真空蒸着装置
【課題】均質で欠陥のない金属蒸着膜を効率良く被蒸着体上に形成することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー内に蒸着される金属を含有する円形坩堝と被蒸着体とを配置し、円形坩堝から気化した金属を被蒸着体の表面に蒸着させるようにした真空蒸着装置において、円形坩堝の開口部から当該円形坩堝の内面底部にまで達していない長さの当該円形坩堝の内周面に外接した金属円筒状体を設けたことを特徴とする。
【解決手段】真空チャンバー内に蒸着される金属を含有する円形坩堝と被蒸着体とを配置し、円形坩堝から気化した金属を被蒸着体の表面に蒸着させるようにした真空蒸着装置において、円形坩堝の開口部から当該円形坩堝の内面底部にまで達していない長さの当該円形坩堝の内周面に外接した金属円筒状体を設けたことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は真空蒸着装置に関し、特に詳しくは、均質で欠陥のない金属蒸着膜を効率良く被蒸着体上に形成することができる真空蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空蒸着装置では、真空チャンバー内に蒸着源と被蒸着体とを配置し、真空チャンバー内部を減圧した状態で、蒸着源を加熱して蒸着源を溶融させて蒸発させるか、もしくは、蒸着源を昇華させるかして気化させる。気化された物質は蒸着源から法線方向に直進的に放出され（放出空間は真空に保たれているため気化物質は直進する）、蒸着源と対向して配置される被蒸着体の表面に付着して蒸着される。
この場合、蒸着源からの気化物質は法線方向に直進的に放出されるので、被蒸着体へ向かって進行せずに被蒸着体の表面に付着しない気化物質も多く、蒸着源の歩留まりが低くなり、被蒸着体の表面への蒸着速度が遅くなると共に、効率的にピンホール、ボイド等の欠陥が少なく均質な蒸着膜を得ることは困難であった。
【０００３】
これらを解決する技術として、特許文献１では、真空チャンバー内に配置した蒸着源と被蒸着体が対向する空間を筒状体で囲むと共に筒状体を蒸着源の物質が気化される温度で加熱し、蒸着源から気化した物質を筒状体内に通して被蒸着体の表面に蒸着させるようにした真空蒸着装置を提案している。その装置の一例として、真空チャンバー内に上下に開口する筒状体が配設してあり、筒状体にはヒーターが巻いてあって筒状体を加熱できるようにしてあり、この筒状体の下部内に蒸着源が配置してあり、発熱体で加熱して蒸着源を気化させることができるようにしてある。被蒸着体は筒状体の上端の開口の上方に配置してある。
また、特許文献２では、蒸発源から被蒸着体への気化物質の移動量を正確に制御することができ、筒状体からの輻射熱に左右されることなく、蒸着速度の制御を容易に行なうことができる真空蒸着装置を開示している。真空チャンバー内に蒸発源と被蒸着体とを配置すると共に蒸発源と被蒸着体の間の空間を蒸発源の物質が気化される温度で加熱された筒状体で囲み、蒸発源から気化した物質を、筒状体内に通して被蒸着体の表面に到達させて蒸着させるようにした真空蒸着装置となっている。蒸発源から気化した物質を開口部を通過させた後に、筒状体内を通して被蒸着体の表面に到達させるようにし、開口部の開口度を調整可能な開閉手段と、蒸発源から気化した物質を蒸着させてその蒸着厚みを計測する蒸着厚み計測手段と、蒸着厚み計測手段で計測される蒸着厚みに応じて開閉手段の開口度を調整する開閉制御手段とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−８０９６１号公報
【特許文献２】特開２００８−１５６７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の装置では、蒸着源から被蒸着体への気化物質の移動量を正確に制御することができず、筒状体からの輻射熱に左右され、蒸着速度の制御を容易に行なうことができないという欠点を有している。
特許文献２の装置は、特許文献１の欠点を改良し、蒸発源から気化した物質は開口部を通過した後に筒状体内を通して被蒸着体に到達するものであり、蒸着厚み計測手段で計測された蒸着厚みに応じて、開口部の開口度を調整する開閉手段を開閉制御手段で制御することによって、気化物質が開口部を通過する量を制御することができ、筒状体からの輻射熱に左右されることなく、蒸発源から被蒸着体への気化物質の移動量を蒸着厚みに応じて制御し、蒸着速度の制御を容易に行なうことができるものである。
しかし、筒状体を使用するために、筒状体内を通過後の気化物質の拡散が制限され、蒸着源と被蒸着体との間の距離の調整が難く、更に、気化せずに蒸着源から飛散する少量の溶融金属により蒸着膜や被蒸着体に発生するピンホールやボイド等の欠陥についても解決策が不充分である。
また、坩堝等の加熱装置内での蒸着源の複雑な熱的挙動により引き起こされる蒸着源の気化速度及び濃度の変化についても対応が充分ではなく、効率良く均質な蒸着膜を形成するには無理がある。
【０００６】
本発明は、上述の問題点を改良し、均質で欠陥のない金属蒸着膜を効率良く被蒸着体上に形成することができる真空蒸着装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
坩堝に含有された蒸着源となる金属は、坩堝を介しての加熱源からの熱伝達により加熱されて溶融及び気化される際に、坩堝内壁側での溶融金属温度が中心側に比べて高くなり、坩堝内にて溶融金属間の対流が起き、坩堝内で溶融金属の気化速度及び濃度に差異が生じることが多い。
この気化速度及び濃度の差異が許される範囲内であり、蒸着運転中に常に一定に持続されていれば良いが、坩堝内の溶融金属に影響を及ぼす挙動（チャンバー内の酸素分圧の変化、蒸着源となる金属の不純物、気化せずに蒸着源から飛散する少量の溶融金属等）により、この差異が許される範囲内を超えて度々変動すると、溶融金属の気化状態が大きく変化して、蒸着膜の均質性が損なわれ、蒸着レートが変動して生産効率も低下する。
【０００８】
本発明者らは、鋭意検討の結果、この悪影響を緩和し、溶融金属の気化速度及び濃度のバランスを壊れない様にする為には、坩堝内の溶融金属と濡れ性の良い金属円筒状体を、坩堝の内周面に外接して坩堝の開口部から坩堝の内面底にまで達しない長さに設置し、常に溶融金属の気化している界面を金属筒状体と接するようにすることが効果的であることを見出した。坩堝内の底部は溶融金属の不純物が溜まり易く、金属円筒状体が坩堝の内面底にまで達していると、逆に不安定な挙動を緩和しなくなり効果は薄れることになる。
【０００９】
また、坩堝内の蒸着源の金属は、全てが坩堝の開口部を出た時点で気化しているのではなく、坩堝内の温度や装置の真空度の変化に起因して、その一部は溶融金属の小粒となり坩堝の開口部より飛散し、それが直接的に被蒸着体の表面に到達すると、被蒸着体中にピンホールを形成することとなる。
これを避ける為には、前記金属円筒状体の上部に連続して同一材質の金属円錐筒状体を設けて、飛散された溶融金属の小粒を完全に捕捉し、再加熱して気化された状態として金属円錐筒状体と被蒸着体の間の空間に放出してやる必要があり、飛散された溶融金属の小粒を円錐筒状体にて完全に捕捉する為には、その溶融金属と濡れ性の良い材質にて金属円錐筒状体を作製することが重要となる。
【００１０】
以上の知見に基づき、本発明の真空蒸着装置は、真空チャンバー内に蒸着される金属を含有する円形坩堝と被蒸着体とを配置し、円形坩堝から気化した金属を被蒸着体の表面に蒸着させるようにした真空蒸着装置において、円形坩堝の開口部から当該円形坩堝の底部にまで達しない長さを有する当該円形坩堝の内周面に外接した金属円筒状体を設けたことを特徴とする。
これにより、蒸着源となる金属の気化の速度及び濃度のバランスが崩れずに、効率良く均質で欠陥のない金属蒸着膜を被蒸着体上に形成することができる。
【００１１】
更に、本発明の真空蒸着装置は、当該金属円筒状体の上部に連続して当該金属円筒状体と同材質にて一体成形された当該円形坩堝より気化した金属が気化状態を保つ温度に加熱された金属円錐筒状体を設け、当該気化した金属が当該金属円錐筒状体を通過した後に、被蒸着体の間の空間に放出されて当該被蒸着体の表面に蒸着され、当該坩堝の開口部と当該被蒸着体との距離をＤとしたとき、当該円錐筒状体の内斜面の長さＬが０．０３Ｄ〜０．５Ｄであり、当該円錐筒状体の円錐角度θが３０°〜７５°であることを特徴とする。
これにより、効率良く均質で欠陥のない金属蒸着膜を被蒸着体上に形成すると共に、坩堝内の温度や装置の真空度の変化に起因して坩堝開口部より飛散する溶融金属の小粒は、金属円錐筒状体に捕捉され再加熱により気化され、被蒸着体の表面に到達されないので、被蒸着体中のピンホール形成は皆無となる。
【００１２】
坩堝の開口部と当該被蒸着体との距離Ｄは、真空装置、坩堝内径、坩堝加熱装置、蒸着源から気化する物質の種類等の条件に応じて適切に選定されるが、Ｄが小さ過ぎると、坩堝の開口部より飛散された溶融金属の小粒を完全に捕捉することが難しくなり、Ｄが大き過ぎると、気化した物質が完全に被蒸着体の表面に到達されない危険性が生じる。
Ｌが０．０３Ｄ未満であると、円錐筒状体と被蒸着体の間の空間の距離が長くなり、気化した物質が気化状態を保てなくなって蒸着膜厚の均質性が低下し、飛散された溶融金属の小粒を円錐筒状体にて捕捉する機能も低下する。
Ｌが０．５Ｄを超えると、効果が飽和するばかりでなく、円錐筒状体が大きくなり、設備的なコストが増す。
円錐角度θが３０°未満でも、円錐角度θが７５°を超えても、飛散された溶融金属の小粒を完全に捕捉し気化する機能が低下する。
【００１３】
更に、本発明の真空蒸着装置は、当該蒸着される金属が銀、アルミニウム、錫、銅からなるグループから選択された一種であり、当該金属円筒状体及び金属円錐筒状体の材質がクロム、モリブデン、タングステンからなるグループから選択された一種の金属であることを特徴とする。
蒸着源の金属が、銀、アルミニウム、錫、銅からなるグループから選択された一種であり、金属円筒状体及び金属円錐筒状体の材質が、クロム、モリブデン、タングステンからなるグループから選択された一種の金属であると、金属円筒状体及び金属円錐筒状体と蒸発源の金属との濡れ性が最大限に発揮され、短時間で効率良く、均質で欠陥のない金属蒸着膜を被蒸着体上に形成できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は真空蒸着装置により、均質で欠陥のない金属蒸着膜を効率良く被蒸着体上に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の真空蒸着装置の一実施形態を示す概略図である。
【図２】本発明の真空蒸着装置の別の一実施形態を示す概略図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の一実施形態である真空蒸着装置について、図１を参照に詳細を説明する。
図１は本発明の真空蒸着装置１の一実施形態を示す概略図であり、真空チャンバー２は真空ポンプ２２で排気することによって真空状態に減圧することができるようにしてある。この真空チャンバー２内の下部には、高周波誘導加熱装置３のコイル４にて加熱される蒸着源５が入れられた円形坩堝６と、円形坩堝６の内周面に外接して設置された金属円筒状体７とが設置される。金属円筒状体７の長さは、円形坩堝の開口部８から円形坩堝の底部９にまで達しない長さである。蒸着が施される被蒸着体１０は、空間１３を介して金属筒状体７の上方に配置される。図示されていない供給ロールより供給される被蒸着体１０は、被蒸着体１０の幅方向に設置された回転冷却ロール１２上を移動しながら金属蒸着膜１１を形成し、図示されていない巻取りロールより巻取られる。
蒸着源５は金属であれば特に限定はされないが、銀、アルミニウム、錫或いは銅であることが特に好ましい。金属筒状体７の材質は特に限定されないが、蒸着源５が銀、アルミニウム、錫或いは銅である場合は、これらの金属との濡れ性が良好なクロム、モリブデン或いはタングステンであることが好ましく、モリブデンであることが最も好ましい。被蒸着体１０は特に限定されないが、適当な材質と厚みを有するプラスチックフィルムを使用することが好ましい。
【００１７】
この様な真空蒸着装置１で蒸着を行なうにあたっては、まず、蒸着源５を円形坩堝６に充填してセットすると共に、被蒸着体１０を円形坩堝の開口部８からＤの距離にて、円形坩堝の開口部８と水平にセットする。Ｄは真空チャンバー２、円形坩堝６の内径、高周波誘導加熱装置３、蒸着源５から気化する物質の種類等に応じて適切に選定されるが、Ｄが小さ過ぎると、円形坩堝の開口部８より飛散する少量の溶融金属の影響を受けて蒸着膜の欠陥が多くなり、Ｄが大き過ぎると、気化した物質が完全に被蒸着体１０の表面に到達しない危険性が生じる。
次に、真空ポンプ２２を作動させて真空チャンバー２内を真空状態に減圧し、コイル４を発熱させて円形坩堝６内の蒸着源５を加熱すると、蒸着源５は溶融及び蒸発して気化する。蒸着源５から発生するこの気化物質は、気化速度及び濃度の差異が良好な金属蒸着膜を形成する為の許容範囲内であり、運転中に一定に持続されれば良いが、円形坩堝６内の蒸着源５に影響を及ぼす挙動（チャンバー内の酸素分圧の変化、蒸着源となる金属の不純物、気化せずに蒸着源から飛散する少量の溶融金属等）により、この差異が許容範囲を超えて変動した場合には、気化状態が大きく変化し、蒸着膜１１の形成が不安定となって均質性が低下し欠陥も増える。
この悪影響を緩和し、溶融金属の気化速度及び濃度のバランスを壊れない様にする為には、円形坩堝６内の蒸着源（溶融金属）５と濡れ性の良い金属円筒状体７を、円形坩堝６の内周面に外接して坩堝の開口部８から円形坩堝の底９にまで達しない長さに設置し、常に溶融金属の気化している界面１４を金属筒状体７と接するようすれば良い。
金属円筒状体７により、気化の速度及び濃度のバランスが一定に保たれた気化物質は、金属円筒状体から空間１３に均質に放出され、被蒸着体１０に到達して金属蒸着膜１１となり、均質で欠陥のない金属蒸着フィルム１５が連続的に効率良く形成される。
【００１８】
本発明の別の一実施形態である真空蒸着装置について、図２を参照に詳細を説明する。
図２は本発明の真空蒸着装置４１の一実施形態を示す概略図であり、真空チャンバー４２は真空ポンプ３２で排気することによって真空状態に減圧することができるようにしてある。この真空チャンバー４２内の下部には、高周波誘導加熱装置２３のコイル２４にて加熱される蒸着源２５が入れられた円形坩堝２６と、円形坩堝２６の内周面に外接して設置された金属円筒状体２７とが設置される。金属円筒状体２７の長さは、円形坩堝の開口部３４から円形坩堝２６の底部２９にまで達しないない長さである。金属円筒状体２７の上端部には連続して金属円筒状体２７と同材質にて一体成形された金属円錐筒状体２８が設けられ、金属円錐筒状体２８は高周波誘導加熱装置２３のコイル２４にて加熱される。金属円錐筒状体２８の加熱温度は、蒸着源２５から気化した物質が金属円錐筒状体２８に付着しても再度蒸発等して気化し、且つ分解されない温度に設定される。
蒸着が施される被蒸着体３０は、空間３３を介して金属円錐筒状体２８の上方に配置される。図示されていない供給ロールより供給される被蒸着体３０は、被蒸着体３０の幅方向に設置された回転冷却ロール３２上を移動しながら金属蒸着膜３１を形成し、図示されていない巻取りロールより巻取られる。
蒸着源２５は金属であれば特に限定はされないが、銀、アルミニウム、錫或いは銅であることが特に好ましい。金属円筒状体２７及び金属円錐筒状体２８の材質は特に限定されないが、蒸着源５が銀、アルミニウム、錫或いは銅である場合は、これらの金属との濡れ性が良好なクロム、モリブデン或いはタングステンであることが好ましく、モリブデンであることが最も好ましい。被蒸着体３０は特に限定されないが、適当な材質と厚みを有するプラスチックフィルムを使用することが好ましい。
円形坩堝２６の開口部３４と被蒸着体３０との距離をＤとしたとき、金属円錐筒状体２８の斜面の長さＬが０．０３Ｄ〜０．５Ｄであり、金属円錐筒状体２８の円錐角度θは３０°〜７５°に設定される。
Ｄは真空チャンバー４２、円形坩堝２６の内径、高周波誘導加熱装置２３、蒸着源２５から気化する物質の種類等の条件に応じて適切に選定されるが、Ｄが小さ過ぎると、円形坩堝２６の開口部３４より飛散された溶融金属の小粒３６により被蒸着体３０の表面にピンホールが発生し易くなり、Ｄが大き過ぎると、気化した物質が完全に被蒸着体３０の表面に到達されない危険性が生じる。
Ｌが０．０３Ｄ未満であると、金属円錐筒状体２８の上端３５と被蒸着体３０の間の空間３３の距離が長くなり、気化した物質が気化状態を保てなくなって金属蒸着膜３１の膜厚の均質性が低下し、飛散された溶融金属の小粒３６を金属円錐筒状体２８にて捕捉する機能も低下する。
Ｌが０．５Ｄを超えると、効果が飽和するばかりでなく、金属円錐筒状体２８が大きくなり、設備的なコストが増す。
円錐角度θが３０°未満でも、円錐角度θが７５°を超えても、飛散された溶融金属の小粒３６を完全に捕捉し気化する機能が低下する。円錐角度θとは、金属円錐筒状体２８の上端３５の半径方向に対する内周の斜面の傾き角度をいう。
【００１９】
次に、真空ポンプ３２を作動させて真空チャンバー４２内を真空状態に減圧し、コイル２４を発熱させて円形坩堝２６内の蒸着源２５を加熱すると、蒸着源２５は溶融及び蒸発して気化する。蒸着源２５から発生するこの気化物質は、気化速度及び濃度の差異が良好な金属蒸着膜を形成する為の許容範囲内であり、運転中に一定に持続されれば良いが、円形坩堝２６内の蒸着源２５に影響を及ぼす挙動（チャンバー内の酸素分圧の変化、蒸着源となる金属の不純物、気化せずに蒸着源から飛散する少量の溶融金属等）により、この差異が許容範囲を超えて変動した場合には、気化状態が大きく変化し、蒸着膜３１の形成が不安定となって均質性が低下し欠陥も増える。
この悪影響を緩和し、溶融金属の気化速度及び濃度のバランスを壊れない様にする為には、円形坩堝２６内の蒸着源（溶融金属）２５と濡れ性の良い金属円筒状体２７を、円形坩堝２６の内周面に外接して坩堝の開口部３４から円形坩堝の底部２９にまで達しない長さに設置し、常に溶融金属の気化している界面３８を金属筒状体２７と接するようにすれば良い。金属円筒状体２７により、気化の速度及び濃度のバランスが一定に保たれた気化物質は、金属円筒状体２７から金属円錐筒状体２８を通して、被蒸着体３０の間の空間３３に円錐状の広がりを持って均質に放出され、被蒸着体３０の幅方向に広がりながら表面に到達して金属蒸着膜３１となり、欠陥のない均質な金属蒸着フィルム３９が連続的に効率良く形成される。
また、坩堝２６の開口部３４より蒸着源２５から飛散し蒸着膜３１にピンホールを形成する少量の溶融金属小粒３６は、金属円錐筒状体２８に捕捉され、再加熱されて気化状態として被蒸着体の間の空間３３に放出されるので、蒸着膜３１のピンホールは皆無となる。
【実施例１】
【００２０】
図１に記載の本発明の真空蒸着装置にて、被蒸着体として、長さ５０００ｍｍ×幅１００ｍｍ×厚み４μｍのポリエステルフィルムを０．１ｍ／Ｓの速度にて巻取り、内径１００ｍｍ×高さ１２５ｍｍの黒鉛円形坩堝内に蒸着源として銀を使用し、表１に示すモリブデン製の円筒状体（厚み０．３ｍｍ）を使用して、銀が２０ｎｍの厚みで蒸着された銀蒸着ポリエステルフィルムを作製し、銀蒸着膜厚、ピンホールの有無を測定した。
蒸着膜厚は、４点計測法による膜抵抗測定器により表面抵抗値を測定し、その値を膜厚換算して求めた。
蒸着膜厚の測定箇所は、蒸着膜の１０００ｍｍ、２０００ｍｍ、３０００ｍｍ、４０００ｍｍの中心点とその上下４０ｍｍの地点の計１２箇所である。
ピンホールの有無は、試料フィルムの裏側から紫外光をあて、１０倍の拡大鏡にて目視観察し、紫外光が透過して見える部分をピンホールとした。ピンホールが皆無であったものを◎、ピンホールが１０個以内のものを○、ピンホールが１０個以上のものを×とした。
比較例として、モリブデン製の円筒状体を使用しない場合と、モリブデン製の円筒状体を黒鉛円形坩堝底に着けた場合の同様な測定結果を示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】
表１の結果より、本発明の真空蒸着装置にて製造された被蒸着体の表面に形成された金属蒸着膜は、ピンホールが少なくて膜厚のばらつきが少なく均質な金属蒸着膜であることがわかる。
【実施例２】
【００２３】
図２に記載の本発明の真空蒸着装置にて、被蒸着体として、長さ５０００ｍｍ×幅１５０ｍｍ×厚み４μｍのポリエステルフィルムを０．１ｍ／Ｓの速度にて巻取り、内径１００ｍｍ×高さ１２５ｍｍの黒鉛円形坩堝内に蒸着源として銀を使用し、表２に示すモリブデン製の円筒状体及び円錐筒状体を使用して、銀が２０ｎｍの厚みで蒸着された銀蒸着ポリエステルフィルムを作製し、銀蒸着膜厚、ピンホールの有無を測定した。
蒸着膜厚は、４点計測法による膜抵抗測定器により表面抵抗値を測定し、その値を膜厚換算して求めた。
蒸着膜厚の測定箇所は、蒸着膜の１０００ｍｍ、２０００ｍｍ、３０００ｍｍ、４０００ｍｍの中心点とその上下６０ｍｍの地点の計１２箇所である。
ピンホールの有無は、試料フィルムの裏側から紫外光をあて、１０倍の拡大鏡にて目視観察し、紫外光が透過して見える部分をピンホールとした。ピンホールが皆無であったものを◎、ピンホールが１０個以内のものを○、ピンホールが１０個以上のものを×とした。
【００２４】
【表２】
【００２５】
表２の結果より、本発明の真空蒸着装置にて製造された被蒸着体の表面に形成された金属蒸着膜は、ピンホールがなく膜厚のばらつきが少なく均質な金属蒸着膜であることがわかる。
【００２６】
以上、本発明の実施形態の製造方法について説明したが、本発明はこの記載に限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００２７】
１ 真空蒸着装置
２ 真空チャンバー
３ 高周波誘導加熱装置
４ コイル
５ 蒸着源
６ 円形坩堝
７ 金属円筒状体
８ 坩堝開口部
９ 坩堝底部
１０ 被蒸着体
１１ 金属蒸着膜
１２ 回転冷却ロール
１３ 空間
１４ 溶融金属の気化している界面
１５ 金属蒸着フィルム
２２ 真空ポンプ
２３ 高周波誘導加熱装置
２４ コイル
２５ 蒸着源
２６ 円形坩堝
２７ 金属円筒状体
２８ 金属円錐筒状体
２９ 坩堝底部
３０ 被蒸着体
３１ 金属蒸着膜
３２ 回転冷却ロール
３３ 空間
３４ 坩堝開口部
３５ 金属円錐筒状体上端
３６ 溶融金属の小粒
３８ 溶融金属の気化している界面
３９ 金属蒸着フィルム
４１ 真空蒸着装置
４２ 真空チャンバー
【技術分野】
【０００１】
本発明は真空蒸着装置に関し、特に詳しくは、均質で欠陥のない金属蒸着膜を効率良く被蒸着体上に形成することができる真空蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空蒸着装置では、真空チャンバー内に蒸着源と被蒸着体とを配置し、真空チャンバー内部を減圧した状態で、蒸着源を加熱して蒸着源を溶融させて蒸発させるか、もしくは、蒸着源を昇華させるかして気化させる。気化された物質は蒸着源から法線方向に直進的に放出され（放出空間は真空に保たれているため気化物質は直進する）、蒸着源と対向して配置される被蒸着体の表面に付着して蒸着される。
この場合、蒸着源からの気化物質は法線方向に直進的に放出されるので、被蒸着体へ向かって進行せずに被蒸着体の表面に付着しない気化物質も多く、蒸着源の歩留まりが低くなり、被蒸着体の表面への蒸着速度が遅くなると共に、効率的にピンホール、ボイド等の欠陥が少なく均質な蒸着膜を得ることは困難であった。
【０００３】
これらを解決する技術として、特許文献１では、真空チャンバー内に配置した蒸着源と被蒸着体が対向する空間を筒状体で囲むと共に筒状体を蒸着源の物質が気化される温度で加熱し、蒸着源から気化した物質を筒状体内に通して被蒸着体の表面に蒸着させるようにした真空蒸着装置を提案している。その装置の一例として、真空チャンバー内に上下に開口する筒状体が配設してあり、筒状体にはヒーターが巻いてあって筒状体を加熱できるようにしてあり、この筒状体の下部内に蒸着源が配置してあり、発熱体で加熱して蒸着源を気化させることができるようにしてある。被蒸着体は筒状体の上端の開口の上方に配置してある。
また、特許文献２では、蒸発源から被蒸着体への気化物質の移動量を正確に制御することができ、筒状体からの輻射熱に左右されることなく、蒸着速度の制御を容易に行なうことができる真空蒸着装置を開示している。真空チャンバー内に蒸発源と被蒸着体とを配置すると共に蒸発源と被蒸着体の間の空間を蒸発源の物質が気化される温度で加熱された筒状体で囲み、蒸発源から気化した物質を、筒状体内に通して被蒸着体の表面に到達させて蒸着させるようにした真空蒸着装置となっている。蒸発源から気化した物質を開口部を通過させた後に、筒状体内を通して被蒸着体の表面に到達させるようにし、開口部の開口度を調整可能な開閉手段と、蒸発源から気化した物質を蒸着させてその蒸着厚みを計測する蒸着厚み計測手段と、蒸着厚み計測手段で計測される蒸着厚みに応じて開閉手段の開口度を調整する開閉制御手段とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−８０９６１号公報
【特許文献２】特開２００８−１５６７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の装置では、蒸着源から被蒸着体への気化物質の移動量を正確に制御することができず、筒状体からの輻射熱に左右され、蒸着速度の制御を容易に行なうことができないという欠点を有している。
特許文献２の装置は、特許文献１の欠点を改良し、蒸発源から気化した物質は開口部を通過した後に筒状体内を通して被蒸着体に到達するものであり、蒸着厚み計測手段で計測された蒸着厚みに応じて、開口部の開口度を調整する開閉手段を開閉制御手段で制御することによって、気化物質が開口部を通過する量を制御することができ、筒状体からの輻射熱に左右されることなく、蒸発源から被蒸着体への気化物質の移動量を蒸着厚みに応じて制御し、蒸着速度の制御を容易に行なうことができるものである。
しかし、筒状体を使用するために、筒状体内を通過後の気化物質の拡散が制限され、蒸着源と被蒸着体との間の距離の調整が難く、更に、気化せずに蒸着源から飛散する少量の溶融金属により蒸着膜や被蒸着体に発生するピンホールやボイド等の欠陥についても解決策が不充分である。
また、坩堝等の加熱装置内での蒸着源の複雑な熱的挙動により引き起こされる蒸着源の気化速度及び濃度の変化についても対応が充分ではなく、効率良く均質な蒸着膜を形成するには無理がある。
【０００６】
本発明は、上述の問題点を改良し、均質で欠陥のない金属蒸着膜を効率良く被蒸着体上に形成することができる真空蒸着装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
坩堝に含有された蒸着源となる金属は、坩堝を介しての加熱源からの熱伝達により加熱されて溶融及び気化される際に、坩堝内壁側での溶融金属温度が中心側に比べて高くなり、坩堝内にて溶融金属間の対流が起き、坩堝内で溶融金属の気化速度及び濃度に差異が生じることが多い。
この気化速度及び濃度の差異が許される範囲内であり、蒸着運転中に常に一定に持続されていれば良いが、坩堝内の溶融金属に影響を及ぼす挙動（チャンバー内の酸素分圧の変化、蒸着源となる金属の不純物、気化せずに蒸着源から飛散する少量の溶融金属等）により、この差異が許される範囲内を超えて度々変動すると、溶融金属の気化状態が大きく変化して、蒸着膜の均質性が損なわれ、蒸着レートが変動して生産効率も低下する。
【０００８】
本発明者らは、鋭意検討の結果、この悪影響を緩和し、溶融金属の気化速度及び濃度のバランスを壊れない様にする為には、坩堝内の溶融金属と濡れ性の良い金属円筒状体を、坩堝の内周面に外接して坩堝の開口部から坩堝の内面底にまで達しない長さに設置し、常に溶融金属の気化している界面を金属筒状体と接するようにすることが効果的であることを見出した。坩堝内の底部は溶融金属の不純物が溜まり易く、金属円筒状体が坩堝の内面底にまで達していると、逆に不安定な挙動を緩和しなくなり効果は薄れることになる。
【０００９】
また、坩堝内の蒸着源の金属は、全てが坩堝の開口部を出た時点で気化しているのではなく、坩堝内の温度や装置の真空度の変化に起因して、その一部は溶融金属の小粒となり坩堝の開口部より飛散し、それが直接的に被蒸着体の表面に到達すると、被蒸着体中にピンホールを形成することとなる。
これを避ける為には、前記金属円筒状体の上部に連続して同一材質の金属円錐筒状体を設けて、飛散された溶融金属の小粒を完全に捕捉し、再加熱して気化された状態として金属円錐筒状体と被蒸着体の間の空間に放出してやる必要があり、飛散された溶融金属の小粒を円錐筒状体にて完全に捕捉する為には、その溶融金属と濡れ性の良い材質にて金属円錐筒状体を作製することが重要となる。
【００１０】
以上の知見に基づき、本発明の真空蒸着装置は、真空チャンバー内に蒸着される金属を含有する円形坩堝と被蒸着体とを配置し、円形坩堝から気化した金属を被蒸着体の表面に蒸着させるようにした真空蒸着装置において、円形坩堝の開口部から当該円形坩堝の底部にまで達しない長さを有する当該円形坩堝の内周面に外接した金属円筒状体を設けたことを特徴とする。
これにより、蒸着源となる金属の気化の速度及び濃度のバランスが崩れずに、効率良く均質で欠陥のない金属蒸着膜を被蒸着体上に形成することができる。
【００１１】
更に、本発明の真空蒸着装置は、当該金属円筒状体の上部に連続して当該金属円筒状体と同材質にて一体成形された当該円形坩堝より気化した金属が気化状態を保つ温度に加熱された金属円錐筒状体を設け、当該気化した金属が当該金属円錐筒状体を通過した後に、被蒸着体の間の空間に放出されて当該被蒸着体の表面に蒸着され、当該坩堝の開口部と当該被蒸着体との距離をＤとしたとき、当該円錐筒状体の内斜面の長さＬが０．０３Ｄ〜０．５Ｄであり、当該円錐筒状体の円錐角度θが３０°〜７５°であることを特徴とする。
これにより、効率良く均質で欠陥のない金属蒸着膜を被蒸着体上に形成すると共に、坩堝内の温度や装置の真空度の変化に起因して坩堝開口部より飛散する溶融金属の小粒は、金属円錐筒状体に捕捉され再加熱により気化され、被蒸着体の表面に到達されないので、被蒸着体中のピンホール形成は皆無となる。
【００１２】
坩堝の開口部と当該被蒸着体との距離Ｄは、真空装置、坩堝内径、坩堝加熱装置、蒸着源から気化する物質の種類等の条件に応じて適切に選定されるが、Ｄが小さ過ぎると、坩堝の開口部より飛散された溶融金属の小粒を完全に捕捉することが難しくなり、Ｄが大き過ぎると、気化した物質が完全に被蒸着体の表面に到達されない危険性が生じる。
Ｌが０．０３Ｄ未満であると、円錐筒状体と被蒸着体の間の空間の距離が長くなり、気化した物質が気化状態を保てなくなって蒸着膜厚の均質性が低下し、飛散された溶融金属の小粒を円錐筒状体にて捕捉する機能も低下する。
Ｌが０．５Ｄを超えると、効果が飽和するばかりでなく、円錐筒状体が大きくなり、設備的なコストが増す。
円錐角度θが３０°未満でも、円錐角度θが７５°を超えても、飛散された溶融金属の小粒を完全に捕捉し気化する機能が低下する。
【００１３】
更に、本発明の真空蒸着装置は、当該蒸着される金属が銀、アルミニウム、錫、銅からなるグループから選択された一種であり、当該金属円筒状体及び金属円錐筒状体の材質がクロム、モリブデン、タングステンからなるグループから選択された一種の金属であることを特徴とする。
蒸着源の金属が、銀、アルミニウム、錫、銅からなるグループから選択された一種であり、金属円筒状体及び金属円錐筒状体の材質が、クロム、モリブデン、タングステンからなるグループから選択された一種の金属であると、金属円筒状体及び金属円錐筒状体と蒸発源の金属との濡れ性が最大限に発揮され、短時間で効率良く、均質で欠陥のない金属蒸着膜を被蒸着体上に形成できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は真空蒸着装置により、均質で欠陥のない金属蒸着膜を効率良く被蒸着体上に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の真空蒸着装置の一実施形態を示す概略図である。
【図２】本発明の真空蒸着装置の別の一実施形態を示す概略図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の一実施形態である真空蒸着装置について、図１を参照に詳細を説明する。
図１は本発明の真空蒸着装置１の一実施形態を示す概略図であり、真空チャンバー２は真空ポンプ２２で排気することによって真空状態に減圧することができるようにしてある。この真空チャンバー２内の下部には、高周波誘導加熱装置３のコイル４にて加熱される蒸着源５が入れられた円形坩堝６と、円形坩堝６の内周面に外接して設置された金属円筒状体７とが設置される。金属円筒状体７の長さは、円形坩堝の開口部８から円形坩堝の底部９にまで達しない長さである。蒸着が施される被蒸着体１０は、空間１３を介して金属筒状体７の上方に配置される。図示されていない供給ロールより供給される被蒸着体１０は、被蒸着体１０の幅方向に設置された回転冷却ロール１２上を移動しながら金属蒸着膜１１を形成し、図示されていない巻取りロールより巻取られる。
蒸着源５は金属であれば特に限定はされないが、銀、アルミニウム、錫或いは銅であることが特に好ましい。金属筒状体７の材質は特に限定されないが、蒸着源５が銀、アルミニウム、錫或いは銅である場合は、これらの金属との濡れ性が良好なクロム、モリブデン或いはタングステンであることが好ましく、モリブデンであることが最も好ましい。被蒸着体１０は特に限定されないが、適当な材質と厚みを有するプラスチックフィルムを使用することが好ましい。
【００１７】
この様な真空蒸着装置１で蒸着を行なうにあたっては、まず、蒸着源５を円形坩堝６に充填してセットすると共に、被蒸着体１０を円形坩堝の開口部８からＤの距離にて、円形坩堝の開口部８と水平にセットする。Ｄは真空チャンバー２、円形坩堝６の内径、高周波誘導加熱装置３、蒸着源５から気化する物質の種類等に応じて適切に選定されるが、Ｄが小さ過ぎると、円形坩堝の開口部８より飛散する少量の溶融金属の影響を受けて蒸着膜の欠陥が多くなり、Ｄが大き過ぎると、気化した物質が完全に被蒸着体１０の表面に到達しない危険性が生じる。
次に、真空ポンプ２２を作動させて真空チャンバー２内を真空状態に減圧し、コイル４を発熱させて円形坩堝６内の蒸着源５を加熱すると、蒸着源５は溶融及び蒸発して気化する。蒸着源５から発生するこの気化物質は、気化速度及び濃度の差異が良好な金属蒸着膜を形成する為の許容範囲内であり、運転中に一定に持続されれば良いが、円形坩堝６内の蒸着源５に影響を及ぼす挙動（チャンバー内の酸素分圧の変化、蒸着源となる金属の不純物、気化せずに蒸着源から飛散する少量の溶融金属等）により、この差異が許容範囲を超えて変動した場合には、気化状態が大きく変化し、蒸着膜１１の形成が不安定となって均質性が低下し欠陥も増える。
この悪影響を緩和し、溶融金属の気化速度及び濃度のバランスを壊れない様にする為には、円形坩堝６内の蒸着源（溶融金属）５と濡れ性の良い金属円筒状体７を、円形坩堝６の内周面に外接して坩堝の開口部８から円形坩堝の底９にまで達しない長さに設置し、常に溶融金属の気化している界面１４を金属筒状体７と接するようすれば良い。
金属円筒状体７により、気化の速度及び濃度のバランスが一定に保たれた気化物質は、金属円筒状体から空間１３に均質に放出され、被蒸着体１０に到達して金属蒸着膜１１となり、均質で欠陥のない金属蒸着フィルム１５が連続的に効率良く形成される。
【００１８】
本発明の別の一実施形態である真空蒸着装置について、図２を参照に詳細を説明する。
図２は本発明の真空蒸着装置４１の一実施形態を示す概略図であり、真空チャンバー４２は真空ポンプ３２で排気することによって真空状態に減圧することができるようにしてある。この真空チャンバー４２内の下部には、高周波誘導加熱装置２３のコイル２４にて加熱される蒸着源２５が入れられた円形坩堝２６と、円形坩堝２６の内周面に外接して設置された金属円筒状体２７とが設置される。金属円筒状体２７の長さは、円形坩堝の開口部３４から円形坩堝２６の底部２９にまで達しないない長さである。金属円筒状体２７の上端部には連続して金属円筒状体２７と同材質にて一体成形された金属円錐筒状体２８が設けられ、金属円錐筒状体２８は高周波誘導加熱装置２３のコイル２４にて加熱される。金属円錐筒状体２８の加熱温度は、蒸着源２５から気化した物質が金属円錐筒状体２８に付着しても再度蒸発等して気化し、且つ分解されない温度に設定される。
蒸着が施される被蒸着体３０は、空間３３を介して金属円錐筒状体２８の上方に配置される。図示されていない供給ロールより供給される被蒸着体３０は、被蒸着体３０の幅方向に設置された回転冷却ロール３２上を移動しながら金属蒸着膜３１を形成し、図示されていない巻取りロールより巻取られる。
蒸着源２５は金属であれば特に限定はされないが、銀、アルミニウム、錫或いは銅であることが特に好ましい。金属円筒状体２７及び金属円錐筒状体２８の材質は特に限定されないが、蒸着源５が銀、アルミニウム、錫或いは銅である場合は、これらの金属との濡れ性が良好なクロム、モリブデン或いはタングステンであることが好ましく、モリブデンであることが最も好ましい。被蒸着体３０は特に限定されないが、適当な材質と厚みを有するプラスチックフィルムを使用することが好ましい。
円形坩堝２６の開口部３４と被蒸着体３０との距離をＤとしたとき、金属円錐筒状体２８の斜面の長さＬが０．０３Ｄ〜０．５Ｄであり、金属円錐筒状体２８の円錐角度θは３０°〜７５°に設定される。
Ｄは真空チャンバー４２、円形坩堝２６の内径、高周波誘導加熱装置２３、蒸着源２５から気化する物質の種類等の条件に応じて適切に選定されるが、Ｄが小さ過ぎると、円形坩堝２６の開口部３４より飛散された溶融金属の小粒３６により被蒸着体３０の表面にピンホールが発生し易くなり、Ｄが大き過ぎると、気化した物質が完全に被蒸着体３０の表面に到達されない危険性が生じる。
Ｌが０．０３Ｄ未満であると、金属円錐筒状体２８の上端３５と被蒸着体３０の間の空間３３の距離が長くなり、気化した物質が気化状態を保てなくなって金属蒸着膜３１の膜厚の均質性が低下し、飛散された溶融金属の小粒３６を金属円錐筒状体２８にて捕捉する機能も低下する。
Ｌが０．５Ｄを超えると、効果が飽和するばかりでなく、金属円錐筒状体２８が大きくなり、設備的なコストが増す。
円錐角度θが３０°未満でも、円錐角度θが７５°を超えても、飛散された溶融金属の小粒３６を完全に捕捉し気化する機能が低下する。円錐角度θとは、金属円錐筒状体２８の上端３５の半径方向に対する内周の斜面の傾き角度をいう。
【００１９】
次に、真空ポンプ３２を作動させて真空チャンバー４２内を真空状態に減圧し、コイル２４を発熱させて円形坩堝２６内の蒸着源２５を加熱すると、蒸着源２５は溶融及び蒸発して気化する。蒸着源２５から発生するこの気化物質は、気化速度及び濃度の差異が良好な金属蒸着膜を形成する為の許容範囲内であり、運転中に一定に持続されれば良いが、円形坩堝２６内の蒸着源２５に影響を及ぼす挙動（チャンバー内の酸素分圧の変化、蒸着源となる金属の不純物、気化せずに蒸着源から飛散する少量の溶融金属等）により、この差異が許容範囲を超えて変動した場合には、気化状態が大きく変化し、蒸着膜３１の形成が不安定となって均質性が低下し欠陥も増える。
この悪影響を緩和し、溶融金属の気化速度及び濃度のバランスを壊れない様にする為には、円形坩堝２６内の蒸着源（溶融金属）２５と濡れ性の良い金属円筒状体２７を、円形坩堝２６の内周面に外接して坩堝の開口部３４から円形坩堝の底部２９にまで達しない長さに設置し、常に溶融金属の気化している界面３８を金属筒状体２７と接するようにすれば良い。金属円筒状体２７により、気化の速度及び濃度のバランスが一定に保たれた気化物質は、金属円筒状体２７から金属円錐筒状体２８を通して、被蒸着体３０の間の空間３３に円錐状の広がりを持って均質に放出され、被蒸着体３０の幅方向に広がりながら表面に到達して金属蒸着膜３１となり、欠陥のない均質な金属蒸着フィルム３９が連続的に効率良く形成される。
また、坩堝２６の開口部３４より蒸着源２５から飛散し蒸着膜３１にピンホールを形成する少量の溶融金属小粒３６は、金属円錐筒状体２８に捕捉され、再加熱されて気化状態として被蒸着体の間の空間３３に放出されるので、蒸着膜３１のピンホールは皆無となる。
【実施例１】
【００２０】
図１に記載の本発明の真空蒸着装置にて、被蒸着体として、長さ５０００ｍｍ×幅１００ｍｍ×厚み４μｍのポリエステルフィルムを０．１ｍ／Ｓの速度にて巻取り、内径１００ｍｍ×高さ１２５ｍｍの黒鉛円形坩堝内に蒸着源として銀を使用し、表１に示すモリブデン製の円筒状体（厚み０．３ｍｍ）を使用して、銀が２０ｎｍの厚みで蒸着された銀蒸着ポリエステルフィルムを作製し、銀蒸着膜厚、ピンホールの有無を測定した。
蒸着膜厚は、４点計測法による膜抵抗測定器により表面抵抗値を測定し、その値を膜厚換算して求めた。
蒸着膜厚の測定箇所は、蒸着膜の１０００ｍｍ、２０００ｍｍ、３０００ｍｍ、４０００ｍｍの中心点とその上下４０ｍｍの地点の計１２箇所である。
ピンホールの有無は、試料フィルムの裏側から紫外光をあて、１０倍の拡大鏡にて目視観察し、紫外光が透過して見える部分をピンホールとした。ピンホールが皆無であったものを◎、ピンホールが１０個以内のものを○、ピンホールが１０個以上のものを×とした。
比較例として、モリブデン製の円筒状体を使用しない場合と、モリブデン製の円筒状体を黒鉛円形坩堝底に着けた場合の同様な測定結果を示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】
表１の結果より、本発明の真空蒸着装置にて製造された被蒸着体の表面に形成された金属蒸着膜は、ピンホールが少なくて膜厚のばらつきが少なく均質な金属蒸着膜であることがわかる。
【実施例２】
【００２３】
図２に記載の本発明の真空蒸着装置にて、被蒸着体として、長さ５０００ｍｍ×幅１５０ｍｍ×厚み４μｍのポリエステルフィルムを０．１ｍ／Ｓの速度にて巻取り、内径１００ｍｍ×高さ１２５ｍｍの黒鉛円形坩堝内に蒸着源として銀を使用し、表２に示すモリブデン製の円筒状体及び円錐筒状体を使用して、銀が２０ｎｍの厚みで蒸着された銀蒸着ポリエステルフィルムを作製し、銀蒸着膜厚、ピンホールの有無を測定した。
蒸着膜厚は、４点計測法による膜抵抗測定器により表面抵抗値を測定し、その値を膜厚換算して求めた。
蒸着膜厚の測定箇所は、蒸着膜の１０００ｍｍ、２０００ｍｍ、３０００ｍｍ、４０００ｍｍの中心点とその上下６０ｍｍの地点の計１２箇所である。
ピンホールの有無は、試料フィルムの裏側から紫外光をあて、１０倍の拡大鏡にて目視観察し、紫外光が透過して見える部分をピンホールとした。ピンホールが皆無であったものを◎、ピンホールが１０個以内のものを○、ピンホールが１０個以上のものを×とした。
【００２４】
【表２】
【００２５】
表２の結果より、本発明の真空蒸着装置にて製造された被蒸着体の表面に形成された金属蒸着膜は、ピンホールがなく膜厚のばらつきが少なく均質な金属蒸着膜であることがわかる。
【００２６】
以上、本発明の実施形態の製造方法について説明したが、本発明はこの記載に限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００２７】
１ 真空蒸着装置
２ 真空チャンバー
３ 高周波誘導加熱装置
４ コイル
５ 蒸着源
６ 円形坩堝
７ 金属円筒状体
８ 坩堝開口部
９ 坩堝底部
１０ 被蒸着体
１１ 金属蒸着膜
１２ 回転冷却ロール
１３ 空間
１４ 溶融金属の気化している界面
１５ 金属蒸着フィルム
２２ 真空ポンプ
２３ 高周波誘導加熱装置
２４ コイル
２５ 蒸着源
２６ 円形坩堝
２７ 金属円筒状体
２８ 金属円錐筒状体
２９ 坩堝底部
３０ 被蒸着体
３１ 金属蒸着膜
３２ 回転冷却ロール
３３ 空間
３４ 坩堝開口部
３５ 金属円錐筒状体上端
３６ 溶融金属の小粒
３８ 溶融金属の気化している界面
３９ 金属蒸着フィルム
４１ 真空蒸着装置
４２ 真空チャンバー
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバー内に蒸着される金属を含有する円形坩堝と被蒸着体とを配置し、円形坩堝から気化した金属を被蒸着体の表面に蒸着させるようにした真空蒸着装置において、円形坩堝の開口部から当該円形坩堝の底部にまで達しない長さを有する当該円形坩堝の内周面に外接した金属円筒状体を設けたことを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項２】
当該金属円筒状体の上部に連続して当該金属円筒状体と同材質にて一体成形された当該円形坩堝より気化した金属が気化状態を保つ温度に加熱された金属円錐筒状体を設け、当該気化した金属が当該金属円錐筒状体を通過した後に、被蒸着体の間の空間に放出されて当該被蒸着体の表面に蒸着され、当該坩堝の開口部と当該被蒸着体との距離をＤとしたとき、当該円錐筒状体の内斜面の長さＬが０．０３Ｄ〜０．５Ｄであり、当該円錐筒状体の円錐角度θが３０°〜７５°であることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項３】
当該蒸着される金属が銀、アルミニウム、錫、銅からなるグループから選択された一種であり、当該金属円筒状体及び金属円錐筒状体の材質がクロム、モリブデン、タングステンからなるグループから選択された一種の金属であることを特徴とする請求項１ないし請求項２に記載の真空蒸着装置。
【請求項１】
真空チャンバー内に蒸着される金属を含有する円形坩堝と被蒸着体とを配置し、円形坩堝から気化した金属を被蒸着体の表面に蒸着させるようにした真空蒸着装置において、円形坩堝の開口部から当該円形坩堝の底部にまで達しない長さを有する当該円形坩堝の内周面に外接した金属円筒状体を設けたことを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項２】
当該金属円筒状体の上部に連続して当該金属円筒状体と同材質にて一体成形された当該円形坩堝より気化した金属が気化状態を保つ温度に加熱された金属円錐筒状体を設け、当該気化した金属が当該金属円錐筒状体を通過した後に、被蒸着体の間の空間に放出されて当該被蒸着体の表面に蒸着され、当該坩堝の開口部と当該被蒸着体との距離をＤとしたとき、当該円錐筒状体の内斜面の長さＬが０．０３Ｄ〜０．５Ｄであり、当該円錐筒状体の円錐角度θが３０°〜７５°であることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項３】
当該蒸着される金属が銀、アルミニウム、錫、銅からなるグループから選択された一種であり、当該金属円筒状体及び金属円錐筒状体の材質がクロム、モリブデン、タングステンからなるグループから選択された一種の金属であることを特徴とする請求項１ないし請求項２に記載の真空蒸着装置。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１２−８７３５３（Ｐ２０１２−８７３５３Ａ）
【公開日】平成２４年５月１０日（２０１２．５．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２３４１７５（Ｐ２０１０−２３４１７５）
【出願日】平成２２年１０月１９日（２０１０．１０．１９）
【出願人】（０００１７６８２２）三菱伸銅株式会社 (116)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月１０日（２０１２．５．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月１９日（２０１０．１０．１９）
【出願人】（０００１７６８２２）三菱伸銅株式会社 (116)
【Ｆターム（参考）】
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