０として用いた。基板１０の回路層が設けられた表面全体に配線層としてＡｌを成膜し、フォトリソ工程を用いて所定の形状にパターニングした。その上に、絶縁体層（平坦化膜）として、スピンコーターを用いてポリイミド樹脂を形成し、フォトリソ工程によりパターニングして、絶縁体層にコンタクトホールを形成すると同時に、コンタクト部１１や外部接続端子部の表面を露出させた。
【００６９】
次に第１電極層としてＡｌとＩＴＯの積層膜を、スパッタリング法を用いて成膜し、フォトリソ工程により有機ＥＬ素子毎に分割された複数の第１電極２１〜２３を形成した。ＡｌとＩＴＯの膜厚はそれぞれ１００ｎｍと３０ｎｍとした。
【００７０】
基板１０の第１電極２１〜２３が形成された面全体に、水に不溶な公知材料を用いて、第１ホール輸送層、青色を発光する第１発光層、第１電子輸送層を真空蒸着法により順次堆積し、第１有機化合物層を形成した。
【００７１】
次に、第１有機化合物層を保護するための第１中間層を形成した。第１中間層は水溶性高分子と窒化シリコン膜の積層体とし、まず、ポリビニルピロリドン水溶液をスピンコート法によって塗布し、アニールして水溶性高分子膜を１μｍ成膜し、その上に窒化シリコン膜をＣＶＤ法によって１μｍ成膜した。
【００７２】
続いて、第１中間層の上の全体に、ポジ型のフォトレジスト材料である、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製ＡＺ１５００をスピンコート法にて塗布した後にアニールし、膜厚１０００ｎｍの第１フォトレジスト層を成膜した（図２（ｃ））。
【００７３】
次に、第１レジスト層をパターニングするため、キヤノン製露光装置ＭＰＡ６００を用いて、第１フォトマスクで第１電極２１上の領域を遮蔽し、紫外線を照射する露光を行った。露光時間は４０ｓとした。
【００７４】
露光後の基板１０を現像液（ＡＺ社製３１２ＭＩＦ溶液の５０％水溶液）に浸して１分現像し、紫外線が照射された領域の第１レジスト層を現像液に浸漬して溶解させ、第１レジスト層をパターニングした。その結果、図２（ｅ）のように、第１フォトマスクの遮蔽領域に対応して第１電極２１上の領域にのみ第１レジスト層が残っている状態となった。
【００７５】
第１レジスト層が表面に残った状態の基板１０をドライエッチング装置に投入し、第１レジスト層が除去された領域の第１中間層と第１有機化合物層とを除去した。ドライエッチングは、第１中間層のうち窒化シリコン層はＣＦ４を反応ガスとして行い、第１中間層４１の水溶性高分子層と有機化合物層は酸素を反応ガスとし、流量２０ｓｃｃｍ、圧力８Ｐａ、出力１５０Ｗ、５分の条件で行った。この時、第１レジスト層が残っていた領域でもエッチングが進行し、第１レジスト層と第１中間層の一部が除去された。この工程により、図２（ｆ）のように第１電極２２、２３の表面が露出した。
【００７６】
第１有機化合物層３１と同様の手順で、真空蒸着法により第２有機化合物層３２を基板１０の第１電極が形成された面全体に形成した。第２有機化合物層３２は、第１ホール輸送層と同じ材料からなる第２ホール輸送層（膜厚１５０ｎｍ）、水に不溶な公知の緑色の発光材料からなる第２発光層（膜厚２０ｎｍ）の積層体とした。
【００７７】
第２有機化合物層３２までが形成された基板１０を水に１０分間浸漬して水溶性高分子層を溶解させ、第１電極２１上の第１中間層４１と共に第２有機化合物層３２を除去した。その結果、第１電極２１の上に第１有機化合物層３１が形成され、第１電極２２および２３の上に第２有機化合物層３２が形成された状態となった（図２（ｈ））。
【００７８】
続いて、第１中間４１層と同様に、水溶性高分子層と窒化シリコン層の２層から成る第２中間層４２を基板１０の全体に形成した（図２（ｉ））。その後、第１レジスト層５１と同様の方法により、第２中間層４２の上に第２レジスト層５２を基板上の全面に成膜した（図２（ｊ））。続いて、第１レジスト層５１と同様にして、第２フォトマスク６２を用いて第１電極２１および２２上の領域を遮蔽して露光を行った（図２（ｋ））。その後、基板１０を現像液に浸して１分現像し、紫外線が照射された領域の第２レジスト層５２を現像液に浸漬して溶解させた。その結果、第２フォトマスク６２の遮蔽領域に対応して第１電極２１および２２上の領域にのみ第２レジスト層５２が残っている状態となった（図２（ｌ））。
【００７９】
残った第２レジスト層５２をマスクとして、ドライエッチングにより第２レジスト層５２を除去した領域の第２中間層４２と第２有機化合物層３２を除去した。エッチング条件は第１有機化合物層３１を除去した条件と同様とした。以上の工程により、第１電極２３が露出した状態となった（図２（ｍ））。
【００８０】
次に、素子領域１２よりも大きな開口を有する蒸着マスクでコンタクト部１１を遮蔽しながら、第１および第２有機化合物層３１、３２と同様の手順で真空蒸着法により、素子領域１２を含む領域に第３有機化合物層３３を形成した。第３有機化合物層３３は、第１ホール輸送層と同じ材料からなる第３ホール輸送層（膜厚２０ｎｍ）、公知の赤色の発光材料からなる第３発光層（膜厚３０ｎｍ）の積層体とした。
【００８１】
第３有機化合物層３３が形成された基板１０を水に１０分間浸漬して水溶性高分子を溶解させ、第１電極２１、２２の上に形成された第２中間層４２と共に第３有機化合物層３３を除去した。以上の工程により、第１電極２１の上に第１有機化合物層３１、第１電極２２の上に第２有機化合物層３２、第１電極２３上に第３有機化合物層３３が形成された状態となった（図２（ｏ））。
【００８２】
パターニングされた第１〜第３有機化合物層３１〜３３の上に、素子領域１２からコンタクト部１１にわたって連続する第２電極７０を形成した。第２電極は、膜厚２０ｎｍのＡｇＭｇ合金膜をスパッタリング法にて成膜した。最後に、ＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜を外部接続端子部以外に形成して封止し、有機ＥＬ発光装置を完成させた（図２（ｐ））。
【００８３】
完成した有機ＥＬ発光装置を駆動させたところ、第２電極の断線や高電圧化は発生せず、良好な多色発光が得られた。また、この有機ＥＬ素子の断面形状を電子顕微鏡で観察し、有機化合物層の端部の傾斜角を複数箇所で評価したところ、第１〜第３の有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置する端部の傾斜角は平均で約８５°であった。第３の有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置しない端部の傾斜角は平均で約３０°であり、第２電極が極端に薄くなったり、途切れたりしている箇所は見当たらなかった。
【００８４】
（実施例２）
本実施例では、有機ＥＬ素子間に位置せず、かつ、第２電極が形成される領域に位置する有機化合物層の端部の傾斜角を、ドライエッチングを用いて制御した例について説明する。
【００８５】
まず、第１電極２３が露出した状態が形成された状態とする（図２（ｍ））までの工程を実施例１と同様に行った。
【００８６】
蒸着マスクを使用しない真空蒸着法にて、第１電極２３が露出した基板１０の全面に第３有機化合物層３３を成膜した（図３（ａ））。次に、実施例１と同様にして、第３有機化合物層３３が形成された基板１０を水に浸漬して水溶性高分子層を溶解させ、第１電極２１および第１電極２２上の第２中間層４２と共に第３有機化合物層３３を除去した（図３（ｂ））。
【００８７】
第１〜第３有機化合物層の上に、水溶性高分子層と窒化シリコン層の２層からなる第３中間層４３を形成した後、第３レジスト層５３を形成した（図３（ｃ））。続いて、素子領域１２を遮蔽しコンタクト部１１を含む領域１３に開口を有するフォトマスクを用いて第３レジスト層５３を露光し（図３（ｄ））、現像工程を行ってフォトマスクで遮蔽されていない周辺領域の第３レジスト層を除去した（図３（ｅ））。
【００８８】
次に、ドライエッチングにより、第３レジスト層が除去された領域の第３中間層と第３有機化合物層を除去した（図３（ｆ））。この時、ドライエッチング工程の条件は、傾斜角が緩くなるように調整した。具体的には、酸素を反応ガスとするドライエッチングの圧力を３０Ｐａとしたことを除いては実施例１と同様の条件で行った。
【００８９】
ドライエッチング後の基板１０を水に浸漬して第３中間層４３の水溶性高分子層を溶解させることにより第３中間層４３を除去し、第２電極として、素子領域１２からコンタクト部１１にかけて連続するＡｇＭｇ合金を膜厚２０ｎｍで成膜した。最後に不図示のガラスキャップによる封止を行ってフルカラーの発光の可能な有機ＥＬ装置を完成させた。
【００９０】
完成した有機ＥＬ装置に外部接続端子から電圧および信号を供給して駆動させた結果、第２電極の断線や高電圧化は発生せず、良好な３色発光が得られた。
【００９１】
また、この有機ＥＬ装置の断面形状を観察したところ、第１〜第３有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置する端部の最大傾斜角は約８５°であった。また、有機ＥＬ素子間に位置しない第３有機化合物層の端部のうち、ドライエッチング工程でパターニングされた端部の最大傾斜角は約６０°であった。
【００９２】
（実施例３）
第２電極としてＡｇＭｇ合金を成膜する工程の前に、共通有機化合物層として公知の電子注入層を、第１〜第３有機化合物層の表面全体に膜厚２０ｎｍで成膜したことを除いては、実施例１と同様にして有機ＥＬ発光装置を作製した。完成した有機ＥＬ発光装置を駆動させた結果、第２電極の断線や高電圧化は発生せず、良好な３色発光が得られた。
【００９３】
また、この有機ＥＬ発光装置の複数箇所で断面形状を観察したところ、第１〜第３有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置する端部のそれぞれは最大傾斜角は約８５°であり、隣接する有機化合物層に覆われていた。また、第３の有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置しない端部には電子注入層が積層されており、その表層の傾斜角は第３有機化合物層の端部に倣った形状をしており、最大傾斜角は約３０°であった。
【符号の説明】
【００９４】
１０ 基板
１１ コンタクト部
１２ 素子領域
１４ 配線層
１５ 外部接続端子
２１〜２３ 第１電極
３１ 第１有機化合物層
３２ 第２有機化合物層
３３ 第３有機化合物層
４１ 第１中間層
４２ 第２中間層
４３ 第３中間層
５１ 第１レジスト層
５２ 第２レジスト層
５３ 第３レジスト層
７０ 第２電極
８０ 有機ＥＬ素子間に位置する端部
８１ 有機ＥＬ素子間に位置しない端部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも２つ以上の異なる色を表示可能な発光装置であって、特に、互いに異なる色を発光する少なくとも第１および第２の有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の色を表示可能な有機ＥＬ装置の製造方法には、シャドウマスクを用いて特定の領域に特定の色を発する発光層を選択的に形成する方法が広く用いられている。近年は、３００ｐｐｉを超える高精細な発光装置が求められており、従来のシャドウマスクを用いた方法では実現が困難になってきている。そこで、特許文献１では、微細化が可能な技術として、フォトリソグラフィを用いたパターニングにより、発光層を選択的に形成する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４５７８０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１によれば、フォトリソグラフィを用いて発光層の上にレジストを所望のパターンに形成し、レジストが形成されていない領域の発光層をウェットエッチングまたはドライエッチングによって除去することにより発光層を選択的に形成することができる。このような方法でパターニングされた発光層の端部は、シャドウマスクを用いて選択的に形成した発光層の端部に比べて、傾斜領域を小さくすることが可能である。ここでいう傾斜領域とは、膜の端部に向かって膜厚が薄くなっている領域、言い換えると、基板に対して傾斜している領域を言う。
【０００５】
シャドウマスクを用いて形成した膜の場合、シャドウマスクと被成膜面との距離、および、蒸着粒子が被成膜面に入射する角度に応じて、シャドウマスクの開口部に形成される膜の端部には、形成された膜の膜厚の数倍〜数十倍の幅の傾斜領域が形成される。これに対して、フォトリソグラフィとエッチングによって膜をパターニングする場合、傾斜領域を形成された膜の膜厚と同程度かそれ以下の幅にすることが可能となる。特に、基板に対してほぼ垂直方向にエッチングを進行させることができるドライエッチングを用いると、基板に対する膜端部の傾斜角を６０〜９０度と大きくすることができ、傾斜領域の幅を膜厚よりも狭くすることができる。発光装置の素子領域に配置される発光層を、フォトリソグラフィを用いてパターニングすれば、互いに隣接する発光層間の距離を小さくすることができるため有機ＥＬ素子を密に配置することが可能となり、発光装置の細密化や発光素子の開口率向上に有利である。本発明において、素子領域とは、表示に関わる有機ＥＬ素子が複数配置される領域をいう。また、形成された膜の膜厚とは、傾斜領域を除く複数箇所で測定した膜厚を平均化した値をいう。
【０００６】
ところで、発光装置を駆動するための電力は、素子領域の外側にあらかじめ設けられた外部接続端子を介して外部電源から供給される。外部接続端子と有機ＥＬ素子の２つの電極とは配線を介して電気的に接続されている。なお、必要な時に外部接続端子と有機ＥＬ素子の２つの電極を電気的に接続できれば、前記配線の途中にトランジスタなどのスイッチング素子が設けられていても良い。一般に、配線と発光層のパターニング後に形成される第２電極との接続は、素子領域の外側に配線層の上に形成される発光層等の高抵抗材料を除去したコンタクト部を設けておき、コンタクト部で両者を電気的に接続する構成が用いられる。また、発光層などの有機材料は、外部電源との電気接続のために外部接続端子の表面からは除去され、さらに外部から有機ＥＬ素子への水分侵入経路を断つために発光領域を取り囲むように除去される。
【０００７】
コンタクト部など素子領域の外側における発光層の除去を、素子領域内の発光層のパターニングと同時に行えば、製造工程を簡略化できるため好ましい。しかしこの場合、素子領域の外側における発光層の端部の基板に対する傾斜角は、素子領域内の発光層の端部と同じ条件でエッチングされるため、素子領域内と同様に大きくなってしまう。このように、第２電極を形成する面に、基板に対して大きな傾斜角を有する領域があると、第２電極が途切れてしまったり、第２電極の膜厚が薄くなってしまったりして、抵抗が高くなる可能性がある。特に、第２電極を、指向性の高い蒸着法で形成する場合や薄い膜厚で形成する場合、第２電極を形成する面に９０度に近い傾斜角がある場合は、第２電極の抵抗が高くなる可能性が特に高い。第２電極が途切れたり膜厚が薄くなっている箇所があると、発光素子を流れる電流が第２電極から配線層へ流れ込むまでの配線抵抗が高くなり、発光装置の非点灯、シェーディングなどの発光不良や高電圧化などの課題が生じてしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、フォトリソグラフィを用いて発光層がパターニングされる発光装置において、画素の微細化や開口率向上などのフォトリソグラフィの利点を活用しつつ、第２電極の断線や高抵抗化等による発光装置の発光不良や高電圧化を抑制する。
【０００９】
本発明にかかる発光装置は、第１電極と少なくとも発光層を含む有機化合物層と第２電極とがこの順に積層され、基板の所定の領域に配置された複数の有機ＥＬ素子と、
前記基板の所定の領域の外に配置された外部接続端子と前記外部接続端子に電気的に接続されコンタクト部を有する配線と、を備え、
前記第１電極が有機ＥＬ素子ごとに分割され、
前記有機化合物層が１または複数の有機ＥＬ素子ごとに分割され、
前記第２電極が複数の有機ＥＬ素子に共通して設けられ、前記コンタクト部で前記配線と電気的に接続されている有機ＥＬ装置であって、
前記分割された有機化合物層の端部のうち、有機ＥＬ素子間に位置せず、且つ、前記第２電極が設けられる領域に位置する有機化合物層の端部の前記基板に対する傾斜角は、前記有機ＥＬ素子間に位置する有機化合物層の端部の前記基板に対する傾斜角よりも小さい
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によって得られる発光装置は、フォトリソグラフィにて発光層がパターニングされている発光装置であって、有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部の傾斜領域の基板に対する傾斜角（以下、単に傾斜角と記述する）が小さく抑えられている。従って、微細化や開口率向上などのフォトリソグラフィの利点を活用しつつ、素子領域の外側の領域にある傾斜領域で生じる第２電極の断線や高抵抗化による発光不良や高電圧化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明にかかる発光装置を示した模式図。
【図２】本発明の製造方法の一例を簡略に示した断面模式図。
【図３】本発明の製造方法の他の例を簡略に示した断面模式図。
【図４】本発明の平面レイアウトの例を示した平面模式図。
【図５】本発明における有機化合物層の端部の傾斜角を説明するための模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に係る発光装置の実施形態について、図面を参照して説明する。明細書中で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用することができる。また、以下に説明する実施形態は好ましい例であってこれらに限定されるものではない。本発明の技術範囲の中で適宜変更して実施することができる。
【００１３】
図１（ａ）は本発明に係る発光装置の平面模式図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ Ｉ−Ｘ ＩＩラインにおける断面模式図である。基板１０には、外部接続端子１５と外部接続端子に電気的に接続された配線１４とが、有機ＥＬ素子が形成される素子領域１２の外側に設けられている。図示していないが、基板１０は、支持体と、有機ＥＬ素子を制御するためのトランジスタやトランジスタに信号を供給する制御線や信号線、外部接続端子１５と第１電極とを接続する配線等からなる回路層と、回路層を覆う絶縁層を有している。外部配線と電気的に接続する外部接続端子１５、第２電極と電気的に接続する配線１４の一部分（コンタクト部１１）は、それぞれ表面の絶縁層が除去されている。
【００１４】
基板１０の上には、行方向および列方向に複数の第１電極（下部電極）２１〜２３が有機ＥＬ素子毎に形成されており、各第１電極は、回路層を覆う絶縁層に設けられたコンタクトホール（不図示）を介して回路層と電気的に接続されている。第１電極２１の上には少なくとも第１発光層を含む第１有機化合物層３１、第１電極２２の上には少なくとも第２発光層を含む第２有機化合物層３２、第１電極２３の上には少なくとも第３発光層を含む第３有機化合物層３３がそれぞれ設けられている。第１発光層、第２発光層、第３発光層は互いに異なる色を発光する層であり、それぞれに赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）を発光する層を用いれば、フルカラーを表示することができる。
【００１５】
第１〜第３発光層の上には、複数の有機ＥＬ素子に跨って連続する第２電極（上部電極）７０が形成され、有機ＥＬ素子が完成する。ここで言う有機ＥＬ素子とは、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極とに挟まれた有機化合物層とを含む構成であって、外部から回路層に入力される信号に応じて発光する。また、第２電極７０は、素子領域から配線１４のコンタクト部１１にかけて連続して設けられており、コンタクト部１１で配線１４と電気的に接続されている。このような構成により、外部接続端子１５を介して、有機ＥＬ素子を発光させるための電流を流すことができる。
【００１６】
有機化合物層を備える有機ＥＬ素子は水分による劣化が著しいため、外部から素子領域１２へ水分が浸入するのを抑制する封止層９０が有機ＥＬ素子を覆って設けられる。また、有機化合物層などの有機材料は水分を浸透し易いことから、有機化合物層を介して外部から素子領域に水分が浸入するのを抑制するため、素子領域１２を取り囲むように有機化合物層を除去して水分侵入経路を断っておく必要がある。
【００１７】
従って、第２電極を素子領域からコンタクト部１１にかけて連続して設けると、第２電極は必ず有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部を跨いで形成されることになる。つまり、有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部の傾斜角の大きさが、有機ＥＬ素子を流れる電流が第２電極から配線層へ流れ込むまでの電流経路の抵抗（有機ＥＬ素子とコンタクト部との間の配線抵抗）に影響を与えることになる。
【００１８】
本発明において、各有機化合物層はフォトリソグラフィを用いてパターニングされる。一般に、フォトリソグラフィを用いて膜をパターニングする場合、各膜は１回のフォトリソ工程で所望のパターンに形成される。従って、１回のフォトリソ工程でパターニングされる膜の端部は、いずれも同じ条件でエッチングされるためほぼ同じ傾斜角を有することになる。本発明において、各有機化合物層をそれぞれ１回のフォトリソ工程で所望のパターンに形成すると、素子領域に設けられる有機化合物層の端部も素子領域の外に設けられる有機化合物層の端部も同じ条件でエッチングされ、ほぼ同じ傾斜角になる。即ち、素子領域内、素子領域外にかかわらず、どちらの有機化合物層の端部の傾斜角も大きくなる。そのため、有機化合物層の端部を跨いで連続して形成される第２電極が傾斜角の大きな有機化合物層端部で途切れたり膜厚が薄くなったりして、有機ＥＬ素子とコンタクト部との間の配線抵抗が高くなる可能性がある。
【００１９】
本発明におけるフォトリソグラフィを用いた有機化合物層のパターニング法については後に詳細に説明するが、有機ＥＬ素子間に位置する有機化合物層の端部の傾斜部は、図１（ｂ）のように隣接して設けられる有機ＥＬ素子の有機化合物層に接して形成される。そのため、第２電極が途切れたり膜厚が薄くなったりする原因となる傾斜角の大きな有機化合物層の端部が露出することがなく、素子領域内で有機ＥＬ素子とコンタクト部との間の配線抵抗が大きく上昇することはない。一方、有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部には隣接する有機化合層がないため、パターニングしたままの端部が露出することになる。前述したように、第２電極は、素子領域の外側にあって有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部を跨いで形成される。つまり、有機ＥＬ素子間に位置しない傾斜角の大きな有機化合物層の端部で第２電極が途切れたり膜厚が薄くなったりして、有機ＥＬ素子とコンタクト部との間の配線抵抗が大きく上昇してしまう可能性がある。
【００２０】
そこで、本発明にかかる表示装置では、図１（ｂ）に示したように、有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部の基板１０に対する傾斜角を、有機ＥＬ素子間に位置する傾斜角よりも小さくしている。このような構成により、第２電極７０を素子領域１２からコンタクト部１１にかけて連続して設けた際に、第２電極７０が有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部で途切れたり膜厚が薄くなるのを抑制できる。その結果、有機ＥＬ素子とコンタクト部１１との間の配線抵抗が大きく上昇するのが抑制され、発光不良や高電圧化が抑制され、低電力で均質な発光が可能な発光装置を提供することができる。
【００２１】
なお、図１（ａ）、（ｂ）の発光装置は、互いに異なる発光層を備える３種類の有機ＥＬ素子を有しているが、２種類の有機ＥＬ素子からなる発光装置や４種類以上の有機ＥＬ素子からなる発光装置であってもよい。ここで、互いに「異なる発光層」とは、発光層を構成する材料あるいは膜厚の少なくともいずれか一方が異なることを言う。
【００２２】
続いて、本発明にかかる発光装置の製法について説明する。図２（ａ）〜（ｐ）は、本発明にかかる発光装置の製造方法の一例を示した断面模式図である。図２では、図面の簡略化のため、発光装置の一部分即ちコンタクト部１１と３種類の有機ＥＬ素子が１つずつ設けられた領域を示している。
【００２３】
（第１電極形成工程）
まず、複数の第１電極２１、２２、２３と、外部接続端子に電気的に接続された不図示の配線と後に形成する第２電極７０とのコンタクト部１１とが形成された基板１０の上に、少なくとも第１発光層を含む第１有機化合物層３１を形成する（図２（ａ））。基板１０には、支持体と、支持体上に設けられる回路層と、回路層上に形成される絶縁層、回路層と有機ＥＬ素子とを電気的に接続するコンタクトホールなども含まれている。支持体にはガラス基板などの絶縁性基板やシリコン基板の半導体基板、金属基板の表面に絶縁層を設けた基板などを好適に用いることができる。
【００２４】
第１電極は、トップエミッション型の発光装置であれば、例えばＡｌやＡｇやそれらの合金など光を反射する金属材料で構成されるのが好ましい。また、金属層とインジウム酸化物等の導電性酸化層との積層電極も好適に用いられる。ボトムエミッション型の発光装置であれば、第１電極は光を透過する材料でなければならず、例えばとインジウム酸化物やインジウム亜鉛酸化物等が好適である。ボトムエミッション型の場合は、支持基板にもガラス等の透明基材を用いる。
【００２５】
（第１有機化合物層形成工程）
基板１０の第１電極２１〜２３が形成された素子領域に、第１有機化合物層３１を形成する。有機化合物層３１の形成方法は、真空蒸着法、スピンコート法など公知の方法を用いる事ができる。真空蒸着法を用いる場合、第１電極２１〜２３が形成された素子領域に対応する開口を有するエリアマスクを用いて選択的に形成しても良いし、マスクを用いずに基板１０全体に形成してもよい。
【００２６】
各有機ＥＬ素子に含まれる有機化合物層は、それぞれ少なくとも所定の色を発光する発光層を含んでいる。つまり、本発明において、有機化合物層は、１層若しくは複数層の発光層から構成される場合、またはこのような発光層に加えて更に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層などから成る他の層を１層以上含んだ複数の層の積層体から構成される場合を包含するものである。第１有機ＥＬ素子、第２有機ＥＬ素子、第３有機ＥＬ素子に互いに異なる色を表示させる場合、それぞれの有機ＥＬ素子が互いに異なる有機化合物層を含むように形成する。本発明において、互いに「異なる有機化合物層」とは、発光層の材料、組成、膜厚、発光層を形成する場合の成膜方法、成膜条件、発光層以外の他の層の材料、組成、膜厚、他の層を形成する場合の成膜方法、成膜条件等のうち、少なくとも一つが互いに異なる有機化合物層のことを言う。例えば、有機化合物層を発光層と機能層との積層体から構成する場合、発光層のみを第１〜第３有機ＥＬ素子間で互いに異ならせる構成もあり得る。このような場合は、発光層までを積層した有機化合物層をパターニングするフォトリソグラフィを用いた工程を繰り返した後、最後に第１〜第３有機ＥＬ素子に共通する機能層を、第１〜第３有機ＥＬ素子に連続して形成しても良い。
【００２７】
各有機化合物層に含まれる発光層の発光色の組み合わせは特に限定されないが、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の組み合わせが最も一般的である。
【００２８】
（第１有機化合物層のパターニング工程）
第１有機化合物層３１の上に第１中間層４１を形成し（図２（ｂ））、さらに第１レジスト層５１を形成する（図２（ｃ））。第１中間層４１は、第１レジスト層５１のレジスト材料に含まれる溶媒やレジスト現像液が第１有機化合物層３１に与える影響を抑制する保護層の役割を有している。さらに、後の工程では、第１中間層４１を溶解して第１中間層の上に設けられた層を除去するための層としての役割も有している。従って、第１中間層には、レジスト材料に含まれる溶媒やレジスト現像液の浸透を抑制し、かつ、第１中間層４１を除去する際に用いる溶解液が第１有機化合物層３１に影響を与えない材料を選択して用いる。
【００２９】
第１中間層の上に設けられた層を除去するための層としての役割を担うという点では、例えば、水溶性高分子や水溶性無機塩などが好適である。しかし、第１中間層を水溶性材料で形成した場合、第１レジスト層５１を形成する工程や現像工程で、第１中間層自体が溶解や膨潤などの影響を受けてしまう可能性が懸念される。その場合は、第１中間層を、水溶性材料からなる層と水溶性材料からなる層を工程から保護する役割を担う層との積層体とし、第１有機化層物層３１に近い側に水溶性材料からなる層を設けるとよい。水溶性材料からなる層を工程から保護する層としては非水溶性材料が好ましく、具体的には酸化珪素や窒化珪素などが好適に用いられる。
【００３０】
中間層の形成方法は、例えば、水溶性高分子からなる層はスピンコート法やディップコート法などの塗布法、水溶性無機塩からなる層は塗布法や真空蒸着法など、形成する層の材料によって公知の方法から適宜選択することができる。非水溶性材料からなる層を形成する場合は、塗布法の他に、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などの真空成膜法から選択して用いることができる。
【００３１】
もし、第１レジスト層５１のレジスト材料に含まれる溶媒やレジスト現像液に対して第１有機化合物層３１が不溶であれば、第１中間層４１の形成は省略してもよい。他の有機化合物層のフォトリソ工程においても同様である。
【００３２】
第１レジスト層５１には、公知の感光性材料を使用することができる。図２に示した製造方法では、ポジ型レジストを用いた場合を示しているが、ネガ型レジストを用いてもよい。第１レジスト層５１成膜方法は、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法など、既存の方法を用いることができる。
【００３３】
次に、第１電極２１が形成された領域を遮蔽する第１フォトマスク６１を介して基板１０に紫外線６０を照射し、第１電極２１以外の領域の第１レジスト層５１を露光する（図２（ｄ））。第１レジスト層５１がネガ型レジストの場合は、第１電極２１が形成された領域に開口を有するフォトマスクを用いる。
【００３４】
次に、露光後の基板１０を現像液に浸し、露光された領域の第１レジスト層５１を除去（図２（ｅ））する。残った第１レジスト層５１をマスクとして、第１レジスト層５１が除去された領域の第１中間層４１と第１有機化合物層３１をエッチングにより除去する（図１（ｆ））。この時、第１電極２１上の第１有機化合物層３１に影響を与えない範囲であれば、マスクとして残された第１レジスト層５１と、その下の第１中間層４１の一部が同時に除去されてもよい。
【００３５】
第１有機化合物層３１のエッチングには、第１有機化合物層３１を溶かす溶剤を用いたウェットエッチングや、第１有機化合物層３１の材料と反応するガスを用いたドライエッチングを用いることができる。ただし、溶剤を用いたウェットエッチングは、第１レジスト層５１の下の第１有機化合物層３１がある程度サイドエッチングされてしまうため、ほとんどサイドエッチングの心配のないドライエッチングの方が好適である。ドライエッチングは、ウェットエッチングに比べて第１有機化合物層３１の端部の傾斜角を大きくできる点でも好ましい。
【００３６】
（第２有機化合物層の形成工程）
パターニングされた第１有機化合物層３１の上に第１中間層４１を残したまま、第２発光層を含む第２有機化合物層３２を、少なくとも第１電極２２の上に形成する（図２（ｇ））。第２有機化合物層３２は、第１有機化合物層３１と同様にして形成することができる。第２有機化合物層３２は、第１有機化合物層３１の端部を覆って形成されるため、第１有機ＥＬ素子と第２有機ＥＬ素子との間に位置する第１有機化合物層３１の端部と第２有機化合物層３２の端部は互いに接することになる。その結果、第１有機化合物層３１の傾斜角の大きな端部がそのまま露出することがない。
【００３７】
（第２有機化合物層のパターニング工程）
第２有機化合物層３２までが形成された基板１０を第１中間層４１の溶媒に浸漬し、第１中間層４１を、その上に形成された第２有機化合物層３２と共に除去する（図２（ｈ））。その結果、第１電極２１の上には第１有機化合物層３１が形成され、他の第１電極２２、２３の上には第２有機化合物３２が形成された状態となる。
【００３８】
次に、第１有機化合物層３１および第２有機化合物層３２の上に、第２中間層４２を形成し（図２（ｉ））、その上にポジ型の第２レジスト層５２を形成する（図２（ｊ））。第２中間層４２の材料および形成方法は、第１中間層４１と同様である。第２レジスト層５２の溶媒と現像液に対して第１および第２有機化合物層が不溶であれば、第２中間層４２の形成を省略してもよい。
【００３９】
続いて、第２フォトマスク６２にて第１電極２１、２２が設けられた領域を遮蔽して紫外線６０を照射し、第１電極２１、２２が設けられた領域以外に設けられた第２レジスト層５２を露光する（図２（ｋ））。その後、現像液に浸漬して露光された領域の第２レジスト層５２を除去し（図２（ｌ））、残った第２レジスト層をマスクとして、第２レジスト層５２が除去された領域の第２中間層４２と第２有機化合物層３２を除去する（図２（ｍ））。第２有機化合物層３２の除去は、第１有機化合物層３１と同様に行うことができる。この時、第１電極２１および２２の上の第１有機化合物層３１と第２有機化合物層３２に影響を与えない範囲で、マスクとして残された第２レジスト層５２とその下の第２中間層４２の一部を同時に除去してもよい。
【００４０】
（第３有機化合物層の形成工程）
次に、第３発光層を含む第３有機化合物層３３を、第１電極２３の上に形成する（図２（ｎ））。本実施例では図２の通り、最後に形成する第３有機化合物層３３は、有機ＥＬ素子間に位置しないため他の有機化合物層と接していない端部を有している。そこで、第３有機化合物層３３の有機ＥＬ素子間に位置しない端部の傾斜角が、フォトリソグラフィにてパターニングした時の端部の傾斜角よりも小さくなるように、マスク６５を用いた真空蒸着法にて第３有機化合物層３３を形成している。具体的には、素子領域１２に対応する開口を備えたマスク６５を用意し、コンタクト部１１と素子領域１２との間にマスク６５の開口端がくるようにマスク６５と基板１０とをアライメントして、第３有機化合物層３３を真空蒸着する。
【００４１】
一般に、マスクを用いた真空成膜法では、マスクと被成膜面との間にできる隙間に成膜粒子が回り込み、マスクと被成膜面との距離や、被成膜面に付着する成膜粒子の入射角に応じて、マスクの開口端の近傍に膜厚が徐々に薄くなる傾斜部が形成される。従って、マスクと被成膜面との距離や被成膜面に付着する成膜粒子の入射角を調整して、有機化合物層の端部の傾斜角を制御することが可能である。また、マスクを用いることで、不要な領域には第３有機化合物層３３が形成されないため、有機化合物層を介して外部から素子領域に水分が侵入する心配がなく、素子領域を取囲むように有機化合物層を除去する工程を省くことができる。
【００４２】
第３有機化合物層３３は、第１有機化合物層３１および第２有機化合物層３２の端部を覆うように形成されるため、第３有機ＥＬ素子と、第１有機ＥＬ素子および第２有機ＥＬ素子との間に位置する各発光層の端部は互いに接し、傾斜角の大きな端部が露出することがない。
【００４３】
（第３有機化合物層のパターニング工程）
第３有機化合物層３３までが形成された基板１０を第２中間層５２の溶媒に浸漬し、第１電極２１、２２の上に形成された第２中間層４２を溶解して、その上に形成された第３有機化合物層３３を剥離除去する（図２（ｏ））。
【００４４】
（第２電極の形成工程）
最後に、第１、第２、第３の有機化合物層３１〜３３の上に、複数の有機ＥＬ素子およびコンタクト部１１に連続する第２電極７０を形成し、本発明の有機ＥＬ素子が完成する（図２（ｐ））。
【００４５】
図２（ｐ）の通り、有機ＥＬ素子間に位置せず、かつ、第２電極が形成された領域における第３有機化合物層３３の端部の傾斜角は、マスクを用いて成膜した際に形成される端部そのままであるため、有機ＥＬ素子間に位置する端部の傾斜角よりも小さくなっている。つまり、パターニングされた有機化合物層の端部のうち、有機ＥＬ素子間に位置せず、かつ、第２電極が形成された領域に位置する有機化合物層の端部の傾斜角は、前記有機ＥＬ素子間に位置する端部の傾斜角よりも小さくなっている。ここで、有機ＥＬ素子間に位置せず、かつ、第２電極が形成された領域に位置する有機化合物層の端部は、図２（ｐ）に示された領域以外にも存在する。その領域全てにおいて有機ＥＬ素子間に位置する有機化合物層の端部の傾斜角よりも小さくなっている必要はなく、少なくとも一部が小さくなっていればよい。また、図２（ｐ）のように、必ずしもコンタクト部１１が設けられた辺において、有機化合物層の端部の傾斜角が小さくなっているのは、配線抵抗を低減する点で好ましいが、必須の要件ではない。なぜなら、少なくとも一部分で素子領域１２とコンタクト部１１との電気的な接続が確保されており、有機ＥＬ素子とコンタクト部との間の配線抵抗が十分低くなっていればよいからである。
【００４６】
従って、第１または第２有機化合物層をマスクを用いて真空蒸着法により形成し、有機ＥＬ素子間に位置しない領域に、真空成膜法にて形成された有機化合物層の端部の少なくとも一部がそのままの形状で残るように、エッチングでパターニングしてもよい。
【００４７】
マスクを用いた真空蒸着法は、工程数を増やさずに有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部の傾斜角を小さくすることができるため、好適である。
【００４８】
本発明にかかる発光装置は、有機ＥＬ素子間に位置する各有機化合物層の端部は互いに接しているために傾斜角の大きな領域が形成されない。また、有機ＥＬ素子間に位置しない第３有機化合物層３３の端部の傾斜角は小さいため、第２電極が途切れたり膜厚が薄くなったりする恐れもない。その結果、第２電極とコンタクト部１１との間おいて、第２電極のシート抵抗が高くなるのを抑制し、発光装置の発光不良や高電圧化を抑制することができる。
【００４９】
４種類の有機化合物層からなる発光装置、即ち、第４有機化合物層を有する有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ発光装置を作製する場合は、図２（ｇ）から図２（ｍ）と同様の工程を追加することによって、同様に作製することができる。また、２種類の有機化合物層からなる有機ＥＬ発光装置を作製する場合は、図２（ｇ）から図２（ｍ）までの工程を省略することによって作製することができる。
【００５０】
以上、本発明にかかる発光装置の一製造方法を説明したが、他に、有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置しない端部の傾斜角を、ドライエッチングのプロセス条件を調節し作製することもできる。以下、図３を用いて、他の製造方法を説明する。ただし、図２に示した製造方法と共通する点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。さらに、図３において図２と同じ部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
【００５１】
第２有機化合物層３２を形成するまでは図２の製造方法と同様に行う。第１電極２３を露出させた後、図２と異なり蒸着マスクを使用せずに第３の有機化合物層３３を基板１０の全面に形成し（図３（ａ））、第１電極２１、２２に形成された第３有機化合物層を、第２中間層４２とともに除去する（図３（ｂ））。
【００５２】
次に、第３中間層４３と第３レジスト層５３を形成し（図３（ｃ））、第３のフォトマスクの遮蔽領域６３で素子領域１２を遮蔽して露光を行う（図３（ｄ））。その後基板１０を現像液に浸漬し、露光された領域の第３レジスト層５３を現像して、素子領域を取囲む領域およびコンタクト部１１の上の、第３レジスト層５３を除去する（図３（ｅ））。
【００５３】
続いて、残った第３レジスト層５３をマスクとして、第３中間層４３と第３有機化合物層３３をドライエッチングにより除去する（図３（ｆ））。この時、ドライエッチング工程における圧力を調節するなどにより、パターニングされる有機化合物層の端部の傾斜角を小さくすることができる。
【００５４】
第３有機化合物層３３のパターニング後、第３中間層を溶解して除去し（図３（ｇ））、最後に、図２と同様にして第２電極７０を形成し、本発明の発光装置が完成する（図３（ｈ））。図３（ｇ）では、ドライエッチング工程中に、第３レジスト層５３がエッチングされて除去された場合を示しているが、ドライエッチング工程後に第３レジスト層５３が残っている場合は、第３中間層を溶解して除去する際に同時に除去することができる。
【００５５】
図３に示した製造方法を用いた場合、図２の製造方法よりは工程数は増えるが、有機化合物層の端部の位置精度と角度制御を図２の製造方法よりも向上させることができるため、端部の傾斜領域の幅を狭くして周辺領域、即ち額縁を小さくすることができる。
【００５６】
なお、１回のパターニングで形成される有機化合物層の端部の傾斜角は平面内のどの位置でもほぼ同一に形成される。従って、本発明における傾斜角として、それぞれの代表的な一箇所における傾斜角を用いてもよい。もし、パターニング条件によって傾斜角がばらつく場合は、複数箇所の平均を用いても良い。図５に示すように、ある有機化合物層２４の端部における傾斜角が一定でない場合は、傾斜部の各点における接線が基板となす角のうち、最も大きな傾斜角を意味する。図５の場合は、θ１を有機化合物層２４の傾斜角とする。
【００５７】
第１〜第３有機化合物層のパターニングの後、かつ、第２電極の形成前に、素子領域に連続する共通有機化合物層をさらに積層しても良い。この場合も、元からある有機化合物層の端部の上に積層した最上層の有機化合物層を含んで有機化合物層の端部と呼び、最も大きな傾斜角を端部の傾斜角とする。有機化合物層の端部の断面は集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工などの公知の方法で露出させることができ、ＳＥＭなどを用いて公知の方法で観測して傾斜角を確認することができる。
【００５８】
次に、本発明の発光装置における各有機化合物層のパターニングレイアウトについて説明する。図４は本発明に適用できる有機化合物層の平面レイアウトの例を示す模式図である。図中、有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置しない端面のうち、有機ＥＬ素子間に位置する端面より最大傾斜角が小さい端面を点線８１で示している。
【００５９】
図４（ａ）の場合、１番目にパターニングされる第１有機化合物層３１、２番目にパターニングされる第２有機化合物層３２は、それぞれ一方向に配列した複数の不図示の第一電極に連続する短冊状にパターニングされている。このとき、第１有機化合物層３１および第２有機化合物層３２のすべての端部は、フォトリソグラフィを用いてドライエッチングによってパターニングされているため、傾斜角が大きくなっている。最後にパターニングされる第３有機化合物層は、素子領域１２よりも大きな領域に形成され、最外周の全周の端部の傾斜角が有機ＥＬ素子間に位置する端部の傾斜角より小さくなっている。そのため、第２電極を経由してコンタクト部へ流れる電流の経路を全方向に確保することができる構成になっている。この平面レイアウトは、第３の有機化合物層を素子領域よりも大きな開口を有する蒸着マスクを用いた真空蒸着法にて形成し、かつその膜の最外周の端部の形状を残すようにパターニングすれば、工程数を増やすことなく作製することができる。
【００６０】
図４（ｂ）の場合も、図４（ａ）と同様に、第１有機化合物層３１と第２有機化合物層は、短冊状にパターニングされ、すべての端部において傾斜角が大きくなっている。図４（ａ）と異なる点は、第３有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置しない端部のうち、一辺の傾斜角が有機ＥＬ素子間に位置する端部の傾斜角より小さくなっており、第２電極を流れる電流の経路が一方向で確保している構成である。この平面レイアウトは、有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置しない端部のうち、電流の経路となる端部以外の傾斜角を大きくすることができる。そのため周辺領域に占める有機化合物の傾斜領域の面積を小さくしたり、素子領域１２とコンタクト部１１との距離を縮めたりすることができる。従って有機ＥＬ素子部周辺の、有機ＥＬ素子が配置されていない領域、いわゆる額縁領域を狭くするのに有利である。なお、傾斜角の小さな辺はどの一辺でもよい。図４（ｂ）では一辺において傾斜角が小さくなっている例を示しているが、少なくとも一辺において傾斜角が小さくなっていれば良く、複数の辺で傾斜角が小さくなっていてもよい。図４（ｂ）のように、少なくともコンタクト部１１が設けられた辺の端部の傾斜角が小さくなっている構成は、有機ＥＬ素子とコンタクト部との間の配線抵抗を低減する点で特に好ましい。このような平面レイアウトも、第３有機化合物層を素子領域よりも大きな開口を有する蒸着マスクを用いた真空蒸着法にて形成した後、素子内のパターニング時に電流の経路となる辺の端部形状がそのまま維持されるようにパターニングして作製することができる。
【００６１】
図４（ｃ）の場合は、行方向に配列した複数の第１電極に連続する短冊状にパターニングされた有機化合物層それぞれの一端において、端部の傾斜角が有機ＥＬ素子間に位置する端面の傾斜角より小さくなっている。他の例とは異なって、フォトリソ工程によってパターニングされた各短冊状の有機化合物層の間の端部が、隣接する有機化合物層に覆われずに露出している。
【００６２】
この平面レイアウトは、素子領域とコンタクト部１１との間に蒸着マスクの開口の端部を合わせて各有機化合物層を素子領域全体に真空蒸着法にて形成する。その後、蒸着法にて形成された膜の端部を有機ＥＬ素子間に位置しない端部としてそのまま残すようにパターニングして作製することができる。例えば、第２有機化合物層の場合、図２（ｈ）の工程において、中間層層４１を利用して第２有機化合物を剥離するのではなく、中間層層４１を残したまま第１有機化合物層と同様にフォトリソグラフィを用いて第１電極２２の上の第２有機化合物層を除去すればよい。ただしその際、蒸着法にて形成された膜の端部の所定の位置がエッチングされないよう保護しながら有機化合物層をパターニングし、第２電極を経由してコンタクト部へ流れる電流の経路を確保する。
【００６３】
図４（ｃ）の構成によれば、パターニングされた第１乃至第３有機化合物層の上に第２電極を形成すると、他の有機化合物層との間に位置する有機化合物層の端部の傾斜角が大きいため、第２電極が途切れたり高抵抗化したりする可能性がある。しかし、それぞれの有機化合物層は一方向に配置された複数の第１電極に連続して形成されているため、第２電極も前記一方向には途切れる等の問題が発生せず、取り出し側の電流経路を確保することができる。
【００６４】
図４（ｄ）は、各有機化合物層を第１電極に応じて、有機ＥＬ素子毎にパターニングした例である。この場合、図２を用いて説明した製造方法を用いて、パターニングされた有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置する端部が少なくとも一方向で隣接する有機ＥＬ素子の有機化合物層と接するように、各有機化合物層を形成する。その際、図４（ａ）と同様に、第３有機化合物層は、素子領域とコンタクト部１１との間に開口の端部が位置するように蒸着マスクを位置合わせし、素子領域全体に真空蒸着法にて形成する。そして、その後、蒸着マスクを用いて成膜した膜の最外周の端部をそのまま残すようにパターニングを行えば、第２電極を経由してコンタクト部へ流れる電流の経路を確保することができる。
【００６５】
以上のように、本願発明は、様々なレイアウトの有機ＥＬ発光装置にアレンジして適用することができる。
【００６６】
以下、本発明にかかる有機発光装置を製造する例を詳細に説明する。
【００６７】
（実施例１）
本実施例では、図２に示した製造方法と同様に、有機ＥＬ素子間に位置せず、かつ、第２電極が形成される領域に位置する有機化合物層の端部の傾斜角を、蒸着マスクを用いた真空蒸着法にて形成した例について説明する。作製した有機ＥＬ発光装置は、図１と同様の構成のＲ、Ｇ、Ｂによる多色表示の有機ＥＬ発光装置である。
【００６８】
まず、複数の第１電極２１、２２、２３が形成された基板１０を準備する。ガラス板の上に、トランジスタ（Ｔｒ）を用いた回路と、回路上に形成される層間絶縁層と、回路層と配線層を電気的に接続するコンタクトホールと、を含む回路層が形成されたものを基板１０として用いた。基板１０の回路層が設けられた表面全体に配線層としてＡｌを成膜し、フォトリソ工程を用いて所定の形状にパターニングした。その上に、絶縁体層（平坦化膜）として、スピンコーターを用いてポリイミド樹脂を形成し、フォトリソ工程によりパターニングして、絶縁体層にコンタクトホールを形成すると同時に、コンタクト部１１や外部接続端子部の表面を露出させた。
【００６９】
次に第１電極層としてＡｌとＩＴＯの積層膜を、スパッタリング法を用いて成膜し、フォトリソ工程により有機ＥＬ素子毎に分割された複数の第１電極２１〜２３を形成した。ＡｌとＩＴＯの膜厚はそれぞれ１００ｎｍと３０ｎｍとした。
【００７０】
基板１０の第１電極２１〜２３が形成された面全体に、水に不溶な公知材料を用いて、第１ホール輸送層、青色を発光する第１発光層、第１電子輸送層を真空蒸着法により順次堆積し、第１有機化合物層を形成した。
【００７１】
次に、第１有機化合物層を保護するための第１中間層を形成した。第１中間層は水溶性高分子と窒化シリコン膜の積層体とし、まず、ポリビニルピロリドン水溶液をスピンコート法によって塗布し、アニールして水溶性高分子膜を１μｍ成膜し、その上に窒化シリコン膜をＣＶＤ法によって１μｍ成膜した。
【００７２】
続いて、第１中間層の上の全体に、ポジ型のフォトレジスト材料である、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製ＡＺ１５００をスピンコート法にて塗布した後にアニールし、膜厚１０００ｎｍの第１フォトレジスト層を成膜した（図２（ｃ））。
【００７３】
次に、第１レジスト層をパターニングするため、キヤノン製露光装置ＭＰＡ６００を用いて、第１フォトマスクで第１電極２１上の領域を遮蔽し、紫外線を照射する露光を行った。露光時間は４０ｓとした。
【００７４】
露光後の基板１０を現像液（ＡＺ社製３１２ＭＩＦ溶液の５０％水溶液）に浸して１分現像し、紫外線が照射された領域の第１レジスト層を現像液に浸漬して溶解させ、第１レジスト層をパターニングした。その結果、図２（ｅ）のように、第１フォトマスクの遮蔽領域に対応して第１電極２１上の領域にのみ第１レジスト層が残っている状態となった。
【００７５】
第１レジスト層が表面に残った状態の基板１０をドライエッチング装置に投入し、第１レジスト層が除去された領域の第１中間層と第１有機化合物層とを除去した。ドライエッチングは、第１中間層のうち窒化シリコン層はＣＦ４を反応ガスとして行い、第１中間層４１の水溶性高分子層と有機化合物層は酸素を反応ガスとし、流量２０ｓｃｃｍ、圧力８Ｐａ、出力１５０Ｗ、５分の条件で行った。この時、第１レジスト層が残っていた領域でもエッチングが進行し、第１レジスト層と第１中間層の一部が除去された。この工程により、図２（ｆ）のように第１電極２２、２３の表面が露出した。
【００７６】
第１有機化合物層３１と同様の手順で、真空蒸着法により第２有機化合物層３２を基板１０の第１電極が形成された面全体に形成した。第２有機化合物層３２は、第１ホール輸送層と同じ材料からなる第２ホール輸送層（膜厚１５０ｎｍ）、水に不溶な公知の緑色の発光材料からなる第２発光層（膜厚２０ｎｍ）の積層体とした。
【００７７】
第２有機化合物層３２までが形成された基板１０を水に１０分間浸漬して水溶性高分子層を溶解させ、第１電極２１上の第１中間層４１と共に第２有機化合物層３２を除去した。その結果、第１電極２１の上に第１有機化合物層３１が形成され、第１電極２２および２３の上に第２有機化合物層３２が形成された状態となった（図２（ｈ））。
【００７８】
続いて、第１中間４１層と同様に、水溶性高分子層と窒化シリコン層の２層から成る第２中間層４２を基板１０の全体に形成した（図２（ｉ））。その後、第１レジスト層５１と同様の方法により、第２中間層４２の上に第２レジスト層５２を基板上の全面に成膜した（図２（ｊ））。続いて、第１レジスト層５１と同様にして、第２フォトマスク６２を用いて第１電極２１および２２上の領域を遮蔽して露光を行った（図２（ｋ））。その後、基板１０を現像液に浸して１分現像し、紫外線が照射された領域の第２レジスト層５２を現像液に浸漬して溶解させた。その結果、第２フォトマスク６２の遮蔽領域に対応して第１電極２１および２２上の領域にのみ第２レジスト層５２が残っている状態となった（図２（ｌ））。
【００７９】
残った第２レジスト層５２をマスクとして、ドライエッチングにより第２レジスト層５２を除去した領域の第２中間層４２と第２有機化合物層３２を除去した。エッチング条件は第１有機化合物層３１を除去した条件と同様とした。以上の工程により、第１電極２３が露出した状態となった（図２（ｍ））。
【００８０】
次に、素子領域１２よりも大きな開口を有する蒸着マスクでコンタクト部１１を遮蔽しながら、第１および第２有機化合物層３１、３２と同様の手順で真空蒸着法により、素子領域１２を含む領域に第３有機化合物層３３を形成した。第３有機化合物層３３は、第１ホール輸送層と同じ材料からなる第３ホール輸送層（膜厚２０ｎｍ）、公知の赤色の発光材料からなる第３発光層（膜厚３０ｎｍ）の積層体とした。
【００８１】
第３有機化合物層３３が形成された基板１０を水に１０分間浸漬して水溶性高分子を溶解させ、第１電極２１、２２の上に形成された第２中間層４２と共に第３有機化合物層３３を除去した。以上の工程により、第１電極２１の上に第１有機化合物層３１、第１電極２２の上に第２有機化合物層３２、第１電極２３上に第３有機化合物層３３が形成された状態となった（図２（ｏ））。
【００８２】
パターニングされた第１〜第３有機化合物層３１〜３３の上に、素子領域１２からコンタクト部１１にわたって連続する第２電極７０を形成した。第２電極は、膜厚２０ｎｍのＡｇＭｇ合金膜をスパッタリング法にて成膜した。最後に、ＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜を外部接続端子部以外に形成して封止し、有機ＥＬ発光装置を完成させた（図２（ｐ））。
【００８３】
完成した有機ＥＬ発光装置を駆動させたところ、第２電極の断線や高電圧化は発生せず、良好な多色発光が得られた。また、この有機ＥＬ素子の断面形状を電子顕微鏡で観察し、有機化合物層の端部の傾斜角を複数箇所で評価したところ、第１〜第３の有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置する端部の傾斜角は平均で約８５°であった。第３の有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置しない端部の傾斜角は平均で約３０°であり、第２電極が極端に薄くなったり、途切れたりしている箇所は見当たらなかった。
【００８４】
（実施例２）
本実施例では、有機ＥＬ素子間に位置せず、かつ、第２電極が形成される領域に位置する有機化合物層の端部の傾斜角を、ドライエッチングを用いて制御した例について説明する。
【００８５】
まず、第１電極２３が露出した状態が形成された状態とする（図２（ｍ））までの工程を実施例１と同様に行った。
【００８６】
蒸着マスクを使用しない真空蒸着法にて、第１電極２３が露出した基板１０の全面に第３有機化合物層３３を成膜した（図３（ａ））。次に、実施例１と同様にして、第３有機化合物層３３が形成された基板１０を水に浸漬して水溶性高分子層を溶解させ、第１電極２１および第１電極２２上の第２中間層４２と共に第３有機化合物層３３を除去した（図３（ｂ））。
【００８７】
第１〜第３有機化合物層の上に、水溶性高分子層と窒化シリコン層の２層からなる第３中間層４３を形成した後、第３レジスト層５３を形成した（図３（ｃ））。続いて、素子領域１２を遮蔽しコンタクト部１１を含む領域１３に開口を有するフォトマスクを用いて第３レジスト層５３を露光し（図３（ｄ））、現像工程を行ってフォトマスクで遮蔽されていない周辺領域の第３レジスト層を除去した（図３（ｅ））。
【００８８】
次に、ドライエッチングにより、第３レジスト層が除去された領域の第３中間層と第３有機化合物層を除去した（図３（ｆ））。この時、ドライエッチング工程の条件は、傾斜角が緩くなるように調整した。具体的には、酸素を反応ガスとするドライエッチングの圧力を３０Ｐａとしたことを除いては実施例１と同様の条件で行った。
【００８９】
ドライエッチング後の基板１０を水に浸漬して第３中間層４３の水溶性高分子層を溶解させることにより第３中間層４３を除去し、第２電極として、素子領域１２からコンタクト部１１にかけて連続するＡｇＭｇ合金を膜厚２０ｎｍで成膜した。最後に不図示のガラスキャップによる封止を行ってフルカラーの発光の可能な有機ＥＬ装置を完成させた。
【００９０】
完成した有機ＥＬ装置に外部接続端子から電圧および信号を供給して駆動させた結果、第２電極の断線や高電圧化は発生せず、良好な３色発光が得られた。
【００９１】
また、この有機ＥＬ装置の断面形状を観察したところ、第１〜第３有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置する端部の最大傾斜角は約８５°であった。また、有機ＥＬ素子間に位置しない第３有機化合物層の端部のうち、ドライエッチング工程でパターニングされた端部の最大傾斜角は約６０°であった。
【００９２】
（実施例３）
第２電極としてＡｇＭｇ合金を成膜する工程の前に、共通有機化合物層として公知の電子注入層を、第１〜第３有機化合物層の表面全体に膜厚２０ｎｍで成膜したことを除いては、実施例１と同様にして有機ＥＬ発光装置を作製した。完成した有機ＥＬ発光装置を駆動させた結果、第２電極の断線や高電圧化は発生せず、良好な３色発光が得られた。
【００９３】
また、この有機ＥＬ発光装置の複数箇所で断面形状を観察したところ、第１〜第３有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置する端部のそれぞれは最大傾斜角は約８５°であり、隣接する有機化合物層に覆われていた。また、第３の有機化合物層の有機ＥＬ素子間に位置しない端部には電子注入層が積層されており、その表層の傾斜角は第３有機化合物層の端部に倣った形状をしており、最大傾斜角は約３０°であった。
【符号の説明】
【００９４】
１０ 基板
１１ コンタクト部
１２ 素子領域
１４ 配線層
１５ 外部接続端子
２１〜２３ 第１電極
３１ 第１有機化合物層
３２ 第２有機化合物層
３３ 第３有機化合物層
４１ 第１中間層
４２ 第２中間層
４３ 第３中間層
５１ 第１レジスト層
５２ 第２レジスト層
５３ 第３レジスト層
７０ 第２電極
８０ 有機ＥＬ素子間に位置する端部
８１ 有機ＥＬ素子間に位置しない端部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と少なくとも発光層を含む有機化合物層と第２電極とがこの順に積層され、基板の所定の領域に配置された複数の有機ＥＬ素子と、
前記基板の所定の領域の外に配置された外部接続端子と前記外部接続端子に電気的に接続されコンタクト部を有する配線と、を備え、
前記第１電極が有機ＥＬ素子ごとに分割され、
前記有機化合物層が１または複数の有機ＥＬ素子ごとに分割され、
前記第２電極が複数の有機ＥＬ素子に共通して設けられ、前記コンタクト部で前記配線と電気的に接続されている有機ＥＬ装置であって、
前記分割された有機化合物層の端部のうち、有機ＥＬ素子間に位置せず、且つ、前記第２電極が設けられる領域に位置する有機化合物層の端部の前記基板に対する傾斜角は、前記有機ＥＬ素子間に位置する有機化合物層の端部の前記基板に対する傾斜角よりも小さいことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ素子間に位置する有機化合物層の端部の前記基板に対する傾斜角よりも小さい傾斜角を有する有機化合物層の端部は、前記所定の領域と前記コンタクト部との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記有機ＥＬ装置は、互いに異なる発光層を含む複数種類の有機ＥＬ素子を含んでおり、
前記有機ＥＬ素子は行方向および列方向に配置されており、
列方向または行方向で互いに隣接する分割された有機化合物層は、それぞれ異なる発光層を含んでいることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
有機ＥＬ素子間に位置する前記有機化合物層の端部の前記基板に対して傾斜している領域の幅は、前記有機化合物層の膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
有機ＥＬ素子間に位置する前記有機化合物層の端部は、隣接する他の有機化合物層によって覆われていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記前記有機ＥＬ素子間に位置する有機化合物層の端部は、フォトリソグラフィを用いて形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記前記有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部は、マスクを用いた真空蒸着法にて形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
外部接続端子と配線と複数の第１電極とが形成された基板を準備する第１の工程と、
前記複数の第１電極のうち、一部の第１電極の上に第１有機化合物層を選択的に形成する第２の工程と、
前記複数の第１電極のうち、有機化合物層が形成されていない第１電極の上に、前記第１有機化合物層とは異なる発光層を含む第２有機化合物層を形成する第３の工程と、
前記第１有機化合物層および前記第２有機化合物層および前記コンタクト部を含む領域の上に第２電極を形成する第４の工程と、を有し、
前記第２の工程は、フォトリソグラフィを用いて前記第１有機化合物層をパターニングする工程を含み、前記第３の工程は、前記複数の第１電極が設けられた領域に対応する開口を有するマスクを用いて前記第２有機化合物層を形成する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程は、
複数の第１電極が設けられた基板の上に第１有機化合物層および中間層をこの順に形成する工程と、
前記複数の第１電極のうち一部の第１電極の上にフォトリソグラフィを用いてレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層が設けられていない第１電極の上の第１有機化合物層および中間層をドライエッチングにて除去する工程と、含み、
前記第３の工程は、
前記複数の第１電極が設けられた領域に対応する開口を有するマスクを用いて、前記第１有機化合物層および前記中間層が除去された第１電極の上に第２有機化合物層を形成する工程と、
前記中間層を溶解して、前記中間層の上に形成された前記第２有機化合物層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記中間層は水溶性材料からなることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の工程は、前記中間層と前記レジスト層との間に非水溶性材料からなる層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の工程と、前記第３の工程との間に、
前記第２の工程にて前記第１有機化合物層が選択的に形成されなかった複数の第１電極のうち、一部の第１電極の上に前記第１有機化合物層および前記第２有機化合物層とは異なる発光層を含む第３有機化合物層を選択的に形成する第５の工程を有することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第５の工程は、フォトリソグラフィを用いて前記第１有機化合物層をパターニングする工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１】
第１電極と少なくとも発光層を含む有機化合物層と第２電極とがこの順に積層され、基板の所定の領域に配置された複数の有機ＥＬ素子と、
前記基板の所定の領域の外に配置された外部接続端子と前記外部接続端子に電気的に接続されコンタクト部を有する配線と、を備え、
前記第１電極が有機ＥＬ素子ごとに分割され、
前記有機化合物層が１または複数の有機ＥＬ素子ごとに分割され、
前記第２電極が複数の有機ＥＬ素子に共通して設けられ、前記コンタクト部で前記配線と電気的に接続されている有機ＥＬ装置であって、
前記分割された有機化合物層の端部のうち、有機ＥＬ素子間に位置せず、且つ、前記第２電極が設けられる領域に位置する有機化合物層の端部の前記基板に対する傾斜角は、前記有機ＥＬ素子間に位置する有機化合物層の端部の前記基板に対する傾斜角よりも小さいことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ素子間に位置する有機化合物層の端部の前記基板に対する傾斜角よりも小さい傾斜角を有する有機化合物層の端部は、前記所定の領域と前記コンタクト部との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記有機ＥＬ装置は、互いに異なる発光層を含む複数種類の有機ＥＬ素子を含んでおり、
前記有機ＥＬ素子は行方向および列方向に配置されており、
列方向または行方向で互いに隣接する分割された有機化合物層は、それぞれ異なる発光層を含んでいることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
有機ＥＬ素子間に位置する前記有機化合物層の端部の前記基板に対して傾斜している領域の幅は、前記有機化合物層の膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
有機ＥＬ素子間に位置する前記有機化合物層の端部は、隣接する他の有機化合物層によって覆われていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記前記有機ＥＬ素子間に位置する有機化合物層の端部は、フォトリソグラフィを用いて形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記前記有機ＥＬ素子間に位置しない有機化合物層の端部は、マスクを用いた真空蒸着法にて形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
外部接続端子と配線と複数の第１電極とが形成された基板を準備する第１の工程と、
前記複数の第１電極のうち、一部の第１電極の上に第１有機化合物層を選択的に形成する第２の工程と、
前記複数の第１電極のうち、有機化合物層が形成されていない第１電極の上に、前記第１有機化合物層とは異なる発光層を含む第２有機化合物層を形成する第３の工程と、
前記第１有機化合物層および前記第２有機化合物層および前記コンタクト部を含む領域の上に第２電極を形成する第４の工程と、を有し、
前記第２の工程は、フォトリソグラフィを用いて前記第１有機化合物層をパターニングする工程を含み、前記第３の工程は、前記複数の第１電極が設けられた領域に対応する開口を有するマスクを用いて前記第２有機化合物層を形成する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程は、
複数の第１電極が設けられた基板の上に第１有機化合物層および中間層をこの順に形成する工程と、
前記複数の第１電極のうち一部の第１電極の上にフォトリソグラフィを用いてレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層が設けられていない第１電極の上の第１有機化合物層および中間層をドライエッチングにて除去する工程と、含み、
前記第３の工程は、
前記複数の第１電極が設けられた領域に対応する開口を有するマスクを用いて、前記第１有機化合物層および前記中間層が除去された第１電極の上に第２有機化合物層を形成する工程と、
前記中間層を溶解して、前記中間層の上に形成された前記第２有機化合物層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記中間層は水溶性材料からなることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の工程は、前記中間層と前記レジスト層との間に非水溶性材料からなる層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の工程と、前記第３の工程との間に、
前記第２の工程にて前記第１有機化合物層が選択的に形成されなかった複数の第１電極のうち、一部の第１電極の上に前記第１有機化合物層および前記第２有機化合物層とは異なる発光層を含む第３有機化合物層を選択的に形成する第５の工程を有することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第５の工程は、フォトリソグラフィを用いて前記第１有機化合物層をパターニングする工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１３−６５８３０（Ｐ２０１３−６５８３０Ａ）
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１７６００６（Ｐ２０１２−１７６００６）
【出願日】平成２４年８月８日（２０１２．８．８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年８月８日（２０１２．８．８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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