磁気共鳴イメージング装置
【課題】垂直方向を向く均一磁場を超電導コイルにより発生させる磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）において、真空容器が振動したとしても、均一磁場の均一性に影響を与えないＭＲＩ装置を提供する。
【解決手段】ＭＲＩ装置の静磁場発生部(30)が、超電導コイル(31)及び冷媒(L)を収容する冷媒容器(35)と、冷媒容器(35)を支持する支持部材(44)及び傾斜磁場発生部(13)を撮像領域(R)に対向するように固定する対向部材(41a,42)から形成される真空容器(40)と、を有し、少なくとも一部の対向部材(41a)は、支持部材(44)と材質が同じであって剛性が同じであると仮定される平板部材に対比して、周回方向の電気抵抗が大きくなるように構成されていることを特徴とする。
【解決手段】ＭＲＩ装置の静磁場発生部(30)が、超電導コイル(31)及び冷媒(L)を収容する冷媒容器(35)と、冷媒容器(35)を支持する支持部材(44)及び傾斜磁場発生部(13)を撮像領域(R)に対向するように固定する対向部材(41a,42)から形成される真空容器(40)と、を有し、少なくとも一部の対向部材(41a)は、支持部材(44)と材質が同じであって剛性が同じであると仮定される平板部材に対比して、周回方向の電気抵抗が大きくなるように構成されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超電導コイルを循環する永久電流によって、撮像領域に発生させる均一磁場の向きを垂直方向とする磁気共鳴イメージング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気共鳴イメージング装置(以下、ＭＲＩ装置；Magnetic Resonance Imagingという)は、撮像領域に配置される被検体に高周波パルスを照射し、このときに生じる核磁気共鳴現象（以下、ＮＭＲ現象；Nuclear Magnetic Resonanceという）を利用してこの被検体の物理的、化学的性質を表す画像を撮像するものであり、特に、医療用として用いられている。
【０００３】
いわゆる水平磁場型と呼ばれるＭＲＩ装置は、被検体が挿入される水平方向と、撮像領域における均一磁場の方向とが一致するように、複数の超電導コイルを水平方向に並べて収納する円筒形状の真空容器を含む構成となっている。
この水平磁場型のＭＲＩ装置は、一般に、被検体が入る空間が狭く、圧迫感や閉所感を受ける患者（被検体）が、長時間に渡って検査を受けられない問題がある。また、水平磁場型のＭＲＩ装置における被検体の挿入空間が狭いことは、各種オペレーションの自由度が制限される問題がある。
【０００４】
そこで、係る問題を解消する目的で近年普及している垂直磁場型のＭＲＩ装置は、超電導コイルが収納される真空容器を２つに分割して垂直方向に対向させ、二つの真空容器に挟まれる空間に撮像領域を形成し、被検体が挿入される空間が広くなるよう構成されている。
しかし、垂直磁場型のＭＲＩ装置は、二つに分割された真空容器が垂直方向に対向する状態を維持するために、機械的剛性を高くすることが要求される。さらに、撮像領域に傾斜磁場を発生させるためにそれぞれの真空容器に固定される一対の傾斜磁場発生部は、後記するように振動の発生源となり、画像の画質を劣化させる原因になる。
【０００５】
このため、画像の画質向上を図ることを目的とし、撮像領域に形成される均一磁場の安定化を目指し、垂直磁場型のＭＲＩ装置は、機械強度に優れるステンレス材質を多用して剛性を高めた構成をとるとともに、傾斜磁場発生部と真空容器との間に非磁性でかつ導電性の部材を配置して構成されるものがある（例えば、特許文献１）。
この非磁性でかつ導電性の部材は、超伝導コイルが振動することにより生じる均一磁場の乱れを、導電性部材に発生する渦電流によって乱れをキャンセルする磁場を発生させることで、撮像空間に安定な均一磁場を得るものである。
【特許文献１】特表２００２−０７１９４２号公報 図２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ＭＲＩ装置の市場における要請として、撮像領域の均一磁場を高磁場化する要請と、被検体の撮像を高速化する要請とがある。この二つの要請を両立させるとなると、傾斜磁場発生部の振動が激しくなることが避けられない。この振動を抑制するためには、ステンレス材質をさらに多用して、ＭＲＩ装置の剛性をさらに向上させることが考えられる。
しかし、ＭＲＩ装置に、比重の高いステンレス材質が多用されることは、ＭＲＩ装置の重量が大きくなることを招来し、好ましくない。
また、傾斜磁場発生部と真空容器との間に前記したような部材を配置する構成も、所望とする効果を得ようとすると、係る部材が被検体が挿入される空間を広く占有することとなり、好ましくない。
【０００７】
本発明は、係る問題を解決することを課題とし、真空容器が振動したとしても、その真空容器に誘導される渦電流を低減又は不発生とし、撮像領域における静磁場の均一性に影響を与えないＭＲＩ装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために本発明は、磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）において、真空容器が、超電導コイル及び冷媒を収容する冷媒容器を保持するとともに、傾斜磁場発生部を撮像領域に対向するように固定する対向部材により一部が形成され、前記対向部材又は少なくともその一部が、前記支持部材と材質が同じであって剛性が同じであると仮定される平板部材に対比して、周回方向の電気抵抗が大きくなるように構成されていることを特徴とする。
このように発明が構成されることにより、ＭＲＩ装置は、機械的剛性を犠牲にしたり被検体が挿入される空間を狭めたりすることなく、真空容器に渦電流が発生しない構成が達成される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、超電導コイルを循環する永久電流によって、撮像領域に発生させる均一磁場の向きが垂直方向である磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）において、真空容器が振動したとしても、撮像領域における静磁場の均一性に影響を与えないＭＲＩ装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１実施形態）
以下、図面を参照して本発明の第１実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）を説明する。
図１に全体斜視図が示されているようにＭＲＩ装置１０は、一対の静磁場発生部３０，３０が連結部材１２により垂直方向を向く中心軸Ｚが回転対称軸となるように対向して連結され、その間の空間を撮像領域Ｒとして、この撮像領域Ｒを挟むようにして傾斜磁場発生部１３，１３が配置され、さらにこの撮像領域Ｒに被検体Ｐを位置させるためのベッド台Ｄが設けられている。
【００１１】
さらに、ＭＲＩ装置１０は、図示されない構成要素として、被検体ＰにＮＭＲ現象を発現させる共鳴周波数の電磁波を撮像領域Ｒに向けて照射するＲＦ発振部（ＲＦ；Radio Frequency）と、ＮＭＲ現象が発現し水素原子核のスピンの状態が変化する際に放出される応答信号を受信する受信コイルと、これら構成要素を制御する制御装置、受信した信号を処理して解析を行う解析装置とを備えている。
【００１２】
そして、静磁場発生部３０，３０は、撮像領域Ｒに均一な静磁場（均一磁場）を発生させるものであって、傾斜磁場発生部１３,１３は、撮像領域Ｒにおける磁場強度が傾斜するように前記均一磁場に対して傾斜磁場を重畳させるものである。
このように構成されることによりＭＲＩ装置１０は、撮像領域Ｒの関心領域（通常１ｍｍ厚のスライス面）だけにＮＭＲ現象を発現させて、被検体Ｐの断層を画像化するものである。
【００１３】
傾斜磁場発生部１３,１３は、一対の静磁場発生部３０，３０の対向面Ｆにそれぞれ設けられた一対の収容空間Ｕ（図２参照）に配置されている。
この傾斜磁場発生部１３,１３は、ＭＲＩ装置１０の動作時に撮像領域Ｒの直交する三方向に対し、任意に切り替えて、傾斜磁場を重畳させるものである（図２で示す矢印は、中心軸Ｚ方向に直交する一方向に重畳された傾斜磁場の方向と強さの例を示している）。このように撮像領域Ｒにおける磁場の強度が、直交する三方向に任意に切り替わって傾斜することにより、ＮＭＲ現象が発現する三次元位置が明らかになる。
【００１４】
この傾斜磁場発生部１３,１３は、前記した直交する三方向の傾斜磁場を付与するためそれぞれ別個に設けられるメイン傾斜磁場コイル（図示せず）と、外部への漏洩磁場を抑えるためにそれぞれの前記メインコイルに対応して設けられるシールド傾斜磁場コイル（図示せず）とから構成されている（以下、メイン傾斜磁場コイル及びシールド傾斜磁場コイルを特に区別せずに傾斜磁場コイルと言う）。
【００１５】
これら傾斜磁場コイル（図示せず）には、傾斜磁場が三方向に任意に切り替わるように、それぞれにパルス状の電流が通電される。このため、傾斜磁場コイルに通電される電流と、静磁場発生部３０，３０から発生する静磁場との間に電磁力が発生する。
この発生した電磁力は、傾斜磁場発生部１３,１３を水平方向及び垂直方向に、前記パルスに対応した周波数の振動力となる。
【００１６】
このため、傾斜磁場発生部１３,１３は、ＭＲＩ装置１０にとって、前記したように振動源になる場合がある。よって、傾斜磁場発生部１３,１３を真空容器４０に固定する固定脚３４は、発生した振動力が、真空容器４０に伝播するのを極力排除できる構成となるようにする。しかし、排除されずに真空容器４０に伝播してしまった振動は、後記するように、撮像領域Ｒの磁場の均一性を乱し、画像の劣化の原因となる。
【００１７】
静磁場発生部３０は、図２に示されるように、真空容器４０の内側の密閉空間Ｖに、冷媒容器３５が固定部材３３を介して保持されている。そして、この冷媒容器３５には、冷媒Ｌとともにメインコイル３１及びシールドコイル３２が収容されている。
なお、図示しない輻射板が、真空容器４０と冷媒容器３５との間に設けられ、真空容器４０から冷媒容器３５に向かう熱輻射が遮蔽される。また、図示しない強磁性体（鉄など）を、中心軸Ｚと同軸に適宜配置して、撮像領域Ｒに磁力線をさらに誘導し、均一磁場の強度を増幅させる場合もある。
【００１８】
メインコイル３１は、永久電流が所定の方向（順方向）に循環して撮像領域Ｒに計測用の均一磁場を生成させる超電導コイルであって、中心軸Ｚを中心として配置されるコイルボビン（図示せず）に超電導線材を巻回して構成される。
ここで、超電導コイルとは、冷媒容器３５に充填されている冷媒Ｌ（例えば、液体ヘリウム）により臨界温度より低温に冷却されると常電導状態から超電導状態に転移して電気抵抗がゼロとなるものであって、環状の電流が減衰することなく永久に循環するものである。
【００１９】
シールドコイル３２は、メインコイル３１と中心軸Ｚを共有するようにコイルボビン（図示せず）に巻回されている。そして、シールドコイル３２には、メインコイル３１に流れる順方向とは逆方向に環状の永久電流が流れている。
一般に、シールドコイル３２は、撮像領域Ｒからの距離がメインコイル３１よりも遠い位置に配置され、ＭＲＩ装置１０の外部に漏洩する不要な静磁場を打ち消すように作用するものである。
【００２０】
冷媒容器３５は、メインコイル３１及びシールドコイル３２を超電導現象が発現する臨界温度以下の温度に保つ冷媒Ｌ（液体ヘリウム）とこれら超電導コイルとを少なくとも収容するものである。このメインコイル３１及びシールドコイル３２は、図示しない部材により冷媒容器３５の内側に固定されている。
なお、前記した図示しない強磁性体は、冷媒容器３５の内部に冷媒Ｌとともに収容される場合もあるし、冷媒容器３５の外部でかつ真空容器４０の内部となるように収容される場合もある。
【００２１】
固定部材３３は、真空容器４０の外側からの熱伝導による冷媒容器３５の温度上昇を防止するため、真空容器４０と冷媒容器３５とを断熱的に固定するものである。
ところで、固定部材３３は、真空容器４０から冷媒容器３５に向かう熱抵抗を大きくするために、一般に細長い形状をとることが望ましい。しかし、このような細長い形状は、固定部材３３にとって、機械的な剛性が低下することとなる。
このように、真空容器４０に対して超電導コイル３１，３２を支持する固定部材３３の剛性が低いことは、外力が作用すると超電導コイル３１，３２は撮像領域Ｒに対し容易に変位してしまうことになる。
従って、本発明に係るＭＲＩ装置１０の特徴として、後記するように、そのような外力（具体的には傾斜磁場コイル１３から発生する不要な漏れ磁場）が超電導コイル３１，３２に付与されることを防止する構成が求められる。
【００２２】
真空容器４０は、図３（ａ）にその部分拡大断面図が示されるように、支持部材４４、第１対向部材４１、第２対向部材４２及び内側筒４３により、真空状態に保たれる密閉空間Ｖが構成されている。このように構成される真空容器４０は、固定部材３３を介して冷媒容器３５を保持するものであって、伝導および対流による冷媒容器３５への熱侵入を防止するものである。
支持部材４４は、ステンレス材質などの非磁性体でかつ弾性率の高い材質で構成されており、ＭＲＩ装置の各種構成要素（冷媒容器３５等）を支持する基盤となる。なお、図示しないが、連結部材１２（図１参照）の両端は、この支持部材４４に接続することにより、天地方向に配置される一対の静磁場発生部３０，３０を支持している。
【００２３】
第１対向部材４１は、真空容器４０の撮像領域Ｒに対向する対向面の一部を構成するものであって、平面視がドーナツ形状であるその外周縁と支持部材４４とが密閉状態で接合するものである。この第１対向部材４１は、支持部材４４の材質よりも電気抵抗率の高い材質、具体的には、支持部材４４がステンレス材質であるとして、チタン、ニクロムなどの低導電性金属材料、又はガラス繊維強化樹脂、セラミックスなどの絶縁材料から構成される。
このように構成されることにより、第１対向部材４１は、中心軸Ｚ周りの周回方向の電気抵抗が大きくなる構成となる。
【００２４】
第２対向部材４２は、傾斜磁場発生部１３が撮像領域Ｒに対向するように固定される真空容器４０の対向面の一部である。この第２対向部材４２は、その外周縁が、円筒形状の内側筒４３の一方の縁端に接続し、内側筒４３の他方の縁端が、第１対向部材４１の平面視がドーナツ形状の内周縁に接続している。このように第２対向部材４２は、第１対向部材４１に段差するように接合し、傾斜磁場発生部１３が収容される収容空間Ｕを形成している。
なお、第２対向部材４２及び内側筒４３においても、第１対向部材４１と同様に周回方向の電気抵抗が大きくなる構成が施されていてもよい。しかし、第２対向部材４２及び内側筒４３を支持部材４４と同じステンレス材質で構成したとしても、次に説明するような渦電流が発生しても撮像領域Ｒに与えられる変動磁場の影響は小さいと考えられる。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示す比較例を参照しつつ、図３（ａ）に示す実施例における作用を説明する。
図３（ｂ）に示す比較例は、実施例（図３（ａ））の第１対向部材４１に対応する部位（対向面Ｆ´）が、支持部材４４と材質が同じ（比較例の場合、ステンレス材質）であって剛性が第１対向部材４１と同じであると仮定される平板部材で構成されている場合を示している。
係る平板部材と対比して、第１対向部材４１は、周回方向の電気抵抗が大きくなるように構成される点において、両者は相違している。
【００２６】
傾斜磁場発生部１３は、前記したように振動源であるため、図３（ｂ）に誇張して示されるように、発生した振動が真空容器４０´に伝播すると、その対向面Ｆ´を揺らす。この揺らされる対向面Ｆ´を構成する平板部材は、電気的に良導性であるステンレス材質であるために、その内部に渦電流が発生する。
このようにして、比較例で示される真空容器４０´の対向面Ｆ´を構成する平板部材に発生した渦電流は、新たな変動磁場Ｂ（図中二点鎖線で表示）を誘導する。
この変動磁場Ｂは、超電導コイル３１，３２が形成する均一磁場に重畳して、撮像領域Ｒにおける磁場の均一性を乱し、撮像される画像が劣化する。
【００２７】
一方、図３（ａ）に示される実施例では、傾斜磁場発生部１３が揺れても第１対向部材４１には、渦電流が発生しないので、撮像領域Ｒに形成されている均一磁場に変動磁場Ｂが重畳することもなく、撮像領域Ｒに形成される均一磁場が乱れることもない。
【００２８】
（第２実施形態）
図４を参照して本発明の第２実施形態について説明する。
図４（ａ）は第２実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部３０の中心軸Ｚを含む縦断面図であり、図４（ｂ）は第２実施形態に係るＭＲＩ装置に適用される第１対向部材４１ａを分離して示す斜視図である。
なお、本実施形態における構成要素のうち第１実施形態と共通するものに関しては、図中同一の符号を付すとともに、すでにした説明を援用して記載を省略する。
【００２９】
この第１対向部材４１ａは、撮像領域Ｒ側に対向する面板４６の表面に、放射状に並んで配置される複数の補強板４７が設けられている。
ここで、面板４６は、前記したような支持部材４４の材質よりも電気抵抗率の高い材質で構成されていてもよいが、板厚を薄くして支持部材４４と同じ材質（ステンレス材質）で構成されてもよい。
このように第１対向部材４１ａが構成されることにより、支持部材４４と材質が同じであって剛性が同じであると仮定される平板部材（図３（ｂ）比較例参照）に対比して、中心軸Ｚ周りの周回方向の電気抵抗が大きくなる。周回方向に流れる電流に直交する第１対向部材４１ａ（面板４６）の断面積を小さくすることができるからである。
これにより、ＭＲＩ装置１０（図１参照）の動作中に傾斜磁場発生部１３が振動しても第１対向部材４１ａに発生する渦電流が抑制され、この渦電流により誘導される変動磁場が重畳して、撮像領域Ｒの均一磁場を乱すことがない。
【００３０】
（第３実施形態）
図５を参照して本発明の第３実施形態について説明する。
図５（ａ）は第３実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部３０の中心軸Ｚを含む縦断面図であり、図５（ｂ）は第３実施形態に係るＭＲＩ装置に適用される第１対向部材４１ｂを分離して示す斜視図である。
なお、本実施形態における構成要素のうち第１実施形態と共通するものに関しては、図中同一の符号を付すとともに、すでにした説明を援用して記載を省略する。
【００３１】
この第１対向部材４１ｂは、撮像領域Ｒ側に対向する面板４８の表面に、放射状に並んで刻まれる複数の割溝４９が設けられている。
ここで、面板４８は、支持部材４４と材質が同じ（ステンレス材質）で構成してもよいが特に限定はない。
このように第１対向部材４１ｂが構成されることにより、支持部材４４と材質が同じであって剛性が同じであると仮定される平板部材（図３（ｂ）比較例参照）に対比して、中心軸Ｚ周りの周回方向の電気抵抗が大きくなる。周回方向に流れる電流に直交する第１対向部材４１ａ（面板４８）の断面積のうち最小値を小さくとることができるからである。
これにより、ＭＲＩ装置の動作中に傾斜磁場発生部１３が振動しても第１対向部材４１ｂに発生する渦電流が抑制され、この渦電流により誘導される変動磁場が重畳して、撮像領域Ｒの均一磁場を乱すことがない。
【００３２】
（第４実施形態）
図６を参照して本発明の第４実施形態について説明する。
図６（ａ）は第４実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部３０の中心軸Ｚを含む縦断面図であり、図６（ｂ）は第４実施形態に係るＭＲＩ装置に適用される環状部材５１を分離して示す斜視図である。
なお、本実施形態における構成要素のうち第１実施形態と共通するものに関しては、図中同一の符号を付すとともに、すでにした説明を援用して記載を省略する。
【００３３】
この環状部材５１は、第１対向部材４１、第２対向部材４２及び内側筒４３のうちのいずれかによって支持されるものであって、傾斜磁場発生部１３の外周を囲むように配置されている。また環状部材５１は、支持部材４４の材質よりも電気抵抗率の低い材質からなる。
これにより、ＭＲＩ装置の動作中に傾斜磁場発生部１３からの漏れ磁場が発生すると、環状部材５１に渦電流が発生し、超伝導コイル３１、３２を切る変動磁場が遮蔽され、超伝導コイルに発生する振動電磁力が低減する。反対に、超伝導コイル３１、３２が振動することにより発生する静磁場均一度の乱れを環状部材５１の渦電流磁場によってキャンセルし、撮像領域Ｒの均一磁場を乱すことがない。
【００３４】
以上の説明において、真空容器４０のうち、撮像領域Ｒに対向する対向面を構成する対向部材として、第１対向部材４１，第２対向部材４２のように分けて説明した。しかし、本発明の構成要素である対向部材はこのように分離した構成に限定されるものではなく、一枚板で構成されてもよいし、さらに多段で構成されていてもよい。
また周回方向の電気抵抗が大きくなる構成も、対向部材の一部（第１対向部材４１）においてのみ採用されているわけではなく、対向部材の全般に亘って採用されていてもよく、装置にとって全体最適化が図れるその他の特定の部位に採用されてもよく、係る構成が採用される対向部材の部位は特に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）の実施形態の外観を示す斜視図である。
【図２】第１実施形態に係るＭＲＩ装置の縦断面図である。
【図３】（ａ）は第１実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部を拡大し実施例として示す断面図であり、（ｂ）は対比して説明するための比較例の断面図である。
【図４】（ａ）は第２実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部を拡大して示す断面図であり、（ｂ）は第２実施形態に係るＭＲＩ装置に適用される対向部材を分離して示す斜視図である。
【図５】（ａ）は第３実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部を拡大して示す断面図であり、（ｂ）は第３実施形態に係るＭＲＩ装置に適用される対向部材を分離して示す斜視図である。
【図６】（ａ）は第４実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部を拡大して示す断面図であり、（ｂ）は第４実施形態に係るＭＲＩ装置に適用される環状部材を分離して示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０ ＭＲＩ装置（磁気共鳴イメージング装置）
１３ 傾斜磁場発生部
３０ 静磁場発生部
３１ メインコイル（超電導コイル）
３２ シールドコイル（超電導コイル）
３５ 冷媒容器
４０ 真空容器
４１，４１ａ，４１ｂ 第１対向部材（対向部材）
４２ 第２対向部材（対向部材）
４３ 内側筒
４４ 支持部材
４７ 補強板
４９ 割溝
５１ 環状部材
Ｆ 対向面
Ｌ 冷媒
Ｐ 被検体
Ｒ 撮像領域
Ｕ 収容空間
Ｖ 密閉空間
Ｚ 中心軸
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超電導コイルを循環する永久電流によって、撮像領域に発生させる均一磁場の向きを垂直方向とする磁気共鳴イメージング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気共鳴イメージング装置(以下、ＭＲＩ装置；Magnetic Resonance Imagingという)は、撮像領域に配置される被検体に高周波パルスを照射し、このときに生じる核磁気共鳴現象（以下、ＮＭＲ現象；Nuclear Magnetic Resonanceという）を利用してこの被検体の物理的、化学的性質を表す画像を撮像するものであり、特に、医療用として用いられている。
【０００３】
いわゆる水平磁場型と呼ばれるＭＲＩ装置は、被検体が挿入される水平方向と、撮像領域における均一磁場の方向とが一致するように、複数の超電導コイルを水平方向に並べて収納する円筒形状の真空容器を含む構成となっている。
この水平磁場型のＭＲＩ装置は、一般に、被検体が入る空間が狭く、圧迫感や閉所感を受ける患者（被検体）が、長時間に渡って検査を受けられない問題がある。また、水平磁場型のＭＲＩ装置における被検体の挿入空間が狭いことは、各種オペレーションの自由度が制限される問題がある。
【０００４】
そこで、係る問題を解消する目的で近年普及している垂直磁場型のＭＲＩ装置は、超電導コイルが収納される真空容器を２つに分割して垂直方向に対向させ、二つの真空容器に挟まれる空間に撮像領域を形成し、被検体が挿入される空間が広くなるよう構成されている。
しかし、垂直磁場型のＭＲＩ装置は、二つに分割された真空容器が垂直方向に対向する状態を維持するために、機械的剛性を高くすることが要求される。さらに、撮像領域に傾斜磁場を発生させるためにそれぞれの真空容器に固定される一対の傾斜磁場発生部は、後記するように振動の発生源となり、画像の画質を劣化させる原因になる。
【０００５】
このため、画像の画質向上を図ることを目的とし、撮像領域に形成される均一磁場の安定化を目指し、垂直磁場型のＭＲＩ装置は、機械強度に優れるステンレス材質を多用して剛性を高めた構成をとるとともに、傾斜磁場発生部と真空容器との間に非磁性でかつ導電性の部材を配置して構成されるものがある（例えば、特許文献１）。
この非磁性でかつ導電性の部材は、超伝導コイルが振動することにより生じる均一磁場の乱れを、導電性部材に発生する渦電流によって乱れをキャンセルする磁場を発生させることで、撮像空間に安定な均一磁場を得るものである。
【特許文献１】特表２００２−０７１９４２号公報 図２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ＭＲＩ装置の市場における要請として、撮像領域の均一磁場を高磁場化する要請と、被検体の撮像を高速化する要請とがある。この二つの要請を両立させるとなると、傾斜磁場発生部の振動が激しくなることが避けられない。この振動を抑制するためには、ステンレス材質をさらに多用して、ＭＲＩ装置の剛性をさらに向上させることが考えられる。
しかし、ＭＲＩ装置に、比重の高いステンレス材質が多用されることは、ＭＲＩ装置の重量が大きくなることを招来し、好ましくない。
また、傾斜磁場発生部と真空容器との間に前記したような部材を配置する構成も、所望とする効果を得ようとすると、係る部材が被検体が挿入される空間を広く占有することとなり、好ましくない。
【０００７】
本発明は、係る問題を解決することを課題とし、真空容器が振動したとしても、その真空容器に誘導される渦電流を低減又は不発生とし、撮像領域における静磁場の均一性に影響を与えないＭＲＩ装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために本発明は、磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）において、真空容器が、超電導コイル及び冷媒を収容する冷媒容器を保持するとともに、傾斜磁場発生部を撮像領域に対向するように固定する対向部材により一部が形成され、前記対向部材又は少なくともその一部が、前記支持部材と材質が同じであって剛性が同じであると仮定される平板部材に対比して、周回方向の電気抵抗が大きくなるように構成されていることを特徴とする。
このように発明が構成されることにより、ＭＲＩ装置は、機械的剛性を犠牲にしたり被検体が挿入される空間を狭めたりすることなく、真空容器に渦電流が発生しない構成が達成される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、超電導コイルを循環する永久電流によって、撮像領域に発生させる均一磁場の向きが垂直方向である磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）において、真空容器が振動したとしても、撮像領域における静磁場の均一性に影響を与えないＭＲＩ装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１実施形態）
以下、図面を参照して本発明の第１実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）を説明する。
図１に全体斜視図が示されているようにＭＲＩ装置１０は、一対の静磁場発生部３０，３０が連結部材１２により垂直方向を向く中心軸Ｚが回転対称軸となるように対向して連結され、その間の空間を撮像領域Ｒとして、この撮像領域Ｒを挟むようにして傾斜磁場発生部１３，１３が配置され、さらにこの撮像領域Ｒに被検体Ｐを位置させるためのベッド台Ｄが設けられている。
【００１１】
さらに、ＭＲＩ装置１０は、図示されない構成要素として、被検体ＰにＮＭＲ現象を発現させる共鳴周波数の電磁波を撮像領域Ｒに向けて照射するＲＦ発振部（ＲＦ；Radio Frequency）と、ＮＭＲ現象が発現し水素原子核のスピンの状態が変化する際に放出される応答信号を受信する受信コイルと、これら構成要素を制御する制御装置、受信した信号を処理して解析を行う解析装置とを備えている。
【００１２】
そして、静磁場発生部３０，３０は、撮像領域Ｒに均一な静磁場（均一磁場）を発生させるものであって、傾斜磁場発生部１３,１３は、撮像領域Ｒにおける磁場強度が傾斜するように前記均一磁場に対して傾斜磁場を重畳させるものである。
このように構成されることによりＭＲＩ装置１０は、撮像領域Ｒの関心領域（通常１ｍｍ厚のスライス面）だけにＮＭＲ現象を発現させて、被検体Ｐの断層を画像化するものである。
【００１３】
傾斜磁場発生部１３,１３は、一対の静磁場発生部３０，３０の対向面Ｆにそれぞれ設けられた一対の収容空間Ｕ（図２参照）に配置されている。
この傾斜磁場発生部１３,１３は、ＭＲＩ装置１０の動作時に撮像領域Ｒの直交する三方向に対し、任意に切り替えて、傾斜磁場を重畳させるものである（図２で示す矢印は、中心軸Ｚ方向に直交する一方向に重畳された傾斜磁場の方向と強さの例を示している）。このように撮像領域Ｒにおける磁場の強度が、直交する三方向に任意に切り替わって傾斜することにより、ＮＭＲ現象が発現する三次元位置が明らかになる。
【００１４】
この傾斜磁場発生部１３,１３は、前記した直交する三方向の傾斜磁場を付与するためそれぞれ別個に設けられるメイン傾斜磁場コイル（図示せず）と、外部への漏洩磁場を抑えるためにそれぞれの前記メインコイルに対応して設けられるシールド傾斜磁場コイル（図示せず）とから構成されている（以下、メイン傾斜磁場コイル及びシールド傾斜磁場コイルを特に区別せずに傾斜磁場コイルと言う）。
【００１５】
これら傾斜磁場コイル（図示せず）には、傾斜磁場が三方向に任意に切り替わるように、それぞれにパルス状の電流が通電される。このため、傾斜磁場コイルに通電される電流と、静磁場発生部３０，３０から発生する静磁場との間に電磁力が発生する。
この発生した電磁力は、傾斜磁場発生部１３,１３を水平方向及び垂直方向に、前記パルスに対応した周波数の振動力となる。
【００１６】
このため、傾斜磁場発生部１３,１３は、ＭＲＩ装置１０にとって、前記したように振動源になる場合がある。よって、傾斜磁場発生部１３,１３を真空容器４０に固定する固定脚３４は、発生した振動力が、真空容器４０に伝播するのを極力排除できる構成となるようにする。しかし、排除されずに真空容器４０に伝播してしまった振動は、後記するように、撮像領域Ｒの磁場の均一性を乱し、画像の劣化の原因となる。
【００１７】
静磁場発生部３０は、図２に示されるように、真空容器４０の内側の密閉空間Ｖに、冷媒容器３５が固定部材３３を介して保持されている。そして、この冷媒容器３５には、冷媒Ｌとともにメインコイル３１及びシールドコイル３２が収容されている。
なお、図示しない輻射板が、真空容器４０と冷媒容器３５との間に設けられ、真空容器４０から冷媒容器３５に向かう熱輻射が遮蔽される。また、図示しない強磁性体（鉄など）を、中心軸Ｚと同軸に適宜配置して、撮像領域Ｒに磁力線をさらに誘導し、均一磁場の強度を増幅させる場合もある。
【００１８】
メインコイル３１は、永久電流が所定の方向（順方向）に循環して撮像領域Ｒに計測用の均一磁場を生成させる超電導コイルであって、中心軸Ｚを中心として配置されるコイルボビン（図示せず）に超電導線材を巻回して構成される。
ここで、超電導コイルとは、冷媒容器３５に充填されている冷媒Ｌ（例えば、液体ヘリウム）により臨界温度より低温に冷却されると常電導状態から超電導状態に転移して電気抵抗がゼロとなるものであって、環状の電流が減衰することなく永久に循環するものである。
【００１９】
シールドコイル３２は、メインコイル３１と中心軸Ｚを共有するようにコイルボビン（図示せず）に巻回されている。そして、シールドコイル３２には、メインコイル３１に流れる順方向とは逆方向に環状の永久電流が流れている。
一般に、シールドコイル３２は、撮像領域Ｒからの距離がメインコイル３１よりも遠い位置に配置され、ＭＲＩ装置１０の外部に漏洩する不要な静磁場を打ち消すように作用するものである。
【００２０】
冷媒容器３５は、メインコイル３１及びシールドコイル３２を超電導現象が発現する臨界温度以下の温度に保つ冷媒Ｌ（液体ヘリウム）とこれら超電導コイルとを少なくとも収容するものである。このメインコイル３１及びシールドコイル３２は、図示しない部材により冷媒容器３５の内側に固定されている。
なお、前記した図示しない強磁性体は、冷媒容器３５の内部に冷媒Ｌとともに収容される場合もあるし、冷媒容器３５の外部でかつ真空容器４０の内部となるように収容される場合もある。
【００２１】
固定部材３３は、真空容器４０の外側からの熱伝導による冷媒容器３５の温度上昇を防止するため、真空容器４０と冷媒容器３５とを断熱的に固定するものである。
ところで、固定部材３３は、真空容器４０から冷媒容器３５に向かう熱抵抗を大きくするために、一般に細長い形状をとることが望ましい。しかし、このような細長い形状は、固定部材３３にとって、機械的な剛性が低下することとなる。
このように、真空容器４０に対して超電導コイル３１，３２を支持する固定部材３３の剛性が低いことは、外力が作用すると超電導コイル３１，３２は撮像領域Ｒに対し容易に変位してしまうことになる。
従って、本発明に係るＭＲＩ装置１０の特徴として、後記するように、そのような外力（具体的には傾斜磁場コイル１３から発生する不要な漏れ磁場）が超電導コイル３１，３２に付与されることを防止する構成が求められる。
【００２２】
真空容器４０は、図３（ａ）にその部分拡大断面図が示されるように、支持部材４４、第１対向部材４１、第２対向部材４２及び内側筒４３により、真空状態に保たれる密閉空間Ｖが構成されている。このように構成される真空容器４０は、固定部材３３を介して冷媒容器３５を保持するものであって、伝導および対流による冷媒容器３５への熱侵入を防止するものである。
支持部材４４は、ステンレス材質などの非磁性体でかつ弾性率の高い材質で構成されており、ＭＲＩ装置の各種構成要素（冷媒容器３５等）を支持する基盤となる。なお、図示しないが、連結部材１２（図１参照）の両端は、この支持部材４４に接続することにより、天地方向に配置される一対の静磁場発生部３０，３０を支持している。
【００２３】
第１対向部材４１は、真空容器４０の撮像領域Ｒに対向する対向面の一部を構成するものであって、平面視がドーナツ形状であるその外周縁と支持部材４４とが密閉状態で接合するものである。この第１対向部材４１は、支持部材４４の材質よりも電気抵抗率の高い材質、具体的には、支持部材４４がステンレス材質であるとして、チタン、ニクロムなどの低導電性金属材料、又はガラス繊維強化樹脂、セラミックスなどの絶縁材料から構成される。
このように構成されることにより、第１対向部材４１は、中心軸Ｚ周りの周回方向の電気抵抗が大きくなる構成となる。
【００２４】
第２対向部材４２は、傾斜磁場発生部１３が撮像領域Ｒに対向するように固定される真空容器４０の対向面の一部である。この第２対向部材４２は、その外周縁が、円筒形状の内側筒４３の一方の縁端に接続し、内側筒４３の他方の縁端が、第１対向部材４１の平面視がドーナツ形状の内周縁に接続している。このように第２対向部材４２は、第１対向部材４１に段差するように接合し、傾斜磁場発生部１３が収容される収容空間Ｕを形成している。
なお、第２対向部材４２及び内側筒４３においても、第１対向部材４１と同様に周回方向の電気抵抗が大きくなる構成が施されていてもよい。しかし、第２対向部材４２及び内側筒４３を支持部材４４と同じステンレス材質で構成したとしても、次に説明するような渦電流が発生しても撮像領域Ｒに与えられる変動磁場の影響は小さいと考えられる。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示す比較例を参照しつつ、図３（ａ）に示す実施例における作用を説明する。
図３（ｂ）に示す比較例は、実施例（図３（ａ））の第１対向部材４１に対応する部位（対向面Ｆ´）が、支持部材４４と材質が同じ（比較例の場合、ステンレス材質）であって剛性が第１対向部材４１と同じであると仮定される平板部材で構成されている場合を示している。
係る平板部材と対比して、第１対向部材４１は、周回方向の電気抵抗が大きくなるように構成される点において、両者は相違している。
【００２６】
傾斜磁場発生部１３は、前記したように振動源であるため、図３（ｂ）に誇張して示されるように、発生した振動が真空容器４０´に伝播すると、その対向面Ｆ´を揺らす。この揺らされる対向面Ｆ´を構成する平板部材は、電気的に良導性であるステンレス材質であるために、その内部に渦電流が発生する。
このようにして、比較例で示される真空容器４０´の対向面Ｆ´を構成する平板部材に発生した渦電流は、新たな変動磁場Ｂ（図中二点鎖線で表示）を誘導する。
この変動磁場Ｂは、超電導コイル３１，３２が形成する均一磁場に重畳して、撮像領域Ｒにおける磁場の均一性を乱し、撮像される画像が劣化する。
【００２７】
一方、図３（ａ）に示される実施例では、傾斜磁場発生部１３が揺れても第１対向部材４１には、渦電流が発生しないので、撮像領域Ｒに形成されている均一磁場に変動磁場Ｂが重畳することもなく、撮像領域Ｒに形成される均一磁場が乱れることもない。
【００２８】
（第２実施形態）
図４を参照して本発明の第２実施形態について説明する。
図４（ａ）は第２実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部３０の中心軸Ｚを含む縦断面図であり、図４（ｂ）は第２実施形態に係るＭＲＩ装置に適用される第１対向部材４１ａを分離して示す斜視図である。
なお、本実施形態における構成要素のうち第１実施形態と共通するものに関しては、図中同一の符号を付すとともに、すでにした説明を援用して記載を省略する。
【００２９】
この第１対向部材４１ａは、撮像領域Ｒ側に対向する面板４６の表面に、放射状に並んで配置される複数の補強板４７が設けられている。
ここで、面板４６は、前記したような支持部材４４の材質よりも電気抵抗率の高い材質で構成されていてもよいが、板厚を薄くして支持部材４４と同じ材質（ステンレス材質）で構成されてもよい。
このように第１対向部材４１ａが構成されることにより、支持部材４４と材質が同じであって剛性が同じであると仮定される平板部材（図３（ｂ）比較例参照）に対比して、中心軸Ｚ周りの周回方向の電気抵抗が大きくなる。周回方向に流れる電流に直交する第１対向部材４１ａ（面板４６）の断面積を小さくすることができるからである。
これにより、ＭＲＩ装置１０（図１参照）の動作中に傾斜磁場発生部１３が振動しても第１対向部材４１ａに発生する渦電流が抑制され、この渦電流により誘導される変動磁場が重畳して、撮像領域Ｒの均一磁場を乱すことがない。
【００３０】
（第３実施形態）
図５を参照して本発明の第３実施形態について説明する。
図５（ａ）は第３実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部３０の中心軸Ｚを含む縦断面図であり、図５（ｂ）は第３実施形態に係るＭＲＩ装置に適用される第１対向部材４１ｂを分離して示す斜視図である。
なお、本実施形態における構成要素のうち第１実施形態と共通するものに関しては、図中同一の符号を付すとともに、すでにした説明を援用して記載を省略する。
【００３１】
この第１対向部材４１ｂは、撮像領域Ｒ側に対向する面板４８の表面に、放射状に並んで刻まれる複数の割溝４９が設けられている。
ここで、面板４８は、支持部材４４と材質が同じ（ステンレス材質）で構成してもよいが特に限定はない。
このように第１対向部材４１ｂが構成されることにより、支持部材４４と材質が同じであって剛性が同じであると仮定される平板部材（図３（ｂ）比較例参照）に対比して、中心軸Ｚ周りの周回方向の電気抵抗が大きくなる。周回方向に流れる電流に直交する第１対向部材４１ａ（面板４８）の断面積のうち最小値を小さくとることができるからである。
これにより、ＭＲＩ装置の動作中に傾斜磁場発生部１３が振動しても第１対向部材４１ｂに発生する渦電流が抑制され、この渦電流により誘導される変動磁場が重畳して、撮像領域Ｒの均一磁場を乱すことがない。
【００３２】
（第４実施形態）
図６を参照して本発明の第４実施形態について説明する。
図６（ａ）は第４実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部３０の中心軸Ｚを含む縦断面図であり、図６（ｂ）は第４実施形態に係るＭＲＩ装置に適用される環状部材５１を分離して示す斜視図である。
なお、本実施形態における構成要素のうち第１実施形態と共通するものに関しては、図中同一の符号を付すとともに、すでにした説明を援用して記載を省略する。
【００３３】
この環状部材５１は、第１対向部材４１、第２対向部材４２及び内側筒４３のうちのいずれかによって支持されるものであって、傾斜磁場発生部１３の外周を囲むように配置されている。また環状部材５１は、支持部材４４の材質よりも電気抵抗率の低い材質からなる。
これにより、ＭＲＩ装置の動作中に傾斜磁場発生部１３からの漏れ磁場が発生すると、環状部材５１に渦電流が発生し、超伝導コイル３１、３２を切る変動磁場が遮蔽され、超伝導コイルに発生する振動電磁力が低減する。反対に、超伝導コイル３１、３２が振動することにより発生する静磁場均一度の乱れを環状部材５１の渦電流磁場によってキャンセルし、撮像領域Ｒの均一磁場を乱すことがない。
【００３４】
以上の説明において、真空容器４０のうち、撮像領域Ｒに対向する対向面を構成する対向部材として、第１対向部材４１，第２対向部材４２のように分けて説明した。しかし、本発明の構成要素である対向部材はこのように分離した構成に限定されるものではなく、一枚板で構成されてもよいし、さらに多段で構成されていてもよい。
また周回方向の電気抵抗が大きくなる構成も、対向部材の一部（第１対向部材４１）においてのみ採用されているわけではなく、対向部材の全般に亘って採用されていてもよく、装置にとって全体最適化が図れるその他の特定の部位に採用されてもよく、係る構成が採用される対向部材の部位は特に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）の実施形態の外観を示す斜視図である。
【図２】第１実施形態に係るＭＲＩ装置の縦断面図である。
【図３】（ａ）は第１実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部を拡大し実施例として示す断面図であり、（ｂ）は対比して説明するための比較例の断面図である。
【図４】（ａ）は第２実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部を拡大して示す断面図であり、（ｂ）は第２実施形態に係るＭＲＩ装置に適用される対向部材を分離して示す斜視図である。
【図５】（ａ）は第３実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部を拡大して示す断面図であり、（ｂ）は第３実施形態に係るＭＲＩ装置に適用される対向部材を分離して示す斜視図である。
【図６】（ａ）は第４実施形態に係るＭＲＩ装置の静磁場発生部を拡大して示す断面図であり、（ｂ）は第４実施形態に係るＭＲＩ装置に適用される環状部材を分離して示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０ ＭＲＩ装置（磁気共鳴イメージング装置）
１３ 傾斜磁場発生部
３０ 静磁場発生部
３１ メインコイル（超電導コイル）
３２ シールドコイル（超電導コイル）
３５ 冷媒容器
４０ 真空容器
４１，４１ａ，４１ｂ 第１対向部材（対向部材）
４２ 第２対向部材（対向部材）
４３ 内側筒
４４ 支持部材
４７ 補強板
４９ 割溝
５１ 環状部材
Ｆ 対向面
Ｌ 冷媒
Ｐ 被検体
Ｒ 撮像領域
Ｕ 収容空間
Ｖ 密閉空間
Ｚ 中心軸
【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久電流を超電導コイルに循環させて撮像領域に均一磁場を発生させる一対の静磁場発生部と、前記撮像領域に傾斜磁場を発生させる一対の傾斜磁場発生部と、を備える磁気共鳴イメージング装置において、
前記静磁場発生部は、
前記超電導コイル及びこの超電導コイルを冷却する冷媒を少なくとも収容する冷媒容器と、
前記傾斜磁場発生部を前記撮像領域に対向するように固定する対向部材及び支持部材により少なくとも形成されるとともに前記冷媒容器を真空状態で保持する真空容器と、を有し、
前記対向部材又は少なくともその一部が、前記支持部材と材質が同じであって剛性が同じであると仮定される平板部材に対比して、周回方向の電気抵抗が大きくなるように構成されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記対向部材の一部であって前記支持部材に接続する第１対向部材と、前記傾斜磁場発生部が固定される第２対向部材と、が段差して形成される収容空間に前記傾斜磁場発生部が収容され、
前記第１対向部材において、前記周回方向の電気抵抗が大きくなる構成が施されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記周回方向の電気抵抗が大きくなる構成とは、
前記対向部材又は少なくともその一部が、前記支持部材の材質よりも電気抵抗率の高い材質からなることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記周回方向の電気抵抗が大きくなる構成とは、
前記対向部材又は少なくともその一部の表面に、放射状に並んで配置される複数の補強板が設けられてなることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記周回方向の電気抵抗が大きくなる構成とは、
前記対向部材又は少なくともその一部の表面に、放射状に並んで刻まれる複数の割溝が設けられてなることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記対向部材には、前記傾斜磁場発生部の外周を囲むように、前記支持部材の材質よりも電気抵抗率の低い材質からなる環状部材が設けられていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１】
永久電流を超電導コイルに循環させて撮像領域に均一磁場を発生させる一対の静磁場発生部と、前記撮像領域に傾斜磁場を発生させる一対の傾斜磁場発生部と、を備える磁気共鳴イメージング装置において、
前記静磁場発生部は、
前記超電導コイル及びこの超電導コイルを冷却する冷媒を少なくとも収容する冷媒容器と、
前記傾斜磁場発生部を前記撮像領域に対向するように固定する対向部材及び支持部材により少なくとも形成されるとともに前記冷媒容器を真空状態で保持する真空容器と、を有し、
前記対向部材又は少なくともその一部が、前記支持部材と材質が同じであって剛性が同じであると仮定される平板部材に対比して、周回方向の電気抵抗が大きくなるように構成されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記対向部材の一部であって前記支持部材に接続する第１対向部材と、前記傾斜磁場発生部が固定される第２対向部材と、が段差して形成される収容空間に前記傾斜磁場発生部が収容され、
前記第１対向部材において、前記周回方向の電気抵抗が大きくなる構成が施されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記周回方向の電気抵抗が大きくなる構成とは、
前記対向部材又は少なくともその一部が、前記支持部材の材質よりも電気抵抗率の高い材質からなることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記周回方向の電気抵抗が大きくなる構成とは、
前記対向部材又は少なくともその一部の表面に、放射状に並んで配置される複数の補強板が設けられてなることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記周回方向の電気抵抗が大きくなる構成とは、
前記対向部材又は少なくともその一部の表面に、放射状に並んで刻まれる複数の割溝が設けられてなることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記対向部材には、前記傾斜磁場発生部の外周を囲むように、前記支持部材の材質よりも電気抵抗率の低い材質からなる環状部材が設けられていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−１２５８９５（Ｐ２００８−１２５８９５Ａ）
【公開日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３１５９１２（Ｐ２００６−３１５９１２）
【出願日】平成１８年１１月２２日（２００６．１１．２２）
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【出願人】（０００１５３４９８）株式会社日立メディコ (1,613)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月２２日（２００６．１１．２２）
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【出願人】（０００１５３４９８）株式会社日立メディコ (1,613)
【Ｆターム（参考）】
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