【課題】高温環境に対して使用可能でＧｄ元素を添加したアルミニウムワイヤを有する低コストのパワー半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムに微量のＧｄ元素を添加したボンディングワイヤ（ワイヤ１０）を用い、ボンディング接合部１０ａを２００℃〜４００℃の熱時効処理と、その後に冷却速度が１℃／ｍｉｎ以下の徐冷を行なうことにより、２００℃以上の高温環境に耐え、Ｇｄ添加のアルミニウムワイヤ（ワイヤ１０）を有する低コストのパワー半導体装置およびその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】切削又は研削加工を用いつつ、低コストで金属電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１２の主面１２ａに下地電極１４を形成する工程と、下地電極を覆う保護膜１６を形成するとともに、該保護膜に下地電極を露出させる開口部１６ａを形成する工程と、保護膜及び開口部から臨む下地電極の表面を覆うように第１金属膜２２を形成する工程と、第１金属膜が形成された半導体基板を、裏面１２ｂを搭載面として吸着ステージ３０に吸着固定した状態で、吸着ステージと平行に設定された基準面上Ｐ１に位置する保護膜の部分及び第１金属膜の部分を、切削により除去して、第１金属膜をパターニングする工程と、パターニング工程後、裏面から半導体基板を研削し、半導体基板の厚さを所定厚さまで薄くする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの変色の発生を抑制することのできる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板１０の上面にフリップチップ接続用の接続パッド１３となる第１パッド１３Ａと、ボンディングパッド１４となる第２パッド１４Ａとを形成し、第２パッド１４Ａの表面にめっき１４Ｂを形成し、第１パッド１３Ａの表面にのみ選択的に粘着層１５を被着する。続いて、粘着層１５にはんだ粉１６を付着し、樹脂基板１０の上面全面にハロゲン濃度が０．１５ｗｔ％以下のフラックス４０を塗布し、はんだ粉１６をリフローにより溶融して第１パッド１３Ａにはんだ１３Ｂを被着する。 （もっと読む）

【課題】 実装による接続性を良好な状態に保ちながら、放熱性を改善した素子実装用基板を提供することにある。
【解決手段】 この素子実装用基板１０は、基板１１と配線パターン１２とを有している。配線パターン１２は、基板１１上に形成された高い熱伝導率を有する下地金属層１３と、その上に形成された硬質金属層１４と、下地金属層１３及び硬質金属層１４の上に形成された高い熱伝導率を有する表面金属層１５とから構成されている。硬度が高い硬質金属層１４は、配線パターン１２における素子１６に接続するバンプ１７又はワイヤー２７の実装ポイントＰにのみ配置されている。実装ポイントＰにのみ硬質金属層１４を設けることで、実装ポイントＰにおける半田バリアあるいは実装時の超音波の伝わりを良好にしている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属膜の端部の応力により金属膜の端部直下の表面電極がダメージを受けることを防止できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板２４と、該基板２４の上に、アルミを含む材料で形成された表面電極２６と、該表面電極２６の上に、はんだ付け可能な材料で形成された金属膜２８と、該表面電極２６の上の部分と、該金属膜２８の端部に重なる重畳部分３０ａとが一体的に形成されて該金属膜２８の端部を固定する端部固定膜３０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング接続が行われる半導体チップにおいて、ワイヤボンディング時における電極パッド下の半導体部へのダメージの低減、および、ワイヤの位置ずれによる当該ワイヤのダメージの低減を図る。
【解決手段】半導体部１１の一面１２上に電極パッド１４とを備える半導体チップにおいて、電極パッド１４上に積層されて接続され、半導体部１１の一面１２上に突出する導電性材料よりなるバンプ１５と、半導体部１１の一面１２上に設けられ、電極パッド１４およびバンプ１５を封止する電気絶縁性の保護膜１６と、を備え、バンプ１５の先端面１５ａは保護膜１６より露出するとともに、保護膜１６とバンプ１５の先端面１５ａとは連続した同一平面を構成している。 （もっと読む）

【課題】ワイヤがＣｕワイヤであっても、ボンディング時の衝撃による金属のスプラッシュを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、電極パッド１０３を有する半導体チップと、電極パッド１０３にボンディングされたワイヤ（例えばＣｕワイヤ１０５）と、を有している。電極パッド１０３において、ワイヤがボンディングされている領域の少なくとも表層はルテニウム又は酸化ルテニウムにより構成され、その表層の膜厚は２０ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】例えば、隣接するボンディングパッド同士のスプラッシュによる接続の防止など、隣接する電極同士の接続の防止を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された第１の導電層５と、半導体基板１上に形成され、第１の導電層５を露出するように開口する保護膜（図１では絶縁膜３）と、その保護膜の開口から露出する第１の導電層５及びその保護膜３上に形成された第２の導電層６と、を備え、第２の導電層６が、その端部よりも内側に凹部７を有するものである。 （もっと読む）

【課題】ｎ型半導体基板との密着性およびオーミック特性の良好なダイボンド用金属層の構造を提供する。
【解決手段】まず、ｎ型Ｓｉ基板１０上にＡｕ層１４を形成する。次に、ｎ型Ｓｉ基板１０とのオーミック接触が良好なＳｎをＡｕに添加したＡｕＳｎ層１３を、Ａｕ層１４上に形成する。ＡｕＳｎ層１３を形成する時に熱加熱を行うか、或いは、ＡｕＳｎ層１３を形成した後に熱処理を行うことにより、ＡｕＳｎ層１３のＳｎがＡｕ層１４に拡散して、Ａｕ層１４はＳｎが拡散したＡｕ層１２となる。 （もっと読む）

【課題】配線層の露出面において、ダイシングの工程等で水が接触することにより生じ、配線層の露出面における接合強度の低下や外観不良等の原因となる腐食の発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板の一方の面側にて、標準電極電位が互いに異なる２種以上の金属を含む合金により形成された配線層を露出させる工程（パッドを開口する工程（Ｓ１０））と、前記配線層の露出面を含む範囲に、Ｎ_２／Ａｒプラズマを照射するプラズマ処理を行う工程（Ｎ_２／Ａｒプラズマ処理を行う工程（Ｓ３０））と、を含む方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線を高信頼性化する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置は、第１の配線材、開口部、及び電極端子部が設けられる。第１の配線材は、半導体基板上の第１の層間絶縁膜上に設けられ、配線層として用いられる。開口部は、第１の配線材上に設けられた第２の層間絶縁膜をエッチングして形成される。電極端子部は、開口部及び開口部周囲の第２の層間絶縁膜上に設けられ、第１の配線材に接するバリアメタル膜、シードメタル膜、及び第２の配線材が開口部を覆うように積層形成され、第２の配線材の上部及び側面に被覆メタル膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】高温信頼性の高いＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆電極ａへの接合性が高く、かつ脆弱なチップに対するダメージも少なく安価なボンディングワイヤＷとする。
【解決手段】半導体素子のＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆電極ａと回路配線基板の導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径１０〜５０μｍのボンディング用ワイヤであって、Ｃａ、Ｃｕ、Ｇｄ、Ｓｍから選ばれる２種以上の元素を１０〜３００重量ｐｐｍ含み、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素を０．７〜３．０重量％含んで、それ以外がＡｇ及び不可避不純物からなる。Ａｇを主体としたので、金ボンディングワイヤに比べれば、安価なものとし得て、かつ、適度な強度のワイヤとなって良好なＦＡＢ及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆電極ａとの良好な接合性を得る。Ｃａを含み、ＧｄとＳｍの少なくとも一方を含んでその合計が１０重量ｐｐｍ以上とすると、ワイヤ強度が向上する。 （もっと読む）

【課題】焼結性金属接合材を用いた場合でも、接合部からの接合材のはみ出しを抑制し、信頼性の高い半導体素子およびこれを用いた半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】板状をなし、表裏の面のうちの少なくとも一方に、焼結性金属接合材によって配線部材６を接合するための電極３Ｅｆが設けられた半導体素子３であって、電極３Ｅｆの電極面は、焼結性金属接合材を構成する金属微粒子と金属結合可能な金属の膜が被覆されているとともに、電極面を取り囲むように、電極面に対して立体的に形成された枠部４が設けられているように構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電極パッド間での電気的ショートの危険を低減して半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】ワイヤボンディングのボールボンディングにおいて、超音波の印加方向（超音波振動方向）１２に沿って配列された半導体チップ４の電極パッド４ｃに対して、超音波の印加方向１２と交差する方向１３に銅ワイヤ５の先端のボール５ａと電極パッド４ｃとを擦り合わせながら接続することで、電極パッド４ｃ上でのＡＬ排斥４ｄの形成量を抑制してＡＬ排斥４ｄを小さくすることができ、その結果、前記ボールボンディングによって組み立てられた半導体装置の品質の向上を図れる。 （もっと読む）

【課題】殊に銅ボンディングとの両立性の点で高い信頼性を有するボンディングコンタクトを提供すること。
【解決手段】半導体基板上の、補強構造体を有するボンディングコンタクトにおいて、このボンディングコンタクトには、半導体基板上に配置される少なくとも１つの第１金属層と、この第１金属層の上方に配置される第３金属層とを有しており、第１金属層には、パターンを有する補強構造体が収容され、第３金属層は、ボンディング面を有するボンディングコンタクト層であり、さらに上記のボンディング面の下方かつ第１金属層の上方に絶縁層が配置されており、この絶縁層は、ボンディング面の縁部を越えて突き出ている。る、ボンディング個所（１）において、上記の補強構造体は、ボンディング面の上側から見た場合にこのボンディング面の下方において第１金属層内に構成されており、この補強構造体には誘電体島が含まれている。 （もっと読む）

【課題】ガルバニック腐食に起因するパッド電極の剥離を低減することができ、かつ外部接続部材を接合する際のパッド電極の剥離をより低減することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体層（ｎ型窒化物半導体層）２と、半導体層２上に設けられたパッド電極７と、を備える半導体素子（窒化物半導体素子）１０であって、パッド電極７は、半導体層２側から順に、Ｗ層、金属層、Ａｕ層が少なくとも積層されており、金属層は、Ｗよりも大きく、かつＡｕよりも小さい標準電極電位を有する金属から構成されており、金属層の膜厚は、５０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子破壊を防いで信頼性を向上することができる電力用半導体装置を得る。
【解決手段】ｎ型半導体基板１０の第１の主面に複数のセル領域２４が形成され、その上にエミッタ電極２６が形成されている。ｎ型半導体基板１０の第２の主面上にコレクタ電極３２が形成されている。各セル領域２４は、エミッタ電極２６に接続されたｎ＋半導体層１４及びｐ型半導体層１２と、ゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆ってエミッタ電極２６に対して絶縁する層間絶縁膜２２とを有する。各セル領域２４において層間絶縁膜２２とｎ＋半導体層１４及びｐ型半導体層１２との間に段差が存在する。エミッタ電極２６は、ｎ型半導体基板１０上に順次形成された第１の金属膜２６ｂと、高強度金属膜２６ｃと、第２の金属膜２６ｄとを有する。第１の金属膜２６ｂ及び第２の金属膜２６ｄはＡｌを９５％以上有する。高強度金属膜２６ｃは、第２の金属膜２６ｄよりも強度が高い。 （もっと読む）

【課題】 半導体の素子パッドとニッケル（Ｎｉ）被覆基板側のリード間を多数箇所同時に接続するボンディングリボンにおいて、超音波接合性、高温信頼性を向上する。
【解決手段】 金被覆銅リボンを銅芯材と金被覆層で構成し、
銅芯材を７０Hv以下のビッカース硬さをもつ純度９９．９％以上の銅（Ｃｕ）として導電性とループ形成性を付与し、被覆層を純度９９．９％以上の金（Ａｕ）をアルゴンガス（Ａr）等の希ガス雰囲気下でマグネトロンスパッタすることによって、微細な粒状の結晶組織として、芯材と被覆層とのビッカース硬さを同等にして、アルミパッドの損傷を防止するとともに、接合性を向上する。
希ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタした金微細結晶組織は、硬さが金（Ａｕ）バルクよりも高く、粒状組織としたことで接合時の熱広がりを抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるボンディングパッド部と金合金細線のボール部との接合部の高温信頼性を向上させる。
【解決手段】銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）等がめっきされた配線基板上に接続する外部リードと純アルミニウム（Ａｌ）または純度９９％以上のアルミニウム合金からなる半導体チップの電極パッドとを電気的に接続する金合金細線がパラジウム（Ｐｄ）を０．５〜０．７質量％、白金（Ｐｔ）を０．１〜０．３質量％および残部金（Ａｕ）で構成することにより、高温動作環境下においてもパッド電極と金合金ボール部との接合界面において、マイクロボイド(微小空孔)の発生やアルミニウム酸化物（Ａｌ₂Ｏ₃）層の成長粗大化を防止し、長期間安定した金ボンディングワイヤの接合強度が得られる。また、高温大気中(樹脂封止なし)や高温のハロゲンフリー樹脂の封止にも対応できる。 （もっと読む）