素子実装用基板
【課題】 実装による接続性を良好な状態に保ちながら、放熱性を改善した素子実装用基板を提供することにある。
【解決手段】 この素子実装用基板１０は、基板１１と配線パターン１２とを有している。配線パターン１２は、基板１１上に形成された高い熱伝導率を有する下地金属層１３と、その上に形成された硬質金属層１４と、下地金属層１３及び硬質金属層１４の上に形成された高い熱伝導率を有する表面金属層１５とから構成されている。硬度が高い硬質金属層１４は、配線パターン１２における素子１６に接続するバンプ１７又はワイヤー２７の実装ポイントＰにのみ配置されている。実装ポイントＰにのみ硬質金属層１４を設けることで、実装ポイントＰにおける半田バリアあるいは実装時の超音波の伝わりを良好にしている。
【解決手段】 この素子実装用基板１０は、基板１１と配線パターン１２とを有している。配線パターン１２は、基板１１上に形成された高い熱伝導率を有する下地金属層１３と、その上に形成された硬質金属層１４と、下地金属層１３及び硬質金属層１４の上に形成された高い熱伝導率を有する表面金属層１５とから構成されている。硬度が高い硬質金属層１４は、配線パターン１２における素子１６に接続するバンプ１７又はワイヤー２７の実装ポイントＰにのみ配置されている。実装ポイントＰにのみ硬質金属層１４を設けることで、実装ポイントＰにおける半田バリアあるいは実装時の超音波の伝わりを良好にしている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ等の素子を実装する基板に関するものであり、特に、バンプの接続性又はワイヤーのボンディング性を良好な状態で保ちながら、放熱性を向上した素子実装用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の実装用基板としては、図４に示すように、チップ部品５を良好に実装するため、基板１の表面に銅メッキ層２、ニッケルメッキ層３、金メッキ層４が積層されて設けられていた。銅メッキ層２は、基板１の表面に設けられる線路として形成されており、ニッケルメッキ層３と金メッキ層４は、銅メッキ層２上のトランジスタチップ等のチップ部品５を実装する領域全体に形成されていた（例えば、特許文献１、図２参照）。上記従来の実装用基板では、実装領域以外をレジスト膜６で覆うことで、実装領域全体にニッケルメッキ層３と金メッキ層４を形成していた。
【０００３】
上記従来の実装用基板におけるチップ部品５は、ニッケルメッキ層３と金メッキ層４が設けられた実装領域内に実装されていた。このため、チップ部品５が発する熱は、金メッキ層４からニッケルメッキ層３に伝わることになるが、ニッケルの熱伝導率が金や銅に比べて非常に低いため、金メッキ層４からニッケルメッキ層３には熱が殆んど伝わらない。しかも、この従来技術では、金メッキ層４を設ける部分が限られて面積が小さくなり、熱の移動をより困難にしていた。このように従来の実装用基板では、放熱性が悪いという問題があった。
【０００４】
近年、上記のように実装される素子には、大電流を流すことが多く、例えば、ＬＥＤ素子の場合、照明用として使用するときにより明るく発光させるため、以前よりも大きい電流を流している。このように素子に大電流を流すと、素子の発熱量が増し、効率良く放熱しないと素子の能力低下や損傷を招くことになる。従って、良好な実装を行うと同時に、実装部周辺の放熱性を向上させることが必要であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２１３７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、上記従来技術の問題点を解決し、実装による接続性を良好な状態に保ちながら、放熱性を改善した素子実装用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の素子実装用基板は、基板と、該基板の素子実装面上に形成された配線パターンとを有し、その配線パターンにおける素子に接続するバンプ又はワイヤーの実装ポイントにのみ硬度が高い硬質金属層を配置したものである。実装ポイントにのみ硬質金属層を設けることで、実装ポイントにおける半田バリアあるいは実装時の超音波の伝わりを良好にしている。
【０００８】
配線パターンは、基板の素子実装面上に形成された高い熱伝導率を有する下地金属層と、その上に形成された硬質金属層と、下地金属層及び硬質金属層の上に形成された高い熱伝導率を有する表面金属層とから構成されている。また、この下地金属層及び硬質金属層はそれぞれ銅とニッケルからなり、表面金属層は金又は銀からなる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の素子実装用基板では、基板上の配線パターンにおけるバンプ又はワイヤーの実装ポイントにのみ硬度が高いニッケルからなる硬質金属層を設けている。これにより、配線パターンは実装ポイントを除くほぼ全域が熱伝導率の高い銅や金等からなる下地金属層と表面金属層で構成され、この配線パターン上に実装された素子が発する熱を表面金属層から下地金属層へ広く直接伝えて放熱することができる。
【００１０】
また、素子に接続するバンプ又はワイヤーの実装ポイントには、硬度が高い硬質金属層を設けているので、柔らかい金あるいは銅等からなる表面金属層と下地金属層に比べて超音波の伝わりが良い。これにより、超音波を用いたボンディングによる実装がし易く、実装による接続性を良好に保つことができる。
【００１１】
また、素子のバンプとして金バンプだけでなく半田バンプを用いた場合であっても、硬質金属層が半田バリアとなって、表面金属層や下地金属層としての金や銅が半田に大量に溶け込む金食われや銅食われの発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施例に係る素子実装用基板を示す断面図である。
【図２】図１に示す素子実装用基板をワイヤーボンディングに対応するように変更した変形例を示す断面図である。
【図３】図２に示す素子実装用基板のワイヤーの実装ポイントを示す拡大断面図である。
【図４】従来の素子実装用基板の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は本発明の一実施例に係る素子実装用基板の断面図である。この実施例に係る素子実装用基板１０は、基板１１と、その基板１１上に設けられた配線パターン１２とを有している。基板１１は、アルミニウム、アルミナ等を主成分とするセラミック、有機材料等からなる。
【００１４】
配線パターン１２は、基板１１上に実装される素子１６をマザーボード（図示せず）等に設けられた回路や電源に接続するものであり、素子１６を実装する素子実装面１１a上に設けられている。この配線パターン１２は、下地金属層１３と、硬質金属層１４と、表面金属層１５とから構成されている。
【００１５】
下地金属層１３は、例えば銅からなり、基板１１の素子実装面１１a上に形成されている。硬質金属層１４は、例えばニッケルからなり、下地金属層１３の上で且つ素子１６を固着接続するバンプ１７が表面金属層１５に接触接合される実装ポイントＰに形成されている。表面金属層１５は、例えば金又は銀からなり、下地金属層１３に沿って下地金属層１３及び硬質金属層１４を覆うように形成されている。
【００１６】
実装ポイントＰは、バンプ１７が配線パターン１２に接触接合される地点であり、実装する際に球状、凸状等をなすバンプ１７のほぼ直径に相当する。従って、配線パターン１２における硬質金属層１４は、バンプ１７の直径と同じかあるいは直径よりやや大きい円形あるいは矩形をなすように形成される。バンプ１７は、金、半田等からなり、１０〜１００μｍの高さ（直径）を有するため、硬質金属層１４はこのバンプ１７に対応する大きさに形成される。
【００１７】
上記素子実装用基板１０にＬＥＤ等の素子１６を実装すると、バンプ１７が接合される実装ポイントＰには、表面金属層１５の下に硬質金属層１４が配置されている。これにより、実装ポイントＰに超音波を印加すると、ニッケルからなる硬質金属層１４によって超音波が確実に実装ポイントＰに受け止められ、バンプ１７が接合される。
【００１８】
また、バンプ１７として半田バンプを用いた場合、実装時に金又は銀からなる表面金属層１５の一部がバンプ１７に取り込まれても、硬質金属層１４が半田バリアとなって周辺の表面金属層１５や銅からなる下地金属層１３が取り込まれる金食われあるいは銅食われを防ぐことができる。
【００１９】
上記のように基板１１の配線パターン１２上に素子１６が実装されると、その素子１６が発する熱は、配線パターン１２の表面金属層１５からその表面金属層１５に広く直接接触している下地金属層１３へと直ぐに伝導する。このときに硬質金属層１４は、バンプ１７の実装ポイントＰにのみ形成されているため、表面金属層１５から下地金属層１３への熱の移動を妨げることがない。
【００２０】
本実施例においては、表面金属層１５が金（熱伝導率３１７W/(m・k)）、硬質金属層１４がニッケル（熱伝導率９０．７W/(m・k)）、下地金属層１３が銅（熱伝導率４０１W/(m・k)）であるため、熱伝導率が低い硬質金属層１４があっても、熱伝導率が高い表面金属層１５から下地金属層１３へ素子１６で発生した熱が容易に伝わり、極めて放熱性に優れた構造となる。
【００２１】
なお、アルミニウム（熱伝導率２３７W/(m・k)）を主成分とする基板１１の場合には、素子１６から下地金属層１３に移動された熱を更に移動して放熱することが可能であるがアルミナ（熱伝導率２０〜３０W/(m・k)）を主成分とする基板１１の場合には、熱の移動が期待できないため、配線パターン１２による熱の移動と放熱が極めて重要となる。従って、本実施例の素子実装用基板１０のように、配線パターン１２による熱の移動が優れているものでは、基板１１の材質にかかわらず放熱性を向上させることが可能である。
【００２２】
図２は図１に示す素子実装用基板１０をワイヤーボンディングに対応するように変更した変形例を示す断面図であり、図３はその拡大断面図である。図２及び図３に示す素子実装用基板２０は、基本的な構成、即ち基板１１、下地金属層１３、硬質金属層１４及び表面金属層１５の材質及びそれらを設けることに関しては図１に示した素子実装用基板１０と同様である。したがって、同様の構成には同一の符号を付すことによって、詳細な説明を省略する。
【００２３】
この変形例において、素子実装用基板２０における硬質金属層１４は、素子２６をワイヤーボンディングする金線等からなるワイヤー２７を接合する実装ポイントＰのみに設けられている。このため、配線パターン１２における素子２６をダイボンディングする部分は、下地金属層１３と表面金属層１５だけが積層された構造となっている。
【００２４】
この素子実装用基板２０における硬質金属層１４は、図３に示すように、ワイヤー２７がボンディングされる実装ポイントＰに対応する大きさ及び形状に形成されている。このワイヤー２７は、１０〜３０μｍの線径を有する金線を素子２６の電極に接合した後、キャピラリ（図示せず）で延伸すると共にキャピラリ先端で加圧し且つ超音波を印加することで配線パターン１２に接合される。このため、ワイヤー２７の実装ポイントＰは、ワイヤー２７が接合するときに潰れて線径よりもわずかに大きくなる。これに対応して、硬質金属層１４は、ワイヤー２７の線径よりわずかに大きい円形、矩形等に形成され、これにより実装ポイントＰをカバーするように設定されている。このように硬質金属層１４を形成することで、実装時の超音波の伝導を良くすることができる。
【００２５】
また、この素子実装用基板２０では、配線パターン１２における素子２６がダイボンディングされる部分に熱伝導率が低い硬質金属層１４がないので、素子２６が発する熱を熱伝導率が高い表面金属層１５から同じく熱伝導率が高い下地金属層１３へ直ぐに伝導させて放熱することができる。
【符号の説明】
【００２６】
１，１１ 基板
２ 銅メッキ層
３ ニッケルメッキ層
４ 金メッキ層
５ チップ部品
６ レジスト膜
１０，２０ 素子実装用基板
１１ａ 素子実装面
１２ 配線パターン
１３ 下地金属層
１４ 硬質金属層
１５ 表面金属層
１６，２６ 素子
１７ バンプ
２７ ワイヤー
Ｐ 実装ポイント
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ等の素子を実装する基板に関するものであり、特に、バンプの接続性又はワイヤーのボンディング性を良好な状態で保ちながら、放熱性を向上した素子実装用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の実装用基板としては、図４に示すように、チップ部品５を良好に実装するため、基板１の表面に銅メッキ層２、ニッケルメッキ層３、金メッキ層４が積層されて設けられていた。銅メッキ層２は、基板１の表面に設けられる線路として形成されており、ニッケルメッキ層３と金メッキ層４は、銅メッキ層２上のトランジスタチップ等のチップ部品５を実装する領域全体に形成されていた（例えば、特許文献１、図２参照）。上記従来の実装用基板では、実装領域以外をレジスト膜６で覆うことで、実装領域全体にニッケルメッキ層３と金メッキ層４を形成していた。
【０００３】
上記従来の実装用基板におけるチップ部品５は、ニッケルメッキ層３と金メッキ層４が設けられた実装領域内に実装されていた。このため、チップ部品５が発する熱は、金メッキ層４からニッケルメッキ層３に伝わることになるが、ニッケルの熱伝導率が金や銅に比べて非常に低いため、金メッキ層４からニッケルメッキ層３には熱が殆んど伝わらない。しかも、この従来技術では、金メッキ層４を設ける部分が限られて面積が小さくなり、熱の移動をより困難にしていた。このように従来の実装用基板では、放熱性が悪いという問題があった。
【０００４】
近年、上記のように実装される素子には、大電流を流すことが多く、例えば、ＬＥＤ素子の場合、照明用として使用するときにより明るく発光させるため、以前よりも大きい電流を流している。このように素子に大電流を流すと、素子の発熱量が増し、効率良く放熱しないと素子の能力低下や損傷を招くことになる。従って、良好な実装を行うと同時に、実装部周辺の放熱性を向上させることが必要であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２１３７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、上記従来技術の問題点を解決し、実装による接続性を良好な状態に保ちながら、放熱性を改善した素子実装用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の素子実装用基板は、基板と、該基板の素子実装面上に形成された配線パターンとを有し、その配線パターンにおける素子に接続するバンプ又はワイヤーの実装ポイントにのみ硬度が高い硬質金属層を配置したものである。実装ポイントにのみ硬質金属層を設けることで、実装ポイントにおける半田バリアあるいは実装時の超音波の伝わりを良好にしている。
【０００８】
配線パターンは、基板の素子実装面上に形成された高い熱伝導率を有する下地金属層と、その上に形成された硬質金属層と、下地金属層及び硬質金属層の上に形成された高い熱伝導率を有する表面金属層とから構成されている。また、この下地金属層及び硬質金属層はそれぞれ銅とニッケルからなり、表面金属層は金又は銀からなる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の素子実装用基板では、基板上の配線パターンにおけるバンプ又はワイヤーの実装ポイントにのみ硬度が高いニッケルからなる硬質金属層を設けている。これにより、配線パターンは実装ポイントを除くほぼ全域が熱伝導率の高い銅や金等からなる下地金属層と表面金属層で構成され、この配線パターン上に実装された素子が発する熱を表面金属層から下地金属層へ広く直接伝えて放熱することができる。
【００１０】
また、素子に接続するバンプ又はワイヤーの実装ポイントには、硬度が高い硬質金属層を設けているので、柔らかい金あるいは銅等からなる表面金属層と下地金属層に比べて超音波の伝わりが良い。これにより、超音波を用いたボンディングによる実装がし易く、実装による接続性を良好に保つことができる。
【００１１】
また、素子のバンプとして金バンプだけでなく半田バンプを用いた場合であっても、硬質金属層が半田バリアとなって、表面金属層や下地金属層としての金や銅が半田に大量に溶け込む金食われや銅食われの発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施例に係る素子実装用基板を示す断面図である。
【図２】図１に示す素子実装用基板をワイヤーボンディングに対応するように変更した変形例を示す断面図である。
【図３】図２に示す素子実装用基板のワイヤーの実装ポイントを示す拡大断面図である。
【図４】従来の素子実装用基板の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は本発明の一実施例に係る素子実装用基板の断面図である。この実施例に係る素子実装用基板１０は、基板１１と、その基板１１上に設けられた配線パターン１２とを有している。基板１１は、アルミニウム、アルミナ等を主成分とするセラミック、有機材料等からなる。
【００１４】
配線パターン１２は、基板１１上に実装される素子１６をマザーボード（図示せず）等に設けられた回路や電源に接続するものであり、素子１６を実装する素子実装面１１a上に設けられている。この配線パターン１２は、下地金属層１３と、硬質金属層１４と、表面金属層１５とから構成されている。
【００１５】
下地金属層１３は、例えば銅からなり、基板１１の素子実装面１１a上に形成されている。硬質金属層１４は、例えばニッケルからなり、下地金属層１３の上で且つ素子１６を固着接続するバンプ１７が表面金属層１５に接触接合される実装ポイントＰに形成されている。表面金属層１５は、例えば金又は銀からなり、下地金属層１３に沿って下地金属層１３及び硬質金属層１４を覆うように形成されている。
【００１６】
実装ポイントＰは、バンプ１７が配線パターン１２に接触接合される地点であり、実装する際に球状、凸状等をなすバンプ１７のほぼ直径に相当する。従って、配線パターン１２における硬質金属層１４は、バンプ１７の直径と同じかあるいは直径よりやや大きい円形あるいは矩形をなすように形成される。バンプ１７は、金、半田等からなり、１０〜１００μｍの高さ（直径）を有するため、硬質金属層１４はこのバンプ１７に対応する大きさに形成される。
【００１７】
上記素子実装用基板１０にＬＥＤ等の素子１６を実装すると、バンプ１７が接合される実装ポイントＰには、表面金属層１５の下に硬質金属層１４が配置されている。これにより、実装ポイントＰに超音波を印加すると、ニッケルからなる硬質金属層１４によって超音波が確実に実装ポイントＰに受け止められ、バンプ１７が接合される。
【００１８】
また、バンプ１７として半田バンプを用いた場合、実装時に金又は銀からなる表面金属層１５の一部がバンプ１７に取り込まれても、硬質金属層１４が半田バリアとなって周辺の表面金属層１５や銅からなる下地金属層１３が取り込まれる金食われあるいは銅食われを防ぐことができる。
【００１９】
上記のように基板１１の配線パターン１２上に素子１６が実装されると、その素子１６が発する熱は、配線パターン１２の表面金属層１５からその表面金属層１５に広く直接接触している下地金属層１３へと直ぐに伝導する。このときに硬質金属層１４は、バンプ１７の実装ポイントＰにのみ形成されているため、表面金属層１５から下地金属層１３への熱の移動を妨げることがない。
【００２０】
本実施例においては、表面金属層１５が金（熱伝導率３１７W/(m・k)）、硬質金属層１４がニッケル（熱伝導率９０．７W/(m・k)）、下地金属層１３が銅（熱伝導率４０１W/(m・k)）であるため、熱伝導率が低い硬質金属層１４があっても、熱伝導率が高い表面金属層１５から下地金属層１３へ素子１６で発生した熱が容易に伝わり、極めて放熱性に優れた構造となる。
【００２１】
なお、アルミニウム（熱伝導率２３７W/(m・k)）を主成分とする基板１１の場合には、素子１６から下地金属層１３に移動された熱を更に移動して放熱することが可能であるがアルミナ（熱伝導率２０〜３０W/(m・k)）を主成分とする基板１１の場合には、熱の移動が期待できないため、配線パターン１２による熱の移動と放熱が極めて重要となる。従って、本実施例の素子実装用基板１０のように、配線パターン１２による熱の移動が優れているものでは、基板１１の材質にかかわらず放熱性を向上させることが可能である。
【００２２】
図２は図１に示す素子実装用基板１０をワイヤーボンディングに対応するように変更した変形例を示す断面図であり、図３はその拡大断面図である。図２及び図３に示す素子実装用基板２０は、基本的な構成、即ち基板１１、下地金属層１３、硬質金属層１４及び表面金属層１５の材質及びそれらを設けることに関しては図１に示した素子実装用基板１０と同様である。したがって、同様の構成には同一の符号を付すことによって、詳細な説明を省略する。
【００２３】
この変形例において、素子実装用基板２０における硬質金属層１４は、素子２６をワイヤーボンディングする金線等からなるワイヤー２７を接合する実装ポイントＰのみに設けられている。このため、配線パターン１２における素子２６をダイボンディングする部分は、下地金属層１３と表面金属層１５だけが積層された構造となっている。
【００２４】
この素子実装用基板２０における硬質金属層１４は、図３に示すように、ワイヤー２７がボンディングされる実装ポイントＰに対応する大きさ及び形状に形成されている。このワイヤー２７は、１０〜３０μｍの線径を有する金線を素子２６の電極に接合した後、キャピラリ（図示せず）で延伸すると共にキャピラリ先端で加圧し且つ超音波を印加することで配線パターン１２に接合される。このため、ワイヤー２７の実装ポイントＰは、ワイヤー２７が接合するときに潰れて線径よりもわずかに大きくなる。これに対応して、硬質金属層１４は、ワイヤー２７の線径よりわずかに大きい円形、矩形等に形成され、これにより実装ポイントＰをカバーするように設定されている。このように硬質金属層１４を形成することで、実装時の超音波の伝導を良くすることができる。
【００２５】
また、この素子実装用基板２０では、配線パターン１２における素子２６がダイボンディングされる部分に熱伝導率が低い硬質金属層１４がないので、素子２６が発する熱を熱伝導率が高い表面金属層１５から同じく熱伝導率が高い下地金属層１３へ直ぐに伝導させて放熱することができる。
【符号の説明】
【００２６】
１，１１ 基板
２ 銅メッキ層
３ ニッケルメッキ層
４ 金メッキ層
５ チップ部品
６ レジスト膜
１０，２０ 素子実装用基板
１１ａ 素子実装面
１２ 配線パターン
１３ 下地金属層
１４ 硬質金属層
１５ 表面金属層
１６，２６ 素子
１７ バンプ
２７ ワイヤー
Ｐ 実装ポイント
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の素子実装面上に形成された配線パターンとを有し、
前記配線パターンにおける素子に接続するバンプ又はワイヤーの実装ポイントにのみ硬度が高い硬質金属層を配置したことを特徴とする素子実装用基板。
【請求項２】
前記配線パターンは、前記基板の素子実装面上に形成された高い熱伝導率を有する下地金属層と、該下地金属層の上に形成された前記硬質金属層と、前記下地金属層及び前記硬質金属層の上に形成された高い熱伝導率を有する表面金属層と、から構成されている請求項１に記載の素子実装用基板。
【請求項３】
前記下地金属層は銅、前記硬質金属層はニッケル、前記表面金属層は金又は銀からなる請求項２に記載の素子実装用基板。
【請求項１】
基板と、
該基板の素子実装面上に形成された配線パターンとを有し、
前記配線パターンにおける素子に接続するバンプ又はワイヤーの実装ポイントにのみ硬度が高い硬質金属層を配置したことを特徴とする素子実装用基板。
【請求項２】
前記配線パターンは、前記基板の素子実装面上に形成された高い熱伝導率を有する下地金属層と、該下地金属層の上に形成された前記硬質金属層と、前記下地金属層及び前記硬質金属層の上に形成された高い熱伝導率を有する表面金属層と、から構成されている請求項１に記載の素子実装用基板。
【請求項３】
前記下地金属層は銅、前記硬質金属層はニッケル、前記表面金属層は金又は銀からなる請求項２に記載の素子実装用基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１３−４７５６（Ｐ２０１３−４７５６Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３４６９２（Ｐ２０１１−１３４６９２）
【出願日】平成２３年６月１７日（２０１１．６．１７）
【出願人】（０００１３１４３０）シチズン電子株式会社 (798)
【出願人】（０００００１９６０）シチズンホールディングス株式会社 (1,939)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１７日（２０１１．６．１７）
【出願人】（０００１３１４３０）シチズン電子株式会社 (798)
【出願人】（０００００１９６０）シチズンホールディングス株式会社 (1,939)
【Ｆターム（参考）】
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