【課題】新規芳香族アミン化合物を提供することを目的とする。また、発光効率の高い発
光素子および発光装置、電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表される芳香族アミン化合物および一般式（１）で表される
芳香族アミン化合物を用いて形成された発光素子、発光装置、電子機器を提供する。一般
式（１）で表される芳香族アミン化合物を発光素子、発光装置、電子機器に用いることに
より、発光効率の高い発光素子、発光装置、電子機器を得ることができる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に、
発光層と、
一般式（２）で表される芳香族アミン化合物を含む層を有し、
前記芳香族アミン化合物を含む層は前記陽極と前記発光層との間に設けられ、かつ、前記発光層と接することを特徴とする発光素子。
【化１】

（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａ^１は、構造式（１４−２）で表される置換基を表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。また、αは、一般式（２−１）または一般式（２−２）で表される置換基を表し、一般式（２−１）および一般式（２−２）において、Ｒ^５１およびＲ^５２は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^５３〜Ｒ^５８およびＲ^６１〜Ｒ^６８は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
【請求項２】
請求項１において、
前記Ａｒ^１は、構造式（１５−１）で表される置換基であることを特徴とする発光素子。
【化２】

【請求項３】
陽極と陰極との間に、
発光層と、
構造式（７１）で表される芳香族アミン化合物を含む層を有し、
前記芳香族アミン化合物を含む層は前記陽極と前記発光層との間に設けられ、かつ、前記芳香族アミン化合物を含む層は前記発光層と接することを特徴とする発光素子。
【化３】

【請求項４】
陽極と陰極との間に、
発光層と、
構造式（１０２）で表される芳香族アミン化合物を含む層を有し、
前記芳香族アミン化合物を含む層は前記陽極と前記発光層との間に設けられ、かつ、前記芳香族アミン化合物を含む層は前記発光層と接することを特徴とする発光素子。
【化４】

【請求項５】
陽極と陰極との間に、
発光層と、
構造式（１０７）で表される芳香族アミン化合物を含む層を有し、
前記芳香族アミン化合物を含む層は前記陽極と前記発光層との間に設けられ、かつ、前記芳香族アミン化合物を含む層は前記発光層と接することを特徴とする発光素子。
【化５】

【請求項６】
陽極と陰極との間に、
発光層と、
構造式（１１５）で表される芳香族アミン化合物を含む層を有し、
前記芳香族アミン化合物を含む層は前記陽極と前記発光層との間に設けられ、かつ、前記芳香族アミン化合物を含む層は前記発光層と接することを特徴とする発光素子。
【化６】

【請求項７】
陽極と陰極との間に、
発光層と、
構造式（１２０）で表される芳香族アミン化合物を含む層を有し、
前記芳香族アミン化合物を含む層は前記陽極と前記発光層との間に設けられ、かつ、前記芳香族アミン化合物を含む層は前記発光層と接することを特徴とする発光素子。
【化７】

【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記発光層は、燐光を発光する燐光材料を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項８において、前記燐光材料は、緑色の発光をすることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記発光層は、蛍光を発光する蛍光材料を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項１０において、前記蛍光材料は、青色の発光をすることを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有する発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子を有する照明装置。
【請求項１４】
表示部を有し、
前記表示部は、請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子と前記発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【図６２】

【図６３】

【図６４】

【図６５】

【図６６】

【図６７】

【図６８】

【図６９】

【図７０】

【図７１】

【図７２】

【図７３】

【図７４】

【公開番号】特開２０１２−１９５５９３（Ｐ２０１２−１９５５９３Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−９３６３５（Ｐ２０１２−９３６３５）
【出願日】平成２４年４月１７日（２０１２．４．１７）
【分割の表示】特願２００８−２８８４５４（Ｐ２００８−２８８４５４）の分割
【原出願日】平成１９年３月２０日（２００７．３．２０）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】