発光装置、及び発光装置を用いた電子機器
【課題】発光層と電極との密着性が低い場合、剥離層と被剥離層とを物理的な力で分離する際に、発光層と電極との界面で剥がれてしまう恐れがある。発光層と電極との界面で剥がれることなく剥離を行い、フレキシブル基板を用いた発光装置を作製することを提供する。
【解決手段】一方の基板の隔壁の上にレーザ光を吸収する光吸収材料からなるスペーサを形成し、もう一方の基板に着色層を形成し、互いに接着層で貼り合わせる。そして、着色層を介して、スペーサの上に形成された発光層及び電極にレーザを照射して発光層、電極、着色層、接着層のうち少なくとも接着層を溶融し、接着層とスペーサを溶着させた固定部を形成する。
【解決手段】一方の基板の隔壁の上にレーザ光を吸収する光吸収材料からなるスペーサを形成し、もう一方の基板に着色層を形成し、互いに接着層で貼り合わせる。そして、着色層を介して、スペーサの上に形成された発光層及び電極にレーザを照射して発光層、電極、着色層、接着層のうち少なくとも接着層を溶融し、接着層とスペーサを溶着させた固定部を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、エレクトロルミネッセンスを利用した発光装置に関する。また、発光装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
【０００３】
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れ、バックライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製でき、応答速度が高いなどの利点も有する。
【０００４】
また、上述の発光素子を有する発光装置としては、薄型軽量化に加え、可撓性や耐衝撃性が図れることから、フレキシブル基板への採用が検討されている。また、フレキシブル基板への採用は、発光装置だけではなく、半導体特性を利用することで機能する半導体装置などにも適用されている。
【０００５】
フレキシブル基板を用いた半導体装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板といった基材上に薄膜トランジスタなどの半導体素子を作製した後、基板から他の基材（例えばフレキシブルな基材）へと半導体素子を転置する技術が開発されている。半導体素子を他の基材へ転置するためには、半導体素子を作製する際に用いた基材から半導体素子を分離する工程が必要である。
【０００６】
例えば、特許文献１には次のようなレーザーアブレーションを用いた剥離技術が記載されている。基板上に、非晶質シリコンなどからなる分離層、分離層上に薄膜素子からなる被剥離層を設け、被剥離層を接着層により転写体に接着させる。レーザ光の照射により分離層をアブレーションさせることで、分離層に剥離を生じさせている。
【０００７】
また、特許文献２には人の手などの物理的な力で剥離を行う技術が記載されている。特許文献２では、基板と酸化物層との間に金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面の結合が弱いことを利用して、酸化物層と金属層との界面で剥離を生じさせることで、被剥離層と基板とを分離している。
【０００８】
また、特許文献２においては、陽極、有機発光層、及び陰極を含む発光素子上に、層間絶縁膜を形成し、さらに、層間絶縁膜と支持体を接着層で貼り合わせている。次いで、酸化物層と金属層との界面で剥離することにより、発光素子を有する被剥離層は、接着層によりフィルム基板に貼り合わせ、フレキシブル基板を用いた発光装置が作製されている。
【０００９】
また、タッチセンサを搭載した表示装置が注目されている。タッチセンサを搭載した表示装置は、タッチパネル又はタッチスクリーンなどと呼ばれている（以下、これを単に「タッチパネル」とも呼ぶ）。タッチパネルは、パーソナルコンピュータや携帯電話を中心に搭載されており、表示と操作を同一パネル上で行うことができる機能を持つ。また、光方式のタッチセンサを搭載した表示装置が、特許文献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【特許文献２】特開２００３−１７４１５３号公報
【特許文献３】特開２００１−２９２２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ここで、被剥離層に形成された発光素子は、一対の電極間に発光層を挟持した構造である。発光層に有機化合物を用いた場合、発光層に接して形成される陰極あるいは陽極である電極との密着性が低い。発光層と電極との密着性が低い場合、剥離層と被剥離層とを物理的な力で分離する際に、発光層と電極との界面で剥がれてしまう恐れがある。発光層と電極との界面で剥がれることなく剥離を行い、フレキシブル基板を用いた発光装置を作製する作製方法を提供することを課題の一つとする。
【００１２】
また、上述した発光素子は、フレキシブル基板を用いた発光装置とした場合、曲げ、湾曲などの物理的な力を外部から与えた時に、発光層と電極との界面で剥離が生じ、破壊してしまう可能性がある。特にフレキシブル基板を用いた発光装置をタッチパネルとする場合に問題となる恐れがある。
【００１３】
上記問題に鑑み、本明細書等において開示する発明の一態様は、外部から物理的な力が与えられた際に、発光素子が破壊されることを抑制した信頼性の高い発光装置を提供することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
発光層と電極との界面で剥離が生じやすいため、発光領域とならない部分の少なくとも一部に発光層のない領域を形成し、その領域において一対の基板を固定する固定部を形成する。なお、発光層は、正孔注入層と、正孔輸送層と、電子輸送層と、電子注入層と、を有していてもよい。
【００１５】
一方の基板の隔壁の上にレーザ光を吸収する光吸収材料からなるスペーサを形成し、もう一方の基板に着色層を形成し、互いに接着層で貼り合わせる。そして、着色層を介して、スペーサの上に形成された発光層及び電極にレーザを照射して発光層、電極、着色層、接着層のうち少なくとも接着層を溶融し、接着層とスペーサを溶着させた固定部を形成する。
【００１６】
スペーサの材料は、６ナイロン、６６ナイロン、芳香族ナイロン、ポリブチレンテレフタラート、ポリエチレンテレフタラート、ポリアセタール、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファイドなどの結晶性樹脂、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリアリレートポリエーテルイミドなどの非結晶性樹脂を用いる。また、これらのスペーサの材料にカーボンブラック、チタンブラック等を混合させてもよい。また、スペーサの材料は、光吸収材料であれば、特に樹脂に限定されず、クロムなどの金属材料を用いてもよい。
【００１７】
隔壁が形成されている領域の少なくとも発光層と電極の界面をレーザ光のエネルギーによって選択的に除去し、固定部を新たに形成する。レーザ光の照射によって新たに形成された固定部によって、発光層と電極との界面で剥がれることなく剥離を行い、フレキシブル基板を用いた発光装置を作製することができる。
【００１８】
なお、照射するレーザ光の光軸に垂直な断面におけるビームプロファイルは、焦点位置においてトップフラット形状とすることが好ましい。
【００１９】
本発明の一態様は、第１の基板上に第１の剥離層と、該第１の剥離層上にトランジスタを含む層と、該トランジスタに接続する画素電極を形成し、画素電極の周縁を覆う隔壁を形成し、隔壁上に光吸収材料からなるスペーサを形成し、画素電極、隔壁、及びスペーサ上に有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層上に透光性を有する電極を形成し、第２の基板上に第２の剥離層と、第２の剥離層上に着色層を形成し、透光性を有する接着層で第１の基板と第２の基板を固定し、第２の剥離層を有する第２の基板を剥離して着色層を露出させた後、着色層を介してレーザ光をスペーサに照射してスペーサ上に接する固定部を形成し、レーザ光の照射後に第１の剥離層を有する第１の基板を剥離する発光装置の作製方法である。
【００２０】
上記構成において、第１の基板及び第２の基板はガラス基板である。また、第１の剥離層及び第２の剥離層は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、又は元素を含む合金材料、又は前記元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。
【００２１】
上記構成において、第１の剥離層を有する第１の基板を剥離した後、さらに第１の可撓性を有する基板をトランジスタを含む層に貼り付けることを特徴の一つとしている。また、上記構成において、第２の剥離層を有する前記第２の基板を剥離した後、さらに第２の可撓性を有する基板を着色層に貼り付けることを特徴の一つとしている。これらの貼り付け工程によって、フレキシブル基板を用いた発光装置が作製される。
【００２２】
また、上記各構成において、発光素子は、白色発光であり、発光素子からの発光は、第２の可撓性を有する基板に設けられた着色層を透過して取り出される。なお、第１の可撓性を有する基板はステンレス基板などの金属基板を用いてもよい。
【００２３】
上記各構成において、着色層は、特定の波長領域の光を透過する有色層（カラーフィルタとも呼ぶ）、或いはブラックマトリクスである。
【００２４】
また、上記各作製方法によって得られる構成も本発明の一態様であり、その構成は、第１の可撓性を有する基板にトランジスタを含む層と、該トランジスタに接続する画素電極と、該画素電極の周縁を覆う隔壁と、該隔壁上にスペーサが設けられ、該スペーサに接して固定部と、着色層が設けられた第２の可撓性を有する基板と、第１の可撓性を有する基板と第２の可撓性を有する基板の間を充填する接着層とを有し、固定部は、接着層及びスペーサと接し、且つ、スペーサと着色層との間に設けられることを特徴の一つとする発光装置である。
【００２５】
また、上記構成において、接着層は、画素電極上に重ねて設けられた有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に重ねて設けられた透光性を有する電極を覆うことを特徴の一つとしている。
【００２６】
なお、本明細書等において、発光装置には、画像表示デバイスや、発光デバイス、光源、照明等が含まれる。また、発光装置は、発光素子が形成されたパネルにコネクタ（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）等を取り付けたモジュールをも含むものとする。
【００２７】
また、本明細書等において、発光素子とは、一対の電極により挟持された有機化合物を含む層、少なくとも発光層を含む構成である。一対の電極間に発光層以外にも機能層等が挟持されていてもよい。
【発明の効果】
【００２８】
レーザ光の照射により固定部を形成し、一方の基板に設けられたスペーサと一対の基板に挟持された接着層を固着させ、もう一方の基板に設けられた着色層と重ねることによって、発光層と電極との界面で剥がれることなく剥離を行い、フレキシブル基板を用いた発光装置を作製することができる。
【００２９】
また、使用者は、フレキシブル基板を用いることによって軽量化された携帯情報端末を用い、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードにタッチ入力でき、キーボードを表示している同一画面内にその入力結果を表示することができる。画面に表示されたキーボードにタッチ入力してもスペーサ、固定部、及び着色層が重ねた位置に配置されることにより圧力が分散され、基板間隔をほぼ一定に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一態様を示す上面図及び断面図である。
【図２】本発明の一態様を示す工程断面図である。
【図３】本発明の一態様を示す工程断面図である。
【図４】本発明の一態様を示す工程断面図である。
【図５】本発明の一態様を示す工程断面図である。
【図６】本発明の一態様を示す断面図である。
【図７】本発明の一態様を示す断面図である。
【図８】本発明の一態様を示す電子機器の図である。
【図９】ビーム形状とレーザプロファイルの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３２】
（実施の形態１）
アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）を用いて説明する。なお、図１（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）を鎖線Ｂ１−Ｂ２で切断した断面図である。
【００３３】
図１（Ａ）に示す発光装置は、第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂが設けられている。また画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂの上に第２の基板４５０６が設けられている。
【００３４】
なお、第１の基板４５０１、及び第２の基板４５０６は、フレキシブル基板を用いて形成されている。
【００３５】
また、図１（Ｂ）に示す発光装置は、第１の基板４５０１上にトランジスタ４５０９、トランジスタ４５１０、及びトランジスタ４５１１が設けられており、トランジスタ４５１０、及びトランジスタ４５１１上には、発光素子４５５０が設けられている。
【００３６】
発光素子４５５０からの発光は、第２の基板４５０６側から射出される。すなわちトップエミッション構造の発光装置である。そのため、第２の基板４５０６は、透光性を持たせる必要があり、例えば、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような材料を用いる。
【００３７】
なお、第２の基板４５０６上には、遮光膜（ブラックマトリクスとも呼ぶ）４５２１、カラーフィルタ４５２２が設けられている。
【００３８】
また、画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂは、第１の基板４５０１と第１の接着層４５０５と第２の基板４５０６とによって、密封されている。このように外気に曝されないように脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッケージング（封入）することにより、気密性が高くなり好ましい。
【００３９】
また、第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂは、トランジスタを複数有しており、図１（Ｂ）では、画素部４５０２に含まれるトランジスタ４５１０、トランジスタ４５１１と、信号線駆動回路４５０３ａに含まれるトランジスタ４５０９とを例示している。
【００４０】
トランジスタ４５０９乃至トランジスタ４５１１は、シリコンや酸化物半導体層を半導体層に用いて形成する。また、画素部４５０２においては、トランジスタ４５１０、及びトランジスタ４５１１上に発光素子４５５０を有している。
【００４１】
発光素子４５５０は、第１の電極層４５１３、発光層４５１４、第２の電極層４５１５により構成されており、トランジスタ４５１０またはトランジスタ４５１１と電気的に接続されている。
【００４２】
また、発光素子４５５０は、隔壁４５５２、及びスペーサ４５５４、固定部４５２３により分離されている。
【００４３】
隔壁４５５２は、有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。特に感光性の材料を用い、第１の電極層４５１３上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【００４４】
また、スペーサ４５５４は、剥離の際に発光層４５１４と第２の電極層４５１５との界面で剥がれてしまうことを防ぐために設けられる。ただし、スペーサ４５５４は、第１の接着層４５０５と少なくとも一部分が接する形状である。
【００４５】
このように、スペーサ４５５４は、第１の接着層４５０５と接することにより、密着性を高くする領域が設けられる。スペーサ４５５４は、密着性を高くすることが可能であり、一対の基板間に設けることによって、発光素子４５５０を保護した構造となっている。従って、外部から物理的な力が与えられた際、スペーサ４５５４によって、発光素子４５５０が破壊されることを抑制することが可能となる。
【００４６】
また、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂ、または画素部４５０２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４５１８から供給されている。
【００４７】
本実施の形態においては、ＦＰＣ４５１８は、第１の基板４５０１側に実装されている構造について例示してある。第１の基板４５０１、及び第２の基板４５０６は、フレキシブル基板により形成されている。また、本実施の形態は、フレキシブル化した構成の発光装置であるため、ＦＰＣ４５１８の接続端子を第２の基板４５０６側に露出するのが困難である。そのため、ＦＰＣ４５１８が接続される領域に貫通電極４５５６が形成されており、第１の基板４５０１側からＦＰＣ４５１８を接続する方法が好適である。なお、ＦＰＣ４５１８を接続する方法については、これに限定されず、第２の基板４５０６側から接続する方法を用いても良い。
【００４８】
なお、貫通電極４５５６は、ＦＰＣ４５１８が有する端子と、異方性導電膜４５１９を介して電気的に接続されている。
【００４９】
また、必要であれば、第２の基板４５０６に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【００５０】
また、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂは、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、図１の構成に限定されない。
【００５１】
以上のように、本実施の形態に示す発光装置は、スペーサ４５５４及び固定部４５２３を一対の基板間に設けることにより、外部から物理的な力が与えられた際に、発光素子が破壊されることを抑制した信頼性の高い発光装置を提供することができる。
【００５２】
（実施の形態２）
図１に示した発光装置の作製方法を図２乃至図５を用いて以下に説明を行う。
【００５３】
まず、第３の基板１８０上に第１の剥離層１０１を形成し、第１の剥離層１０１上に第１のバッファ層１０４を形成する。第１のバッファ層１０４は、第１の剥離層１０１を大気に曝すことなく連続して形成することが好適である。連続して形成することにより、第１の剥離層１０１と第１のバッファ層１０４との間にゴミや、不純物の混入を防ぐことができる（図２（Ａ）参照）。
【００５４】
第３の基板１８０としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。プラスチック基板を用いる場合には、剥離層１０１を設けなくてもよい。
【００５５】
また、ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いると良い。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている。
【００５６】
また、本実施の形態においては、第３の基板１８０に接して第１の剥離層１０１を形成しているが、第３の基板１８０としてガラス基板を用いる場合に、第３の基板１８０と第１の剥離層１０１の間に酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁層を形成することにより、ガラス基板からの汚染を防止できるので、より好ましい。
【００５７】
第１の剥離層１０１は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、又は前記元素を含む合金材料、又は前記元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。
【００５８】
また、第１の剥離層１０１は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。なお、塗布法はスピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
【００５９】
第１の剥離層１０１が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【００６０】
また、第１の剥離層１０１として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単体、あるいは前記ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、第１の剥離層１０１の表面状態を変えることにより、第１の剥離層１０１と後に形成される第１のバッファ層１０４との密着性を制御することが可能である。
【００６１】
次に、第１のバッファ層１０４を第１の剥離層１０１上に形成する。第１のバッファ層１０４は、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、及び窒化酸化シリコン等を単層または多層で形成するのが好ましい。
【００６２】
第１のバッファ層１０４は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。なお、第１のバッファ層１０４の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下が好ましい。
【００６３】
次に、第１のバッファ層１０４上に導電膜を形成しフォトリソグラフィによりゲート電極層１０６を形成する。（図２（Ａ）参照）。
【００６４】
ゲート電極層１０６の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
【００６５】
次に、ゲート電極層１０６上にゲート絶縁層１０８を形成する。ゲート絶縁層１０８は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、または酸化アルミニウムを単層で又は積層して形成することができる。例えば、成膜ガスとして、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏを用いてプラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコン膜を形成すればよい。
【００６６】
次に、半導体層を形成しフォトリソグラフィにより島状の半導体層１１０を形成する（図２（Ａ）参照）。
【００６７】
半導体層１１０の材料は、シリコン半導体や酸化物半導体を用いて形成することができる。シリコン半導体としては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどがある。酸化物半導体としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。特にＩｎとＺｎを含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウム（Ｇａ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ（Ｓｎ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム（Ｈｆ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム（Ａｌ）を有することが好ましい。
【００６８】
また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）のいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。
【００６９】
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【００７０】
なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【００７１】
特に、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物である酸化物半導体を半導体層１１０として用い、オフ電流の低いトランジスタとすることで、後に形成される発光素子のオフ時のリーク電流が抑制できるため、好ましい。
【００７２】
次に、ゲート絶縁層１０８、及び半導体層１１０上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィによりソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂを形成する（図２（Ｂ）参照）。
【００７３】
ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂに用いる導電膜としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を含む金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金属膜の下側又は上側の一方または双方にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させた構成としても良い。また、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂに用いる導電膜としては、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ等）、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【００７４】
次に、半導体層１１０、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂ上に、第１の絶縁層１１４を形成する（図２（Ｂ）参照）。第１の絶縁層１１４としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【００７５】
次に、第１の絶縁層１１４上に第２の絶縁層１１６を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００７６】
第２の絶縁層１１６としては、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、第２の絶縁層１１６を形成してもよい。
【００７７】
次に、フォトリソグラフィにより、第１の絶縁層１１４、及び第２の絶縁層１１６にドレイン電極層１１２ｂに達する開口を形成する。開口方法は、ドライエッチング、ウェットエッチングなど適宜選択すれば良い。
【００７８】
次に、第２の絶縁層１１６、及びドレイン電極層１１２ｂ上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程により、画素電極となる第１の電極層１１８を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００７９】
第１の電極層１１８としては、発光層１２０（後に形成される）が発する光を効率よく反射する材料が好ましい。なぜなら光の取り出し効率を向上できるためである。なお、第１の電極層１１８を積層構造としてもよい。例えば、発光層１２０に接する側に金属酸化物による導電膜、またはチタン等を薄く形成し、他方に反射率の高い金属膜（アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など）を用いることができる。このような構成とすることで、発光層１２０と反射率の高い金属膜（アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など）との間に形成される絶縁膜の生成を抑制することができるので好適である。
【００８０】
なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造の発光装置について例示したが、ボトムエミッション構造（下面射出構造）、及びデュアルエミッション構造（両面射出構造）の発光装置とする場合においては、第１の電極層１１８に透光性の材料を用いることで、作製することができる。
【００８１】
次に、第１の電極層１１８の上に隔壁１２４を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００８２】
隔壁１２４としては、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【００８３】
次に、隔壁１２４の上にスペーサ１２６を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００８４】
スペーサ１２６としては、のちに照射するレーザ光を吸収する必要があるため、その材料が重要になる。スペーサ１２６の材料は、６ナイロン、６６ナイロン、芳香族ナイロン、ポリブチレンテレフタラート、ポリエチレンテレフタラート、ポリアセタール、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファイドなどの結晶性樹脂、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリアリレートポリエーテルイミドなどの非結晶性樹脂を用いる。また、これらのスペーサの材料にカーボンブラック、チタンブラック等を混合させてもよい。また、スペーサ１２６の材料は、光吸収材料であれば、特に樹脂に限定されず、チタン、クロムなどの反射率の低い金属材料を用いてもよい。また、スペーサ１２６は、上述した樹脂と金属の積層構造であってもよい。
【００８５】
また、本実施の形態に示したスペーサ１２６の断面形状は、テーパ形状である。また、スペーサ１２６の断面が矩形であってもよいし、逆テーパ形状であってもよい。ここで言う逆テーパ形状とは、底部よりも基板に平行な方向にせり出した側部、または上部を有した形状である。また、本実施の形態に示したスペーサ１２６の上面形状は、隔壁１２４の上面形状と重なる位置に形成されるのであれば、円形であっても楕円形であっても多角形であっても線状であっても格子状であってもよい。
【００８６】
次に、第１の電極層１１８、隔壁１２４、及びスペーサ１２６上に発光層１２０を形成する（図２（Ｄ）参照）。
【００８７】
発光層１２０は、蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。発光層１２０としては、単層の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良いが、発光層１２０が発する光は白色であることが好ましく、赤、緑、青のそれぞれの波長領域にピークを有する光が好ましい。
【００８８】
なお、本実施の形態においては、発光層１２０が発する光は、カラーフィルタである着色層１６６を介して射出する構造について例示したが、これに限定されない。発光層１２０を各色（例えば、ＲＧＢ）に塗り分けて、着色層１６６を用いない構成としてもよい。ただし、発光層１２０を塗りわけを行うことにより、工程数の増加、コストの増加など恐れがあるために、本実施の形態に示した白色の発光層１２０と着色層１６６による構成が好適である。
【００８９】
また、発光層１２０は、スペーサ１２６の上面、および側面にも形成される。
【００９０】
次に、発光層１２０上に第２の電極層１２２を形成する（図２（Ｄ）参照）。第２の電極層１２２もスペーサ１２６の上面、および側面を覆って形成される。
【００９１】
第２電極層１２２としては、透光性の金属酸化物を用いて形成することができる。透光性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ等）、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【００９２】
なお、第１の電極層１１８、または第２の電極層１２２は、いずれか一方は発光層１２０の陽極として機能し、他方は発光層１２０の陰極として機能する。陽極として機能する電極には、仕事関数の大きな物質が好ましく、陰極として機能する電極には仕事関数の小さな物質が好ましい。
【００９３】
また、第１の電極層１１８、発光層１２０、及び第２の電極層１２２により発光素子１３０が形成される。
【００９４】
以上の工程により、発光素子の駆動を制御するトランジスタ１５０、及び発光素子１３０が設けられた第３の基板１８０が形成される。
【００９５】
次に、遮光膜１６４、及び着色層１６６が形成された第４の基板１９０の作製方法を以下に示す。
【００９６】
まず、第４の基板１９０上に第２の剥離層１６１を形成し、第２の剥離層１６１上に第２のバッファ層１６２を形成する（図３（Ａ）参照）。
【００９７】
第２の剥離層１６１、及び第２のバッファ層１６２は、先に記載した第１の剥離層１０１、及び第１のバッファ層１０４と同様の材料、及び手法により形成することができる。
【００９８】
次に、第２のバッファ層１６２上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程を行い、遮光膜１６４を形成する（図３（Ｂ）参照）。
【００９９】
遮光膜１６４により、各画素間での混色を防止することができる。遮光膜１６４としては、レーザ光を透過する材料であれば特に限定されず、黒色顔料や黒色染料が含浸された有機樹脂膜などを用いることができる。また、遮光膜１６４は、黒色の着色層とも言える。ただし、各画素間での混色が問題にならないのであれば、遮光膜１６４は設けなくてもよい。また、異なる着色層、例えば青色の着色層と緑色の着色層を重ねて遮光膜１６４と同じ機能を持たせてもよい。
【０１００】
次に、第２のバッファ層１６２、及び遮光膜１６４の上に、着色層１６６を形成する（図３（Ｃ）参照）。
【０１０１】
着色層１６６については、カラーフィルタとも呼ばれ、特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）の着色層、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）の着色層、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）の着色層などを用いることができる。各着色層は、公知の材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
【０１０２】
なお、ここでは、ＲＧＢの３色を用いた方法について説明したが、これに限定されず、ＲＧＢＹ（黄色）等の４色を用いた構成、または、５色以上の構成としてもよい。
【０１０３】
以上の工程により、第２の剥離層１６１、第２のバッファ層１６２、遮光膜１６４、及び着色層１６６が設けられた第４の基板１９０が形成される。なお、着色層を覆ってアクリル、ポリイミド等の有機樹脂膜により形成するオーバーコート層を形成してもよいが、本実施の形態では、オーバーコート層に含まれる水分や不純物成分が発光素子へ拡散することを防ぐため、設けない構成としている。また、オーバーコート層を設けないため、オーバーコート層を形成する工程数を削減することができる。
【０１０４】
次に、第３の基板１８０と第４の基板１９０のアライメントを行い、第１の接着層１７０を用いて貼り合わせを行う（図４（Ａ）参照）。
【０１０５】
第１の接着層１７０は、発光素子の発光を透過でき、後に照射するレーザを透過する材料であれば、特に限定はなく、接着可能な屈折率が大きい透光性の接着剤を用いることができる。また、接着剤に光の波長以下の大きさの乾燥剤（ゼオライト等）や、屈折率の大きいフィラー（酸化チタンや、ジルコニウム等）を混合することにより、発光素子１３０の信頼性が向上、または発光素子１３０からの光取り出し効率が向上するため好適である。
【０１０６】
次に、第４の基板１９０に形成された第２の剥離層１６１と第２のバッファ層１６２の間で剥離（分離）を行う（図４（Ｂ）参照）。剥離方法には様々な方法を用いることができる。
【０１０７】
例えば、第２の剥離層１６１と第２のバッファ層１６２がトランジスタ１５０の形成工程中の加熱により、第２の剥離層１６１と第２のバッファ層１６２の界面に金属酸化膜が形成されている。レーザ光を照射して第２の剥離層１６１に達する溝を形成し（図示しない）、該溝をきっかけとして金属酸化膜が脆弱化し、第２の剥離層１６１と第２のバッファ層１６２との界面で剥離が生じる。
【０１０８】
剥離方法としては、機械的な力を加えること（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）を用いて行えばよい。また、溝に液体を滴下し、第２の剥離層１６１及び第２のバッファ層１６２の界面に液体を浸透させて第２の剥離層１６１から第２のバッファ層１６２を剥離してもよい。また、溝にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを導入し、第２の剥離層１６１をフッ化ガスでエッチングし除去して、第４の基板１９０から第２のバッファ層１６２を剥離する方法を用いてもよい。
【０１０９】
その他の剥離方法としては、第２の剥離層１６１をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うことができる。
【０１１０】
また第２の剥離層１６１として、窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質シリコン膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、第４の基板１９０として透光性を有する基板を用いた場合には、第４の基板１９０から第２の剥離層１６１にレーザ光を照射して、剥離層内に含有する窒素、酸素や水素を気化させて、第４の基板１９０と第２の剥離層１６１との間で剥離する方法を用いることができる。
【０１１１】
次に、遮光膜１６４を介してスペーサ１２６にレーザビーム１０３（例えばＵＶ光）を照射して、レーザ光をスペーサ１２６に吸収させ、その熱でスペーサ上面に形成されている発光層１２０または第２の電極層１２２を溶融させる。また、その熱で第１の接着層１７０も一部溶かして、混合物である固定部１６８を形成する（図５（Ａ）参照）。こうして形成された固定部１６８は、スペーサ１２６及び第１の接着層１７０と高い密着性を有する。また、固定部１６８は、スペーサ１２６とともに基板間隔を保持する機能も有する。なお、固定部１６８の大きさは照射するレーザビームの照射領域の面積と比例する。
【０１１２】
照射するレーザビーム１０３としては、エキシマレーザに代表される気体レーザ、ＹＡＧレーザに代表される固体レーザを光源として用いることができる。固体レーザは、気体レーザよりも小型であり量産性に優れているため、レーザビームの波長としては、赤外光域であることが好ましく、波長７８０ｎｍから２０００ｎｍが適用される。樹脂材料を溶着させて固定部を形成する場合には、低エネルギーのレーザがよく、着色層や遮光膜を通過させるためにも、レーザの波長は、赤外光域とすることが好ましい。低エネルギーであり、且つ、赤外光域のレーザを用いるため、樹脂材料を炭化などを生じさせることなく、第１の接着層１７０と溶着した固定部１６８を形成することができる。光源から放射されるレーザビームは光学系にて矩形状若しくは線状に集光されたものであることが好ましく、このレーザビームを被照射面に走査して処理を行えば良い。
【０１１３】
なお、光学系を調節することにより、レーザ光の光軸に垂直な断面におけるビームプロファイルは、焦点位置においてトップフラット形状とすることが好ましい。図９（Ａ）（Ｂ）にビーム形状とビームプロファイルの一例を示した。図９（Ａ）にはビーム形状が示してあり、そのビーム形状の中心を通り、且つ、横軸（横の辺）に平行な点線で切った時のビームプロファイルが白線で重ねて示されている。また、ビーム形状の中心を通り、且つ、縦軸（縦の辺）に平行な点線で切った時のビームプロファイルも白線で示されている。また、図９（Ｂ）に示したレーザ光の光軸に垂直な断面におけるビームプロファイルがガウス分布となっている例を示したが、本実施の形態においては、ガウス分布よりも焦点位置においてトップフラット形状のビームプロファイルを有するレーザビームを照射することが好ましい。
【０１１４】
次に、第２のバッファ層１６２に、第２の基板１６０を第３の接着層１６３を用いて接着する（図５（Ｂ）参照）。なお、本明細書等において、基板上に形成された剥離層と、剥離層上に形成されたバッファ層の間で分離し、他の基板に接着することを剥離、転置と呼ぶ。
【０１１５】
第２の基板１６０としては、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を用いることができ、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、などを好適に用いることができる。また、第１の基板１００には予め窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素と珪素を含む膜や窒化アルミニウム等の窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しておいても良い。なお第２の基板１６０として繊維体に有機樹脂が含浸された構造物（所謂プリプレグとも言う）を用いてもよい。
【０１１６】
第３の接着層１６３としては、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いることができる。これらの接着剤の材質としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂などを用いることができる。
【０１１７】
なお、第２の基板１６０としてプリプレグを用いた場合には、第３の接着層１６３を用いずに第２の基板１６０と第２のバッファ層１６２とを圧着して貼り合わせてもよい。
【０１１８】
次に、第３の基板１８０に形成された第１の剥離層１０１と第１のバッファ層１０４の間で剥離（分離）を行う。
【０１１９】
次に、第１のバッファ層１０４に、第１の基板１００を第２の接着層１０２を用いて接着する（図５（Ｂ）参照）。
【０１２０】
剥離方法には上述した第４の基板１９０に形成された第２の剥離層１６１と第２のバッファ層１６２の間で剥離した方法と同様な手法により行うことができる。また、第１の基板１００、及び第２の接着層１０２は、それぞれ第２の基板１６０、及び第３の接着層１６３と同様な材料、及び手法により形成することができる。
【０１２１】
以上の工程により、フレキシブル基板に形成された発光装置を作製することができる。
【０１２２】
また、本実施の形態では、第４の基板１９０を剥離したのち、レーザビームを照射して第３の基板１８０を剥離する方法を例示したが、本明細書中で開示する発明はこれに限らず、レーザビームを照射した後に第４の基板１９０及び第３の基板１８０を剥離してもよい。
【０１２３】
また、本実施の形態では、発光装置の一つとして、アクティブマトリクス型の発光装置について例示したが、パッシブマトリクス型の発光装置に適用することも可能である。
【０１２４】
以上のように、本実施の形態に示す発光装置は、上述したスペーサ及び固定部を形成することにより、外部から物理的な力が与えられた際に、発光素子が破壊されることを抑制した信頼性の高い発光装置を提供することができる。
【０１２５】
また、上述したスペーサ及び固定部を設けることにより、フレキシブル化を行う手法の一つとして、本実施の形態に示した剥離、転置を使用した場合においても、発光素子が破壊されることを抑制し、発光素子をフレキシブル基板へ剥離、転置することが可能となる。
【０１２６】
また、上述したスペーサ及び固定部は、画素部の隔壁と重なる位置に設ければよい。
【０１２７】
本実施の形態は、実施の形態１に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１２８】
（実施の形態３）
本発明の発光装置に用いるスペーサ、着色層、及び固定部の構成について、先の実施の形態２に示したスペーサ１２６、着色層、及び固定部１６８と異なる構成について、図６（Ａ）乃至図６（Ｃ）を用いて説明する。
【０１２９】
なお、先の実施の形態１で示した発光装置と同様の箇所には同様の符号を用い、その説明は省略する。
【０１３０】
図６（Ａ）に示す発光装置は、レーザ光の照射によって、スペーサ２０８が第１の接着層１７０と溶着し、さらに隔壁１２４とも溶着している例を示している。スペーサ２０８は可視光を吸収する材料が添加されており、十分に第１の接着層１７０及び隔壁１２４と固着されている。また、スペーサ２０８上面および側面の一部に形成されていた発光層１２０もレーザ光の照射によって分断されている。
【０１３１】
また、図６（Ｂ）に示す発光装置は、着色層１６６を形成した後、遮光膜１６４を形成した例であり、レーザ光の照射によってスペーサ１２６と遮光膜１６４が溶着し、さらにスペーサ１２６と第１の接着層１７０が溶着している。
【０１３２】
次に、図６（Ｃ）に示す発光装置は、遮光膜を設けず、異なる着色層を重ねることによってブラックマトリクスとして機能させている例である。レーザ光によって、スペーサ１２６と着色層１７１が溶着し、さらにスペーサ１２６と第１の接着層１７０が溶着している。
【０１３３】
いずれの構成においてもレーザ光の照射によって、発光層１２０を分離しており、スペーサと第１の接着層１７０とが接触している構造となる。このような構成とすることで、スペーサに発光層１２０を介せずに第１の接着層１７０と接する領域が設けられるため、密着性を高くすることが可能である。従って、外部から物理的な力が与えられた際、スペーサに設けられた高い密着性の領域によって、発光素子１３０が破壊されることを抑制することが可能となる。
【０１３４】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１３５】
（実施の形態４）
本実施の形態においては、実施の形態２で示した第１の電極層１１８、発光層１２０、及び第２の電極層１２２からなる発光素子１３０の詳細について、図７（Ａ）、及び図７（Ｂ）を用いて説明を行う。
【０１３６】
〈発光素子の構成〉図７（Ａ）に示す発光素子１３０は、一対の電極（第１の電極層１１８、第２の電極層１２２）間に発光領域を含む発光層１２０が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明においては、例として、第１の電極層１１８を陽極として用い、第２の電極層１２２を陰極として用いるものとする。
【０１３７】
また、発光層１２０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１３８】
図７（Ａ）に示す発光素子１３０は、第１の電極層１１８と第２の電極層１２２との間に生じた電位差により電流が流れ、発光層１２０において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層１２０に発光領域が形成されるような構成となっている。
【０１３９】
本発明において、発光素子１３０からの発光は、第１の電極層１１８、または第２の電極層１２２側から外部に取り出される。従って、第１の電極層１１８、または第２の電極層１２２のいずれか一方は透光性を有する物質で成る。
【０１４０】
なお、発光層１２０は図７（Ｂ）のように第１の電極層１１８と第２の電極層１２２との間に複数積層されていても良い。ｎ（ｎは２以上の自然数）層の積層構造を有する場合には、ｍ（ｍは自然数、ｍは１以上ｎ−１以下）番目のＥＬ層と、（ｍ＋１）番目のＥＬ層との間には、それぞれ電荷発生層１２０ａを設けることが好ましい。
【０１４１】
電荷発生層１２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物とアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物との複合材料の他、これらを適宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例えば、有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、電荷発生層１２０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、発光素子１３０の低電流駆動、および低電圧駆動を実現することができる。
【０１４２】
なお、電荷発生層１２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。
【０１４３】
このような構成を有する発光素子１３０は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。
【０１４４】
なお、電荷発生層１２０ａとは、第１の電極層１１８と第２の電極層１２２に電圧を印加したときに、電荷発生層１２０ａに接して形成される一方の発光層１２０に対して正孔を注入する機能を有し、他方の発光層１２０に電子を注入する機能を有する。
【０１４５】
図７（Ｂ）に示す発光素子１３０は、発光層１２０に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもできる。
【０１４６】
図７（Ｂ）に示す発光素子１３０を用いて、白色発光を得る場合、複数のＥＬ層の組み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例えば、青色の蛍光材料を発光物質として含む第１の発光層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質として含む第２の発光層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示す第１の発光層と、緑色の発光を示す第２の発光層と、青色の発光を示す第３の発光層とを有する構成とすることもできる。または、補色の関係にある光を発する発光層を有する構成であっても白色発光が得られる。発光層が２層積層された積層型素子において、第１の発光層から得られる発光の発光色と第２の発光層から得られる発光の発光色を補色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。
【０１４７】
なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置することにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現することができる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。
【０１４８】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１４９】
（実施の形態５）
本実施の形態では、先の実施の形態１で説明した発光装置を組み込んだ携帯電話について、図８（Ａ）及び、図８（Ｂ）を用いて説明する。
【０１５０】
図８（Ａ）は、携帯電話を正面から見た上面図を示し、図８（Ｂ）は携帯電話の斜視図である。
【０１５１】
図８（Ａ）、及び図８（Ｂ）に示す携帯電話は、筐体４００、筐体４００に組み込まれた表示部４０４、及び操作ボタン４０２を有している。
【０１５２】
また、表示部４０４は、先の実施の形態１で示した発光装置が組み込まれており、本実施の形態においては、発光装置と別途形成したタッチパネルを組み合わせて表示部４０４としている。したがって、表示部４０４上には、操作部４０６を有している。
【０１５３】
なお、本実施の形態の携帯電話は、図８（Ｂ）に示すように、表示部４０４が、ある一定の曲率半径を有して湾曲している。また、筐体４００の上部の領域も表示部４０４としているため、携帯電話を正面からのみではなく、上部からも表示部４０４を視認することができる。
【０１５４】
例えば、上部の表示領域には、メールの有無、着信の有無、日時、電話番号、人名等が表示できればよく、携帯電話を胸ポケット等に入れた状態においても、携帯電話を取り出すことなく、表示領域を確認することができる。
【０１５５】
このように、本発明の発光装置は、フレキシブル基板に形成できるために、湾曲した媒体に用いることが可能である。また、フレキシブル基板に形成した発光装置は、薄型軽量であるため携帯電話等への採用は好適である。
【０１５６】
以上のように、本実施の形態に示す発光装置は、スペーサまたは固定部を画素間に設けることにより、外部から物理的な力が与えられた際に、発光素子が破壊されることを抑制した信頼性の高い発光装置を提供することができる。
【０１５７】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０１５８】
１００ 基板
１０１ 剥離層
１０２ 接着層
１０３ レーザビーム
１０４ バッファ層
１０６ ゲート電極層
１０８ ゲート絶縁層
１１０ 半導体層
１１２ａ ソース電極層
１１２ｂ ドレイン電極層
１１４ 絶縁層
１１６ 絶縁層
１１８ 第１の電極層（画素電極）
１２０ 発光層
１２０ａ 電荷発生層
１２２ 第２の電極層
１２４ 隔壁
１２６ スペーサ
１３０ 発光素子
１５０ トランジスタ
１６０ 基板
１６１ 剥離層
１６２ バッファ層
１６３ 接着層
１６４ 遮光膜
１６６ 着色層
１６８ 固定部
１７０ 接着層
１７１ 着色層
１８０ 基板
１９０ 基板
２０８ スペーサ
４００ 筐体
４０２ 操作ボタン
４０４ 表示部
４０６ 操作部
４５０１ 基板
４５０２ 画素部
４５０３ａ 信号線駆動回路
４５０３ｂ 信号線駆動回路
４５０４ａ 走査線駆動回路
４５０４ｂ 走査線駆動回路
４５０５ 接着層
４５０６ 基板
４５０９ トランジスタ
４５１０ トランジスタ
４５１１ トランジスタ
４５１３ 電極層
４５１４ 発光層
４５１５ 第２の電極層
４５１９ 異方性導電膜
４５２２ カラーフィルタ
４５２３ 固定部
４５５０ 発光素子
４５５２ 隔壁
４５５４ スペーサ
４５５６ 貫通電極
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、エレクトロルミネッセンスを利用した発光装置に関する。また、発光装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
【０００３】
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れ、バックライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製でき、応答速度が高いなどの利点も有する。
【０００４】
また、上述の発光素子を有する発光装置としては、薄型軽量化に加え、可撓性や耐衝撃性が図れることから、フレキシブル基板への採用が検討されている。また、フレキシブル基板への採用は、発光装置だけではなく、半導体特性を利用することで機能する半導体装置などにも適用されている。
【０００５】
フレキシブル基板を用いた半導体装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板といった基材上に薄膜トランジスタなどの半導体素子を作製した後、基板から他の基材（例えばフレキシブルな基材）へと半導体素子を転置する技術が開発されている。半導体素子を他の基材へ転置するためには、半導体素子を作製する際に用いた基材から半導体素子を分離する工程が必要である。
【０００６】
例えば、特許文献１には次のようなレーザーアブレーションを用いた剥離技術が記載されている。基板上に、非晶質シリコンなどからなる分離層、分離層上に薄膜素子からなる被剥離層を設け、被剥離層を接着層により転写体に接着させる。レーザ光の照射により分離層をアブレーションさせることで、分離層に剥離を生じさせている。
【０００７】
また、特許文献２には人の手などの物理的な力で剥離を行う技術が記載されている。特許文献２では、基板と酸化物層との間に金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面の結合が弱いことを利用して、酸化物層と金属層との界面で剥離を生じさせることで、被剥離層と基板とを分離している。
【０００８】
また、特許文献２においては、陽極、有機発光層、及び陰極を含む発光素子上に、層間絶縁膜を形成し、さらに、層間絶縁膜と支持体を接着層で貼り合わせている。次いで、酸化物層と金属層との界面で剥離することにより、発光素子を有する被剥離層は、接着層によりフィルム基板に貼り合わせ、フレキシブル基板を用いた発光装置が作製されている。
【０００９】
また、タッチセンサを搭載した表示装置が注目されている。タッチセンサを搭載した表示装置は、タッチパネル又はタッチスクリーンなどと呼ばれている（以下、これを単に「タッチパネル」とも呼ぶ）。タッチパネルは、パーソナルコンピュータや携帯電話を中心に搭載されており、表示と操作を同一パネル上で行うことができる機能を持つ。また、光方式のタッチセンサを搭載した表示装置が、特許文献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【特許文献２】特開２００３−１７４１５３号公報
【特許文献３】特開２００１−２９２２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ここで、被剥離層に形成された発光素子は、一対の電極間に発光層を挟持した構造である。発光層に有機化合物を用いた場合、発光層に接して形成される陰極あるいは陽極である電極との密着性が低い。発光層と電極との密着性が低い場合、剥離層と被剥離層とを物理的な力で分離する際に、発光層と電極との界面で剥がれてしまう恐れがある。発光層と電極との界面で剥がれることなく剥離を行い、フレキシブル基板を用いた発光装置を作製する作製方法を提供することを課題の一つとする。
【００１２】
また、上述した発光素子は、フレキシブル基板を用いた発光装置とした場合、曲げ、湾曲などの物理的な力を外部から与えた時に、発光層と電極との界面で剥離が生じ、破壊してしまう可能性がある。特にフレキシブル基板を用いた発光装置をタッチパネルとする場合に問題となる恐れがある。
【００１３】
上記問題に鑑み、本明細書等において開示する発明の一態様は、外部から物理的な力が与えられた際に、発光素子が破壊されることを抑制した信頼性の高い発光装置を提供することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
発光層と電極との界面で剥離が生じやすいため、発光領域とならない部分の少なくとも一部に発光層のない領域を形成し、その領域において一対の基板を固定する固定部を形成する。なお、発光層は、正孔注入層と、正孔輸送層と、電子輸送層と、電子注入層と、を有していてもよい。
【００１５】
一方の基板の隔壁の上にレーザ光を吸収する光吸収材料からなるスペーサを形成し、もう一方の基板に着色層を形成し、互いに接着層で貼り合わせる。そして、着色層を介して、スペーサの上に形成された発光層及び電極にレーザを照射して発光層、電極、着色層、接着層のうち少なくとも接着層を溶融し、接着層とスペーサを溶着させた固定部を形成する。
【００１６】
スペーサの材料は、６ナイロン、６６ナイロン、芳香族ナイロン、ポリブチレンテレフタラート、ポリエチレンテレフタラート、ポリアセタール、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファイドなどの結晶性樹脂、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリアリレートポリエーテルイミドなどの非結晶性樹脂を用いる。また、これらのスペーサの材料にカーボンブラック、チタンブラック等を混合させてもよい。また、スペーサの材料は、光吸収材料であれば、特に樹脂に限定されず、クロムなどの金属材料を用いてもよい。
【００１７】
隔壁が形成されている領域の少なくとも発光層と電極の界面をレーザ光のエネルギーによって選択的に除去し、固定部を新たに形成する。レーザ光の照射によって新たに形成された固定部によって、発光層と電極との界面で剥がれることなく剥離を行い、フレキシブル基板を用いた発光装置を作製することができる。
【００１８】
なお、照射するレーザ光の光軸に垂直な断面におけるビームプロファイルは、焦点位置においてトップフラット形状とすることが好ましい。
【００１９】
本発明の一態様は、第１の基板上に第１の剥離層と、該第１の剥離層上にトランジスタを含む層と、該トランジスタに接続する画素電極を形成し、画素電極の周縁を覆う隔壁を形成し、隔壁上に光吸収材料からなるスペーサを形成し、画素電極、隔壁、及びスペーサ上に有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層上に透光性を有する電極を形成し、第２の基板上に第２の剥離層と、第２の剥離層上に着色層を形成し、透光性を有する接着層で第１の基板と第２の基板を固定し、第２の剥離層を有する第２の基板を剥離して着色層を露出させた後、着色層を介してレーザ光をスペーサに照射してスペーサ上に接する固定部を形成し、レーザ光の照射後に第１の剥離層を有する第１の基板を剥離する発光装置の作製方法である。
【００２０】
上記構成において、第１の基板及び第２の基板はガラス基板である。また、第１の剥離層及び第２の剥離層は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、又は元素を含む合金材料、又は前記元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。
【００２１】
上記構成において、第１の剥離層を有する第１の基板を剥離した後、さらに第１の可撓性を有する基板をトランジスタを含む層に貼り付けることを特徴の一つとしている。また、上記構成において、第２の剥離層を有する前記第２の基板を剥離した後、さらに第２の可撓性を有する基板を着色層に貼り付けることを特徴の一つとしている。これらの貼り付け工程によって、フレキシブル基板を用いた発光装置が作製される。
【００２２】
また、上記各構成において、発光素子は、白色発光であり、発光素子からの発光は、第２の可撓性を有する基板に設けられた着色層を透過して取り出される。なお、第１の可撓性を有する基板はステンレス基板などの金属基板を用いてもよい。
【００２３】
上記各構成において、着色層は、特定の波長領域の光を透過する有色層（カラーフィルタとも呼ぶ）、或いはブラックマトリクスである。
【００２４】
また、上記各作製方法によって得られる構成も本発明の一態様であり、その構成は、第１の可撓性を有する基板にトランジスタを含む層と、該トランジスタに接続する画素電極と、該画素電極の周縁を覆う隔壁と、該隔壁上にスペーサが設けられ、該スペーサに接して固定部と、着色層が設けられた第２の可撓性を有する基板と、第１の可撓性を有する基板と第２の可撓性を有する基板の間を充填する接着層とを有し、固定部は、接着層及びスペーサと接し、且つ、スペーサと着色層との間に設けられることを特徴の一つとする発光装置である。
【００２５】
また、上記構成において、接着層は、画素電極上に重ねて設けられた有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に重ねて設けられた透光性を有する電極を覆うことを特徴の一つとしている。
【００２６】
なお、本明細書等において、発光装置には、画像表示デバイスや、発光デバイス、光源、照明等が含まれる。また、発光装置は、発光素子が形成されたパネルにコネクタ（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）等を取り付けたモジュールをも含むものとする。
【００２７】
また、本明細書等において、発光素子とは、一対の電極により挟持された有機化合物を含む層、少なくとも発光層を含む構成である。一対の電極間に発光層以外にも機能層等が挟持されていてもよい。
【発明の効果】
【００２８】
レーザ光の照射により固定部を形成し、一方の基板に設けられたスペーサと一対の基板に挟持された接着層を固着させ、もう一方の基板に設けられた着色層と重ねることによって、発光層と電極との界面で剥がれることなく剥離を行い、フレキシブル基板を用いた発光装置を作製することができる。
【００２９】
また、使用者は、フレキシブル基板を用いることによって軽量化された携帯情報端末を用い、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードにタッチ入力でき、キーボードを表示している同一画面内にその入力結果を表示することができる。画面に表示されたキーボードにタッチ入力してもスペーサ、固定部、及び着色層が重ねた位置に配置されることにより圧力が分散され、基板間隔をほぼ一定に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一態様を示す上面図及び断面図である。
【図２】本発明の一態様を示す工程断面図である。
【図３】本発明の一態様を示す工程断面図である。
【図４】本発明の一態様を示す工程断面図である。
【図５】本発明の一態様を示す工程断面図である。
【図６】本発明の一態様を示す断面図である。
【図７】本発明の一態様を示す断面図である。
【図８】本発明の一態様を示す電子機器の図である。
【図９】ビーム形状とレーザプロファイルの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３２】
（実施の形態１）
アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）を用いて説明する。なお、図１（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）を鎖線Ｂ１−Ｂ２で切断した断面図である。
【００３３】
図１（Ａ）に示す発光装置は、第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂが設けられている。また画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂの上に第２の基板４５０６が設けられている。
【００３４】
なお、第１の基板４５０１、及び第２の基板４５０６は、フレキシブル基板を用いて形成されている。
【００３５】
また、図１（Ｂ）に示す発光装置は、第１の基板４５０１上にトランジスタ４５０９、トランジスタ４５１０、及びトランジスタ４５１１が設けられており、トランジスタ４５１０、及びトランジスタ４５１１上には、発光素子４５５０が設けられている。
【００３６】
発光素子４５５０からの発光は、第２の基板４５０６側から射出される。すなわちトップエミッション構造の発光装置である。そのため、第２の基板４５０６は、透光性を持たせる必要があり、例えば、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような材料を用いる。
【００３７】
なお、第２の基板４５０６上には、遮光膜（ブラックマトリクスとも呼ぶ）４５２１、カラーフィルタ４５２２が設けられている。
【００３８】
また、画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂは、第１の基板４５０１と第１の接着層４５０５と第２の基板４５０６とによって、密封されている。このように外気に曝されないように脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッケージング（封入）することにより、気密性が高くなり好ましい。
【００３９】
また、第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂは、トランジスタを複数有しており、図１（Ｂ）では、画素部４５０２に含まれるトランジスタ４５１０、トランジスタ４５１１と、信号線駆動回路４５０３ａに含まれるトランジスタ４５０９とを例示している。
【００４０】
トランジスタ４５０９乃至トランジスタ４５１１は、シリコンや酸化物半導体層を半導体層に用いて形成する。また、画素部４５０２においては、トランジスタ４５１０、及びトランジスタ４５１１上に発光素子４５５０を有している。
【００４１】
発光素子４５５０は、第１の電極層４５１３、発光層４５１４、第２の電極層４５１５により構成されており、トランジスタ４５１０またはトランジスタ４５１１と電気的に接続されている。
【００４２】
また、発光素子４５５０は、隔壁４５５２、及びスペーサ４５５４、固定部４５２３により分離されている。
【００４３】
隔壁４５５２は、有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。特に感光性の材料を用い、第１の電極層４５１３上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【００４４】
また、スペーサ４５５４は、剥離の際に発光層４５１４と第２の電極層４５１５との界面で剥がれてしまうことを防ぐために設けられる。ただし、スペーサ４５５４は、第１の接着層４５０５と少なくとも一部分が接する形状である。
【００４５】
このように、スペーサ４５５４は、第１の接着層４５０５と接することにより、密着性を高くする領域が設けられる。スペーサ４５５４は、密着性を高くすることが可能であり、一対の基板間に設けることによって、発光素子４５５０を保護した構造となっている。従って、外部から物理的な力が与えられた際、スペーサ４５５４によって、発光素子４５５０が破壊されることを抑制することが可能となる。
【００４６】
また、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂ、または画素部４５０２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４５１８から供給されている。
【００４７】
本実施の形態においては、ＦＰＣ４５１８は、第１の基板４５０１側に実装されている構造について例示してある。第１の基板４５０１、及び第２の基板４５０６は、フレキシブル基板により形成されている。また、本実施の形態は、フレキシブル化した構成の発光装置であるため、ＦＰＣ４５１８の接続端子を第２の基板４５０６側に露出するのが困難である。そのため、ＦＰＣ４５１８が接続される領域に貫通電極４５５６が形成されており、第１の基板４５０１側からＦＰＣ４５１８を接続する方法が好適である。なお、ＦＰＣ４５１８を接続する方法については、これに限定されず、第２の基板４５０６側から接続する方法を用いても良い。
【００４８】
なお、貫通電極４５５６は、ＦＰＣ４５１８が有する端子と、異方性導電膜４５１９を介して電気的に接続されている。
【００４９】
また、必要であれば、第２の基板４５０６に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【００５０】
また、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂは、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、図１の構成に限定されない。
【００５１】
以上のように、本実施の形態に示す発光装置は、スペーサ４５５４及び固定部４５２３を一対の基板間に設けることにより、外部から物理的な力が与えられた際に、発光素子が破壊されることを抑制した信頼性の高い発光装置を提供することができる。
【００５２】
（実施の形態２）
図１に示した発光装置の作製方法を図２乃至図５を用いて以下に説明を行う。
【００５３】
まず、第３の基板１８０上に第１の剥離層１０１を形成し、第１の剥離層１０１上に第１のバッファ層１０４を形成する。第１のバッファ層１０４は、第１の剥離層１０１を大気に曝すことなく連続して形成することが好適である。連続して形成することにより、第１の剥離層１０１と第１のバッファ層１０４との間にゴミや、不純物の混入を防ぐことができる（図２（Ａ）参照）。
【００５４】
第３の基板１８０としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。プラスチック基板を用いる場合には、剥離層１０１を設けなくてもよい。
【００５５】
また、ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いると良い。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている。
【００５６】
また、本実施の形態においては、第３の基板１８０に接して第１の剥離層１０１を形成しているが、第３の基板１８０としてガラス基板を用いる場合に、第３の基板１８０と第１の剥離層１０１の間に酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁層を形成することにより、ガラス基板からの汚染を防止できるので、より好ましい。
【００５７】
第１の剥離層１０１は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、又は前記元素を含む合金材料、又は前記元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。
【００５８】
また、第１の剥離層１０１は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。なお、塗布法はスピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
【００５９】
第１の剥離層１０１が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【００６０】
また、第１の剥離層１０１として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単体、あるいは前記ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、第１の剥離層１０１の表面状態を変えることにより、第１の剥離層１０１と後に形成される第１のバッファ層１０４との密着性を制御することが可能である。
【００６１】
次に、第１のバッファ層１０４を第１の剥離層１０１上に形成する。第１のバッファ層１０４は、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、及び窒化酸化シリコン等を単層または多層で形成するのが好ましい。
【００６２】
第１のバッファ層１０４は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。なお、第１のバッファ層１０４の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下が好ましい。
【００６３】
次に、第１のバッファ層１０４上に導電膜を形成しフォトリソグラフィによりゲート電極層１０６を形成する。（図２（Ａ）参照）。
【００６４】
ゲート電極層１０６の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
【００６５】
次に、ゲート電極層１０６上にゲート絶縁層１０８を形成する。ゲート絶縁層１０８は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、または酸化アルミニウムを単層で又は積層して形成することができる。例えば、成膜ガスとして、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏを用いてプラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコン膜を形成すればよい。
【００６６】
次に、半導体層を形成しフォトリソグラフィにより島状の半導体層１１０を形成する（図２（Ａ）参照）。
【００６７】
半導体層１１０の材料は、シリコン半導体や酸化物半導体を用いて形成することができる。シリコン半導体としては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどがある。酸化物半導体としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。特にＩｎとＺｎを含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウム（Ｇａ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ（Ｓｎ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム（Ｈｆ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム（Ａｌ）を有することが好ましい。
【００６８】
また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）のいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。
【００６９】
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【００７０】
なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【００７１】
特に、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物である酸化物半導体を半導体層１１０として用い、オフ電流の低いトランジスタとすることで、後に形成される発光素子のオフ時のリーク電流が抑制できるため、好ましい。
【００７２】
次に、ゲート絶縁層１０８、及び半導体層１１０上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィによりソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂを形成する（図２（Ｂ）参照）。
【００７３】
ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂに用いる導電膜としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を含む金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金属膜の下側又は上側の一方または双方にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させた構成としても良い。また、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂに用いる導電膜としては、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ等）、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【００７４】
次に、半導体層１１０、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂ上に、第１の絶縁層１１４を形成する（図２（Ｂ）参照）。第１の絶縁層１１４としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【００７５】
次に、第１の絶縁層１１４上に第２の絶縁層１１６を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００７６】
第２の絶縁層１１６としては、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、第２の絶縁層１１６を形成してもよい。
【００７７】
次に、フォトリソグラフィにより、第１の絶縁層１１４、及び第２の絶縁層１１６にドレイン電極層１１２ｂに達する開口を形成する。開口方法は、ドライエッチング、ウェットエッチングなど適宜選択すれば良い。
【００７８】
次に、第２の絶縁層１１６、及びドレイン電極層１１２ｂ上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程により、画素電極となる第１の電極層１１８を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００７９】
第１の電極層１１８としては、発光層１２０（後に形成される）が発する光を効率よく反射する材料が好ましい。なぜなら光の取り出し効率を向上できるためである。なお、第１の電極層１１８を積層構造としてもよい。例えば、発光層１２０に接する側に金属酸化物による導電膜、またはチタン等を薄く形成し、他方に反射率の高い金属膜（アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など）を用いることができる。このような構成とすることで、発光層１２０と反射率の高い金属膜（アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など）との間に形成される絶縁膜の生成を抑制することができるので好適である。
【００８０】
なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造の発光装置について例示したが、ボトムエミッション構造（下面射出構造）、及びデュアルエミッション構造（両面射出構造）の発光装置とする場合においては、第１の電極層１１８に透光性の材料を用いることで、作製することができる。
【００８１】
次に、第１の電極層１１８の上に隔壁１２４を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００８２】
隔壁１２４としては、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【００８３】
次に、隔壁１２４の上にスペーサ１２６を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００８４】
スペーサ１２６としては、のちに照射するレーザ光を吸収する必要があるため、その材料が重要になる。スペーサ１２６の材料は、６ナイロン、６６ナイロン、芳香族ナイロン、ポリブチレンテレフタラート、ポリエチレンテレフタラート、ポリアセタール、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファイドなどの結晶性樹脂、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリアリレートポリエーテルイミドなどの非結晶性樹脂を用いる。また、これらのスペーサの材料にカーボンブラック、チタンブラック等を混合させてもよい。また、スペーサ１２６の材料は、光吸収材料であれば、特に樹脂に限定されず、チタン、クロムなどの反射率の低い金属材料を用いてもよい。また、スペーサ１２６は、上述した樹脂と金属の積層構造であってもよい。
【００８５】
また、本実施の形態に示したスペーサ１２６の断面形状は、テーパ形状である。また、スペーサ１２６の断面が矩形であってもよいし、逆テーパ形状であってもよい。ここで言う逆テーパ形状とは、底部よりも基板に平行な方向にせり出した側部、または上部を有した形状である。また、本実施の形態に示したスペーサ１２６の上面形状は、隔壁１２４の上面形状と重なる位置に形成されるのであれば、円形であっても楕円形であっても多角形であっても線状であっても格子状であってもよい。
【００８６】
次に、第１の電極層１１８、隔壁１２４、及びスペーサ１２６上に発光層１２０を形成する（図２（Ｄ）参照）。
【００８７】
発光層１２０は、蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。発光層１２０としては、単層の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良いが、発光層１２０が発する光は白色であることが好ましく、赤、緑、青のそれぞれの波長領域にピークを有する光が好ましい。
【００８８】
なお、本実施の形態においては、発光層１２０が発する光は、カラーフィルタである着色層１６６を介して射出する構造について例示したが、これに限定されない。発光層１２０を各色（例えば、ＲＧＢ）に塗り分けて、着色層１６６を用いない構成としてもよい。ただし、発光層１２０を塗りわけを行うことにより、工程数の増加、コストの増加など恐れがあるために、本実施の形態に示した白色の発光層１２０と着色層１６６による構成が好適である。
【００８９】
また、発光層１２０は、スペーサ１２６の上面、および側面にも形成される。
【００９０】
次に、発光層１２０上に第２の電極層１２２を形成する（図２（Ｄ）参照）。第２の電極層１２２もスペーサ１２６の上面、および側面を覆って形成される。
【００９１】
第２電極層１２２としては、透光性の金属酸化物を用いて形成することができる。透光性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ等）、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【００９２】
なお、第１の電極層１１８、または第２の電極層１２２は、いずれか一方は発光層１２０の陽極として機能し、他方は発光層１２０の陰極として機能する。陽極として機能する電極には、仕事関数の大きな物質が好ましく、陰極として機能する電極には仕事関数の小さな物質が好ましい。
【００９３】
また、第１の電極層１１８、発光層１２０、及び第２の電極層１２２により発光素子１３０が形成される。
【００９４】
以上の工程により、発光素子の駆動を制御するトランジスタ１５０、及び発光素子１３０が設けられた第３の基板１８０が形成される。
【００９５】
次に、遮光膜１６４、及び着色層１６６が形成された第４の基板１９０の作製方法を以下に示す。
【００９６】
まず、第４の基板１９０上に第２の剥離層１６１を形成し、第２の剥離層１６１上に第２のバッファ層１６２を形成する（図３（Ａ）参照）。
【００９７】
第２の剥離層１６１、及び第２のバッファ層１６２は、先に記載した第１の剥離層１０１、及び第１のバッファ層１０４と同様の材料、及び手法により形成することができる。
【００９８】
次に、第２のバッファ層１６２上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程を行い、遮光膜１６４を形成する（図３（Ｂ）参照）。
【００９９】
遮光膜１６４により、各画素間での混色を防止することができる。遮光膜１６４としては、レーザ光を透過する材料であれば特に限定されず、黒色顔料や黒色染料が含浸された有機樹脂膜などを用いることができる。また、遮光膜１６４は、黒色の着色層とも言える。ただし、各画素間での混色が問題にならないのであれば、遮光膜１６４は設けなくてもよい。また、異なる着色層、例えば青色の着色層と緑色の着色層を重ねて遮光膜１６４と同じ機能を持たせてもよい。
【０１００】
次に、第２のバッファ層１６２、及び遮光膜１６４の上に、着色層１６６を形成する（図３（Ｃ）参照）。
【０１０１】
着色層１６６については、カラーフィルタとも呼ばれ、特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）の着色層、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）の着色層、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）の着色層などを用いることができる。各着色層は、公知の材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
【０１０２】
なお、ここでは、ＲＧＢの３色を用いた方法について説明したが、これに限定されず、ＲＧＢＹ（黄色）等の４色を用いた構成、または、５色以上の構成としてもよい。
【０１０３】
以上の工程により、第２の剥離層１６１、第２のバッファ層１６２、遮光膜１６４、及び着色層１６６が設けられた第４の基板１９０が形成される。なお、着色層を覆ってアクリル、ポリイミド等の有機樹脂膜により形成するオーバーコート層を形成してもよいが、本実施の形態では、オーバーコート層に含まれる水分や不純物成分が発光素子へ拡散することを防ぐため、設けない構成としている。また、オーバーコート層を設けないため、オーバーコート層を形成する工程数を削減することができる。
【０１０４】
次に、第３の基板１８０と第４の基板１９０のアライメントを行い、第１の接着層１７０を用いて貼り合わせを行う（図４（Ａ）参照）。
【０１０５】
第１の接着層１７０は、発光素子の発光を透過でき、後に照射するレーザを透過する材料であれば、特に限定はなく、接着可能な屈折率が大きい透光性の接着剤を用いることができる。また、接着剤に光の波長以下の大きさの乾燥剤（ゼオライト等）や、屈折率の大きいフィラー（酸化チタンや、ジルコニウム等）を混合することにより、発光素子１３０の信頼性が向上、または発光素子１３０からの光取り出し効率が向上するため好適である。
【０１０６】
次に、第４の基板１９０に形成された第２の剥離層１６１と第２のバッファ層１６２の間で剥離（分離）を行う（図４（Ｂ）参照）。剥離方法には様々な方法を用いることができる。
【０１０７】
例えば、第２の剥離層１６１と第２のバッファ層１６２がトランジスタ１５０の形成工程中の加熱により、第２の剥離層１６１と第２のバッファ層１６２の界面に金属酸化膜が形成されている。レーザ光を照射して第２の剥離層１６１に達する溝を形成し（図示しない）、該溝をきっかけとして金属酸化膜が脆弱化し、第２の剥離層１６１と第２のバッファ層１６２との界面で剥離が生じる。
【０１０８】
剥離方法としては、機械的な力を加えること（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）を用いて行えばよい。また、溝に液体を滴下し、第２の剥離層１６１及び第２のバッファ層１６２の界面に液体を浸透させて第２の剥離層１６１から第２のバッファ層１６２を剥離してもよい。また、溝にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを導入し、第２の剥離層１６１をフッ化ガスでエッチングし除去して、第４の基板１９０から第２のバッファ層１６２を剥離する方法を用いてもよい。
【０１０９】
その他の剥離方法としては、第２の剥離層１６１をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うことができる。
【０１１０】
また第２の剥離層１６１として、窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質シリコン膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、第４の基板１９０として透光性を有する基板を用いた場合には、第４の基板１９０から第２の剥離層１６１にレーザ光を照射して、剥離層内に含有する窒素、酸素や水素を気化させて、第４の基板１９０と第２の剥離層１６１との間で剥離する方法を用いることができる。
【０１１１】
次に、遮光膜１６４を介してスペーサ１２６にレーザビーム１０３（例えばＵＶ光）を照射して、レーザ光をスペーサ１２６に吸収させ、その熱でスペーサ上面に形成されている発光層１２０または第２の電極層１２２を溶融させる。また、その熱で第１の接着層１７０も一部溶かして、混合物である固定部１６８を形成する（図５（Ａ）参照）。こうして形成された固定部１６８は、スペーサ１２６及び第１の接着層１７０と高い密着性を有する。また、固定部１６８は、スペーサ１２６とともに基板間隔を保持する機能も有する。なお、固定部１６８の大きさは照射するレーザビームの照射領域の面積と比例する。
【０１１２】
照射するレーザビーム１０３としては、エキシマレーザに代表される気体レーザ、ＹＡＧレーザに代表される固体レーザを光源として用いることができる。固体レーザは、気体レーザよりも小型であり量産性に優れているため、レーザビームの波長としては、赤外光域であることが好ましく、波長７８０ｎｍから２０００ｎｍが適用される。樹脂材料を溶着させて固定部を形成する場合には、低エネルギーのレーザがよく、着色層や遮光膜を通過させるためにも、レーザの波長は、赤外光域とすることが好ましい。低エネルギーであり、且つ、赤外光域のレーザを用いるため、樹脂材料を炭化などを生じさせることなく、第１の接着層１７０と溶着した固定部１６８を形成することができる。光源から放射されるレーザビームは光学系にて矩形状若しくは線状に集光されたものであることが好ましく、このレーザビームを被照射面に走査して処理を行えば良い。
【０１１３】
なお、光学系を調節することにより、レーザ光の光軸に垂直な断面におけるビームプロファイルは、焦点位置においてトップフラット形状とすることが好ましい。図９（Ａ）（Ｂ）にビーム形状とビームプロファイルの一例を示した。図９（Ａ）にはビーム形状が示してあり、そのビーム形状の中心を通り、且つ、横軸（横の辺）に平行な点線で切った時のビームプロファイルが白線で重ねて示されている。また、ビーム形状の中心を通り、且つ、縦軸（縦の辺）に平行な点線で切った時のビームプロファイルも白線で示されている。また、図９（Ｂ）に示したレーザ光の光軸に垂直な断面におけるビームプロファイルがガウス分布となっている例を示したが、本実施の形態においては、ガウス分布よりも焦点位置においてトップフラット形状のビームプロファイルを有するレーザビームを照射することが好ましい。
【０１１４】
次に、第２のバッファ層１６２に、第２の基板１６０を第３の接着層１６３を用いて接着する（図５（Ｂ）参照）。なお、本明細書等において、基板上に形成された剥離層と、剥離層上に形成されたバッファ層の間で分離し、他の基板に接着することを剥離、転置と呼ぶ。
【０１１５】
第２の基板１６０としては、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を用いることができ、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、などを好適に用いることができる。また、第１の基板１００には予め窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素と珪素を含む膜や窒化アルミニウム等の窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しておいても良い。なお第２の基板１６０として繊維体に有機樹脂が含浸された構造物（所謂プリプレグとも言う）を用いてもよい。
【０１１６】
第３の接着層１６３としては、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いることができる。これらの接着剤の材質としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂などを用いることができる。
【０１１７】
なお、第２の基板１６０としてプリプレグを用いた場合には、第３の接着層１６３を用いずに第２の基板１６０と第２のバッファ層１６２とを圧着して貼り合わせてもよい。
【０１１８】
次に、第３の基板１８０に形成された第１の剥離層１０１と第１のバッファ層１０４の間で剥離（分離）を行う。
【０１１９】
次に、第１のバッファ層１０４に、第１の基板１００を第２の接着層１０２を用いて接着する（図５（Ｂ）参照）。
【０１２０】
剥離方法には上述した第４の基板１９０に形成された第２の剥離層１６１と第２のバッファ層１６２の間で剥離した方法と同様な手法により行うことができる。また、第１の基板１００、及び第２の接着層１０２は、それぞれ第２の基板１６０、及び第３の接着層１６３と同様な材料、及び手法により形成することができる。
【０１２１】
以上の工程により、フレキシブル基板に形成された発光装置を作製することができる。
【０１２２】
また、本実施の形態では、第４の基板１９０を剥離したのち、レーザビームを照射して第３の基板１８０を剥離する方法を例示したが、本明細書中で開示する発明はこれに限らず、レーザビームを照射した後に第４の基板１９０及び第３の基板１８０を剥離してもよい。
【０１２３】
また、本実施の形態では、発光装置の一つとして、アクティブマトリクス型の発光装置について例示したが、パッシブマトリクス型の発光装置に適用することも可能である。
【０１２４】
以上のように、本実施の形態に示す発光装置は、上述したスペーサ及び固定部を形成することにより、外部から物理的な力が与えられた際に、発光素子が破壊されることを抑制した信頼性の高い発光装置を提供することができる。
【０１２５】
また、上述したスペーサ及び固定部を設けることにより、フレキシブル化を行う手法の一つとして、本実施の形態に示した剥離、転置を使用した場合においても、発光素子が破壊されることを抑制し、発光素子をフレキシブル基板へ剥離、転置することが可能となる。
【０１２６】
また、上述したスペーサ及び固定部は、画素部の隔壁と重なる位置に設ければよい。
【０１２７】
本実施の形態は、実施の形態１に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１２８】
（実施の形態３）
本発明の発光装置に用いるスペーサ、着色層、及び固定部の構成について、先の実施の形態２に示したスペーサ１２６、着色層、及び固定部１６８と異なる構成について、図６（Ａ）乃至図６（Ｃ）を用いて説明する。
【０１２９】
なお、先の実施の形態１で示した発光装置と同様の箇所には同様の符号を用い、その説明は省略する。
【０１３０】
図６（Ａ）に示す発光装置は、レーザ光の照射によって、スペーサ２０８が第１の接着層１７０と溶着し、さらに隔壁１２４とも溶着している例を示している。スペーサ２０８は可視光を吸収する材料が添加されており、十分に第１の接着層１７０及び隔壁１２４と固着されている。また、スペーサ２０８上面および側面の一部に形成されていた発光層１２０もレーザ光の照射によって分断されている。
【０１３１】
また、図６（Ｂ）に示す発光装置は、着色層１６６を形成した後、遮光膜１６４を形成した例であり、レーザ光の照射によってスペーサ１２６と遮光膜１６４が溶着し、さらにスペーサ１２６と第１の接着層１７０が溶着している。
【０１３２】
次に、図６（Ｃ）に示す発光装置は、遮光膜を設けず、異なる着色層を重ねることによってブラックマトリクスとして機能させている例である。レーザ光によって、スペーサ１２６と着色層１７１が溶着し、さらにスペーサ１２６と第１の接着層１７０が溶着している。
【０１３３】
いずれの構成においてもレーザ光の照射によって、発光層１２０を分離しており、スペーサと第１の接着層１７０とが接触している構造となる。このような構成とすることで、スペーサに発光層１２０を介せずに第１の接着層１７０と接する領域が設けられるため、密着性を高くすることが可能である。従って、外部から物理的な力が与えられた際、スペーサに設けられた高い密着性の領域によって、発光素子１３０が破壊されることを抑制することが可能となる。
【０１３４】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１３５】
（実施の形態４）
本実施の形態においては、実施の形態２で示した第１の電極層１１８、発光層１２０、及び第２の電極層１２２からなる発光素子１３０の詳細について、図７（Ａ）、及び図７（Ｂ）を用いて説明を行う。
【０１３６】
〈発光素子の構成〉図７（Ａ）に示す発光素子１３０は、一対の電極（第１の電極層１１８、第２の電極層１２２）間に発光領域を含む発光層１２０が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明においては、例として、第１の電極層１１８を陽極として用い、第２の電極層１２２を陰極として用いるものとする。
【０１３７】
また、発光層１２０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１３８】
図７（Ａ）に示す発光素子１３０は、第１の電極層１１８と第２の電極層１２２との間に生じた電位差により電流が流れ、発光層１２０において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層１２０に発光領域が形成されるような構成となっている。
【０１３９】
本発明において、発光素子１３０からの発光は、第１の電極層１１８、または第２の電極層１２２側から外部に取り出される。従って、第１の電極層１１８、または第２の電極層１２２のいずれか一方は透光性を有する物質で成る。
【０１４０】
なお、発光層１２０は図７（Ｂ）のように第１の電極層１１８と第２の電極層１２２との間に複数積層されていても良い。ｎ（ｎは２以上の自然数）層の積層構造を有する場合には、ｍ（ｍは自然数、ｍは１以上ｎ−１以下）番目のＥＬ層と、（ｍ＋１）番目のＥＬ層との間には、それぞれ電荷発生層１２０ａを設けることが好ましい。
【０１４１】
電荷発生層１２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物とアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物との複合材料の他、これらを適宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例えば、有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、電荷発生層１２０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、発光素子１３０の低電流駆動、および低電圧駆動を実現することができる。
【０１４２】
なお、電荷発生層１２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。
【０１４３】
このような構成を有する発光素子１３０は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。
【０１４４】
なお、電荷発生層１２０ａとは、第１の電極層１１８と第２の電極層１２２に電圧を印加したときに、電荷発生層１２０ａに接して形成される一方の発光層１２０に対して正孔を注入する機能を有し、他方の発光層１２０に電子を注入する機能を有する。
【０１４５】
図７（Ｂ）に示す発光素子１３０は、発光層１２０に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもできる。
【０１４６】
図７（Ｂ）に示す発光素子１３０を用いて、白色発光を得る場合、複数のＥＬ層の組み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例えば、青色の蛍光材料を発光物質として含む第１の発光層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質として含む第２の発光層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示す第１の発光層と、緑色の発光を示す第２の発光層と、青色の発光を示す第３の発光層とを有する構成とすることもできる。または、補色の関係にある光を発する発光層を有する構成であっても白色発光が得られる。発光層が２層積層された積層型素子において、第１の発光層から得られる発光の発光色と第２の発光層から得られる発光の発光色を補色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。
【０１４７】
なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置することにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現することができる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。
【０１４８】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１４９】
（実施の形態５）
本実施の形態では、先の実施の形態１で説明した発光装置を組み込んだ携帯電話について、図８（Ａ）及び、図８（Ｂ）を用いて説明する。
【０１５０】
図８（Ａ）は、携帯電話を正面から見た上面図を示し、図８（Ｂ）は携帯電話の斜視図である。
【０１５１】
図８（Ａ）、及び図８（Ｂ）に示す携帯電話は、筐体４００、筐体４００に組み込まれた表示部４０４、及び操作ボタン４０２を有している。
【０１５２】
また、表示部４０４は、先の実施の形態１で示した発光装置が組み込まれており、本実施の形態においては、発光装置と別途形成したタッチパネルを組み合わせて表示部４０４としている。したがって、表示部４０４上には、操作部４０６を有している。
【０１５３】
なお、本実施の形態の携帯電話は、図８（Ｂ）に示すように、表示部４０４が、ある一定の曲率半径を有して湾曲している。また、筐体４００の上部の領域も表示部４０４としているため、携帯電話を正面からのみではなく、上部からも表示部４０４を視認することができる。
【０１５４】
例えば、上部の表示領域には、メールの有無、着信の有無、日時、電話番号、人名等が表示できればよく、携帯電話を胸ポケット等に入れた状態においても、携帯電話を取り出すことなく、表示領域を確認することができる。
【０１５５】
このように、本発明の発光装置は、フレキシブル基板に形成できるために、湾曲した媒体に用いることが可能である。また、フレキシブル基板に形成した発光装置は、薄型軽量であるため携帯電話等への採用は好適である。
【０１５６】
以上のように、本実施の形態に示す発光装置は、スペーサまたは固定部を画素間に設けることにより、外部から物理的な力が与えられた際に、発光素子が破壊されることを抑制した信頼性の高い発光装置を提供することができる。
【０１５７】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０１５８】
１００ 基板
１０１ 剥離層
１０２ 接着層
１０３ レーザビーム
１０４ バッファ層
１０６ ゲート電極層
１０８ ゲート絶縁層
１１０ 半導体層
１１２ａ ソース電極層
１１２ｂ ドレイン電極層
１１４ 絶縁層
１１６ 絶縁層
１１８ 第１の電極層（画素電極）
１２０ 発光層
１２０ａ 電荷発生層
１２２ 第２の電極層
１２４ 隔壁
１２６ スペーサ
１３０ 発光素子
１５０ トランジスタ
１６０ 基板
１６１ 剥離層
１６２ バッファ層
１６３ 接着層
１６４ 遮光膜
１６６ 着色層
１６８ 固定部
１７０ 接着層
１７１ 着色層
１８０ 基板
１９０ 基板
２０８ スペーサ
４００ 筐体
４０２ 操作ボタン
４０４ 表示部
４０６ 操作部
４５０１ 基板
４５０２ 画素部
４５０３ａ 信号線駆動回路
４５０３ｂ 信号線駆動回路
４５０４ａ 走査線駆動回路
４５０４ｂ 走査線駆動回路
４５０５ 接着層
４５０６ 基板
４５０９ トランジスタ
４５１０ トランジスタ
４５１１ トランジスタ
４５１３ 電極層
４５１４ 発光層
４５１５ 第２の電極層
４５１９ 異方性導電膜
４５２２ カラーフィルタ
４５２３ 固定部
４５５０ 発光素子
４５５２ 隔壁
４５５４ スペーサ
４５５６ 貫通電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に第１の剥離層と、該第１の剥離層上にトランジスタを含む層と、該トランジスタに接続する画素電極を形成し、
前記画素電極の周縁を覆う隔壁を形成し、
前記隔壁上に光吸収材料からなるスペーサを形成し、
前記画素電極、前記隔壁、及び前記スペーサ上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に透光性を有する電極を形成し、
第２の基板上に第２の剥離層と、前記第２の剥離層上に着色層を形成し、
透光性を有する接着層で前記第１の基板と前記第２の基板を固定し、
前記第２の剥離層を有する前記第２の基板を剥離して前記着色層を露出させた後、前記着色層を介してレーザ光を前記スペーサに照射してスペーサ上に接する固定部を形成し、
前記レーザ光の照射後に前記第１の剥離層を有する前記第１の基板を剥離する発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の剥離層を有する前記第１の基板を剥離した後、さらに第１の可撓性を有する基板を前記トランジスタを含む層に貼り付けることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第２の剥離層を有する前記第２の基板を剥離した後、さらに第２の可撓性を有する基板を前記着色層に貼り付けることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記レーザ光の光軸に垂直な断面におけるビームプロファイルは、焦点位置においてトップフラット形状とすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１の基板及び前記第２の基板は、ガラス基板であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
第１の可撓性を有する基板にトランジスタを含む層と、該トランジスタに接続する画素電極と、該画素電極の周縁を覆う隔壁と、該隔壁上にスペーサが設けられ、該スペーサに接して固定部と、
着色層が設けられた第２の可撓性を有する基板と、
前記第１の可撓性を有する基板と前記第２の可撓性を有する基板の間を充填する接着層とを有し、
前記固定部は、前記接着層及び前記スペーサと接し、且つ、前記スペーサと前記着色層との間に設けられることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６において、前記スペーサは、光吸収材料であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項６において、前記接着層は、前記画素電極上に重ねて設けられた有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に重ねて設けられた透光性を有する電極を覆うことを特徴とする発光装置。
【請求項１】
第１の基板上に第１の剥離層と、該第１の剥離層上にトランジスタを含む層と、該トランジスタに接続する画素電極を形成し、
前記画素電極の周縁を覆う隔壁を形成し、
前記隔壁上に光吸収材料からなるスペーサを形成し、
前記画素電極、前記隔壁、及び前記スペーサ上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に透光性を有する電極を形成し、
第２の基板上に第２の剥離層と、前記第２の剥離層上に着色層を形成し、
透光性を有する接着層で前記第１の基板と前記第２の基板を固定し、
前記第２の剥離層を有する前記第２の基板を剥離して前記着色層を露出させた後、前記着色層を介してレーザ光を前記スペーサに照射してスペーサ上に接する固定部を形成し、
前記レーザ光の照射後に前記第１の剥離層を有する前記第１の基板を剥離する発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の剥離層を有する前記第１の基板を剥離した後、さらに第１の可撓性を有する基板を前記トランジスタを含む層に貼り付けることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第２の剥離層を有する前記第２の基板を剥離した後、さらに第２の可撓性を有する基板を前記着色層に貼り付けることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記レーザ光の光軸に垂直な断面におけるビームプロファイルは、焦点位置においてトップフラット形状とすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１の基板及び前記第２の基板は、ガラス基板であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
第１の可撓性を有する基板にトランジスタを含む層と、該トランジスタに接続する画素電極と、該画素電極の周縁を覆う隔壁と、該隔壁上にスペーサが設けられ、該スペーサに接して固定部と、
着色層が設けられた第２の可撓性を有する基板と、
前記第１の可撓性を有する基板と前記第２の可撓性を有する基板の間を充填する接着層とを有し、
前記固定部は、前記接着層及び前記スペーサと接し、且つ、前記スペーサと前記着色層との間に設けられることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６において、前記スペーサは、光吸収材料であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項６において、前記接着層は、前記画素電極上に重ねて設けられた有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に重ねて設けられた透光性を有する電極を覆うことを特徴とする発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−２５３０１４（Ｐ２０１２−２５３０１４Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２０日（２０１２．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１０９３８１（Ｐ２０１２−１０９３８１）
【出願日】平成２４年５月１１日（２０１２．５．１１）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月２０日（２０１２．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年５月１１日（２０１２．５．１１）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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