熱アシスト磁気記録用光源ユニット及び該ユニットを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法
【課題】集積面とＡＢＳとが垂直である構成を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、光源をＡＢＳから遠ざけた位置に設置し、しかも光源の不良品率及び設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下を回避することができる手段を提供する。
【解決手段】スライダのＡＢＳとは反対側の面に接着される接着面を有するユニット基板と、このユニット基板に設けられた光源と、このユニット基板の接着面とは垂直な素子形成面上に設けられており、光源から放射されて接着面側の自身の端面に達する光の光路を含む伝播層と、この伝播層に設けられており、光源から放射された光の伝播を調整するためのレンズ部と、この伝播層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つに設けられた、スライダとの位置合わせのためのユニット用マーク部とを備えている熱アシスト磁気記録用の光源ユニットが提供される。
【解決手段】スライダのＡＢＳとは反対側の面に接着される接着面を有するユニット基板と、このユニット基板に設けられた光源と、このユニット基板の接着面とは垂直な素子形成面上に設けられており、光源から放射されて接着面側の自身の端面に達する光の光路を含む伝播層と、この伝播層に設けられており、光源から放射された光の伝播を調整するためのレンズ部と、この伝播層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つに設けられた、スライダとの位置合わせのためのユニット用マーク部とを備えている熱アシスト磁気記録用の光源ユニットが提供される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト磁気記録方式により信号の書き込みを行う薄膜磁気ヘッドの構成要素である、レーザダイオード等の光源を備えた光源ユニットに関し、また、この光源ユニットを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、読み出し用の磁気抵抗（ＭＲ）効果素子と書き込み用の電磁コイル素子とを積層した構造である複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられており、これらの素子によって磁気記録媒体である磁気ディスクにデータ信号が読み書きされる。
【０００３】
一般に、磁気記録媒体は、いわば磁性微粒子が集合した不連続体であり、それぞれの磁性微粒子は単磁区構造となっている。ここで、１つの記録ビットは、複数の磁性微粒子から構成されている。従って、記録密度を高めるためには、磁性微粒子を小さくして、記録ビットの境界の凹凸を減少させなければならない。しかし、磁性微粒子を小さくすると、体積減少に伴う磁化の熱安定性の低下が問題となる。
【０００４】
磁化の熱安定性の目安は、ＫＵＶ／ｋＢＴで与えられる。ここで、ＫＵは磁性微粒子の磁気異方性エネルギー、Ｖは１つの磁性微粒子の体積、ｋＢはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。磁性微粒子を小さくするということは、まさにＶを小さくすることであり、そのままではＫＵＶ／ｋＢＴが小さくなって熱安定性が損なわれる。この問題への対策として、同時にＫＵを大きくすることが考えられるが、このＫＵの増加は、記録媒体の保磁力の増加をもたらす。これに対して、磁気ヘッドによる書き込み磁界強度は、ヘッド内の磁極を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度でほぼ決定されてしまう。従って、保持力が、この書き込み磁界強度の限界から決まる許容値を超えると書き込みが不可能となってしまう。
【０００５】
このような磁化の熱安定性の問題を解決する第１の方法として、面内磁気記録方式から垂直磁気記録方式への移行が考えられる。垂直磁気記録媒体では記録層厚をより大きくすることが可能であり、結果として、Ｖを大きくして熱安定性を向上させることができる。第２の方法として、パターンドメディアの使用が考えられる。通常の磁気記録では、上述したように1つの記録ビットをＮ個の磁性微粒子によって構成して記録しているが、パターンドメディアを用いて、1つの記録ビットを体積ＮＶの１つの領域とすることによって、熱安定性の指標がＫＵＮＶ／ｋＢＴとなり、熱安定性が飛躍的に向上する。
【０００６】
さらに、熱安定性の問題を解決する第３の方法として、ＫＵの大きな磁性材料を用いる一方で、書き込み磁界印加の直前に記録媒体に熱を加えることによって、保磁力を小さくして書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている。この方式は、磁気ドミネント記録方式と光ドミネント記録方式とに大別される。磁気ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は電磁コイル素子であり、光の放射径はトラック幅（記録幅）に比べて大きくなっている。一方、光ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は光放射部であり、光の放射径はトラック幅（記録幅）とほぼ同じとなっている。すなわち、磁気ドミネント記録方式は、空間分解能を磁界に持たせているのに対し、光ドミネント記録方式は、空間分解能を光に持たせている。
【０００７】
この熱アシスト磁気記録方式における、光を記録媒体に照射するための光放射部として、特許文献１においては、基板上に形成された円錐体等の形状をした金属の散乱体と、その散乱体の周辺に形成された誘電体等の膜とを備えた近接場光プローブが開示されている。また、特許文献２においては、記録再生装置において固体イマージョン・レンズを用いたヘッドが開示されている。さらに、特許文献３には、近接場光プローブを構成する散乱体を、その照射される面が記録媒体に垂直となるように、垂直磁気記録用単磁極書き込みヘッドの主磁極に接して形成された構成が開示されている。さらに、非特許文献１には、水晶のスライダ上に形成されたＵ字状の近接場光プローブが開示されている。さらにまた、非特許文献２には、光がよく透過する回折格子を、光がほとんど透過しない回折格子を突き当てて結合したグレーティングが開示されている。
【０００８】
以上に述べたように、実際、種々の光放射部が提案されているが、熱アシスト磁気記録を実現するにおいて非常に重要であるのが、ヘッドの浮上面（ＡＢＳ）近傍に設けられたこの光放射部に、レーザ光を供給するための手段である。
【０００９】
例えば、特許文献４及び５に開示された技術は、レーザ光の供給に光ファイバを用いている。ここで、特許文献４には、斜めに切断した光ファイバ等の端面に、ピンホールが形成された金属膜を設けた構成が開示されている。また、特許文献５には、光ファイバから出射したレーザ光を適切にレンズ光学系に向けるための可動ミラーを備えた光学式浮上ヘッドが開示されている。
【００１０】
これに対して、特許文献６及び特許文献３に開示された技術は、レーザ光の供給にヘッド内に設けられた半導体レーザ素子を用いている。ここで、特許文献６には内蔵したレーザ素子部からの光を、媒体に対向した微小光学開口に照射して熱アシストを行う構成が開示されている。また、特許文献３には、レーザ素子をＡＢＳ近傍又はヘッド素子の上方等の位置に設けて、上述した近接場光プローブを構成する散乱体にレーザ光を照射する構成が開示されている。
【００１１】
ここで、レーザ光の供給手段としての、光ファイバと、ヘッド内に設けられた半導体レーザ素子とを比較する。光ファイバを用いる場合、半導体レーザのような複雑な構造をヘッド内部に形成する必要がなく、所望の強度を有する微細な近接場光を比較的容易に得られる。しかしながら、光ファイバをヘッドに固定する際には、この光ファイバを相当に曲げる必要が生じるが、特に、ガラス製ファイバにおいてはその許容曲げ半径が大きく、曲げ加工が困難となる。また、プラスティック製ファイバの場合、許容曲げ半径は有る程度小さくなるが、高損失であり伝播効率が低下してしまう。
【００１２】
さらに、光ファイバを用いる場合、ヘッドから飛び出した光ファイバが揺れて、スライダの浮上特性に悪影響を及ぼしたり、磁気ディスク間にヘッドが配置されている場合、接触の危険性が生じたりする可能性がある。また、光ファイバ端と光源や導波路層等との結合部において非常に大きな損失が発生してしまう。これに対して、半導体レーザをヘッド内に設ける場合、このような問題は発生せず、浮上特性に大きな影響を与えることなく比較的低損失でレーザ光を供給することが可能となる。
【００１３】
【特許文献１】特開２００１−２５５２５４号公報
【特許文献２】特開平１０−１６２４４４号公報
【特許文献３】特開２００４−１５８０６７号公報
【特許文献４】特開２０００−１７３０９３号公報
【特許文献５】特表２００２−５１１１７６号公報
【特許文献６】特開２００１−２８３４０４号公報
【非特許文献１】ShintaroMiyanishi他著 ”Near-field Assisted Magnetic Recording” IEEE TRANSACTIONS ONMAGNETICS、２００５年、第４１巻、第１０号、ｐ．２８１７−２８２１
【非特許文献２】庄野敬二、押木満雅著 「熱アシスト磁気記録の現状と課題」 日本応用磁気学会誌、２００５年、第２９巻、第１号、ｐ．５−１３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、光の導入に半導体レーザ等の光源を用いる場合においても、光源の不良品率、及び設置位置の誤差によるヘッドの製造歩留まりの低下、ＡＢＳを有するスライダに光源を適切に設置することの困難性等が問題となってきた。
【００１５】
一般に、半導体レーザのダイオードチップにおいては、出力、レーザ光の広がり角、寿命等の特性評価を、チップ単体で非破壊的に行うことは非常に困難である。従って、半導体レーザをヘッド内に設ける場合、半導体レーザをスライダ等に設置した後に特性評価を行い、良否を判定することになる。さらに、半導体レーザと他の光学素子、特に近接場光の発生箇所との微妙な位置関係を適切に調整すること自体が相当に困難であるにもかかわらず、一度設置された半導体レーザの位置は、変更がほとんど不可能である。従って、実際に、半導体レーザの設置位置の誤差、特に、他の光学素子との位置関係に関わる製造誤差を解消又は縮小することが非常に困難になっている。
【００１６】
その結果、ヘッド全体の製造歩留まりに対して、磁気ヘッド部分の歩留まりと、半導体レーザ自体の歩留まりと、半導体レーザの設置位置に関する歩留まりの全てが積算的に影響し、ヘッド全体の歩留まりが著しく低下してしまう。
【００１７】
次いで、光源のスライダへの設置の問題を考察する。例えば、特許文献３に開示されているように、散乱体に適切に光を照射するために、光源がヘッド端面近傍の記録媒体に非常に近い位置に設置されている場合、光源位置が記録媒体に接触する可能性を有しており、装置の信頼性という観点から非常に好ましくない。
【００１８】
これに対して、例えば、非特許文献１に記載された技術によれば、半導体レーザ等の光源を媒体面から遠ざけた状態において光が入射可能となる。この場合、光ピックアップヘッドから収束された光が近接場光プローブに直接入射している。しかしながら、この技術は、近接場光プローブの集積された面と媒体対向面とが一致している構成を前提としており、集積面と媒体対向面（ＡＢＳ）とが垂直である一般的な薄膜磁気ヘッドの構成とは全く異なり、親和性が良くない。すなわち、例えば、垂直通電型巨大磁気抵抗（ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plain）−ＧＭＲ）効果素子や垂直磁気記録用の電磁コイル素子を備えた薄膜磁気ヘッドに適用することが非常に困難である。
【００１９】
従って、本発明の目的は、集積面とＡＢＳとが垂直である構成を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、光源をＡＢＳから遠ざけた位置に設置し、しかも光源の不良品率及び設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下を回避することができる手段を提供することにある。さらに、このような手段を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００２０】
また、本発明の他の目的は、記録媒体の加熱効率が高い薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明について説明する前に、明細書において使用される用語の定義を行う。基板の集積面に形成された磁気ヘッド素子の積層構造において、基準となる層よりも基板側にある構成要素を、基準となる層の「下」又は「下方」にあるとし、基準となる層よりも積層される方向側にある構成要素を、基準となる層の「上」又は「上方」にあるとする。
【００２２】
本発明によれば、スライダのＡＢＳとは反対側の面に接着される接着面を有するユニット基板と、このユニット基板に設けられた光源と、このユニット基板の接着面とは垂直な素子形成面上に設けられており、光源から放射されて接着面側の自身の端面に達する光の光路を含む伝播層と、この伝播層に設けられており、光源から放射された光の伝播を調整するためのレンズ部と、この伝播層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つに設けられた、スライダとの位置合わせのためのユニット用マーク部とを備えている熱アシスト磁気記録用の光源ユニットが提供される。
【００２３】
この本発明による光源ユニットと、スライダとを組み合わせて薄膜磁気ヘッドを製造する場合、例えば、前もって光源ユニットの特性評価を行って、良品のみを薄膜磁気ヘッドの製造に使用すれば、ヘッド製造時のヘッド全体の歩留まりが、ほぼスライダの製造歩留まりとなり、光源ユニットの不良品率によるヘッド全体の製造歩留まりの低下を回避することができる。
【００２４】
また、この本発明による光源ユニットは、スライダのＡＢＳとは反対側の面に接着されるので、常に、光源をＡＢＳから遠ざけた位置に設置することが可能となる。さらに、このような光源ユニットを用いることによって、スライダに適切な進行方向を有しており伝播が調整された光を入射させることが可能となる。すなわち、集積面とＡＢＳとが垂直である構成を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、適切な大きさ及び方向を有する光を確実に供給することができる。その結果、磁気記録媒体の加熱効率が高い熱アシスト磁気記録を実現可能とする。
【００２５】
さらに、光源ユニットとスライダとの位置合わせにおいて、トラック幅方向での位置合わせは比較的容易に行うことができるが、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせは、かなり困難となる。これに対して、本発明によるユニット用マーク部を備えた光源ユニットを用いれば、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせを確実かつ簡便に行うことができる。その結果、光源を設置する際の設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下が、回避される。
【００２６】
この本発明による光源ユニットにおいて、ユニット用マーク部の位置が、伝播層の接着面側の端面において光が達する位置と、素子形成面に垂直な方向において一致することが好ましい。
【００２７】
また、本発明による光源ユニットにおいて、伝播層に設けられており、光をこの伝播層の接着面側の端面に向けさせるための光路変更部をさらに備えていることが好ましい。この際、この光路変更部が、光がレンズ部を通過した後に達する光路上の位置に設けられて、ユニット基板の素子形成面に対して斜めに形成された、伝播層の層面を反射面としたプリズム部であることも好ましい。
【００２８】
さらに、本発明による光源ユニットにおいて、レンズ部が、回折光学素子部であることが好ましい。
【００２９】
さらにまた、本発明による光源ユニットにおいて、光源がレーザダイオードであり、このレーザダイオードが、ユニット基板の接着面とは反対側の面に形成されていて素子形成面に及んでいる堀込みに設けられており、このレーザダイオードの出光端がユニット基板に遮られずに露出しており、さらに、ユニット基板が導電性を有していて、このレーザダイオードの底面をなす電極が、ユニット基板に電気的に接続されていることも好ましい。
【００３０】
さらにまた、本発明による光源ユニットにおいて、伝播層の接着面側の端面から放射される光が、接着面に垂直な方向を有しており、さらに伝播が調整された光、例えば、平行に揃えられた光、又は集束された光であることが好ましい。
【００３１】
本発明によれば、また、切断分離されることによって、分離後の個々のチップが、ユニット用マーク部を除いて上述した光源ユニットとなり、
スライダ加工バーのＡＢＳとなる面とは反対側の面に接着され、切断分離されることによって接着面となるバー接着面を有しており、
伝播層となる層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つに設けられた、スライダ加工バーとの位置合わせのためのユニット加工バー用マーク部を備えているユニット加工バーが提供される。
【００３２】
この本発明によるユニット加工バーにおいて、ユニット加工バー用マーク部の位置が、伝播層の接着面側の端面において光が達する位置と、素子形成面に垂直な方向において一致することが好ましい。
【００３３】
本発明によれば、さらにまた、接着面を有するユニット基板と、このユニット基板に設けられた光源と、このユニット基板の接着面とは垂直な素子形成面上に設けられており、光源から放射されて接着面側の自身の端面に達する光の光路を含む伝播層と、レンズ部とを備えた熱アシスト磁気記録用の光源ユニットを形成し、
形成された光源ユニットにおいて、伝播層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つの面上であって、伝播層の接着面側の端面において光が達する位置と素子形成面に垂直な方向において一致する位置に、ユニット用マーク部を設け、
ＡＢＳ及びＡＢＳに垂直な集積面を有するスライダ基板と、集積面に形成された磁気ヘッド素子と、光をＡＢＳとは反対側の自身の端面から受け入れてＡＢＳ側のスライダ端面に向けて伝播させるための導波路層と、磁気ヘッド素子及び導波路層を覆うように集積面上に形成された被覆層と、この被覆層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つの面上であって、導波路層の位置と集積面に垂直な方向において一致する位置に設けられたスライダ用マーク部とを備えたスライダを形成し、
ユニット用マーク部が設けられた光源ユニットにおける接着面と、スライダ用マーク部を備えたスライダにおけるＡＢＳとは反対側の面とを接面させ、次いで、伝播層の接着面側の端面から放射された光が導波路層を伝播してＡＢＳ側のスライダ端面に達するように、このユニット用マーク部とこのスライダ用マーク部とを、集積面に垂直な方向において一致させた上で、光源ユニットとスライダとを固着する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００３４】
ここで、この本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法において、光源ユニットを形成した後であって、ユニット用マーク部を設ける前に、光源の検査を行い、その後、この検査によって良品と判定された光源ユニットのみを用いて製造工程を実施することが好ましい。
【００３５】
このような本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、集積面とＡＢＳとが垂直である構成であって光源をＡＢＳから遠ざけた位置に設置した薄膜磁気ヘッドの製造において、例えば、光源ユニットの特性検査を光源ユニットとスライダとの固着前に行うことが可能となるので、光源の不良品率による歩留まりの低下を回避することができる。さらに、上述したようなユニット用マーク部及びスライダ用マーク部を位置合わせに用いるので、設置位置の誤差による歩留まりの低下を回避することができる。
【００３６】
また、この本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法において、レーザ光を用いたマーキングによって、ユニット用マーク部を形成することが好ましい。さらに、光源ユニットの接着面及び／又はスライダのＡＢＳとは反対側の面に、ＵＶ硬化樹脂を予め塗布し、ユニット用マーク部とスライダ用マーク部とを一致させた上で、紫外線を照射して光源ユニットとスライダとを固着することが好ましい。
【００３７】
本発明によれば、さらにまた、切断分離されることによって、分離後の個々のチップが、接着面を有するユニット基板と、光を放射するレーザダイオードと、接着面に垂直な素子形成面に形成された光を伝播する伝播層と、レンズ部とを備えた熱アシスト磁気記録用の光源ユニットとなり、切断分離されることによって接着面となるバー接着面を有するユニット加工バーを形成し、
ユニット加工バーにおいて、伝播層となる層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つの面上であって、伝播層の接着面側の端面において光が達する位置と素子形成面に垂直な方向において一致する位置に、ユニット加工バー用マーク部を設け、
切断分離されることによって、分離後の個々のチップが、ＡＢＳ及びＡＢＳに垂直な集積面を有するスライダ基板と、集積面に形成された磁気ヘッド素子と、光をＡＢＳとは反対側の自身の端面から受け入れてＡＢＳ側のスライダ端面に向けて伝播させるための導波路層と、磁気ヘッド素子及び導波路層を覆う被覆層と、被覆層内であって導波路層の位置と集積面に垂直な方向において一致する位置に設けられたスライダ加工バー用マーク部とを備えた熱アシスト磁気記録用のスライダとなるスライダ加工バーを形成し、
ユニット加工バー用マーク部が設けられたユニット加工バーのバー接着面と、スライダ加工バーのＡＢＳとなる面とは反対側の面とを接面させ、次いで、伝播層の接着面側の端面から放射された光が導波路層を伝播してＡＢＳ側のスライダ端面に達するように、ユニット加工バー用マーク部とスライダ加工バー用マーク部とを、集積面に垂直な方向において一致させた上で、ユニット加工バーとスライダ加工バーとを固着し、その後、固着されたユニット加工バー及びスライダ加工バーを切断分離する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００３８】
この本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法において、ユニット加工バーを形成した後であって、ユニット加工バー用マーク部を設ける前に、光源の検査を行い、その後、この検査によって良品と判定されたユニット加工バーのみを用いて製造工程を実施することが好ましい。
【００３９】
また、この本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法において、レーザ光を用いたマーキングによって、ユニット加工バー用マーク部を形成することが好ましい。さらに、ユニット加工バーのバー接着面及び／又はスライダ加工バーのＡＢＳとなる面とは反対側の面に、ＵＶ硬化樹脂を予め塗布し、ユニット加工バー用マーク部とスライダ加工バー用マーク部とを一致させた上で、紫外線を照射してユニット加工バーとスライダ加工バーとを固着することが好ましい。
【発明の効果】
【００４０】
本発明による熱アシスト磁気記録用の光源ユニットによれば、集積面とＡＢＳとが垂直であるヘッド構成において、光源をＡＢＳから遠ざけた位置に設置し、しかも光源の不良品率及び設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下を回避することができる。また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、集積面とＡＢＳとが垂直である構成であって光源をＡＢＳから遠ざけた位置に設置した薄膜磁気ヘッドの製造において、光源の不良品率及び設置位置の誤差による歩留まりの低下を回避することができる。
【００４１】
また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、記録媒体の加熱効率が高い薄膜磁気ヘッドが実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。
【００４３】
図１は、本発明による光源ユニット、及びこの光源ユニットを備えた薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示す斜視図である。
【００４４】
図１によれば、薄膜磁気ヘッド２１は、データ信号の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッド素子３２を備えたスライダ２２と、熱アシスト磁気記録用の光源となるレーザダイオード４０を備えた光源ユニット２３とが、それぞれの背面２２０１及び接着面２３００を接面させて接着、固定された構成を有している。ここで、スライダ２２の背面２２０１は、スライダ２２のＡＢＳ２２００とは反対側の面である。
【００４５】
スライダ２２は、適切な浮上量を得るように加工された媒体対向面であるＡＢＳ２２００を有するスライダ基板２２０と、スライダ基板２２０のＡＢＳ２２００に垂直な集積面２２０２に形成された、データ信号を読み出すためのＭＲ効果素子３３及びデータ信号を書き込むための電磁コイル素子３４から構成される磁気ヘッド素子３２と、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の間を通して設けられている導波路層３５と、磁気ディスクの記録層部分を加熱するための近接場光を発生させる近接場光発生部３６と、ＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、導波路層３５及び近接場光発生部３６を覆うように集積面２２０２上に形成された被覆層３８と、被覆層３８の層面から露出した、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４に２つずつ接続されている合計４つの信号端子電極３７と、光源ユニット２３との位置合わせのために用いられるスライダ用マーク部１１とを備えている。
【００４６】
ここで、スライダ用マーク部１１は、被覆層３８のトラック幅方向に対向している両側面３８０及び３８１のうちの少なくとも１つ（図１の実施形態では側面３８０）の面上であって、導波路層３５の位置と、集積面２２０２に垂直な方向において一致する位置に設けられている。なお、このスライダ用マーク部１１は、位置合わせの際に、後述するユニット用マーク部１０の近傍に位置することが望ましいため、側面３８０のスライダ端面２２２側の端部に設けられていることが好ましい。
【００４７】
ＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、及び近接場光発生部３６の一端は、ＡＢＳ２２００側のスライダ端面２２１に達している。ここで、スライダ端面２２１は、スライダ２２のＡＢＳ２２００側の面であってＡＢＳ２２００以外の部分の面である。実際の書き込み又は読み出し動作時には、薄膜磁気ヘッド２１が回転する磁気ディスク表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の端が磁気ディスクと微小なスペーシングを介して対向することによって、データ信号磁界の感受による読み出しとデータ信号磁界の印加による書き込みとが行われる。
【００４８】
ここで、データ信号の書き込みの際、光源ユニット２３から導波路層３５を通って伝播してきたレーザ光が近接場光発生部３６を照射し、この照射によって、近接場光発生部３６のスライダ端面２２１に達した端から近接場光が発生する。この近接場光によって、後述するように、熱アシスト磁気記録を行うことが可能となる。
【００４９】
導波路層３５は、ともに放物線に沿って湾曲した、トラック幅方向において対向する２つの側面３５１を有しており、ＡＢＳ２２００とは反対側のスライダ端面２２２に達した端面３５２から入射した平行に揃えられたレーザ光３９が、この両側面３５１での反射によって、スライダ端面２２１側の端面である集光面３５０に集光可能となっている。なお、スライダ端面２２２は、スライダ２２のＡＢＳ２２００とは反対側の面であって背面２２０１以外の部分の面である。また、近接場光発生部３６は、一方の端が導波路層３５の集光面３５０に接しており、他方の端がスライダ端面２２１に達している微細な近接場光ギャップ部３６１と、互いの先端をこの近接場光ギャップ部３６１を介して対向させている２つの対向金属層３６０とを備えている。近接場光発生部３６においては、近接場光ギャップ部３６１と、この微細な近接場光ギャップ部３６１を狭持した対向金属層３６０とが、いわゆる「蝶ネクタイ型」構造を実現している。この「蝶ネクタイ型」構造においては、その中心部に発生する非常に強い電界の集中に起因して、近接場光が発生する。
【００５０】
この近接場光の電界強度は、入射光に比べて桁違いに強く、この非常に強力な近接場光が、磁気ディスク表面の対向する局所部分を急速に加熱する。これにより、この局所部分の保磁力が、書き込み磁界による書き込みが可能な大きさまでに低下するので、高密度記録用の高保磁力の磁気ディスクを使用しても、電磁コイル素子３４による書き込みが可能となる。なお、近接場光は、スライダ端面２２１から磁気ディスクの表面に向かって、上述した近接場光ギャップ部３６１のトラック幅方向の幅又は層厚程度までの領域に存在する。従って、１０ｎｍ又はそれ以下の浮上量である現状において、近接場光は、十分に記録層部分に到達することができる。また、このように発生する近接場光の幅は、同じく上述した幅又は層厚と同程度であって、この近接場光の電界強度は、この幅又は層厚以上の領域では指数関数的に減衰するので、非常に局所的に磁気ディスクの記録層部分を加熱することができる。
【００５１】
同じく図１によれば、光源ユニット２３は、スライダ２２の背面２２０１に接着される接着面２３００を有するユニット基板２３０と、ユニット基板２３０の接着面２３００とは反対側のユニット上面２３０１に形成されていて、接着面２３００とは垂直な素子形成面２３０２に及んでいる堀込み２００３と、堀込み２００３に設置されており、出光端４００がユニット基板２３０に遮られずに露出しているレーザダイオード４０と、素子形成面２３０２上に設けられており、レーザダイオード４０から放射されたレーザ光の光路を含み、このレーザ光を自身の接着面側の端面４１０まで伝播させるための伝播層４１と、伝播層４１に設けられており、レーザダイオード４０から放射されたレーザ光の伝播を調整するためのレンズ部としての回折光学素子部４２と、伝播層４１に設けられており、素子形成面２３０２に対して斜めに形成された、伝播層４１の層面を反射面４３０とし、レーザ光を端面４１０に向けさせるための光路変更部としてのプリズム部４３と、レーザダイオード４０用の駆動端子電極４４０及び４４１と、スライダ２２との位置合わせのために用いられるユニット用マーク部１０とを備えている。
【００５２】
ここで、ユニット用マーク部１０は、伝播層４１のトラック幅方向に対向している両側面４１１及び４１２のうちの少なくとも１つであって、素子形成面２３０２側から見て、集積面２２０２側から見た際のスライダ用マーク部１１のある側と同じ側となる面上（図１の実施形態では側面４１１上）であって、伝播層４１の接着面２３００側の端面４１０においてレーザ光が達する位置と、素子形成面２３０２に垂直な方向において一致する位置に設けられている。なお、このユニット用マーク部１０は、位置合わせの際に、スライダ用マーク部１１の近傍に位置することが望ましいため、側面４１１の端面４１０側の端部に設けられていることが好ましい。
【００５３】
レーザダイオード４０の出光端４００から放射されたレーザ光は、伝播層４１を伝播するにつれて、素子形成面２３０２に垂直な軸ａＬを中心として広がっていくが、伝播層４１に設けられており軸ａＬを自身の軸とする回折光学素子部４２を通過することによって、平行に揃った光、又は集束した光に変換される。このように伝播を調整されたレーザ光は、プリズム部４３の反射面４３０に達して同面で全反射するによって、その進行方向を９０°、すなわち、接着面２３００（ＡＢＳ２２００）に垂直な方向に変更させられる。その後、レーザ光は、伝播層４１の接着面２３００側の端面４１０まで伝播し、この端面４１０から放射されて、導波路層３５の端面３５２に、同層の層面に平行な方向に伝播するレーザ光として、入射する。
【００５４】
以上に述べたように、薄膜磁気ヘッド２１は、スライダ２２と光源ユニット２３とを合わせた構成になっていて、それぞれを形成した後に、組み合わせることにより製造することができる。従って、例えば、前もって光源ユニットの特性評価を行って、良品のみを薄膜磁気ヘッドの製造に使用すれば、ヘッド製造時のヘッド全体の製造歩留まりが、ほぼスライダの製造歩留まりとなり、光源としてのレーザダイオードの不良品率によるヘッド全体の製造歩留まりの低下を回避することができる。
【００５５】
また、光源ユニット２３は、スライダ２２のＡＢＳ２２００とは反対側の背面２２０１に接着されるので、常に、レーザダイオード４０をＡＢＳ２２００から遠ざけた位置に設置することが可能となる。
【００５６】
さらに、このような光源ユニット２３を用いることによって、上述したように、スライダ２２の導波路層３５の端面３５２に、同層の層面に平行な方向に伝播するレーザ光を入射させることができる。すなわち、集積面２２０２とＡＢＳ２２００とが垂直である構成を有する薄膜磁気ヘッド２１において、適切な大きさ及び方向を有するレーザ光が、確実に供給可能となる。その結果、磁気ディスクの記録層の加熱効率が高い熱アシスト磁気記録を実現可能とする。
【００５７】
なお、スライダ２２及び光源ユニット２３の大きさは任意であるが、例えば、スライダ２２は、トラック幅方向の幅７００μｍ×長さ（奥行き）８５０μｍ×厚み２３０μｍの、いわゆるフェムトスライダであってもよい。この場合、光源ユニット２３は、これよりも一回り小さい大きさ、例えば、トラック幅方向の幅７００μｍ×長さ（奥行き）７００μｍ×厚み１８０μｍであってもよい。ここで、光源ユニット２３のトラック幅方向の幅は、位置合わせをする際にスライダ用マーク部１１とユニット用マーク部１０とが同時に確認し易いように、スライダ２２のトラック幅方向の幅と同じであることが好ましい。
【００５８】
また、通常用いられるレーザダイオードの典型的な大きさは、例えば、幅２５０μｍ×長さ（奥行き）２５０μｍ×厚み６５μｍ程度であり、例えば、この大きさの光源ユニット２３のユニット上面２３０１に、この大きさのレーザダイオード４０を設置できる堀込み２００３を形成することが、十分に可能となっている。この際、この堀込み２００３の深さを６５μｍ、又はこれよりも数μｍ深くしておけば、レーザダイオード４０の上面をユニット上面２３０１と同等か、又は低くすることができる。ただし、この堀込み２００３の深さを、例えば３０μｍ程度として、レーザダイオード４０の上面を若干突出させてもよい。また、光源ユニット２３の大きさを、レーザダイオード４０が設置可能な範囲でより小さくすることによって、１枚の基板ウエハから、より多数の光源ユニット２３を収得することが可能となる。
【００５９】
次いで、スライダ２２と光源ユニット２３とを固着する際の位置合わせについて説明する。スライダ２２と光源ユニット２３との位置を合わせる際、最も重要なことは、光源ユニット２３の伝播層４１の端面４１０から放射された光が、スライダ２２の導波路層３５を伝播してＡＢＳ２２００側のスライダ端面２２１（近接場光発生部３６）に十分かつ確実に達するようにすることである。
【００６０】
ここで、導波路層３５の端面３５２でのトラック幅方向の幅は、伝播層４１の端面４１０に達したレーザ光のスポットの同方向の径に比べて、十分大きく設定可能である。その一方、導波路層３５の端面３５２での厚さは、このスポットのこの厚さ方向の径に比べてそれほど大きくできない。例えば、伝播層４１の端面４１０に達したレーザ光のスポットにおいて、トラック幅方向の径は、例えば５〜４０μｍ程度であり、この径に直交する径は、例えば１〜６μｍ程度である。一方、このレーザ光を受け取る導波路層３５の端面３５２でのトラック幅方向の幅は、例えば５０〜５００μｍ程度であるが、導波路層３５の厚さは、例えば１〜６μｍ程度である。その結果、スライダ２２と光源ユニット２３とにおいて、トラック幅方向での位置合わせは比較的容易に行うことができるが、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせは、かなり困難となる。
【００６１】
これに対して、図１に示す本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、スライダ用マーク部１１が、側面３８０上であって導波路層３５の位置と集積面２２０２に垂直な方向において一致する位置に設けられており、さらに、ユニット用マーク部１０が、側面４１１上であって伝播層４１の端面４１０においてレーザ光が達する位置と素子形成面２３０２に垂直な方向において一致する位置に設けられている。
【００６２】
ここで、このようなマーク部を用いて、スライダ２２と光源ユニット２３との位置合わせを行うことを考える。最初に、このようなスライダ用マーク部１１を備えたスライダ２２の背面２２０１と、このようなユニット用マーク部１０を備えた光源ユニット２３の接着面２３００とを接面させ、次いで、スライダ用マーク部１１とユニット用マーク部１０とを、例えば光学顕微鏡等を備えた画像認識アライナーを用いて集積面２２０２（素子形成面２３０２）に垂直な方向において一致させた上で、スライダ２２と光源ユニット２３とを固着する。これにより、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせを確実かつ簡便に行うことができる。その結果、光源としてのレーザダイオード４０を設置する際の設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下が回避される。
【００６３】
なお、スライダ用マーク部１１及びユニット用マーク部１０の位置は、本実施形態での位置に限定されるものではなく、例えば、それぞれ、導波路層３５の位置及びレーザ光の達する位置から所定の距離だけずれた位置に設けられていてもよい。また、スライダ２２において、近接場光発生部３６を設けずに、導波路層３５の集光面３５０をスライダ端面２２１から露出させて、磁気ディスクに集光したレーザ光を照射して、磁気ディスクを加熱してもよい。
【００６４】
図２（Ａ）は、図１に示した薄膜磁気ヘッド２１の要部の構成を概略的に示す、図２のＡ−Ａ線断面図であり、図２（Ｂ）は、磁気ヘッド素子３２及び近接場光発生部３６のスライダ端面２２１における端の形状を示す平面図である。
【００６５】
まず、薄膜磁気ヘッド２１のスライダ２２の構成要素について説明する。
【００６６】
図２（Ａ）のスライダ２２において、２２０はアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等からなるスライダ基板であり、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ２２００を有している。このスライダ基板２２０のＡＢＳ２２００を底面とした際の一つの側面である集積面２２０２に、読み出し用のＭＲ効果素子３３と、書き込み用の電磁コイル素子３４と、これらの素子を保護する被覆層３８とが主に形成されている。さらに、被覆層３８の側面３８０のスライダ端面２２２側の端部に、スライダ用マーク部１１が形成されている。
【００６７】
ＭＲ効果素子３３は、ＭＲ積層体３３２と、この積層体を挟む位置に配置されている下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４とを含む。下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４は、例えば、厚さ０.５〜３μｍ程度のＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ若しくはＦｅＺｒＮ等で構成することができる。
【００６８】
ＭＲ積層体３３２は、面内通電型（ＣＩＰ（Current In Plain））巨大磁気抵抗（ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive））多層膜、垂直通電型（ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plain））ＧＭＲ多層膜、又はトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistive））多層膜を含み、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。上下部シールド層３３４及び３３０は、ＭＲ積層体３３２が雑音となる外部磁界の影響を受けることを防止する。
【００６９】
このＭＲ積層体３３２がＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０の各々とＭＲ積層体３３２との間に絶縁用の上下部シールドギャップ層がそれぞれ設けられる。さらに、ＭＲ積層体３３２にセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層が形成される。一方、ＭＲ積層体３３２がＣＰＰ-ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０はそれぞれ上下部の電極層としても機能する。
【００７０】
ＭＲ積層体３３２は、例えば、ＴＭＲ効果多層膜を含む場合、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ等からなる厚さ５〜１５ｎｍ程度の反強磁性層と、例えば強磁性材料であるＣｏＦｅ等、又はＲｕ等の非磁性金属層を挟んだ２層のＣｏＦｅ等から構成されており反強磁性層によって磁化方向が固定されている磁化固定層と、例えばＡｌ、ＡｌＣｕ等からなる厚さ０.５〜１ｎｍ程度の金属膜が真空装置内に導入された酸素によって又は自然酸化によって酸化された非磁性誘電材料からなるトンネルバリア層と、例えば強磁性材料である厚さ１ｎｍ程度のＣｏＦｅ等と厚さ３〜４ｎｍ程度のＮｉＦｅ等との２層膜から構成されておりトンネルバリア層を介して磁化固定層との間でトンネル交換結合をなす磁化自由層とが、順次積層された構造を有している。
【００７１】
電磁コイル素子３４は、垂直磁気記録用であり、主磁極層３４０、ギャップ層３４１、コイル層３４２、コイル絶縁層３４３、及び補助磁極層３４４を備えている。主磁極層３４０は、コイル層３４２によって誘導された磁束を、書き込みがなされる磁気ディスクの記録層まで収束させながら導くための導磁路である。ここで、主磁極層３４０のスライダ端面２２１側の端部３４０ａの層厚方向の長さ（厚さ）は、他の部分に比べて小さくなっている。この結果、高記録密度化に対応した微細な書き込み磁界が発生可能となる。
【００７２】
ここで、主磁極層３４０は、例えば、ＡＢＳ側の端部での全厚が約０.０１μｍ〜約０.５μｍであって、この端部以外での全厚が約０.５μｍ〜約３.０μｍのＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されている。ギャップ層３４１は、例えば、厚さ約０.０１μｍ〜約０.５μｍのＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等から構成されている。コイル層３４２は、例えば、厚さ約０.５μｍ〜約３μｍのＣｕ等から構成されている。コイル絶縁層３４３は、例えば、厚さ約０.１μｍ〜約５μｍの熱硬化されたレジスト層等から構成されている。補助磁極層３４４は、例えば、厚さ約０.５μｍ〜約５μｍのＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されている。
【００７３】
導波路層３５は、ＭＲ効果素子３３と電磁コイル素子３４との間に位置していて集積面２２０２と平行に伸長しているが、スライダ端面２２１の近傍において、スライダ端面２２１に向かってその厚さ方向においても先細りした形状を有している。導波路層３５は、何れの部分においても、被覆層３８を形成する材料よりも高い屈折率ｎを有する、例えばスパッタリング法等を用いて形成された誘電材料から構成されている。例えば、被覆層３８が、ＳｉＯ２（ｎ＝１.５）から形成されている場合、導波路層３５は、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１.６３）から形成されていてもよい。さらに、被覆層３８が、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１.６３）から形成されている場合、導波路層３５は、Ｔａ２Ｏ５（ｎ＝２.１６）、Ｎｂ２Ｏ５（ｎ＝２.３３）、ＴｉＯ（ｎ＝２.３〜２.５５）又はＴｉＯ２（ｎ＝２.３〜２.５５）から形成されていてもよい。導波路層３５をこのような材料で構成することによって、材料そのものが有する良好な光学特性によるだけではなく、界面での全反射条件が整うことによって、レーザ光の伝播損失が小さくなり、近接場光の発生効率が向上する。
【００７４】
スライダ用マーク部１１は、上述したような材料で形成された被覆層３８の側面３８０の端部に、例えば、金属膜等からなる、幅１〜５μｍ程度の微細なパターンであってもよい。また、ドライエッチング加工又は機械加工によるマーク又は傷であってもよい。さらには、レーザマーカ等を用いたレーザ光によるマーキングによって形成された、加工マーク又はレーザ痕であってもよい。
【００７５】
図２（Ａ）において、近接場光発生部３６の近接場光ギャップ部３６１は、導波路層３５と同じ誘電材料で形成されている。また、図２（Ａ）には図示されておらず図１に示されている、近接場光発生部３６の対向金属層３６０は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＩｒ、若しくはこれらのうちのいくつかの組合せからなる合金、又はＡｌ、Ｃｕ等が添加されたこれらの合金等の導電材料から形成されている。
【００７６】
近接場光ギャップ部３６１のトラック幅方向の幅及び層厚は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、それぞれ、約１０ｎｍ〜約３００ｎｍ及び約１０ｎｍ〜約２００ｎｍである。また、近接場光ギャップ部３６１のスライダ端面２２１に垂直な方向の長さは、例えば、１０〜５００ｎｍ程度である。また、導波路層３５の端面３５２でのトラック幅方向の幅は、例えば、５０〜５００μｍ程度である。
【００７７】
図２（Ｂ）によれば、スライダ端面２２１上において、近接場光ギャップ部３６１の発生端３６１ａは、電磁コイル素子３４の主磁極層３４０の端３４０ｂに近接していて、端３４０ｂのリーディング側に位置している。また、発生端３６１ａの形状は、トレーリング側に短辺を有する正台形となっている。
【００７８】
ここで、近接場光は、入射されるレーザ光の波長及び導波路層３５の形状にも依存するが、一般に、最も幅の狭いトレーリング側の短辺近傍において最も強い強度を有する。すなわち、磁気ディスクの記録層部分を加熱する熱アシスト作用において、このトレーリング側の短辺近傍が、主要な加熱作用部分となる。
【００７９】
また、主磁極層３４０の端３４０ｂの形状は、トレーリング側に長辺を有する逆台形となっている。すなわち、主磁極層３４０の端部３４０ａの側面には、ロータリーアクチュエータでの駆動により発生するスキュー角の影響によって隣接トラックに不要な書き込み等を及ぼさないように、ベベル角が付けられている。ベベル角の大きさは、例えば、１５°程度である。実際に、書き込み磁界が主に発生するのは、トレーリング側の長辺近傍であり、この長辺の長さによって書き込みトラックの幅が決定される。
【００８０】
以上に述べた、近接場光ギャップ部３６１の発生端３６１ａ、及び主磁極層３４０の端３４０ｂの配置及び形状によれば、主要な加熱作用部分である発生端３６１ａのトレーリング側の短辺近傍が、書き込み部分である主磁極層の端３４０ｂに非常に近い位置にあるので、磁気ディスクの記録層部分に熱を加えた直後に、ほとんど間を置かず、書き込み磁界を印加することができる。これにより、熱アシストによる安定した書き込み動作が、確実に実行可能となる。
【００８１】
なお、変更態様として、電磁コイル素子３４は、長手磁気記録用であってもかまわない。この場合、主磁極層３４０及び補助磁極層３４４の代わりに、下部磁極層及び上部磁極層が設けられ、さらに、下部磁極層及び上部磁極層のスライダ端面２２１側の端部に挟持された書き込みギャップ層が設けられる。この書き込みギャップ層位置からの漏洩磁界によって書き込みが行われる。
【００８２】
また、ＭＲ効果素子３３と導波路層３５及び近接場光発生部３６との間に、素子間シールド層４８が形成されているが、この素子間シールド層４８と導波路層３５との間に、さらに、バッキングコイル部が形成されていてもよい。バッキングコイル部は、電磁コイル素子３４から発生してＭＲ効果素子３３の上下部電極層を経由する磁束ループを打ち消す磁束を発生させて、磁気ディスクへの不要な書き込み又は消去動作である広域隣接トラック消去（ＷＡＴＥ）現象の抑制を図るものである。このバッキングコイル部は、長手磁気記録用のヘッドの場合、又は垂直磁気記録用のヘッドであっても不要の場合には省略される。また、コイル層３４２は、図２（Ａ）において１層であるが、２層以上又はヘリカルコイルでもよい。
【００８３】
次いで、薄膜磁気ヘッド２１の光源ユニット２３の構成要素について説明する。
【００８４】
図２（Ａ）の光源ユニット２３において、２３０はアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等からなるユニット基板であり、スライダ基板２２０の背面２２０１に接着している接着面２３００を有している。この接着面２３００を底面とした際の一つの側面である素子形成面２３０２上に、伝播層４１が設けられており、この伝播層４１に、回折光学素子部４２と、プリズム部４３とが設けられており、さらに、ユニット基板２３０に形成された堀込み２００３に、レーザダイオード４０が設置されている。さらに、伝播層４１の側面４１１の端面４１０側の端部に、ユニット用マーク部１０が形成されている。
【００８５】
伝播層４１は、レーザダイオード４０の出光端４００から回折光学素子部４２及びプリズム部４３を介して、自身の端面４１０に至るまでの光路を含んでいる。回折光学素子部４２は、通常の曲面を有する光学凸レンズにおいて、レンズ厚み方向に関する波長の倍数分の材質を削除した上で、波長の２−ｎ乗の高さを単位とした（ｎ−１）個の層による階段構造によって近似したレンズパターンである。
【００８６】
この回折光学素子部４２の構成は、後に、他の図面を用いて詳細に説明するが、伝播層４１を形成する材料よりも高い屈折率ｎを有しており、例えばスパッタリング法等を用いて形成された誘電材料から構成されている。例えば、伝播層４１が、ＳｉＯ２（ｎ＝１.５）から形成されている場合、回折光学素子部４２は、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１.６３）から形成されていてもよい。さらに、伝播層４１が、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１.６３）から形成されている場合、回折光学素子部４２は、Ｔａ２Ｏ５（ｎ＝２.１６）、Ｎｂ２Ｏ５（ｎ＝２.３３）、ＴｉＯ（ｎ＝２.３〜２.５５）又はＴｉＯ２（ｎ＝２.３〜２.５５）から形成されていてもよい。回折光学素子部４２が伝播層４１よりも高い屈折率を有することによって、回折光学素子部４２を通過するレーザ光が、界面での屈折に基づくレンズ作用によって平行な光又は集束した光に調整される。なお、伝播層４１の厚さは、例えば、３０〜６０μｍ程度であり、回折光学素子部４２の厚さは、後述するようにレーザ光の波長に依存するが、例えば０.５〜５μｍ程度である。
【００８７】
プリズム部４３は、素子形成面２３０２に対して斜めに形成された、伝播層４１の層面を反射面４３０として、レーザ光の進行方向を変更させるものである。回折光学素子部４２によって、例えば平行に揃えられたレーザ光が、このプリズム部４３の反射面４３０に臨界角以上の入射角で入射すると、このレーザ光は、反射面４３０で全反射し、平行に揃えられたまま端面４１０の方向に進行方向を変更させられる。実際、伝播層４１がＳｉＯ２（ｎ＝１.５）又はＡｌ２Ｏ３（ｎ＝１.６３）のいずれで形成されている場合でも、磁気ディスク装置内の雰囲気（屈折率ｎは約１）よりは大きな屈折率を有しているので、このような全反射が可能となる。例えば、回折光学素子部４２によって平行に揃えられたレーザ光が素子形成面２３０２に垂直な方向に進行して来る場合、端面４１０側の辺が素子形成面２３０２に対して平行に持ち上がる形で４５°に傾いて、平坦な反射面４３０が形成されることによって、全反射後のレーザ光を、接着面２３００に垂直な方向を有する光とすることができる。
【００８８】
ユニット用マーク部１０は、上述したような材料で形成された伝播層４１の側面４１１の端部に、例えば、レーザマーカ等を用いたレーザ光によるマーキングによって形成された、幅１〜５μｍ程度の加工マーク又はレーザ痕であってもよい。また、金属膜等からなる微細なパターンであってもよい。さらには、ドライエッチング加工又は機械加工によるマーク又は傷であってもよい。
【００８９】
また、変更態様として、回折光学素子部４２が、本実施形態のようにレーザダイオード４０とプリズム部４３とを結ぶ光路上にはなく、レーザ光がプリズム部４３において全反射した後に達する光路上の位置に設けられてもよい。また、レーザダイオード４０が、本実施形態のように堀込み２００３に形成されているのではなく、その底面の電極がユニット基板２３０の素子形成面２３０２に電気的に接続された状態で固定されていてもよい。この場合、レーザ光は、レーザダイオードの出光端から伝播層４１の端面４１０に向かって放射され、伝播層４１に形成された回折光学素子部を通過して平行に揃えられることが好ましい。
【００９０】
また、さらなる変更態様として、光路変更部が、本実施形態のようにプリズム部４３ではなく、グレーチングカプラ（Grating Coupler）部であってもよい。さらにまた、レンズ部及び光路変更部として、グレーチングカプラ部のみが設けられていてもよい。以上に述べた変更態様においても、適切な方向を有する平行に揃えられたレーザ光を得ることが可能となる。
【００９１】
図３（Ａ）及び（Ｂ）は、レーザダイオード４０の構成、及びレーザダイオード４０のユニット基板２３０への搭載方法を示す概略図である。
【００９２】
図３（Ａ）によれば、レーザダイオード４０は、通常、光学系ディスクストレージに使用されるものと同じ構造を有していてもよく、例えば、ｎ電極４０ａと、ｎ−ＧａＡｓ基板４０ｂと、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｃと、第１のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｄと、多重量子井戸（ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰ）等からなる活性層４０ｅと、第２のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｆと、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｇと、＊ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層４０ｈと、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４０ｉと、ｐ電極４０ｊとが順次積層された構造を有する。これらの多層構造の劈開面の前後には、全反射による発振を励起するためのＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等からなる反射膜５０及び５１が成膜されており、レーザ光が放射される出光端４００には、一方の反射膜５０における活性層４０ｅの位置に開口が設けられている。
【００９３】
放射されるレーザ光の波長λＬは、例えば６００〜６５０ｎｍ程度である。ただし、スライダ２２（図１）に近接場光発生部３６を設ける場合、対向金属層３６０（図１）の金属材料に応じた適切な励起波長が存在することに留意しなければならない。例えば、対向金属層３６０としてＡｕを用いる場合、レーザ光の波長λＬは、６００ｎｍ近傍が好ましい。
【００９４】
レーザダイオード４０の大きさは、上述したように、例えば、幅２５０μｍ×長さ（奥行き）２５０μｍ×厚み６５μｍ程度である。ここで、レーザダイオード４０の幅は、電流阻止層４０ｈの対向端の間隔を下限として、例えば、１００μｍ程度までに小さくすることができる。ただし、レーザダイオード４０の長さは、電流密度と関係する量であり、それほど小さくすることはできない。いずれにしても、レーザダイオード４０に関しては、搭載の際のハンドリングを考慮して、相当の大きさが確保されることが好ましい。
【００９５】
また、このレーザダイオード４０の駆動においては、磁気ディスク装置内の電源が使用可能である。実際、磁気ディスク装置は、通常、例えば２Ｖ程度の電源を備えており、レーザ発振動作には十分の電圧を有している。また、レーザダイオード４０の消費電力も、例えば、数十ｍＷ程度であり、磁気ディスク装置内の電源で十分に賄うことができる。
【００９６】
図３（Ｂ）によれば、レーザダイオード４０は、ユニット基板２３０に形成された堀込み２００３に搭載されており、一方の電極が、鉛フリー半田の１つであるＡｕＳｎ合金５２による半田付けによって、堀込み２００３の底面と電気的に接続されながら固定されている。ここでユニット基板２３０は、例えばアルティックから形成されており導電性を有する。実際の固定においては、例えば、堀込み２００３の底面に厚さ０.７〜１μｍ程度のＡｕＳｎ合金の蒸着膜を成膜し、レーザダイオード４０を乗せた後、熱風ブロア下でホットプレート等による２００〜３００℃程度までの加熱を行って固定してもよい。なお、堀込み２００３の底面と接続される電極は、ｎ電極４０ａでもｐ電極４０ｊでもかまわない。
【００９７】
ここで、上述したＡｕＳｎ合金による半田付けをする場合、光源ユニットを例えば３００℃前後の高温に加熱することになるが、本発明によれば、この光源ユニットがスライダとは別に製造されるため、スライダ内の磁気ヘッド素子がこの高温の悪影響を受けずに済む。
【００９８】
駆動端子電極４４０は、ユニット基板２３０のユニット上面２３０１上に、厚さ１０ｎｍ程度のＴａ、Ｔｉ等からなる下地層を介して形成された、厚さ１〜３μｍ程度の、例えばスパッタリング法等を用いて形成されたＡｕ、Ｃｕ等の層からなる。また、駆動端子電極４４１は、レーザダイオード４０の半田付けされていないもう一方の電極上に、同じく、厚さ１０ｎｍ程度のＴａ、Ｔｉ等からなる下地層を介して形成された、厚さ１〜３μｍ程度の、例えばスパッタリング法等を用いて形成されたＡｕ、Ｃｕ等の層からなる。
【００９９】
なお、レーザダイオード４０及び駆動端子電極４４０及び４４１は、当然に、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、レーザダイオード４０は、ＧａＡｌＡｓ系等、他の半導体材料を用いた他の構成のものであってもよい。さらに、レーザダイオード４０の電極の半田付けに、他のろう材を用いて行うことも可能である。さらにまた、レーザダイオード４０の両方の電極をユニット基板から絶縁させて、駆動端子電極を形成してもよい。さらにまた、レーザダイオード４０を、ユニット基板上に直接、半導体材料をエピタキシャル成長させることによって形成してもよい。
【０１００】
図４（Ａ）は、回折光学素子部４２の原理を説明するための概略図であり、図４（Ｂ）は、回折光学素子部４２を含む伝播層４１の、光源ユニット２３のユニット上面２３０１に平行な面による断面図である。
【０１０１】
最初に、回折光学素子部４２の原理の説明を行う。まず、図４（Ａ−１）に示された断面のように通常の曲面を有する光学凸レンズにおいて、図４（Ａ−２）に示す断面のように、レンズ厚み方向に関して、レーザ光の波長の倍数分の材質を削除する。次いで、図４（Ａ−３）に示す断面のように、例えば、レーザ光の１／４波長の高さを単位とした３つの層からなる階段構造によって、図４（Ａ−２）に示す断面を離散的に近似する。なお、一般に、波長の２−ｎ乗の高さを単位とした場合、階段構造の層数は、（ｎ−１）個となる。この図４（Ａ−３）に示したような断面を有する階段構造部が、回折光学素子部４２であり、もとの図４（Ａ−１）に示された断面を有するレンズと同等の機能を有することになる。
【０１０２】
図４（Ｂ）によれば、回折光学素子部４２は、集積面に平行に積層された環状の第１、第２及び第３の回折格子層４２０、４２１及び４２２が適切に積層されて、図４（Ａ−３）に相当する断面を有する積層体パターンとなっている。回折光学素子部４２の厚さは、その中心部において、レーザ光の波長以下に小さくすることができる。すなわち、回折光学素子部４２は、薄膜微細加工技術を用いて平面状に薄く作り込むことができるので、光源ユニットの伝播の調整用として非常に適している。なお、同図の回折光学素子部４２は、上述したように、レーザ光の１／４波長の高さを単位とした場合であるが、当然、１／２波長、１／８波長等の高さを単位として回折光学素子部が形成されていてもよい。
【０１０３】
ここで、回折光学素子部４２の形成方法について説明する。図４（Ｂ）において、ユニット基板２３０の素子形成面２３０２上に形成された、例えば、スパッタリング法等を用いて形成されたＳｉＯ２からなる第１の伝播層４１ａ上に、例えば、スパッタリング法等を用いて所定の厚さを有するＴｉＯ２膜を形成する。次いで、このＴｉＯ２膜上に、例えばＮｉＦｅ等からなる所定のパターンを形成した後、このＮｉＦｅ等のパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いたＲＩＥ法によるエッチング処理を行い、第１の回折格子層４２０を形成する。次いで、この第１の回折格子層４２０の形成方法と同様の方法を用いて、第２の回折格子層４２１及び第３の回折格子層４２２を順次積み重ねて形成することによって、回折光学素子部４２の形成を完了する。その後、形成された回折光学素子部４２を覆うように、例えば、スパッタリング法等を用いてＳｉＯ２膜を成膜し、その後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法等を用いてこの膜面を平坦化して第２の伝播層４１ｂを形成することにより、伝播層４１の形成を完了する。
【０１０４】
なお、回折光学素子部が、レーザ光のトラック幅方向の広がりを調整する第１の回折光学素子部と、レーザ光の接着面２３００に垂直な方向（図の紙面に垂直な方向）の広がりを調整する第２の回折光学素子部との組み合わされた光学系であってもよい。
【０１０５】
図５（Ａ）は、本発明に係るスライダ加工バー及びスライダ２２の形成方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートであり、図５（Ｂ）は、本発明によるユニット加工バー及び光源ユニット２３の形成方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートである。
【０１０６】
最初に、スライダ加工バー及びスライダ２２の製造方法を説明する。図５（Ａ）によれば、まず、スライダ用のウエハ基板の集積面に、ＭＲ効果素子３３が形成される（ステップＳＳ１）。次いで、近接場光発生部３６が形成され（ステップＳＳ２）、その後、導波路層３５が形成される（ステップＳＳ３）。さらに、この導波路層３５の形成に合わせて、後にスライダ２２と光源ユニット２３とが接着される場合には、スライダ用マーク部１１を形成し（ステップＳＳ４）、後述するように、後にスライダ加工バーとユニット加工バーとが接着される場合には、スライダ加工バー用マーク部を形成する（ステップＳＳ４′）。次いで、必要であれば、バッキングコイル部が形成される（ステップＳＳ５）。
【０１０７】
次いで、データを書き込むための電磁コイル素子３４が形成され（ステップＳＳ６）、その後、被覆層３８及び信号端子電極３７が形成される（ステップＳＳ７）。以上により、主に、磁気ヘッド素子３２、導波路層３５、近接場光発生部３６及び信号端子電極３７からなる磁気ヘッド素子パターンを、ウエハ基板上に形成するためのウエハ薄膜工程が終了する。
【０１０８】
次いで、ウエハ薄膜工程が終了したこのウエハ基板を切断して、スライダ加工バーを切り出す（ステップＳＳ８）。次いで、このスライダ加工バーにＭＲハイト加工を施す（ステップＳＳ９）。その後、ＡＢＳ側のスライダ端面に保護膜を形成する（ステップＳＳ１０）。次いで、ＡＢＳにレールを形成する加工を行う（ステップＳＳ１１）。ここで、スライダ加工バーの製造工程が完了する。この後、薄膜磁気ヘッド２１の製造においてスライダ加工バーとユニット加工バーとを固着する場合は、この製造されたスライダ加工バーを用いる。
【０１０９】
これに対して、この後の薄膜磁気ヘッド２１の製造にスライダ２２を用いる場合は、この加工バーを切断して個々のスライダ２２への分離を行う（ステップＳＳ１２）。以上により、機械加工工程が終了して、スライダ２２の製造工程が完了する。
【０１１０】
次いで、ユニット加工バー及び光源ユニット２３の製造方法を説明する。図５（Ｂ）によれば、まず、光源ユニット用のウエハ基板の素子形成面に、第１の伝播層４１ａが形成される（ステップＳＵ１）。次いで、回折光学素子部４２が形成され（ステップＳＵ２）、その後、第２の伝播層４１ｂが形成される（ステップＳＵ３）。以上により、回折光学素子部４２をウエハ基板上に形成するためのウエハ薄膜工程が終了する。
【０１１１】
次いで、ウエハ薄膜工程が終了したこのウエハ基板を切断して、ユニット加工バーを切り出す（ステップＳＵ４）。その後、伝播層４１となる層を研削してプリズム部４３を形成する（ステップＳＵ５）。次いで、ユニット加工バーに堀込み２００３を形成し（ステップＳＵ６）、形成された堀込み２００３にレーザダイオード４０を搭載する（ステップＳＵ７）。その後、駆動端子電極４４０及び４４１を形成する（ステップＳＵ８）。なお、プリズム部４３の形成工程（ステップＳＵ５）と、堀込み２００３の形成工程（ステップＳＵ６）との順序が逆になってもかまわない。ただし、レーザダイオード４０の搭載（ステップＳＵ７）は、プリズム部４３の形成工程（ステップＳＵ５）が終了した後であることが好ましい。
【０１１２】
ここで、薄膜磁気ヘッド２１の製造においてスライダ加工バーとユニット加工バーとを固着する場合は、レーザダイオード４０の特性検査を行い（ステップＳＵ１０′）、この検査において良品と判定されたユニット加工バーを、以後の製造工程に用いる。その後、全てのレーザダイオードが良品と判定されたユニット加工バーに、ユニット加工バー用マーク部を形成する（ステップＳＵ１１′）。ここで、ユニット加工バーの製造工程が完了する。
【０１１３】
これに対して、この後の薄膜磁気ヘッド２１の製造に光源ユニット２３を用いる場合は、このユニット加工バーを切断して個々の光源ユニット２３への分離を行う（ステップＳＵ９）。その後、レーザダイオード４０の特性検査を行い（ステップＳＵ１０）、この検査において、搭載されたレーザダイオードが良品と判定された光源ユニット２３だけを、以後の製造工程に用いる。次いで、レーザダイオードが良品と判定された光源ユニット２３に、ユニット用マーク部１０を形成する（ステップＳＵ１１）。以上により、機械加工工程が終了して、光源ユニット２３の製造工程が完了する。
【０１１４】
なお、本実施形態では、ユニット加工バー用マーク部及びユニット用マーク部１０はともに、特性検査後に形成されているが、特性検査前、又は特性検査中に形成されてもよい。
【０１１５】
図６（Ａ）は、本発明による、スライダ２２及び光源ユニット２３を固着する薄膜磁気ヘッド２１の製造方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートであり、図６（Ｂ）は、本発明による、スライダ加工バー及びユニット加工バーを固着する薄膜磁気ヘッド２１の製造方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートである。
【０１１６】
最初に、スライダ２２及び光源ユニット２３を固着する薄膜磁気ヘッド２１の製造方法を説明する。図６（Ａ）によれば、まず、スライダ２２の背面２２０１及び／又は光源ユニット２３の接着面２３００に、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂を予め塗布する（ステップＳ１）。次いで、スライダ用マーク部１１とユニット用マーク部１０とを、集積面２２０２（素子形成面２３０２）に垂直な方向において一致させることにより位置合わせを行う（ステップＳ２）。最後に、ＵＶ（紫外線）を照射してスライダ２２及び光源ユニット２３を固着することによって（ステップＳ３）、薄膜磁気ヘッド２１の製造工程が完了する。
【０１１７】
次いで、スライダ加工バー及びユニット加工バーを固着する薄膜磁気ヘッド２１の製造方法を説明する。図６（Ｂ）によれば、まず、スライダ加工バー及び／又はユニット加工バーの接着される面に、ＵＶ硬化樹脂を予め塗布する（ステップＳ１′）。次いで、スライダ加工バー用マーク部とユニット加工バー用マーク部とを、集積面２２０２（素子形成面２３０２）に垂直な方向において一致させることにより位置合わせを行う（ステップＳ２′）。その後、ＵＶ（紫外線）を照射して、スライダ加工バー及びユニット加工バーを固着する（ステップＳ３′）。最後に、この固着した加工バーを切断分離することによって（ステップＳ４′）、薄膜磁気ヘッド２１の製造工程が完了する。
【０１１８】
以下、上述したフローチャートに示された薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態について、さらに、図を用いて詳細に説明する。
【０１１９】
図７（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明によるスライダの形成方法における、ウエハ薄膜工程の一実施形態を示す断面図及び平面図である。なお、図７（Ａ）、（Ｂ−１）及び（Ｃ）における断面は、素子形成面及びＡＢＳに垂直な面であり、また、図７（Ｂ−２）は、集積面側から見た平面図となっている。
【０１２０】
以下、これらの図を用いてスライダのウエハ薄膜工程を説明する。まず、図７（Ａ）に示すように、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されたウエハ基板６０上に、例えばスパッタリング法によって、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の下地被覆層６１を積層する。次いで、下地被覆層６１上に、例えばフレームめっき法を含むパターンめっき法、又はスパッタリング法等によって、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度の下部シールド層３３０を形成する。
【０１２１】
次いで、例えばスパッタリング法、フォトリソグラフィ法及びイオンビームエッチング法等を用いて、ＭＲ積層体３３２を形成する。次いで、下部シールド層３３０と同様にして、上部シールド層３３４を形成する。以上の工程によって、ＭＲ効果素子３３の形成が終了する。次いで、例えばスパッタリング法によって、上部シールド層３３４上に、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜２.０μｍ程度の第１の被覆層６２を形成する。さらに、例えばスパッタリング法、又はフレームめっき法等によって、第１の被覆層６２上に、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ０.３〜４μｍ程度の素子間シールド層４８を形成する。
【０１２２】
次いで、図７（Ｂ−１）に示すように、素子間シールド層４８上に、例えばスパッタリング法によって、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.３〜１.０μｍ程度の第２の被覆層６３を形成する。さらに、この第２の被覆層６３上に、近接場光発生部３６及び導波路層３５を形成する。導波路層３５の先細りした部分及び近接場光発生部３６の形成方法については、別の図面を用いて詳細に説明する。
【０１２３】
ここで、図７（Ｂ−２）に示すように、導波路層３５の形成とともに又は直前若しくは直後に、被覆層３８の側面３８０のスライダ端面２２２側の端部となる位置に、例えば、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｕ、ＮｉＦｅ等の金属膜の微細パターン、又は導波路層３５に用いられている材料と同じ材料の微細パターンからなるスライダ用マーク部１１を形成する。この際、スライダ用マーク部１１及び導波路層３５の端面３５２が、集積面２２０２（図７（Ｂ−１））から等しい距離に位置するように設定される。なお、このスライダ用マーク部の厚さは、位置合わせ精度を確保するために、少なくとも導波路層３５の端面３５２での厚さと同等か又はそれ以下とすることが好ましい。
【０１２４】
ただし、後述するように、薄膜磁気ヘッド２１の製造にスライダ加工バーを用いる場合は、スライダ用マーク部１１に代えて、スライダ加工バーの被覆層となる層のトラック幅方向に対向する両側面のうちの少なくとも１つの位置となるように、スライダ加工バー用マーク部（図９（Ｄ）の７４）が設けられてもよい。また、このスライダ加工バー用マーク部として、スライダ用マーク部１１が代わりに用いられてもよい。
【０１２５】
次いで、近接場光発生部３６、導波路層３５及びスライダ用マーク部１１を覆うように、例えばスパッタリング法によって、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.３〜５μｍ程度の第３の被覆層６４を形成する。その後、例えば化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法等によって、第３の被覆層６４を平坦化する。
【０１２６】
次いで、図７（Ｃ）に示すように、平坦化された第３の被覆層６４上に、例えばスパッタリング法、又はフレームめっき法等によって、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度の主磁極主要層３４００と、同じく例えばスパッタリング法、又はフレームめっき法等によって、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度の主磁極補助層３４０１とを形成する。これにより、主磁極層３４０が形成される。
【０１２７】
次いで、主磁極層３４０上に、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法等によって、例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度のギャップ層３４１を形成し、次いで、ギャップ層３４１上に、例えば熱硬化されたレジスト層等からなる厚さ０.１〜５μｍ程度のコイル下地絶縁層６５を形成し、このコイル下地絶縁層６５上に、例えばフレームめっき法等によって、例えばＣｕ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度のコイル層３４２を形成する。
【０１２８】
さらに、このコイル層３４２を覆うように、例えば熱硬化されたレジスト層等からなる厚さ０.１〜５μｍ程度のコイル絶縁層３４３を形成する。さらに、コイル絶縁層３４３を覆うように、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ約０.５〜５μｍ程度の補助磁極層３４４を形成する。以上の工程によって、電磁コイル素子３４の形成が終了する。最後に、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４を覆うように、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁膜を成膜した後、この絶縁膜を例えばＣＭＰ法等を用いて平坦化することによって第４の被覆層６６を形成し、さらにＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４のための信号端子電極を形成して、ウエハ薄膜工程が終了する。
【０１２９】
図８は、導波路層３５の先細りした部分及び近接場光発生部３６の形成方法の一実施形態を説明する平面図及び断面図である。なお、図８（Ａ２）〜（Ｅ２）は、それぞれ、図８（Ａ１）〜（Ｅ１）のａ−ａ線〜ｅ−ｅ線断面を表している。
【０１３０】
図８（Ａ１）及び（Ａ２）において、最初に、Ａｌ２Ｏ３等の下地１０００の上に、近接場光発生部となる、下地よりも屈折率の高いＴｉＯ２等の誘電体膜１００１を成膜し、その上に、リフトオフ用のレジストパターン１００２を形成する。次いで、図８（Ｂ１）及び（Ｂ２）に示すように、イオンミリング法等を用いて、レジストパターン１００２の直下を除いて、誘電体膜１００１の不要部分を除去する。その後、図８（Ｃ１）及び（Ｃ２）に示すように、スパッタリング法等を用いて、対向金属層となるＡｕ等の導電膜１００３を成膜し、次いで、レジストパターン１００２及びその上の導電膜を、いわゆるリフトオフによって除去する。
【０１３１】
その後、図８（Ｄ１）及び（Ｄ２）に示すように、レジストパターン１００４が形成された後、イオンミリング法等を用いて、レジストパターン１００４の直下を除いて、誘電体膜１００１及び導電膜１００３の不要部分を除去する。次いで、図８（Ｅ１）及び（Ｅ２）に示すように、スパッタリング法等を用いて、誘電体膜１００１と同じ誘電材料からなるバックフィル誘電体膜１００５を形成する。その後、レジストパターン１００４及びその上の誘電体膜を、いわゆるリフトオフによって除去する。なお、さらに、後のスライダ加工バーのＭＲハイト工程において、図８（Ｅ２）のｆ−ｆ線よりも左側の部分が研削されることにより、図８（Ｅ２）のｆ−ｆ線がＡＢＳ側のスライダ端面となって、ｆ−ｆ線よりも右側がスライダの近接場光発生部となる。
【０１３２】
以上の工程を繰り返すことによって、図８（Ｆ）に示すように、近接場光発生部３６の近接場光ギャップ部３６１、バックフィル誘電体膜１００５からなる導波路部１００６、さらにその後形成された導波路部１００７と、複数個の順次大きくなる導波路部を、連続して形成することができる。これらの導波路部は、導波路層３５の先細りした端部を構成することになる。さらに、下地１０００と同じく、導波路層を構成する材料よりも屈折率の小さい、例えば、Ａｌ２Ｏ３等の材料からなるカバー誘電体膜１００８を形成する。ここで近接場光ギャップ部３６１の厚さは、例えば、約３０ｎｍであり、導波路部１００６の厚さは、例えば、約３００ｎｍであり、導波路部１００７の厚さは、例えば、約１μｍである。さらに、下地１０００及びカバー誘電体膜１００８の厚さは、例えば、約６０ｎｍである。
【０１３３】
図９（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明によるスライダ加工バー及びスライダ２２の形成方法の一実施形態を示す概略図である。
【０１３４】
図９（Ａ）に示すように、スライダのウエハ薄膜工程が完了したウエハ基板であるスライダウエハ７０の素子形成面上には、多数の磁気ヘッド素子パターン７１が、マトリクス状に並んで形成されている。磁気ヘッド素子パターン７１は、形成されたスライダ２２において、主にＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、導波路層３５、近接場光発生部３６及び信号端子電極３７となる部分である。
【０１３５】
最初に、このスライダウエハ７０を、樹脂等を用いて切断分離用治具に接着して切断し、図９（Ｂ）に示すように、複数の磁気ヘッド素子パターン７１が一列に並んだスライダ加工バー７２を切り出す。次いで、このスライダ加工バー７２を、樹脂等を用いて研磨用治具に接着し、このスライダ加工バー７２のＡＢＳ側となる端面７２０に、ＭＲ効果素子のＭＲ高さ（ＭＲハイト）、すなわちスライダ端面２２１に垂直な方向での長さを決定するＭＲハイト加工としての研磨を施す。このＭＲハイト加工は、図９（Ｃ）に示すように、最終的に、磁気ヘッド素子３２及び近接場光発生部３６がスライダ端面２２１に露出して、ＭＲ効果素子３３のＭＲ積層体３３２が所定のＭＲハイトになり、しかも近接場光発生部３６の近接場光ギャップ部３６１が所定の高さ（スライダ端面２２１に垂直な方向での長さ）になるまで行われる。
【０１３６】
次いで、スライダ端面２２１に、例えば、磁気ヘッド素子の端を保護するためのダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等からなる保護膜を形成する。その後、保護膜が形成されたスライダ加工バー７２を、樹脂等を用いてレール形成用治具に接着し、フォトリソグラフィ法、及びイオンミリング法若しくは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法等を用いてＡＢＳにレールを形成する加工を行い、図９（Ｄ）に示すように、スライダ加工バー７３を完成させる。なお、薄膜磁気ヘッド２１の製造にこのスライダ加工バー７３を用いる場合、スライダ加工バー７３には、スライダ加工バー用マーク部７４が現れている。
【０１３７】
これに対して、この後の薄膜磁気ヘッド２１の製造にスライダ２２を用いる場合は、このスライダ加工バー７３を、樹脂等を用いて切断用治具に接着し、溝入れ処理を行った後、切断処理を行い、スライダ加工バー７３を切断分離し、図９（Ｅ）に示すように、スライダ２２を完成させる。この場合、スライダ２２には、スライダ用マーク部１１が現れている。
【０１３８】
図１０（Ａ）〜（Ｉ）は、本発明によるユニット加工バー及び光源ユニット２３の形成方法の一実施形態を示す概略図である。
【０１３９】
図１０（Ａ）によれば、最初に、ユニット基板となる基板ウエハ上に、伝播層４１となる誘電体膜８０と回折光学素子部４２とを形成し、次いで、この誘電体膜８０及び回折光学素子部４２が形成されたユニットウエハ８１を、樹脂等を用いて切断分離用治具に接着して切断し、図１０（Ｂ）に示すように、複数の回折光学素子部４２が一列に並んだユニット加工バー８２を切り出す。なお、回折光学素子部４２の形成される間隔は、スライダウエハ７０（図９（Ａ））に形成される磁気ヘッド素子パターン７１の間隔と同じであって、ユニット加工バー８２のトラック幅方向の幅は、スライダ加工バー７２の同方向の幅と同じに設定される。
【０１４０】
次いで、このユニット加工バー８２の誘電体膜８０のエッジを、砥石等の研磨手段に所定の角度で押し当てて研磨する。この際の研磨面が後に反射面４３０となる。反射面４３０の傾き角は、研磨の際の押し当てる所定の角度によって制御される。次いで、図１０（Ｃ）に示すように、ユニット加工バー８２において光源ユニット２３のユニット上面２３０１となる面に、フォトオリソグラフィ法、及びイオンミリング法若しくはＲＩＥ法等を用いて、堀込み２００３を形成する。
【０１４１】
次いで、同じく図１０（Ｃ）に示すように、形成された堀込み２００３に、上述したようにＡｕＳｎ合金による半田付け等を用いて、レーザダイオード４０を搭載する。その後、図１０（Ｄ）に示すように、レーザダイオード４０用の駆動端子電極４４０及び４４１を形成し、ユニット加工バー８３を形成する。
【０１４２】
ここで、薄膜磁気ヘッド２１の製造においてスライダ加工バー７３（図９（Ｄ））とユニット加工バー８３とを固着する場合は、図１０（Ｅ）に示すように、ユニット加工バー８３に搭載されたレーザダイオード４０の特性検査を行う。特性検査は、検査用プローブ８４を、駆動端子電極４４０及び４４１に接触させて実際にレーザダイオード４０を駆動させ、フォトダイオード等の受光素子８５を用いて、ＡＢＳ側のスライダ端面２２１となる誘電体膜８０の端面８６から放射されるレーザ光を検出することによって行う。
【０１４３】
検査項目としては、端面８６での放射強度（レーザダイオード４０の発光強度）、端面８６での放射位置、及びレーザダイオード４０の寿命等が挙げられる。この特性検査において、搭載された全てのレーザダイオードが良品と判定されたユニット加工バーだけを、以後の製造工程に用いる。ただし、１つの変更態様として、不良品と判定されたレーザダイオードの位置をすべて特定しておいて、スライダ加工バーとユニット加工バーとを固着して切断分離した後、特定したレーザダイオードを備えた薄膜磁気ヘッドを不良品として除去してもよい。
【０１４４】
次いで、図１０（Ｆ）に示すように、薄膜磁気ヘッド２１の製造にこのユニット加工バー８３を用いる場合、レーザマーカ等を用いて、ユニット加工バー８３のトラック幅方向に対向していて誘電体膜８０の端面８６に垂直な両側面８７のうちの少なくとも１つの面上であって、端面８６においてレーザ光が達する位置と素子形成面２３０２に垂直な方向において一致する位置に、ユニット加工バー用マーク部８８を設け、ユニット加工バー８３を完成させる。なお、このユニット加工バー用マーク部８８は、位置合わせの容易さの観点から、素子形成面２３０２側から見て、集積面２２０２側から見た際のスライダ加工バー用マーク部７４（図９（Ｄ））のある側と同じ側となる側面８７上に設けられる。
【０１４５】
これに対して、この後の薄膜磁気ヘッド２１の製造に光源ユニット２３を用いる場合は、ユニット加工バー８３を、樹脂等を用いて切断用治具に接着し、溝入れ処理を行った後、切断処理を行い、図１０（Ｇ）に示すように、光源ユニット２３に分離する。その後、図１０（Ｈ）に示すように、光源ユニット２３に搭載されたレーザダイオード４０の特性検査を行う。特性検査は、検査用プローブ８４を、駆動端子電極４４０及び４４１に接触させて実際にレーザダイオード４０を駆動させ、フォトダイオード等の受光素子８５を用いて、伝播層４１の接着面側の端面４１０から放射されるレーザ光を検出することによって行う。ここで、この検査において、搭載されたレーザダイオードが良品と判定された光源ユニット２３だけを、以後の製造工程に用いる。
【０１４６】
次いで、図１０（Ｉ）に示すように、レーザマーカ等を用いて、光源ユニット２３のトラック幅方向に対向している伝播層４１の側面４１１上であって、端面４１０においてレーザ光が達する位置と素子形成面２３０２に垂直な方向において一致する位置に、ユニット用マーク部１０を設けて、光源ユニット２３を完成させる。
【０１４７】
図１１（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明による、スライダ２２及び光源ユニット２３を固着する薄膜磁気ヘッド２１の製造方法の一実施形態を示す概略図である。
【０１４８】
図１１（Ａ）によれば、まず、形成されたスライダ２２の背面２２０１及び形成された光源ユニット２３の接着面２３００の両方又はいずれか一方に、ＵＶ硬化型エポキシ接着剤等のＵＶ硬化樹脂を予め塗布する。次いで、図１１（Ｂ）に示すように、背面２２０１及び接着面２３００を接面させ、例えば光学顕微鏡等を備えた画像認識アライナ−を用いて、伝播層４１のＡＢＳ側の端面４１０から放射された光が導波路層３５を伝播してＡＢＳ側のスライダ端面２２１（近接場光発生部３６）に達するように、スライダ用マーク部１１とユニット用マーク部１０とを、集積面２２０２（素子形成面２３０２）に垂直な方向において一致させることにより位置合わせを行う。最後に、図１１（Ｃ）に示すように、背面２２０１及び接着面２３００を接面させた部分に紫外線を照射して、スライダ２２及び光源ユニット２３を固着することによって、薄膜磁気ヘッド２１の製造工程が完了する。
【０１４９】
上述したように、導波路層３５の端面３５２でのトラック幅方向の幅は、伝播層４１の端面４１０に達したレーザ光のスポットにおける同方向の径に比べて、十分大きく設定可能である。その一方、導波路層３５の端面３５２での厚さは、このスポットのこの厚さ方向の径に比べて、それほど大きくすることはできない。その結果、スライダ２２と光源ユニット２３とにおいて、トラック幅方向での位置合わせは比較的容易に行うことができるが、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせは、かなり困難となる。これに対して、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、スライダ用マーク部１１とユニット用マーク部１０とを用いることによって、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせを確実かつ簡便に行うことができる。その結果、光源としてのレーザダイオード４０を設置する際の設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下が、回避される。
【０１５０】
図１２（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明による、スライダ加工バー及びユニット加工バーを固着する薄膜磁気ヘッド２１の製造方法の一実施形態を示す概略図である。
【０１５１】
図１２（Ａ）によれば、まず、形成されたスライダ加工バー７３のＡＢＳとなる面とは反対側の面７３０１と、形成されたユニット加工バー８３の、切断分離後に接着面２３００となるバー接着面８３０１との両方又はいずれか一方に、ＵＶ硬化型エポキシ接着剤等のＵＶ硬化樹脂を予め塗布する。次いで、図１２（Ｂ）に示すように、これらの面を接面させ、例えば光学顕微鏡等を備えた画像認識アライナ−を用いて、伝播層４１のＡＢＳ側の端面４１０から放射された光が導波路層３５を伝播してＡＢＳ側のスライダ端面２２１（近接場光発生部３６）に達するように、スライダ加工バー用マーク部７４とユニット加工バー用マーク部８８とを、集積面２２０２（素子形成面２３０２）に垂直な方向において一致させることにより位置合わせを行う。
【０１５２】
その後、図１２（Ｃ）に示すように、接面させた部分にＵＶ（紫外線）を照射して、スライダ加工バー７３及びユニット加工バー８３を固着する。最後に、図１２（Ｄ）に示すように、固着された加工バーを、樹脂等を用いて切断用治具に接着し、溝入れ処理を行った後、切断分離処理を行い、薄膜磁気ヘッド２１の製造工程が完了する。
【０１５３】
上述したスライダ２２と光源ユニット２３との位置関係と同じく、スライダ加工バー７３及びユニット加工バー８３においても、トラック幅方向での位置合わせは比較的容易に行うことができるが、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせは、かなり困難となる。これに対して、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、スライダ加工バー用マーク部７４とユニット加工バー用マーク部８８とを用いることによって、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせを確実かつ簡便に行うことができる。その結果、光源としてのレーザダイオード４０を設置する際の設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下が、回避される。
【０１５４】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】本発明による光源ユニット、及びこの光源ユニットを備えた薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの要部の構成を概略的に示す、図２のＡ−Ａ線断面図、及び磁気ヘッド素子及び近接場光発生部のスライダ端面における端の形状を示す平面図である。
【図３】レーザダイオードの構成、及びレーザダイオードのユニット基板への搭載方法を示す概略図である。
【図４】回折光学素子部の原理を説明するための概略図、及び回折光学素子部を含む伝播層の、光源ユニットのユニット上面に平行な面による断面図である。
【図５】本発明に係るスライダ加工バー及びスライダの形成方法の一実施形態を概略的に示すフローチャート、並びに本発明によるユニット加工バー及び光源ユニットの形成方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートである。
【図６】本発明による、スライダ及び光源ユニットを固着する薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態を概略的に示すフローチャート、並びに本発明による、スライダ加工バー及びユニット加工バーを固着する薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートである。
【図７】本発明によるスライダの形成方法における、ウエハ薄膜工程の一実施形態を示す断面図及び平面図である。
【図８】導波路層の先細りした部分及び近接場光発生部の形成方法の一実施形態を説明する平面図及び断面図である。
【図９】本発明によるスライダ加工バー及びスライダの形成方法の一実施形態を示す概略図である。
【図１０】本発明によるユニット加工バー及び光源ユニットの形成方法の一実施形態を示す概略図である。
【図１１】本発明による、スライダ及び光源ユニットを固着する薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態を示す概略図である。
【図１２】本発明による、スライダ加工バー及びユニット加工バーを固着する薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態を示す概略図である。
【符号の説明】
【０１５６】
１０ ユニット用マーク部
１１ スライダ用マーク部
２１ 薄膜磁気ヘッド
２２ スライダ
２２０ スライダ基板
２２００ ＡＢＳ
２２０１ 背面
２２０２ 集積面
２２１、２２２ スライダ端面
２３ 光源ユニット
２３０ ユニット基板
２３００ 接着面
２３０１ ユニット上面
２３０２ 素子形成面
３２ 磁気ヘッド素子
３３ ＭＲ効果素子
３３０ 下部シールド層
３３２ ＭＲ積層体
３３４ 上部シールド層
３４ 電磁コイル素子
３４０ 主磁極層
３４０ａ 端部
３４１ ギャップ層
３４２ コイル層
３４３ コイル絶縁層
３４４ 補助磁極層
３５ 導波路層
３５０ 集光面
３５１ 側面
３５２ 端面
３６ 近接場光発生部
３６０ 対向金属層
３６１ 近接場光ギャップ部
３７ 信号端子電極
３８、６２、６３、６４、６６ 被覆層
３８０、３８１ 側面
３９ レーザ光
４０ レーザダイオード
４００ 出光端
４１ 伝播層
４１０ 端面
４１１、４１２ 側面
４２ 回折光学素子部
４３ プリズム部
４３０ 反射面
４４０、４４１ 駆動端子電極
４８ 素子間シールド層
５０、５１ 反射膜
５２ ＡｕＳｎ合金
６０ ウエハ基板
６１ 下地被覆層
６５ コイル下地絶縁層
７０ スライダウエハ
７１ 磁気ヘッド素子パターン
７２、７３ スライダ加工バー
７２０ 端面
７４ スライダ加工バー用マーク部
８０ 誘電体膜
８１ ユニットウエハ
８２、８３ ユニット加工バー
８３０１ バー接着面
８４ 検査用プローブ
８５ 受光素子
８６ 端面
８７ 側面
８８ ユニット加工バー用マーク部
１０００ 下地
１００１ 誘電体膜
１００２、１００４ レジストパターン
１００３ 導電膜
１００５ バックフィル誘電体膜
１００６、１００７ 導波路部
１００８ カバー誘電体膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト磁気記録方式により信号の書き込みを行う薄膜磁気ヘッドの構成要素である、レーザダイオード等の光源を備えた光源ユニットに関し、また、この光源ユニットを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、読み出し用の磁気抵抗（ＭＲ）効果素子と書き込み用の電磁コイル素子とを積層した構造である複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられており、これらの素子によって磁気記録媒体である磁気ディスクにデータ信号が読み書きされる。
【０００３】
一般に、磁気記録媒体は、いわば磁性微粒子が集合した不連続体であり、それぞれの磁性微粒子は単磁区構造となっている。ここで、１つの記録ビットは、複数の磁性微粒子から構成されている。従って、記録密度を高めるためには、磁性微粒子を小さくして、記録ビットの境界の凹凸を減少させなければならない。しかし、磁性微粒子を小さくすると、体積減少に伴う磁化の熱安定性の低下が問題となる。
【０００４】
磁化の熱安定性の目安は、ＫＵＶ／ｋＢＴで与えられる。ここで、ＫＵは磁性微粒子の磁気異方性エネルギー、Ｖは１つの磁性微粒子の体積、ｋＢはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。磁性微粒子を小さくするということは、まさにＶを小さくすることであり、そのままではＫＵＶ／ｋＢＴが小さくなって熱安定性が損なわれる。この問題への対策として、同時にＫＵを大きくすることが考えられるが、このＫＵの増加は、記録媒体の保磁力の増加をもたらす。これに対して、磁気ヘッドによる書き込み磁界強度は、ヘッド内の磁極を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度でほぼ決定されてしまう。従って、保持力が、この書き込み磁界強度の限界から決まる許容値を超えると書き込みが不可能となってしまう。
【０００５】
このような磁化の熱安定性の問題を解決する第１の方法として、面内磁気記録方式から垂直磁気記録方式への移行が考えられる。垂直磁気記録媒体では記録層厚をより大きくすることが可能であり、結果として、Ｖを大きくして熱安定性を向上させることができる。第２の方法として、パターンドメディアの使用が考えられる。通常の磁気記録では、上述したように1つの記録ビットをＮ個の磁性微粒子によって構成して記録しているが、パターンドメディアを用いて、1つの記録ビットを体積ＮＶの１つの領域とすることによって、熱安定性の指標がＫＵＮＶ／ｋＢＴとなり、熱安定性が飛躍的に向上する。
【０００６】
さらに、熱安定性の問題を解決する第３の方法として、ＫＵの大きな磁性材料を用いる一方で、書き込み磁界印加の直前に記録媒体に熱を加えることによって、保磁力を小さくして書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている。この方式は、磁気ドミネント記録方式と光ドミネント記録方式とに大別される。磁気ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は電磁コイル素子であり、光の放射径はトラック幅（記録幅）に比べて大きくなっている。一方、光ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は光放射部であり、光の放射径はトラック幅（記録幅）とほぼ同じとなっている。すなわち、磁気ドミネント記録方式は、空間分解能を磁界に持たせているのに対し、光ドミネント記録方式は、空間分解能を光に持たせている。
【０００７】
この熱アシスト磁気記録方式における、光を記録媒体に照射するための光放射部として、特許文献１においては、基板上に形成された円錐体等の形状をした金属の散乱体と、その散乱体の周辺に形成された誘電体等の膜とを備えた近接場光プローブが開示されている。また、特許文献２においては、記録再生装置において固体イマージョン・レンズを用いたヘッドが開示されている。さらに、特許文献３には、近接場光プローブを構成する散乱体を、その照射される面が記録媒体に垂直となるように、垂直磁気記録用単磁極書き込みヘッドの主磁極に接して形成された構成が開示されている。さらに、非特許文献１には、水晶のスライダ上に形成されたＵ字状の近接場光プローブが開示されている。さらにまた、非特許文献２には、光がよく透過する回折格子を、光がほとんど透過しない回折格子を突き当てて結合したグレーティングが開示されている。
【０００８】
以上に述べたように、実際、種々の光放射部が提案されているが、熱アシスト磁気記録を実現するにおいて非常に重要であるのが、ヘッドの浮上面（ＡＢＳ）近傍に設けられたこの光放射部に、レーザ光を供給するための手段である。
【０００９】
例えば、特許文献４及び５に開示された技術は、レーザ光の供給に光ファイバを用いている。ここで、特許文献４には、斜めに切断した光ファイバ等の端面に、ピンホールが形成された金属膜を設けた構成が開示されている。また、特許文献５には、光ファイバから出射したレーザ光を適切にレンズ光学系に向けるための可動ミラーを備えた光学式浮上ヘッドが開示されている。
【００１０】
これに対して、特許文献６及び特許文献３に開示された技術は、レーザ光の供給にヘッド内に設けられた半導体レーザ素子を用いている。ここで、特許文献６には内蔵したレーザ素子部からの光を、媒体に対向した微小光学開口に照射して熱アシストを行う構成が開示されている。また、特許文献３には、レーザ素子をＡＢＳ近傍又はヘッド素子の上方等の位置に設けて、上述した近接場光プローブを構成する散乱体にレーザ光を照射する構成が開示されている。
【００１１】
ここで、レーザ光の供給手段としての、光ファイバと、ヘッド内に設けられた半導体レーザ素子とを比較する。光ファイバを用いる場合、半導体レーザのような複雑な構造をヘッド内部に形成する必要がなく、所望の強度を有する微細な近接場光を比較的容易に得られる。しかしながら、光ファイバをヘッドに固定する際には、この光ファイバを相当に曲げる必要が生じるが、特に、ガラス製ファイバにおいてはその許容曲げ半径が大きく、曲げ加工が困難となる。また、プラスティック製ファイバの場合、許容曲げ半径は有る程度小さくなるが、高損失であり伝播効率が低下してしまう。
【００１２】
さらに、光ファイバを用いる場合、ヘッドから飛び出した光ファイバが揺れて、スライダの浮上特性に悪影響を及ぼしたり、磁気ディスク間にヘッドが配置されている場合、接触の危険性が生じたりする可能性がある。また、光ファイバ端と光源や導波路層等との結合部において非常に大きな損失が発生してしまう。これに対して、半導体レーザをヘッド内に設ける場合、このような問題は発生せず、浮上特性に大きな影響を与えることなく比較的低損失でレーザ光を供給することが可能となる。
【００１３】
【特許文献１】特開２００１−２５５２５４号公報
【特許文献２】特開平１０−１６２４４４号公報
【特許文献３】特開２００４−１５８０６７号公報
【特許文献４】特開２０００−１７３０９３号公報
【特許文献５】特表２００２−５１１１７６号公報
【特許文献６】特開２００１−２８３４０４号公報
【非特許文献１】ShintaroMiyanishi他著 ”Near-field Assisted Magnetic Recording” IEEE TRANSACTIONS ONMAGNETICS、２００５年、第４１巻、第１０号、ｐ．２８１７−２８２１
【非特許文献２】庄野敬二、押木満雅著 「熱アシスト磁気記録の現状と課題」 日本応用磁気学会誌、２００５年、第２９巻、第１号、ｐ．５−１３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、光の導入に半導体レーザ等の光源を用いる場合においても、光源の不良品率、及び設置位置の誤差によるヘッドの製造歩留まりの低下、ＡＢＳを有するスライダに光源を適切に設置することの困難性等が問題となってきた。
【００１５】
一般に、半導体レーザのダイオードチップにおいては、出力、レーザ光の広がり角、寿命等の特性評価を、チップ単体で非破壊的に行うことは非常に困難である。従って、半導体レーザをヘッド内に設ける場合、半導体レーザをスライダ等に設置した後に特性評価を行い、良否を判定することになる。さらに、半導体レーザと他の光学素子、特に近接場光の発生箇所との微妙な位置関係を適切に調整すること自体が相当に困難であるにもかかわらず、一度設置された半導体レーザの位置は、変更がほとんど不可能である。従って、実際に、半導体レーザの設置位置の誤差、特に、他の光学素子との位置関係に関わる製造誤差を解消又は縮小することが非常に困難になっている。
【００１６】
その結果、ヘッド全体の製造歩留まりに対して、磁気ヘッド部分の歩留まりと、半導体レーザ自体の歩留まりと、半導体レーザの設置位置に関する歩留まりの全てが積算的に影響し、ヘッド全体の歩留まりが著しく低下してしまう。
【００１７】
次いで、光源のスライダへの設置の問題を考察する。例えば、特許文献３に開示されているように、散乱体に適切に光を照射するために、光源がヘッド端面近傍の記録媒体に非常に近い位置に設置されている場合、光源位置が記録媒体に接触する可能性を有しており、装置の信頼性という観点から非常に好ましくない。
【００１８】
これに対して、例えば、非特許文献１に記載された技術によれば、半導体レーザ等の光源を媒体面から遠ざけた状態において光が入射可能となる。この場合、光ピックアップヘッドから収束された光が近接場光プローブに直接入射している。しかしながら、この技術は、近接場光プローブの集積された面と媒体対向面とが一致している構成を前提としており、集積面と媒体対向面（ＡＢＳ）とが垂直である一般的な薄膜磁気ヘッドの構成とは全く異なり、親和性が良くない。すなわち、例えば、垂直通電型巨大磁気抵抗（ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plain）−ＧＭＲ）効果素子や垂直磁気記録用の電磁コイル素子を備えた薄膜磁気ヘッドに適用することが非常に困難である。
【００１９】
従って、本発明の目的は、集積面とＡＢＳとが垂直である構成を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、光源をＡＢＳから遠ざけた位置に設置し、しかも光源の不良品率及び設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下を回避することができる手段を提供することにある。さらに、このような手段を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００２０】
また、本発明の他の目的は、記録媒体の加熱効率が高い薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明について説明する前に、明細書において使用される用語の定義を行う。基板の集積面に形成された磁気ヘッド素子の積層構造において、基準となる層よりも基板側にある構成要素を、基準となる層の「下」又は「下方」にあるとし、基準となる層よりも積層される方向側にある構成要素を、基準となる層の「上」又は「上方」にあるとする。
【００２２】
本発明によれば、スライダのＡＢＳとは反対側の面に接着される接着面を有するユニット基板と、このユニット基板に設けられた光源と、このユニット基板の接着面とは垂直な素子形成面上に設けられており、光源から放射されて接着面側の自身の端面に達する光の光路を含む伝播層と、この伝播層に設けられており、光源から放射された光の伝播を調整するためのレンズ部と、この伝播層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つに設けられた、スライダとの位置合わせのためのユニット用マーク部とを備えている熱アシスト磁気記録用の光源ユニットが提供される。
【００２３】
この本発明による光源ユニットと、スライダとを組み合わせて薄膜磁気ヘッドを製造する場合、例えば、前もって光源ユニットの特性評価を行って、良品のみを薄膜磁気ヘッドの製造に使用すれば、ヘッド製造時のヘッド全体の歩留まりが、ほぼスライダの製造歩留まりとなり、光源ユニットの不良品率によるヘッド全体の製造歩留まりの低下を回避することができる。
【００２４】
また、この本発明による光源ユニットは、スライダのＡＢＳとは反対側の面に接着されるので、常に、光源をＡＢＳから遠ざけた位置に設置することが可能となる。さらに、このような光源ユニットを用いることによって、スライダに適切な進行方向を有しており伝播が調整された光を入射させることが可能となる。すなわち、集積面とＡＢＳとが垂直である構成を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、適切な大きさ及び方向を有する光を確実に供給することができる。その結果、磁気記録媒体の加熱効率が高い熱アシスト磁気記録を実現可能とする。
【００２５】
さらに、光源ユニットとスライダとの位置合わせにおいて、トラック幅方向での位置合わせは比較的容易に行うことができるが、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせは、かなり困難となる。これに対して、本発明によるユニット用マーク部を備えた光源ユニットを用いれば、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせを確実かつ簡便に行うことができる。その結果、光源を設置する際の設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下が、回避される。
【００２６】
この本発明による光源ユニットにおいて、ユニット用マーク部の位置が、伝播層の接着面側の端面において光が達する位置と、素子形成面に垂直な方向において一致することが好ましい。
【００２７】
また、本発明による光源ユニットにおいて、伝播層に設けられており、光をこの伝播層の接着面側の端面に向けさせるための光路変更部をさらに備えていることが好ましい。この際、この光路変更部が、光がレンズ部を通過した後に達する光路上の位置に設けられて、ユニット基板の素子形成面に対して斜めに形成された、伝播層の層面を反射面としたプリズム部であることも好ましい。
【００２８】
さらに、本発明による光源ユニットにおいて、レンズ部が、回折光学素子部であることが好ましい。
【００２９】
さらにまた、本発明による光源ユニットにおいて、光源がレーザダイオードであり、このレーザダイオードが、ユニット基板の接着面とは反対側の面に形成されていて素子形成面に及んでいる堀込みに設けられており、このレーザダイオードの出光端がユニット基板に遮られずに露出しており、さらに、ユニット基板が導電性を有していて、このレーザダイオードの底面をなす電極が、ユニット基板に電気的に接続されていることも好ましい。
【００３０】
さらにまた、本発明による光源ユニットにおいて、伝播層の接着面側の端面から放射される光が、接着面に垂直な方向を有しており、さらに伝播が調整された光、例えば、平行に揃えられた光、又は集束された光であることが好ましい。
【００３１】
本発明によれば、また、切断分離されることによって、分離後の個々のチップが、ユニット用マーク部を除いて上述した光源ユニットとなり、
スライダ加工バーのＡＢＳとなる面とは反対側の面に接着され、切断分離されることによって接着面となるバー接着面を有しており、
伝播層となる層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つに設けられた、スライダ加工バーとの位置合わせのためのユニット加工バー用マーク部を備えているユニット加工バーが提供される。
【００３２】
この本発明によるユニット加工バーにおいて、ユニット加工バー用マーク部の位置が、伝播層の接着面側の端面において光が達する位置と、素子形成面に垂直な方向において一致することが好ましい。
【００３３】
本発明によれば、さらにまた、接着面を有するユニット基板と、このユニット基板に設けられた光源と、このユニット基板の接着面とは垂直な素子形成面上に設けられており、光源から放射されて接着面側の自身の端面に達する光の光路を含む伝播層と、レンズ部とを備えた熱アシスト磁気記録用の光源ユニットを形成し、
形成された光源ユニットにおいて、伝播層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つの面上であって、伝播層の接着面側の端面において光が達する位置と素子形成面に垂直な方向において一致する位置に、ユニット用マーク部を設け、
ＡＢＳ及びＡＢＳに垂直な集積面を有するスライダ基板と、集積面に形成された磁気ヘッド素子と、光をＡＢＳとは反対側の自身の端面から受け入れてＡＢＳ側のスライダ端面に向けて伝播させるための導波路層と、磁気ヘッド素子及び導波路層を覆うように集積面上に形成された被覆層と、この被覆層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つの面上であって、導波路層の位置と集積面に垂直な方向において一致する位置に設けられたスライダ用マーク部とを備えたスライダを形成し、
ユニット用マーク部が設けられた光源ユニットにおける接着面と、スライダ用マーク部を備えたスライダにおけるＡＢＳとは反対側の面とを接面させ、次いで、伝播層の接着面側の端面から放射された光が導波路層を伝播してＡＢＳ側のスライダ端面に達するように、このユニット用マーク部とこのスライダ用マーク部とを、集積面に垂直な方向において一致させた上で、光源ユニットとスライダとを固着する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００３４】
ここで、この本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法において、光源ユニットを形成した後であって、ユニット用マーク部を設ける前に、光源の検査を行い、その後、この検査によって良品と判定された光源ユニットのみを用いて製造工程を実施することが好ましい。
【００３５】
このような本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、集積面とＡＢＳとが垂直である構成であって光源をＡＢＳから遠ざけた位置に設置した薄膜磁気ヘッドの製造において、例えば、光源ユニットの特性検査を光源ユニットとスライダとの固着前に行うことが可能となるので、光源の不良品率による歩留まりの低下を回避することができる。さらに、上述したようなユニット用マーク部及びスライダ用マーク部を位置合わせに用いるので、設置位置の誤差による歩留まりの低下を回避することができる。
【００３６】
また、この本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法において、レーザ光を用いたマーキングによって、ユニット用マーク部を形成することが好ましい。さらに、光源ユニットの接着面及び／又はスライダのＡＢＳとは反対側の面に、ＵＶ硬化樹脂を予め塗布し、ユニット用マーク部とスライダ用マーク部とを一致させた上で、紫外線を照射して光源ユニットとスライダとを固着することが好ましい。
【００３７】
本発明によれば、さらにまた、切断分離されることによって、分離後の個々のチップが、接着面を有するユニット基板と、光を放射するレーザダイオードと、接着面に垂直な素子形成面に形成された光を伝播する伝播層と、レンズ部とを備えた熱アシスト磁気記録用の光源ユニットとなり、切断分離されることによって接着面となるバー接着面を有するユニット加工バーを形成し、
ユニット加工バーにおいて、伝播層となる層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つの面上であって、伝播層の接着面側の端面において光が達する位置と素子形成面に垂直な方向において一致する位置に、ユニット加工バー用マーク部を設け、
切断分離されることによって、分離後の個々のチップが、ＡＢＳ及びＡＢＳに垂直な集積面を有するスライダ基板と、集積面に形成された磁気ヘッド素子と、光をＡＢＳとは反対側の自身の端面から受け入れてＡＢＳ側のスライダ端面に向けて伝播させるための導波路層と、磁気ヘッド素子及び導波路層を覆う被覆層と、被覆層内であって導波路層の位置と集積面に垂直な方向において一致する位置に設けられたスライダ加工バー用マーク部とを備えた熱アシスト磁気記録用のスライダとなるスライダ加工バーを形成し、
ユニット加工バー用マーク部が設けられたユニット加工バーのバー接着面と、スライダ加工バーのＡＢＳとなる面とは反対側の面とを接面させ、次いで、伝播層の接着面側の端面から放射された光が導波路層を伝播してＡＢＳ側のスライダ端面に達するように、ユニット加工バー用マーク部とスライダ加工バー用マーク部とを、集積面に垂直な方向において一致させた上で、ユニット加工バーとスライダ加工バーとを固着し、その後、固着されたユニット加工バー及びスライダ加工バーを切断分離する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００３８】
この本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法において、ユニット加工バーを形成した後であって、ユニット加工バー用マーク部を設ける前に、光源の検査を行い、その後、この検査によって良品と判定されたユニット加工バーのみを用いて製造工程を実施することが好ましい。
【００３９】
また、この本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法において、レーザ光を用いたマーキングによって、ユニット加工バー用マーク部を形成することが好ましい。さらに、ユニット加工バーのバー接着面及び／又はスライダ加工バーのＡＢＳとなる面とは反対側の面に、ＵＶ硬化樹脂を予め塗布し、ユニット加工バー用マーク部とスライダ加工バー用マーク部とを一致させた上で、紫外線を照射してユニット加工バーとスライダ加工バーとを固着することが好ましい。
【発明の効果】
【００４０】
本発明による熱アシスト磁気記録用の光源ユニットによれば、集積面とＡＢＳとが垂直であるヘッド構成において、光源をＡＢＳから遠ざけた位置に設置し、しかも光源の不良品率及び設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下を回避することができる。また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、集積面とＡＢＳとが垂直である構成であって光源をＡＢＳから遠ざけた位置に設置した薄膜磁気ヘッドの製造において、光源の不良品率及び設置位置の誤差による歩留まりの低下を回避することができる。
【００４１】
また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、記録媒体の加熱効率が高い薄膜磁気ヘッドが実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。
【００４３】
図１は、本発明による光源ユニット、及びこの光源ユニットを備えた薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示す斜視図である。
【００４４】
図１によれば、薄膜磁気ヘッド２１は、データ信号の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッド素子３２を備えたスライダ２２と、熱アシスト磁気記録用の光源となるレーザダイオード４０を備えた光源ユニット２３とが、それぞれの背面２２０１及び接着面２３００を接面させて接着、固定された構成を有している。ここで、スライダ２２の背面２２０１は、スライダ２２のＡＢＳ２２００とは反対側の面である。
【００４５】
スライダ２２は、適切な浮上量を得るように加工された媒体対向面であるＡＢＳ２２００を有するスライダ基板２２０と、スライダ基板２２０のＡＢＳ２２００に垂直な集積面２２０２に形成された、データ信号を読み出すためのＭＲ効果素子３３及びデータ信号を書き込むための電磁コイル素子３４から構成される磁気ヘッド素子３２と、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の間を通して設けられている導波路層３５と、磁気ディスクの記録層部分を加熱するための近接場光を発生させる近接場光発生部３６と、ＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、導波路層３５及び近接場光発生部３６を覆うように集積面２２０２上に形成された被覆層３８と、被覆層３８の層面から露出した、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４に２つずつ接続されている合計４つの信号端子電極３７と、光源ユニット２３との位置合わせのために用いられるスライダ用マーク部１１とを備えている。
【００４６】
ここで、スライダ用マーク部１１は、被覆層３８のトラック幅方向に対向している両側面３８０及び３８１のうちの少なくとも１つ（図１の実施形態では側面３８０）の面上であって、導波路層３５の位置と、集積面２２０２に垂直な方向において一致する位置に設けられている。なお、このスライダ用マーク部１１は、位置合わせの際に、後述するユニット用マーク部１０の近傍に位置することが望ましいため、側面３８０のスライダ端面２２２側の端部に設けられていることが好ましい。
【００４７】
ＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、及び近接場光発生部３６の一端は、ＡＢＳ２２００側のスライダ端面２２１に達している。ここで、スライダ端面２２１は、スライダ２２のＡＢＳ２２００側の面であってＡＢＳ２２００以外の部分の面である。実際の書き込み又は読み出し動作時には、薄膜磁気ヘッド２１が回転する磁気ディスク表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の端が磁気ディスクと微小なスペーシングを介して対向することによって、データ信号磁界の感受による読み出しとデータ信号磁界の印加による書き込みとが行われる。
【００４８】
ここで、データ信号の書き込みの際、光源ユニット２３から導波路層３５を通って伝播してきたレーザ光が近接場光発生部３６を照射し、この照射によって、近接場光発生部３６のスライダ端面２２１に達した端から近接場光が発生する。この近接場光によって、後述するように、熱アシスト磁気記録を行うことが可能となる。
【００４９】
導波路層３５は、ともに放物線に沿って湾曲した、トラック幅方向において対向する２つの側面３５１を有しており、ＡＢＳ２２００とは反対側のスライダ端面２２２に達した端面３５２から入射した平行に揃えられたレーザ光３９が、この両側面３５１での反射によって、スライダ端面２２１側の端面である集光面３５０に集光可能となっている。なお、スライダ端面２２２は、スライダ２２のＡＢＳ２２００とは反対側の面であって背面２２０１以外の部分の面である。また、近接場光発生部３６は、一方の端が導波路層３５の集光面３５０に接しており、他方の端がスライダ端面２２１に達している微細な近接場光ギャップ部３６１と、互いの先端をこの近接場光ギャップ部３６１を介して対向させている２つの対向金属層３６０とを備えている。近接場光発生部３６においては、近接場光ギャップ部３６１と、この微細な近接場光ギャップ部３６１を狭持した対向金属層３６０とが、いわゆる「蝶ネクタイ型」構造を実現している。この「蝶ネクタイ型」構造においては、その中心部に発生する非常に強い電界の集中に起因して、近接場光が発生する。
【００５０】
この近接場光の電界強度は、入射光に比べて桁違いに強く、この非常に強力な近接場光が、磁気ディスク表面の対向する局所部分を急速に加熱する。これにより、この局所部分の保磁力が、書き込み磁界による書き込みが可能な大きさまでに低下するので、高密度記録用の高保磁力の磁気ディスクを使用しても、電磁コイル素子３４による書き込みが可能となる。なお、近接場光は、スライダ端面２２１から磁気ディスクの表面に向かって、上述した近接場光ギャップ部３６１のトラック幅方向の幅又は層厚程度までの領域に存在する。従って、１０ｎｍ又はそれ以下の浮上量である現状において、近接場光は、十分に記録層部分に到達することができる。また、このように発生する近接場光の幅は、同じく上述した幅又は層厚と同程度であって、この近接場光の電界強度は、この幅又は層厚以上の領域では指数関数的に減衰するので、非常に局所的に磁気ディスクの記録層部分を加熱することができる。
【００５１】
同じく図１によれば、光源ユニット２３は、スライダ２２の背面２２０１に接着される接着面２３００を有するユニット基板２３０と、ユニット基板２３０の接着面２３００とは反対側のユニット上面２３０１に形成されていて、接着面２３００とは垂直な素子形成面２３０２に及んでいる堀込み２００３と、堀込み２００３に設置されており、出光端４００がユニット基板２３０に遮られずに露出しているレーザダイオード４０と、素子形成面２３０２上に設けられており、レーザダイオード４０から放射されたレーザ光の光路を含み、このレーザ光を自身の接着面側の端面４１０まで伝播させるための伝播層４１と、伝播層４１に設けられており、レーザダイオード４０から放射されたレーザ光の伝播を調整するためのレンズ部としての回折光学素子部４２と、伝播層４１に設けられており、素子形成面２３０２に対して斜めに形成された、伝播層４１の層面を反射面４３０とし、レーザ光を端面４１０に向けさせるための光路変更部としてのプリズム部４３と、レーザダイオード４０用の駆動端子電極４４０及び４４１と、スライダ２２との位置合わせのために用いられるユニット用マーク部１０とを備えている。
【００５２】
ここで、ユニット用マーク部１０は、伝播層４１のトラック幅方向に対向している両側面４１１及び４１２のうちの少なくとも１つであって、素子形成面２３０２側から見て、集積面２２０２側から見た際のスライダ用マーク部１１のある側と同じ側となる面上（図１の実施形態では側面４１１上）であって、伝播層４１の接着面２３００側の端面４１０においてレーザ光が達する位置と、素子形成面２３０２に垂直な方向において一致する位置に設けられている。なお、このユニット用マーク部１０は、位置合わせの際に、スライダ用マーク部１１の近傍に位置することが望ましいため、側面４１１の端面４１０側の端部に設けられていることが好ましい。
【００５３】
レーザダイオード４０の出光端４００から放射されたレーザ光は、伝播層４１を伝播するにつれて、素子形成面２３０２に垂直な軸ａＬを中心として広がっていくが、伝播層４１に設けられており軸ａＬを自身の軸とする回折光学素子部４２を通過することによって、平行に揃った光、又は集束した光に変換される。このように伝播を調整されたレーザ光は、プリズム部４３の反射面４３０に達して同面で全反射するによって、その進行方向を９０°、すなわち、接着面２３００（ＡＢＳ２２００）に垂直な方向に変更させられる。その後、レーザ光は、伝播層４１の接着面２３００側の端面４１０まで伝播し、この端面４１０から放射されて、導波路層３５の端面３５２に、同層の層面に平行な方向に伝播するレーザ光として、入射する。
【００５４】
以上に述べたように、薄膜磁気ヘッド２１は、スライダ２２と光源ユニット２３とを合わせた構成になっていて、それぞれを形成した後に、組み合わせることにより製造することができる。従って、例えば、前もって光源ユニットの特性評価を行って、良品のみを薄膜磁気ヘッドの製造に使用すれば、ヘッド製造時のヘッド全体の製造歩留まりが、ほぼスライダの製造歩留まりとなり、光源としてのレーザダイオードの不良品率によるヘッド全体の製造歩留まりの低下を回避することができる。
【００５５】
また、光源ユニット２３は、スライダ２２のＡＢＳ２２００とは反対側の背面２２０１に接着されるので、常に、レーザダイオード４０をＡＢＳ２２００から遠ざけた位置に設置することが可能となる。
【００５６】
さらに、このような光源ユニット２３を用いることによって、上述したように、スライダ２２の導波路層３５の端面３５２に、同層の層面に平行な方向に伝播するレーザ光を入射させることができる。すなわち、集積面２２０２とＡＢＳ２２００とが垂直である構成を有する薄膜磁気ヘッド２１において、適切な大きさ及び方向を有するレーザ光が、確実に供給可能となる。その結果、磁気ディスクの記録層の加熱効率が高い熱アシスト磁気記録を実現可能とする。
【００５７】
なお、スライダ２２及び光源ユニット２３の大きさは任意であるが、例えば、スライダ２２は、トラック幅方向の幅７００μｍ×長さ（奥行き）８５０μｍ×厚み２３０μｍの、いわゆるフェムトスライダであってもよい。この場合、光源ユニット２３は、これよりも一回り小さい大きさ、例えば、トラック幅方向の幅７００μｍ×長さ（奥行き）７００μｍ×厚み１８０μｍであってもよい。ここで、光源ユニット２３のトラック幅方向の幅は、位置合わせをする際にスライダ用マーク部１１とユニット用マーク部１０とが同時に確認し易いように、スライダ２２のトラック幅方向の幅と同じであることが好ましい。
【００５８】
また、通常用いられるレーザダイオードの典型的な大きさは、例えば、幅２５０μｍ×長さ（奥行き）２５０μｍ×厚み６５μｍ程度であり、例えば、この大きさの光源ユニット２３のユニット上面２３０１に、この大きさのレーザダイオード４０を設置できる堀込み２００３を形成することが、十分に可能となっている。この際、この堀込み２００３の深さを６５μｍ、又はこれよりも数μｍ深くしておけば、レーザダイオード４０の上面をユニット上面２３０１と同等か、又は低くすることができる。ただし、この堀込み２００３の深さを、例えば３０μｍ程度として、レーザダイオード４０の上面を若干突出させてもよい。また、光源ユニット２３の大きさを、レーザダイオード４０が設置可能な範囲でより小さくすることによって、１枚の基板ウエハから、より多数の光源ユニット２３を収得することが可能となる。
【００５９】
次いで、スライダ２２と光源ユニット２３とを固着する際の位置合わせについて説明する。スライダ２２と光源ユニット２３との位置を合わせる際、最も重要なことは、光源ユニット２３の伝播層４１の端面４１０から放射された光が、スライダ２２の導波路層３５を伝播してＡＢＳ２２００側のスライダ端面２２１（近接場光発生部３６）に十分かつ確実に達するようにすることである。
【００６０】
ここで、導波路層３５の端面３５２でのトラック幅方向の幅は、伝播層４１の端面４１０に達したレーザ光のスポットの同方向の径に比べて、十分大きく設定可能である。その一方、導波路層３５の端面３５２での厚さは、このスポットのこの厚さ方向の径に比べてそれほど大きくできない。例えば、伝播層４１の端面４１０に達したレーザ光のスポットにおいて、トラック幅方向の径は、例えば５〜４０μｍ程度であり、この径に直交する径は、例えば１〜６μｍ程度である。一方、このレーザ光を受け取る導波路層３５の端面３５２でのトラック幅方向の幅は、例えば５０〜５００μｍ程度であるが、導波路層３５の厚さは、例えば１〜６μｍ程度である。その結果、スライダ２２と光源ユニット２３とにおいて、トラック幅方向での位置合わせは比較的容易に行うことができるが、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせは、かなり困難となる。
【００６１】
これに対して、図１に示す本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、スライダ用マーク部１１が、側面３８０上であって導波路層３５の位置と集積面２２０２に垂直な方向において一致する位置に設けられており、さらに、ユニット用マーク部１０が、側面４１１上であって伝播層４１の端面４１０においてレーザ光が達する位置と素子形成面２３０２に垂直な方向において一致する位置に設けられている。
【００６２】
ここで、このようなマーク部を用いて、スライダ２２と光源ユニット２３との位置合わせを行うことを考える。最初に、このようなスライダ用マーク部１１を備えたスライダ２２の背面２２０１と、このようなユニット用マーク部１０を備えた光源ユニット２３の接着面２３００とを接面させ、次いで、スライダ用マーク部１１とユニット用マーク部１０とを、例えば光学顕微鏡等を備えた画像認識アライナーを用いて集積面２２０２（素子形成面２３０２）に垂直な方向において一致させた上で、スライダ２２と光源ユニット２３とを固着する。これにより、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせを確実かつ簡便に行うことができる。その結果、光源としてのレーザダイオード４０を設置する際の設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下が回避される。
【００６３】
なお、スライダ用マーク部１１及びユニット用マーク部１０の位置は、本実施形態での位置に限定されるものではなく、例えば、それぞれ、導波路層３５の位置及びレーザ光の達する位置から所定の距離だけずれた位置に設けられていてもよい。また、スライダ２２において、近接場光発生部３６を設けずに、導波路層３５の集光面３５０をスライダ端面２２１から露出させて、磁気ディスクに集光したレーザ光を照射して、磁気ディスクを加熱してもよい。
【００６４】
図２（Ａ）は、図１に示した薄膜磁気ヘッド２１の要部の構成を概略的に示す、図２のＡ−Ａ線断面図であり、図２（Ｂ）は、磁気ヘッド素子３２及び近接場光発生部３６のスライダ端面２２１における端の形状を示す平面図である。
【００６５】
まず、薄膜磁気ヘッド２１のスライダ２２の構成要素について説明する。
【００６６】
図２（Ａ）のスライダ２２において、２２０はアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等からなるスライダ基板であり、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ２２００を有している。このスライダ基板２２０のＡＢＳ２２００を底面とした際の一つの側面である集積面２２０２に、読み出し用のＭＲ効果素子３３と、書き込み用の電磁コイル素子３４と、これらの素子を保護する被覆層３８とが主に形成されている。さらに、被覆層３８の側面３８０のスライダ端面２２２側の端部に、スライダ用マーク部１１が形成されている。
【００６７】
ＭＲ効果素子３３は、ＭＲ積層体３３２と、この積層体を挟む位置に配置されている下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４とを含む。下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４は、例えば、厚さ０.５〜３μｍ程度のＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ若しくはＦｅＺｒＮ等で構成することができる。
【００６８】
ＭＲ積層体３３２は、面内通電型（ＣＩＰ（Current In Plain））巨大磁気抵抗（ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive））多層膜、垂直通電型（ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plain））ＧＭＲ多層膜、又はトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistive））多層膜を含み、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。上下部シールド層３３４及び３３０は、ＭＲ積層体３３２が雑音となる外部磁界の影響を受けることを防止する。
【００６９】
このＭＲ積層体３３２がＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０の各々とＭＲ積層体３３２との間に絶縁用の上下部シールドギャップ層がそれぞれ設けられる。さらに、ＭＲ積層体３３２にセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層が形成される。一方、ＭＲ積層体３３２がＣＰＰ-ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０はそれぞれ上下部の電極層としても機能する。
【００７０】
ＭＲ積層体３３２は、例えば、ＴＭＲ効果多層膜を含む場合、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ等からなる厚さ５〜１５ｎｍ程度の反強磁性層と、例えば強磁性材料であるＣｏＦｅ等、又はＲｕ等の非磁性金属層を挟んだ２層のＣｏＦｅ等から構成されており反強磁性層によって磁化方向が固定されている磁化固定層と、例えばＡｌ、ＡｌＣｕ等からなる厚さ０.５〜１ｎｍ程度の金属膜が真空装置内に導入された酸素によって又は自然酸化によって酸化された非磁性誘電材料からなるトンネルバリア層と、例えば強磁性材料である厚さ１ｎｍ程度のＣｏＦｅ等と厚さ３〜４ｎｍ程度のＮｉＦｅ等との２層膜から構成されておりトンネルバリア層を介して磁化固定層との間でトンネル交換結合をなす磁化自由層とが、順次積層された構造を有している。
【００７１】
電磁コイル素子３４は、垂直磁気記録用であり、主磁極層３４０、ギャップ層３４１、コイル層３４２、コイル絶縁層３４３、及び補助磁極層３４４を備えている。主磁極層３４０は、コイル層３４２によって誘導された磁束を、書き込みがなされる磁気ディスクの記録層まで収束させながら導くための導磁路である。ここで、主磁極層３４０のスライダ端面２２１側の端部３４０ａの層厚方向の長さ（厚さ）は、他の部分に比べて小さくなっている。この結果、高記録密度化に対応した微細な書き込み磁界が発生可能となる。
【００７２】
ここで、主磁極層３４０は、例えば、ＡＢＳ側の端部での全厚が約０.０１μｍ〜約０.５μｍであって、この端部以外での全厚が約０.５μｍ〜約３.０μｍのＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されている。ギャップ層３４１は、例えば、厚さ約０.０１μｍ〜約０.５μｍのＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等から構成されている。コイル層３４２は、例えば、厚さ約０.５μｍ〜約３μｍのＣｕ等から構成されている。コイル絶縁層３４３は、例えば、厚さ約０.１μｍ〜約５μｍの熱硬化されたレジスト層等から構成されている。補助磁極層３４４は、例えば、厚さ約０.５μｍ〜約５μｍのＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されている。
【００７３】
導波路層３５は、ＭＲ効果素子３３と電磁コイル素子３４との間に位置していて集積面２２０２と平行に伸長しているが、スライダ端面２２１の近傍において、スライダ端面２２１に向かってその厚さ方向においても先細りした形状を有している。導波路層３５は、何れの部分においても、被覆層３８を形成する材料よりも高い屈折率ｎを有する、例えばスパッタリング法等を用いて形成された誘電材料から構成されている。例えば、被覆層３８が、ＳｉＯ２（ｎ＝１.５）から形成されている場合、導波路層３５は、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１.６３）から形成されていてもよい。さらに、被覆層３８が、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１.６３）から形成されている場合、導波路層３５は、Ｔａ２Ｏ５（ｎ＝２.１６）、Ｎｂ２Ｏ５（ｎ＝２.３３）、ＴｉＯ（ｎ＝２.３〜２.５５）又はＴｉＯ２（ｎ＝２.３〜２.５５）から形成されていてもよい。導波路層３５をこのような材料で構成することによって、材料そのものが有する良好な光学特性によるだけではなく、界面での全反射条件が整うことによって、レーザ光の伝播損失が小さくなり、近接場光の発生効率が向上する。
【００７４】
スライダ用マーク部１１は、上述したような材料で形成された被覆層３８の側面３８０の端部に、例えば、金属膜等からなる、幅１〜５μｍ程度の微細なパターンであってもよい。また、ドライエッチング加工又は機械加工によるマーク又は傷であってもよい。さらには、レーザマーカ等を用いたレーザ光によるマーキングによって形成された、加工マーク又はレーザ痕であってもよい。
【００７５】
図２（Ａ）において、近接場光発生部３６の近接場光ギャップ部３６１は、導波路層３５と同じ誘電材料で形成されている。また、図２（Ａ）には図示されておらず図１に示されている、近接場光発生部３６の対向金属層３６０は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＩｒ、若しくはこれらのうちのいくつかの組合せからなる合金、又はＡｌ、Ｃｕ等が添加されたこれらの合金等の導電材料から形成されている。
【００７６】
近接場光ギャップ部３６１のトラック幅方向の幅及び層厚は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、それぞれ、約１０ｎｍ〜約３００ｎｍ及び約１０ｎｍ〜約２００ｎｍである。また、近接場光ギャップ部３６１のスライダ端面２２１に垂直な方向の長さは、例えば、１０〜５００ｎｍ程度である。また、導波路層３５の端面３５２でのトラック幅方向の幅は、例えば、５０〜５００μｍ程度である。
【００７７】
図２（Ｂ）によれば、スライダ端面２２１上において、近接場光ギャップ部３６１の発生端３６１ａは、電磁コイル素子３４の主磁極層３４０の端３４０ｂに近接していて、端３４０ｂのリーディング側に位置している。また、発生端３６１ａの形状は、トレーリング側に短辺を有する正台形となっている。
【００７８】
ここで、近接場光は、入射されるレーザ光の波長及び導波路層３５の形状にも依存するが、一般に、最も幅の狭いトレーリング側の短辺近傍において最も強い強度を有する。すなわち、磁気ディスクの記録層部分を加熱する熱アシスト作用において、このトレーリング側の短辺近傍が、主要な加熱作用部分となる。
【００７９】
また、主磁極層３４０の端３４０ｂの形状は、トレーリング側に長辺を有する逆台形となっている。すなわち、主磁極層３４０の端部３４０ａの側面には、ロータリーアクチュエータでの駆動により発生するスキュー角の影響によって隣接トラックに不要な書き込み等を及ぼさないように、ベベル角が付けられている。ベベル角の大きさは、例えば、１５°程度である。実際に、書き込み磁界が主に発生するのは、トレーリング側の長辺近傍であり、この長辺の長さによって書き込みトラックの幅が決定される。
【００８０】
以上に述べた、近接場光ギャップ部３６１の発生端３６１ａ、及び主磁極層３４０の端３４０ｂの配置及び形状によれば、主要な加熱作用部分である発生端３６１ａのトレーリング側の短辺近傍が、書き込み部分である主磁極層の端３４０ｂに非常に近い位置にあるので、磁気ディスクの記録層部分に熱を加えた直後に、ほとんど間を置かず、書き込み磁界を印加することができる。これにより、熱アシストによる安定した書き込み動作が、確実に実行可能となる。
【００８１】
なお、変更態様として、電磁コイル素子３４は、長手磁気記録用であってもかまわない。この場合、主磁極層３４０及び補助磁極層３４４の代わりに、下部磁極層及び上部磁極層が設けられ、さらに、下部磁極層及び上部磁極層のスライダ端面２２１側の端部に挟持された書き込みギャップ層が設けられる。この書き込みギャップ層位置からの漏洩磁界によって書き込みが行われる。
【００８２】
また、ＭＲ効果素子３３と導波路層３５及び近接場光発生部３６との間に、素子間シールド層４８が形成されているが、この素子間シールド層４８と導波路層３５との間に、さらに、バッキングコイル部が形成されていてもよい。バッキングコイル部は、電磁コイル素子３４から発生してＭＲ効果素子３３の上下部電極層を経由する磁束ループを打ち消す磁束を発生させて、磁気ディスクへの不要な書き込み又は消去動作である広域隣接トラック消去（ＷＡＴＥ）現象の抑制を図るものである。このバッキングコイル部は、長手磁気記録用のヘッドの場合、又は垂直磁気記録用のヘッドであっても不要の場合には省略される。また、コイル層３４２は、図２（Ａ）において１層であるが、２層以上又はヘリカルコイルでもよい。
【００８３】
次いで、薄膜磁気ヘッド２１の光源ユニット２３の構成要素について説明する。
【００８４】
図２（Ａ）の光源ユニット２３において、２３０はアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等からなるユニット基板であり、スライダ基板２２０の背面２２０１に接着している接着面２３００を有している。この接着面２３００を底面とした際の一つの側面である素子形成面２３０２上に、伝播層４１が設けられており、この伝播層４１に、回折光学素子部４２と、プリズム部４３とが設けられており、さらに、ユニット基板２３０に形成された堀込み２００３に、レーザダイオード４０が設置されている。さらに、伝播層４１の側面４１１の端面４１０側の端部に、ユニット用マーク部１０が形成されている。
【００８５】
伝播層４１は、レーザダイオード４０の出光端４００から回折光学素子部４２及びプリズム部４３を介して、自身の端面４１０に至るまでの光路を含んでいる。回折光学素子部４２は、通常の曲面を有する光学凸レンズにおいて、レンズ厚み方向に関する波長の倍数分の材質を削除した上で、波長の２−ｎ乗の高さを単位とした（ｎ−１）個の層による階段構造によって近似したレンズパターンである。
【００８６】
この回折光学素子部４２の構成は、後に、他の図面を用いて詳細に説明するが、伝播層４１を形成する材料よりも高い屈折率ｎを有しており、例えばスパッタリング法等を用いて形成された誘電材料から構成されている。例えば、伝播層４１が、ＳｉＯ２（ｎ＝１.５）から形成されている場合、回折光学素子部４２は、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１.６３）から形成されていてもよい。さらに、伝播層４１が、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１.６３）から形成されている場合、回折光学素子部４２は、Ｔａ２Ｏ５（ｎ＝２.１６）、Ｎｂ２Ｏ５（ｎ＝２.３３）、ＴｉＯ（ｎ＝２.３〜２.５５）又はＴｉＯ２（ｎ＝２.３〜２.５５）から形成されていてもよい。回折光学素子部４２が伝播層４１よりも高い屈折率を有することによって、回折光学素子部４２を通過するレーザ光が、界面での屈折に基づくレンズ作用によって平行な光又は集束した光に調整される。なお、伝播層４１の厚さは、例えば、３０〜６０μｍ程度であり、回折光学素子部４２の厚さは、後述するようにレーザ光の波長に依存するが、例えば０.５〜５μｍ程度である。
【００８７】
プリズム部４３は、素子形成面２３０２に対して斜めに形成された、伝播層４１の層面を反射面４３０として、レーザ光の進行方向を変更させるものである。回折光学素子部４２によって、例えば平行に揃えられたレーザ光が、このプリズム部４３の反射面４３０に臨界角以上の入射角で入射すると、このレーザ光は、反射面４３０で全反射し、平行に揃えられたまま端面４１０の方向に進行方向を変更させられる。実際、伝播層４１がＳｉＯ２（ｎ＝１.５）又はＡｌ２Ｏ３（ｎ＝１.６３）のいずれで形成されている場合でも、磁気ディスク装置内の雰囲気（屈折率ｎは約１）よりは大きな屈折率を有しているので、このような全反射が可能となる。例えば、回折光学素子部４２によって平行に揃えられたレーザ光が素子形成面２３０２に垂直な方向に進行して来る場合、端面４１０側の辺が素子形成面２３０２に対して平行に持ち上がる形で４５°に傾いて、平坦な反射面４３０が形成されることによって、全反射後のレーザ光を、接着面２３００に垂直な方向を有する光とすることができる。
【００８８】
ユニット用マーク部１０は、上述したような材料で形成された伝播層４１の側面４１１の端部に、例えば、レーザマーカ等を用いたレーザ光によるマーキングによって形成された、幅１〜５μｍ程度の加工マーク又はレーザ痕であってもよい。また、金属膜等からなる微細なパターンであってもよい。さらには、ドライエッチング加工又は機械加工によるマーク又は傷であってもよい。
【００８９】
また、変更態様として、回折光学素子部４２が、本実施形態のようにレーザダイオード４０とプリズム部４３とを結ぶ光路上にはなく、レーザ光がプリズム部４３において全反射した後に達する光路上の位置に設けられてもよい。また、レーザダイオード４０が、本実施形態のように堀込み２００３に形成されているのではなく、その底面の電極がユニット基板２３０の素子形成面２３０２に電気的に接続された状態で固定されていてもよい。この場合、レーザ光は、レーザダイオードの出光端から伝播層４１の端面４１０に向かって放射され、伝播層４１に形成された回折光学素子部を通過して平行に揃えられることが好ましい。
【００９０】
また、さらなる変更態様として、光路変更部が、本実施形態のようにプリズム部４３ではなく、グレーチングカプラ（Grating Coupler）部であってもよい。さらにまた、レンズ部及び光路変更部として、グレーチングカプラ部のみが設けられていてもよい。以上に述べた変更態様においても、適切な方向を有する平行に揃えられたレーザ光を得ることが可能となる。
【００９１】
図３（Ａ）及び（Ｂ）は、レーザダイオード４０の構成、及びレーザダイオード４０のユニット基板２３０への搭載方法を示す概略図である。
【００９２】
図３（Ａ）によれば、レーザダイオード４０は、通常、光学系ディスクストレージに使用されるものと同じ構造を有していてもよく、例えば、ｎ電極４０ａと、ｎ−ＧａＡｓ基板４０ｂと、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｃと、第１のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｄと、多重量子井戸（ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰ）等からなる活性層４０ｅと、第２のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｆと、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｇと、＊ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層４０ｈと、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４０ｉと、ｐ電極４０ｊとが順次積層された構造を有する。これらの多層構造の劈開面の前後には、全反射による発振を励起するためのＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等からなる反射膜５０及び５１が成膜されており、レーザ光が放射される出光端４００には、一方の反射膜５０における活性層４０ｅの位置に開口が設けられている。
【００９３】
放射されるレーザ光の波長λＬは、例えば６００〜６５０ｎｍ程度である。ただし、スライダ２２（図１）に近接場光発生部３６を設ける場合、対向金属層３６０（図１）の金属材料に応じた適切な励起波長が存在することに留意しなければならない。例えば、対向金属層３６０としてＡｕを用いる場合、レーザ光の波長λＬは、６００ｎｍ近傍が好ましい。
【００９４】
レーザダイオード４０の大きさは、上述したように、例えば、幅２５０μｍ×長さ（奥行き）２５０μｍ×厚み６５μｍ程度である。ここで、レーザダイオード４０の幅は、電流阻止層４０ｈの対向端の間隔を下限として、例えば、１００μｍ程度までに小さくすることができる。ただし、レーザダイオード４０の長さは、電流密度と関係する量であり、それほど小さくすることはできない。いずれにしても、レーザダイオード４０に関しては、搭載の際のハンドリングを考慮して、相当の大きさが確保されることが好ましい。
【００９５】
また、このレーザダイオード４０の駆動においては、磁気ディスク装置内の電源が使用可能である。実際、磁気ディスク装置は、通常、例えば２Ｖ程度の電源を備えており、レーザ発振動作には十分の電圧を有している。また、レーザダイオード４０の消費電力も、例えば、数十ｍＷ程度であり、磁気ディスク装置内の電源で十分に賄うことができる。
【００９６】
図３（Ｂ）によれば、レーザダイオード４０は、ユニット基板２３０に形成された堀込み２００３に搭載されており、一方の電極が、鉛フリー半田の１つであるＡｕＳｎ合金５２による半田付けによって、堀込み２００３の底面と電気的に接続されながら固定されている。ここでユニット基板２３０は、例えばアルティックから形成されており導電性を有する。実際の固定においては、例えば、堀込み２００３の底面に厚さ０.７〜１μｍ程度のＡｕＳｎ合金の蒸着膜を成膜し、レーザダイオード４０を乗せた後、熱風ブロア下でホットプレート等による２００〜３００℃程度までの加熱を行って固定してもよい。なお、堀込み２００３の底面と接続される電極は、ｎ電極４０ａでもｐ電極４０ｊでもかまわない。
【００９７】
ここで、上述したＡｕＳｎ合金による半田付けをする場合、光源ユニットを例えば３００℃前後の高温に加熱することになるが、本発明によれば、この光源ユニットがスライダとは別に製造されるため、スライダ内の磁気ヘッド素子がこの高温の悪影響を受けずに済む。
【００９８】
駆動端子電極４４０は、ユニット基板２３０のユニット上面２３０１上に、厚さ１０ｎｍ程度のＴａ、Ｔｉ等からなる下地層を介して形成された、厚さ１〜３μｍ程度の、例えばスパッタリング法等を用いて形成されたＡｕ、Ｃｕ等の層からなる。また、駆動端子電極４４１は、レーザダイオード４０の半田付けされていないもう一方の電極上に、同じく、厚さ１０ｎｍ程度のＴａ、Ｔｉ等からなる下地層を介して形成された、厚さ１〜３μｍ程度の、例えばスパッタリング法等を用いて形成されたＡｕ、Ｃｕ等の層からなる。
【００９９】
なお、レーザダイオード４０及び駆動端子電極４４０及び４４１は、当然に、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、レーザダイオード４０は、ＧａＡｌＡｓ系等、他の半導体材料を用いた他の構成のものであってもよい。さらに、レーザダイオード４０の電極の半田付けに、他のろう材を用いて行うことも可能である。さらにまた、レーザダイオード４０の両方の電極をユニット基板から絶縁させて、駆動端子電極を形成してもよい。さらにまた、レーザダイオード４０を、ユニット基板上に直接、半導体材料をエピタキシャル成長させることによって形成してもよい。
【０１００】
図４（Ａ）は、回折光学素子部４２の原理を説明するための概略図であり、図４（Ｂ）は、回折光学素子部４２を含む伝播層４１の、光源ユニット２３のユニット上面２３０１に平行な面による断面図である。
【０１０１】
最初に、回折光学素子部４２の原理の説明を行う。まず、図４（Ａ−１）に示された断面のように通常の曲面を有する光学凸レンズにおいて、図４（Ａ−２）に示す断面のように、レンズ厚み方向に関して、レーザ光の波長の倍数分の材質を削除する。次いで、図４（Ａ−３）に示す断面のように、例えば、レーザ光の１／４波長の高さを単位とした３つの層からなる階段構造によって、図４（Ａ−２）に示す断面を離散的に近似する。なお、一般に、波長の２−ｎ乗の高さを単位とした場合、階段構造の層数は、（ｎ−１）個となる。この図４（Ａ−３）に示したような断面を有する階段構造部が、回折光学素子部４２であり、もとの図４（Ａ−１）に示された断面を有するレンズと同等の機能を有することになる。
【０１０２】
図４（Ｂ）によれば、回折光学素子部４２は、集積面に平行に積層された環状の第１、第２及び第３の回折格子層４２０、４２１及び４２２が適切に積層されて、図４（Ａ−３）に相当する断面を有する積層体パターンとなっている。回折光学素子部４２の厚さは、その中心部において、レーザ光の波長以下に小さくすることができる。すなわち、回折光学素子部４２は、薄膜微細加工技術を用いて平面状に薄く作り込むことができるので、光源ユニットの伝播の調整用として非常に適している。なお、同図の回折光学素子部４２は、上述したように、レーザ光の１／４波長の高さを単位とした場合であるが、当然、１／２波長、１／８波長等の高さを単位として回折光学素子部が形成されていてもよい。
【０１０３】
ここで、回折光学素子部４２の形成方法について説明する。図４（Ｂ）において、ユニット基板２３０の素子形成面２３０２上に形成された、例えば、スパッタリング法等を用いて形成されたＳｉＯ２からなる第１の伝播層４１ａ上に、例えば、スパッタリング法等を用いて所定の厚さを有するＴｉＯ２膜を形成する。次いで、このＴｉＯ２膜上に、例えばＮｉＦｅ等からなる所定のパターンを形成した後、このＮｉＦｅ等のパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いたＲＩＥ法によるエッチング処理を行い、第１の回折格子層４２０を形成する。次いで、この第１の回折格子層４２０の形成方法と同様の方法を用いて、第２の回折格子層４２１及び第３の回折格子層４２２を順次積み重ねて形成することによって、回折光学素子部４２の形成を完了する。その後、形成された回折光学素子部４２を覆うように、例えば、スパッタリング法等を用いてＳｉＯ２膜を成膜し、その後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法等を用いてこの膜面を平坦化して第２の伝播層４１ｂを形成することにより、伝播層４１の形成を完了する。
【０１０４】
なお、回折光学素子部が、レーザ光のトラック幅方向の広がりを調整する第１の回折光学素子部と、レーザ光の接着面２３００に垂直な方向（図の紙面に垂直な方向）の広がりを調整する第２の回折光学素子部との組み合わされた光学系であってもよい。
【０１０５】
図５（Ａ）は、本発明に係るスライダ加工バー及びスライダ２２の形成方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートであり、図５（Ｂ）は、本発明によるユニット加工バー及び光源ユニット２３の形成方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートである。
【０１０６】
最初に、スライダ加工バー及びスライダ２２の製造方法を説明する。図５（Ａ）によれば、まず、スライダ用のウエハ基板の集積面に、ＭＲ効果素子３３が形成される（ステップＳＳ１）。次いで、近接場光発生部３６が形成され（ステップＳＳ２）、その後、導波路層３５が形成される（ステップＳＳ３）。さらに、この導波路層３５の形成に合わせて、後にスライダ２２と光源ユニット２３とが接着される場合には、スライダ用マーク部１１を形成し（ステップＳＳ４）、後述するように、後にスライダ加工バーとユニット加工バーとが接着される場合には、スライダ加工バー用マーク部を形成する（ステップＳＳ４′）。次いで、必要であれば、バッキングコイル部が形成される（ステップＳＳ５）。
【０１０７】
次いで、データを書き込むための電磁コイル素子３４が形成され（ステップＳＳ６）、その後、被覆層３８及び信号端子電極３７が形成される（ステップＳＳ７）。以上により、主に、磁気ヘッド素子３２、導波路層３５、近接場光発生部３６及び信号端子電極３７からなる磁気ヘッド素子パターンを、ウエハ基板上に形成するためのウエハ薄膜工程が終了する。
【０１０８】
次いで、ウエハ薄膜工程が終了したこのウエハ基板を切断して、スライダ加工バーを切り出す（ステップＳＳ８）。次いで、このスライダ加工バーにＭＲハイト加工を施す（ステップＳＳ９）。その後、ＡＢＳ側のスライダ端面に保護膜を形成する（ステップＳＳ１０）。次いで、ＡＢＳにレールを形成する加工を行う（ステップＳＳ１１）。ここで、スライダ加工バーの製造工程が完了する。この後、薄膜磁気ヘッド２１の製造においてスライダ加工バーとユニット加工バーとを固着する場合は、この製造されたスライダ加工バーを用いる。
【０１０９】
これに対して、この後の薄膜磁気ヘッド２１の製造にスライダ２２を用いる場合は、この加工バーを切断して個々のスライダ２２への分離を行う（ステップＳＳ１２）。以上により、機械加工工程が終了して、スライダ２２の製造工程が完了する。
【０１１０】
次いで、ユニット加工バー及び光源ユニット２３の製造方法を説明する。図５（Ｂ）によれば、まず、光源ユニット用のウエハ基板の素子形成面に、第１の伝播層４１ａが形成される（ステップＳＵ１）。次いで、回折光学素子部４２が形成され（ステップＳＵ２）、その後、第２の伝播層４１ｂが形成される（ステップＳＵ３）。以上により、回折光学素子部４２をウエハ基板上に形成するためのウエハ薄膜工程が終了する。
【０１１１】
次いで、ウエハ薄膜工程が終了したこのウエハ基板を切断して、ユニット加工バーを切り出す（ステップＳＵ４）。その後、伝播層４１となる層を研削してプリズム部４３を形成する（ステップＳＵ５）。次いで、ユニット加工バーに堀込み２００３を形成し（ステップＳＵ６）、形成された堀込み２００３にレーザダイオード４０を搭載する（ステップＳＵ７）。その後、駆動端子電極４４０及び４４１を形成する（ステップＳＵ８）。なお、プリズム部４３の形成工程（ステップＳＵ５）と、堀込み２００３の形成工程（ステップＳＵ６）との順序が逆になってもかまわない。ただし、レーザダイオード４０の搭載（ステップＳＵ７）は、プリズム部４３の形成工程（ステップＳＵ５）が終了した後であることが好ましい。
【０１１２】
ここで、薄膜磁気ヘッド２１の製造においてスライダ加工バーとユニット加工バーとを固着する場合は、レーザダイオード４０の特性検査を行い（ステップＳＵ１０′）、この検査において良品と判定されたユニット加工バーを、以後の製造工程に用いる。その後、全てのレーザダイオードが良品と判定されたユニット加工バーに、ユニット加工バー用マーク部を形成する（ステップＳＵ１１′）。ここで、ユニット加工バーの製造工程が完了する。
【０１１３】
これに対して、この後の薄膜磁気ヘッド２１の製造に光源ユニット２３を用いる場合は、このユニット加工バーを切断して個々の光源ユニット２３への分離を行う（ステップＳＵ９）。その後、レーザダイオード４０の特性検査を行い（ステップＳＵ１０）、この検査において、搭載されたレーザダイオードが良品と判定された光源ユニット２３だけを、以後の製造工程に用いる。次いで、レーザダイオードが良品と判定された光源ユニット２３に、ユニット用マーク部１０を形成する（ステップＳＵ１１）。以上により、機械加工工程が終了して、光源ユニット２３の製造工程が完了する。
【０１１４】
なお、本実施形態では、ユニット加工バー用マーク部及びユニット用マーク部１０はともに、特性検査後に形成されているが、特性検査前、又は特性検査中に形成されてもよい。
【０１１５】
図６（Ａ）は、本発明による、スライダ２２及び光源ユニット２３を固着する薄膜磁気ヘッド２１の製造方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートであり、図６（Ｂ）は、本発明による、スライダ加工バー及びユニット加工バーを固着する薄膜磁気ヘッド２１の製造方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートである。
【０１１６】
最初に、スライダ２２及び光源ユニット２３を固着する薄膜磁気ヘッド２１の製造方法を説明する。図６（Ａ）によれば、まず、スライダ２２の背面２２０１及び／又は光源ユニット２３の接着面２３００に、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂を予め塗布する（ステップＳ１）。次いで、スライダ用マーク部１１とユニット用マーク部１０とを、集積面２２０２（素子形成面２３０２）に垂直な方向において一致させることにより位置合わせを行う（ステップＳ２）。最後に、ＵＶ（紫外線）を照射してスライダ２２及び光源ユニット２３を固着することによって（ステップＳ３）、薄膜磁気ヘッド２１の製造工程が完了する。
【０１１７】
次いで、スライダ加工バー及びユニット加工バーを固着する薄膜磁気ヘッド２１の製造方法を説明する。図６（Ｂ）によれば、まず、スライダ加工バー及び／又はユニット加工バーの接着される面に、ＵＶ硬化樹脂を予め塗布する（ステップＳ１′）。次いで、スライダ加工バー用マーク部とユニット加工バー用マーク部とを、集積面２２０２（素子形成面２３０２）に垂直な方向において一致させることにより位置合わせを行う（ステップＳ２′）。その後、ＵＶ（紫外線）を照射して、スライダ加工バー及びユニット加工バーを固着する（ステップＳ３′）。最後に、この固着した加工バーを切断分離することによって（ステップＳ４′）、薄膜磁気ヘッド２１の製造工程が完了する。
【０１１８】
以下、上述したフローチャートに示された薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態について、さらに、図を用いて詳細に説明する。
【０１１９】
図７（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明によるスライダの形成方法における、ウエハ薄膜工程の一実施形態を示す断面図及び平面図である。なお、図７（Ａ）、（Ｂ−１）及び（Ｃ）における断面は、素子形成面及びＡＢＳに垂直な面であり、また、図７（Ｂ−２）は、集積面側から見た平面図となっている。
【０１２０】
以下、これらの図を用いてスライダのウエハ薄膜工程を説明する。まず、図７（Ａ）に示すように、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されたウエハ基板６０上に、例えばスパッタリング法によって、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の下地被覆層６１を積層する。次いで、下地被覆層６１上に、例えばフレームめっき法を含むパターンめっき法、又はスパッタリング法等によって、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度の下部シールド層３３０を形成する。
【０１２１】
次いで、例えばスパッタリング法、フォトリソグラフィ法及びイオンビームエッチング法等を用いて、ＭＲ積層体３３２を形成する。次いで、下部シールド層３３０と同様にして、上部シールド層３３４を形成する。以上の工程によって、ＭＲ効果素子３３の形成が終了する。次いで、例えばスパッタリング法によって、上部シールド層３３４上に、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜２.０μｍ程度の第１の被覆層６２を形成する。さらに、例えばスパッタリング法、又はフレームめっき法等によって、第１の被覆層６２上に、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ０.３〜４μｍ程度の素子間シールド層４８を形成する。
【０１２２】
次いで、図７（Ｂ−１）に示すように、素子間シールド層４８上に、例えばスパッタリング法によって、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.３〜１.０μｍ程度の第２の被覆層６３を形成する。さらに、この第２の被覆層６３上に、近接場光発生部３６及び導波路層３５を形成する。導波路層３５の先細りした部分及び近接場光発生部３６の形成方法については、別の図面を用いて詳細に説明する。
【０１２３】
ここで、図７（Ｂ−２）に示すように、導波路層３５の形成とともに又は直前若しくは直後に、被覆層３８の側面３８０のスライダ端面２２２側の端部となる位置に、例えば、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｕ、ＮｉＦｅ等の金属膜の微細パターン、又は導波路層３５に用いられている材料と同じ材料の微細パターンからなるスライダ用マーク部１１を形成する。この際、スライダ用マーク部１１及び導波路層３５の端面３５２が、集積面２２０２（図７（Ｂ−１））から等しい距離に位置するように設定される。なお、このスライダ用マーク部の厚さは、位置合わせ精度を確保するために、少なくとも導波路層３５の端面３５２での厚さと同等か又はそれ以下とすることが好ましい。
【０１２４】
ただし、後述するように、薄膜磁気ヘッド２１の製造にスライダ加工バーを用いる場合は、スライダ用マーク部１１に代えて、スライダ加工バーの被覆層となる層のトラック幅方向に対向する両側面のうちの少なくとも１つの位置となるように、スライダ加工バー用マーク部（図９（Ｄ）の７４）が設けられてもよい。また、このスライダ加工バー用マーク部として、スライダ用マーク部１１が代わりに用いられてもよい。
【０１２５】
次いで、近接場光発生部３６、導波路層３５及びスライダ用マーク部１１を覆うように、例えばスパッタリング法によって、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.３〜５μｍ程度の第３の被覆層６４を形成する。その後、例えば化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法等によって、第３の被覆層６４を平坦化する。
【０１２６】
次いで、図７（Ｃ）に示すように、平坦化された第３の被覆層６４上に、例えばスパッタリング法、又はフレームめっき法等によって、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度の主磁極主要層３４００と、同じく例えばスパッタリング法、又はフレームめっき法等によって、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度の主磁極補助層３４０１とを形成する。これにより、主磁極層３４０が形成される。
【０１２７】
次いで、主磁極層３４０上に、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法等によって、例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度のギャップ層３４１を形成し、次いで、ギャップ層３４１上に、例えば熱硬化されたレジスト層等からなる厚さ０.１〜５μｍ程度のコイル下地絶縁層６５を形成し、このコイル下地絶縁層６５上に、例えばフレームめっき法等によって、例えばＣｕ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度のコイル層３４２を形成する。
【０１２８】
さらに、このコイル層３４２を覆うように、例えば熱硬化されたレジスト層等からなる厚さ０.１〜５μｍ程度のコイル絶縁層３４３を形成する。さらに、コイル絶縁層３４３を覆うように、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ約０.５〜５μｍ程度の補助磁極層３４４を形成する。以上の工程によって、電磁コイル素子３４の形成が終了する。最後に、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４を覆うように、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁膜を成膜した後、この絶縁膜を例えばＣＭＰ法等を用いて平坦化することによって第４の被覆層６６を形成し、さらにＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４のための信号端子電極を形成して、ウエハ薄膜工程が終了する。
【０１２９】
図８は、導波路層３５の先細りした部分及び近接場光発生部３６の形成方法の一実施形態を説明する平面図及び断面図である。なお、図８（Ａ２）〜（Ｅ２）は、それぞれ、図８（Ａ１）〜（Ｅ１）のａ−ａ線〜ｅ−ｅ線断面を表している。
【０１３０】
図８（Ａ１）及び（Ａ２）において、最初に、Ａｌ２Ｏ３等の下地１０００の上に、近接場光発生部となる、下地よりも屈折率の高いＴｉＯ２等の誘電体膜１００１を成膜し、その上に、リフトオフ用のレジストパターン１００２を形成する。次いで、図８（Ｂ１）及び（Ｂ２）に示すように、イオンミリング法等を用いて、レジストパターン１００２の直下を除いて、誘電体膜１００１の不要部分を除去する。その後、図８（Ｃ１）及び（Ｃ２）に示すように、スパッタリング法等を用いて、対向金属層となるＡｕ等の導電膜１００３を成膜し、次いで、レジストパターン１００２及びその上の導電膜を、いわゆるリフトオフによって除去する。
【０１３１】
その後、図８（Ｄ１）及び（Ｄ２）に示すように、レジストパターン１００４が形成された後、イオンミリング法等を用いて、レジストパターン１００４の直下を除いて、誘電体膜１００１及び導電膜１００３の不要部分を除去する。次いで、図８（Ｅ１）及び（Ｅ２）に示すように、スパッタリング法等を用いて、誘電体膜１００１と同じ誘電材料からなるバックフィル誘電体膜１００５を形成する。その後、レジストパターン１００４及びその上の誘電体膜を、いわゆるリフトオフによって除去する。なお、さらに、後のスライダ加工バーのＭＲハイト工程において、図８（Ｅ２）のｆ−ｆ線よりも左側の部分が研削されることにより、図８（Ｅ２）のｆ−ｆ線がＡＢＳ側のスライダ端面となって、ｆ−ｆ線よりも右側がスライダの近接場光発生部となる。
【０１３２】
以上の工程を繰り返すことによって、図８（Ｆ）に示すように、近接場光発生部３６の近接場光ギャップ部３６１、バックフィル誘電体膜１００５からなる導波路部１００６、さらにその後形成された導波路部１００７と、複数個の順次大きくなる導波路部を、連続して形成することができる。これらの導波路部は、導波路層３５の先細りした端部を構成することになる。さらに、下地１０００と同じく、導波路層を構成する材料よりも屈折率の小さい、例えば、Ａｌ２Ｏ３等の材料からなるカバー誘電体膜１００８を形成する。ここで近接場光ギャップ部３６１の厚さは、例えば、約３０ｎｍであり、導波路部１００６の厚さは、例えば、約３００ｎｍであり、導波路部１００７の厚さは、例えば、約１μｍである。さらに、下地１０００及びカバー誘電体膜１００８の厚さは、例えば、約６０ｎｍである。
【０１３３】
図９（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明によるスライダ加工バー及びスライダ２２の形成方法の一実施形態を示す概略図である。
【０１３４】
図９（Ａ）に示すように、スライダのウエハ薄膜工程が完了したウエハ基板であるスライダウエハ７０の素子形成面上には、多数の磁気ヘッド素子パターン７１が、マトリクス状に並んで形成されている。磁気ヘッド素子パターン７１は、形成されたスライダ２２において、主にＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、導波路層３５、近接場光発生部３６及び信号端子電極３７となる部分である。
【０１３５】
最初に、このスライダウエハ７０を、樹脂等を用いて切断分離用治具に接着して切断し、図９（Ｂ）に示すように、複数の磁気ヘッド素子パターン７１が一列に並んだスライダ加工バー７２を切り出す。次いで、このスライダ加工バー７２を、樹脂等を用いて研磨用治具に接着し、このスライダ加工バー７２のＡＢＳ側となる端面７２０に、ＭＲ効果素子のＭＲ高さ（ＭＲハイト）、すなわちスライダ端面２２１に垂直な方向での長さを決定するＭＲハイト加工としての研磨を施す。このＭＲハイト加工は、図９（Ｃ）に示すように、最終的に、磁気ヘッド素子３２及び近接場光発生部３６がスライダ端面２２１に露出して、ＭＲ効果素子３３のＭＲ積層体３３２が所定のＭＲハイトになり、しかも近接場光発生部３６の近接場光ギャップ部３６１が所定の高さ（スライダ端面２２１に垂直な方向での長さ）になるまで行われる。
【０１３６】
次いで、スライダ端面２２１に、例えば、磁気ヘッド素子の端を保護するためのダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等からなる保護膜を形成する。その後、保護膜が形成されたスライダ加工バー７２を、樹脂等を用いてレール形成用治具に接着し、フォトリソグラフィ法、及びイオンミリング法若しくは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法等を用いてＡＢＳにレールを形成する加工を行い、図９（Ｄ）に示すように、スライダ加工バー７３を完成させる。なお、薄膜磁気ヘッド２１の製造にこのスライダ加工バー７３を用いる場合、スライダ加工バー７３には、スライダ加工バー用マーク部７４が現れている。
【０１３７】
これに対して、この後の薄膜磁気ヘッド２１の製造にスライダ２２を用いる場合は、このスライダ加工バー７３を、樹脂等を用いて切断用治具に接着し、溝入れ処理を行った後、切断処理を行い、スライダ加工バー７３を切断分離し、図９（Ｅ）に示すように、スライダ２２を完成させる。この場合、スライダ２２には、スライダ用マーク部１１が現れている。
【０１３８】
図１０（Ａ）〜（Ｉ）は、本発明によるユニット加工バー及び光源ユニット２３の形成方法の一実施形態を示す概略図である。
【０１３９】
図１０（Ａ）によれば、最初に、ユニット基板となる基板ウエハ上に、伝播層４１となる誘電体膜８０と回折光学素子部４２とを形成し、次いで、この誘電体膜８０及び回折光学素子部４２が形成されたユニットウエハ８１を、樹脂等を用いて切断分離用治具に接着して切断し、図１０（Ｂ）に示すように、複数の回折光学素子部４２が一列に並んだユニット加工バー８２を切り出す。なお、回折光学素子部４２の形成される間隔は、スライダウエハ７０（図９（Ａ））に形成される磁気ヘッド素子パターン７１の間隔と同じであって、ユニット加工バー８２のトラック幅方向の幅は、スライダ加工バー７２の同方向の幅と同じに設定される。
【０１４０】
次いで、このユニット加工バー８２の誘電体膜８０のエッジを、砥石等の研磨手段に所定の角度で押し当てて研磨する。この際の研磨面が後に反射面４３０となる。反射面４３０の傾き角は、研磨の際の押し当てる所定の角度によって制御される。次いで、図１０（Ｃ）に示すように、ユニット加工バー８２において光源ユニット２３のユニット上面２３０１となる面に、フォトオリソグラフィ法、及びイオンミリング法若しくはＲＩＥ法等を用いて、堀込み２００３を形成する。
【０１４１】
次いで、同じく図１０（Ｃ）に示すように、形成された堀込み２００３に、上述したようにＡｕＳｎ合金による半田付け等を用いて、レーザダイオード４０を搭載する。その後、図１０（Ｄ）に示すように、レーザダイオード４０用の駆動端子電極４４０及び４４１を形成し、ユニット加工バー８３を形成する。
【０１４２】
ここで、薄膜磁気ヘッド２１の製造においてスライダ加工バー７３（図９（Ｄ））とユニット加工バー８３とを固着する場合は、図１０（Ｅ）に示すように、ユニット加工バー８３に搭載されたレーザダイオード４０の特性検査を行う。特性検査は、検査用プローブ８４を、駆動端子電極４４０及び４４１に接触させて実際にレーザダイオード４０を駆動させ、フォトダイオード等の受光素子８５を用いて、ＡＢＳ側のスライダ端面２２１となる誘電体膜８０の端面８６から放射されるレーザ光を検出することによって行う。
【０１４３】
検査項目としては、端面８６での放射強度（レーザダイオード４０の発光強度）、端面８６での放射位置、及びレーザダイオード４０の寿命等が挙げられる。この特性検査において、搭載された全てのレーザダイオードが良品と判定されたユニット加工バーだけを、以後の製造工程に用いる。ただし、１つの変更態様として、不良品と判定されたレーザダイオードの位置をすべて特定しておいて、スライダ加工バーとユニット加工バーとを固着して切断分離した後、特定したレーザダイオードを備えた薄膜磁気ヘッドを不良品として除去してもよい。
【０１４４】
次いで、図１０（Ｆ）に示すように、薄膜磁気ヘッド２１の製造にこのユニット加工バー８３を用いる場合、レーザマーカ等を用いて、ユニット加工バー８３のトラック幅方向に対向していて誘電体膜８０の端面８６に垂直な両側面８７のうちの少なくとも１つの面上であって、端面８６においてレーザ光が達する位置と素子形成面２３０２に垂直な方向において一致する位置に、ユニット加工バー用マーク部８８を設け、ユニット加工バー８３を完成させる。なお、このユニット加工バー用マーク部８８は、位置合わせの容易さの観点から、素子形成面２３０２側から見て、集積面２２０２側から見た際のスライダ加工バー用マーク部７４（図９（Ｄ））のある側と同じ側となる側面８７上に設けられる。
【０１４５】
これに対して、この後の薄膜磁気ヘッド２１の製造に光源ユニット２３を用いる場合は、ユニット加工バー８３を、樹脂等を用いて切断用治具に接着し、溝入れ処理を行った後、切断処理を行い、図１０（Ｇ）に示すように、光源ユニット２３に分離する。その後、図１０（Ｈ）に示すように、光源ユニット２３に搭載されたレーザダイオード４０の特性検査を行う。特性検査は、検査用プローブ８４を、駆動端子電極４４０及び４４１に接触させて実際にレーザダイオード４０を駆動させ、フォトダイオード等の受光素子８５を用いて、伝播層４１の接着面側の端面４１０から放射されるレーザ光を検出することによって行う。ここで、この検査において、搭載されたレーザダイオードが良品と判定された光源ユニット２３だけを、以後の製造工程に用いる。
【０１４６】
次いで、図１０（Ｉ）に示すように、レーザマーカ等を用いて、光源ユニット２３のトラック幅方向に対向している伝播層４１の側面４１１上であって、端面４１０においてレーザ光が達する位置と素子形成面２３０２に垂直な方向において一致する位置に、ユニット用マーク部１０を設けて、光源ユニット２３を完成させる。
【０１４７】
図１１（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明による、スライダ２２及び光源ユニット２３を固着する薄膜磁気ヘッド２１の製造方法の一実施形態を示す概略図である。
【０１４８】
図１１（Ａ）によれば、まず、形成されたスライダ２２の背面２２０１及び形成された光源ユニット２３の接着面２３００の両方又はいずれか一方に、ＵＶ硬化型エポキシ接着剤等のＵＶ硬化樹脂を予め塗布する。次いで、図１１（Ｂ）に示すように、背面２２０１及び接着面２３００を接面させ、例えば光学顕微鏡等を備えた画像認識アライナ−を用いて、伝播層４１のＡＢＳ側の端面４１０から放射された光が導波路層３５を伝播してＡＢＳ側のスライダ端面２２１（近接場光発生部３６）に達するように、スライダ用マーク部１１とユニット用マーク部１０とを、集積面２２０２（素子形成面２３０２）に垂直な方向において一致させることにより位置合わせを行う。最後に、図１１（Ｃ）に示すように、背面２２０１及び接着面２３００を接面させた部分に紫外線を照射して、スライダ２２及び光源ユニット２３を固着することによって、薄膜磁気ヘッド２１の製造工程が完了する。
【０１４９】
上述したように、導波路層３５の端面３５２でのトラック幅方向の幅は、伝播層４１の端面４１０に達したレーザ光のスポットにおける同方向の径に比べて、十分大きく設定可能である。その一方、導波路層３５の端面３５２での厚さは、このスポットのこの厚さ方向の径に比べて、それほど大きくすることはできない。その結果、スライダ２２と光源ユニット２３とにおいて、トラック幅方向での位置合わせは比較的容易に行うことができるが、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせは、かなり困難となる。これに対して、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、スライダ用マーク部１１とユニット用マーク部１０とを用いることによって、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせを確実かつ簡便に行うことができる。その結果、光源としてのレーザダイオード４０を設置する際の設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下が、回避される。
【０１５０】
図１２（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明による、スライダ加工バー及びユニット加工バーを固着する薄膜磁気ヘッド２１の製造方法の一実施形態を示す概略図である。
【０１５１】
図１２（Ａ）によれば、まず、形成されたスライダ加工バー７３のＡＢＳとなる面とは反対側の面７３０１と、形成されたユニット加工バー８３の、切断分離後に接着面２３００となるバー接着面８３０１との両方又はいずれか一方に、ＵＶ硬化型エポキシ接着剤等のＵＶ硬化樹脂を予め塗布する。次いで、図１２（Ｂ）に示すように、これらの面を接面させ、例えば光学顕微鏡等を備えた画像認識アライナ−を用いて、伝播層４１のＡＢＳ側の端面４１０から放射された光が導波路層３５を伝播してＡＢＳ側のスライダ端面２２１（近接場光発生部３６）に達するように、スライダ加工バー用マーク部７４とユニット加工バー用マーク部８８とを、集積面２２０２（素子形成面２３０２）に垂直な方向において一致させることにより位置合わせを行う。
【０１５２】
その後、図１２（Ｃ）に示すように、接面させた部分にＵＶ（紫外線）を照射して、スライダ加工バー７３及びユニット加工バー８３を固着する。最後に、図１２（Ｄ）に示すように、固着された加工バーを、樹脂等を用いて切断用治具に接着し、溝入れ処理を行った後、切断分離処理を行い、薄膜磁気ヘッド２１の製造工程が完了する。
【０１５３】
上述したスライダ２２と光源ユニット２３との位置関係と同じく、スライダ加工バー７３及びユニット加工バー８３においても、トラック幅方向での位置合わせは比較的容易に行うことができるが、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせは、かなり困難となる。これに対して、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、スライダ加工バー用マーク部７４とユニット加工バー用マーク部８８とを用いることによって、トラック幅方向とは垂直な方向での位置合わせを確実かつ簡便に行うことができる。その結果、光源としてのレーザダイオード４０を設置する際の設置位置の誤差によるヘッド全体の製造歩留まりの低下が、回避される。
【０１５４】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】本発明による光源ユニット、及びこの光源ユニットを備えた薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの要部の構成を概略的に示す、図２のＡ−Ａ線断面図、及び磁気ヘッド素子及び近接場光発生部のスライダ端面における端の形状を示す平面図である。
【図３】レーザダイオードの構成、及びレーザダイオードのユニット基板への搭載方法を示す概略図である。
【図４】回折光学素子部の原理を説明するための概略図、及び回折光学素子部を含む伝播層の、光源ユニットのユニット上面に平行な面による断面図である。
【図５】本発明に係るスライダ加工バー及びスライダの形成方法の一実施形態を概略的に示すフローチャート、並びに本発明によるユニット加工バー及び光源ユニットの形成方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートである。
【図６】本発明による、スライダ及び光源ユニットを固着する薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態を概略的に示すフローチャート、並びに本発明による、スライダ加工バー及びユニット加工バーを固着する薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートである。
【図７】本発明によるスライダの形成方法における、ウエハ薄膜工程の一実施形態を示す断面図及び平面図である。
【図８】導波路層の先細りした部分及び近接場光発生部の形成方法の一実施形態を説明する平面図及び断面図である。
【図９】本発明によるスライダ加工バー及びスライダの形成方法の一実施形態を示す概略図である。
【図１０】本発明によるユニット加工バー及び光源ユニットの形成方法の一実施形態を示す概略図である。
【図１１】本発明による、スライダ及び光源ユニットを固着する薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態を示す概略図である。
【図１２】本発明による、スライダ加工バー及びユニット加工バーを固着する薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態を示す概略図である。
【符号の説明】
【０１５６】
１０ ユニット用マーク部
１１ スライダ用マーク部
２１ 薄膜磁気ヘッド
２２ スライダ
２２０ スライダ基板
２２００ ＡＢＳ
２２０１ 背面
２２０２ 集積面
２２１、２２２ スライダ端面
２３ 光源ユニット
２３０ ユニット基板
２３００ 接着面
２３０１ ユニット上面
２３０２ 素子形成面
３２ 磁気ヘッド素子
３３ ＭＲ効果素子
３３０ 下部シールド層
３３２ ＭＲ積層体
３３４ 上部シールド層
３４ 電磁コイル素子
３４０ 主磁極層
３４０ａ 端部
３４１ ギャップ層
３４２ コイル層
３４３ コイル絶縁層
３４４ 補助磁極層
３５ 導波路層
３５０ 集光面
３５１ 側面
３５２ 端面
３６ 近接場光発生部
３６０ 対向金属層
３６１ 近接場光ギャップ部
３７ 信号端子電極
３８、６２、６３、６４、６６ 被覆層
３８０、３８１ 側面
３９ レーザ光
４０ レーザダイオード
４００ 出光端
４１ 伝播層
４１０ 端面
４１１、４１２ 側面
４２ 回折光学素子部
４３ プリズム部
４３０ 反射面
４４０、４４１ 駆動端子電極
４８ 素子間シールド層
５０、５１ 反射膜
５２ ＡｕＳｎ合金
６０ ウエハ基板
６１ 下地被覆層
６５ コイル下地絶縁層
７０ スライダウエハ
７１ 磁気ヘッド素子パターン
７２、７３ スライダ加工バー
７２０ 端面
７４ スライダ加工バー用マーク部
８０ 誘電体膜
８１ ユニットウエハ
８２、８３ ユニット加工バー
８３０１ バー接着面
８４ 検査用プローブ
８５ 受光素子
８６ 端面
８７ 側面
８８ ユニット加工バー用マーク部
１０００ 下地
１００１ 誘電体膜
１００２、１００４ レジストパターン
１００３ 導電膜
１００５ バックフィル誘電体膜
１００６、１００７ 導波路部
１００８ カバー誘電体膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダの浮上面とは反対側の面に接着される接着面を有するユニット基板と、該ユニット基板に設けられた光源と、該ユニット基板の接着面とは垂直な素子形成面上に設けられており、該光源から放射されて該接着面側の自身の端面に達する光の光路を含む伝播層と、該伝播層に設けられており、該光源から放射された光の伝播を調整するためのレンズ部と、該伝播層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つに設けられた、該スライダとの位置合わせのためのユニット用マーク部とを備えていることを特徴とする熱アシスト磁気記録用の光源ユニット。
【請求項２】
前記ユニット用マーク部の位置が、前記伝播層の接着面側の端面において前記光が達する位置と、前記素子形成面に垂直な方向において一致することを特徴とする請求項１に記載の光源ユニット。
【請求項３】
前記伝播層に設けられており、前記光を該伝播層の接着面側の端面に向けさせるための光路変更部をさらに備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光源ユニット。
【請求項４】
前記光路変更部が、前記光が前記レンズ部を通過した後に達する光路上の位置に設けられて、前記ユニット基板の素子形成面に対して斜めに形成された、前記伝播層の層面を反射面としたプリズム部であることを特徴とする請求項３に記載の光源ユニット。
【請求項５】
前記レンズ部が、回折光学素子部であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光源ユニット。
【請求項６】
前記光源がレーザダイオードであり、該レーザダイオードが、前記ユニット基板の接着面とは反対側の面に形成されていて素子形成面に及んでいる堀込みに設けられており、該レーザダイオードの出光端が該ユニット基板に遮られずに露出しており、さらに、該ユニット基板が導電性を有していて、該レーザダイオードの底面をなす電極が、該ユニット基板に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光源ユニット。
【請求項７】
前記伝播層の接着面側の端面から放射される光が、接着面に垂直な方向を有する平行に揃えられた光であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光源ユニット。
【請求項８】
切断分離されることによって、分離後の個々のチップが、前記ユニット用マーク部を除いて請求項１から７のいずれか１項に記載の光源ユニットとなり、
スライダ加工バーの浮上面となる面とは反対側の面に接着され、切断分離されることによって前記接着面となるバー接着面を有しており、
前記伝播層となる層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つに設けられた、該スライダ加工バーとの位置合わせのためのユニット加工バー用マーク部を備えていることを特徴とするユニット加工バー。
【請求項９】
前記ユニット加工バー用マーク部の位置が、前記伝播層の接着面側の端面において前記光が達する位置と、前記素子形成面に垂直な方向において一致することを特徴とする請求項８に記載のユニット加工バー。
【請求項１０】
接着面を有するユニット基板と、該ユニット基板に設けられた光源と、該ユニット基板の接着面とは垂直な素子形成面上に設けられており、該光源から放射されて該接着面側の自身の端面に達する光の光路を含む伝播層と、レンズ部とを備えた熱アシスト磁気記録用の光源ユニットを形成し、
形成された前記光源ユニットにおいて、前記伝播層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つの面上であって、該伝播層の接着面側の端面において前記光が達する位置と前記素子形成面に垂直な方向において一致する位置に、ユニット用マーク部を設け、
浮上面及び該浮上面に垂直な集積面を有するスライダ基板と、該集積面に形成された磁気ヘッド素子と、前記光を該浮上面とは反対側の自身の端面から受け入れて該浮上面側のスライダ端面に向けて伝播させるための導波路層と、該磁気ヘッド素子及び該導波路層を覆うように該集積面上に形成された被覆層と、該被覆層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つの面上であって、該導波路層の位置と該集積面に垂直な方向において一致する位置に設けられたスライダ用マーク部とを備えたスライダを形成し、
前記ユニット用マーク部が設けられた前記光源ユニットの接着面と、前記スライダの浮上面とは反対側の面とを接面させ、次いで、前記伝播層の接着面側の端面から放射された光が前記導波路層を伝播して前記浮上面側のスライダ端面に達するように、該ユニット用マーク部と前記スライダ用マーク部とを、前記集積面に垂直な方向において一致させた上で、該光源ユニットと該スライダとを固着することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記光源ユニットを形成した後であって、前記ユニット用マーク部を設ける前に、光源の検査を行い、その後、該検査によって良品と判定された光源ユニットのみを用いて製造工程を実施することを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
レーザ光を用いたマーキングによって、前記ユニット用マーク部を形成することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記光源ユニットの接着面及び／又は前記スライダの浮上面とは反対側の面に、ＵＶ硬化樹脂を予め塗布し、前記ユニット用マーク部と前記スライダ用マーク部とを一致させた上で、紫外線を照射して該光源ユニットと該スライダとを固着することを特徴とする請求項１０から１２のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
切断分離されることによって、分離後の個々のチップが、接着面を有するユニット基板と、光を放射するレーザダイオードと、該接着面に垂直な素子形成面に形成された該光を伝播する伝播層と、レンズ部とを備えた熱アシスト磁気記録用の光源ユニットとなり、切断分離されることによって該接着面となるバー接着面を有するユニット加工バーを形成し、
前記ユニット加工バーにおいて、前記伝播層となる層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つの面上であって、該伝播層の接着面側の端面において前記光が達する位置と前記素子形成面に垂直な方向において一致する位置に、ユニット加工バー用マーク部を設け、
切断分離されることによって、分離後の個々のチップが、浮上面及び該浮上面に垂直な集積面を有するスライダ基板と、該集積面に形成された磁気ヘッド素子と、前記光を該浮上面とは反対側の自身の端面から受け入れて該浮上面側のスライダ端面に向けて伝播させるための導波路層と、該磁気ヘッド素子及び該導波路層を覆う被覆層と、該被覆層内であって該導波路層の位置と該集積面に垂直な方向において一致する位置に設けられたスライダ加工バー用マーク部とを備えた熱アシスト磁気記録用のスライダとなるスライダ加工バーを形成し、
前記ユニット加工バー用マーク部が設けられた前記ユニット加工バーのバー接着面と、前記スライダ加工バーの浮上面となる面とは反対側の面とを接面させ、次いで、前記伝播層の接着面側の端面から放射された光が前記導波路層を伝播して前記浮上面側のスライダ端面に達するように、前記ユニット加工バー用マーク部と前記スライダ加工バー用マーク部とを、前記集積面に垂直な方向において一致させた上で、該ユニット加工バーと該スライダ加工バーとを固着し、その後、固着された該ユニット加工バー及び該スライダ加工バーを切断分離することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記ユニット加工バーを形成した後であって、前記ユニット加工バー用マーク部を設ける前に、光源の検査を行い、その後、該検査によって良品と判定されたユニット加工バーのみを用いて製造工程を実施することを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
レーザ光を用いたマーキングによって、前記ユニット加工バー用マーク部を形成することを特徴とする請求項１４又は１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記ユニット加工バーのバー接着面及び／又は前記スライダ加工バーの浮上面となる面とは反対側の面に、ＵＶ硬化樹脂を予め塗布し、前記ユニット加工バー用マーク部と前記スライダ加工バー用マーク部とを一致させた上で、紫外線を照射して該ユニット加工バーと該スライダ加工バーとを固着することを特徴とする請求項１４から１６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１】
スライダの浮上面とは反対側の面に接着される接着面を有するユニット基板と、該ユニット基板に設けられた光源と、該ユニット基板の接着面とは垂直な素子形成面上に設けられており、該光源から放射されて該接着面側の自身の端面に達する光の光路を含む伝播層と、該伝播層に設けられており、該光源から放射された光の伝播を調整するためのレンズ部と、該伝播層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つに設けられた、該スライダとの位置合わせのためのユニット用マーク部とを備えていることを特徴とする熱アシスト磁気記録用の光源ユニット。
【請求項２】
前記ユニット用マーク部の位置が、前記伝播層の接着面側の端面において前記光が達する位置と、前記素子形成面に垂直な方向において一致することを特徴とする請求項１に記載の光源ユニット。
【請求項３】
前記伝播層に設けられており、前記光を該伝播層の接着面側の端面に向けさせるための光路変更部をさらに備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光源ユニット。
【請求項４】
前記光路変更部が、前記光が前記レンズ部を通過した後に達する光路上の位置に設けられて、前記ユニット基板の素子形成面に対して斜めに形成された、前記伝播層の層面を反射面としたプリズム部であることを特徴とする請求項３に記載の光源ユニット。
【請求項５】
前記レンズ部が、回折光学素子部であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光源ユニット。
【請求項６】
前記光源がレーザダイオードであり、該レーザダイオードが、前記ユニット基板の接着面とは反対側の面に形成されていて素子形成面に及んでいる堀込みに設けられており、該レーザダイオードの出光端が該ユニット基板に遮られずに露出しており、さらに、該ユニット基板が導電性を有していて、該レーザダイオードの底面をなす電極が、該ユニット基板に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光源ユニット。
【請求項７】
前記伝播層の接着面側の端面から放射される光が、接着面に垂直な方向を有する平行に揃えられた光であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光源ユニット。
【請求項８】
切断分離されることによって、分離後の個々のチップが、前記ユニット用マーク部を除いて請求項１から７のいずれか１項に記載の光源ユニットとなり、
スライダ加工バーの浮上面となる面とは反対側の面に接着され、切断分離されることによって前記接着面となるバー接着面を有しており、
前記伝播層となる層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つに設けられた、該スライダ加工バーとの位置合わせのためのユニット加工バー用マーク部を備えていることを特徴とするユニット加工バー。
【請求項９】
前記ユニット加工バー用マーク部の位置が、前記伝播層の接着面側の端面において前記光が達する位置と、前記素子形成面に垂直な方向において一致することを特徴とする請求項８に記載のユニット加工バー。
【請求項１０】
接着面を有するユニット基板と、該ユニット基板に設けられた光源と、該ユニット基板の接着面とは垂直な素子形成面上に設けられており、該光源から放射されて該接着面側の自身の端面に達する光の光路を含む伝播層と、レンズ部とを備えた熱アシスト磁気記録用の光源ユニットを形成し、
形成された前記光源ユニットにおいて、前記伝播層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つの面上であって、該伝播層の接着面側の端面において前記光が達する位置と前記素子形成面に垂直な方向において一致する位置に、ユニット用マーク部を設け、
浮上面及び該浮上面に垂直な集積面を有するスライダ基板と、該集積面に形成された磁気ヘッド素子と、前記光を該浮上面とは反対側の自身の端面から受け入れて該浮上面側のスライダ端面に向けて伝播させるための導波路層と、該磁気ヘッド素子及び該導波路層を覆うように該集積面上に形成された被覆層と、該被覆層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つの面上であって、該導波路層の位置と該集積面に垂直な方向において一致する位置に設けられたスライダ用マーク部とを備えたスライダを形成し、
前記ユニット用マーク部が設けられた前記光源ユニットの接着面と、前記スライダの浮上面とは反対側の面とを接面させ、次いで、前記伝播層の接着面側の端面から放射された光が前記導波路層を伝播して前記浮上面側のスライダ端面に達するように、該ユニット用マーク部と前記スライダ用マーク部とを、前記集積面に垂直な方向において一致させた上で、該光源ユニットと該スライダとを固着することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記光源ユニットを形成した後であって、前記ユニット用マーク部を設ける前に、光源の検査を行い、その後、該検査によって良品と判定された光源ユニットのみを用いて製造工程を実施することを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
レーザ光を用いたマーキングによって、前記ユニット用マーク部を形成することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記光源ユニットの接着面及び／又は前記スライダの浮上面とは反対側の面に、ＵＶ硬化樹脂を予め塗布し、前記ユニット用マーク部と前記スライダ用マーク部とを一致させた上で、紫外線を照射して該光源ユニットと該スライダとを固着することを特徴とする請求項１０から１２のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
切断分離されることによって、分離後の個々のチップが、接着面を有するユニット基板と、光を放射するレーザダイオードと、該接着面に垂直な素子形成面に形成された該光を伝播する伝播層と、レンズ部とを備えた熱アシスト磁気記録用の光源ユニットとなり、切断分離されることによって該接着面となるバー接着面を有するユニット加工バーを形成し、
前記ユニット加工バーにおいて、前記伝播層となる層のトラック幅方向に対向している両側面のうちの少なくとも１つの面上であって、該伝播層の接着面側の端面において前記光が達する位置と前記素子形成面に垂直な方向において一致する位置に、ユニット加工バー用マーク部を設け、
切断分離されることによって、分離後の個々のチップが、浮上面及び該浮上面に垂直な集積面を有するスライダ基板と、該集積面に形成された磁気ヘッド素子と、前記光を該浮上面とは反対側の自身の端面から受け入れて該浮上面側のスライダ端面に向けて伝播させるための導波路層と、該磁気ヘッド素子及び該導波路層を覆う被覆層と、該被覆層内であって該導波路層の位置と該集積面に垂直な方向において一致する位置に設けられたスライダ加工バー用マーク部とを備えた熱アシスト磁気記録用のスライダとなるスライダ加工バーを形成し、
前記ユニット加工バー用マーク部が設けられた前記ユニット加工バーのバー接着面と、前記スライダ加工バーの浮上面となる面とは反対側の面とを接面させ、次いで、前記伝播層の接着面側の端面から放射された光が前記導波路層を伝播して前記浮上面側のスライダ端面に達するように、前記ユニット加工バー用マーク部と前記スライダ加工バー用マーク部とを、前記集積面に垂直な方向において一致させた上で、該ユニット加工バーと該スライダ加工バーとを固着し、その後、固着された該ユニット加工バー及び該スライダ加工バーを切断分離することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記ユニット加工バーを形成した後であって、前記ユニット加工バー用マーク部を設ける前に、光源の検査を行い、その後、該検査によって良品と判定されたユニット加工バーのみを用いて製造工程を実施することを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
レーザ光を用いたマーキングによって、前記ユニット加工バー用マーク部を形成することを特徴とする請求項１４又は１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記ユニット加工バーのバー接着面及び／又は前記スライダ加工バーの浮上面となる面とは反対側の面に、ＵＶ硬化樹脂を予め塗布し、前記ユニット加工バー用マーク部と前記スライダ加工バー用マーク部とを一致させた上で、紫外線を照射して該ユニット加工バーと該スライダ加工バーとを固着することを特徴とする請求項１４から１６のいずれか１項に記載の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−３３５０２８（Ｐ２００７−３３５０２８Ａ）
【公開日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１６７４１５（Ｐ２００６−１６７４１５）
【出願日】平成１８年６月１６日（２００６．６．１６）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月１６日（２００６．６．１６）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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