表示装置及び電子機器
【課題】画像表示を正常に行うことが可能な表示装置並びにこの表示装置を具備してなる電子機器を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１２３に接続された第１電極１１１が基板上にマトリックス状に配置されてなる第１電極領域と、第１電極領域の周囲に配置され、第１電極１１１に接続される発光用電源配線１０３とを具備してなり、第１電極１１１上に機能層１１０及び第２電極１２が形成されてなり、発光用電源配線１０３と第２電極１２との間に第１の静電容量Ｃ1が設けられてなることを特徴とする表示装置１を採用する。
【解決手段】スイッチング素子１２３に接続された第１電極１１１が基板上にマトリックス状に配置されてなる第１電極領域と、第１電極領域の周囲に配置され、第１電極１１１に接続される発光用電源配線１０３とを具備してなり、第１電極１１１上に機能層１１０及び第２電極１２が形成されてなり、発光用電源配線１０３と第２電極１２との間に第１の静電容量Ｃ1が設けられてなることを特徴とする表示装置１を採用する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス材料を具備してなる表示装置並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素電極（陽極）及び陰極の間に、有機蛍光材料等の発光材料からなる発光層が挟持された構造のカラー表示装置、特に発光材料として有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）材料を用いた有機ＥＬ表示装置の開発が行われている。
このような有機ＥＬ表示装置の駆動方式としては、行方向に走査線及び列方向にデータ線をマトリクス状に配設するとともに、その交差部分にあるＥＬ素子の画素毎に静電容量素子とトランジスタ等を配置して、書き込み走査時に各画素の静電容量素子に充電した電圧に従って、次に書き換えられるまで発光を持続する、いわゆるアクティブマトリクス駆動方式が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１３には従来の表示装置の配線構造を示す。従来の表示装置は、複数の走査線９０１と、走査線９０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線９０２と、信号線９０２に並列に延びる複数の発光用電源配線９０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線９０１及び信号線９０２の各交点毎に、画素領域Ａが設けられている。
【０００４】
各信号線９０２・・・は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路９０４に接続されている。また、各走査線９０１は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路９０５、９０５に接続されている。
更に、画素領域Ａの各々には、走査線９０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ９１２と、このスイッチング薄膜トランジスタ９１２を介して信号線９０２から共有される画素信号を保持する保持容量Ｃａｐと、該保持容量Ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ９２３と、このカレント薄膜トランジスタ９２３を介して発光用電源配線９０３に電気的に接続したときに発光用電源配線９０３から駆動電流が流れ込む画素電極９１１と、この画素電極９１１と陰極９１３との間に挟み込まれる発光素子９１０とが設けられている。陰極９１３は、陰極用電源回路９３１に接続されている。
【０００５】
また、発光素子９１０には、赤色に発光する発光素子９１０Ｒ、緑色に発光する発光素子９１０Ｇ、青色に発光する発光素子９１０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発光素子９１０Ｒ、９１０Ｇ、９１０Ｂがストライプ配置されている。
そして、カレント薄膜トランジスタ９２３を介して各発光素子９１０Ｒ、９１０Ｇ、９１０Ｂに接続される発光用電源配線９０３Ｒ、９０３Ｇ、９０３Ｂはそれぞれ、発光用電源回路９３２に接続されている。各色毎に発光用電源配線が配線されているのは、発光素子９１０の駆動電位が各色毎に異なるためである。
【０００６】
係る構成によれば、走査線９０１が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ９１２がオンになると、そのときの信号線９０２の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、該保持容量Ｃａｐに状態に応じて、カレント薄膜トランジスタ９２３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ９２３のチャネルを介して、発光用電源配線９０３Ｒ、９０３Ｇ、９０３Ｂから画素電極９１１に電流が流れ、更に発光素子９１０を介して陰極９１２に駆動電流が流れる。発光素子９１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第９８／３６４０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、発光素子９１０を安定して発光させるためには、発光用電源配線９０３から画素電極９１１に印加する駆動電流の電位変動をできるだけ少なくすることが要求される。
しかし、従来の表示装置では、発光素子９１０を発光させるために比較的大きな駆動電流が必要とされるため、表示装置の動作状況によっては、駆動電流の電位変動が大きくなる場合があり、発光素子９１０の発光動作に不具合が生じて、正常な画像表示を行えない場合があった。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、発光用電源配線から画素電極に印加する駆動電流の電位を安定にして画像表示を正常に行うことが可能な表示装置並びにこの表示装置を具備してなる電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の表示装置は、スイッチング素子に接続された第１電極が基板上にマトリックス状に配置されてなる第１電極領域と、前記第１電極領域の周囲に配置され、前記第１電極に接続される発光用電源配線と、前記第１電極の上方に形成された機能層と、を含み、前記機能層の上方に少なくとも第２電極の一部が形成され、前記発光用電源配線と前記第２電極との間に第１の静電容量が設けられてなることを特徴とする。
【００１１】
係る表示装置によれば、発光用電源配線と第２電極との間に第１の静電容量が設けられているので、発光用電源配線を流れる駆動電流の電位が変動した場合でも、第１の静電容量に蓄積された電荷が発光用電源配線に供給されるので、駆動電流の電位不足分がこの蓄積電荷により補われて電位変動を抑制することができ、表示装置の画像表示を正常に保つことができる。
【００１２】
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記第１電極領域の外側において、前記発光用電源配線と前記第２電極とが対向することにより、前記第１の静電容量が形成されることを特徴とする。
【００１３】
係る表示装置によれば、発光用電源配線が第１電極領域の外側で第２電極と対向するので、発光用電源配線と第２電極との間隔が小さくなって第１の静電容量に蓄積される蓄積電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。
【００１４】
また本発明の表示装置では、前記発光用電源配線と前記第２電極との間に第１層間絶縁層を配置させることが好ましい。
【００１５】
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記第１電極によって形成される実表示領域と、該実表示領域の周囲に配置され、表示に寄与しないダミー領域とを有してなり、前記第２電極は、少なくとも前記実表示領域と前記ダミー領域を覆うように形成されてなり、前記発光用電源配線が少なくとも前記ダミー領域を挟んで前記第２電極と対向配置されることにより、前記第１の静電容量が形成されることを特徴とする。
【００１６】
係る表示装置によれば、実表示領域を囲むダミー領域が設けられ、発光用電源配線がダミー領域を挟んで第２電極と対向するように配置されるため、発光用電源配線がこのダミー領域に位置することになり、発光用電源配線の配置スペースを発光素子部の外側に新たに設ける必要がなく、これにより実表示領域の占有面積を相対的に拡大することができる。
【００１７】
また本発明の表示装置では、前記ダミー領域における機能層の膜厚が前記ダミー領域におけるバンクの膜厚より薄く形成されてなることが好ましい。
これにより、ダミー領域の機能層上ある第２電極がダミー領域のバンク上にある第２電極よりも発光用電源配線側に接近するように構成されるので、静電容量に蓄積される蓄積電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。
【００１８】
また本発明の表示装置では、前記発光用電源配線と前記ダミー領域における機能層との間に前記第１の層間絶縁層を配置させることが好ましい。
【００１９】
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記発光用電源配線は、第２の層間絶縁層を挟んで対向する第１配線及び第２配線から構成されるとともに、前記第１配線が、前記第２電極用の配線と同じ階層位置に形成され、前記第１配線と前記第２電極用の配線との間に第２の静電容量が形成されることを特徴とする。
係る表示装置によれば、第１配線と第２電極用の配線の間に第２の静電容量が設けられているので、発光用電源配線を流れる駆動電流の電位が変動した場合に、第２の静電容量に蓄積された電荷が発光用電源配線に供給されて電位変動を抑制することができ、表示装置の画像表示をより正常に保つことができる。
【００２０】
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記機能層は、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とからなるものであることを特徴とする。
【００２１】
係る表示装置によれば、機能層が正孔注入／輸送層と発光層とからなり、この機能層に対して電位変動の少ない駆動電流を印加することにより、高輝度で正確な色彩の表示を行うことができる。
【００２２】
次に本発明の表示装置は、スイッチング素子に接続された第１電極が基板上に配置されてなる第１電極領域と、前記第１電極領域の周囲に配置され、前記第１電極に接続される発光用電源配線とを具備してなり、各前記第１電極の上に機能層及び第２電極が形成されてなり、前記発光用電源配線の上には第１の層間絶縁層が形成されてなることを特徴とする。
【００２３】
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記第１電極によって形成された表示画素部の外側において、前記発光用電源配線と前記第２電極とが前記第１層間絶縁層を挟んで対向することにより、前記第１の静電容量が形成されることを特徴とする。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記第１電極によって形成される実表示領域と、該実表示領域の周囲に配置され、表示に寄与しないダミー領域とを有してなり、前記第２電極は、少なくとも前記実表示領域と前記ダミー領域を覆うように形成されてなり、前記発光用電源配線が少なくとも前記ダミー領域を挟んで前記第２電極と対向配置され、前記ダミー領域には前記第１層間絶縁層が形成されてなることを特徴とする。
【００２４】
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記ダミー領域における機能層の膜厚が前記ダミー領域におけるバンクの膜厚より薄く形成されてなることを特徴とする。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記発光用電源配線は、第２の層間絶縁層を挟んで対向する第１配線及び第２配線から構成されるとともに、前記第１配線が、前記第２電極用の配線と同じ階層位置に形成され、前記第１配線と前記第２電極用の配線との間に第２の静電容量が形成されることを特徴とする。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記機能層は、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とからなるものであることを特徴とする。
次に本発明の電子機器は、先のいずれかに記載の表示装置を具備してなることを特徴とする。係る電子機器によれば、画像表示を安定に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造を示す平面模式図。
【図２】本発明の第１の実施形態の表示装置を示す平面模式図。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図４】図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図。
【図５】本発明の第１の実施形態の表示装置の要部を示す断面図。
【図６】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図７】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図８】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図９】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１０】本発明の第２の実施形態の表示装置を示す平面模式図。
【図１１】図１０のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図１２】本発明の第３の実施形態である電子機器を示す斜視図。
【図１３】従来の表示装置の配線構造を示す平面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
［第１の実施形態］
以下、本発明の第１の実施形態を図面を参照して説明する。本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００２７】
図１には本実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図を示す。
図１に示す表示装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置である。
図１に示す本実施形態の表示装置１は、複数の走査線１０１・・・と、走査線１０１・・・に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２・・・と、信号線１０２・・・に並列に延びる複数の発光用電源配線１０３・・・とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１・・・及び信号線１０２・・・の各交点付近に、画素領域Ａ・・・が設けられている。
【００２８】
各信号線１０２・・・には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、各信号線１０２・・・には、薄膜トランジスタを備える検査回路１０６が接続されている。更に各走査線１０１・・・には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５、１０５が接続されている。
更に、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画像信号を保持する保持容量Ｃａｐと、該保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）と、このカレント薄膜トランジスタ１２３を介して発光用電源配線１０３に電気的に接続したときに発光用電源配線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第１電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（第２電極）１２との間に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。尚、陰極１２は陰極用電源回路１３１に接続されている。
【００２９】
また、機能層１１０には、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層が含まれ、更に発光層には、赤色に発光する発光層１１０Ｒ、緑色に発光する発光層１１０Ｇ、青色に発光する発光層１１０Ｂの３種の発光層が含まれ、各発光層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂがストライプ配置されている。
そして、カレント薄膜トランジスタ１２３を介して各発光層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂに接続される発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂがそれぞれ、発光用電源回路１３２に接続されている。各色毎に発光用電源配線１０３Ｒ・・・が配線されているのは、発光層１１０Ｒ・・・の駆動電位が各色毎に異なるためである。
【００３０】
また、陰極１２と発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂとの間には、第１の静電容量Ｃ1・・・が形成されている。表示装置１が駆動するとこの第１の静電容量Ｃ1・・・に電荷が蓄積される。表示装置１の駆動中に各発光用電源配線１０３を流れる駆動電流の電位が変動した場合には、蓄積された電荷が各発光用電源配線１０３に放電されて駆動電流の電位変動を抑制する。これにより、表示装置１の画像表示を正常に保つことができる。
【００３１】
尚、この表示装置１においては、走査線１０１が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、該保持容量Ｃａｐに状態に応じて、カレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂから画素電極１１１に駆動電流が流れ、更に発光層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを介して陰極（第２電極）１２に電流が流れる。各機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００３２】
次に、本実施形態の表示装置１の具体的な態様を図２〜図４を参照して説明する。図２に本実施形態の表示装置の平面模式図を示し、図３には図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図を示し、図４には図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図を示す。
図２に示すように、本実施形態の表示装置１は、ガラス等からなる透明な基板２と、図示略のカレント薄膜トランジスタ（スイッチング素子）に接続された画素電極（第１電極）が基板２上にマトリックス状に配置されてなる図示略の画素電極領域（第１電極領域）と、画素電極領域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される発光用電源配線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）と、少なくとも画素電極領域上に位置する平面視略矩形の表示画素部３（図中一点鎖線の枠内）とを具備して構成されている。また表示画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線の枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００３３】
また、実表示領域４の図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査線駆動回路１０５、１０５はダミー領域５の下側（基板側２）に位置して設けられている。更にダミー領域５の下側には、走査線駆動回路１０５、１０５に接続される走査線駆動回路用制御信号配線１０５ａと走査線駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に実表示領域４の図中上側には、前述の検査回路１０６が配置されている。
この検査回路１０６はダミー領域５の下側（基板側２）に位置して設けられており、この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００３４】
図２に示すように、発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂは、ダミー画素領域５の周囲に配設されている。各発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂは、基板２の図２中下側から走査線駆動回路用制御信号配線１０５ｂに沿って図２中上方に延在し、走査線駆動回路用電源配線１０５ｂが途切れた位置から折曲してダミー画素領域５の外側に沿って延在し、実表示領域４内にある図示略の画素電極に接続されている。
【００３５】
また、基板２には、陰極１２に接続される陰極配線１２ａが形成されている。
この陰極配線１２ａは、発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂを囲むように平面視略コ字状に形成されている。
【００３６】
また基板２の一端には、ポリイミドテープ１３０が貼り付けられ、このポリイミドテープ１３０上に制御用ＩＣ１３１が実装されている。この制御用ＩＣ１３１には、図１に示したデータ側駆動回路１０４、陰極用電源回路１３１及び発光用電源回路１３２が内蔵されている。
【００３７】
次に図３及び図４に示すように、基板２上には回路部１１が形成され、この回路部１１上に表示画素部３が形成されている。また基板２には、表示画素部３を環状に囲む封止材１３が形成され、更に表示画素部３上に封止基板１４が備えられている。封止基板１４は、封止材１３を介して基板２に接合されており、ガラス、金属若しくは樹脂等からなるものである。また封止基板１４の裏側には、吸着剤１５が貼り付けられ、表示画素部３と封止基板１４の間の空間に混入した水又は酸素を吸収できるようになっている。尚、吸着剤１５に代えてゲッター剤を用いても良い。また封止材１３は、例えば熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
【００３８】
回路部１１の中央部分には、画素電極領域１１ａが設けられている。この画素電極領域１１ａには、カレント薄膜トランジスタ１２３と、このカレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）に接続された画素電極１１１が備えられている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、基板２上に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層２８３及び第１層間絶縁層２８４に埋め込まれて形成され、また画素電極１１１は、第１層間絶縁層２８４上に形成されている。
【００３９】
尚、回路部１１には、前述した保持容量Ｃａｐ及びスイッチング薄膜トランジスタ１４２も形成されているが、図３及び図４ではこれらの図示を省略している。
【００４０】
次に、図３において、画素電極領域１１ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５が設けられている。また、図４において、画素電極領域１１ａの図中左側には、前述の検査回路１０６が設けられている。
走査線駆動回路１０５には、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ１０５ｃが備えられ、この薄膜トランジスタ１０５ｃは、画素電極１１１に接続されていない点を除いて上記のカレント薄膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。
また検査回路１０６にも同様に、薄膜トランジスタ１０６ａが備えられ、この薄膜トランジスタ１０６ａも、画素電極１１１に接続されていない点を除いてカレント薄膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。
【００４１】
また図３に示すように、走査線駆動回路１０５、１０５の図中外側の下地保護層２８１上には、走査線回路用制御信号配線１０５ａが形成されている。更に走査線回路用制御信号配線１０５ａの外側の第２層間絶縁層２８３上には、走査線回路用電源配線１０５ｂが形成されている。
更に図４に示すように、検査回路路１０６の図中左側の下地保護層２８１上には、検査回路用制御信号配線１０６ｂが形成されている。更に検査回路用制御信号配線１０６ｂの左側の第２層間絶縁層２８３上には、検査回路用電源配線１０６ｃが形成されている。
【００４２】
また図３に示すように、走査線回路用電源配線１０５ｂの外側には、発光用電源配線１０３が形成されている。この発光用電源配線１０３は、２つの配線、あるいは異なる層に形成された導電部を利用した二重配線構造を採用しており、前述したように表示画素部３の外側に配置されている。二重配線構造を採用することで配線抵抗を軽減できる。
例えば、図３中左側にある赤色用の発光用電源配線１０３Ｒは、下地保護層２８１上に形成された第１配線１０３Ｒ1と、第２層間絶縁層２８３を介して第１配線１０３Ｒ1上に形成された第２配線１０３Ｒ2とから構成されている。第１配線１０３Ｒ1及び第２配線１０３Ｒ2は、図２に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３Ｒ3により接続されている。
このように、第１配線１０３Ｒ1は、陰極用配線１２ａと同じ階層位置に形成されており、第１配線１０３Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間は第２層間絶縁層２８３が配置されている。このような構造をとることで、第１配線１０３Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００４３】
同様に、図３の右側にある青色及び緑色用の発光用電源配線１０３Ｇ、１０３Ｂも二重配線構造を採用しており、それぞれ下地下地保護層２８１上に形成された第１配線１０３Ｇ1、１０３Ｂ1と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線１０３Ｇ2、１０３Ｂ2とから構成され、第１配線１０３Ｇ1、１０３Ｂ1及び第２配線１０３Ｇ2、１０３Ｂ2は、図２及び図３に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３Ｇ3、１０３Ｂ3により接続されている。
そして、青色の第１配線１０３Ｂ1及び陰極用配線１２ａの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００４４】
第１配線１０３Ｒ1・・・及び第２配線１０３Ｒ2・・・の間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、データ線と走査線のような異なる電位を有するソースメタルとゲートメタルの間の寄生容量が増える為、例えば画素内においては、数多くのソースメタルとゲートメタルのクロス部が存在することにより、データ信号（画像信号）配線遅延を引き起こす。その結果、定められた期間内にデータ信号（画像信号）を書き込む事が出来ない為、コントラストの低下を引き起こす。第１配線１０３Ｒ1・・・及び第２配線１０３Ｒ2・・・に挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ2等が好ましが、１．０μｍ以上形成するとＳｉＯ2の応力により基板が割れる恐れが生じる。
【００４５】
また、各発光用電源配線１０３Ｒ・・・の上側には、表示画素部３から延出した陰極１２が形成されている。これにより、各発光用電源配線１０３Ｒ・・・の第２配線１０３Ｒ２・・・が、第１層間絶縁層２８４を挟んで陰極１１２と対向配置され、これにより第２配線１０３Ｒ２・・・と陰極１２との間に前述の第１の静電容量Ｃ１が形成される。
【００４６】
第２配線１０３Ｒ2・・・と陰極１２の間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、画素電極とソースメタルのような異なる電位を有する画素電極とソースメタルの間の寄生容量が増える為、ソースメタルを用いているデータ線の配線遅延が生じる。その結果、定められた期間内にデータ信号（画像信号）を書き込む事が出来ない為、コントラストの低下を引き起こす。第２配線１０３Ｒ2・・・と陰極１２に挟まれる第１層間絶縁層２８４の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。しかし、ＳｉＯ2を１．０μｍ以上形成すると応力により基板が割れる恐れが生じる。また、アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成することができるが、水を含むを膨張する性質が有る為、その上に形成する画素電極を割る恐れがある。
また第１配線１０３Ｒ1・・・と陰極用配線１２ａの間隔は、例えば、４〜２００μｍの範囲が好ましい。間隔が４μｍ未満だと、現状では露光機の精度により配線同士がショートする可能性がある。第１配線１０３Ｒ2・・・と陰極用配線１２ａに挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。
【００４７】
このように、本実施形態の表示装置１によれば、発光用電源配線１０３と陰極１２との間に第１の静電容量Ｃ1が設けられるので、発光用電源配線１０３を流れる駆動電流の電位が変動した場合に第１の静電容量Ｃ1に蓄積された電荷が発光用電源配線１０３に供給され、駆動電流の電位不足分がこの電荷により補われて電位変動を抑制することができ、表示装置１の画像表示を正常に保つことができる。
特に、発光用電源配線１０３と陰極１２とが表示画素部３の外側で対向するので、発光用電源配線１０３と陰極１１２との間隔を小さくして第１の静電容量Ｃ1に蓄積される電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。
更に、本実施形態の表示装置１によれば、発光用電源配線１０３が第１配線及び第２配線からなる二重配線構造を有し、第１配線と陰極用配線との間に第２の静電容量Ｃ2が設けられているので、第２の静電容量Ｃ2に蓄積された電荷も発光用電源配線１０３に供給されるため、電位変動をより抑制することができ、表示装置１の画像表示をより正常に保つことができる。
【００４８】
次に、カレント薄膜トランジスタ１２３を含む回路部１１の構造を詳細に説明する。図５に、画素電極領域１１ａの要部断面図を示す。
図５に示すように、基板２の表面には、ＳｉＯ2を主体とする下地保護層２８１が積層され、この下地保護層２８１上には島状のシリコン層２４１が形成されている。また、シリコン層２４１及び下地保護層２８１は、ＳｉＯ2及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２により被覆されている。そして、シリコン層２４１上には、ゲート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２が形成されている。なお、このゲート電極２４２は走査線の一部である。
また、ゲート電極２４２及びゲート絶縁層２８２は、ＳｉＯ2を主体とする第２層間絶縁層２８３によって被覆されている。なお、本明細書において、「主体」とする成分とは最も含有率の高い成分のことを言うものとする。
【００４９】
次に、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２と対向する領域がチャネル領域２４１ａとされている。また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａの図中右側には低濃度ソース領域２４１ｂ及び高濃度ソース領域Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａの図中左側には低濃度ドレイン領域２４１ｃ及び高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられており、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造が形成されている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、このシリコン層２４１を主体として構成されている。
【００５０】
高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙って開孔するコンタクトホール２４５を介して、第２層間絶縁層２８３上に形成されたソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述したデータ線の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙って開孔するコンタクトホール２４６を介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００５１】
ソース電極２４３及びドレイン電極２４４が形成された第２層間絶縁層２８３上に第１層間絶縁層２８４が形成されている。そして、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が、この第１層間絶縁層２８４上に形成されるとともに、第１層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極１１１は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン電極２４１Ｄに接続されている。
尚、図３に示すように、画素電極１１１は、実表示領域４に対応する位置に形成されているが、実表示領域４の周囲に形成されたダミー領域５には、画素電極１１１と同じ形態のダミー画素電極１１１’が設けられる。
このダミー画素電極１１１’は、高濃度ドレイン電極２４１Ｄに接続されない点を除き、画素電極１１１と同一の形態である。
【００５２】
次に、表示画素部３の実画素領域４には、機能層１１０及びバンク１１２が形成されている。
機能層１１０は図３〜図５に示すように、画素電極１１１・・・上の各々に積層されている。またバンク１１２は、各画素電極１１１及び各機能層１１０の間に備えられており、各機能層１１０を区画している。
【００５３】
バンク１１２は、基板２側に位置する無機物バンク層１１２ａと基板２から離れて位置する有機物バンク層１１２ｂとが積層されて構成されている。尚、無機物バンク層１１２ａと有機物バンク層１１２ｂとの間に遮光層を配置してもよい。
【００５４】
無機質、有機物バンク層１１２ａ、１１２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げて形成されており、また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側まで形成されている。
また、無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機材料からなることが好ましい。また無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、無機物バンク層１１２ａによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
【００５５】
更に、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジストから形成されている。この有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成する陰極１２のステップガバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と画素電極１１１との絶縁を高めることができる点でより好ましい。
このようにして、機能層１１０は、バンク１１２より薄く形成されている。
【００５６】
また、バンク１１２の周辺には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。
親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａ及び画素電極１１１であり、これらの領域には、酸素を反応ガスとするプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入されている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１１２ｂであり、４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
【００５７】
次に図５に示すように、機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２からの電子とが結合して蛍光を発生させる。
【００５８】
発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、図１及び図２に示すように、各発光層がストライプ配置されている。
【００５９】
次に、表示画素部３のダミー領域５には、ダミー機能層２１０及びダミーバンク２１２が形成されている。
ダミーバンク２１２は、基板２側に位置するダミー無機物バンク層２１２ａと基板２から離れて位置するダミー有機物バンク層２１２ｂとが積層されて構成されている。ダミー無機物バンク層２１２ａは、ダミー画素電極１１１’の全面に形成されている。またダミー有機物バンク層２１２ｂは、有機物バンク層１１２ｂと同様に画素電極１１１の間に形成されている。
そして、ダミー機能層２１０は、ダミー無機物バンク２１２ａを介してダミー画素電極１１１’上に形成されている。
【００６０】
ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー有機物バンク層１２１ｂは、先に説明した無機質、有機物バンク層１１２ａ、１１２ｂと同様の材質、同様の膜厚を有するものである。
また、ダミー機能層２１０は、図示略のダミー正孔注入／輸送層と図示略のダミー発光層とが積層されてなり、ダミー正孔注入／輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚は、前述の正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂと同様である。
従って上記の機能層１１０と同様に、ダミー機能層２１０はダミーバンク２１２より薄く形成されている。
【００６１】
ダミー領域５を実表示領域４の周囲に配置することにより、実表示領域４の機能層１１０の厚さを均一にすることができ、表示ムラを抑制することができる。
即ち、ダミー領域５を配置することで、表示素子をインクジェット法によって形成する場合における吐出した組成物の乾燥条件を実表示領域４内で一定にすることができ、実表示領域４の周縁部で機能層１１０の厚さに偏りが生じるおそれがない。
【００６２】
次に陰極１２は、実表示領域４とダミー領域５の全面に形成されるとともにダミー領域５の外側にある基板２上まで延出され、ダミー領域５の外側、即ち表示画素部３の外側で発光用電源配線１０３と対向配置されている。
また陰極１２の端部が、回路部１１に形成された陰極用配線１２ａに接続されている。
陰極１２は、画素電極１１１の対向電極として機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、フッ化リチウムとカルシウムの積層体からなる第１陰極層１２ｂと、第２陰極層１２ｃとが積層されて構成されている。陰極１２のうち、第２陰極層１２ｃのみが表示画素部３の外側まで延出されている。
第２陰極層１２ｃは、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させる機能をも有し、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ積層体等からなることが好ましい。
更に第２陰極層１２ｂ上にＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００６３】
次に本実施形態の表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
まず、図６ないし図８を参照して、基板２上に回路部１１を形成する方法について説明する。なお、図６ないし図８に示す各断面図は、図２中のＡ−Ａ’線のに沿う断面に対応している。なお、以下の説明において、不純物濃度は、いずれも活性化アニール後の不純物として表される。
【００６４】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２上に、シリコン酸化膜などからなる下地保護層２８１を形成する。次に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層５０１とする。
【００６５】
次に図６（ｂ）に示すように、ポリシリコン層５０１をフォトリソグラフィ法によりパターニングして島状のシリコン層２４１，２５１及び２６１を形成し、更にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層２８２を形成する。
シリコン層２４１は、実表示領域４に対応する位置に形成されて画素電極１１１に接続されるカレント薄膜トランジスタ１２３（以下、「画素用ＴＦＴ」と表記する場合がある）を構成するものであり、シリコン層２５１，２６１は、走査線駆動回路１０５内のＰチャネル型及びＮチャネル型の薄膜トランジスタ（以下、「駆動回路用ＴＦＴ」と表記する場合がある）をそれぞれ構成するものである。
ゲート絶縁層２８２の形成は、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、各シリコン層２４１、２５１、２６１及び下地保護層２８１を覆う厚さ約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜を形成することにより行う。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１，２５１及び２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。チャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０12ｃｍ-2のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１，２５１及び２６１は、不純物濃度が約１×１０17ｃｍ-3の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００６６】
次に図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１、２６１の一部にイオン注入選択マスクＭ1を形成し、この状態でリンイオンを約１×１０15ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入する。その結果、イオン注入選択マスクＭ1に対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入され、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓ及び２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄ及び２６１Ｄが形成される。
【００６７】
次に図６（ｄ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ1を除去した後に、ゲート絶縁層２８２上にドープドシリコン、シリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜といった厚さ約５００ｎｍ程度の金属膜を形成し、更にこの金属膜をパターニングすることにより、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２５２、画素用ＴＦＴのゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２６２を形成する。また、上記パターニングにより、走査線駆動回路用信号配線１０５ａ、発光用電源配線の第１配線１０３Ｒ1、１０３Ｇ1，１０３Ｂ1、陰極用配線１２ａの一部を同時に形成する。
【００６８】
更に、ゲート電極２４２，２５２及び２６２をマスクとし、シリコン層２４１，２５１及び２６１に対してリンイオンを約４×１０13ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２及び２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図６（ｄ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂ及び２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃ及び２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓ及び２５１Ｄが形成される。
【００６９】
次に図７（ａ）に示すように、ゲート電極２５２の周辺を除く全面にイオン注入選択マスクＭ2を形成する。このイオン注入選択マスクＭ2を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０15ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。結果として、ゲート電極２５２もマスクとして機能し、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。これにより２５１Ｓ及び２５１Ｄがカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる。
次に図７（ｂ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ2を除去した後に、基板２の全面に第２層間絶縁層２８３を形成し、更にフォトリソグラフィ法により第２層間絶縁層２８３をパターニングして、各ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極並びに陰極用配線１２ａに対応する位置にコンタクトホール形成用の孔Ｈ1を設ける。
【００７０】
次に図７（ｃ）に示すように、第２層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタル等の金属からなる厚さ約２００ｎｍないし８００ｎｍ程度の導電層５０４を形成することにより、先に形成した孔Ｈ1にこれらの金属を埋め込んでコンタクトホールを形成する。更に導電層５０４上にパターニング用マスクＭ３を形成する。
次に図８（ａ）に示すように、導電層５０４をパターニング用マスクＭ３によってパターニングし、各ＴＦＴのソース電極２４３，２５３，２６３、ドレイン電極２４４及び２５４、各発光用電源配線の第２配線１０３Ｒ2、１０３Ｇ2、１０３Ｂ2、走査線回路用電源配線１０５ｂ及び陰極用配線１２ａを形成する。
上記のように、第１配線１０３Ｒ1及び１０３Ｂ1を陰極用配線１２ａと同じ階層に離間して形成することで、第２の静電容量Ｃ2が形成される。
【００７１】
次に図８（ｂ）に示すように、第２層間絶縁層２８３を覆う第１層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系などの樹脂材料によって形成する。この第１層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。
次に図８（ｃ）に示すように、第１層間絶縁層２８４のうち、画素用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングによって除去してコンタクトホール形成用の孔Ｈ2を形成する。このとき、同時に陰極用配線１２ａ上の第１層間絶縁層２８４も除去する。このようにして、基板２上に回路部１１が形成される。
【００７２】
次に、図９を参照して、回路部１１上に表示画素部３を形成することにより表示装置１を得る手順について説明する。図９に示す断面図は、図２中のＡ−Ａ’線に沿う断面に対応している。
まず図９（ａ）に示すように、基板２の全面を覆うようにＩＴＯ等の透明電極材料からなる薄膜を形成し、当該薄膜をパターニングすることにより、第１層間絶縁層２８４に設けた孔Ｈ2を埋めてコンタクトホール１１１ａを形成するとともに画素電極１１１及びダミー画素電極１１１’を形成する。画素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２３の形成部分のみに形成され、コンタクトホール１１１ａを介してカレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）に接続される。尚、ダミー電極１１１’は島状に配置される。
【００７３】
次に、図９（ｂ）に示すように、第１層間絶縁層２８４及び画素電極１１１及びダミー画素電極１１１’上に無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａは、画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダミー無機物バンク層２１２ａはダミー画素電極１１１’を完全に覆うように形成する。
無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、例えばＣＶＤ法、ＴＥＯＳ法、スパッタ法、蒸着法等によって第１層間絶縁層２８４及び画素電極１１１の全面にＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機質膜を形成した後に、当該無機質膜をパターニングすることにより形成する。
【００７４】
更に図９（ｂ）に示すように、無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａ上に、有機物バンク層１１２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを形成する。有機物バンク層は１１２ｂは、無機物バンク層１１２ａを介して画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダミー有機物バンク層２１２ｂはダミー無機物バンク層２１２ａの一部が開口する態様にて形成する。このようにして、第１層間絶縁層２８４上にバンク１１２を形成する。
【００７５】
続いて、バンク１１２の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する。本実施例においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的に該プラズマ処理工程は、画素電極１１１、無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａを親液性にする親液化工程と、有機物バンク層１１２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを撥液性にする撥液化工程とを少なくとも具備している。
【００７６】
すなわち、バンク１１２を所定温度（例えば７０〜８０℃程度）に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱されたバンク１１２を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００７７】
更に、画素電極１１１上及びダミー無機物バンク層２１２ａ上にそれぞれ、機能層１１０並びにダミー機能層２１０をインクジェット法により形成する。機能層１１０並びにダミー機能層２１０は、正孔注入／輸送層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥した後に、発光層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥することにより形成される。なお、この機能層１１０及びダミー機能層２１０の形成工程以降は、正孔注入／輸送層及び発光層の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００７８】
次に、図９（ｃ）に示すように、バンク１１２及び機能層１１０並びにダミー機能層２１０を覆う陰極１２を形成する。陰極１２は、バンク１１２及び機能層１１０並びにダミー機能層２１０上に第１陰極層１２ｂを形成した後に、第１陰極層１２ｂを覆って基板２上の陰極用配線１２ａに接続される第２陰極層１２ｃを形成することにより得られる。
このように、第２陰極層１２ｃを陰極用配線１２ａに接続させるべく第２陰極層１２ｃを表示画素部３から基板２上に延出させることにより、第２陰極層１２ｃが第１層間絶縁層２８４を介して発光用電源線１０３に対向配置され、第２陰極層１２ｃ（陰極）と発光用電源線１０３との間に第１の静電容量Ｃ1が形成される。
【００７９】
最後に、基板２にエポキシ樹脂等の封止材１３を塗布し、この封止材１３を介して基板２に封止基板１４を接合する。このようにして、図１〜図４に示すような表示装置１が得られる。
【００８０】
［第２の実施形態］
以下、本発明の第２の実施形態を図面を参照して説明する。本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００８１】
図１０及び図１１に、本実施形態の表示装置１０１の具体的な態様を示す。図１０には本実施形態の表示装置の平面模式図を示し、図１１には図１０のＡ−Ａ’線に沿う断面図を示す。なお、図１０及び図１１に示す構成要素のうち、前述の図２及び図３に示した構成要素と同一の構成要素には同一符号を付してその説明を省略あるいは簡単に説明する。
【００８２】
図１０に示すように、本実施形態の表示装置１０１は、基板２と、基板２上に複数の画素電極（第１電極）がマトリックス状に配置されてなる図示略の画素電極領域（第１電極領域）と、画素電極領域の周囲に配置される発光用電源配線２１３（２１３Ｒ、２１３Ｇ、２１３Ｂ）と、少なくとも画素電極領域上に位置する平面視略矩形の表示画素部２０３（図中一点鎖線の枠内）とを具備して構成されている。また表示画素部２０３は、中央部分の実表示領域２０４（図中二点鎖線の枠内）と、実表示領域２０４の周囲に配置されたダミー領域２０５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００８３】
また、実表示領域２０４の図中両側であってダミー領域２０５の下側（基板側２）には、走査線駆動回路１０５、１０５が配置されている。更にダミー領域２０５の下側には、走査線駆動回路１０５、１０５に接続される走査線駆動回路用制御信号配線１０５ａと、走査線駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に実表示領域２０４の図中上側であってダミー領域２０５の下側（基板側２）には、検査回路１０６が配置されている。
【００８４】
また、発光用電源配線２１３Ｒ、２１３Ｇ、２１３Ｂについても、ダミー画素領域２０５の下側に配設されている。各発光用電源配線２１３Ｒ、２１３Ｇ、２１３Ｂは、基板２の図中下側から走査線駆動回路用電源配線１０５ｂに沿って図中上方に延在し、走査線駆動回路用電源配線１０５ｂが途切れた位置から折曲して、実表示領域２０４内にある図示略の画素電極に接続されている。
このように、本実施形態では、第１の実施形態と異なり、ダミー領域２０５が、発光用電源配線２１３上まで形成されている。
【００８５】
次に図１１に示すように、基板２上には回路部１１が形成され、この回路部１１上に表示画素部２０３が形成されている。また基板２には封止材１３が形成され、更に表示画素部２０３上に封止基板１４が備えられている。
【００８６】
回路部１１の中央部分には、画素電極領域１１ａが設けられている。画素電極領域１１ａには、カレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）と、このカレント薄膜トランジスタ１２３に接続された画素電極１１１が備えられている。
また、画素電極領域１１ａの周囲には、ダミー画素電極１１１’が形成されている。
【００８７】
次に、図１１において、画素電極領域１１ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５が設けられている。
走査線駆動回路１０５には、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ１０５ｃが備えられている。
また、走査線駆動回路１０５、１０５の図中外側の下地保護層２８１上には、走査線回路信号配線１０５ａが形成され、第２層間絶縁層２８３上には、走査線回路電源配線１０５ｂが形成されている。
【００８８】
次に陰極２２２（第２電極）は、実表示領域２０４とダミー領域２０５の全面に形成されるとともにその端部がダミー領域２０５の外側にある基板２上まで延出され、この陰極２２２の端部が、回路部１１に形成された陰極用配線２２２ａ（第２電極用配線）に接続されている。
陰極２２２は、画素電極１１１の対向電極として機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極２２２は、例えば、第１陰極層２２２ｂと第２陰極層２２２ｃとが積層されて構成されている。陰極２２２のうち、第２陰極層２２２ｃのみが表示画素部３の外側まで延出されている。
第１、第２陰極層２２２ｂ、２２２ｃの構成材料及び膜厚は、先に説明した第１、第２陰極層１２ｂ、１２ｃと同様である。
【００８９】
次に、走査線回路電源配線１０５ｂの外側には、発光用電源配線２１３が設けられている。この発光用電源配線２１３は、前述したようにダミー領域２０５の下側に配置されている。
ダミー領域２０５には、ダミー無機物バンク層２１２ａを介してダミー画素電極１１１’上に形成されたダミー機能層２１０と、ダミー機能層２１０・・・の間に形成されたダミーバンク２１２とが備えられている。ダミー機能層２１０はダミーバンク２１２より薄く形成されている。そして、各発光用電源配線１０３は、ダミー機能層２１０を挟んで陰極２２２と対向する位置に配置されている。即ち各発光用電源配線１０３は、ダミーバンク２１２の間に対応する位置に配置されている。
またダミーバンク２１２の間には、画素電極１１１及びダミー機能層２１０に加えて陰極２２２の一部が配置されており、これにより陰極２２２と各発光用電源配線１０３とが第１層間絶縁層２８４、画素電極１１１、ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー機能層２１０を介して対向している。
ダミー機能層２１０がダミーバンク２１２より薄く形成されているので、ダミー機能層２１０上にある陰極２２２がダミーバンク２１２上にある陰極２２２よりも発光用電源配線２１３側に接近して配置されている。
このように、陰極２２２と各発光用電源配線１０３とが、ダミー機能層２１０を介して対向することにより、第１の静電容量Ｃ1が形成される。
尚、各発光用電源配線１０３が、ダミーバンク２１２と対向する位置に配置されると、陰極２２２と各発光用電源配線１０３がダミーバンク２１２を介して対向することになり、陰極２２２と各発光用電源配線１０３との間隔が大きくなり、静電容量が形成されなくなるので好ましくない。
【００９０】
また発光用電源配線２１３は、２つの配線からなる二重配線構造を採用している。
即ち、例えば図１１の左側にある赤色用の発光用電源配線２１３Ｒは、下地下地保護層２８１上に形成された第１配線２１３Ｒ1と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線２１３Ｒ2とから構成されている。第１配線２１３Ｒ1及び第２配線２１３Ｒ2は、図１０に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール２１３Ｒ3により接続されている。
このように、第１配線２０３Ｒ1は、陰極用配線２２２ａと同じ階層位置に形成されており、第１配線２０３Ｒ1と陰極用配線２２２ａとの間は第２層間絶縁層２８３が配置されている。このような構造をとることで、第１配線２０３Ｒ1と陰極用配線２２２ａとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００９１】
同様に、図１１の右側にある青色及び緑色用の発光用電源配線２１３Ｇ、２１３Ｂ、２１３Ｒも二重配線構造を採用しており、それぞれ下地下地保護層２８１上に形成された第１配線２１３Ｇ1、２１３Ｂ1と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線２１３Ｇ2、２１３Ｂ2とから構成され、第１配線２１３Ｇ1、２１３Ｂ1及び第２配線２１３Ｇ2、２１３Ｂ2は、図２及び図３に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール２１３Ｇ3、２１３Ｂ3により接続されている。
そして、青色の第１配線２１３Ｂ1と陰極配線２２２ａとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００９２】
第２配線２０３Ｒ2・・・と陰極２２２の間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、画素電極とソースメタルのような異なる電位を有する画素電極とソースメタルの間の寄生容量が増える為、ソースメタルを用いているデータ線の配線遅延が生じる。その結果、定められた期間内にデータ信号（画像信号）を書き込む事が出来ない為、コントラストの低下を引き起こす。第２配線２０３Ｒ2・・・と陰極２２２に挟まれる第１層間絶縁層２８４の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。しかし、ＳｉＯ2を１．０μｍ以上形成すると応力により基板が割れる恐れが生じる。また、アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成することができるが、水を含むを膨張する性質が有る為、その上に形成する画素電極を割る恐れがある。
また第１配線１０３Ｒ1・・・と陰極用配線１２ａの間隔は、例えば、４〜２００μｍの範囲が好ましい。間隔が４μｍ未満だと、現状では露光機の精度により配線同士がショートする可能性がある。第１配線１０３Ｒ2・・・と陰極用配線１２ａに挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。
【００９３】
このように、本実施形態の表示装置１０１によれば、第１の実施形態の表示装置１と同じ効果が得られる他に、以下の効果が得られる。
即ち、本実施形態の表示装置１０１によれば、実表示領域２０４を囲むダミー領域２０５が設けられ、発光用電源配線２１３がダミー機能層２１０を挟んで陰極２２２と対向するように配置されるため、発光用電源配線２１３がこのダミー領域２０５の下側に位置することになり、発光用電源配線２１３の配置スペースを発光素子部２１０の外側に新たに設ける必要がなく、これにより実表示領域２０４の占有面積を相対的に拡大することができる。
【００９４】
［第３の実施形態］
次に、前記の第１または第２の実施形態の表示装置のいずれかを備えた電子機器の具体例について説明する。
図１２（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１２（ａ）において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置１，１０１のいずれかを用いた表示部を示している。
図１２（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２（ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記の表示装置１、１０１のいずれかを用いた表示部を示している。
図１２（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１２（ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の表示装置１，１０１のいずれかを用いた表示部を示している。
図１２（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１または第２の実施形態の表示装置１、１０１のいずれかを用いた表示部を備えたものであり、先の第１または第２実施形態の表示装置の特徴を有するので、いずれの表示装置を用いても、表示品質に優れ、画像表示を安定に行うことができる電子機器となる。
【００９５】
以上、詳細に説明したように、本発明の表示装置によれば、発光用電源配線と第２電極との間に第１の静電容量が設けられているので、発光用電源配線を流れる駆動電流の電位が変動した場合でも、第１の静電容量に蓄積された電荷が発光用電源配線に供給されるので、駆動電流の電位不足分がこの蓄積電荷により補われて電位変動を抑制することができ、表示装置の画像表示を正常に保つことができる。
【００９６】
更に本発明の表示装置によれば、前記発光用電源配線が第１配線及び第２配線から構成され、これら第１配線と第２電極用配線との間に第２の静電容量が設けられるので、発光用電源配線を流れる駆動電流の電位が変動した場合に、第２の静電容量に蓄積された電荷が発光用電源配線に供給されて電位変動を抑制することができ、表示装置の画像表示をより正常に保つことができる。
【符号の説明】
【００９７】
１…表示装置、２…基板、３…表示画素部、４，２０４…実表示領域、５，２０５…ダミー領域、１１…回路部、１１ａ…画素電極領域（第１電極領域）、１２，２２２…陰極（第２電極）、１２ａ，２２２ａ…陰極用配線（第２電極用配線）、１０３…発光用電源配線、１０３Ｒ1，１０３Ｇ1，１０３Ｂ1…第１配線、１０３Ｒ2，１０３Ｇ2，１０３Ｂ2…第２配線、１１０…機能層、１１０ａ…正孔注入／輸送層、１１０ｂ…発光層、１１１…画素電極（第１電極）、１１２…バンク、１２３…カレント薄膜トランジスタ（スイッチング素子）、２１０…ダミー機能層（ダミー領域における機能層）、２１２…ダミーバンク（ダミー領域におけるバンク）、２８３…第２層間絶縁層（絶縁層）、２８４…第１層間絶縁層（絶縁層）、６００…携帯電話本体（電子機器）、７００…情報処理装置（電子機器）、８００…時計本体（電子機器）、Ｃ1…第１の静電容量、Ｃ2…第２の静電容量。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス材料を具備してなる表示装置並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素電極（陽極）及び陰極の間に、有機蛍光材料等の発光材料からなる発光層が挟持された構造のカラー表示装置、特に発光材料として有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）材料を用いた有機ＥＬ表示装置の開発が行われている。
このような有機ＥＬ表示装置の駆動方式としては、行方向に走査線及び列方向にデータ線をマトリクス状に配設するとともに、その交差部分にあるＥＬ素子の画素毎に静電容量素子とトランジスタ等を配置して、書き込み走査時に各画素の静電容量素子に充電した電圧に従って、次に書き換えられるまで発光を持続する、いわゆるアクティブマトリクス駆動方式が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１３には従来の表示装置の配線構造を示す。従来の表示装置は、複数の走査線９０１と、走査線９０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線９０２と、信号線９０２に並列に延びる複数の発光用電源配線９０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線９０１及び信号線９０２の各交点毎に、画素領域Ａが設けられている。
【０００４】
各信号線９０２・・・は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路９０４に接続されている。また、各走査線９０１は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路９０５、９０５に接続されている。
更に、画素領域Ａの各々には、走査線９０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ９１２と、このスイッチング薄膜トランジスタ９１２を介して信号線９０２から共有される画素信号を保持する保持容量Ｃａｐと、該保持容量Ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ９２３と、このカレント薄膜トランジスタ９２３を介して発光用電源配線９０３に電気的に接続したときに発光用電源配線９０３から駆動電流が流れ込む画素電極９１１と、この画素電極９１１と陰極９１３との間に挟み込まれる発光素子９１０とが設けられている。陰極９１３は、陰極用電源回路９３１に接続されている。
【０００５】
また、発光素子９１０には、赤色に発光する発光素子９１０Ｒ、緑色に発光する発光素子９１０Ｇ、青色に発光する発光素子９１０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発光素子９１０Ｒ、９１０Ｇ、９１０Ｂがストライプ配置されている。
そして、カレント薄膜トランジスタ９２３を介して各発光素子９１０Ｒ、９１０Ｇ、９１０Ｂに接続される発光用電源配線９０３Ｒ、９０３Ｇ、９０３Ｂはそれぞれ、発光用電源回路９３２に接続されている。各色毎に発光用電源配線が配線されているのは、発光素子９１０の駆動電位が各色毎に異なるためである。
【０００６】
係る構成によれば、走査線９０１が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ９１２がオンになると、そのときの信号線９０２の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、該保持容量Ｃａｐに状態に応じて、カレント薄膜トランジスタ９２３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ９２３のチャネルを介して、発光用電源配線９０３Ｒ、９０３Ｇ、９０３Ｂから画素電極９１１に電流が流れ、更に発光素子９１０を介して陰極９１２に駆動電流が流れる。発光素子９１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第９８／３６４０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、発光素子９１０を安定して発光させるためには、発光用電源配線９０３から画素電極９１１に印加する駆動電流の電位変動をできるだけ少なくすることが要求される。
しかし、従来の表示装置では、発光素子９１０を発光させるために比較的大きな駆動電流が必要とされるため、表示装置の動作状況によっては、駆動電流の電位変動が大きくなる場合があり、発光素子９１０の発光動作に不具合が生じて、正常な画像表示を行えない場合があった。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、発光用電源配線から画素電極に印加する駆動電流の電位を安定にして画像表示を正常に行うことが可能な表示装置並びにこの表示装置を具備してなる電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の表示装置は、スイッチング素子に接続された第１電極が基板上にマトリックス状に配置されてなる第１電極領域と、前記第１電極領域の周囲に配置され、前記第１電極に接続される発光用電源配線と、前記第１電極の上方に形成された機能層と、を含み、前記機能層の上方に少なくとも第２電極の一部が形成され、前記発光用電源配線と前記第２電極との間に第１の静電容量が設けられてなることを特徴とする。
【００１１】
係る表示装置によれば、発光用電源配線と第２電極との間に第１の静電容量が設けられているので、発光用電源配線を流れる駆動電流の電位が変動した場合でも、第１の静電容量に蓄積された電荷が発光用電源配線に供給されるので、駆動電流の電位不足分がこの蓄積電荷により補われて電位変動を抑制することができ、表示装置の画像表示を正常に保つことができる。
【００１２】
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記第１電極領域の外側において、前記発光用電源配線と前記第２電極とが対向することにより、前記第１の静電容量が形成されることを特徴とする。
【００１３】
係る表示装置によれば、発光用電源配線が第１電極領域の外側で第２電極と対向するので、発光用電源配線と第２電極との間隔が小さくなって第１の静電容量に蓄積される蓄積電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。
【００１４】
また本発明の表示装置では、前記発光用電源配線と前記第２電極との間に第１層間絶縁層を配置させることが好ましい。
【００１５】
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記第１電極によって形成される実表示領域と、該実表示領域の周囲に配置され、表示に寄与しないダミー領域とを有してなり、前記第２電極は、少なくとも前記実表示領域と前記ダミー領域を覆うように形成されてなり、前記発光用電源配線が少なくとも前記ダミー領域を挟んで前記第２電極と対向配置されることにより、前記第１の静電容量が形成されることを特徴とする。
【００１６】
係る表示装置によれば、実表示領域を囲むダミー領域が設けられ、発光用電源配線がダミー領域を挟んで第２電極と対向するように配置されるため、発光用電源配線がこのダミー領域に位置することになり、発光用電源配線の配置スペースを発光素子部の外側に新たに設ける必要がなく、これにより実表示領域の占有面積を相対的に拡大することができる。
【００１７】
また本発明の表示装置では、前記ダミー領域における機能層の膜厚が前記ダミー領域におけるバンクの膜厚より薄く形成されてなることが好ましい。
これにより、ダミー領域の機能層上ある第２電極がダミー領域のバンク上にある第２電極よりも発光用電源配線側に接近するように構成されるので、静電容量に蓄積される蓄積電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。
【００１８】
また本発明の表示装置では、前記発光用電源配線と前記ダミー領域における機能層との間に前記第１の層間絶縁層を配置させることが好ましい。
【００１９】
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記発光用電源配線は、第２の層間絶縁層を挟んで対向する第１配線及び第２配線から構成されるとともに、前記第１配線が、前記第２電極用の配線と同じ階層位置に形成され、前記第１配線と前記第２電極用の配線との間に第２の静電容量が形成されることを特徴とする。
係る表示装置によれば、第１配線と第２電極用の配線の間に第２の静電容量が設けられているので、発光用電源配線を流れる駆動電流の電位が変動した場合に、第２の静電容量に蓄積された電荷が発光用電源配線に供給されて電位変動を抑制することができ、表示装置の画像表示をより正常に保つことができる。
【００２０】
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記機能層は、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とからなるものであることを特徴とする。
【００２１】
係る表示装置によれば、機能層が正孔注入／輸送層と発光層とからなり、この機能層に対して電位変動の少ない駆動電流を印加することにより、高輝度で正確な色彩の表示を行うことができる。
【００２２】
次に本発明の表示装置は、スイッチング素子に接続された第１電極が基板上に配置されてなる第１電極領域と、前記第１電極領域の周囲に配置され、前記第１電極に接続される発光用電源配線とを具備してなり、各前記第１電極の上に機能層及び第２電極が形成されてなり、前記発光用電源配線の上には第１の層間絶縁層が形成されてなることを特徴とする。
【００２３】
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記第１電極によって形成された表示画素部の外側において、前記発光用電源配線と前記第２電極とが前記第１層間絶縁層を挟んで対向することにより、前記第１の静電容量が形成されることを特徴とする。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記第１電極によって形成される実表示領域と、該実表示領域の周囲に配置され、表示に寄与しないダミー領域とを有してなり、前記第２電極は、少なくとも前記実表示領域と前記ダミー領域を覆うように形成されてなり、前記発光用電源配線が少なくとも前記ダミー領域を挟んで前記第２電極と対向配置され、前記ダミー領域には前記第１層間絶縁層が形成されてなることを特徴とする。
【００２４】
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記ダミー領域における機能層の膜厚が前記ダミー領域におけるバンクの膜厚より薄く形成されてなることを特徴とする。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記発光用電源配線は、第２の層間絶縁層を挟んで対向する第１配線及び第２配線から構成されるとともに、前記第１配線が、前記第２電極用の配線と同じ階層位置に形成され、前記第１配線と前記第２電極用の配線との間に第２の静電容量が形成されることを特徴とする。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記機能層は、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とからなるものであることを特徴とする。
次に本発明の電子機器は、先のいずれかに記載の表示装置を具備してなることを特徴とする。係る電子機器によれば、画像表示を安定に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造を示す平面模式図。
【図２】本発明の第１の実施形態の表示装置を示す平面模式図。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図４】図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図。
【図５】本発明の第１の実施形態の表示装置の要部を示す断面図。
【図６】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図７】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図８】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図９】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１０】本発明の第２の実施形態の表示装置を示す平面模式図。
【図１１】図１０のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図１２】本発明の第３の実施形態である電子機器を示す斜視図。
【図１３】従来の表示装置の配線構造を示す平面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
［第１の実施形態］
以下、本発明の第１の実施形態を図面を参照して説明する。本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００２７】
図１には本実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図を示す。
図１に示す表示装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置である。
図１に示す本実施形態の表示装置１は、複数の走査線１０１・・・と、走査線１０１・・・に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２・・・と、信号線１０２・・・に並列に延びる複数の発光用電源配線１０３・・・とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１・・・及び信号線１０２・・・の各交点付近に、画素領域Ａ・・・が設けられている。
【００２８】
各信号線１０２・・・には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、各信号線１０２・・・には、薄膜トランジスタを備える検査回路１０６が接続されている。更に各走査線１０１・・・には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５、１０５が接続されている。
更に、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画像信号を保持する保持容量Ｃａｐと、該保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）と、このカレント薄膜トランジスタ１２３を介して発光用電源配線１０３に電気的に接続したときに発光用電源配線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第１電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（第２電極）１２との間に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。尚、陰極１２は陰極用電源回路１３１に接続されている。
【００２９】
また、機能層１１０には、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層が含まれ、更に発光層には、赤色に発光する発光層１１０Ｒ、緑色に発光する発光層１１０Ｇ、青色に発光する発光層１１０Ｂの３種の発光層が含まれ、各発光層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂがストライプ配置されている。
そして、カレント薄膜トランジスタ１２３を介して各発光層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂに接続される発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂがそれぞれ、発光用電源回路１３２に接続されている。各色毎に発光用電源配線１０３Ｒ・・・が配線されているのは、発光層１１０Ｒ・・・の駆動電位が各色毎に異なるためである。
【００３０】
また、陰極１２と発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂとの間には、第１の静電容量Ｃ1・・・が形成されている。表示装置１が駆動するとこの第１の静電容量Ｃ1・・・に電荷が蓄積される。表示装置１の駆動中に各発光用電源配線１０３を流れる駆動電流の電位が変動した場合には、蓄積された電荷が各発光用電源配線１０３に放電されて駆動電流の電位変動を抑制する。これにより、表示装置１の画像表示を正常に保つことができる。
【００３１】
尚、この表示装置１においては、走査線１０１が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、該保持容量Ｃａｐに状態に応じて、カレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂから画素電極１１１に駆動電流が流れ、更に発光層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを介して陰極（第２電極）１２に電流が流れる。各機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００３２】
次に、本実施形態の表示装置１の具体的な態様を図２〜図４を参照して説明する。図２に本実施形態の表示装置の平面模式図を示し、図３には図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図を示し、図４には図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図を示す。
図２に示すように、本実施形態の表示装置１は、ガラス等からなる透明な基板２と、図示略のカレント薄膜トランジスタ（スイッチング素子）に接続された画素電極（第１電極）が基板２上にマトリックス状に配置されてなる図示略の画素電極領域（第１電極領域）と、画素電極領域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される発光用電源配線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）と、少なくとも画素電極領域上に位置する平面視略矩形の表示画素部３（図中一点鎖線の枠内）とを具備して構成されている。また表示画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線の枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００３３】
また、実表示領域４の図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査線駆動回路１０５、１０５はダミー領域５の下側（基板側２）に位置して設けられている。更にダミー領域５の下側には、走査線駆動回路１０５、１０５に接続される走査線駆動回路用制御信号配線１０５ａと走査線駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に実表示領域４の図中上側には、前述の検査回路１０６が配置されている。
この検査回路１０６はダミー領域５の下側（基板側２）に位置して設けられており、この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００３４】
図２に示すように、発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂは、ダミー画素領域５の周囲に配設されている。各発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂは、基板２の図２中下側から走査線駆動回路用制御信号配線１０５ｂに沿って図２中上方に延在し、走査線駆動回路用電源配線１０５ｂが途切れた位置から折曲してダミー画素領域５の外側に沿って延在し、実表示領域４内にある図示略の画素電極に接続されている。
【００３５】
また、基板２には、陰極１２に接続される陰極配線１２ａが形成されている。
この陰極配線１２ａは、発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂを囲むように平面視略コ字状に形成されている。
【００３６】
また基板２の一端には、ポリイミドテープ１３０が貼り付けられ、このポリイミドテープ１３０上に制御用ＩＣ１３１が実装されている。この制御用ＩＣ１３１には、図１に示したデータ側駆動回路１０４、陰極用電源回路１３１及び発光用電源回路１３２が内蔵されている。
【００３７】
次に図３及び図４に示すように、基板２上には回路部１１が形成され、この回路部１１上に表示画素部３が形成されている。また基板２には、表示画素部３を環状に囲む封止材１３が形成され、更に表示画素部３上に封止基板１４が備えられている。封止基板１４は、封止材１３を介して基板２に接合されており、ガラス、金属若しくは樹脂等からなるものである。また封止基板１４の裏側には、吸着剤１５が貼り付けられ、表示画素部３と封止基板１４の間の空間に混入した水又は酸素を吸収できるようになっている。尚、吸着剤１５に代えてゲッター剤を用いても良い。また封止材１３は、例えば熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
【００３８】
回路部１１の中央部分には、画素電極領域１１ａが設けられている。この画素電極領域１１ａには、カレント薄膜トランジスタ１２３と、このカレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）に接続された画素電極１１１が備えられている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、基板２上に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層２８３及び第１層間絶縁層２８４に埋め込まれて形成され、また画素電極１１１は、第１層間絶縁層２８４上に形成されている。
【００３９】
尚、回路部１１には、前述した保持容量Ｃａｐ及びスイッチング薄膜トランジスタ１４２も形成されているが、図３及び図４ではこれらの図示を省略している。
【００４０】
次に、図３において、画素電極領域１１ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５が設けられている。また、図４において、画素電極領域１１ａの図中左側には、前述の検査回路１０６が設けられている。
走査線駆動回路１０５には、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ１０５ｃが備えられ、この薄膜トランジスタ１０５ｃは、画素電極１１１に接続されていない点を除いて上記のカレント薄膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。
また検査回路１０６にも同様に、薄膜トランジスタ１０６ａが備えられ、この薄膜トランジスタ１０６ａも、画素電極１１１に接続されていない点を除いてカレント薄膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。
【００４１】
また図３に示すように、走査線駆動回路１０５、１０５の図中外側の下地保護層２８１上には、走査線回路用制御信号配線１０５ａが形成されている。更に走査線回路用制御信号配線１０５ａの外側の第２層間絶縁層２８３上には、走査線回路用電源配線１０５ｂが形成されている。
更に図４に示すように、検査回路路１０６の図中左側の下地保護層２８１上には、検査回路用制御信号配線１０６ｂが形成されている。更に検査回路用制御信号配線１０６ｂの左側の第２層間絶縁層２８３上には、検査回路用電源配線１０６ｃが形成されている。
【００４２】
また図３に示すように、走査線回路用電源配線１０５ｂの外側には、発光用電源配線１０３が形成されている。この発光用電源配線１０３は、２つの配線、あるいは異なる層に形成された導電部を利用した二重配線構造を採用しており、前述したように表示画素部３の外側に配置されている。二重配線構造を採用することで配線抵抗を軽減できる。
例えば、図３中左側にある赤色用の発光用電源配線１０３Ｒは、下地保護層２８１上に形成された第１配線１０３Ｒ1と、第２層間絶縁層２８３を介して第１配線１０３Ｒ1上に形成された第２配線１０３Ｒ2とから構成されている。第１配線１０３Ｒ1及び第２配線１０３Ｒ2は、図２に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３Ｒ3により接続されている。
このように、第１配線１０３Ｒ1は、陰極用配線１２ａと同じ階層位置に形成されており、第１配線１０３Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間は第２層間絶縁層２８３が配置されている。このような構造をとることで、第１配線１０３Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００４３】
同様に、図３の右側にある青色及び緑色用の発光用電源配線１０３Ｇ、１０３Ｂも二重配線構造を採用しており、それぞれ下地下地保護層２８１上に形成された第１配線１０３Ｇ1、１０３Ｂ1と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線１０３Ｇ2、１０３Ｂ2とから構成され、第１配線１０３Ｇ1、１０３Ｂ1及び第２配線１０３Ｇ2、１０３Ｂ2は、図２及び図３に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３Ｇ3、１０３Ｂ3により接続されている。
そして、青色の第１配線１０３Ｂ1及び陰極用配線１２ａの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００４４】
第１配線１０３Ｒ1・・・及び第２配線１０３Ｒ2・・・の間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、データ線と走査線のような異なる電位を有するソースメタルとゲートメタルの間の寄生容量が増える為、例えば画素内においては、数多くのソースメタルとゲートメタルのクロス部が存在することにより、データ信号（画像信号）配線遅延を引き起こす。その結果、定められた期間内にデータ信号（画像信号）を書き込む事が出来ない為、コントラストの低下を引き起こす。第１配線１０３Ｒ1・・・及び第２配線１０３Ｒ2・・・に挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ2等が好ましが、１．０μｍ以上形成するとＳｉＯ2の応力により基板が割れる恐れが生じる。
【００４５】
また、各発光用電源配線１０３Ｒ・・・の上側には、表示画素部３から延出した陰極１２が形成されている。これにより、各発光用電源配線１０３Ｒ・・・の第２配線１０３Ｒ２・・・が、第１層間絶縁層２８４を挟んで陰極１１２と対向配置され、これにより第２配線１０３Ｒ２・・・と陰極１２との間に前述の第１の静電容量Ｃ１が形成される。
【００４６】
第２配線１０３Ｒ2・・・と陰極１２の間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、画素電極とソースメタルのような異なる電位を有する画素電極とソースメタルの間の寄生容量が増える為、ソースメタルを用いているデータ線の配線遅延が生じる。その結果、定められた期間内にデータ信号（画像信号）を書き込む事が出来ない為、コントラストの低下を引き起こす。第２配線１０３Ｒ2・・・と陰極１２に挟まれる第１層間絶縁層２８４の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。しかし、ＳｉＯ2を１．０μｍ以上形成すると応力により基板が割れる恐れが生じる。また、アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成することができるが、水を含むを膨張する性質が有る為、その上に形成する画素電極を割る恐れがある。
また第１配線１０３Ｒ1・・・と陰極用配線１２ａの間隔は、例えば、４〜２００μｍの範囲が好ましい。間隔が４μｍ未満だと、現状では露光機の精度により配線同士がショートする可能性がある。第１配線１０３Ｒ2・・・と陰極用配線１２ａに挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。
【００４７】
このように、本実施形態の表示装置１によれば、発光用電源配線１０３と陰極１２との間に第１の静電容量Ｃ1が設けられるので、発光用電源配線１０３を流れる駆動電流の電位が変動した場合に第１の静電容量Ｃ1に蓄積された電荷が発光用電源配線１０３に供給され、駆動電流の電位不足分がこの電荷により補われて電位変動を抑制することができ、表示装置１の画像表示を正常に保つことができる。
特に、発光用電源配線１０３と陰極１２とが表示画素部３の外側で対向するので、発光用電源配線１０３と陰極１１２との間隔を小さくして第１の静電容量Ｃ1に蓄積される電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。
更に、本実施形態の表示装置１によれば、発光用電源配線１０３が第１配線及び第２配線からなる二重配線構造を有し、第１配線と陰極用配線との間に第２の静電容量Ｃ2が設けられているので、第２の静電容量Ｃ2に蓄積された電荷も発光用電源配線１０３に供給されるため、電位変動をより抑制することができ、表示装置１の画像表示をより正常に保つことができる。
【００４８】
次に、カレント薄膜トランジスタ１２３を含む回路部１１の構造を詳細に説明する。図５に、画素電極領域１１ａの要部断面図を示す。
図５に示すように、基板２の表面には、ＳｉＯ2を主体とする下地保護層２８１が積層され、この下地保護層２８１上には島状のシリコン層２４１が形成されている。また、シリコン層２４１及び下地保護層２８１は、ＳｉＯ2及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２により被覆されている。そして、シリコン層２４１上には、ゲート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２が形成されている。なお、このゲート電極２４２は走査線の一部である。
また、ゲート電極２４２及びゲート絶縁層２８２は、ＳｉＯ2を主体とする第２層間絶縁層２８３によって被覆されている。なお、本明細書において、「主体」とする成分とは最も含有率の高い成分のことを言うものとする。
【００４９】
次に、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２と対向する領域がチャネル領域２４１ａとされている。また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａの図中右側には低濃度ソース領域２４１ｂ及び高濃度ソース領域Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａの図中左側には低濃度ドレイン領域２４１ｃ及び高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられており、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造が形成されている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、このシリコン層２４１を主体として構成されている。
【００５０】
高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙って開孔するコンタクトホール２４５を介して、第２層間絶縁層２８３上に形成されたソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述したデータ線の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙って開孔するコンタクトホール２４６を介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００５１】
ソース電極２４３及びドレイン電極２４４が形成された第２層間絶縁層２８３上に第１層間絶縁層２８４が形成されている。そして、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が、この第１層間絶縁層２８４上に形成されるとともに、第１層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極１１１は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン電極２４１Ｄに接続されている。
尚、図３に示すように、画素電極１１１は、実表示領域４に対応する位置に形成されているが、実表示領域４の周囲に形成されたダミー領域５には、画素電極１１１と同じ形態のダミー画素電極１１１’が設けられる。
このダミー画素電極１１１’は、高濃度ドレイン電極２４１Ｄに接続されない点を除き、画素電極１１１と同一の形態である。
【００５２】
次に、表示画素部３の実画素領域４には、機能層１１０及びバンク１１２が形成されている。
機能層１１０は図３〜図５に示すように、画素電極１１１・・・上の各々に積層されている。またバンク１１２は、各画素電極１１１及び各機能層１１０の間に備えられており、各機能層１１０を区画している。
【００５３】
バンク１１２は、基板２側に位置する無機物バンク層１１２ａと基板２から離れて位置する有機物バンク層１１２ｂとが積層されて構成されている。尚、無機物バンク層１１２ａと有機物バンク層１１２ｂとの間に遮光層を配置してもよい。
【００５４】
無機質、有機物バンク層１１２ａ、１１２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げて形成されており、また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側まで形成されている。
また、無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機材料からなることが好ましい。また無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、無機物バンク層１１２ａによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
【００５５】
更に、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジストから形成されている。この有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成する陰極１２のステップガバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と画素電極１１１との絶縁を高めることができる点でより好ましい。
このようにして、機能層１１０は、バンク１１２より薄く形成されている。
【００５６】
また、バンク１１２の周辺には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。
親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａ及び画素電極１１１であり、これらの領域には、酸素を反応ガスとするプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入されている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１１２ｂであり、４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
【００５７】
次に図５に示すように、機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２からの電子とが結合して蛍光を発生させる。
【００５８】
発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、図１及び図２に示すように、各発光層がストライプ配置されている。
【００５９】
次に、表示画素部３のダミー領域５には、ダミー機能層２１０及びダミーバンク２１２が形成されている。
ダミーバンク２１２は、基板２側に位置するダミー無機物バンク層２１２ａと基板２から離れて位置するダミー有機物バンク層２１２ｂとが積層されて構成されている。ダミー無機物バンク層２１２ａは、ダミー画素電極１１１’の全面に形成されている。またダミー有機物バンク層２１２ｂは、有機物バンク層１１２ｂと同様に画素電極１１１の間に形成されている。
そして、ダミー機能層２１０は、ダミー無機物バンク２１２ａを介してダミー画素電極１１１’上に形成されている。
【００６０】
ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー有機物バンク層１２１ｂは、先に説明した無機質、有機物バンク層１１２ａ、１１２ｂと同様の材質、同様の膜厚を有するものである。
また、ダミー機能層２１０は、図示略のダミー正孔注入／輸送層と図示略のダミー発光層とが積層されてなり、ダミー正孔注入／輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚は、前述の正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂと同様である。
従って上記の機能層１１０と同様に、ダミー機能層２１０はダミーバンク２１２より薄く形成されている。
【００６１】
ダミー領域５を実表示領域４の周囲に配置することにより、実表示領域４の機能層１１０の厚さを均一にすることができ、表示ムラを抑制することができる。
即ち、ダミー領域５を配置することで、表示素子をインクジェット法によって形成する場合における吐出した組成物の乾燥条件を実表示領域４内で一定にすることができ、実表示領域４の周縁部で機能層１１０の厚さに偏りが生じるおそれがない。
【００６２】
次に陰極１２は、実表示領域４とダミー領域５の全面に形成されるとともにダミー領域５の外側にある基板２上まで延出され、ダミー領域５の外側、即ち表示画素部３の外側で発光用電源配線１０３と対向配置されている。
また陰極１２の端部が、回路部１１に形成された陰極用配線１２ａに接続されている。
陰極１２は、画素電極１１１の対向電極として機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、フッ化リチウムとカルシウムの積層体からなる第１陰極層１２ｂと、第２陰極層１２ｃとが積層されて構成されている。陰極１２のうち、第２陰極層１２ｃのみが表示画素部３の外側まで延出されている。
第２陰極層１２ｃは、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させる機能をも有し、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ積層体等からなることが好ましい。
更に第２陰極層１２ｂ上にＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００６３】
次に本実施形態の表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
まず、図６ないし図８を参照して、基板２上に回路部１１を形成する方法について説明する。なお、図６ないし図８に示す各断面図は、図２中のＡ−Ａ’線のに沿う断面に対応している。なお、以下の説明において、不純物濃度は、いずれも活性化アニール後の不純物として表される。
【００６４】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２上に、シリコン酸化膜などからなる下地保護層２８１を形成する。次に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層５０１とする。
【００６５】
次に図６（ｂ）に示すように、ポリシリコン層５０１をフォトリソグラフィ法によりパターニングして島状のシリコン層２４１，２５１及び２６１を形成し、更にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層２８２を形成する。
シリコン層２４１は、実表示領域４に対応する位置に形成されて画素電極１１１に接続されるカレント薄膜トランジスタ１２３（以下、「画素用ＴＦＴ」と表記する場合がある）を構成するものであり、シリコン層２５１，２６１は、走査線駆動回路１０５内のＰチャネル型及びＮチャネル型の薄膜トランジスタ（以下、「駆動回路用ＴＦＴ」と表記する場合がある）をそれぞれ構成するものである。
ゲート絶縁層２８２の形成は、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、各シリコン層２４１、２５１、２６１及び下地保護層２８１を覆う厚さ約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜を形成することにより行う。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１，２５１及び２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。チャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０12ｃｍ-2のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１，２５１及び２６１は、不純物濃度が約１×１０17ｃｍ-3の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００６６】
次に図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１、２６１の一部にイオン注入選択マスクＭ1を形成し、この状態でリンイオンを約１×１０15ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入する。その結果、イオン注入選択マスクＭ1に対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入され、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓ及び２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄ及び２６１Ｄが形成される。
【００６７】
次に図６（ｄ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ1を除去した後に、ゲート絶縁層２８２上にドープドシリコン、シリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜といった厚さ約５００ｎｍ程度の金属膜を形成し、更にこの金属膜をパターニングすることにより、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２５２、画素用ＴＦＴのゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２６２を形成する。また、上記パターニングにより、走査線駆動回路用信号配線１０５ａ、発光用電源配線の第１配線１０３Ｒ1、１０３Ｇ1，１０３Ｂ1、陰極用配線１２ａの一部を同時に形成する。
【００６８】
更に、ゲート電極２４２，２５２及び２６２をマスクとし、シリコン層２４１，２５１及び２６１に対してリンイオンを約４×１０13ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２及び２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図６（ｄ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂ及び２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃ及び２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓ及び２５１Ｄが形成される。
【００６９】
次に図７（ａ）に示すように、ゲート電極２５２の周辺を除く全面にイオン注入選択マスクＭ2を形成する。このイオン注入選択マスクＭ2を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０15ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。結果として、ゲート電極２５２もマスクとして機能し、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。これにより２５１Ｓ及び２５１Ｄがカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる。
次に図７（ｂ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ2を除去した後に、基板２の全面に第２層間絶縁層２８３を形成し、更にフォトリソグラフィ法により第２層間絶縁層２８３をパターニングして、各ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極並びに陰極用配線１２ａに対応する位置にコンタクトホール形成用の孔Ｈ1を設ける。
【００７０】
次に図７（ｃ）に示すように、第２層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタル等の金属からなる厚さ約２００ｎｍないし８００ｎｍ程度の導電層５０４を形成することにより、先に形成した孔Ｈ1にこれらの金属を埋め込んでコンタクトホールを形成する。更に導電層５０４上にパターニング用マスクＭ３を形成する。
次に図８（ａ）に示すように、導電層５０４をパターニング用マスクＭ３によってパターニングし、各ＴＦＴのソース電極２４３，２５３，２６３、ドレイン電極２４４及び２５４、各発光用電源配線の第２配線１０３Ｒ2、１０３Ｇ2、１０３Ｂ2、走査線回路用電源配線１０５ｂ及び陰極用配線１２ａを形成する。
上記のように、第１配線１０３Ｒ1及び１０３Ｂ1を陰極用配線１２ａと同じ階層に離間して形成することで、第２の静電容量Ｃ2が形成される。
【００７１】
次に図８（ｂ）に示すように、第２層間絶縁層２８３を覆う第１層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系などの樹脂材料によって形成する。この第１層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。
次に図８（ｃ）に示すように、第１層間絶縁層２８４のうち、画素用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングによって除去してコンタクトホール形成用の孔Ｈ2を形成する。このとき、同時に陰極用配線１２ａ上の第１層間絶縁層２８４も除去する。このようにして、基板２上に回路部１１が形成される。
【００７２】
次に、図９を参照して、回路部１１上に表示画素部３を形成することにより表示装置１を得る手順について説明する。図９に示す断面図は、図２中のＡ−Ａ’線に沿う断面に対応している。
まず図９（ａ）に示すように、基板２の全面を覆うようにＩＴＯ等の透明電極材料からなる薄膜を形成し、当該薄膜をパターニングすることにより、第１層間絶縁層２８４に設けた孔Ｈ2を埋めてコンタクトホール１１１ａを形成するとともに画素電極１１１及びダミー画素電極１１１’を形成する。画素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２３の形成部分のみに形成され、コンタクトホール１１１ａを介してカレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）に接続される。尚、ダミー電極１１１’は島状に配置される。
【００７３】
次に、図９（ｂ）に示すように、第１層間絶縁層２８４及び画素電極１１１及びダミー画素電極１１１’上に無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａは、画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダミー無機物バンク層２１２ａはダミー画素電極１１１’を完全に覆うように形成する。
無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、例えばＣＶＤ法、ＴＥＯＳ法、スパッタ法、蒸着法等によって第１層間絶縁層２８４及び画素電極１１１の全面にＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機質膜を形成した後に、当該無機質膜をパターニングすることにより形成する。
【００７４】
更に図９（ｂ）に示すように、無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａ上に、有機物バンク層１１２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを形成する。有機物バンク層は１１２ｂは、無機物バンク層１１２ａを介して画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダミー有機物バンク層２１２ｂはダミー無機物バンク層２１２ａの一部が開口する態様にて形成する。このようにして、第１層間絶縁層２８４上にバンク１１２を形成する。
【００７５】
続いて、バンク１１２の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する。本実施例においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的に該プラズマ処理工程は、画素電極１１１、無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａを親液性にする親液化工程と、有機物バンク層１１２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを撥液性にする撥液化工程とを少なくとも具備している。
【００７６】
すなわち、バンク１１２を所定温度（例えば７０〜８０℃程度）に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱されたバンク１１２を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００７７】
更に、画素電極１１１上及びダミー無機物バンク層２１２ａ上にそれぞれ、機能層１１０並びにダミー機能層２１０をインクジェット法により形成する。機能層１１０並びにダミー機能層２１０は、正孔注入／輸送層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥した後に、発光層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥することにより形成される。なお、この機能層１１０及びダミー機能層２１０の形成工程以降は、正孔注入／輸送層及び発光層の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００７８】
次に、図９（ｃ）に示すように、バンク１１２及び機能層１１０並びにダミー機能層２１０を覆う陰極１２を形成する。陰極１２は、バンク１１２及び機能層１１０並びにダミー機能層２１０上に第１陰極層１２ｂを形成した後に、第１陰極層１２ｂを覆って基板２上の陰極用配線１２ａに接続される第２陰極層１２ｃを形成することにより得られる。
このように、第２陰極層１２ｃを陰極用配線１２ａに接続させるべく第２陰極層１２ｃを表示画素部３から基板２上に延出させることにより、第２陰極層１２ｃが第１層間絶縁層２８４を介して発光用電源線１０３に対向配置され、第２陰極層１２ｃ（陰極）と発光用電源線１０３との間に第１の静電容量Ｃ1が形成される。
【００７９】
最後に、基板２にエポキシ樹脂等の封止材１３を塗布し、この封止材１３を介して基板２に封止基板１４を接合する。このようにして、図１〜図４に示すような表示装置１が得られる。
【００８０】
［第２の実施形態］
以下、本発明の第２の実施形態を図面を参照して説明する。本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００８１】
図１０及び図１１に、本実施形態の表示装置１０１の具体的な態様を示す。図１０には本実施形態の表示装置の平面模式図を示し、図１１には図１０のＡ−Ａ’線に沿う断面図を示す。なお、図１０及び図１１に示す構成要素のうち、前述の図２及び図３に示した構成要素と同一の構成要素には同一符号を付してその説明を省略あるいは簡単に説明する。
【００８２】
図１０に示すように、本実施形態の表示装置１０１は、基板２と、基板２上に複数の画素電極（第１電極）がマトリックス状に配置されてなる図示略の画素電極領域（第１電極領域）と、画素電極領域の周囲に配置される発光用電源配線２１３（２１３Ｒ、２１３Ｇ、２１３Ｂ）と、少なくとも画素電極領域上に位置する平面視略矩形の表示画素部２０３（図中一点鎖線の枠内）とを具備して構成されている。また表示画素部２０３は、中央部分の実表示領域２０４（図中二点鎖線の枠内）と、実表示領域２０４の周囲に配置されたダミー領域２０５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００８３】
また、実表示領域２０４の図中両側であってダミー領域２０５の下側（基板側２）には、走査線駆動回路１０５、１０５が配置されている。更にダミー領域２０５の下側には、走査線駆動回路１０５、１０５に接続される走査線駆動回路用制御信号配線１０５ａと、走査線駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に実表示領域２０４の図中上側であってダミー領域２０５の下側（基板側２）には、検査回路１０６が配置されている。
【００８４】
また、発光用電源配線２１３Ｒ、２１３Ｇ、２１３Ｂについても、ダミー画素領域２０５の下側に配設されている。各発光用電源配線２１３Ｒ、２１３Ｇ、２１３Ｂは、基板２の図中下側から走査線駆動回路用電源配線１０５ｂに沿って図中上方に延在し、走査線駆動回路用電源配線１０５ｂが途切れた位置から折曲して、実表示領域２０４内にある図示略の画素電極に接続されている。
このように、本実施形態では、第１の実施形態と異なり、ダミー領域２０５が、発光用電源配線２１３上まで形成されている。
【００８５】
次に図１１に示すように、基板２上には回路部１１が形成され、この回路部１１上に表示画素部２０３が形成されている。また基板２には封止材１３が形成され、更に表示画素部２０３上に封止基板１４が備えられている。
【００８６】
回路部１１の中央部分には、画素電極領域１１ａが設けられている。画素電極領域１１ａには、カレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）と、このカレント薄膜トランジスタ１２３に接続された画素電極１１１が備えられている。
また、画素電極領域１１ａの周囲には、ダミー画素電極１１１’が形成されている。
【００８７】
次に、図１１において、画素電極領域１１ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５が設けられている。
走査線駆動回路１０５には、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ１０５ｃが備えられている。
また、走査線駆動回路１０５、１０５の図中外側の下地保護層２８１上には、走査線回路信号配線１０５ａが形成され、第２層間絶縁層２８３上には、走査線回路電源配線１０５ｂが形成されている。
【００８８】
次に陰極２２２（第２電極）は、実表示領域２０４とダミー領域２０５の全面に形成されるとともにその端部がダミー領域２０５の外側にある基板２上まで延出され、この陰極２２２の端部が、回路部１１に形成された陰極用配線２２２ａ（第２電極用配線）に接続されている。
陰極２２２は、画素電極１１１の対向電極として機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極２２２は、例えば、第１陰極層２２２ｂと第２陰極層２２２ｃとが積層されて構成されている。陰極２２２のうち、第２陰極層２２２ｃのみが表示画素部３の外側まで延出されている。
第１、第２陰極層２２２ｂ、２２２ｃの構成材料及び膜厚は、先に説明した第１、第２陰極層１２ｂ、１２ｃと同様である。
【００８９】
次に、走査線回路電源配線１０５ｂの外側には、発光用電源配線２１３が設けられている。この発光用電源配線２１３は、前述したようにダミー領域２０５の下側に配置されている。
ダミー領域２０５には、ダミー無機物バンク層２１２ａを介してダミー画素電極１１１’上に形成されたダミー機能層２１０と、ダミー機能層２１０・・・の間に形成されたダミーバンク２１２とが備えられている。ダミー機能層２１０はダミーバンク２１２より薄く形成されている。そして、各発光用電源配線１０３は、ダミー機能層２１０を挟んで陰極２２２と対向する位置に配置されている。即ち各発光用電源配線１０３は、ダミーバンク２１２の間に対応する位置に配置されている。
またダミーバンク２１２の間には、画素電極１１１及びダミー機能層２１０に加えて陰極２２２の一部が配置されており、これにより陰極２２２と各発光用電源配線１０３とが第１層間絶縁層２８４、画素電極１１１、ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー機能層２１０を介して対向している。
ダミー機能層２１０がダミーバンク２１２より薄く形成されているので、ダミー機能層２１０上にある陰極２２２がダミーバンク２１２上にある陰極２２２よりも発光用電源配線２１３側に接近して配置されている。
このように、陰極２２２と各発光用電源配線１０３とが、ダミー機能層２１０を介して対向することにより、第１の静電容量Ｃ1が形成される。
尚、各発光用電源配線１０３が、ダミーバンク２１２と対向する位置に配置されると、陰極２２２と各発光用電源配線１０３がダミーバンク２１２を介して対向することになり、陰極２２２と各発光用電源配線１０３との間隔が大きくなり、静電容量が形成されなくなるので好ましくない。
【００９０】
また発光用電源配線２１３は、２つの配線からなる二重配線構造を採用している。
即ち、例えば図１１の左側にある赤色用の発光用電源配線２１３Ｒは、下地下地保護層２８１上に形成された第１配線２１３Ｒ1と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線２１３Ｒ2とから構成されている。第１配線２１３Ｒ1及び第２配線２１３Ｒ2は、図１０に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール２１３Ｒ3により接続されている。
このように、第１配線２０３Ｒ1は、陰極用配線２２２ａと同じ階層位置に形成されており、第１配線２０３Ｒ1と陰極用配線２２２ａとの間は第２層間絶縁層２８３が配置されている。このような構造をとることで、第１配線２０３Ｒ1と陰極用配線２２２ａとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００９１】
同様に、図１１の右側にある青色及び緑色用の発光用電源配線２１３Ｇ、２１３Ｂ、２１３Ｒも二重配線構造を採用しており、それぞれ下地下地保護層２８１上に形成された第１配線２１３Ｇ1、２１３Ｂ1と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線２１３Ｇ2、２１３Ｂ2とから構成され、第１配線２１３Ｇ1、２１３Ｂ1及び第２配線２１３Ｇ2、２１３Ｂ2は、図２及び図３に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール２１３Ｇ3、２１３Ｂ3により接続されている。
そして、青色の第１配線２１３Ｂ1と陰極配線２２２ａとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００９２】
第２配線２０３Ｒ2・・・と陰極２２２の間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、画素電極とソースメタルのような異なる電位を有する画素電極とソースメタルの間の寄生容量が増える為、ソースメタルを用いているデータ線の配線遅延が生じる。その結果、定められた期間内にデータ信号（画像信号）を書き込む事が出来ない為、コントラストの低下を引き起こす。第２配線２０３Ｒ2・・・と陰極２２２に挟まれる第１層間絶縁層２８４の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。しかし、ＳｉＯ2を１．０μｍ以上形成すると応力により基板が割れる恐れが生じる。また、アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成することができるが、水を含むを膨張する性質が有る為、その上に形成する画素電極を割る恐れがある。
また第１配線１０３Ｒ1・・・と陰極用配線１２ａの間隔は、例えば、４〜２００μｍの範囲が好ましい。間隔が４μｍ未満だと、現状では露光機の精度により配線同士がショートする可能性がある。第１配線１０３Ｒ2・・・と陰極用配線１２ａに挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。
【００９３】
このように、本実施形態の表示装置１０１によれば、第１の実施形態の表示装置１と同じ効果が得られる他に、以下の効果が得られる。
即ち、本実施形態の表示装置１０１によれば、実表示領域２０４を囲むダミー領域２０５が設けられ、発光用電源配線２１３がダミー機能層２１０を挟んで陰極２２２と対向するように配置されるため、発光用電源配線２１３がこのダミー領域２０５の下側に位置することになり、発光用電源配線２１３の配置スペースを発光素子部２１０の外側に新たに設ける必要がなく、これにより実表示領域２０４の占有面積を相対的に拡大することができる。
【００９４】
［第３の実施形態］
次に、前記の第１または第２の実施形態の表示装置のいずれかを備えた電子機器の具体例について説明する。
図１２（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１２（ａ）において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置１，１０１のいずれかを用いた表示部を示している。
図１２（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２（ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記の表示装置１、１０１のいずれかを用いた表示部を示している。
図１２（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１２（ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の表示装置１，１０１のいずれかを用いた表示部を示している。
図１２（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１または第２の実施形態の表示装置１、１０１のいずれかを用いた表示部を備えたものであり、先の第１または第２実施形態の表示装置の特徴を有するので、いずれの表示装置を用いても、表示品質に優れ、画像表示を安定に行うことができる電子機器となる。
【００９５】
以上、詳細に説明したように、本発明の表示装置によれば、発光用電源配線と第２電極との間に第１の静電容量が設けられているので、発光用電源配線を流れる駆動電流の電位が変動した場合でも、第１の静電容量に蓄積された電荷が発光用電源配線に供給されるので、駆動電流の電位不足分がこの蓄積電荷により補われて電位変動を抑制することができ、表示装置の画像表示を正常に保つことができる。
【００９６】
更に本発明の表示装置によれば、前記発光用電源配線が第１配線及び第２配線から構成され、これら第１配線と第２電極用配線との間に第２の静電容量が設けられるので、発光用電源配線を流れる駆動電流の電位が変動した場合に、第２の静電容量に蓄積された電荷が発光用電源配線に供給されて電位変動を抑制することができ、表示装置の画像表示をより正常に保つことができる。
【符号の説明】
【００９７】
１…表示装置、２…基板、３…表示画素部、４，２０４…実表示領域、５，２０５…ダミー領域、１１…回路部、１１ａ…画素電極領域（第１電極領域）、１２，２２２…陰極（第２電極）、１２ａ，２２２ａ…陰極用配線（第２電極用配線）、１０３…発光用電源配線、１０３Ｒ1，１０３Ｇ1，１０３Ｂ1…第１配線、１０３Ｒ2，１０３Ｇ2，１０３Ｂ2…第２配線、１１０…機能層、１１０ａ…正孔注入／輸送層、１１０ｂ…発光層、１１１…画素電極（第１電極）、１１２…バンク、１２３…カレント薄膜トランジスタ（スイッチング素子）、２１０…ダミー機能層（ダミー領域における機能層）、２１２…ダミーバンク（ダミー領域におけるバンク）、２８３…第２層間絶縁層（絶縁層）、２８４…第１層間絶縁層（絶縁層）、６００…携帯電話本体（電子機器）、７００…情報処理装置（電子機器）、８００…時計本体（電子機器）、Ｃ1…第１の静電容量、Ｃ2…第２の静電容量。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子に接続された第１電極が基板上にマトリックス状に配置されてなる第１電極領域と、
前記第１電極領域の周囲に配置され、前記第１電極に接続される発光用電源配線と、
前記第１電極の上方に形成された機能層と、を含み、
前記機能層の上方に少なくとも第２電極の一部が形成され、
前記発光用電源配線と前記第２電極との間に第１の静電容量が設けられてなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１電極領域の外側において、前記発光用電源配線と前記第２電極とが対向することにより、前記第１の静電容量が形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光用電源配線と前記第２電極との間に第１層間絶縁層が配置されてなることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１電極によって形成される実表示領域と、該実表示領域の周囲に配置され、表示に寄与しないダミー領域とを有してなり、前記第２電極は、少なくとも前記実表示領域と前記ダミー領域を覆うように形成されてなり、
前記発光用電源配線が少なくとも前記ダミー領域を挟んで前記第２電極と対向配置されることにより、前記第１の静電容量が形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ダミー領域における機能層の膜厚が前記ダミー領域におけるバンクの膜厚より薄く形成されてなることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記発光用電源配線と前記ダミー領域における機能層との間に前記第１の層間絶縁層が配置されてなることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記発光用電源配線は、第２の層間絶縁層を挟んで対向する第１配線及び第２配線から構成されるとともに、前記第１配線が、前記第２電極用の配線と同じ階層位置に形成され、前記第１配線と前記第２電極用の配線との間に第２の静電容量が形成されることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記機能層は、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とからなるものであることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
スイッチング素子に接続された第１電極が基板上に配置されてなる第１電極領域と、前記第１電極領域の周囲に配置され、前記第１電極に接続される発光用電源配線とを具備してなり、
各前記第１電極の上に機能層及び第２電極が形成されてなり、
前記発光用電源配線の上には第１の層間絶縁層が形成されてなることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記第１電極によって形成された表示画素部の外側において、前記発光用電源配線と前記第２電極とが前記第１の層間絶縁層を挟んで対向することにより、前記第１の静電容量が形成されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１電極によって形成される実表示領域と、該実表示領域の周囲に配置され、表示に寄与しないダミー領域とを有してなり、前記第２電極は、少なくとも前記実表示領域と前記ダミー領域を覆うように形成されてなり、
前記発光用電源配線が少なくとも前記ダミー領域を挟んで前記第２電極と対向配置され、前記ダミー領域には前記の第１層間絶縁層が形成されてなることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記ダミー領域における機能層の膜厚が前記ダミー領域におけるバンクの膜厚より薄く形成されてなることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記発光用電源配線は、第２の層間絶縁層を挟んで対向する第１配線及び第２配線から構成されるとともに、前記第１配線が、前記第２電極用の配線と同じ階層位置に形成され、前記第１配線と前記第２電極用の配線との間に第２の静電容量が形成されることを特徴とする請求項９ないし請求項１３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１４】
前記機能層は、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とからなるものであることを特徴とする請求項９ないし請求項１３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１５】
請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載の表示装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
スイッチング素子に接続された第１電極が基板上にマトリックス状に配置されてなる第１電極領域と、
前記第１電極領域の周囲に配置され、前記第１電極に接続される発光用電源配線と、
前記第１電極の上方に形成された機能層と、を含み、
前記機能層の上方に少なくとも第２電極の一部が形成され、
前記発光用電源配線と前記第２電極との間に第１の静電容量が設けられてなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１電極領域の外側において、前記発光用電源配線と前記第２電極とが対向することにより、前記第１の静電容量が形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光用電源配線と前記第２電極との間に第１層間絶縁層が配置されてなることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１電極によって形成される実表示領域と、該実表示領域の周囲に配置され、表示に寄与しないダミー領域とを有してなり、前記第２電極は、少なくとも前記実表示領域と前記ダミー領域を覆うように形成されてなり、
前記発光用電源配線が少なくとも前記ダミー領域を挟んで前記第２電極と対向配置されることにより、前記第１の静電容量が形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ダミー領域における機能層の膜厚が前記ダミー領域におけるバンクの膜厚より薄く形成されてなることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記発光用電源配線と前記ダミー領域における機能層との間に前記第１の層間絶縁層が配置されてなることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記発光用電源配線は、第２の層間絶縁層を挟んで対向する第１配線及び第２配線から構成されるとともに、前記第１配線が、前記第２電極用の配線と同じ階層位置に形成され、前記第１配線と前記第２電極用の配線との間に第２の静電容量が形成されることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記機能層は、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とからなるものであることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
スイッチング素子に接続された第１電極が基板上に配置されてなる第１電極領域と、前記第１電極領域の周囲に配置され、前記第１電極に接続される発光用電源配線とを具備してなり、
各前記第１電極の上に機能層及び第２電極が形成されてなり、
前記発光用電源配線の上には第１の層間絶縁層が形成されてなることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記第１電極によって形成された表示画素部の外側において、前記発光用電源配線と前記第２電極とが前記第１の層間絶縁層を挟んで対向することにより、前記第１の静電容量が形成されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１電極によって形成される実表示領域と、該実表示領域の周囲に配置され、表示に寄与しないダミー領域とを有してなり、前記第２電極は、少なくとも前記実表示領域と前記ダミー領域を覆うように形成されてなり、
前記発光用電源配線が少なくとも前記ダミー領域を挟んで前記第２電極と対向配置され、前記ダミー領域には前記の第１層間絶縁層が形成されてなることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記ダミー領域における機能層の膜厚が前記ダミー領域におけるバンクの膜厚より薄く形成されてなることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記発光用電源配線は、第２の層間絶縁層を挟んで対向する第１配線及び第２配線から構成されるとともに、前記第１配線が、前記第２電極用の配線と同じ階層位置に形成され、前記第１配線と前記第２電極用の配線との間に第２の静電容量が形成されることを特徴とする請求項９ないし請求項１３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１４】
前記機能層は、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とからなるものであることを特徴とする請求項９ないし請求項１３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１５】
請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載の表示装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１１−２１５６２５（Ｐ２０１１−２１５６２５Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２６１０５（Ｐ２０１１−１２６１０５）
【出願日】平成２３年６月６日（２０１１．６．６）
【分割の表示】特願２００８−２９０７０６（Ｐ２００８−２９０７０６）の分割
【原出願日】平成１４年１２月１６日（２００２．１２．１６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月６日（２０１１．６．６）
【分割の表示】特願２００８−２９０７０６（Ｐ２００８−２９０７０６）の分割
【原出願日】平成１４年１２月１６日（２００２．１２．１６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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