表示装置及び表示パネルの駆動方法
【課題】 アノード電位の分布に起因して表示面に生じる表示ムラを低減する。
【解決手段】 表示パネル１１０は、複数の行配線３３０を有する電子源３２０と、電子源３２０に対向する表示部材２１０と、表示部材２１０に重なるアノード２２０と、アノード２２０に接続部２４０で接続された給電部材２３０と、を有し、複数の行配線３３０は、第１行配線３３１と、第１行配線３３１よりも接続部２４０から離れて位置する第２行配線３３２とを含んでおり、１走査期間内の第１選択期間に、第１へ選択電位Ｖｎを付与するとともに、第２行配線３３２へ非選択電位Ｖｓを付与し、電子源３１０の電位よりも高い第１電位Ｖｂ１を給電部材２３０へ付与し、１走査期間内の第１選択期間とは別の第２選択期間に、第１行配線３３１へ非選択電位Ｖｎを付与し、第２行配線３３２へ選択電位Ｖｓを付与し、第１電位Ｖｂ１よりも高い第２電位Ｖｂ２を給電部材へ付与する。
【解決手段】 表示パネル１１０は、複数の行配線３３０を有する電子源３２０と、電子源３２０に対向する表示部材２１０と、表示部材２１０に重なるアノード２２０と、アノード２２０に接続部２４０で接続された給電部材２３０と、を有し、複数の行配線３３０は、第１行配線３３１と、第１行配線３３１よりも接続部２４０から離れて位置する第２行配線３３２とを含んでおり、１走査期間内の第１選択期間に、第１へ選択電位Ｖｎを付与するとともに、第２行配線３３２へ非選択電位Ｖｓを付与し、電子源３１０の電位よりも高い第１電位Ｖｂ１を給電部材２３０へ付与し、１走査期間内の第１選択期間とは別の第２選択期間に、第１行配線３３１へ非選択電位Ｖｎを付与し、第２行配線３３２へ選択電位Ｖｓを付与し、第１電位Ｖｂ１よりも高い第２電位Ｖｂ２を給電部材へ付与する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特にフィールドエミッションディスプレイのアノード電位の制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）の表示パネルは、電子源と、電子源と対向するアノード及び発光層を備えている。そして、電子源から放出された電子を、アノードに付与されたアノード電位と電子源の電位との電位差（アノード電圧）によって加速することにより電子にエネルギーを付与して、発光層を励起発光させて表示を行う。ＦＥＤにおいては、アノードの面積は表示面の面積と同程度である。そのため、表示面が大きくなるほど、アノードに生じる電位分布（アノード電位の分布）が顕著になる。
【０００３】
特許文献１には、メタルバック（アノード）における加速電圧源からの給電点から離れるにつれて、メタルバックにおける電圧が低下することが開示されている。
【０００４】
特許文献２には、アノード電圧を印加する電圧供給部とアノード電圧を調整する電圧調整部を有する画像表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３３２２００号公報
【特許文献２】特開２００４−２４６２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
アノード電位に分布が生じると、表示パネルの表示面に表示ムラが生じることがある。本発明は表示面に生じる表示ムラを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための本発明の第１は、複数の行配線及び複数の列配線からなるマトリックス配線と、前記マトリックス配線に接続された複数の電子放出素子とからなる電子源と、前記電子源に対向する表示部材と、前記表示部材に重なるアノードと、前記アノードに接続部で接続された給電部材と、を有する表示パネルと、前記複数の行配線に接続された走査回路と、前記複数の列配線に接続された変調回路と、前記給電部材に接続された電位生成回路と、を備える表示装置であって、前記複数の行配線は、第１行配線と、前記第１行配線よりも前記接続部から離れて位置する第２行配線とを含んでおり、前記走査回路は、１走査期間内の第１選択期間に、前記第１行配線へ選択電位を出力するとともに、前記第２行配線へ非選択電位を出力し、前記１走査期間内の前記第１選択期間とは別の第２選択期間に、前記第１行配線へ前記非選択電位を出力するとともに、前記第２行配線へ前記選択電位を出力するものであり、前記変調回路は、前記複数の列配線に変調電位を出力するものであり、前記電位生成回路は、前記電子源の電位よりも高い第１電位と、前記第１電位よりも高い第２電位とを出力可能であって、前記電位生成回路は、前記第１選択期間に前記第１電位を前記給電部材へ出力し、前記第２期間に前記第２電位を前記給電部材へ出力することを特徴とする。
【０００８】
また、上記課題を解決するための本発明の第２は、複数の行配線及び複数の列配線からなるマトリックス配線と、前記マトリックス配線に接続された複数の電子放出素子とからなる電子源と、前記電子源に対向する表示部材と、前記表示部材に重なる領域を有するアノードと、前記領域の外側に設けられ前記アノードに接続部で接続された給電部材と、を有する表示パネルと、前記給電部材に接続された電位生成回路と、前記複数の行配線に接続された走査回路と、前記複数の列配線に接続された変調回路と、前記給電部材に接続され、前記電子源の電位よりも高い供給電位を前記給電部材へ出力する電位生成回路と、を備える表示装置であって、前記接続部は、前記複数の行配線が延在する方向と同じ方向に延在し、かつ、前記複数の行配線が配列された方向における前記アノードの少なくとも一方の側に設けられており、前記走査回路は、前記複数の行配線を１走査期間内に線順次に走査し、前記表示部材には、前記１走査期間内の前記走査に対応して線順次に発光部が形成されるものであり、前記電位生成回路は、前記１走査期間内における前記接続部と前記発光部との距離の増加に応じて、前記１走査期間内に前記供給電位を上昇させることと、前記１走査期間内における前記接続部と前記発光部との距離の減少に応じて、前記１走査期間内に前記供給電位を低下させることとの少なくとも一方を行うことを特徴とする。
【０００９】
また、上記課題を解決するための本発明の第３は、表示パネルの駆動方法であって、前記表示パネルは、複数の行配線及び複数の列配線からなるマトリックス配線と、前記マトリックス配線に接続された複数の電子放出素子とからなる電子源と、前記電子源に対向する表示部材と、前記表示部材に重なるアノードと、前記アノードに接続部で接続された給電部材と、を有し、前記複数の行配線は、第１行配線と、前記第１行配線よりも前記接続部から離れて位置する第２行配線とを含んでおり、１走査期間内の第１選択期間に、前記第１行配線へ選択電位を付与するとともに、前記第２行配線へ非選択電位を付与し、前記１走査期間内の前記第１選択期間とは別の第２選択期間に、前記第１行配線へ前記非選択電位を付与するとともに、前記第２行配線へ前記選択電位を付与し、前記第１選択期間に前記電子源の電位よりも高い第１電位を前記給電部材へ付与し、前記第２期間に前記第１電位よりも高い第２電位を前記給電部材へ付与することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、アノード電位の分布を補償するように電位生成回路の出力を変化させることにより、表示面に生じる表示ムラを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】表示装置の一例を説明する模式図。
【図２】表示パネルの一例を説明する模式図。
【図３】表示装置の一例を説明する模式図。
【図４】本発明を説明するための模式図。
【図５】表示パネルの一例を説明する模式図。
【図６】実施例１を説明する模式図。
【図７】実施例２を説明する模式図。
【図８】実施例３を説明する模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態の一例を説明する。
【００１３】
図１は表示装置１００の構成の概要を示す模式図である。図１に示すように、表示装置１００は表示パネル１１０と、電位生成回路１２０と走査回路１３０と変調回路１４０とを備えている。加えて表示装置１００は制御回路１５０を備えることができる。
【００１４】
まず、表示パネル１１０について、その概要を説明する。図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はＦＥＤの表示パネル１１０の一例の概要を示す模式図である。図２（ａ）は表示パネル１１０の一部を切り欠いた斜視図であり、図２（ｂ）は表示パネル１１０の断面図であり、図２（ｃ）、（ｂ）は表示パネル１１０の分解平面図である。
【００１５】
表示パネル１１０は、互いに対向するフェイスプレート２００とリアプレート３００とを備えている。
【００１６】
フェイスプレート２００は、透明な絶縁性の第１基板２０１と、表示部材２１０と、アノード２２０とを備えている。表示部材２１０が表示装置１００の表示面（スクリーン）を構成する。表示部材２１０とアノード２２０は、第１基板２０１上に重ねられて設けられている。図２（ｂ）に示す例では、第１基板２０１とアノード２２０との間に表示部材２１０が位置した構成であるが、第１基板２０１と表示部材２１０との間に透明なアノード２２０を設けた構成とすることもできる。図２（ｂ）に示すように、表示部材２１０は、電子線の照射によって発光する発光層２１１を少なくとも含み、さらに、発光層２１１同士の間に設けられた遮光層２１２を含むことができる。アノード２２０は単一部材又は複合部材で構成される。
【００１７】
アノード２２０は照射領域２２１と、照射領域２２１よりも外側の部分である非照射領域２２２とに区分けすることができる。アノード２２０の照射領域２２１とは、アノード２２０が表示部材２１０と重なり合う部分（表示部材２１０の正射影の領域）である。アノード２２０の大部分は、照射領域２２１で占められる。アノード２２０の非照射領域２２２とは、アノード２２０が表示部材２１０と重なり合わない部分であって、アノード２２０の端部である。本発明のアノード２２０は完全導体ではなく、抵抗性を有している。
【００１８】
リアプレート３００は絶縁性の第２基板３０１と、電子源３１０を備えている。電子源３１０は、第２基板３０１上に設けられており、マトリックス配列された複数の電子放出素子３２０と、マトリックス配線３５０とからなる。マトリックス配線３５０は、複数の行配線３３０と、複数の列配線３４０とを備えている。マトリックス配線３５０では、複数の行配線３３０の各々は同じ方向（Ｘ方向）に延在しており、複数の行配線３３０が延在する方向と交差する方向（Ｙ方向）に配列されてなる。マトリックス配線３５０では、複数の列配線３４０の各々は同じ方向（Ｙ方向）に延在しており、複数の列配線３４０が延在する方向と交差する方向（Ｘ方向）に配列されてなる。そして、複数の行配線３３０と複数の列配線３４０は互いに交差している。行配線３３０と列配線３４０の交差部には不図示の絶縁層が設けられて行配線３３０と列配線３４０とを絶縁している。複数の電子放出素子３２０の各々は、複数の行配線３３０の各々と複数の列配線３４０の各々の近傍に設けられて、複数の行配線３３０の各々と複数の列配線３４０の各々に接続されている。詳細には、電子放出素子３２０は、行配線３３０上、列配線３４０上、互いに隣り合う行配線３３０同士の間、互いに隣り合う列配線３４０同士の間、の少なくとも何れかの部分に設けられる。図２（ａ）では、電子放出素子３２０が、互いに隣り合う行配線３３０同士の間かつ互いに隣り合う列配線３４０同士の間に設けられている形態を示している。
【００１９】
以下の説明では、図２（ｄ）に示すように、行配線３３０の数をＭ本（Ｍ≧２）として、行配線３３０が配列された方向と同じ方向（Ｙ方向）における−Ｙ側から＋Ｙ側に向かって順に、１本目、２本目、・・・、Ｍ−１本目、Ｍ本目の行配線と呼ぶことにする。そして、行配線３３０が配列された方向と同じ方向（Ｙ方向）における表示パネル１１０の−Ｙ側を上側、＋Ｙ側を下側と呼ぶことにする。
【００２０】
フェイスプレート２００とリアプレート３００とは、封止部材４００を介して接合されている。そして、フェイスプレート２００とリアプレート３００との間の空間（内部空間）は、封止部材４００によって気密に封止されている。その結果、第１基板２０１と第２基板３０１と封止部材４００とが気密容器を構成している。気密容器の内部空間は真空に保持される。以上のように、表示パネル１１０は、気密容器の内部に、電子源３１０と、アノード２２０及び表示部材２１０とが対向して配置されている構成となっている。電子源３１０は、アノード２２０の照射領域２２１と対向している。図２（ｂ）の形態では、気密容器が大気圧に耐えられるように、基板２０１と基板３０１との間には、スペーサ４１０が配置されている。
【００２１】
表示パネル１１０は、アノード２２０に接続された給電部材２３０を備えている。図２（ｂ）では、給電部材２３０を給電電極２３１と給電端子２３２とで構成した例を示している。給電部材２３０はアノード２２０の非照射領域２２２（端部）の少なくとも一部に電気的に接続されている。給電部材２３０はアノード２２０の非照射領域２２２と接触するように設けられており、給電部材２３０とアノード２２０とが接触している部分の、照射領域２２１側の端が、給電部材２３０とアノード２２０との接続部２４０である。したがって、接続部２４０は、アノード２２０の非照射領域２２２に位置している。図１、２では、接続部２４０を太線で示している。図１、２の例では、接続部２４０は、行配線３３０が延在する方向と同じ方向（Ｘ方向）に延在して設けられている。また、接続部２４０は、アノード２２０の上側（−Ｙ側）の非照射領域２２２（端部）のみに設けられている。
【００２２】
ここで、接続部２４０から各行配線３３０までの距離をＤ（変数）とする。特に、接続部２４０から距離Ｄ１だけ離れたある行配線３３０を第１行配線３３１とし、接続部２４０から距離Ｄ２だけ離れたある１本の行配線３３０を第２行配線３３２とする。ここで、Ｄ１＜Ｄ２であり、第２行配線３３２は、第１行配線３３１よりも、接続部２４０から離れて位置している。例えば、図１において、第１行配線３３１を１本目の行配線と定めると、第２行配線３３２は２〜Ｍ本目の何れかの行配線である。例えば、第１行配線３３１をＭ−１本目の行配線と定めると、第２行配線３３２はＭ本目の行配線である。なお、Ｍ本目の行配線よりも接続部２４０から離れた行配線は存在しないので、Ｍ本目の行配線は第１行配線３３１とはなり得ない。
【００２３】
次に、表示パネル１１０の駆動方法について表示装置１００の構成を交えて説明する。図３は表示装置１００において、表示パネル１１０の駆動のために用いられる信号の一例を示す模式図である。
【００２４】
電位生成回路１２０は、図１に示すように給電部材２３０（例えば、給電端子２３２）に接続されており、給電部材２３０（給電電極２３１、給電端子２３２）へ供給電位Ｖｂを付与する。その結果、接続部２４０の電位はＶｂとなる。供給電位Ｖｂは電子源３１０の電位よりも高い電位である。電子源３１０の電位については、後述する。供給電位Ｖｂは、実用的には＋１ｋ以上＋５０ｋＶ以下であり、好ましくは＋３ｋＶ以上＋３０ｋＶ以下、より好ましくは＋５ｋＶ以上＋１５ｋＶ以下である。本発明の電位生成回路１２０は、複数の異なる供給電位Ｖｂを生成することが可能である。ここで、複数の異なる供給電位Ｖｂのうち、ある電位を第１電位Ｖｂ１とし、第１電位Ｖｂ１よりも高い電位を第２電位Ｖｂ２とする。電位生成回路１２０が給電部材２３０に供給電位Ｖｂを付与することにより、給電部材２３０に接続されたアノード２２０は、アノード電位Ｖａに規定される。アノード電位Ｖａは、電子源３１０の電位よりも高い電位である。アノード電位Ｖａは、実用的には＋１ｋＶ以上＋５０ｋＶ以下であり、好ましくは＋３ｋＶ以上＋３０ｋＶ以下、より好ましくは＋５ｋＶ以上＋１５ｋＶ以下である。このようにアノード電位Ｖａは供給電位Ｖｂと同程度の高電位である。しかし、詳細は後述するが、ある時点でのアノード電位Ｖａはアノード２２０内で一様ではなく、アノード２２０の抵抗性に起因した電位分布が生じる。
【００２５】
複数の電子放出素子３２０の各々をマトリックス配線３５０を介して駆動すること（マトリックス駆動）により、電子源３１０の任意の位置（任意の電子放出素子３２０）から電子（電子線）を放出させることができる。このとき、電子源３１０の電位よりも高い電位（アノード電位Ｖａ）がアノード２２０に付与されることにより、電子源３１０とアノード２２０との間に、電子源３１０の電位とアノード電位との電位差（アノード電圧）が生じる。そして、アノード電圧によって生じる電界により、電子源３１０から放出された電子を加速して、電子にエネルギーを付与する。したがって、アノード電圧は加速電圧と呼ぶことができ、アノード電位Ｖａは、加速電位と呼ぶことができる。エネルギーを持った電子が発光層２１１を照射することにより、発光層２１１が電子線励起により発光（カソードルミネッセンス）する。その結果、表示部材２１０に発光部が形成される。このときの発光層２１１の発光輝度は、電子放出素子３２０から放出された電子線の電流（放出電流Ｉｅ）に比例する。なお、電子源３１０から放出た電子線はアノード２２０の照射領域２２１の一部を照射し、照射された電子線の一部はアノード２２０に吸収される。
【００２６】
電子源３１０の駆動は、走査回路１３０及び変調回路１４０を用いて行われ、電子源３１０のうちの、電子を放出させる電子放出素子３２０の選択は、少なくとも走査回路１３０を用いて行われる。
【００２７】
走査回路１３０は、複数の行配線３３０に接続されており、複数の行配線３３０に走査信号を入力する。走査回路１３０は、走査信号によって、１走査期間内の１選択期間に、複数の行配線３３０の一部（典型的には１本）を選択する。そして、選択する行配線３３０を走査することにより、１走査期間内に複数の行配線３３０の全てを１回ずつ選択する。上記「選択」は、選択期間に選択している行配線３３０に選択電位Ｖｓを付与し、選択していない行配線３３０に、選択電位Ｖｓとは異なる非選択電位Ｖｎを付与することによって行われる。以下、複数の行配線３３０のうち、選択電位Ｖｓが付与されている行配線３３０を選択配線と呼び、非選択電位Ｖｎが付与されている行配線３３０を非選択配線と呼ぶ。上記「走査」は、選択配線を１走査期間内の別々の選択期間毎に変更することによって行われる。
【００２８】
変調回路１４０は、複数の列配線３４０に接続されており、複数の列配線３４０に変調信号を入力する。変調回路１４０は、変調信号は変調電位Ｖｍを有しており、選択期間内に変調電位Ｖｍを複数の列配線３４０の一部又は全部（典型的には全部）に付与する。選択配線に接続された電子放出素子３２０には、それぞれに変調電位Ｖｍと選択電位Ｖｓとの電位差（駆動電圧Ｖｄ）が印加され、駆動電圧Ｖｄ＝｜Ｖｍ−Ｖｓ｜に応じた量の電子を放出する。このときの電子の量が放出電流Ｉｅである。一方、非選択配線に接続された電子放出素子３２０には、それぞれに変調電位Ｖｍと非選択電位Ｖｎとの電位差が生じる。しかし、この電位差は、電子放出素子３２０が実質的に電子を放出しないとみなせる電圧（閾値電圧）以下となるように非選択電位Ｖｎが設定されている。そのため、１選択期間内には選択配線に接続された電子放出素子のみから電子線が放出されるとみなすことができる。
【００２９】
電子源３１０の電位は、上記した走査信号および変調信号の電位（選択電位Ｖｎ、非選択電位Ｖｓ、変調電位Ｖｍ）によって決定される。典型的には、選択電位Ｖｎ、非選択電位Ｖｓ、変調電位Ｖｍは、接地電位（０Ｖ）に対して±１００Ｖ以内であり、好ましくは接地電位に対して±２０Ｖ以内である。電子源３１０の電位は、これらの電位のうちの最も高い電位である。
【００３０】
制御回路１５０は、電位生成回路１２０、走査回路１３０、変調回路１４０に接続されている。制御回路１５０には画像信号が入力され、画像信号に応じた同期信号と階調信号を出力する。階調信号は変調回路１４０に入力され、変調回路１４０は階調信号を所定の変調方法を用いて変調し、変調信号を出力する。同期信号は走査回路１３０に入力され、走査回路１３０は同期信号に基づいて走査信号を出力する。具体的には、同期信号は１走査期間の開始のタイミングや各選択期間のタイミングを制御する。また、同期信号は変調回路１４０にも入力され、変調回路１４０は選択配線に接続された電子放出素子３２０から所望の放出電流を得るべく、各選択期間に同期して所望の変調電位を出力する。
【００３１】
このようにして、複数の行配線３３０は、１走査期間内に線順次走査が行われる。その結果、１走査期間内に線順次に発光部が形成され、１走査期間に１枚の画像（１フレームの画像）が表示される。したがって、１走査期間は１フレーム期間と言い換えることができる。なお、上記「線順次走査」とは「面順次走査」との比較の上での意味であって、しばしば線順次走査とも呼ばれる「プログレッシブ走査」と、「インターレース走査（飛び越し走査）」との比較での線順次走査という意味ではない。プログレッシブ走査では、１走査期間内に、行配線３３０が配列されている方向の順で、表示パネル１１０の上側から下側に向かって、互いに隣り合う行配線３３０が順次選択される。その結果、１フレームの画像は、画像の上側から表示され、かくしてプログレッシブ表示が行われる。インターレース走査では、１フレーム内に奇数フィールドと偶数フィールドを有している。奇数フィールドでは、行配線３３０が配列されている方向の順で、表示パネルの上側から下側に向かって、奇数番目の行配線３３０が順次選択される。偶数フィールドでは、表示パネルの上側から下側に向かって、行配線３３０が配列されている方向の順で、偶数番目の行配線３３０が順次選択される。その結果、１フレームの画像は、奇数フィールドと偶数フィールドとの合成で表示され、かくして、インターレース表示が行われる。上記「線順次走査」は行配線３３０の選択の順番が行配線３３０が配列されている方向の順である、プログレッシブ走査とインターレース走査の両方を包含している。また、上記「線順次走査」は、行配線３３０の選択の順番が行配線３３０が配列されている方向の順でないものも（例えばランダムなもの）も含んでいる。
【００３２】
本発明では、第１行配線３３１を選択する選択期間を第１選択期間ＴＳＬ１とし、第２行配線３３２を選択する選択期間を第２選択期間ＴＳＬ２とする。第１選択期間ＴＳＬ１及び第２選択期間ＴＳＬ２は何れも１走査期間ＴＳＣ内の期間である。複数の行配線３３０を接続部２４０に近いほうから順に選択する場合、つまり１本目の行配線からＭ本目の行配線に向かって走査する場合には、第２選択期間ＴＳＬ２は第１選択期間ＴＳＬ１より後の期間である。複数の行配線３３０を接続部２４０から遠いほうから順に選択する場合、つまりＭ本目の行配線から１本目の行配線に向かって選択走査する場合には、第２選択期間ＴＳＬ２は第１選択期間ＴＳＬ１より前の期間である。
【００３３】
本発明では、第１選択期間ＴＳＬ１に給電部材２３０へ付与する供給電位Ｖｂを第１電位Ｖｂ１とし、第２選択期間ＴＳＬ２に給電部材２３０へ付与する供給電位Ｖｂを第２電位Ｖｂ２とする。このようにすることで、表示面に生じる表示ムラを低減することができる。以下に、その理由を図２（ｂ）、図４（ａ）、図４（ｂ）を用いて説明する。なお、第１選択期間ＴＳＬ１、第２選択期間ＴＳＬ２は、或る程度の時間幅を持った期間であるが、図４（ａ）、図４（ｂ）では、そのタイミングのみを示しており、便宜的に時間幅は示していない。また、図４（ａ）、図４（ｂ）では、表示パネル１１０について、接続部２４０と行配線（第１行配線３３１、第２行配線３３２）との位置関係のみを模式的に示している。
【００３４】
各選択期間に放出された電子線は、アノード２２０の照射領域２２１の任意の位置に照射部を形成する。この照射部のおおよその位置は、アノード２２０上の、選択配線からアノード２２０までの最短距離の位置の近傍であり、選択配線に接続された電子放出素子３２０からアノード２２０までの最短距離の位置の近傍である。照射部と発光部は重ねられているために、照射部の位置は、表示部材２１０の発光部として容易に確認することができ、照射部と発光部の位置はＸ−Ｙ面内（表示面に平行な面内）において実質的に同じとみなすことができる。照射部の形状は、第１行配線３３１、第２行配線３３２に接続された電子放出素子３２０の配列パターンと同様の形状の線状となる。各選択期間における照射部（又は発光部）から接続部２４０までの距離をＬとする。なお、典型的には、電子源３１０とアノード２２０との距離Ｈ（フェイスプレート２００とリアプレート３００との間隔Ｈ）は５ｍｍ以下であり、表示パネル１１０のＹ方向の長さは５ｃｍ以上である。そのため、実用的には距離Ｄと距離Ｌは略等しい（Ｄ＝√（Ｈ２＋Ｌ２）＝Ｌ√（Ｈ２／Ｌ２＋１）≒Ｌ）とみなすことができる。特に、図２（ｂ）に示すように、第１選択期間ＴＳＬ１に第１行配線３３１に接続された電子放出素子３２０から放出された電子線の照射部を第１照射部２２１１とし、第１照射部２２１１から接続部２４０までの距離をＬ１（≒Ｄ１）とする。また、第２選択期間ＴＳＬ２に第２行配線３３２に接続された電子放出素子３２０から放出された電子線の照射部を第１照射部２２１２とし、第２照射部２２１２から接続部２４０までの距離をＬ２（≒Ｄ２）とする。
【００３５】
電子放出素子３２０から放出された電子線の一部はアノード２２０に吸収され、給電部材２３０からアノード２２０の照射部に向かって、放出電流Ｉｅに略等しいアノード電流Ｉａが流れる。アノード２２０はある程度の抵抗を有しており、アノード電流Ｉａによって、照射部と接続部２４０との間には電位差ΔＶａが生じる。そのため、アノード２２０の照射部のアノード電位ＶａはＶｂ−ΔＶａとなる。照射部と接続部２４０との間の、アノード２２０の抵抗値をＲとすると、ΔＶａ＝Ｒ×Ｉａで表される。Ｒはアノード２２０の抵抗率、及び、照射部と接続部２４０との距離Ｌに比例し、Ｒ＝ｒＬで表すことができる。ここで、ｒは定数またはＬの関数であり、照射部と接続部２４０と間の単位長さあたりの抵抗値である。
【００３６】
上記したように、照射部及び発光部の位置は、選択配線及びそれに接続された電子放出素子３２０の位置に対応するため、Ｒは選択配線と接続部２４０との距離Ｄに比例する。上記したように、走査回路１３０による走査により、照射部及び発光部の位置は選択期間毎に変化する。そのため、距離Ｄ、距離Ｌも時間的に変化する。例えば、走査が接続部２４０に近い行配線３３０から行われる場合には、距離Ｄ、距離Ｌは増加していく。逆に、走査が接続部２４０から遠い行配線３３０から行われる場合には、距離Ｄ、距離Ｌは減少していく。そして、本発明では、接続部２４０と選択配線との距離Ｄ、接続部２４０と照射部および発光部との距離Ｌの変化と、供給電位Ｖｂの変化が対応づけられている。そして、供給電位Ｖｂを時間的に制御することにより、アノード２２０の抵抗性に起因して空間的に生じるアノード電位Ｖａの分布を、実質的に低減することができる。
【００３７】
第１選択期間ＴＳＬ１では、第１照射部２２１１のアノード電位Ｖａ１＝Ｖｂ１−ΔＶａ１＝Ｖｂ−ｒＬ１Ｉａである。第２選択期間ＴＳＬ２では、第２照射部２２１２のアノード電位Ｖａ２＝Ｖｂ−ΔＶａ２＝Ｖｂ−ｒＬ２Ｉａである。以下、説明のためにｒが定数、Ｉａが選択期間毎に一定として単純化する。このような場合では、Ｌ１＜Ｌ２であるから、ｒＬ１Ｉａ＜ｒＬ２Ｉａとなる。
【００３８】
図４（ａ）は供給電位ＶｂがＶｂ０で一定の場合を表している。給電部材２３０へ供給電位Ｖｂ０を付与する第１選択期間ＴＳＬ１では、第１照射部２２１１のアノード電位Ｖａ１＝Ｖｂ０−ΔＶａ１＝Ｖｂ０−ｒＬ１Ｉａである。給電部材２３０へ供給電位Ｖｂ０を付与する第２選択期間ＴＳＬ２では、第２照射部２２１２のアノード電位Ｖａ２＝Ｖｂ０−ΔＶａ２＝Ｖｂ０−ｒＬ２Ｉａである。ｒＬ１Ｉａ＜ｒＬ２Ｉａであるから、Ｖａ１＞Ｖａ２となる。
【００３９】
図４（ｂ）は供給電位Ｖｂが第１電位Ｖｂ１、第２電位Ｖｂ２（Ｖｂ１＜Ｖｂ２）を出力する場合を表している。給電部材２３０へ第１電位Ｖｂ１を付与する第１選択期間ＴＳＬ１では、第１照射部２２１１のアノード電位Ｖａ１＝Ｖｂ１−ΔＶａ１＝Ｖｂ１−ｒＬ１Ｉａである。給電部材２３０へ第２電位Ｖｂ２を付与する第２選択期間ＴＳＬ２では、第２照射部２２１２のアノード電位Ｖａ２＝Ｖｂ２−ΔＶａ２＝Ｖｂ２−ｒＬ２Ｉａである。Ｖｂ１＜Ｖｂ２であるから、Ｖａ１とＶａ２との差が、ＶｂがＶｂ０で一定の場合（図４（ａ））に比べて小さくなる。そのため、選択期間毎に選択配線に接続された電子放出素子３２０から放出される電子に付与されるエネルギーの差が小さくなり、発光層２１１の発光輝度の差が小さくなる。その結果、表示ムラが低減される。
【００４０】
Ｖｂ１とＶｂ２は、Ｖｂ２−Ｖｂ１＝ｒ（Ｌ２−Ｌ１）Ｉａとなるように供給電位を設定することが好ましい。このように供給電位Ｖｂ設定すれば、上記計算では、Ｖａ１＝Ｖａ２とすることができる。なお、Ｖｂ２をＶｂ１より極端に大きくすると、Ｖａの分布が却って大きくなってしまう。そのため、０＜Ｖｂ２−Ｖｂ１＜２ｒ（Ｌ２−Ｌ１）Ｉａとすることが好ましい。この条件は、全ての行配線３３０について満たされることがより好ましい。しかし、Ｌの最小値ＬｍｉｎとＬの最大値Ｌｍａｘについて満たされていれば十分である。すなわち、接続部２４０に最も近い行配線３３０を第１行配線３３１とし、接続部２４０から最も遠い行配線３３０を第２行配線３３２としたときの、Ｌ１＝Ｌｍｉｎ、Ｌ２＝Ｌｍｉｎについて満たされればよい。だたし、Ｖａが大きくなると発光層２１１の発光部の発光輝度は飽和するので、上記条件を多少外れても、つまりＶｂ２−Ｖｂ１≧２ｒ（Ｌ２−Ｌ１）Ｉａとなっても、Ｖｂが一定の場合に比べて、表示ムラを低減することができる。
【００４１】
Ｉａの値は、放出電流Ｉｅに置き換えて設定しても十分な精度を得ることができる。特に、発光部の輝度が最大輝度の２５〜７５％、好ましくは５０％となるときの放出電流Ｉｅに置き換えて設定すると好適である。
【００４２】
ここまで、供給電位を第１電位Ｖｂ１と第２電位Ｖｂ２の２値を用いて説明してきたが、電位生成回路１２０はＶｂ１とＶｂ２とは異なる供給電位をさらに出力することが好ましい。たとえば、第１行配線３３１と第２行配線３３２との間に位置する行配線３３０を選択する選択期間には、Ｖｂ１とＶｂ２との間の供給電位を給電部材２３０に付与するとよい。第１行配線３３１よりも接続部２４０に近い行配線３３０を選択する選択期間には、Ｖｂ１よりも低い供給電位を給電部材２３０に付与するとよい。第２行配線３３２よりも接続部２４０から遠い行配線３３０を選択する選択期間には、Ｖｂ２よりも高い供給電位を給電部材２３０に付与するとよい。
【００４３】
また、複数の行配線３３０を、接続部２４０からの距離に応じて、各々が複数の行配線３３０で構成される複数の行配線群に区分して、行配線群毎に供給電位Ｖｂを制御してもよい。たとえば、接続部２４０からの距離に応じて、第１行配線３３１を含む第１行配線群、第２行配線３３２を含む第２行配線群、第１行配線群と第２行配線３３２群の間の第３行配線群に区分することができる。そして、第１行配線群に含まれる各行配線の各選択期間には給電部材にＶｂ１を付与し、第２行配線群に含まれる各行配線の各選択期間には、給電部材にＶｂ２を付与する。第３行配線群に含まれる各行配線の各選択期間には、給電部材２３０にＶｂ１とＶｂ２との間の供給電位を付与する。
【００４４】
より高精度に照射部のアノード電位Ｖａを制御するために、各行配線３３０の選択期間毎に、供給電位Ｖｂを変化させることが好ましい。電位生成回路１２０が行配線３３０の数（Ｍ）と同じ数のレベル（波高値）を有する供給電位を離散的（段階的）に変更して出力してもよいし、複数の供給電位を連続的に変更して出力しても良い。連続的に変更する方が、電位生成回路１２０の構成を簡単にできる。
【００４５】
以上のように、接続部２４０と選択配線との距離Ｄの増加、また、接続部２４０と照射部及び発光部との距離Ｌの増加に応じて、供給電位Ｖｂを上昇させることにより、アノード電位Ｖａの分布を実効的に低減することができる。同様に、接続部２４０と選択配線との距離Ｄの減少、すわなち、接続部２４０と照射部及び発光部との距離Ｌの減少に応じて、供給電位Ｖｂを低下させることにより、アノード電位Ｖａの分布を実効的に低減することができる。
【００４６】
次に、表示パネル１１０の構成要素について詳細に説明する。
【００４７】
なお、本発明において、導電体、抵抗体、絶縁体は、それらが接した場合における、それぞれの抵抗率の相対的な大小関係によって定義する。すなわち、導電体、抵抗体、絶縁体が互いに接する時、それらの抵抗率は、導電体＜抵抗体＜絶縁体となる。実用的には、体積抵抗率が１０−５Ωｍ以下の材料を導電体、抵抗率が１０８Ωｍ以上の材料を絶縁体、抵抗率が１０−５Ωｍより大きく１０−８Ωｍより小さい材料を抵抗体とみなすことができる。
【００４８】
同様に、本発明において、導電膜、抵抗膜、絶縁膜は、それらが接した場合における、それぞれのシート抵抗の相対的な大小関係によって定義する。すなわち、導電体、抵抗体、絶縁体が互いに接する時、それらのシート抵抗は、導電膜＜抵抗膜＜絶縁膜となる。実用的には、シート抵抗が１０Ω／□以下の膜を導電膜、シート抵抗が１０１４Ω／□以上の膜を絶縁膜、シート抵抗が１０Ω／□より大きく１０１４Ω／□より小さい膜を抵抗膜とみなすことができる。
【００４９】
＜表示部材２１０について＞
表示部材２１０の発光層２１１としては、電子線励起によって発光する材料を用いればよく、典型的には蛍光体層を使用する事ができる。蛍光体層の具体的な材料としては、例えば「蛍光体ハンドブック」蛍光体同学会編（オーム社発行）に記載された、従来のＣＲＴなどに用いられている蛍光体結晶材料などを用いる事ができる。蛍光体の厚さは加速電圧や蛍光体の粒径、蛍光体の充填密度などによって適宜設定される。加速電圧が５ｋＶから１５ｋＶ程度の場合、一般の蛍光体の平均粒径である３μｍから１０μｍに対して、その１．５倍から３倍の厚さである４．５μｍから３０μｍ、好ましくは５μｍから１５μｍ程度に蛍光体層の厚さが設定される。表示部材２１０の遮光層２１２としては、ＣＲＴ等で公知のブラックマトリクスあるいはブラックストライプを採用できる。遮光層２１２は、一般に、黒色の金属、黒色の金属酸化物、又は、カーボンなどで構成される。黒色の金属酸化物としては、たとえば酸化ルテニウム、酸化クロム、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化モリブデン、酸化コバルト、酸化銅などが挙げられる。表示部材２１０は、発光層２１１、遮光層２１２に加えて、不図示のカラーフィルタを備えることもできる。カラーフィルタは発光層２１１と第１基板２０１との間に設けるとよい。
【００５０】
＜アノード２２０について＞
アノード２２０を表示部材２１０の電子源３１０側に設ける場合には、電子線の少なくとも一部がアノード２２０を通過して発光層２１１を照射する必要がある。そのため、アノード２２０は薄膜（膜厚が１μｍ以下）が用いられる。アノード２２０の膜厚は、電子のエネルギー損失やアノード電位Ｖａに応じて適宜設定される。アノード電位Ｖａが５ｋＶから１５ｋＶの場合には、アノード２２０の膜厚は５０〜３００ｎｍに設定される。このようにアノード２２０が薄膜である場合には、アノード２２０は抵抗性を有することになる。
【００５１】
アノード２２０を表示部材２１０と第１基板２０１との間に設ける場合には、アノード２２０は透明性を有する必要があるため透明導電膜を用いる。しかしながら、一般的な透明導電膜（例えばＩＴＯやＡＴＯ）は金属膜等の一般的な導電膜に比べて抵抗率が高い。従って、アノード２２０は抵抗性を有することになる。
【００５２】
アノード２２０の抵抗性は、アノード２２０の抵抗自体がアノード電位Ｖａの分布を極端に大きくしない程度に高くすることが好ましい。フェイスプレート２００（アノード２２０）とリアプレート３００（電子源３１０）との間には上記Ｖａによって高電界が形成される。そのため、フェイスプレート２００とリアプレート３００との間に、意図しない放電が生じる場合がある。このような放電によって電子源３１０に電流（放電電流）流れる可能性がある。放電電流が大きいと、電子源３１０や走査回路１３０、変調回路１４０を損傷する可能性がある。そこで、アノード２２０の抵抗性を高くすることにより、放電電流を低減することができる。具体的には、アノード２２０の照射領域２２１のシート抵抗を１００Ω／□以上とすることが好ましく、１００ｋΩ／□以上とすることがより好ましい。
【００５３】
アノード２２０のシート抵抗は、行配線３３０が配列された方向（Ｙ方向）に、所定長さｗの一対の電極をＹ方向に所定長さｌだけ離してアノード２２０に接触させて計測することができる。一対の電極に電圧Ｖを印加したときに流れる電流Ｉから抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉが求められる。シート抵抗ＲｓはＲ×ｗ／ｌを求め、さらにｗ，ｌを大きくしていった時にＲ×ｗ／ｌがほぼ一定になったときの値を採用する。このようにすることで、アノード２２０が構成単位が繰り返し配列された複合部材からなる場合でも、適切にシート抵抗Ｒｓを求めることができる。
【００５４】
アノード２２０の抵抗性を所望の値にするために、例えば図５（ａ）に示すように、アノード２２０の照射領域２２１を、複数の導電膜２２３と、当該複数の導電膜２２３を互いに接続する抵抗膜２２４とで構成することができる。このような形態は、特開２００６−１２０６２号公報、特開２００５−２３５４７０号公報を参照することができる。抵抗膜２２４によって、アノード２２０の何れかの位置で放電が生じても、放電箇所に電流が集中することを抑制することができる。この時に、抵抗膜２２４を介して互いに隣り合う導電膜２２３間の抵抗値を１ｋΩ以上１ＭΩ以下とすることが好ましく、１００ｋΩ以上とすることがより好ましい。図５（ａ）では抵抗膜２２４がＹ方向で導電膜２２３を接続しているが、Ｘ方向でも導電膜２２３を接続しても良い。
【００５５】
少なくともＹ方向に抵抗膜２２４を設けることにより、アノード２２０のＹ方向における抵抗値が高くなる。そのため、Ｙ方向のアノード電位分布を低減できる本発明の効果は顕著になる。
【００５６】
上記したアノード２２０の抵抗膜２２４は、遮光層２１２上に設けることが好ましいが、遮光層２１２自体を抵抗体で構成することにより、遮光層２１２を抵抗膜２２４として用いることもできる。この場合は、遮光層２１２が表示部材２１０の機能の一部とアノード２２０の機能の一部とを担っていると云える。
【００５７】
アノード２２０を表示部材２１０の電子源３１０側に設ける場合には、アノード２２０として、アルミニウムなどの金属膜を用いることが好ましい。このような金属膜はメタルバックと呼ばれる。なお、本発明において、金属は単体の金属だけでなく合金も含むものとする。メタルバックは、発光層２１１の電子源３１０側に重ねられた金属膜の光反射性を利用して、発光層２１１から発せられた光を観察者側に反射することができる。メタルバックは薄膜にする必要があるために、金属膜といえども、或る程度の抵抗性を有する。メタルバックは連続した金属膜を表示部材２１０の全体に渡って積層することによって得ることができる。しかし、上記のように放電電流を低減するためには、上記複数の導電膜２２３として金属膜（メタルバック）を用い、金属膜間を抵抗膜２２４で接続することが好ましい。
【００５８】
＜給電部材２３０について＞
給電部材２３０は、例えば、導電膜である給電電極２３１と導電体からなる棒状（針状）部材である給電端子２３２を含むことができる。給電電極２３１は、基板２０１上に設けられてアノード２２０と接触して接続部２４０を構成している。給電端子２３２は、第２基板３０１を貫通しており、気密容器の内部で給電電極２３１に接触している。このようにして、気密容器の外部から給電部材２３０がアノード２２０と電気的に接続されている。給電部材２３０から給電電極２３１を省略して、給電端子２３２をアノード２２０に直接接触させることもできる。あるいは、給電部材２３０から給電端子２３２を省略して、給電電極２３１を気密容器の外部に延在させることもできる。給電電極２３１をアノード２２０と同じ材料で構成して、給電電極２３１をアノード２２０に接続した場合には、給電電極２３１とアノード２２０の接続部２４０が明確でない場合がある。そのような場合には、アノード２２０の非照射領域２２２を給電電極２３１とみなして、照射領域２２１と非照射領域２２２との境界部を接続部２４０とみなせばよい。
【００５９】
給電部材２３０は供給電位Ｖｂをアノード２２０に付与できる程度の導電性を有していればよい。具体的には、電位生成回路１２０から高電圧を供給した時に給電部材２３０自体での電圧降下を小さくする為、接続部２４０のうち、電位生成回路１２０との接続部から電気的に最も離れた部分までを低抵抗にすることが好ましい。具体的には、電位生成回路１２０との接続部から電気的に最も離れた部分まで抵抗値を１ｋΩ以下に設定することが好ましい。
【００６０】
また、給電部材２３０（特に給電電極２３１）の一部に抵抗部２３３を設けることが好ましい。特に、抵抗部２３３がアノード２２０と接触して接続部２４０を構成するように、給電電極２３１のアノード２２０と接触する部分に抵抗部２３３を設けることが好ましい。このような構成によれば、アノード２２０において、特に給電電極２３１の接続部２４０側近傍で放電が発生した場合に、放電電流が増大することを抑制することができる。これは、給電電極２３１に充電されていた電荷が放電電流としてリアプレート３００側に流れ込むことを、抵抗部２３３によって制限することができるためである。このとき、給電部材２３０（給電電極２３１）は、上記したように給電部材２３０自体の低抵抗化と、給電部材２３０とアノード２２０との間の高抵抗化を両立することが好ましい。そのために、給電部材２３０を、抵抗部２３３と導電部２３４とで構成する。たとえば、給電電極２３１を、抵抗部２３３を構成し、アノード２２０の非照射領域２２２に接続する抵抗膜と、導電部２３４を構成し、抵抗部２３３に接続する導電膜とで構成できる。抵抗部２３３の、アノード２２０と導電部２３４との間の抵抗値は１ＭΩ以上１００ＭΩ以下とすることが好ましい。給電電極２３１の導電部２３４の導電膜は連続膜でもよいし、特開２００６−１８５６１４号公報に記載されているように、互いに分離した複数の導電膜でもよい。
【００６１】
給電端子２３２は、第２基板３０１を貫通して、第２基板３０１に固定されることから、第２基板３０１の熱膨張率と同程度（±２０％以内）の熱膨張率を有することが好ましい。典型的には、給電端子２３２には４２６合金やインバー合金等のＦｅとＮｉとを含有する合金（Ｎｉの含有率＜Ｆｅの含有率）が用いられる。
【００６２】
＜接続部２４０について＞
接続部２４０は、各行配線３３０からの距離が、行配線３３０毎に異なるような位置に配置すればよい。接続部２４０は実線状または破線状に配置することが好ましい。特に接続部２４０が行配線３３０が延在する方向と同じ方向（Ｘ方向）に延在することが好ましい。このようにすることにより、アノード２２０の、行配線３３０が延在する方向と同じ方向（Ｘ方向）における、アノード電位Ｖａの分布を低減することができる。接続部２４０を、アノード２２０の、行配線３３０に平行な１辺のみ、すなわち、Ｙ方向におけるアノード２２０の上側または下側の非照射領域２２２（一方の端部）のみに、設けてもよい。接続部２４０を、行配線３３０に平行な互いに対向する２辺、すなわち、Ｙ方向におけるアノード２２０の上側と下側の両側の非照射領域２２２（両端部）に設けても良い。図５（ｂ）、（ｃ）には、接続部２４０を２辺に設けた形態を示しており、それぞれの接続部を第１接続部２４１、第２接続部２４２で示している。図５（ｂ）では、給電電極２３１がアノード２２０の３辺に位置して接続部２４０を２辺に設けた形態を表している。図５（ｃ）では、給電電極２３１がアノード２２０を囲むように４辺に配置して、接続部２４０を上側と下側の２辺に設けた形態を表している。図５（ｂ）、（ｃ）では給電電極２３１を上側と下側の２辺間で延在させることによって、接続部２４０を２辺に設けている。しかし、別々の給電電極２３１を２辺に設けて、それぞれに給電端子２３２を接続し、それぞれの給電端子２３２へ電位生成回路１２０の出力を分配する構成としてもよい。
【００６３】
このように、接続部２４０が複数ある場合には、行配線３３０が配列された方向（Ｙ方向）における両端の行配線３３０の少なくとも一方が接続部２４０に最も近い行配線となる。複数の行配線３３０のうちの、任意の２本の行配線３３０を比較した場合、第１接続部２４１と第２接続部２４２のいずれかとの距離がより短い方の行配線３３０が行配線が第１行配線３３１である。例えば、９９本の行配線３３０が、第１接続部２４１と第２接続部２４２の間に、等間隔で配列されている場合を説明する。第１接続部２４１から数えて３０本目の行配線と、第２接続部２４２から数えて６０本目の行配線とでは、３０本目の行配線が第１行配線３３１であり、６０本目の行配線が第２行配線３３２である。５０本目の行配線が、第１接続部２４１及び第２接続部２４２から最も離れた行配線である。従って、このような形態の場合は、５０本目の行配線が選択配線となるような選択期間に、最高の供給電位Ｖｂを給電部材２３０に付与することが好ましい。
【００６４】
＜ガード電極２５０について＞
高電位（Ｖａ，Ｖｂ）に規定されるアノード２２０や給電部材２３０と封止部材４００との間に、アノード電位Ｖａよりも低い電位に規定される電極であるガード電極２５０を配置することが好ましい。ガード電極２５０の電位は接地電位（０Ｖ）とすること好ましい。アノード２２０は高電位であるために、フェイスプレート２００とフェイスプレート２００との間だけでなく、封止部材４００表面や第１基板２０１表面にも電位分布を生じさせる。そこで、低電位に規定されたガード電極２５０を配置することによって、ガード電極２５０のアノード２２０とは反対側の領域の電位をアノード電位よりも低くすることができる。ガード電極２５０は、アノード２２０及び給電部材２３０（給電電極２３１）を囲むようにループ状に設けることが好ましい。
【００６５】
＜スペーサ４１０について＞
スペーサ４１０は、ガラス等の絶縁性の部材を用いることができる。さらに、絶縁体母材に導電体粒子を分散したり、絶縁体の表面を抵抗膜で被覆したりした構成とすることが望ましい。このように、スペーサ４１０に僅かな導電性を付与すると、スペーサ４１０の帯電を抑制することができる。スペーサ４１０の形状は、柱状でもよいし、板状（壁状）でもよい。板状のスペーサ４１０を用いる場合には、板状のスペーサ４１０を、行配線３３０上に、行配線３３０が延在する方向と同じ方向に延在するように配置することが好ましい。
【００６６】
＜電子放出素子３２０について＞
本発明において、電子放出素子３２０は特に限定されないが、電界放出型（冷陰極型）であることが好ましい。電界放出型としては、例えば、ＳＣＥ型（表面伝導型）、Ｓｐｉｎｄｔ型、ＣＮＴ型、ＭＩＭ型、ＭＩＳ型、ＢＳＤ型の各種電子放出素子を用いることができる。ＳＣＥ型は特開平０７−２３５２５５号公報に開示されているような形態のものや、特開２００１−１６７６９３号公報に開示されているような形態のものが知られている。
【００６７】
＜走査回路１３０について＞
Ｍ本の行配線３３０の走査は、例えば図３に示すように、次のようにして行われる。走査期間Ｔ１内の最初の選択期間Ｔ１１において、１本目の行配線には選択電位Ｖｓを付与し、残りのＭ−１本の行配線には非選択電位Ｖｎを付与する。走査期間Ｔ１内の、選択期間Ｔ１１の直後の選択期間Ｔ１２において、２本目の行配線には選択電位Ｖｓを付与し、残りのＭ−１本の行配線には非選択電位Ｖｎを付与する。走査期間Ｔ１内の、選択期間Ｔ１Ｍ−１において、Ｍ−１本目の行配線にはＭ本目の行配線には選択電位Ｖｓを付与し、残りのＭ−１本の行配線には非選択電位Ｖｎを付与する。走査期間Ｔ１内の、選択期間Ｔ１Ｍ−１の直後かつ最後の選択期間Ｔ１Ｍにおいて、Ｍ本目の行配線には選択電位Ｖｓを付与し、残りのＭ−１本の行配線には非選択電位Ｖｎを付与する。これにより、走査期間Ｔ１が終了する。走査期間Ｔ１の直後に走査期間Ｔ２が開始する。走査期間Ｔ２内の最初の選択期間Ｔ２１において、再び１本目の行配線には選択電位Ｖｓを付与し、残りのＭ−１本の行配線には非選択電位Ｖｎを付与する。以後、同様に走査期間Ｔ２内の選択期間Ｔ２２、・・・、Ｔ２Ｍに各行配線を選択する。上記の例では、Ｔ１が１走査期間ＴＳＣであり、上記Ｔ１１、Ｔ１２、・・・、Ｔ１Ｍの各々が１走査期間内の選択期間である。選択期間Ｔ１１、・・・、Ｔ１Ｍ−１の何れかが第１選択期間ＴＳＬ１であり、選択期間Ｔ１２、・・・、Ｔ１Ｍの何れかのうち第１選択期間ＴＳＬ１より後の選択期間が第２選択期間ＴＳＬ２である。
【００６８】
なお、上記説明では、走査期間同士の関係及び選択期間同士の関係を「直後」と説明した。しかし、各期間同士の間には画像の連続性を損なわない程度に、どの電子放出素子３２０も駆動しない期間（ブランキング期間）があっても、実質的には「直後」と考えてよい。
【００６９】
良好な表示品質を得るためには、一般的に１秒あたりに１５フレーム以上の表示を行う。１秒あたり１５フレームとすると１走査期間は１／１５秒（約６７ｍｓ）である。したがって、１走査期間は１／１５秒以下とすることが好ましい。なお、さらに良好な画質を得るために例えば１秒あたり１２０フレームとすると、１走査期間は１／１２０秒（約８ｍｓ）である。１選択期間の長さは、行配線３３０の数と１走査期間の長さにもよるが、１走査期間が１／１５秒であって行配線３３０が２本の場合には、１選択期間は１／３０秒（約３３ｍｓ）以下である。１走査期間が１／１５秒で行配線３３０が２４０本の場合には１選択期間は１／３６００秒（約２７８μｓ）以下、１走査期間が１／１２０秒で行配線３３０が１０８０本の場合には１選択期間は１／１２９６００秒（約７．７μｓ）以下である。
【００７０】
＜変調回路１４０について＞
変調信号は、典型的には、階調信号に応じて変調されたパルス波形を有する。変調信号の変調方法は、パルス幅変調（ＰＷＭ）やパルス振幅変調（ＰＡＭ）、パルス幅変調とパルス振幅変調とを組み合わせた変調（ＰＷＭ−ＰＡＭ）を用いることができる。表示する画像によって階調信号は異なるが、本発明が課題とする表示ムラは複数の列配線３４０の各々に、同じ中間階調信号に対応した変調信号を入力して発光層２１１を発光させた時に顕著になる。従って、供給電位Ｖｂを設定したり、その効果を確認する際には、画面全体を均一な中間階調にした表示を行うと良い。勿論、通常の画像を表示する際にも表示ムラは潜在的に生じ得るので、本発明を採用すると、通常の画像を表示する際にも良好が表示品質が得られる。
【００７１】
＜電位生成回路１２０について＞
電位生成回路１２０の構成は、所望の供給電位Ｖｂを出力できるものであれば特に限定されるものではないが、電位生成回路１２０は、例えば波形生成部１２１と高電圧生成部１２２とで構成することができる。
【００７２】
波形生成部１２１は、数Ｖの波高値を有する周期波形を出力可能なものを用いることができる。波形の周期は、プログレッシブ走査の場合には、走査期間と同じ周期の波形を生成可能なもの、インターレース走査の場合には、走査期間の半分の周期の波形を生成可能なものを用いることができる。プログレッシブ走査あるいはインターレース走査を行う場合には、波形形状としては、例えば階段波、鋸波、正弦波、三角波が挙げられる。特に、鋸波は、接続部２４０がＹ方向の一方のみに設けられている場合に好ましく用いることができ、三角波は、接続部２４０がＹ方向の両方に設けられている場合に好ましく用いることができる。
【００７３】
そして、１つの例では、高電圧生成部１２２が信号波形の周期を維持したまま、波高値を＋数ｋＶ〜数１０ｋＶまで増幅して供給電位を出力する。別の例では、波形生成部１２１が出力した信号波形に、高電圧生成部１２２生成した直流高電圧を重畳する。波形形状は、走査期間内の供給電位Ｖｂの高低が、走査期間内における選択配線と接続部２４０との距離の増減と対応していること、つまり、Ｄが長い選択期間ほど波形の電位を高くし、Ｄが短い選択期間ほど波形の電位を低くする。
【００７４】
例えば、接続部２４０がＹ方向の一方のみに設けられており、表示パネル１１０をプログレッシブ走査する場合を例に挙げて説明する。アノード２２０のＹ方向の両端の抵抗値（ｒ（Ｌｍａｘ−Ｌｍｉｎ））がＲｍａｘ［Ω］である場合には、Ｖｂの最低値と最高値の差は０Ｖより大きく（２ＲｍａｘＩｅ）［Ｖ］より小さくなるようにする。好ましくは、Ｖｂの最低値と最高値の差を、（ＲｍａｘＩｅ）［Ｖ］となるようにする。そして、電位生成回路１２０はこのような最低値と最高値の差を持った鋸波を出力すればよい。インターレース走査を行う場合には、鋸波の周期を半分にすればよい。接続部２４０がＹ方向の両方に設けられている場合には、（ｒ（Ｌｍａｘ−Ｌｍｉｎ））がＲｍａｘの約半分になり、アノード電流が流れる経路が２つに別れるので、Ｖｂの最低値と最高値の差を、０Ｖより大きく（ＲｍａｘＩｅ／２）［Ｖ］より小さくなるようにする。好ましくは、Ｖｂの最低値と最高値の差を、（ＲｍａｘＩｅ／４）［Ｖ］となるようにする。そして、電位生成回路１２０はこのような最低値と最高値の差を持った三角波を出力すればよい。典型的な表示パネル１１０では、上記Ｒｍａｘは１ＭΩ以上１ＧΩ以下であり、Ｉｅは１μＡ以上２０μＡ以下である。従って、Ｖｂの最低値と最高値の差は、ＲｍａｘやＩｅに応じて、１Ｖ〜２０ｋＶの範囲で適宜設定される。
【００７５】
電位生成回路１２０が、表示する画像、すわなち発光部の輝度に応じて供給電位Ｖｂを調整するように表示装置１００を構成することもできる。上述したように、ΔＶａはＩｅによっても変動するので、Ｉｅの変動すなわち表示する画像の輝度の変動に応じてＶｂを調整すると、より好適に表示ムラを低減することができる。このような形態は、変調回路１４０が、ＰＡＭあるいはＰＡＭ−ＰＷＭを用いる場合に効果的である。
【００７６】
具体的には、走査期間毎に、電位生成回路１２０の出力波形を変更可能なように電位生成回路１２０を構成すればよい。その結果、走査期間毎に第１電位Ｖｂ１と第２電位Ｖｂ２の少なくとも一方が変更可能となる。例えば、電位生成回路１２０の波形生成部１２１に画像信号を入力することによって、画像信号に基づいて、波形生成部１２１が出力波形の波高値を調整する構成とすることができる。あるいは、電位生成回路１２０の高電圧生成部１２２に画像信号を入力することによって、画像信号に基づいて、高電圧生成部１２２がその増幅率を調整する。
【００７７】
＜制御回路１５０について＞
図３に示す例では、同期信号は走査期間の始まりを規定するパルスを出力するトリガ信号である。走査回路１３０は、トリガ信号のパルスが入力されたタイミングで、同期信号をトリガとして、予め定められた順で複数の行配線３３０の走査を開始する。一方、変調回路１４０は、トリガ信号のパルスが入力されたタイミングで、すなわち同期信号をトリガとして、選択配線に接続された電子放出素子３２０に付与すべき変調電位Ｖｍを逐次出力する。電位生成回路１２０は、トリガ信号のパルスが入力されたタイミングで、すなわち同期信号をトリガとして、所定の供給電位Ｖｂを出力する。ここでは、同期信号にトリガ信号を用い、同期信号をトリガとして、電位生成回路１２０、走査回路１３０、変調回路１４０がそれぞれが走査期間内の動作を行う例を示した。しかし、制御回路１５０はこのような形態に限定されることはなく様々な変更が可能である。例えば、同期信号として複数のパルスからなるクロック信号を用いて、各回路がパルス数をカウントすることにより走査期間内の動作を行うようにしてもよい。
【００７８】
＜電位生成回路１２０について＞で説明した、電位生成回路１２０が表示する画像に応じて供給電位Ｖｂを調整する形態においては、上述したように画像信号を電位生成回路１２０に入力することができる。しかしながら、制御回路１５０がその機能を担う構成にすることが好ましい。図１に示すように、制御回路１５０は、入力された画像信号に基づいて、調整信号を出力する。電位生成回路１２０（波形生成部１２１又は高電圧生成部１２２）に調整信号が入力されることにより、電位生成回路１２０に画像信号が入力される場合と同様にして、電位生成回路１２０が調整信号に基づいて出力波形は増幅率を調整する。例えば、制御回路１５０において入力する画像信号に応じてアノード２２０の照射領域２２１で発生する電圧降下量ΔＶａを各選択期間ごとに算出し、１走査期間毎に平均的に発生する電圧降下量算出する。この算出結果を調整信号として波形生成部１２１に入力する。波形生成部１２１は、調整信号に応じた波形を出力するように構成されている。
【実施例】
【００７９】
（実施例１）
高歪み点ガラスからなる第１基板２０１の表面に、遮光層２１２として、カーボンブラックからなるブラックマトリックスを形成した。ブラックマトリックスの開口内に発光層２１１としてＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体からなる蛍光体層を形成して、蛍光体層をマトリックス配列し、マトリックス配列されたそれぞれの蛍光体層を１サブピクセルとした。そして各発光層２１１上にＡｌからなる導電膜２２３（メタルバック）をフィルミング法により成膜した。導電膜２２３は、Ｙ方向で隣り合う２サブピクセルに渡って形成した。隣り合う導電膜２２３を接続するように遮光層２１２上に酸化ルテニウムからなる抵抗膜２２４を２サブピクセルおきに成膜した。尚、抵抗膜２２４の抵抗値は２００ｋΩとした。これにより、矩形状のアノード２２０を形成した。これによって得られるアノード２２０のＹ方向の両端の抵抗値は、１００ＭΩ程度となる。そして、アノード２２０の、非照射領域２２２の一辺に沿って、アノード２２０に接続するように給電電極２３１を設けた。給電電極２３１は、上記抵抗膜２２４と同じ膜厚の酸化ルテニウムからなる抵抗部２３３としての抵抗膜と、Ａｇからなる金属膜としての導電部２３４とで構成した。これにより、導電部２３４とアノード２２０との間の抵抗値は２４ＭΩとなった。また、給電電極２３１及びアノード２２０を取り囲むように、カーボンブラックからなるガード電極２５０を形成した。このようにして、給電電極２３１が設けられたフェイスプレート２００を作製した。
【００８０】
高歪み点ガラスからなる第２基板３０１の表面に、従来公知の方法で、１０８０本の行配線３３０と５７６０本の列配線３４０とからなるマトリックス配線３５０と、電子放出素子３２０を形成して、電子源３１０とした。電子放出素子３２０としては、ＳＣＥ型を用いた。このようにして、リアプレート３００を作製した。第２基板３０１には隅部に貫通穴を設けた。
【００８１】
リアプレート３００上に、電子源３１０を取り囲むように、枠状の封止部材４００を配置し、行配線３３０上に板状のスペーサ４１０を配置した。なお、尚、板状のスペーサ４１０は、高歪み点ガラスを、タングステンとゲルマニウムとの窒化物からなる半導体膜で被膜した物を用いた。リアプレート３００上にフェイスプレート２００を対向させて載せた。給電端子２３２を第２基板３０１の貫通孔に挿入して、給電電極２３１に当接させた後、貫通孔に接着剤を充填して、貫通孔を封止した。
【００８２】
真空チャンバー内で封止部材４００を加熱してリアプレート３００とフェイスプレート２００とを封着した。このとき、給電電極２３１とアノード２２０との接続部２４０が行配線３３０及びスペーサ４１０と平行になるようにした。以上のようにして表示パネル１１０を作製した。
【００８３】
そして、図１で示すように、行配線３３０に走査回路１３０を、列配線３４０に変調回路１４０を接続した。給電端子２３２には電位生成回路１２０を接続した。さらに、電位生成回路１２０、走査回路１３０、変調回路１４０に制御回路を接続した。電位生成回路１２０は、波形生成部１２１と高電圧生成部１２２とで構成した。図６に示すように、波形生成部１２１の出力波形を、波高値が６．０Ｖ〜６．２Ｖ、周波数が６０Ｈｚの鋸波となるように設定した。高電圧生成部１２２を波形生成部１２１で生成された波形の波高値（電位振幅）を２０００倍に増幅して出力するように設定した。したがって、電位生成回路１２０は、波高値が１２ｋＶ〜１２．４ｋＶ、周波数が６０Ｈｚの鋸波の供給電位Ｖｂを出力する。
【００８４】
走査回路１３０が、選択電位が−１０Ｖ、非選択電位が０Ｖ、走査期間が１１／６０秒、選択期間が１／６４８００秒で、フレーム周波数６０Ｈｚでプログレッシブ走査を行う走査信号を出力するように制御回路１５０を設定した。変調回路１４０が、変調電位が波高値＋１０Ｖ、周波数が６４．８ｋＨｚのＰＷＭによるパルス変調信号を出力するように制御回路１５０を設定した。なお、効果を確認するために、変調信号のパスル幅及び波高値は１選択期間内の全ての列配線３３０に対して均一とし、さらに１走査期間内で一定とすることで、一様な表示を行っている。このとき、１つの電子放出素子３２０からの放出電流Ｉｅは約４μＡであった。
【００８５】
その結果、図１における、表示面の上端部（−Ｙ側）での輝度と表示面の下端部（＋Ｙ側）での輝度を比較すると、１％以下の輝度差となった。これに対し、波形生成部１２１の出力を直流として、電位生成回路１２０の出力を一定とした場合、表示面の上端部と表示面の下端部での輝度差を比較すると、１０％程度の輝度差が発生した。
【００８６】
この様に、本実施例においては、波形生成部１２１の出力波形、即ち電位生成回路１２０の出力電位Ｖｂを制御する事で、特に複雑な構成をとる事無く、又放電時の放電電流制限効果を損なう事無く、大幅に輝度の分布（表示ムラ）を改善する事が出来た。
【００８７】
（実施例２）
基本的な構成については実施例１と同様であり、本実施例が実施例１と異なる点は、図６の（ｂ）に示す構成のフェースプレートを用いた点と、波形生成部１２１が生成する信号波形が異なる点のみである。図７に示すように、波形生成部１２１の出力波形を、波高値が６．０Ｖ〜６．０５Ｖ、周波数が６０Ｈｚの三角波となるように設定した。高電圧生成部１２２を波形生成部１２１で生成された波形の波高値（電位振幅）を２０００倍に増幅して出力するように設定した。したがって、電位生成回路１２０は、波高値が１２．０ｋＶ〜１２．１ｋＶ、周波数が６０Ｈｚの三角波の供給電位Ｖｂを出力する。
【００８８】
その結果、図１における、表示面の上端部（−Ｙ側）及び下端部（＋Ｙ側）での輝度と表示面の中央部（上端部と下端部との中間の部分）での輝度を比較すると、１％以下の輝度差となった。これに対し、波形生成部１２１の出力を直流として、電位生成回路１２０の出力を一定とした場合、中央部と上下端部でのアノード電位Ｖａの電位差は、１００Ｖ程度であった。そして、表示面の上端部と表示面の下端部での輝度差を比較すると、１．５％程度の輝度差が発生した。
【００８９】
（実施例３）
基本的な構成については実施例１と同様であり、本実施例が実施例１と異なるのは、波形生成部１２１の出力波形を各走査期間ごとに変更可能にした点と、変調回路１４０にＰＡＭを用いた点である。
【００９０】
図８に示すように、走査回路１３０が、選択電位が−１０Ｖ、非選択電位が０Ｖ、走査期間が１６．７ｍｓ、選択期間が１５．５μｓの走査信号を出力するように制御回路１５０を設定した。変調回路１４０が、変調電位が波高値＋５〜＋１０Ｖ、周波数が６４．８ｋＨｚのＰＡＭによる変調信号を出力するように制御回路１５０を設定した。なお、効果を確認するために、変調信号の波高値及びパルス幅はは１選択期間内の全ての列配線３３０に対して均一とし、さらに１走査期間内で一定とすることで、一様な表示を行っている。さらに、５秒ごとに画像信号を変更して、ある５秒間には変調電位の波高値が＋９．０Ｖとなるように、直後の５秒間には変調電位の波高値が＋９．７Ｖとなるように、表示を行った。図８に示すのは、表示が切り替わる瞬間の前後の走査期間（フレーム）である。変調電位の波高値が＋９．０Ｖの時には、１つの電子放出素子３２０からの放出電流Ｉｅは約２μＡであった。変調電位の波高値が＋９．７Ｖの時には、１つの電子放出素子３２０からの放出電流Ｉｅは約３μＡであった。そのため、変調電位の波高値が＋９．７Ｖの場合には、変調電位の波高値が＋９．０Ｖの場合よりも輝度が高くなる。
【００９１】
電位生成回路１２０は、波形生成部１２１と高電圧生成部１２２とで構成した。画像信号を切り換える直前の走査期間では、波形生成部１２１の出力波形を、波高値が６．００Ｖ〜６．１０Ｖ、周波数が６０Ｈｚの鋸波となるように設定した。画像信号を切り換えた直後の走査期間では、波形生成部１２１の出力波形を、波高値が６．００Ｖ〜６．１５Ｖ、周波数が６０Ｈｚの鋸波となるように設定した。高電圧生成部１２２を波形生成部１２１で生成された波形の波高値（電位振幅）を２０００倍に増幅して出力するように設定した。したがって、電位生成回路１２０は、画像信号を切り換える直前の走査期間では、波高値が１２．０ｋＶ〜１２．２ｋＶ、周波数が６０Ｈｚの鋸波の供給電位Ｖｂを出力する。画像信号を切り換えた直後の走査期間では、波高値が１２．０ｋＶ〜１２．３ｋＶ、周波数が６０Ｈｚの鋸波の供給電位Ｖｂを出力する。
【００９２】
このように構成したところ、画像信号を切り換えても、表示ムラが低減された良好な画像が得られた。
【符号の説明】
【００９３】
１００ 表示装置
１１０ 表示パネル
１２０ 電位生成回路
１３０ 走査回路
１４０ 変調回路
１５０ 制御回路
２１０ 表示部材
２２０ アノード
２３０ 給電部材
２４０ 接続部
３１０ 電子源
３２０ 電子放出素子
３３０ 行配線
３３１ 第１行配線
３３２ 第２行配線
３４０ 列配線
３５０ マトリックス配線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特にフィールドエミッションディスプレイのアノード電位の制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）の表示パネルは、電子源と、電子源と対向するアノード及び発光層を備えている。そして、電子源から放出された電子を、アノードに付与されたアノード電位と電子源の電位との電位差（アノード電圧）によって加速することにより電子にエネルギーを付与して、発光層を励起発光させて表示を行う。ＦＥＤにおいては、アノードの面積は表示面の面積と同程度である。そのため、表示面が大きくなるほど、アノードに生じる電位分布（アノード電位の分布）が顕著になる。
【０００３】
特許文献１には、メタルバック（アノード）における加速電圧源からの給電点から離れるにつれて、メタルバックにおける電圧が低下することが開示されている。
【０００４】
特許文献２には、アノード電圧を印加する電圧供給部とアノード電圧を調整する電圧調整部を有する画像表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３３２２００号公報
【特許文献２】特開２００４−２４６２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
アノード電位に分布が生じると、表示パネルの表示面に表示ムラが生じることがある。本発明は表示面に生じる表示ムラを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための本発明の第１は、複数の行配線及び複数の列配線からなるマトリックス配線と、前記マトリックス配線に接続された複数の電子放出素子とからなる電子源と、前記電子源に対向する表示部材と、前記表示部材に重なるアノードと、前記アノードに接続部で接続された給電部材と、を有する表示パネルと、前記複数の行配線に接続された走査回路と、前記複数の列配線に接続された変調回路と、前記給電部材に接続された電位生成回路と、を備える表示装置であって、前記複数の行配線は、第１行配線と、前記第１行配線よりも前記接続部から離れて位置する第２行配線とを含んでおり、前記走査回路は、１走査期間内の第１選択期間に、前記第１行配線へ選択電位を出力するとともに、前記第２行配線へ非選択電位を出力し、前記１走査期間内の前記第１選択期間とは別の第２選択期間に、前記第１行配線へ前記非選択電位を出力するとともに、前記第２行配線へ前記選択電位を出力するものであり、前記変調回路は、前記複数の列配線に変調電位を出力するものであり、前記電位生成回路は、前記電子源の電位よりも高い第１電位と、前記第１電位よりも高い第２電位とを出力可能であって、前記電位生成回路は、前記第１選択期間に前記第１電位を前記給電部材へ出力し、前記第２期間に前記第２電位を前記給電部材へ出力することを特徴とする。
【０００８】
また、上記課題を解決するための本発明の第２は、複数の行配線及び複数の列配線からなるマトリックス配線と、前記マトリックス配線に接続された複数の電子放出素子とからなる電子源と、前記電子源に対向する表示部材と、前記表示部材に重なる領域を有するアノードと、前記領域の外側に設けられ前記アノードに接続部で接続された給電部材と、を有する表示パネルと、前記給電部材に接続された電位生成回路と、前記複数の行配線に接続された走査回路と、前記複数の列配線に接続された変調回路と、前記給電部材に接続され、前記電子源の電位よりも高い供給電位を前記給電部材へ出力する電位生成回路と、を備える表示装置であって、前記接続部は、前記複数の行配線が延在する方向と同じ方向に延在し、かつ、前記複数の行配線が配列された方向における前記アノードの少なくとも一方の側に設けられており、前記走査回路は、前記複数の行配線を１走査期間内に線順次に走査し、前記表示部材には、前記１走査期間内の前記走査に対応して線順次に発光部が形成されるものであり、前記電位生成回路は、前記１走査期間内における前記接続部と前記発光部との距離の増加に応じて、前記１走査期間内に前記供給電位を上昇させることと、前記１走査期間内における前記接続部と前記発光部との距離の減少に応じて、前記１走査期間内に前記供給電位を低下させることとの少なくとも一方を行うことを特徴とする。
【０００９】
また、上記課題を解決するための本発明の第３は、表示パネルの駆動方法であって、前記表示パネルは、複数の行配線及び複数の列配線からなるマトリックス配線と、前記マトリックス配線に接続された複数の電子放出素子とからなる電子源と、前記電子源に対向する表示部材と、前記表示部材に重なるアノードと、前記アノードに接続部で接続された給電部材と、を有し、前記複数の行配線は、第１行配線と、前記第１行配線よりも前記接続部から離れて位置する第２行配線とを含んでおり、１走査期間内の第１選択期間に、前記第１行配線へ選択電位を付与するとともに、前記第２行配線へ非選択電位を付与し、前記１走査期間内の前記第１選択期間とは別の第２選択期間に、前記第１行配線へ前記非選択電位を付与するとともに、前記第２行配線へ前記選択電位を付与し、前記第１選択期間に前記電子源の電位よりも高い第１電位を前記給電部材へ付与し、前記第２期間に前記第１電位よりも高い第２電位を前記給電部材へ付与することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、アノード電位の分布を補償するように電位生成回路の出力を変化させることにより、表示面に生じる表示ムラを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】表示装置の一例を説明する模式図。
【図２】表示パネルの一例を説明する模式図。
【図３】表示装置の一例を説明する模式図。
【図４】本発明を説明するための模式図。
【図５】表示パネルの一例を説明する模式図。
【図６】実施例１を説明する模式図。
【図７】実施例２を説明する模式図。
【図８】実施例３を説明する模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態の一例を説明する。
【００１３】
図１は表示装置１００の構成の概要を示す模式図である。図１に示すように、表示装置１００は表示パネル１１０と、電位生成回路１２０と走査回路１３０と変調回路１４０とを備えている。加えて表示装置１００は制御回路１５０を備えることができる。
【００１４】
まず、表示パネル１１０について、その概要を説明する。図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はＦＥＤの表示パネル１１０の一例の概要を示す模式図である。図２（ａ）は表示パネル１１０の一部を切り欠いた斜視図であり、図２（ｂ）は表示パネル１１０の断面図であり、図２（ｃ）、（ｂ）は表示パネル１１０の分解平面図である。
【００１５】
表示パネル１１０は、互いに対向するフェイスプレート２００とリアプレート３００とを備えている。
【００１６】
フェイスプレート２００は、透明な絶縁性の第１基板２０１と、表示部材２１０と、アノード２２０とを備えている。表示部材２１０が表示装置１００の表示面（スクリーン）を構成する。表示部材２１０とアノード２２０は、第１基板２０１上に重ねられて設けられている。図２（ｂ）に示す例では、第１基板２０１とアノード２２０との間に表示部材２１０が位置した構成であるが、第１基板２０１と表示部材２１０との間に透明なアノード２２０を設けた構成とすることもできる。図２（ｂ）に示すように、表示部材２１０は、電子線の照射によって発光する発光層２１１を少なくとも含み、さらに、発光層２１１同士の間に設けられた遮光層２１２を含むことができる。アノード２２０は単一部材又は複合部材で構成される。
【００１７】
アノード２２０は照射領域２２１と、照射領域２２１よりも外側の部分である非照射領域２２２とに区分けすることができる。アノード２２０の照射領域２２１とは、アノード２２０が表示部材２１０と重なり合う部分（表示部材２１０の正射影の領域）である。アノード２２０の大部分は、照射領域２２１で占められる。アノード２２０の非照射領域２２２とは、アノード２２０が表示部材２１０と重なり合わない部分であって、アノード２２０の端部である。本発明のアノード２２０は完全導体ではなく、抵抗性を有している。
【００１８】
リアプレート３００は絶縁性の第２基板３０１と、電子源３１０を備えている。電子源３１０は、第２基板３０１上に設けられており、マトリックス配列された複数の電子放出素子３２０と、マトリックス配線３５０とからなる。マトリックス配線３５０は、複数の行配線３３０と、複数の列配線３４０とを備えている。マトリックス配線３５０では、複数の行配線３３０の各々は同じ方向（Ｘ方向）に延在しており、複数の行配線３３０が延在する方向と交差する方向（Ｙ方向）に配列されてなる。マトリックス配線３５０では、複数の列配線３４０の各々は同じ方向（Ｙ方向）に延在しており、複数の列配線３４０が延在する方向と交差する方向（Ｘ方向）に配列されてなる。そして、複数の行配線３３０と複数の列配線３４０は互いに交差している。行配線３３０と列配線３４０の交差部には不図示の絶縁層が設けられて行配線３３０と列配線３４０とを絶縁している。複数の電子放出素子３２０の各々は、複数の行配線３３０の各々と複数の列配線３４０の各々の近傍に設けられて、複数の行配線３３０の各々と複数の列配線３４０の各々に接続されている。詳細には、電子放出素子３２０は、行配線３３０上、列配線３４０上、互いに隣り合う行配線３３０同士の間、互いに隣り合う列配線３４０同士の間、の少なくとも何れかの部分に設けられる。図２（ａ）では、電子放出素子３２０が、互いに隣り合う行配線３３０同士の間かつ互いに隣り合う列配線３４０同士の間に設けられている形態を示している。
【００１９】
以下の説明では、図２（ｄ）に示すように、行配線３３０の数をＭ本（Ｍ≧２）として、行配線３３０が配列された方向と同じ方向（Ｙ方向）における−Ｙ側から＋Ｙ側に向かって順に、１本目、２本目、・・・、Ｍ−１本目、Ｍ本目の行配線と呼ぶことにする。そして、行配線３３０が配列された方向と同じ方向（Ｙ方向）における表示パネル１１０の−Ｙ側を上側、＋Ｙ側を下側と呼ぶことにする。
【００２０】
フェイスプレート２００とリアプレート３００とは、封止部材４００を介して接合されている。そして、フェイスプレート２００とリアプレート３００との間の空間（内部空間）は、封止部材４００によって気密に封止されている。その結果、第１基板２０１と第２基板３０１と封止部材４００とが気密容器を構成している。気密容器の内部空間は真空に保持される。以上のように、表示パネル１１０は、気密容器の内部に、電子源３１０と、アノード２２０及び表示部材２１０とが対向して配置されている構成となっている。電子源３１０は、アノード２２０の照射領域２２１と対向している。図２（ｂ）の形態では、気密容器が大気圧に耐えられるように、基板２０１と基板３０１との間には、スペーサ４１０が配置されている。
【００２１】
表示パネル１１０は、アノード２２０に接続された給電部材２３０を備えている。図２（ｂ）では、給電部材２３０を給電電極２３１と給電端子２３２とで構成した例を示している。給電部材２３０はアノード２２０の非照射領域２２２（端部）の少なくとも一部に電気的に接続されている。給電部材２３０はアノード２２０の非照射領域２２２と接触するように設けられており、給電部材２３０とアノード２２０とが接触している部分の、照射領域２２１側の端が、給電部材２３０とアノード２２０との接続部２４０である。したがって、接続部２４０は、アノード２２０の非照射領域２２２に位置している。図１、２では、接続部２４０を太線で示している。図１、２の例では、接続部２４０は、行配線３３０が延在する方向と同じ方向（Ｘ方向）に延在して設けられている。また、接続部２４０は、アノード２２０の上側（−Ｙ側）の非照射領域２２２（端部）のみに設けられている。
【００２２】
ここで、接続部２４０から各行配線３３０までの距離をＤ（変数）とする。特に、接続部２４０から距離Ｄ１だけ離れたある行配線３３０を第１行配線３３１とし、接続部２４０から距離Ｄ２だけ離れたある１本の行配線３３０を第２行配線３３２とする。ここで、Ｄ１＜Ｄ２であり、第２行配線３３２は、第１行配線３３１よりも、接続部２４０から離れて位置している。例えば、図１において、第１行配線３３１を１本目の行配線と定めると、第２行配線３３２は２〜Ｍ本目の何れかの行配線である。例えば、第１行配線３３１をＭ−１本目の行配線と定めると、第２行配線３３２はＭ本目の行配線である。なお、Ｍ本目の行配線よりも接続部２４０から離れた行配線は存在しないので、Ｍ本目の行配線は第１行配線３３１とはなり得ない。
【００２３】
次に、表示パネル１１０の駆動方法について表示装置１００の構成を交えて説明する。図３は表示装置１００において、表示パネル１１０の駆動のために用いられる信号の一例を示す模式図である。
【００２４】
電位生成回路１２０は、図１に示すように給電部材２３０（例えば、給電端子２３２）に接続されており、給電部材２３０（給電電極２３１、給電端子２３２）へ供給電位Ｖｂを付与する。その結果、接続部２４０の電位はＶｂとなる。供給電位Ｖｂは電子源３１０の電位よりも高い電位である。電子源３１０の電位については、後述する。供給電位Ｖｂは、実用的には＋１ｋ以上＋５０ｋＶ以下であり、好ましくは＋３ｋＶ以上＋３０ｋＶ以下、より好ましくは＋５ｋＶ以上＋１５ｋＶ以下である。本発明の電位生成回路１２０は、複数の異なる供給電位Ｖｂを生成することが可能である。ここで、複数の異なる供給電位Ｖｂのうち、ある電位を第１電位Ｖｂ１とし、第１電位Ｖｂ１よりも高い電位を第２電位Ｖｂ２とする。電位生成回路１２０が給電部材２３０に供給電位Ｖｂを付与することにより、給電部材２３０に接続されたアノード２２０は、アノード電位Ｖａに規定される。アノード電位Ｖａは、電子源３１０の電位よりも高い電位である。アノード電位Ｖａは、実用的には＋１ｋＶ以上＋５０ｋＶ以下であり、好ましくは＋３ｋＶ以上＋３０ｋＶ以下、より好ましくは＋５ｋＶ以上＋１５ｋＶ以下である。このようにアノード電位Ｖａは供給電位Ｖｂと同程度の高電位である。しかし、詳細は後述するが、ある時点でのアノード電位Ｖａはアノード２２０内で一様ではなく、アノード２２０の抵抗性に起因した電位分布が生じる。
【００２５】
複数の電子放出素子３２０の各々をマトリックス配線３５０を介して駆動すること（マトリックス駆動）により、電子源３１０の任意の位置（任意の電子放出素子３２０）から電子（電子線）を放出させることができる。このとき、電子源３１０の電位よりも高い電位（アノード電位Ｖａ）がアノード２２０に付与されることにより、電子源３１０とアノード２２０との間に、電子源３１０の電位とアノード電位との電位差（アノード電圧）が生じる。そして、アノード電圧によって生じる電界により、電子源３１０から放出された電子を加速して、電子にエネルギーを付与する。したがって、アノード電圧は加速電圧と呼ぶことができ、アノード電位Ｖａは、加速電位と呼ぶことができる。エネルギーを持った電子が発光層２１１を照射することにより、発光層２１１が電子線励起により発光（カソードルミネッセンス）する。その結果、表示部材２１０に発光部が形成される。このときの発光層２１１の発光輝度は、電子放出素子３２０から放出された電子線の電流（放出電流Ｉｅ）に比例する。なお、電子源３１０から放出た電子線はアノード２２０の照射領域２２１の一部を照射し、照射された電子線の一部はアノード２２０に吸収される。
【００２６】
電子源３１０の駆動は、走査回路１３０及び変調回路１４０を用いて行われ、電子源３１０のうちの、電子を放出させる電子放出素子３２０の選択は、少なくとも走査回路１３０を用いて行われる。
【００２７】
走査回路１３０は、複数の行配線３３０に接続されており、複数の行配線３３０に走査信号を入力する。走査回路１３０は、走査信号によって、１走査期間内の１選択期間に、複数の行配線３３０の一部（典型的には１本）を選択する。そして、選択する行配線３３０を走査することにより、１走査期間内に複数の行配線３３０の全てを１回ずつ選択する。上記「選択」は、選択期間に選択している行配線３３０に選択電位Ｖｓを付与し、選択していない行配線３３０に、選択電位Ｖｓとは異なる非選択電位Ｖｎを付与することによって行われる。以下、複数の行配線３３０のうち、選択電位Ｖｓが付与されている行配線３３０を選択配線と呼び、非選択電位Ｖｎが付与されている行配線３３０を非選択配線と呼ぶ。上記「走査」は、選択配線を１走査期間内の別々の選択期間毎に変更することによって行われる。
【００２８】
変調回路１４０は、複数の列配線３４０に接続されており、複数の列配線３４０に変調信号を入力する。変調回路１４０は、変調信号は変調電位Ｖｍを有しており、選択期間内に変調電位Ｖｍを複数の列配線３４０の一部又は全部（典型的には全部）に付与する。選択配線に接続された電子放出素子３２０には、それぞれに変調電位Ｖｍと選択電位Ｖｓとの電位差（駆動電圧Ｖｄ）が印加され、駆動電圧Ｖｄ＝｜Ｖｍ−Ｖｓ｜に応じた量の電子を放出する。このときの電子の量が放出電流Ｉｅである。一方、非選択配線に接続された電子放出素子３２０には、それぞれに変調電位Ｖｍと非選択電位Ｖｎとの電位差が生じる。しかし、この電位差は、電子放出素子３２０が実質的に電子を放出しないとみなせる電圧（閾値電圧）以下となるように非選択電位Ｖｎが設定されている。そのため、１選択期間内には選択配線に接続された電子放出素子のみから電子線が放出されるとみなすことができる。
【００２９】
電子源３１０の電位は、上記した走査信号および変調信号の電位（選択電位Ｖｎ、非選択電位Ｖｓ、変調電位Ｖｍ）によって決定される。典型的には、選択電位Ｖｎ、非選択電位Ｖｓ、変調電位Ｖｍは、接地電位（０Ｖ）に対して±１００Ｖ以内であり、好ましくは接地電位に対して±２０Ｖ以内である。電子源３１０の電位は、これらの電位のうちの最も高い電位である。
【００３０】
制御回路１５０は、電位生成回路１２０、走査回路１３０、変調回路１４０に接続されている。制御回路１５０には画像信号が入力され、画像信号に応じた同期信号と階調信号を出力する。階調信号は変調回路１４０に入力され、変調回路１４０は階調信号を所定の変調方法を用いて変調し、変調信号を出力する。同期信号は走査回路１３０に入力され、走査回路１３０は同期信号に基づいて走査信号を出力する。具体的には、同期信号は１走査期間の開始のタイミングや各選択期間のタイミングを制御する。また、同期信号は変調回路１４０にも入力され、変調回路１４０は選択配線に接続された電子放出素子３２０から所望の放出電流を得るべく、各選択期間に同期して所望の変調電位を出力する。
【００３１】
このようにして、複数の行配線３３０は、１走査期間内に線順次走査が行われる。その結果、１走査期間内に線順次に発光部が形成され、１走査期間に１枚の画像（１フレームの画像）が表示される。したがって、１走査期間は１フレーム期間と言い換えることができる。なお、上記「線順次走査」とは「面順次走査」との比較の上での意味であって、しばしば線順次走査とも呼ばれる「プログレッシブ走査」と、「インターレース走査（飛び越し走査）」との比較での線順次走査という意味ではない。プログレッシブ走査では、１走査期間内に、行配線３３０が配列されている方向の順で、表示パネル１１０の上側から下側に向かって、互いに隣り合う行配線３３０が順次選択される。その結果、１フレームの画像は、画像の上側から表示され、かくしてプログレッシブ表示が行われる。インターレース走査では、１フレーム内に奇数フィールドと偶数フィールドを有している。奇数フィールドでは、行配線３３０が配列されている方向の順で、表示パネルの上側から下側に向かって、奇数番目の行配線３３０が順次選択される。偶数フィールドでは、表示パネルの上側から下側に向かって、行配線３３０が配列されている方向の順で、偶数番目の行配線３３０が順次選択される。その結果、１フレームの画像は、奇数フィールドと偶数フィールドとの合成で表示され、かくして、インターレース表示が行われる。上記「線順次走査」は行配線３３０の選択の順番が行配線３３０が配列されている方向の順である、プログレッシブ走査とインターレース走査の両方を包含している。また、上記「線順次走査」は、行配線３３０の選択の順番が行配線３３０が配列されている方向の順でないものも（例えばランダムなもの）も含んでいる。
【００３２】
本発明では、第１行配線３３１を選択する選択期間を第１選択期間ＴＳＬ１とし、第２行配線３３２を選択する選択期間を第２選択期間ＴＳＬ２とする。第１選択期間ＴＳＬ１及び第２選択期間ＴＳＬ２は何れも１走査期間ＴＳＣ内の期間である。複数の行配線３３０を接続部２４０に近いほうから順に選択する場合、つまり１本目の行配線からＭ本目の行配線に向かって走査する場合には、第２選択期間ＴＳＬ２は第１選択期間ＴＳＬ１より後の期間である。複数の行配線３３０を接続部２４０から遠いほうから順に選択する場合、つまりＭ本目の行配線から１本目の行配線に向かって選択走査する場合には、第２選択期間ＴＳＬ２は第１選択期間ＴＳＬ１より前の期間である。
【００３３】
本発明では、第１選択期間ＴＳＬ１に給電部材２３０へ付与する供給電位Ｖｂを第１電位Ｖｂ１とし、第２選択期間ＴＳＬ２に給電部材２３０へ付与する供給電位Ｖｂを第２電位Ｖｂ２とする。このようにすることで、表示面に生じる表示ムラを低減することができる。以下に、その理由を図２（ｂ）、図４（ａ）、図４（ｂ）を用いて説明する。なお、第１選択期間ＴＳＬ１、第２選択期間ＴＳＬ２は、或る程度の時間幅を持った期間であるが、図４（ａ）、図４（ｂ）では、そのタイミングのみを示しており、便宜的に時間幅は示していない。また、図４（ａ）、図４（ｂ）では、表示パネル１１０について、接続部２４０と行配線（第１行配線３３１、第２行配線３３２）との位置関係のみを模式的に示している。
【００３４】
各選択期間に放出された電子線は、アノード２２０の照射領域２２１の任意の位置に照射部を形成する。この照射部のおおよその位置は、アノード２２０上の、選択配線からアノード２２０までの最短距離の位置の近傍であり、選択配線に接続された電子放出素子３２０からアノード２２０までの最短距離の位置の近傍である。照射部と発光部は重ねられているために、照射部の位置は、表示部材２１０の発光部として容易に確認することができ、照射部と発光部の位置はＸ−Ｙ面内（表示面に平行な面内）において実質的に同じとみなすことができる。照射部の形状は、第１行配線３３１、第２行配線３３２に接続された電子放出素子３２０の配列パターンと同様の形状の線状となる。各選択期間における照射部（又は発光部）から接続部２４０までの距離をＬとする。なお、典型的には、電子源３１０とアノード２２０との距離Ｈ（フェイスプレート２００とリアプレート３００との間隔Ｈ）は５ｍｍ以下であり、表示パネル１１０のＹ方向の長さは５ｃｍ以上である。そのため、実用的には距離Ｄと距離Ｌは略等しい（Ｄ＝√（Ｈ２＋Ｌ２）＝Ｌ√（Ｈ２／Ｌ２＋１）≒Ｌ）とみなすことができる。特に、図２（ｂ）に示すように、第１選択期間ＴＳＬ１に第１行配線３３１に接続された電子放出素子３２０から放出された電子線の照射部を第１照射部２２１１とし、第１照射部２２１１から接続部２４０までの距離をＬ１（≒Ｄ１）とする。また、第２選択期間ＴＳＬ２に第２行配線３３２に接続された電子放出素子３２０から放出された電子線の照射部を第１照射部２２１２とし、第２照射部２２１２から接続部２４０までの距離をＬ２（≒Ｄ２）とする。
【００３５】
電子放出素子３２０から放出された電子線の一部はアノード２２０に吸収され、給電部材２３０からアノード２２０の照射部に向かって、放出電流Ｉｅに略等しいアノード電流Ｉａが流れる。アノード２２０はある程度の抵抗を有しており、アノード電流Ｉａによって、照射部と接続部２４０との間には電位差ΔＶａが生じる。そのため、アノード２２０の照射部のアノード電位ＶａはＶｂ−ΔＶａとなる。照射部と接続部２４０との間の、アノード２２０の抵抗値をＲとすると、ΔＶａ＝Ｒ×Ｉａで表される。Ｒはアノード２２０の抵抗率、及び、照射部と接続部２４０との距離Ｌに比例し、Ｒ＝ｒＬで表すことができる。ここで、ｒは定数またはＬの関数であり、照射部と接続部２４０と間の単位長さあたりの抵抗値である。
【００３６】
上記したように、照射部及び発光部の位置は、選択配線及びそれに接続された電子放出素子３２０の位置に対応するため、Ｒは選択配線と接続部２４０との距離Ｄに比例する。上記したように、走査回路１３０による走査により、照射部及び発光部の位置は選択期間毎に変化する。そのため、距離Ｄ、距離Ｌも時間的に変化する。例えば、走査が接続部２４０に近い行配線３３０から行われる場合には、距離Ｄ、距離Ｌは増加していく。逆に、走査が接続部２４０から遠い行配線３３０から行われる場合には、距離Ｄ、距離Ｌは減少していく。そして、本発明では、接続部２４０と選択配線との距離Ｄ、接続部２４０と照射部および発光部との距離Ｌの変化と、供給電位Ｖｂの変化が対応づけられている。そして、供給電位Ｖｂを時間的に制御することにより、アノード２２０の抵抗性に起因して空間的に生じるアノード電位Ｖａの分布を、実質的に低減することができる。
【００３７】
第１選択期間ＴＳＬ１では、第１照射部２２１１のアノード電位Ｖａ１＝Ｖｂ１−ΔＶａ１＝Ｖｂ−ｒＬ１Ｉａである。第２選択期間ＴＳＬ２では、第２照射部２２１２のアノード電位Ｖａ２＝Ｖｂ−ΔＶａ２＝Ｖｂ−ｒＬ２Ｉａである。以下、説明のためにｒが定数、Ｉａが選択期間毎に一定として単純化する。このような場合では、Ｌ１＜Ｌ２であるから、ｒＬ１Ｉａ＜ｒＬ２Ｉａとなる。
【００３８】
図４（ａ）は供給電位ＶｂがＶｂ０で一定の場合を表している。給電部材２３０へ供給電位Ｖｂ０を付与する第１選択期間ＴＳＬ１では、第１照射部２２１１のアノード電位Ｖａ１＝Ｖｂ０−ΔＶａ１＝Ｖｂ０−ｒＬ１Ｉａである。給電部材２３０へ供給電位Ｖｂ０を付与する第２選択期間ＴＳＬ２では、第２照射部２２１２のアノード電位Ｖａ２＝Ｖｂ０−ΔＶａ２＝Ｖｂ０−ｒＬ２Ｉａである。ｒＬ１Ｉａ＜ｒＬ２Ｉａであるから、Ｖａ１＞Ｖａ２となる。
【００３９】
図４（ｂ）は供給電位Ｖｂが第１電位Ｖｂ１、第２電位Ｖｂ２（Ｖｂ１＜Ｖｂ２）を出力する場合を表している。給電部材２３０へ第１電位Ｖｂ１を付与する第１選択期間ＴＳＬ１では、第１照射部２２１１のアノード電位Ｖａ１＝Ｖｂ１−ΔＶａ１＝Ｖｂ１−ｒＬ１Ｉａである。給電部材２３０へ第２電位Ｖｂ２を付与する第２選択期間ＴＳＬ２では、第２照射部２２１２のアノード電位Ｖａ２＝Ｖｂ２−ΔＶａ２＝Ｖｂ２−ｒＬ２Ｉａである。Ｖｂ１＜Ｖｂ２であるから、Ｖａ１とＶａ２との差が、ＶｂがＶｂ０で一定の場合（図４（ａ））に比べて小さくなる。そのため、選択期間毎に選択配線に接続された電子放出素子３２０から放出される電子に付与されるエネルギーの差が小さくなり、発光層２１１の発光輝度の差が小さくなる。その結果、表示ムラが低減される。
【００４０】
Ｖｂ１とＶｂ２は、Ｖｂ２−Ｖｂ１＝ｒ（Ｌ２−Ｌ１）Ｉａとなるように供給電位を設定することが好ましい。このように供給電位Ｖｂ設定すれば、上記計算では、Ｖａ１＝Ｖａ２とすることができる。なお、Ｖｂ２をＶｂ１より極端に大きくすると、Ｖａの分布が却って大きくなってしまう。そのため、０＜Ｖｂ２−Ｖｂ１＜２ｒ（Ｌ２−Ｌ１）Ｉａとすることが好ましい。この条件は、全ての行配線３３０について満たされることがより好ましい。しかし、Ｌの最小値ＬｍｉｎとＬの最大値Ｌｍａｘについて満たされていれば十分である。すなわち、接続部２４０に最も近い行配線３３０を第１行配線３３１とし、接続部２４０から最も遠い行配線３３０を第２行配線３３２としたときの、Ｌ１＝Ｌｍｉｎ、Ｌ２＝Ｌｍｉｎについて満たされればよい。だたし、Ｖａが大きくなると発光層２１１の発光部の発光輝度は飽和するので、上記条件を多少外れても、つまりＶｂ２−Ｖｂ１≧２ｒ（Ｌ２−Ｌ１）Ｉａとなっても、Ｖｂが一定の場合に比べて、表示ムラを低減することができる。
【００４１】
Ｉａの値は、放出電流Ｉｅに置き換えて設定しても十分な精度を得ることができる。特に、発光部の輝度が最大輝度の２５〜７５％、好ましくは５０％となるときの放出電流Ｉｅに置き換えて設定すると好適である。
【００４２】
ここまで、供給電位を第１電位Ｖｂ１と第２電位Ｖｂ２の２値を用いて説明してきたが、電位生成回路１２０はＶｂ１とＶｂ２とは異なる供給電位をさらに出力することが好ましい。たとえば、第１行配線３３１と第２行配線３３２との間に位置する行配線３３０を選択する選択期間には、Ｖｂ１とＶｂ２との間の供給電位を給電部材２３０に付与するとよい。第１行配線３３１よりも接続部２４０に近い行配線３３０を選択する選択期間には、Ｖｂ１よりも低い供給電位を給電部材２３０に付与するとよい。第２行配線３３２よりも接続部２４０から遠い行配線３３０を選択する選択期間には、Ｖｂ２よりも高い供給電位を給電部材２３０に付与するとよい。
【００４３】
また、複数の行配線３３０を、接続部２４０からの距離に応じて、各々が複数の行配線３３０で構成される複数の行配線群に区分して、行配線群毎に供給電位Ｖｂを制御してもよい。たとえば、接続部２４０からの距離に応じて、第１行配線３３１を含む第１行配線群、第２行配線３３２を含む第２行配線群、第１行配線群と第２行配線３３２群の間の第３行配線群に区分することができる。そして、第１行配線群に含まれる各行配線の各選択期間には給電部材にＶｂ１を付与し、第２行配線群に含まれる各行配線の各選択期間には、給電部材にＶｂ２を付与する。第３行配線群に含まれる各行配線の各選択期間には、給電部材２３０にＶｂ１とＶｂ２との間の供給電位を付与する。
【００４４】
より高精度に照射部のアノード電位Ｖａを制御するために、各行配線３３０の選択期間毎に、供給電位Ｖｂを変化させることが好ましい。電位生成回路１２０が行配線３３０の数（Ｍ）と同じ数のレベル（波高値）を有する供給電位を離散的（段階的）に変更して出力してもよいし、複数の供給電位を連続的に変更して出力しても良い。連続的に変更する方が、電位生成回路１２０の構成を簡単にできる。
【００４５】
以上のように、接続部２４０と選択配線との距離Ｄの増加、また、接続部２４０と照射部及び発光部との距離Ｌの増加に応じて、供給電位Ｖｂを上昇させることにより、アノード電位Ｖａの分布を実効的に低減することができる。同様に、接続部２４０と選択配線との距離Ｄの減少、すわなち、接続部２４０と照射部及び発光部との距離Ｌの減少に応じて、供給電位Ｖｂを低下させることにより、アノード電位Ｖａの分布を実効的に低減することができる。
【００４６】
次に、表示パネル１１０の構成要素について詳細に説明する。
【００４７】
なお、本発明において、導電体、抵抗体、絶縁体は、それらが接した場合における、それぞれの抵抗率の相対的な大小関係によって定義する。すなわち、導電体、抵抗体、絶縁体が互いに接する時、それらの抵抗率は、導電体＜抵抗体＜絶縁体となる。実用的には、体積抵抗率が１０−５Ωｍ以下の材料を導電体、抵抗率が１０８Ωｍ以上の材料を絶縁体、抵抗率が１０−５Ωｍより大きく１０−８Ωｍより小さい材料を抵抗体とみなすことができる。
【００４８】
同様に、本発明において、導電膜、抵抗膜、絶縁膜は、それらが接した場合における、それぞれのシート抵抗の相対的な大小関係によって定義する。すなわち、導電体、抵抗体、絶縁体が互いに接する時、それらのシート抵抗は、導電膜＜抵抗膜＜絶縁膜となる。実用的には、シート抵抗が１０Ω／□以下の膜を導電膜、シート抵抗が１０１４Ω／□以上の膜を絶縁膜、シート抵抗が１０Ω／□より大きく１０１４Ω／□より小さい膜を抵抗膜とみなすことができる。
【００４９】
＜表示部材２１０について＞
表示部材２１０の発光層２１１としては、電子線励起によって発光する材料を用いればよく、典型的には蛍光体層を使用する事ができる。蛍光体層の具体的な材料としては、例えば「蛍光体ハンドブック」蛍光体同学会編（オーム社発行）に記載された、従来のＣＲＴなどに用いられている蛍光体結晶材料などを用いる事ができる。蛍光体の厚さは加速電圧や蛍光体の粒径、蛍光体の充填密度などによって適宜設定される。加速電圧が５ｋＶから１５ｋＶ程度の場合、一般の蛍光体の平均粒径である３μｍから１０μｍに対して、その１．５倍から３倍の厚さである４．５μｍから３０μｍ、好ましくは５μｍから１５μｍ程度に蛍光体層の厚さが設定される。表示部材２１０の遮光層２１２としては、ＣＲＴ等で公知のブラックマトリクスあるいはブラックストライプを採用できる。遮光層２１２は、一般に、黒色の金属、黒色の金属酸化物、又は、カーボンなどで構成される。黒色の金属酸化物としては、たとえば酸化ルテニウム、酸化クロム、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化モリブデン、酸化コバルト、酸化銅などが挙げられる。表示部材２１０は、発光層２１１、遮光層２１２に加えて、不図示のカラーフィルタを備えることもできる。カラーフィルタは発光層２１１と第１基板２０１との間に設けるとよい。
【００５０】
＜アノード２２０について＞
アノード２２０を表示部材２１０の電子源３１０側に設ける場合には、電子線の少なくとも一部がアノード２２０を通過して発光層２１１を照射する必要がある。そのため、アノード２２０は薄膜（膜厚が１μｍ以下）が用いられる。アノード２２０の膜厚は、電子のエネルギー損失やアノード電位Ｖａに応じて適宜設定される。アノード電位Ｖａが５ｋＶから１５ｋＶの場合には、アノード２２０の膜厚は５０〜３００ｎｍに設定される。このようにアノード２２０が薄膜である場合には、アノード２２０は抵抗性を有することになる。
【００５１】
アノード２２０を表示部材２１０と第１基板２０１との間に設ける場合には、アノード２２０は透明性を有する必要があるため透明導電膜を用いる。しかしながら、一般的な透明導電膜（例えばＩＴＯやＡＴＯ）は金属膜等の一般的な導電膜に比べて抵抗率が高い。従って、アノード２２０は抵抗性を有することになる。
【００５２】
アノード２２０の抵抗性は、アノード２２０の抵抗自体がアノード電位Ｖａの分布を極端に大きくしない程度に高くすることが好ましい。フェイスプレート２００（アノード２２０）とリアプレート３００（電子源３１０）との間には上記Ｖａによって高電界が形成される。そのため、フェイスプレート２００とリアプレート３００との間に、意図しない放電が生じる場合がある。このような放電によって電子源３１０に電流（放電電流）流れる可能性がある。放電電流が大きいと、電子源３１０や走査回路１３０、変調回路１４０を損傷する可能性がある。そこで、アノード２２０の抵抗性を高くすることにより、放電電流を低減することができる。具体的には、アノード２２０の照射領域２２１のシート抵抗を１００Ω／□以上とすることが好ましく、１００ｋΩ／□以上とすることがより好ましい。
【００５３】
アノード２２０のシート抵抗は、行配線３３０が配列された方向（Ｙ方向）に、所定長さｗの一対の電極をＹ方向に所定長さｌだけ離してアノード２２０に接触させて計測することができる。一対の電極に電圧Ｖを印加したときに流れる電流Ｉから抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉが求められる。シート抵抗ＲｓはＲ×ｗ／ｌを求め、さらにｗ，ｌを大きくしていった時にＲ×ｗ／ｌがほぼ一定になったときの値を採用する。このようにすることで、アノード２２０が構成単位が繰り返し配列された複合部材からなる場合でも、適切にシート抵抗Ｒｓを求めることができる。
【００５４】
アノード２２０の抵抗性を所望の値にするために、例えば図５（ａ）に示すように、アノード２２０の照射領域２２１を、複数の導電膜２２３と、当該複数の導電膜２２３を互いに接続する抵抗膜２２４とで構成することができる。このような形態は、特開２００６−１２０６２号公報、特開２００５−２３５４７０号公報を参照することができる。抵抗膜２２４によって、アノード２２０の何れかの位置で放電が生じても、放電箇所に電流が集中することを抑制することができる。この時に、抵抗膜２２４を介して互いに隣り合う導電膜２２３間の抵抗値を１ｋΩ以上１ＭΩ以下とすることが好ましく、１００ｋΩ以上とすることがより好ましい。図５（ａ）では抵抗膜２２４がＹ方向で導電膜２２３を接続しているが、Ｘ方向でも導電膜２２３を接続しても良い。
【００５５】
少なくともＹ方向に抵抗膜２２４を設けることにより、アノード２２０のＹ方向における抵抗値が高くなる。そのため、Ｙ方向のアノード電位分布を低減できる本発明の効果は顕著になる。
【００５６】
上記したアノード２２０の抵抗膜２２４は、遮光層２１２上に設けることが好ましいが、遮光層２１２自体を抵抗体で構成することにより、遮光層２１２を抵抗膜２２４として用いることもできる。この場合は、遮光層２１２が表示部材２１０の機能の一部とアノード２２０の機能の一部とを担っていると云える。
【００５７】
アノード２２０を表示部材２１０の電子源３１０側に設ける場合には、アノード２２０として、アルミニウムなどの金属膜を用いることが好ましい。このような金属膜はメタルバックと呼ばれる。なお、本発明において、金属は単体の金属だけでなく合金も含むものとする。メタルバックは、発光層２１１の電子源３１０側に重ねられた金属膜の光反射性を利用して、発光層２１１から発せられた光を観察者側に反射することができる。メタルバックは薄膜にする必要があるために、金属膜といえども、或る程度の抵抗性を有する。メタルバックは連続した金属膜を表示部材２１０の全体に渡って積層することによって得ることができる。しかし、上記のように放電電流を低減するためには、上記複数の導電膜２２３として金属膜（メタルバック）を用い、金属膜間を抵抗膜２２４で接続することが好ましい。
【００５８】
＜給電部材２３０について＞
給電部材２３０は、例えば、導電膜である給電電極２３１と導電体からなる棒状（針状）部材である給電端子２３２を含むことができる。給電電極２３１は、基板２０１上に設けられてアノード２２０と接触して接続部２４０を構成している。給電端子２３２は、第２基板３０１を貫通しており、気密容器の内部で給電電極２３１に接触している。このようにして、気密容器の外部から給電部材２３０がアノード２２０と電気的に接続されている。給電部材２３０から給電電極２３１を省略して、給電端子２３２をアノード２２０に直接接触させることもできる。あるいは、給電部材２３０から給電端子２３２を省略して、給電電極２３１を気密容器の外部に延在させることもできる。給電電極２３１をアノード２２０と同じ材料で構成して、給電電極２３１をアノード２２０に接続した場合には、給電電極２３１とアノード２２０の接続部２４０が明確でない場合がある。そのような場合には、アノード２２０の非照射領域２２２を給電電極２３１とみなして、照射領域２２１と非照射領域２２２との境界部を接続部２４０とみなせばよい。
【００５９】
給電部材２３０は供給電位Ｖｂをアノード２２０に付与できる程度の導電性を有していればよい。具体的には、電位生成回路１２０から高電圧を供給した時に給電部材２３０自体での電圧降下を小さくする為、接続部２４０のうち、電位生成回路１２０との接続部から電気的に最も離れた部分までを低抵抗にすることが好ましい。具体的には、電位生成回路１２０との接続部から電気的に最も離れた部分まで抵抗値を１ｋΩ以下に設定することが好ましい。
【００６０】
また、給電部材２３０（特に給電電極２３１）の一部に抵抗部２３３を設けることが好ましい。特に、抵抗部２３３がアノード２２０と接触して接続部２４０を構成するように、給電電極２３１のアノード２２０と接触する部分に抵抗部２３３を設けることが好ましい。このような構成によれば、アノード２２０において、特に給電電極２３１の接続部２４０側近傍で放電が発生した場合に、放電電流が増大することを抑制することができる。これは、給電電極２３１に充電されていた電荷が放電電流としてリアプレート３００側に流れ込むことを、抵抗部２３３によって制限することができるためである。このとき、給電部材２３０（給電電極２３１）は、上記したように給電部材２３０自体の低抵抗化と、給電部材２３０とアノード２２０との間の高抵抗化を両立することが好ましい。そのために、給電部材２３０を、抵抗部２３３と導電部２３４とで構成する。たとえば、給電電極２３１を、抵抗部２３３を構成し、アノード２２０の非照射領域２２２に接続する抵抗膜と、導電部２３４を構成し、抵抗部２３３に接続する導電膜とで構成できる。抵抗部２３３の、アノード２２０と導電部２３４との間の抵抗値は１ＭΩ以上１００ＭΩ以下とすることが好ましい。給電電極２３１の導電部２３４の導電膜は連続膜でもよいし、特開２００６−１８５６１４号公報に記載されているように、互いに分離した複数の導電膜でもよい。
【００６１】
給電端子２３２は、第２基板３０１を貫通して、第２基板３０１に固定されることから、第２基板３０１の熱膨張率と同程度（±２０％以内）の熱膨張率を有することが好ましい。典型的には、給電端子２３２には４２６合金やインバー合金等のＦｅとＮｉとを含有する合金（Ｎｉの含有率＜Ｆｅの含有率）が用いられる。
【００６２】
＜接続部２４０について＞
接続部２４０は、各行配線３３０からの距離が、行配線３３０毎に異なるような位置に配置すればよい。接続部２４０は実線状または破線状に配置することが好ましい。特に接続部２４０が行配線３３０が延在する方向と同じ方向（Ｘ方向）に延在することが好ましい。このようにすることにより、アノード２２０の、行配線３３０が延在する方向と同じ方向（Ｘ方向）における、アノード電位Ｖａの分布を低減することができる。接続部２４０を、アノード２２０の、行配線３３０に平行な１辺のみ、すなわち、Ｙ方向におけるアノード２２０の上側または下側の非照射領域２２２（一方の端部）のみに、設けてもよい。接続部２４０を、行配線３３０に平行な互いに対向する２辺、すなわち、Ｙ方向におけるアノード２２０の上側と下側の両側の非照射領域２２２（両端部）に設けても良い。図５（ｂ）、（ｃ）には、接続部２４０を２辺に設けた形態を示しており、それぞれの接続部を第１接続部２４１、第２接続部２４２で示している。図５（ｂ）では、給電電極２３１がアノード２２０の３辺に位置して接続部２４０を２辺に設けた形態を表している。図５（ｃ）では、給電電極２３１がアノード２２０を囲むように４辺に配置して、接続部２４０を上側と下側の２辺に設けた形態を表している。図５（ｂ）、（ｃ）では給電電極２３１を上側と下側の２辺間で延在させることによって、接続部２４０を２辺に設けている。しかし、別々の給電電極２３１を２辺に設けて、それぞれに給電端子２３２を接続し、それぞれの給電端子２３２へ電位生成回路１２０の出力を分配する構成としてもよい。
【００６３】
このように、接続部２４０が複数ある場合には、行配線３３０が配列された方向（Ｙ方向）における両端の行配線３３０の少なくとも一方が接続部２４０に最も近い行配線となる。複数の行配線３３０のうちの、任意の２本の行配線３３０を比較した場合、第１接続部２４１と第２接続部２４２のいずれかとの距離がより短い方の行配線３３０が行配線が第１行配線３３１である。例えば、９９本の行配線３３０が、第１接続部２４１と第２接続部２４２の間に、等間隔で配列されている場合を説明する。第１接続部２４１から数えて３０本目の行配線と、第２接続部２４２から数えて６０本目の行配線とでは、３０本目の行配線が第１行配線３３１であり、６０本目の行配線が第２行配線３３２である。５０本目の行配線が、第１接続部２４１及び第２接続部２４２から最も離れた行配線である。従って、このような形態の場合は、５０本目の行配線が選択配線となるような選択期間に、最高の供給電位Ｖｂを給電部材２３０に付与することが好ましい。
【００６４】
＜ガード電極２５０について＞
高電位（Ｖａ，Ｖｂ）に規定されるアノード２２０や給電部材２３０と封止部材４００との間に、アノード電位Ｖａよりも低い電位に規定される電極であるガード電極２５０を配置することが好ましい。ガード電極２５０の電位は接地電位（０Ｖ）とすること好ましい。アノード２２０は高電位であるために、フェイスプレート２００とフェイスプレート２００との間だけでなく、封止部材４００表面や第１基板２０１表面にも電位分布を生じさせる。そこで、低電位に規定されたガード電極２５０を配置することによって、ガード電極２５０のアノード２２０とは反対側の領域の電位をアノード電位よりも低くすることができる。ガード電極２５０は、アノード２２０及び給電部材２３０（給電電極２３１）を囲むようにループ状に設けることが好ましい。
【００６５】
＜スペーサ４１０について＞
スペーサ４１０は、ガラス等の絶縁性の部材を用いることができる。さらに、絶縁体母材に導電体粒子を分散したり、絶縁体の表面を抵抗膜で被覆したりした構成とすることが望ましい。このように、スペーサ４１０に僅かな導電性を付与すると、スペーサ４１０の帯電を抑制することができる。スペーサ４１０の形状は、柱状でもよいし、板状（壁状）でもよい。板状のスペーサ４１０を用いる場合には、板状のスペーサ４１０を、行配線３３０上に、行配線３３０が延在する方向と同じ方向に延在するように配置することが好ましい。
【００６６】
＜電子放出素子３２０について＞
本発明において、電子放出素子３２０は特に限定されないが、電界放出型（冷陰極型）であることが好ましい。電界放出型としては、例えば、ＳＣＥ型（表面伝導型）、Ｓｐｉｎｄｔ型、ＣＮＴ型、ＭＩＭ型、ＭＩＳ型、ＢＳＤ型の各種電子放出素子を用いることができる。ＳＣＥ型は特開平０７−２３５２５５号公報に開示されているような形態のものや、特開２００１−１６７６９３号公報に開示されているような形態のものが知られている。
【００６７】
＜走査回路１３０について＞
Ｍ本の行配線３３０の走査は、例えば図３に示すように、次のようにして行われる。走査期間Ｔ１内の最初の選択期間Ｔ１１において、１本目の行配線には選択電位Ｖｓを付与し、残りのＭ−１本の行配線には非選択電位Ｖｎを付与する。走査期間Ｔ１内の、選択期間Ｔ１１の直後の選択期間Ｔ１２において、２本目の行配線には選択電位Ｖｓを付与し、残りのＭ−１本の行配線には非選択電位Ｖｎを付与する。走査期間Ｔ１内の、選択期間Ｔ１Ｍ−１において、Ｍ−１本目の行配線にはＭ本目の行配線には選択電位Ｖｓを付与し、残りのＭ−１本の行配線には非選択電位Ｖｎを付与する。走査期間Ｔ１内の、選択期間Ｔ１Ｍ−１の直後かつ最後の選択期間Ｔ１Ｍにおいて、Ｍ本目の行配線には選択電位Ｖｓを付与し、残りのＭ−１本の行配線には非選択電位Ｖｎを付与する。これにより、走査期間Ｔ１が終了する。走査期間Ｔ１の直後に走査期間Ｔ２が開始する。走査期間Ｔ２内の最初の選択期間Ｔ２１において、再び１本目の行配線には選択電位Ｖｓを付与し、残りのＭ−１本の行配線には非選択電位Ｖｎを付与する。以後、同様に走査期間Ｔ２内の選択期間Ｔ２２、・・・、Ｔ２Ｍに各行配線を選択する。上記の例では、Ｔ１が１走査期間ＴＳＣであり、上記Ｔ１１、Ｔ１２、・・・、Ｔ１Ｍの各々が１走査期間内の選択期間である。選択期間Ｔ１１、・・・、Ｔ１Ｍ−１の何れかが第１選択期間ＴＳＬ１であり、選択期間Ｔ１２、・・・、Ｔ１Ｍの何れかのうち第１選択期間ＴＳＬ１より後の選択期間が第２選択期間ＴＳＬ２である。
【００６８】
なお、上記説明では、走査期間同士の関係及び選択期間同士の関係を「直後」と説明した。しかし、各期間同士の間には画像の連続性を損なわない程度に、どの電子放出素子３２０も駆動しない期間（ブランキング期間）があっても、実質的には「直後」と考えてよい。
【００６９】
良好な表示品質を得るためには、一般的に１秒あたりに１５フレーム以上の表示を行う。１秒あたり１５フレームとすると１走査期間は１／１５秒（約６７ｍｓ）である。したがって、１走査期間は１／１５秒以下とすることが好ましい。なお、さらに良好な画質を得るために例えば１秒あたり１２０フレームとすると、１走査期間は１／１２０秒（約８ｍｓ）である。１選択期間の長さは、行配線３３０の数と１走査期間の長さにもよるが、１走査期間が１／１５秒であって行配線３３０が２本の場合には、１選択期間は１／３０秒（約３３ｍｓ）以下である。１走査期間が１／１５秒で行配線３３０が２４０本の場合には１選択期間は１／３６００秒（約２７８μｓ）以下、１走査期間が１／１２０秒で行配線３３０が１０８０本の場合には１選択期間は１／１２９６００秒（約７．７μｓ）以下である。
【００７０】
＜変調回路１４０について＞
変調信号は、典型的には、階調信号に応じて変調されたパルス波形を有する。変調信号の変調方法は、パルス幅変調（ＰＷＭ）やパルス振幅変調（ＰＡＭ）、パルス幅変調とパルス振幅変調とを組み合わせた変調（ＰＷＭ−ＰＡＭ）を用いることができる。表示する画像によって階調信号は異なるが、本発明が課題とする表示ムラは複数の列配線３４０の各々に、同じ中間階調信号に対応した変調信号を入力して発光層２１１を発光させた時に顕著になる。従って、供給電位Ｖｂを設定したり、その効果を確認する際には、画面全体を均一な中間階調にした表示を行うと良い。勿論、通常の画像を表示する際にも表示ムラは潜在的に生じ得るので、本発明を採用すると、通常の画像を表示する際にも良好が表示品質が得られる。
【００７１】
＜電位生成回路１２０について＞
電位生成回路１２０の構成は、所望の供給電位Ｖｂを出力できるものであれば特に限定されるものではないが、電位生成回路１２０は、例えば波形生成部１２１と高電圧生成部１２２とで構成することができる。
【００７２】
波形生成部１２１は、数Ｖの波高値を有する周期波形を出力可能なものを用いることができる。波形の周期は、プログレッシブ走査の場合には、走査期間と同じ周期の波形を生成可能なもの、インターレース走査の場合には、走査期間の半分の周期の波形を生成可能なものを用いることができる。プログレッシブ走査あるいはインターレース走査を行う場合には、波形形状としては、例えば階段波、鋸波、正弦波、三角波が挙げられる。特に、鋸波は、接続部２４０がＹ方向の一方のみに設けられている場合に好ましく用いることができ、三角波は、接続部２４０がＹ方向の両方に設けられている場合に好ましく用いることができる。
【００７３】
そして、１つの例では、高電圧生成部１２２が信号波形の周期を維持したまま、波高値を＋数ｋＶ〜数１０ｋＶまで増幅して供給電位を出力する。別の例では、波形生成部１２１が出力した信号波形に、高電圧生成部１２２生成した直流高電圧を重畳する。波形形状は、走査期間内の供給電位Ｖｂの高低が、走査期間内における選択配線と接続部２４０との距離の増減と対応していること、つまり、Ｄが長い選択期間ほど波形の電位を高くし、Ｄが短い選択期間ほど波形の電位を低くする。
【００７４】
例えば、接続部２４０がＹ方向の一方のみに設けられており、表示パネル１１０をプログレッシブ走査する場合を例に挙げて説明する。アノード２２０のＹ方向の両端の抵抗値（ｒ（Ｌｍａｘ−Ｌｍｉｎ））がＲｍａｘ［Ω］である場合には、Ｖｂの最低値と最高値の差は０Ｖより大きく（２ＲｍａｘＩｅ）［Ｖ］より小さくなるようにする。好ましくは、Ｖｂの最低値と最高値の差を、（ＲｍａｘＩｅ）［Ｖ］となるようにする。そして、電位生成回路１２０はこのような最低値と最高値の差を持った鋸波を出力すればよい。インターレース走査を行う場合には、鋸波の周期を半分にすればよい。接続部２４０がＹ方向の両方に設けられている場合には、（ｒ（Ｌｍａｘ−Ｌｍｉｎ））がＲｍａｘの約半分になり、アノード電流が流れる経路が２つに別れるので、Ｖｂの最低値と最高値の差を、０Ｖより大きく（ＲｍａｘＩｅ／２）［Ｖ］より小さくなるようにする。好ましくは、Ｖｂの最低値と最高値の差を、（ＲｍａｘＩｅ／４）［Ｖ］となるようにする。そして、電位生成回路１２０はこのような最低値と最高値の差を持った三角波を出力すればよい。典型的な表示パネル１１０では、上記Ｒｍａｘは１ＭΩ以上１ＧΩ以下であり、Ｉｅは１μＡ以上２０μＡ以下である。従って、Ｖｂの最低値と最高値の差は、ＲｍａｘやＩｅに応じて、１Ｖ〜２０ｋＶの範囲で適宜設定される。
【００７５】
電位生成回路１２０が、表示する画像、すわなち発光部の輝度に応じて供給電位Ｖｂを調整するように表示装置１００を構成することもできる。上述したように、ΔＶａはＩｅによっても変動するので、Ｉｅの変動すなわち表示する画像の輝度の変動に応じてＶｂを調整すると、より好適に表示ムラを低減することができる。このような形態は、変調回路１４０が、ＰＡＭあるいはＰＡＭ−ＰＷＭを用いる場合に効果的である。
【００７６】
具体的には、走査期間毎に、電位生成回路１２０の出力波形を変更可能なように電位生成回路１２０を構成すればよい。その結果、走査期間毎に第１電位Ｖｂ１と第２電位Ｖｂ２の少なくとも一方が変更可能となる。例えば、電位生成回路１２０の波形生成部１２１に画像信号を入力することによって、画像信号に基づいて、波形生成部１２１が出力波形の波高値を調整する構成とすることができる。あるいは、電位生成回路１２０の高電圧生成部１２２に画像信号を入力することによって、画像信号に基づいて、高電圧生成部１２２がその増幅率を調整する。
【００７７】
＜制御回路１５０について＞
図３に示す例では、同期信号は走査期間の始まりを規定するパルスを出力するトリガ信号である。走査回路１３０は、トリガ信号のパルスが入力されたタイミングで、同期信号をトリガとして、予め定められた順で複数の行配線３３０の走査を開始する。一方、変調回路１４０は、トリガ信号のパルスが入力されたタイミングで、すなわち同期信号をトリガとして、選択配線に接続された電子放出素子３２０に付与すべき変調電位Ｖｍを逐次出力する。電位生成回路１２０は、トリガ信号のパルスが入力されたタイミングで、すなわち同期信号をトリガとして、所定の供給電位Ｖｂを出力する。ここでは、同期信号にトリガ信号を用い、同期信号をトリガとして、電位生成回路１２０、走査回路１３０、変調回路１４０がそれぞれが走査期間内の動作を行う例を示した。しかし、制御回路１５０はこのような形態に限定されることはなく様々な変更が可能である。例えば、同期信号として複数のパルスからなるクロック信号を用いて、各回路がパルス数をカウントすることにより走査期間内の動作を行うようにしてもよい。
【００７８】
＜電位生成回路１２０について＞で説明した、電位生成回路１２０が表示する画像に応じて供給電位Ｖｂを調整する形態においては、上述したように画像信号を電位生成回路１２０に入力することができる。しかしながら、制御回路１５０がその機能を担う構成にすることが好ましい。図１に示すように、制御回路１５０は、入力された画像信号に基づいて、調整信号を出力する。電位生成回路１２０（波形生成部１２１又は高電圧生成部１２２）に調整信号が入力されることにより、電位生成回路１２０に画像信号が入力される場合と同様にして、電位生成回路１２０が調整信号に基づいて出力波形は増幅率を調整する。例えば、制御回路１５０において入力する画像信号に応じてアノード２２０の照射領域２２１で発生する電圧降下量ΔＶａを各選択期間ごとに算出し、１走査期間毎に平均的に発生する電圧降下量算出する。この算出結果を調整信号として波形生成部１２１に入力する。波形生成部１２１は、調整信号に応じた波形を出力するように構成されている。
【実施例】
【００７９】
（実施例１）
高歪み点ガラスからなる第１基板２０１の表面に、遮光層２１２として、カーボンブラックからなるブラックマトリックスを形成した。ブラックマトリックスの開口内に発光層２１１としてＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体からなる蛍光体層を形成して、蛍光体層をマトリックス配列し、マトリックス配列されたそれぞれの蛍光体層を１サブピクセルとした。そして各発光層２１１上にＡｌからなる導電膜２２３（メタルバック）をフィルミング法により成膜した。導電膜２２３は、Ｙ方向で隣り合う２サブピクセルに渡って形成した。隣り合う導電膜２２３を接続するように遮光層２１２上に酸化ルテニウムからなる抵抗膜２２４を２サブピクセルおきに成膜した。尚、抵抗膜２２４の抵抗値は２００ｋΩとした。これにより、矩形状のアノード２２０を形成した。これによって得られるアノード２２０のＹ方向の両端の抵抗値は、１００ＭΩ程度となる。そして、アノード２２０の、非照射領域２２２の一辺に沿って、アノード２２０に接続するように給電電極２３１を設けた。給電電極２３１は、上記抵抗膜２２４と同じ膜厚の酸化ルテニウムからなる抵抗部２３３としての抵抗膜と、Ａｇからなる金属膜としての導電部２３４とで構成した。これにより、導電部２３４とアノード２２０との間の抵抗値は２４ＭΩとなった。また、給電電極２３１及びアノード２２０を取り囲むように、カーボンブラックからなるガード電極２５０を形成した。このようにして、給電電極２３１が設けられたフェイスプレート２００を作製した。
【００８０】
高歪み点ガラスからなる第２基板３０１の表面に、従来公知の方法で、１０８０本の行配線３３０と５７６０本の列配線３４０とからなるマトリックス配線３５０と、電子放出素子３２０を形成して、電子源３１０とした。電子放出素子３２０としては、ＳＣＥ型を用いた。このようにして、リアプレート３００を作製した。第２基板３０１には隅部に貫通穴を設けた。
【００８１】
リアプレート３００上に、電子源３１０を取り囲むように、枠状の封止部材４００を配置し、行配線３３０上に板状のスペーサ４１０を配置した。なお、尚、板状のスペーサ４１０は、高歪み点ガラスを、タングステンとゲルマニウムとの窒化物からなる半導体膜で被膜した物を用いた。リアプレート３００上にフェイスプレート２００を対向させて載せた。給電端子２３２を第２基板３０１の貫通孔に挿入して、給電電極２３１に当接させた後、貫通孔に接着剤を充填して、貫通孔を封止した。
【００８２】
真空チャンバー内で封止部材４００を加熱してリアプレート３００とフェイスプレート２００とを封着した。このとき、給電電極２３１とアノード２２０との接続部２４０が行配線３３０及びスペーサ４１０と平行になるようにした。以上のようにして表示パネル１１０を作製した。
【００８３】
そして、図１で示すように、行配線３３０に走査回路１３０を、列配線３４０に変調回路１４０を接続した。給電端子２３２には電位生成回路１２０を接続した。さらに、電位生成回路１２０、走査回路１３０、変調回路１４０に制御回路を接続した。電位生成回路１２０は、波形生成部１２１と高電圧生成部１２２とで構成した。図６に示すように、波形生成部１２１の出力波形を、波高値が６．０Ｖ〜６．２Ｖ、周波数が６０Ｈｚの鋸波となるように設定した。高電圧生成部１２２を波形生成部１２１で生成された波形の波高値（電位振幅）を２０００倍に増幅して出力するように設定した。したがって、電位生成回路１２０は、波高値が１２ｋＶ〜１２．４ｋＶ、周波数が６０Ｈｚの鋸波の供給電位Ｖｂを出力する。
【００８４】
走査回路１３０が、選択電位が−１０Ｖ、非選択電位が０Ｖ、走査期間が１１／６０秒、選択期間が１／６４８００秒で、フレーム周波数６０Ｈｚでプログレッシブ走査を行う走査信号を出力するように制御回路１５０を設定した。変調回路１４０が、変調電位が波高値＋１０Ｖ、周波数が６４．８ｋＨｚのＰＷＭによるパルス変調信号を出力するように制御回路１５０を設定した。なお、効果を確認するために、変調信号のパスル幅及び波高値は１選択期間内の全ての列配線３３０に対して均一とし、さらに１走査期間内で一定とすることで、一様な表示を行っている。このとき、１つの電子放出素子３２０からの放出電流Ｉｅは約４μＡであった。
【００８５】
その結果、図１における、表示面の上端部（−Ｙ側）での輝度と表示面の下端部（＋Ｙ側）での輝度を比較すると、１％以下の輝度差となった。これに対し、波形生成部１２１の出力を直流として、電位生成回路１２０の出力を一定とした場合、表示面の上端部と表示面の下端部での輝度差を比較すると、１０％程度の輝度差が発生した。
【００８６】
この様に、本実施例においては、波形生成部１２１の出力波形、即ち電位生成回路１２０の出力電位Ｖｂを制御する事で、特に複雑な構成をとる事無く、又放電時の放電電流制限効果を損なう事無く、大幅に輝度の分布（表示ムラ）を改善する事が出来た。
【００８７】
（実施例２）
基本的な構成については実施例１と同様であり、本実施例が実施例１と異なる点は、図６の（ｂ）に示す構成のフェースプレートを用いた点と、波形生成部１２１が生成する信号波形が異なる点のみである。図７に示すように、波形生成部１２１の出力波形を、波高値が６．０Ｖ〜６．０５Ｖ、周波数が６０Ｈｚの三角波となるように設定した。高電圧生成部１２２を波形生成部１２１で生成された波形の波高値（電位振幅）を２０００倍に増幅して出力するように設定した。したがって、電位生成回路１２０は、波高値が１２．０ｋＶ〜１２．１ｋＶ、周波数が６０Ｈｚの三角波の供給電位Ｖｂを出力する。
【００８８】
その結果、図１における、表示面の上端部（−Ｙ側）及び下端部（＋Ｙ側）での輝度と表示面の中央部（上端部と下端部との中間の部分）での輝度を比較すると、１％以下の輝度差となった。これに対し、波形生成部１２１の出力を直流として、電位生成回路１２０の出力を一定とした場合、中央部と上下端部でのアノード電位Ｖａの電位差は、１００Ｖ程度であった。そして、表示面の上端部と表示面の下端部での輝度差を比較すると、１．５％程度の輝度差が発生した。
【００８９】
（実施例３）
基本的な構成については実施例１と同様であり、本実施例が実施例１と異なるのは、波形生成部１２１の出力波形を各走査期間ごとに変更可能にした点と、変調回路１４０にＰＡＭを用いた点である。
【００９０】
図８に示すように、走査回路１３０が、選択電位が−１０Ｖ、非選択電位が０Ｖ、走査期間が１６．７ｍｓ、選択期間が１５．５μｓの走査信号を出力するように制御回路１５０を設定した。変調回路１４０が、変調電位が波高値＋５〜＋１０Ｖ、周波数が６４．８ｋＨｚのＰＡＭによる変調信号を出力するように制御回路１５０を設定した。なお、効果を確認するために、変調信号の波高値及びパルス幅はは１選択期間内の全ての列配線３３０に対して均一とし、さらに１走査期間内で一定とすることで、一様な表示を行っている。さらに、５秒ごとに画像信号を変更して、ある５秒間には変調電位の波高値が＋９．０Ｖとなるように、直後の５秒間には変調電位の波高値が＋９．７Ｖとなるように、表示を行った。図８に示すのは、表示が切り替わる瞬間の前後の走査期間（フレーム）である。変調電位の波高値が＋９．０Ｖの時には、１つの電子放出素子３２０からの放出電流Ｉｅは約２μＡであった。変調電位の波高値が＋９．７Ｖの時には、１つの電子放出素子３２０からの放出電流Ｉｅは約３μＡであった。そのため、変調電位の波高値が＋９．７Ｖの場合には、変調電位の波高値が＋９．０Ｖの場合よりも輝度が高くなる。
【００９１】
電位生成回路１２０は、波形生成部１２１と高電圧生成部１２２とで構成した。画像信号を切り換える直前の走査期間では、波形生成部１２１の出力波形を、波高値が６．００Ｖ〜６．１０Ｖ、周波数が６０Ｈｚの鋸波となるように設定した。画像信号を切り換えた直後の走査期間では、波形生成部１２１の出力波形を、波高値が６．００Ｖ〜６．１５Ｖ、周波数が６０Ｈｚの鋸波となるように設定した。高電圧生成部１２２を波形生成部１２１で生成された波形の波高値（電位振幅）を２０００倍に増幅して出力するように設定した。したがって、電位生成回路１２０は、画像信号を切り換える直前の走査期間では、波高値が１２．０ｋＶ〜１２．２ｋＶ、周波数が６０Ｈｚの鋸波の供給電位Ｖｂを出力する。画像信号を切り換えた直後の走査期間では、波高値が１２．０ｋＶ〜１２．３ｋＶ、周波数が６０Ｈｚの鋸波の供給電位Ｖｂを出力する。
【００９２】
このように構成したところ、画像信号を切り換えても、表示ムラが低減された良好な画像が得られた。
【符号の説明】
【００９３】
１００ 表示装置
１１０ 表示パネル
１２０ 電位生成回路
１３０ 走査回路
１４０ 変調回路
１５０ 制御回路
２１０ 表示部材
２２０ アノード
２３０ 給電部材
２４０ 接続部
３１０ 電子源
３２０ 電子放出素子
３３０ 行配線
３３１ 第１行配線
３３２ 第２行配線
３４０ 列配線
３５０ マトリックス配線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行配線及び複数の列配線からなるマトリックス配線と、前記マトリックス配線に接続された複数の電子放出素子とからなる電子源と、前記電子源に対向する表示部材と、前記表示部材に重なるアノードと、前記アノードに接続部で接続された給電部材と、を有する表示パネルと、
前記複数の行配線に接続された走査回路と、前記複数の列配線に接続された変調回路と、前記給電部材に接続された電位生成回路と、を備える表示装置であって、
前記複数の行配線は、第１行配線と、前記第１行配線よりも前記接続部から離れて位置する第２行配線とを含んでおり、
前記走査回路は、１走査期間内の第１選択期間に、前記第１行配線へ選択電位を出力するとともに、前記第２行配線へ非選択電位を出力し、前記１走査期間内の前記第１選択期間とは別の第２選択期間に、前記第１行配線へ前記非選択電位を出力するとともに、前記第２行配線へ前記選択電位を出力するものであり、前記変調回路は、前記複数の列配線に変調電位を出力するものであり、
前記電位生成回路は、前記電子源の電位よりも高い第１電位と、前記第１電位よりも高い第２電位とを出力可能であって、前記電位生成回路は、前記第１選択期間に前記第１電位を前記給電部材へ出力し、前記第２期間に前記第２電位を前記給電部材へ出力することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記接続部は、前記複数の行配線が延在する方向と同じ方向に延在して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
画像信号が入力される制御回路を備え、
前記制御回路は前記画像信号に応じた階調信号及び同期信号を出力し、前記変調回路は前記階調信号に基づいて前記変調電位を出力し、前記走査回路は前記同期信号に基づいて前記選択電位及び前記非選択電位を出力し、前記電位生成回路は前記同期信号に基づいて前記第１電位及び前記第２電位を出力することを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記電位生成回路は、前記画像信号に応じて前記第１電位と前記第２電位の少なくとも一方を変更すること特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
複数の行配線及び複数の列配線からなるマトリックス配線と、前記マトリックス配線に接続された複数の電子放出素子とからなる電子源と、前記電子源に対向する表示部材と、前記表示部材に重なる領域を有するアノードと、前記領域の外側に設けられ前記アノードに接続部で接続された給電部材と、を有する表示パネルと、
前記給電部材に接続された電位生成回路と、前記複数の行配線に接続された走査回路と、前記複数の列配線に接続された変調回路と、前記給電部材に接続され、前記電子源の電位よりも高い供給電位を前記給電部材へ出力する電位生成回路と、を備える表示装置であって、
前記接続部は、前記複数の行配線が延在する方向と同じ方向に延在し、かつ、前記複数の行配線が配列された方向における前記アノードの少なくとも一方の側に設けられており、
前記走査回路は、前記複数の行配線を１走査期間内に線順次に走査し、前記表示部材には、前記１走査期間内の前記走査に対応して線順次に発光部が形成されるものであり、
前記電位生成回路は、前記１走査期間内における前記接続部と前記発光部との距離の増加に応じて、前記１走査期間内に前記供給電位を上昇させることと、前記１走査期間内における前記接続部と前記発光部との距離の減少に応じて、前記１走査期間内に前記供給電位を低下させることとの少なくとも一方を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
前記接続部は、前記複数の行配線が配列された方向と同じ方向における前記アノードの一方の側のみに設けられており、前記走査回路は、プログレッシブ走査またはインターレース走査を行い、前記電位生成回路は鋸波を出力することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記接続部は、前記複数の行配線が配列された方向と同じ方向における前記アノードの両側に設けられており、前記走査回路は、プログレッシブ走査またはインターレース走査を行い、前記電位生成回路は三角波を出力することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記電位生成回路は、前記発光部の輝度に応じて、前記供給電位を変更することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記アノードは、複数の導電膜と、前記複数の導電膜を互いに接続する抵抗膜とで構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
表示パネルの駆動方法であって、
前記表示パネルは、複数の行配線及び複数の列配線からなるマトリックス配線と、前記マトリックス配線に接続された複数の電子放出素子とからなる電子源と、前記電子源に対向する表示部材と、前記表示部材に重なるアノードと、前記アノードに接続部で接続された給電部材と、を有し、前記複数の行配線は、第１行配線と、前記第１行配線よりも前記接続部から離れて位置する第２行配線とを含んでおり、
１走査期間内の第１選択期間に、前記第１行配線へ選択電位を付与するとともに、前記第２行配線へ非選択電位を付与し、前記１走査期間内の前記第１選択期間とは別の第２選択期間に、前記第１行配線へ前記非選択電位を付与するとともに、前記第２行配線へ前記選択電位を付与し、
前記第１選択期間に前記電子源の電位よりも高い第１電位を前記給電部材へ付与し、前記第２期間に前記第１電位よりも高い第２電位を前記給電部材へ付与することを特徴とする表示パネルの駆動方法。
【請求項１】
複数の行配線及び複数の列配線からなるマトリックス配線と、前記マトリックス配線に接続された複数の電子放出素子とからなる電子源と、前記電子源に対向する表示部材と、前記表示部材に重なるアノードと、前記アノードに接続部で接続された給電部材と、を有する表示パネルと、
前記複数の行配線に接続された走査回路と、前記複数の列配線に接続された変調回路と、前記給電部材に接続された電位生成回路と、を備える表示装置であって、
前記複数の行配線は、第１行配線と、前記第１行配線よりも前記接続部から離れて位置する第２行配線とを含んでおり、
前記走査回路は、１走査期間内の第１選択期間に、前記第１行配線へ選択電位を出力するとともに、前記第２行配線へ非選択電位を出力し、前記１走査期間内の前記第１選択期間とは別の第２選択期間に、前記第１行配線へ前記非選択電位を出力するとともに、前記第２行配線へ前記選択電位を出力するものであり、前記変調回路は、前記複数の列配線に変調電位を出力するものであり、
前記電位生成回路は、前記電子源の電位よりも高い第１電位と、前記第１電位よりも高い第２電位とを出力可能であって、前記電位生成回路は、前記第１選択期間に前記第１電位を前記給電部材へ出力し、前記第２期間に前記第２電位を前記給電部材へ出力することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記接続部は、前記複数の行配線が延在する方向と同じ方向に延在して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
画像信号が入力される制御回路を備え、
前記制御回路は前記画像信号に応じた階調信号及び同期信号を出力し、前記変調回路は前記階調信号に基づいて前記変調電位を出力し、前記走査回路は前記同期信号に基づいて前記選択電位及び前記非選択電位を出力し、前記電位生成回路は前記同期信号に基づいて前記第１電位及び前記第２電位を出力することを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記電位生成回路は、前記画像信号に応じて前記第１電位と前記第２電位の少なくとも一方を変更すること特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
複数の行配線及び複数の列配線からなるマトリックス配線と、前記マトリックス配線に接続された複数の電子放出素子とからなる電子源と、前記電子源に対向する表示部材と、前記表示部材に重なる領域を有するアノードと、前記領域の外側に設けられ前記アノードに接続部で接続された給電部材と、を有する表示パネルと、
前記給電部材に接続された電位生成回路と、前記複数の行配線に接続された走査回路と、前記複数の列配線に接続された変調回路と、前記給電部材に接続され、前記電子源の電位よりも高い供給電位を前記給電部材へ出力する電位生成回路と、を備える表示装置であって、
前記接続部は、前記複数の行配線が延在する方向と同じ方向に延在し、かつ、前記複数の行配線が配列された方向における前記アノードの少なくとも一方の側に設けられており、
前記走査回路は、前記複数の行配線を１走査期間内に線順次に走査し、前記表示部材には、前記１走査期間内の前記走査に対応して線順次に発光部が形成されるものであり、
前記電位生成回路は、前記１走査期間内における前記接続部と前記発光部との距離の増加に応じて、前記１走査期間内に前記供給電位を上昇させることと、前記１走査期間内における前記接続部と前記発光部との距離の減少に応じて、前記１走査期間内に前記供給電位を低下させることとの少なくとも一方を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
前記接続部は、前記複数の行配線が配列された方向と同じ方向における前記アノードの一方の側のみに設けられており、前記走査回路は、プログレッシブ走査またはインターレース走査を行い、前記電位生成回路は鋸波を出力することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記接続部は、前記複数の行配線が配列された方向と同じ方向における前記アノードの両側に設けられており、前記走査回路は、プログレッシブ走査またはインターレース走査を行い、前記電位生成回路は三角波を出力することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記電位生成回路は、前記発光部の輝度に応じて、前記供給電位を変更することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記アノードは、複数の導電膜と、前記複数の導電膜を互いに接続する抵抗膜とで構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
表示パネルの駆動方法であって、
前記表示パネルは、複数の行配線及び複数の列配線からなるマトリックス配線と、前記マトリックス配線に接続された複数の電子放出素子とからなる電子源と、前記電子源に対向する表示部材と、前記表示部材に重なるアノードと、前記アノードに接続部で接続された給電部材と、を有し、前記複数の行配線は、第１行配線と、前記第１行配線よりも前記接続部から離れて位置する第２行配線とを含んでおり、
１走査期間内の第１選択期間に、前記第１行配線へ選択電位を付与するとともに、前記第２行配線へ非選択電位を付与し、前記１走査期間内の前記第１選択期間とは別の第２選択期間に、前記第１行配線へ前記非選択電位を付与するとともに、前記第２行配線へ前記選択電位を付与し、
前記第１選択期間に前記電子源の電位よりも高い第１電位を前記給電部材へ付与し、前記第２期間に前記第１電位よりも高い第２電位を前記給電部材へ付与することを特徴とする表示パネルの駆動方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−２３７５９１（Ｐ２０１１−２３７５９１Ａ）
【公開日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１０８７８７（Ｐ２０１０−１０８７８７）
【出願日】平成２２年５月１０日（２０１０．５．１０）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月１０日（２０１０．５．１０）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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