発光装置及び発光装置の製造方法
【課題】発光効率を極大化するための発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置100は、深さが450μm以下のキャビティ112と、キャビティ112に配置された一つ以上の発光素子120と、を備える。発光装置100の製造方法は、深さが250〜450μmのキャビティ112及びキャビティ112の底面に少なくとも一つのリードフレーム130を備えたパッケージ本体110を形成するステップと、リードフレーム130に少なくとも一つ以上の発光素子120を搭載するステップと、キャビティ112にモールディング部材140がモールディングされるステップと、を含む。
【解決手段】発光装置100は、深さが450μm以下のキャビティ112と、キャビティ112に配置された一つ以上の発光素子120と、を備える。発光装置100の製造方法は、深さが250〜450μmのキャビティ112及びキャビティ112の底面に少なくとも一つのリードフレーム130を備えたパッケージ本体110を形成するステップと、リードフレーム130に少なくとも一つ以上の発光素子120を搭載するステップと、キャビティ112にモールディング部材140がモールディングされるステップと、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光効率を極大化するための発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)は、GaAs系、AlGaAs系、GaN系、InGaN系及びInGaAlP系などの化合物半導体材料を利用して発光源を構成することによって、多様な色を実現できる。
【0003】
このような発光装置は、カラーを表示する点灯表示器、文字表示器及び映像表示器などの多様な分野において光源として用いられている。
【0004】
発光ダイオードは、パッケージ内部にLEDチップが搭載されて発光装置として用いられている。
【0005】
このような発光ダイオードパッケージに搭載されたLEDチップにより発生する光は、パッケージ内部で光吸収及び光散乱により損失されることによって、発光ダイオードパッケージの光度がLEDチップ状態の光度に比べて低くなる。これによって、発光装置の光効率は落ちる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、発光効率を極大化するための発光装置及びその製造方法を提供することにある。
【0007】
また、本発明の他の目的は、発光素子が搭載されるキャビティの深さを最小化し得るようにした発光装置及びその製造方法を提供することにある。
【0008】
また、本発明のさらに他の目的は、キャビティの側壁が多段に傾斜するように形成された発光装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記の目的を達成すべく、本発明に係る発光装置は、深さが450μm以下のキャビティと、キャビティに配置された一つ以上の発光素子と、を備える。
【0010】
また、上記の目的を達成すべく、本発明に係る発光装置は、深さが250〜450μmのキャビティ及びキャビティに発光素子が配置されたパッケージ本体と、一つ以上のパッケージ本体が搭載された基板と、パッケージ本体の一側に配置された導光板と、を備える。
【0011】
また、上記の目的を達成すべく、本発明に係る発光装置の製造方法は、深さが250〜450μmのキャビティ及びキャビティの底面に少なくとも一つのリードフレームを備えたパッケージ本体を形成するステップと、リードフレームに発光素子を搭載するステップと、キャビティにモールディング部材がモールディングされるステップと、を含む。
【発明の効果】
【0012】
本発明の一実施形態に係る発光装置及びその製造方法によれば、発光効率を極大化することができ、かつ発光素子が搭載されるキャビティの深さを最小化することができる。
【0013】
また、本発明の一実施形態によれば、キャビティの側壁が多段に傾斜している発光装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0014】
以下、本発明の実施形態について、添付した図面を参照して詳細に説明する。
【0015】
図1は、第1の実施形態に係る発光装置の横断面図であり、図2は、第1の実施形態に係る発光装置の縦断面図である。
【0016】
図1及び図2に示すように、発光装置100は、側面発光型又は上面発光型パッケージで実現されることができ、表示装置のライトユニット(light unit)や照明機器などに多様に適用され得る。以下では、説明の便宜上、側面発光型LEDパッケージについて説明する。
【0017】
発光装置100は、キャビティ112を有するパッケージ本体110、発光素子120、リードフレーム130を備える。
【0018】
パッケージ本体110は、樹脂材質を利用して形成され得る。パッケージ本体110は、例えば、一定形状のプレス(Cu/Ni/Ag又はCu/Ag基板)金型にPPA(高強化プラスチック)などの樹脂材質を利用して射出成形される。パッケージ本体110は、他の例として、リードフレーム130を有する下部基板にキャビティが形成された上部基板が積層される構造に形成されることができる。
【0019】
ここで、発光装置100が側面発光型LEDパッケージで実現される場合、パッケージ本体110の横方向は、パッケージ本体110の長さ方向Xであって長軸になり、パッケージ本体110の縦方向は、パッケージ本体110の厚さ方向Yであって、短軸になる。
【0020】
このようなパッケージ本体110の一側には、キャビティ112が形成され、キャビティ112の下部には、パッケージ本体110の長さ方向Xに挿入されるリードフレーム130が形成される。
【0021】
リードフレーム130は、複数が電気的にオープン(open)され、各リードフレーム130のリード電極132、134は、パッケージ本体110の外部に配置される。ここで、キャビティ112の下部底面は、リードフレーム130の上面になり得る。
【0022】
パッケージ本体110のキャビティ112は、一定深さ以下に形成される。キャビティ112の深さd1は、キャビティ上段からリードフレーム130の上面までの距離であり、例えば、250〜450μmとすることができる。
【0023】
キャビティ112の側壁113、114のうち、少なくとも一側壁は、傾斜するように形成され得、実施形態では、全ての側壁が傾斜するように形成されるものと説明し、これに限定しない。
【0024】
キャビティ112の側壁113、114は、キャビティ112の底面に垂直な軸Zを基準に所定角度に傾斜するように形成される。Z軸は、キャビティ112の底面又はリードフレーム130の上面に対して垂直な軸である。
【0025】
図1に示すように、キャビティ112の長さ方向に位置した第1側壁113がなす第1内部角度Θ1は、20〜80゜であり、キャビティ112の第1側壁113の角度Θ11は、Z軸を基準に外側に10〜40゜傾斜するように形成される。図2に示すように、キャビティ112の厚さ方向に位置した第2側壁114がなす第2内部角度Θ2は、20〜40゜であり、キャビティ112の第2側壁114の角度Θ21は、Z軸を基準に外側に10〜20゜傾斜するように形成される。
【0026】
ここで、第1及び第2内部角度Θ1、Θ2は、同一又は異なるように形成できる。また、第1側壁113及び第2側壁114の傾斜した角度Θ11、Θ21は、同一又は異なるように形成されることができる。
【0027】
このようなキャビティ112は、傾斜した側壁113、114により、下部直径より上部直径が大きく形成される。また、キャビティ112の各側壁113、114には、反射物質(例:Ag、Al)がコーティングされるか、又は反射板が付着され得る。キャビティ112の外形状は、多角形形状に形成され得るが、これに限定しない。
【0028】
キャビティ112には、1つ以上の半導体素子が配置されることができる。半導体素子は、例えば、一つ以上の発光素子120、受光素子及び保護素子を選択的に含む。
【0029】
発光素子120は、例えば、GaAs系、AlGaAs系、GaN系、InGaN系及びInGaAlP系などの化合物半導体材料を利用したLEDチップを一つ以上有する。LEDチップには、例えば、青色LEDチップ、紫外線LEDチップ、赤色LEDチップ、緑色LEDチップ、黄緑色(Yellow green)LEDチップが含まれ、PN接合構造又はNPN接合構造、2つの電極が水平型又は垂直型に配置されるチップであってもよい。
【0030】
発光素子120は、少なくとも一つのリードフレーム130の上面に非導電性接着剤で接着され、ワイヤー(wire)152、154又はフリップチップ(flip chip)方式によりリードフレーム130と接続される。
【0031】
キャビティ112には、モールディング部材140が充填される。モールディング部材140は、透光性樹脂で充填され、透光性樹脂には、蛍光体を添加することもできる。モールディング部材140は、一液型(One Liquid type)エポキシ、二液型(two liquid type)エポキシ、ハードタイプ(hard type)シリコーン、ソフトタイプ(soft type)シリコーンなどの樹脂材料を利用することができる。ここで、モールディング部材140は、モールディング液又は添加物を使用目的、使用環境及び製品の特性に応じて選択的に使用することができる。
【0032】
このようなモールディング部材140の表面は、フラット(flat)形状、凹レンズ形状又は凸レンズ形状のうちの何れかの形状に形成されることができ、モールディング部材140上に凸レンズがさらに付着されることもできる。
【0033】
このような発光装置100は、キャビティ112の底面と上面(発光ウィンドウ領域 w1)の広さは、従来のように等しく維持し、かつキャビティ112の深さd1を450μm以下に低く形成することによって、キャビティ112の側壁の傾斜角度が増加する。
【0034】
これにより、発光装置100は、既存より約20%以上の光効率が改善され、ライトユニットの光源として適用される場合、既存より約30%以上の輝度改善効果がある。また、キャビティの深さを最小化し、かつ側壁の傾斜角度を増加させることによって、側面型発光ダイオードパッケージでの光度及び光量を増加させることができる。
【0035】
図3は、図2の発光装置100を利用したライトユニット200の側断面図である。
【0036】
図3に示すように、ライトユニット200は、発光装置100、基板160、導光板162、反射部164を備える。
【0037】
基板160上には、一つ以上の発光装置100が搭載される。導光板(LGP:Light Guide Panel)162は、発光装置100の出射方向に配置され、入射される光を面光源として出射する。
【0038】
導光板162の下部には、漏れる光を反射させるための反射部164が配置され、導光板162の上部には、一枚以上の光学シート(図示せず)、例えば、拡散シート、プリズムシートを配置することができる。ここで、基板160は、フレキシブル基板(FPCB)で実現されることができ、反射部164は、反射シートで実現されることができる。
【0039】
発光装置100と導光板162との間隔d12は、組立て誤差により約200μm程度のギャップが発生し得る。このとき、モールディング部材140の表面がフラット形態であれば、モールディング部材140の表面と導光板162との間の間隔d13は、d12となる。
【0040】
又は、モールディング部材140の表面が凹レンズ形状であれば、モールディング部材140の表面と導光板162との間の間隔は、約300μmとなる。このとき、キャビティ112の上段とモールディング部材140の表面(凹レンズ形状の高さ)との間隔は、最大100μmになる。
【0041】
そして、キャビティ112の深さが最大450μmの場合、キャビティ112の底面から導光板162との間の間隔d14は、最大650μm(=200μm+450μm)程度になるので、発光素子120から導光板162までの距離は、従来より最大30%程度減らすことができる。
【0042】
このように発光装置100の発光素子120から発生した光は、モールディング部材140を透過するか、キャビティ112の側壁114により反射してパッケージ本体110の外部に放出される。パッケージ本体110から放出した光は、導光板162に入射されることによって、導光板162から面光源として出力される。
【0043】
ここで、発光素子120からキャビティ112の上段までの間隔と、キャビティ112の上段から導光板162の入光部までの間隔d12を最小化することによって、光損失区間を減らして光抽出効果を極大化させることができる。また、導光板162と発光装置100との結合による光効率の減少を防止でき、導光板162でのガイド損失を減らし、輝度の強度を改善することができる。
【0044】
ここで、発光装置100から放出される光量は、発光素子120と導光板162との間の間隔、モールディング部材140の表面形状、キャビティ112の内部角度などのパラメートルにより変わることができる。
【0045】
また、上記の発光装置を利用して、携帯端末機などの液晶表示装置のバックライト光源、照明分野などの面発光装置として構成できる。そして、ライトユニットのような面発光装置において、発光素子から発生する光の損失区間を最小化し、光抽出効果を最大化できる。また、輝度の強度を改善できる。
【0046】
図4は、実施形態に係る発光装置を介して出射された光の分布及び光量を測定するための図である。
【0047】
図4に示すように、発光素子120から出射される光は、モールディング部材140を介して発光装置の前方に位置した受光部166及び導光板162に入射される。このとき、受光部166は、導光板162に入射される光量(FLUX)を測定する。受光部166は、5mm×0.6mmの面積で設置される。
【0048】
図5は、本発明の一実施形態に係る発光装置のキャビティ深さ及びモールディング部材140の表面形状を変更した場合、図4の受光部166に受光された光分布及び光量などを比較した表である。ここで、試験条件としては、パッケージ本体は、PPA樹脂(Reflectance=90%適用)であり、モールディング部材の材質はシリコーン樹脂(refractive index=1.42)であり、発光素子は容積が250μm×480μm×80μmであり、ピーク波長(peak wavelength)は455nmであり、半波高全幅値(FWHM)は、22nmのチップを適用する。
【0049】
ここで、配光分布は、発光装置の長軸方向(又は長さ方向)の配光分布(実線)と短軸方向(又は厚さ方向)の配光分布(点線)により測定し、総光量は、発光装置から出射された光量であり、導光板(LGP)の入射光量は、受光部(図4の166)により実際に受光された光量又は導光板に入射された光量である。
【0050】
図5に示すように、第1パッケージタイプ区分1は、キャビティの深さが600μmであり、モールディング部材の表面がフラット形状である。このようなパッケージ構造における配光分布は、指向角度が相対的に狭く分布されており、総光量は、0.154lm、導光板の入射光量は、0.124lmで測定される。
【0051】
第2パッケージタイプ区分2は、キャビティの深さが600μmであり、モールディング部材の表面が凹レンズ形状である。このようなパッケージ構造において配光分布は、狭い指向角度で分布されており、総光量は、0.141lmであり、導光板の入射光量は、0.102lmで測定される。
【0052】
第3パッケージタイプ区分3は、キャビティの深さが300μmであり、モールディング部材の表面がフラット形状である。このようなパッケージ構造において配光分布は、第1及び第2パッケージタイプよりは指向特性が広く形成され、総光量は、0.207lmであり、導光板の入射光量は、0.170lmで測定される。
【0053】
第4パッケージタイプ区分4は、キャビティの深さが300μmであり、モールディング部材の表面が凹レンズ形状である。このようなパッケージ構造において配光分布は、第1及び第2パッケージタイプよりは指向特性が広く形成され、総光量は、0.182lmであり、導光板の入射光量は、0.158lmで測定される。
【0054】
ここで、このようなパッケージタイプは、キャビティの深さ及びモールディング部材の表面を変更したものである。実施形態の第3及び第4パッケージタイプ区分3、区分4と第1及び第2パッケージタイプ区分1、区分2とを比較する場合、第3及び第4パッケージタイプ区分3、区分4は、第1及び第2パッケージタイプ区分1、区分2よりは配光分布の指向特性が広く、総光量及び導光板の入射光量が増加する。
【0055】
図6は、本発明の一実施形態に係る発光装置において、キャビティの第2内部角度(Inside angle)Θ7、Θ8、Θ9とキャビティの底面の広さとモールディング部材の表面形状を異なるようにして、総光量と導光板の入射光量を測定した図である。ここで、試験条件は、図5と同じ条件を適用する。
【0056】
第11〜第13パッケージタイプ区分11、区分12、区分13は、モールディング部材の表面がフラット形状であり、キャビティの内部角度Θ7、Θ8、Θ9及び底面の広さを変更して測定する。第14〜第16パッケージタイプ区分14、区分15、区分16は、モールディング部材の表面が凹レンズ形状であり、キャビティの内部角度Θ7、Θ8、Θ9及び底面の広さを変更して測定するようになる。ここで、第11〜第16パッケージタイプ区分11〜区分16のキャビティの深さは、全て同じ深さであり、実施形態で提供する250〜450μmの範囲内にある。
【0057】
第11パッケージタイプ区分11及び第14パッケージタイプ区分14は、キャビティの内部角度Θ7が25゜であり、キャビティの底面の広さは350μmである。第12パッケージタイプ区分12及び第15パッケージタイプ区分15は、キャビティの内部角度Θ8が28.5゜であり、キャビティの底面の広さは、310μmである。第13パッケージタイプ区分13及び第16パッケージタイプ区分16は、キャビティの内部角度Θ9が20.6゜であり、キャビティの底面の広さは、380μmである。ここで、キャビティの内部角度Θ7、Θ8、Θ9は、該当キャビティの底面の広さと反比例する。
【0058】
総光量を見れば、第11パッケージタイプ区分11は0.233lm、第12パッケージタイプ区分12は0.211lm、第13パッケージタイプ区分13は0.199lm、第14パッケージタイプ区分14は0.212lm、第15パッケージタイプ区分15は0.188lm、そして第16パッケージタイプ区分16は0.212lmで測定される。
【0059】
導光板LGPの入射光量を見れば、第11パッケージタイプ区分11は0.169lm、第12パッケージタイプ区分12は0.160lm、第13パッケージタイプ区分13は0.147lm、第14パッケージタイプ区分14は0.166lm、第15パッケージタイプ区分15は0.149lm、第16パッケージタイプ区分16は0.166lmである。
【0060】
ここで、第11〜第16パッケージタイプ区分11〜区分16は、図5の第1及び第2パッケージタイプ区分1、区分2よりは光量特性が全て高く現れている。また、第11パッケージタイプ区分11は、総光量や導光板の入射光量が他のパッケージタイプに比べて最も高く現れている。すなわち、同一深さのキャビティでは、キャビティの内部角度と底面の広さに応じて、総光量や導光板の入射光量に差があるようになる。
【0061】
このような発光装置では、キャビティの深さを最小化し、かつ側壁の傾斜角度を増加させることによって、側面型発光ダイオードパッケージでの光度及び光量を増加させることができる。
【0062】
図7は、第2の実施形態であって、発光装置101の縦断面図である。
【0063】
図7に示すように、パッケージ本体110は、キャビティ112の側壁114が2回以上折り曲げられた構造である。キャビティ112の側壁114は、下部側壁115及び上部側壁116を有し、下部側壁115の第3内部角度Θ3は、上部側壁116の第4内部角度Θ4より大きく形成される。キャビティ112の深さ(=d5+d6)は、450μm以下に形成され、上部側壁116の高さd6は、下部側壁115の高さd5より高く形成される。
【0064】
例えば、キャビティ112の下部側壁115は、キャビティ112の底面から70〜250μm地点までであり、第3内部角度Θ3は、30〜50゜に傾斜する。上部側壁116は、上部側壁116が始まる地点からキャビティ上段までの高さd6であって、200〜380μmに形成され、上部側壁の第4内部角度Θ4は、約0〜20゜程度に傾斜する。ここで、下部側壁115の第3内部角度Θ3内で両側壁115の角度Θ31、Θ32は、互いに同一又は異なることができる。また、上部側壁116の角度Θ4内で両側壁の角度Θ41、Θ42は、互いに同一又は異なることができる。
【0065】
キャビティ112の下部側壁115は、発光素子120から発生した光が最大限上側に反射できる高さ、例えば、発光素子120の高さ(例、70〜130μm)より高く形成されることができる。このとき、キャビティ112の下部側壁115の角度Θ3によって発光素子120と下部側壁115との間の距離d7がより遠ざかるようになることによって、発光素子120から発生する熱又は光により、射出樹脂が変色(すなわち、側壁の変色)することを防止できる。
【0066】
また、キャビティ112の側壁114に対する傾斜角度を調節することによって、他のキャビティに比べて光効率を最大限高めることができる。
【0067】
図8〜図10は、第1の実施形態に係る発光装置において、半導体素子の多様な実装例を示した断面図である。
【0068】
図8に示すように、発光装置102には、一つ以上の発光素子120と保護素子122が搭載される。パッケージ本体110のキャビティ112には、一つ以上の発光素子120及び保護素子122がリードフレーム130にチップ形態で実装される。発光素子120は、一側のリードフレーム130に接着され、ワイヤー152、154により接続される。保護素子122は、他側のリードフレーム130に接着され、他のリードフレームとワイヤー156により接続される。又は、キャビティ内でワイヤーの高さを減らすために、半導体素子をリバース(reverse)方式により搭載することもできる。
【0069】
図9に示すように、発光装置103は、一つ以上の発光素子123がフリップチップ方式により搭載される。このために、発光素子123の両電極が2つのリードフレーム130にソルダーバンプを利用してフリップチップ方式により接続される。
【0070】
図10に示すように、発光装置104は、一つ以上の垂直型発光素子124を備える。このために、垂直型発光素子124の第1電極は、一側のリードフレーム130に導電性接着剤により接着され、垂直型発光素子124の第2電極は、他側のリードフレーム130にワイヤー154により接続される。
【0071】
そして、図8〜図10のパッケージ本体110の外部には、二つのリードフレーム130のリード電極132、134が形成される。
【0072】
図11は、本発明の一実施形態に係る発光装置のパッケージ構造を示した図であって、半導体素子が搭載される前の図である。図11(a)は、パッケージ本体の横断面図であり、図11(b)は、パッケージ本体の正面図であり、図11(c)は、パッケージ本体の底面図である。
【0073】
図11の(a)に示すように、パッケージ本体110のキャビティ112の下部に位置したリードフレーム130は、キャビティ112の底面に対応する高さd1でベースラインを構成する。
【0074】
図11の(b)、(c)に示すように、リードフレーム130の第1及び第2リード電極132、134は、パッケージ本体110の外部から側面方向へ1次フォーミング(forming)され、パッケージ本体110の底面の両側に形成された溝118に2次フォーミングされる。第1及び第2リード電極132、134の両端133、135は、パッケージ本体110の底面の両側に配置されて、基板上に表面実装技術(SMT)により実装され得る。
【0075】
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【0076】
【図1】第1の実施形態に係る発光装置の横断面図である。
【図2】第1の実施形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図3】第1の実施形態の発光装置を備えたライトユニットを示した断面図である。
【図4】第1の実施形態に係る発光装置の光量を測定するための図である。
【図5】第1の実施形態に係る発光装置において、キャビティの深さとモールディング形状に応じる光量を比較した表である。
【図6】第1の実施形態に係る発光装置において、キャビティの底面の広さ、内部角度及びモールディング形状に応じる光量を比較した表である。
【図7】第2の実施形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図8】第1の実施形態に係る発光装置の他の例を示した図である。
【図9】第1の実施形態に係る発光装置の他の例を示した図である。
【図10】第1の実施形態に係る発光装置の他の例を示した図である。
【図11】第1の実施形態に係る発光装置のパッケージ構造を示した図である。
【符号の説明】
【0077】
100 発光装置、 110 パッケージ本体、 112 キャビティ、 113、114 側壁、 120 発光素子、 130 リードフレーム、 132、134 リード電極、 140 モールディング部材、 152 154,ワイヤー。
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光効率を極大化するための発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)は、GaAs系、AlGaAs系、GaN系、InGaN系及びInGaAlP系などの化合物半導体材料を利用して発光源を構成することによって、多様な色を実現できる。
【0003】
このような発光装置は、カラーを表示する点灯表示器、文字表示器及び映像表示器などの多様な分野において光源として用いられている。
【0004】
発光ダイオードは、パッケージ内部にLEDチップが搭載されて発光装置として用いられている。
【0005】
このような発光ダイオードパッケージに搭載されたLEDチップにより発生する光は、パッケージ内部で光吸収及び光散乱により損失されることによって、発光ダイオードパッケージの光度がLEDチップ状態の光度に比べて低くなる。これによって、発光装置の光効率は落ちる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、発光効率を極大化するための発光装置及びその製造方法を提供することにある。
【0007】
また、本発明の他の目的は、発光素子が搭載されるキャビティの深さを最小化し得るようにした発光装置及びその製造方法を提供することにある。
【0008】
また、本発明のさらに他の目的は、キャビティの側壁が多段に傾斜するように形成された発光装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記の目的を達成すべく、本発明に係る発光装置は、深さが450μm以下のキャビティと、キャビティに配置された一つ以上の発光素子と、を備える。
【0010】
また、上記の目的を達成すべく、本発明に係る発光装置は、深さが250〜450μmのキャビティ及びキャビティに発光素子が配置されたパッケージ本体と、一つ以上のパッケージ本体が搭載された基板と、パッケージ本体の一側に配置された導光板と、を備える。
【0011】
また、上記の目的を達成すべく、本発明に係る発光装置の製造方法は、深さが250〜450μmのキャビティ及びキャビティの底面に少なくとも一つのリードフレームを備えたパッケージ本体を形成するステップと、リードフレームに発光素子を搭載するステップと、キャビティにモールディング部材がモールディングされるステップと、を含む。
【発明の効果】
【0012】
本発明の一実施形態に係る発光装置及びその製造方法によれば、発光効率を極大化することができ、かつ発光素子が搭載されるキャビティの深さを最小化することができる。
【0013】
また、本発明の一実施形態によれば、キャビティの側壁が多段に傾斜している発光装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0014】
以下、本発明の実施形態について、添付した図面を参照して詳細に説明する。
【0015】
図1は、第1の実施形態に係る発光装置の横断面図であり、図2は、第1の実施形態に係る発光装置の縦断面図である。
【0016】
図1及び図2に示すように、発光装置100は、側面発光型又は上面発光型パッケージで実現されることができ、表示装置のライトユニット(light unit)や照明機器などに多様に適用され得る。以下では、説明の便宜上、側面発光型LEDパッケージについて説明する。
【0017】
発光装置100は、キャビティ112を有するパッケージ本体110、発光素子120、リードフレーム130を備える。
【0018】
パッケージ本体110は、樹脂材質を利用して形成され得る。パッケージ本体110は、例えば、一定形状のプレス(Cu/Ni/Ag又はCu/Ag基板)金型にPPA(高強化プラスチック)などの樹脂材質を利用して射出成形される。パッケージ本体110は、他の例として、リードフレーム130を有する下部基板にキャビティが形成された上部基板が積層される構造に形成されることができる。
【0019】
ここで、発光装置100が側面発光型LEDパッケージで実現される場合、パッケージ本体110の横方向は、パッケージ本体110の長さ方向Xであって長軸になり、パッケージ本体110の縦方向は、パッケージ本体110の厚さ方向Yであって、短軸になる。
【0020】
このようなパッケージ本体110の一側には、キャビティ112が形成され、キャビティ112の下部には、パッケージ本体110の長さ方向Xに挿入されるリードフレーム130が形成される。
【0021】
リードフレーム130は、複数が電気的にオープン(open)され、各リードフレーム130のリード電極132、134は、パッケージ本体110の外部に配置される。ここで、キャビティ112の下部底面は、リードフレーム130の上面になり得る。
【0022】
パッケージ本体110のキャビティ112は、一定深さ以下に形成される。キャビティ112の深さd1は、キャビティ上段からリードフレーム130の上面までの距離であり、例えば、250〜450μmとすることができる。
【0023】
キャビティ112の側壁113、114のうち、少なくとも一側壁は、傾斜するように形成され得、実施形態では、全ての側壁が傾斜するように形成されるものと説明し、これに限定しない。
【0024】
キャビティ112の側壁113、114は、キャビティ112の底面に垂直な軸Zを基準に所定角度に傾斜するように形成される。Z軸は、キャビティ112の底面又はリードフレーム130の上面に対して垂直な軸である。
【0025】
図1に示すように、キャビティ112の長さ方向に位置した第1側壁113がなす第1内部角度Θ1は、20〜80゜であり、キャビティ112の第1側壁113の角度Θ11は、Z軸を基準に外側に10〜40゜傾斜するように形成される。図2に示すように、キャビティ112の厚さ方向に位置した第2側壁114がなす第2内部角度Θ2は、20〜40゜であり、キャビティ112の第2側壁114の角度Θ21は、Z軸を基準に外側に10〜20゜傾斜するように形成される。
【0026】
ここで、第1及び第2内部角度Θ1、Θ2は、同一又は異なるように形成できる。また、第1側壁113及び第2側壁114の傾斜した角度Θ11、Θ21は、同一又は異なるように形成されることができる。
【0027】
このようなキャビティ112は、傾斜した側壁113、114により、下部直径より上部直径が大きく形成される。また、キャビティ112の各側壁113、114には、反射物質(例:Ag、Al)がコーティングされるか、又は反射板が付着され得る。キャビティ112の外形状は、多角形形状に形成され得るが、これに限定しない。
【0028】
キャビティ112には、1つ以上の半導体素子が配置されることができる。半導体素子は、例えば、一つ以上の発光素子120、受光素子及び保護素子を選択的に含む。
【0029】
発光素子120は、例えば、GaAs系、AlGaAs系、GaN系、InGaN系及びInGaAlP系などの化合物半導体材料を利用したLEDチップを一つ以上有する。LEDチップには、例えば、青色LEDチップ、紫外線LEDチップ、赤色LEDチップ、緑色LEDチップ、黄緑色(Yellow green)LEDチップが含まれ、PN接合構造又はNPN接合構造、2つの電極が水平型又は垂直型に配置されるチップであってもよい。
【0030】
発光素子120は、少なくとも一つのリードフレーム130の上面に非導電性接着剤で接着され、ワイヤー(wire)152、154又はフリップチップ(flip chip)方式によりリードフレーム130と接続される。
【0031】
キャビティ112には、モールディング部材140が充填される。モールディング部材140は、透光性樹脂で充填され、透光性樹脂には、蛍光体を添加することもできる。モールディング部材140は、一液型(One Liquid type)エポキシ、二液型(two liquid type)エポキシ、ハードタイプ(hard type)シリコーン、ソフトタイプ(soft type)シリコーンなどの樹脂材料を利用することができる。ここで、モールディング部材140は、モールディング液又は添加物を使用目的、使用環境及び製品の特性に応じて選択的に使用することができる。
【0032】
このようなモールディング部材140の表面は、フラット(flat)形状、凹レンズ形状又は凸レンズ形状のうちの何れかの形状に形成されることができ、モールディング部材140上に凸レンズがさらに付着されることもできる。
【0033】
このような発光装置100は、キャビティ112の底面と上面(発光ウィンドウ領域 w1)の広さは、従来のように等しく維持し、かつキャビティ112の深さd1を450μm以下に低く形成することによって、キャビティ112の側壁の傾斜角度が増加する。
【0034】
これにより、発光装置100は、既存より約20%以上の光効率が改善され、ライトユニットの光源として適用される場合、既存より約30%以上の輝度改善効果がある。また、キャビティの深さを最小化し、かつ側壁の傾斜角度を増加させることによって、側面型発光ダイオードパッケージでの光度及び光量を増加させることができる。
【0035】
図3は、図2の発光装置100を利用したライトユニット200の側断面図である。
【0036】
図3に示すように、ライトユニット200は、発光装置100、基板160、導光板162、反射部164を備える。
【0037】
基板160上には、一つ以上の発光装置100が搭載される。導光板(LGP:Light Guide Panel)162は、発光装置100の出射方向に配置され、入射される光を面光源として出射する。
【0038】
導光板162の下部には、漏れる光を反射させるための反射部164が配置され、導光板162の上部には、一枚以上の光学シート(図示せず)、例えば、拡散シート、プリズムシートを配置することができる。ここで、基板160は、フレキシブル基板(FPCB)で実現されることができ、反射部164は、反射シートで実現されることができる。
【0039】
発光装置100と導光板162との間隔d12は、組立て誤差により約200μm程度のギャップが発生し得る。このとき、モールディング部材140の表面がフラット形態であれば、モールディング部材140の表面と導光板162との間の間隔d13は、d12となる。
【0040】
又は、モールディング部材140の表面が凹レンズ形状であれば、モールディング部材140の表面と導光板162との間の間隔は、約300μmとなる。このとき、キャビティ112の上段とモールディング部材140の表面(凹レンズ形状の高さ)との間隔は、最大100μmになる。
【0041】
そして、キャビティ112の深さが最大450μmの場合、キャビティ112の底面から導光板162との間の間隔d14は、最大650μm(=200μm+450μm)程度になるので、発光素子120から導光板162までの距離は、従来より最大30%程度減らすことができる。
【0042】
このように発光装置100の発光素子120から発生した光は、モールディング部材140を透過するか、キャビティ112の側壁114により反射してパッケージ本体110の外部に放出される。パッケージ本体110から放出した光は、導光板162に入射されることによって、導光板162から面光源として出力される。
【0043】
ここで、発光素子120からキャビティ112の上段までの間隔と、キャビティ112の上段から導光板162の入光部までの間隔d12を最小化することによって、光損失区間を減らして光抽出効果を極大化させることができる。また、導光板162と発光装置100との結合による光効率の減少を防止でき、導光板162でのガイド損失を減らし、輝度の強度を改善することができる。
【0044】
ここで、発光装置100から放出される光量は、発光素子120と導光板162との間の間隔、モールディング部材140の表面形状、キャビティ112の内部角度などのパラメートルにより変わることができる。
【0045】
また、上記の発光装置を利用して、携帯端末機などの液晶表示装置のバックライト光源、照明分野などの面発光装置として構成できる。そして、ライトユニットのような面発光装置において、発光素子から発生する光の損失区間を最小化し、光抽出効果を最大化できる。また、輝度の強度を改善できる。
【0046】
図4は、実施形態に係る発光装置を介して出射された光の分布及び光量を測定するための図である。
【0047】
図4に示すように、発光素子120から出射される光は、モールディング部材140を介して発光装置の前方に位置した受光部166及び導光板162に入射される。このとき、受光部166は、導光板162に入射される光量(FLUX)を測定する。受光部166は、5mm×0.6mmの面積で設置される。
【0048】
図5は、本発明の一実施形態に係る発光装置のキャビティ深さ及びモールディング部材140の表面形状を変更した場合、図4の受光部166に受光された光分布及び光量などを比較した表である。ここで、試験条件としては、パッケージ本体は、PPA樹脂(Reflectance=90%適用)であり、モールディング部材の材質はシリコーン樹脂(refractive index=1.42)であり、発光素子は容積が250μm×480μm×80μmであり、ピーク波長(peak wavelength)は455nmであり、半波高全幅値(FWHM)は、22nmのチップを適用する。
【0049】
ここで、配光分布は、発光装置の長軸方向(又は長さ方向)の配光分布(実線)と短軸方向(又は厚さ方向)の配光分布(点線)により測定し、総光量は、発光装置から出射された光量であり、導光板(LGP)の入射光量は、受光部(図4の166)により実際に受光された光量又は導光板に入射された光量である。
【0050】
図5に示すように、第1パッケージタイプ区分1は、キャビティの深さが600μmであり、モールディング部材の表面がフラット形状である。このようなパッケージ構造における配光分布は、指向角度が相対的に狭く分布されており、総光量は、0.154lm、導光板の入射光量は、0.124lmで測定される。
【0051】
第2パッケージタイプ区分2は、キャビティの深さが600μmであり、モールディング部材の表面が凹レンズ形状である。このようなパッケージ構造において配光分布は、狭い指向角度で分布されており、総光量は、0.141lmであり、導光板の入射光量は、0.102lmで測定される。
【0052】
第3パッケージタイプ区分3は、キャビティの深さが300μmであり、モールディング部材の表面がフラット形状である。このようなパッケージ構造において配光分布は、第1及び第2パッケージタイプよりは指向特性が広く形成され、総光量は、0.207lmであり、導光板の入射光量は、0.170lmで測定される。
【0053】
第4パッケージタイプ区分4は、キャビティの深さが300μmであり、モールディング部材の表面が凹レンズ形状である。このようなパッケージ構造において配光分布は、第1及び第2パッケージタイプよりは指向特性が広く形成され、総光量は、0.182lmであり、導光板の入射光量は、0.158lmで測定される。
【0054】
ここで、このようなパッケージタイプは、キャビティの深さ及びモールディング部材の表面を変更したものである。実施形態の第3及び第4パッケージタイプ区分3、区分4と第1及び第2パッケージタイプ区分1、区分2とを比較する場合、第3及び第4パッケージタイプ区分3、区分4は、第1及び第2パッケージタイプ区分1、区分2よりは配光分布の指向特性が広く、総光量及び導光板の入射光量が増加する。
【0055】
図6は、本発明の一実施形態に係る発光装置において、キャビティの第2内部角度(Inside angle)Θ7、Θ8、Θ9とキャビティの底面の広さとモールディング部材の表面形状を異なるようにして、総光量と導光板の入射光量を測定した図である。ここで、試験条件は、図5と同じ条件を適用する。
【0056】
第11〜第13パッケージタイプ区分11、区分12、区分13は、モールディング部材の表面がフラット形状であり、キャビティの内部角度Θ7、Θ8、Θ9及び底面の広さを変更して測定する。第14〜第16パッケージタイプ区分14、区分15、区分16は、モールディング部材の表面が凹レンズ形状であり、キャビティの内部角度Θ7、Θ8、Θ9及び底面の広さを変更して測定するようになる。ここで、第11〜第16パッケージタイプ区分11〜区分16のキャビティの深さは、全て同じ深さであり、実施形態で提供する250〜450μmの範囲内にある。
【0057】
第11パッケージタイプ区分11及び第14パッケージタイプ区分14は、キャビティの内部角度Θ7が25゜であり、キャビティの底面の広さは350μmである。第12パッケージタイプ区分12及び第15パッケージタイプ区分15は、キャビティの内部角度Θ8が28.5゜であり、キャビティの底面の広さは、310μmである。第13パッケージタイプ区分13及び第16パッケージタイプ区分16は、キャビティの内部角度Θ9が20.6゜であり、キャビティの底面の広さは、380μmである。ここで、キャビティの内部角度Θ7、Θ8、Θ9は、該当キャビティの底面の広さと反比例する。
【0058】
総光量を見れば、第11パッケージタイプ区分11は0.233lm、第12パッケージタイプ区分12は0.211lm、第13パッケージタイプ区分13は0.199lm、第14パッケージタイプ区分14は0.212lm、第15パッケージタイプ区分15は0.188lm、そして第16パッケージタイプ区分16は0.212lmで測定される。
【0059】
導光板LGPの入射光量を見れば、第11パッケージタイプ区分11は0.169lm、第12パッケージタイプ区分12は0.160lm、第13パッケージタイプ区分13は0.147lm、第14パッケージタイプ区分14は0.166lm、第15パッケージタイプ区分15は0.149lm、第16パッケージタイプ区分16は0.166lmである。
【0060】
ここで、第11〜第16パッケージタイプ区分11〜区分16は、図5の第1及び第2パッケージタイプ区分1、区分2よりは光量特性が全て高く現れている。また、第11パッケージタイプ区分11は、総光量や導光板の入射光量が他のパッケージタイプに比べて最も高く現れている。すなわち、同一深さのキャビティでは、キャビティの内部角度と底面の広さに応じて、総光量や導光板の入射光量に差があるようになる。
【0061】
このような発光装置では、キャビティの深さを最小化し、かつ側壁の傾斜角度を増加させることによって、側面型発光ダイオードパッケージでの光度及び光量を増加させることができる。
【0062】
図7は、第2の実施形態であって、発光装置101の縦断面図である。
【0063】
図7に示すように、パッケージ本体110は、キャビティ112の側壁114が2回以上折り曲げられた構造である。キャビティ112の側壁114は、下部側壁115及び上部側壁116を有し、下部側壁115の第3内部角度Θ3は、上部側壁116の第4内部角度Θ4より大きく形成される。キャビティ112の深さ(=d5+d6)は、450μm以下に形成され、上部側壁116の高さd6は、下部側壁115の高さd5より高く形成される。
【0064】
例えば、キャビティ112の下部側壁115は、キャビティ112の底面から70〜250μm地点までであり、第3内部角度Θ3は、30〜50゜に傾斜する。上部側壁116は、上部側壁116が始まる地点からキャビティ上段までの高さd6であって、200〜380μmに形成され、上部側壁の第4内部角度Θ4は、約0〜20゜程度に傾斜する。ここで、下部側壁115の第3内部角度Θ3内で両側壁115の角度Θ31、Θ32は、互いに同一又は異なることができる。また、上部側壁116の角度Θ4内で両側壁の角度Θ41、Θ42は、互いに同一又は異なることができる。
【0065】
キャビティ112の下部側壁115は、発光素子120から発生した光が最大限上側に反射できる高さ、例えば、発光素子120の高さ(例、70〜130μm)より高く形成されることができる。このとき、キャビティ112の下部側壁115の角度Θ3によって発光素子120と下部側壁115との間の距離d7がより遠ざかるようになることによって、発光素子120から発生する熱又は光により、射出樹脂が変色(すなわち、側壁の変色)することを防止できる。
【0066】
また、キャビティ112の側壁114に対する傾斜角度を調節することによって、他のキャビティに比べて光効率を最大限高めることができる。
【0067】
図8〜図10は、第1の実施形態に係る発光装置において、半導体素子の多様な実装例を示した断面図である。
【0068】
図8に示すように、発光装置102には、一つ以上の発光素子120と保護素子122が搭載される。パッケージ本体110のキャビティ112には、一つ以上の発光素子120及び保護素子122がリードフレーム130にチップ形態で実装される。発光素子120は、一側のリードフレーム130に接着され、ワイヤー152、154により接続される。保護素子122は、他側のリードフレーム130に接着され、他のリードフレームとワイヤー156により接続される。又は、キャビティ内でワイヤーの高さを減らすために、半導体素子をリバース(reverse)方式により搭載することもできる。
【0069】
図9に示すように、発光装置103は、一つ以上の発光素子123がフリップチップ方式により搭載される。このために、発光素子123の両電極が2つのリードフレーム130にソルダーバンプを利用してフリップチップ方式により接続される。
【0070】
図10に示すように、発光装置104は、一つ以上の垂直型発光素子124を備える。このために、垂直型発光素子124の第1電極は、一側のリードフレーム130に導電性接着剤により接着され、垂直型発光素子124の第2電極は、他側のリードフレーム130にワイヤー154により接続される。
【0071】
そして、図8〜図10のパッケージ本体110の外部には、二つのリードフレーム130のリード電極132、134が形成される。
【0072】
図11は、本発明の一実施形態に係る発光装置のパッケージ構造を示した図であって、半導体素子が搭載される前の図である。図11(a)は、パッケージ本体の横断面図であり、図11(b)は、パッケージ本体の正面図であり、図11(c)は、パッケージ本体の底面図である。
【0073】
図11の(a)に示すように、パッケージ本体110のキャビティ112の下部に位置したリードフレーム130は、キャビティ112の底面に対応する高さd1でベースラインを構成する。
【0074】
図11の(b)、(c)に示すように、リードフレーム130の第1及び第2リード電極132、134は、パッケージ本体110の外部から側面方向へ1次フォーミング(forming)され、パッケージ本体110の底面の両側に形成された溝118に2次フォーミングされる。第1及び第2リード電極132、134の両端133、135は、パッケージ本体110の底面の両側に配置されて、基板上に表面実装技術(SMT)により実装され得る。
【0075】
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【0076】
【図1】第1の実施形態に係る発光装置の横断面図である。
【図2】第1の実施形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図3】第1の実施形態の発光装置を備えたライトユニットを示した断面図である。
【図4】第1の実施形態に係る発光装置の光量を測定するための図である。
【図5】第1の実施形態に係る発光装置において、キャビティの深さとモールディング形状に応じる光量を比較した表である。
【図6】第1の実施形態に係る発光装置において、キャビティの底面の広さ、内部角度及びモールディング形状に応じる光量を比較した表である。
【図7】第2の実施形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図8】第1の実施形態に係る発光装置の他の例を示した図である。
【図9】第1の実施形態に係る発光装置の他の例を示した図である。
【図10】第1の実施形態に係る発光装置の他の例を示した図である。
【図11】第1の実施形態に係る発光装置のパッケージ構造を示した図である。
【符号の説明】
【0077】
100 発光装置、 110 パッケージ本体、 112 キャビティ、 113、114 側壁、 120 発光素子、 130 リードフレーム、 132、134 リード電極、 140 モールディング部材、 152 154,ワイヤー。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
深さが450μm以下のキャビティを有するパッケージ本体と、
前記キャビティに配置された発光素子と、
前記キャピティ内のモールディング部材と
を備え、
前記キャビティの側壁間の内部角度は20〜40°であり、
前記モールディング部材の表面は、フラット形状または凹レンズ形状である、発光装置。
【請求項2】
前記深さは250〜450μmである、請求項1に記載の発光装置。
【請求項3】
前記表面は凹レンズ形状である、請求項1又は2に記載の発光装置。
【請求項4】
前記キャビティの少なくとも一側壁は、前記キャビティの底面に垂直な軸を基準に10〜20゜の角度で傾斜している、請求項1から3のいずれかに記載の発光装置。
【請求項5】
前記キャビティは、前記キャビティの底面に垂直な軸を基準に短軸方向の少なくとも一側壁が10〜20゜の角度で傾斜し、長軸方向の少なくとも一側壁が10〜40゜の角度で傾斜している、請求項1から4のいずれかに記載の発光装置。
【請求項6】
前記モールディング部材に蛍光体が添加されている、請求項1〜5のいずれかに記載の発光装置。
【請求項7】
前記モールディング部材は、一液型エポキシ、二液型エポキシ、ハードタイプシリコーン及びソフトタイプシリコーンのうちの少なくとも1つを用いて形成されている、請求項1〜6のいずれかに記載の発光装置。
【請求項8】
前記発光素子は、化合物半導体材料を利用したLEDチップを少なくとも1つ有する、請求項1から7のいずれかに記載の発光装置。
【請求項9】
前記キャビティの底面に配置されたリードフレームをさらに備え、
前記発光素子は、前記リードフレームに接続されている、請求項1から8のいずれかに記載の発光装置。
【請求項10】
基板と、
前記基板上に配置された少なくとも1つの発光装置と、
前記少なくとも1つの発光装置の出射方向に配置された導光板と
を備えた面発光装置であって、
前記少なくとも1つの発光装置は、それぞれ、請求項1から9のいずれかに記載された発光装置である、面発光装置。
【請求項11】
前記導光板から漏れる光を反射させるための反射部をさらに備える、請求項10に記載の面発光装置。
【請求項1】
深さが450μm以下のキャビティを有するパッケージ本体と、
前記キャビティに配置された発光素子と、
前記キャピティ内のモールディング部材と
を備え、
前記キャビティの側壁間の内部角度は20〜40°であり、
前記モールディング部材の表面は、フラット形状または凹レンズ形状である、発光装置。
【請求項2】
前記深さは250〜450μmである、請求項1に記載の発光装置。
【請求項3】
前記表面は凹レンズ形状である、請求項1又は2に記載の発光装置。
【請求項4】
前記キャビティの少なくとも一側壁は、前記キャビティの底面に垂直な軸を基準に10〜20゜の角度で傾斜している、請求項1から3のいずれかに記載の発光装置。
【請求項5】
前記キャビティは、前記キャビティの底面に垂直な軸を基準に短軸方向の少なくとも一側壁が10〜20゜の角度で傾斜し、長軸方向の少なくとも一側壁が10〜40゜の角度で傾斜している、請求項1から4のいずれかに記載の発光装置。
【請求項6】
前記モールディング部材に蛍光体が添加されている、請求項1〜5のいずれかに記載の発光装置。
【請求項7】
前記モールディング部材は、一液型エポキシ、二液型エポキシ、ハードタイプシリコーン及びソフトタイプシリコーンのうちの少なくとも1つを用いて形成されている、請求項1〜6のいずれかに記載の発光装置。
【請求項8】
前記発光素子は、化合物半導体材料を利用したLEDチップを少なくとも1つ有する、請求項1から7のいずれかに記載の発光装置。
【請求項9】
前記キャビティの底面に配置されたリードフレームをさらに備え、
前記発光素子は、前記リードフレームに接続されている、請求項1から8のいずれかに記載の発光装置。
【請求項10】
基板と、
前記基板上に配置された少なくとも1つの発光装置と、
前記少なくとも1つの発光装置の出射方向に配置された導光板と
を備えた面発光装置であって、
前記少なくとも1つの発光装置は、それぞれ、請求項1から9のいずれかに記載された発光装置である、面発光装置。
【請求項11】
前記導光板から漏れる光を反射させるための反射部をさらに備える、請求項10に記載の面発光装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2012−134529(P2012−134529A)
【公開日】平成24年7月12日(2012.7.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−39856(P2012−39856)
【出願日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【分割の表示】特願2007−126415(P2007−126415)の分割
【原出願日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【出願人】(510039426)エルジー イノテック カンパニー リミテッド (279)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年7月12日(2012.7.12)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【分割の表示】特願2007−126415(P2007−126415)の分割
【原出願日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【出願人】(510039426)エルジー イノテック カンパニー リミテッド (279)
【Fターム(参考)】
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