表示装置
【課題】共通電極及びカラーフィルタを有する一方の基板の背面にバックライトを設け、画素電極及びＴＦＴを有する他方の基板の側から画像を視認する構成において、配線されたバスラインによる外光の反射光の影響を低減する表示装置を提供する。
【解決手段】視認側のガラス基板２とバスライン４ａを設けた絶縁膜４との間に形成したバッファ膜３に、バスライン４ａと同形状にパターニングされた、バスライン４ａよりも光反射率が低い層（低反射層）３ａを、バスライン４ａを覆うように設けている。ガラス基板２を介して入射された外光（Ａ）は、低反射層３ａにて遮断されてバスライン４ａに到達しない。外光は、低反射層３ａにて反射する（Ｂ）が、その反射光量は少ない。
【解決手段】視認側のガラス基板２とバスライン４ａを設けた絶縁膜４との間に形成したバッファ膜３に、バスライン４ａと同形状にパターニングされた、バスライン４ａよりも光反射率が低い層（低反射層）３ａを、バスライン４ａを覆うように設けている。ガラス基板２を介して入射された外光（Ａ）は、低反射層３ａにて遮断されてバスライン４ａに到達しない。外光は、低反射層３ａにて反射する（Ｂ）が、その反射光量は少ない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各画素における輝度を制御して画像表示を行う表示装置に関し、特に、画素電極を設けた基板側から画像を視認する方式に有効な光反射抑制機構を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の進展に伴って、パーソナルコンピュータ，ＰＤＡ（Personal Digital Assistants)等に代表される電子機器が広く使用されるようになっている。このような電子機器の普及によって、オフィスでも屋外でも使用可能な携帯型の需要が発生しており、それらの小型・軽量化が要望されている。そのような目的を達成するための手段の一つとして液晶表示装置が広く使用されている。
【０００３】
液晶表示装置は大別すると反射型と透過型とに分類される。反射型は液晶パネルの前面から入射した光線を液晶パネルの背面で反射させてその反射光で画像を視認させる構成であり、透過型は液晶パネルの背面に備えられたバックライトからの透過光で画像を視認させる構成である。特に、フルカラー表示を行うパーソナルコンピュータ等の表示装置としては一般的に、カラーフィルタを用いた透過型のカラー液晶表示装置が使用されている。そして、カラー液晶表示装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）などの制御素子を用いたアクティブ駆動のものが広く使用されている。
【０００４】
このようなカラー液晶表示装置は、液晶パネルとバックライトとから構成されている。液晶パネルは、偏光フィルム、共通電極及びマトリクス状に配列されたカラーフィルタを有する一方のガラス基板、マトリクス状に配列された画素電極及びＴＦＴを有する他方のガラス基板、偏光フィルムなどを積層し、対向する２枚のガラス基板間に液晶を封入して構成されている。個々の画素電極はＴＦＴによってオン／オフ制御され、ＴＦＴに接続されたデータバスライン、ゲートバスラインなどのバスラインからの信号により、個々の画素における光透過率が制御されて、画像が表示される。また、液晶の駆動に十分な電荷を供給するために、各画素ごとに液晶と並列に補助容量を接続させている構成も知られている。バックライトは、液晶パネルの背面側に位置しており、白色光を出射するＬＥＤ（Laser Emitting Diode）とＬＥＤからの光を伝播して液晶パネル側へ拡散させる導光板とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３１０７９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
カラー液晶表示装置では、画素電極及びＴＦＴを有するガラス基板（アレイ基板ともいう）の背面（下方）にバックライトを設けて、共通電極及びカラーフィルタを有するガラス基板（カラーフィルタ基板ともいう）側から画像を視認する構成（以下、第１視認構成という）が一般的である。
【０００７】
図９は、このような第１視認構成をなす従来の液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。液晶表示装置は、液晶パネル２０とバックライト３０とから構成される。液晶パネル２０は、前面（上層）側から背面（下層）側に、偏光フィルム１２と、ガラス基板（カラーフィルタ基板）１１と、カラーフィルタ１０ａ及びブラックマトリクス（ＢＭ）１０ｂが設けられた絶縁膜１０と、共通電極９と、配向膜８と、液晶層７と、配向膜６と、画素電極５と、ＴＦＴ及びバスライン４ａが設けられた絶縁膜４と、バッファ膜３と、ガラス基板（アレイ基板）と２、偏光フィルム１とをこの順に積層して構成されている。液晶層７内にスペーサ１３が設けられている。バックライト３０は、液晶パネル２０の背面側（ガラス基板（アレイ基板）２の背面側）に位置しており、ＬＥＤ３１と導光板３２とを有している。
【０００８】
一方、上記の第１視認構成とは逆に、共通電極及びカラーフィルタを有するガラス基板（カラーフィルタ基板）の背面（下方）にバックライトを設けて、画素電極及びＴＦＴを有するガラス基板（アレイ基板）側から画像を視認する構成（以下、第２視認構成という）も知られている。
【０００９】
図１０は、このような第２視認構成をなす従来の液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。液晶表示装置は、液晶パネル２０とバックライト３０とから構成される。液晶パネル２０は、前面（上層）側から背面（下層）側に、偏光フィルム１と、ガラス基板（アレイ基板）２と、バッファ膜３と、ＴＦＴ及びバスライン４ａが設けられた絶縁膜４と、画素電極５と、配向膜６と、液晶層７と、配向膜８と、共通電極９と、カラーフィルタ１０ａ及びＢＭ１０ｂが設けられた絶縁膜１０と、ガラス基板（カラーフィルタ基板）１１と、偏光フィルム１２とをこの順に積層して構成されている。液晶層７内にスペーサ１３が設けられている。バックライト３０は、液晶パネル２０の背面側（ガラス基板（カラーフィルタ基板）１１の背面側）に位置しており、ＬＥＤ３１と導光板３２とを有している。
【００１０】
このような第２視認構成の利点として以下のような点が挙げられる。アビオニクス液晶表示装置のようにバックライト３０（ＬＥＤ３１）の光量が多い場合には、バックライト３０からの光によってＴＦＴが誤動作を引き起こす可能性があるが、共通電極９及びカラーフィルタ１０ａを有するガラス基板（カラーフィルタ基板）１１の背面（下方）にバックライト３０を設ける構成では、バックライト３０からの光をＢＭ１０ｂにて遮断することができる。ＢＭ１０ｂにて反射された光は、偏光フィルム１２で反射された後に開口部分を通過することが考えられる。しかしながら、ＢＭ１０ｂで反射した光は円偏光となるために偏光フィルム１２でほとんど吸収されるので、このようなことは起こりにくい。
【００１１】
また、このような第２視認構成の適用例として、ボトム発光タイプのＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）がある。このＯＬＥＤでは、画像光はアレイ基板から出射されて、アレイ基板側から画像が視認される。
【００１２】
但し、第２視認構成には問題点もある。第１視認構成の場合には、屋外での使用時に外光が前面（上方）から入射されても（図９の実線矢印Ｐ）、その入射光は反射率が低いＢＭ１０ｂにて遮断されるため、反射光の影響を受けることが少ない（図９の点線矢印Ｑ）。これに対して、第２視認構成の場合には、配線されたバスライン４ａが前面（上方）から直接見られる。バスライン４ａに使用される材料は、通常、その低抵抗性の観点から高反射性の金属（例えばアルミニウム合金など）が選ばれる。したがって、屋外などの外光の影響を受ける環境で第２視認構成の表示装置が使用されて外光が前面（上方）から入射された場合（図１０の実線矢印Ｘ）、入射光がバスライン４ａの表面にて反射され、その反射光が視認側に出射されて（図１０の実線矢印Ｙ）、コントラスト比が悪くなるという問題がある。
【００１３】
このような問題を解決する手法として２つのものが考えられる。第１の手法は、光学的フィルムを積層することである。入射光による表面反射を抑制するために、光学的フィルムが有効であり、例えば、円偏光子は表面反射を改善するための有効な部材の一つである。また、第２の手法は、バスラインの材料を低反射特性の材料に変更することである。
【００１４】
しかしながら、第１の手法では、光学的フィルム自身のより低い光透過性（円偏光子の光透過率は４０％程度である）によって表示装置の輝度低下が生じる。一方、第２の手法では、ドルーデモデル（Drude model)によれば、低反射特性の金属は基本的に高い抵抗特性を有しているため、光反射率が低い金属を選択した場合には、バスラインの抵抗が高くなり、この結果として、表示特性（例えば、表示均一性、小さい開口率による輝度特性など）が悪化する。
【００１５】
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、バスラインを覆うようにバスラインより光反射率が低い層を設けることにより、第２視認構成であっても、外光の影響を受けることなく、高いコントラスト比、高輝度特性などの優れた表示特性を呈することができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の表示装置は、表示すべき画像の夫々の画素に対応して輝度を制御する制御素子と、該制御素子を動作させるためのバスラインとを有する表示装置において、前記制御素子は覆わずに前記バスラインを覆うべく、前記バスラインより光反射率が低い層を備えていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の表示装置にあっては、バスラインより光反射率が低い層で、バスラインを覆っている。よって、前面側から入射された光はこの層で反射するが、この層の光反射率が低いため、わずかな反射光しか視認側に達せず、屋外で使用した場合にも、外光の影響は少ない。この際、反射光抑制用の特別な光学的フィルムを設けることがないため、表示装置の輝度低下は生じない。また、バスラインの材料を変えないため、バスラインの抵抗が高くなることもない。結果として、優れた表示特性が得られる。
【００１８】
本発明の表示装置は、前記制御素子及びバスラインが形成される基板と、該基板の表面を平滑化するための平滑化膜とを有しており、前記光反射率が低い層は前記平滑化膜の前記基板側に形成してあることを特徴とする。
【００１９】
本発明の表示装置にあっては、基板の表面を平滑化するための平滑化膜の基板側に光反射率が低い層を形成している。よって、この光反射率が低い層による反射光抑制機能が確実に得られる。
【００２０】
本発明の表示装置は、前記制御素子がＴＦＴであり、前記バスラインが、前記ＴＦＴへのデータバスライン及びゲートバスライン、並びに蓄積容量用のバスラインのうちの少なくとも一つのバスラインを含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明の表示装置にあっては、ＴＦＴへのデータバスライン及びゲートバスライン、並びに蓄積容量用のバスラインのうちの少なくとも一つのバスラインを覆うように、光反射率が低い層を設けている。よって、これらのバスラインからの反射光の影響を確実に抑制できる。
【００２２】
本発明の表示装置は、前記光反射率が低い層は、金属膜、または金属膜と金属酸化膜との積層膜であることを特徴とする。
【００２３】
本発明の表示装置にあっては、光反射率が低い層として金属膜または金属膜及び金属酸化膜の積層膜を使用して、バスラインからの反射光の影響を抑制する。
【００２４】
本発明の表示装置は、前記光反射率が低い層は、樹脂膜であることを特徴とする。
【００２５】
本発明の表示装置にあっては、光反射率が低い層として樹脂膜を使用して、バスラインからの反射光の影響を抑制する。例えば、ブラックマトリクスに用いる黒レジスト樹脂を使用できる。
【００２６】
本発明の表示装置は、前記光反射率が低い層は、半導体膜であることを特徴とする。
【００２７】
本発明の表示装置にあっては、光反射率が低い層として半導体膜を使用して、バスラインからの反射光の影響を抑制する。例えば、制御素子（ＴＦＴ）の作製材料と同じ材料を使用できるため、光反射率が低い層を形成するための追加の工程が不要である。
【００２８】
本発明の表示装置は、マトリクス状に配列された複数の各色のカラーフィルタと、隣り合う前記カラーフィルタの間に設けられたブラックマトリクスとを備えており、前記ブラックマトリクスは、光を拡散する表面を有することを特徴とする。
【００２９】
本発明の表示装置にあっては、ブラックマトリクスの表面が光を拡散する構造であるため、バックライトからの光はブラックマトリクスにて反射する際に散乱するため、その反射光は偏光フィルムに吸収されず、その後反射して開口部（カラーフィルタ領域）を通過して視認側へ出力される。よって、パネル透過率は向上する。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の表示装置によれば、バスラインより光反射率が低い層でバスラインを覆うようにしたので、屋外で使用してアレイ基板側から画像を視認する場合にあっても、外部から入射した光がバスラインで反射して視認側に戻って来ることがなく、外光の影響を低減でき、優れた表示特性を得ることができる。
【００３１】
また、本発明の表示装置によれば、ブラックマトリクスが光を拡散する表面を有するようにしたので、ブラックマトリクスでの反射光は散乱して偏光フィルムに吸収されず、その後反射して開口部（カラーフィルタ領域）を通過して視認側へ出力されるため、パネル透過率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】本発明（第１，第２実施の形態）における低反射層とバスラインの配線パターンとの位置関係を示す模式図である。
【図３】従来の液晶表示装置におけるバスラインの配線パターンを示す模式図である。
【図４】第２実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
【図５】第３実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
【図６】本発明（第３実施の形態）における低反射層とバスラインの配線パターンとの位置関係を示す模式図である。
【図７】第４実施の形態によるＯＬＥＤの構成を示す模式的断面図である。
【図８】第５実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
【図９】第１視認構成をなす従来の液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
【図１０】第２視認構成をなす従来の液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の表示装置について、図面を用いて具体的に説明する。この表示装置は、マトリクス状に複数の画素が配置されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置であり、カラーフィルタ方式にてカラー表示を行う液晶表示装置である。また、この表示装置は、第２視認構成（共通電極及びカラーフィルタを有するガラス基板の背面（下方）にバックライトを設けて、画素電極及びＴＦＴを有するガラス基板の側から画像を視認する構成）の液晶表示装置である。
【００３４】
本発明の液晶表示装置は、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、パーソナルコンピュータ、テレビ、自動車用ディスプレイ、航空用ディスプレイ、デジタルフォトフレーム、ポータブルＤＶＤプレーヤ等の電子機器で用いられる。
【００３５】
（第１実施の形態）
図１は、本発明の第１実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。液晶表示装置は、液晶パネル２０とバックライト３０とを備えている。
【００３６】
液晶パネル２０は、前面（上層）側から背面（下層）側に、偏光フィルム１と、ガラス基板（アレイ基板）２と、本発明の特徴部分である光反射率が低い層３ａ（以下、低反射層３ａという）が設けられたバッファ膜３と、制御素子としてのＴＦＴ及びバスライン４ａが設けられた絶縁膜４と、マトリクス状に配列された画素電極５と、配向膜６と、液晶層７と、配向膜８と、共通電極９と、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ１０ａ及びＢＭ１０ｂが設けられた絶縁膜１０と、ガラス基板（カラーフィルタ基板）１１と、偏光フィルム１２とをこの順に積層して構成されている。
【００３７】
平滑化膜としてのバッファ膜３は、ガラス基板２の表面を平滑にするための絶縁性の膜であり、例えばＳｉＯx ，ＳｉＮx などからなる。バッファ膜３がない場合には、ガラス基板２の表面の細かな傷などによって配線に傷がついたりして、表示特性に悪影響を及ぼす。
【００３８】
バッファ膜３の前面側（ガラス基板２側）には、バスライン４ａと同じ形状にパターニングされた低反射層３ａが形成されている。低反射層３ａは、バスライン４ａよりも光反射率が低い金属にて作製されている。バスライン４ａは、ＴＦＴへのデータバスライン及びゲートバスライン、並びに蓄積容量用のバスラインを含んでおり、アルミニウム合金にて作製されている。低反射層３ａは、これらのバスライン４ａを覆うように形成されている。但し、低反射層３ａは、ＴＦＴ形成領域を覆わない。また、この低反射層３ａは、バスライン４ａとは電気的に接続されない。両者は、接続されていなくても、直接対向している配置であるので、容量成分によって液晶表示装置の表示特性に影響を及ぼすことはない。
【００３９】
それぞれがポリイミド膜である対向する配向膜６，８間の空隙に液晶物質が充填されて液晶層７が形成されている。なお、１３は液晶層７の層厚を保持するためのスペーサである。カラーフィルタ１０ａの各着色画素間には、コントラスト向上のための光遮断パターンとしてＢＭ１０ｂが設けられている。ＢＭ１０ｂは、例えば黒レジスト樹脂にて形成される。
【００４０】
バックライト３０は、液晶パネル２０の背面側に位置しており、白色光を出射するＬＥＤ３１とＬＥＤ３１からの光を伝播して液晶パネル２０側へ拡散させる導光板３２とを有している。発光領域を構成する導光板３２の端面に臨ませた状態でＬＥＤ３１が備えられ、導光板３２はこのＬＥＤ３１から発光される白色光を自身の表面全体に導光すると共に上面へ拡散することにより、発光領域として機能する。
【００４１】
図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明における低反射層３ａとバスライン４ａの配線パターンとの位置関係を示す模式図である。なお、参考対照のために、低反射層３ａが設けられていない従来の液晶表示装置におけるバスラインの配線パターンを図３に示す。
【００４２】
図２（ａ）〜（ｃ），図３において、各画素電極５には、シリコン処理技術により作製されたＴＦＴ４４が形成されている。４１，４２は、それぞれＴＦＴ４４に対するゲートバスライン，データバスラインであり、４３は、補助容量に対するバスライン（以下、容量バスラインという）である。左上方から右下方に向かう粗いハッチングを付した領域が、ポリシリコン領域４５である。また、右上方から左下方に向かう細かいハッチングを付した領域が、低反射層３ａの形成領域である。
【００４３】
金属製の低反射層３ａは、バスライン４ａと同じ形状であって、入射光からバスライン４ａを遮蔽する。その低反射層３ａは、レーザアニーリングによる重合処理のために、ＴＦＴ領域は除くことが好ましい。その除去された領域は、ゲートバスライン４１及び／または容量バスライン４３に接続された補助容量領域を含んでいる。
【００４４】
図２（ａ）は、ゲートバスライン４１及び容量バスライン４３を覆うように、低反射層３ａを設けた例を示しており、パターン化されたポリンシリコン領域４５を除いたゲートバスライン４１及び容量バスライン４３の上層（前面）側に位置して、低反射層３ａが形成されている。
【００４５】
図２（ｂ）は、データバスライン４２を覆うように、低反射層３ａを設けた例を示しており、パターン化されたポリンシリコン領域４５を除いたデータバスライン４２の上層（前面）側に位置して、低反射層３ａが形成されている。
【００４６】
図２（ｃ）は、全てのバスライン４ａ（ゲートバスライン４１，データバスライン４２及び容量バスライン４３）を覆うように、低反射層３ａを設けた例を示しており、パターン化されたポリンシリコン領域４５を除いた全てのバスライン４ａの上層（前面）側に位置して、低反射層３ａが形成されている。
【００４７】
従来の液晶表示装置にあっては、前述したように、前面（上方）側から外部の光が入射した場合（図１０の実線矢印Ｘ）、その外部光はバスライン４ａで反射して、反射光が視認側に導出する（図１０の実線矢印Ｙ）ので、その反射光によって視認特性が劣化する。
【００４８】
これに対して、上述したような構成を有する第１実施の形態による液晶表示装置にあっては、前面（上層）側から外部の光が入射した場合（図１の実線矢印Ａ）、バスライン４ａの上方に低反射層３ａが設けられているので、その外部光は低反射層３ａで遮断されてバスライン４ａまで到達しない。そして、低反射層３ａは光反射率が低い金属にて形成されているので、低反射層３ａによる反射光は極めて少ないため（図１の点線矢印Ｂ）、反射光にて視認特性が劣化することはない。
【００４９】
（第２実施の形態）
図４は、本発明の第２実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。図４において、図１と同一または同様な部材には同一の番号を付してそれらの説明を省略する。
【００５０】
第１実施の形態では、バッファ膜３の前面側（ガラス基板２側）に低反射層３ａを設けたが、第２実施の形態では、図４に示すように、バッファ膜３の背面側（図４では下面側）に絶縁膜４に覆われた態様で、バスライン４ａと同じ形状にパターニングされた低反射層３ａが形成されている。第１実施の形態と同様に、低反射層３ａは、これらのバスライン４ａを覆うが、ＴＦＴ形成領域を覆わないように形成されている。また、低反射層３ａは、バスライン４ａと電気的に接続していない。
【００５１】
なお、第２実施の形態における低反射層３ａとバスライン４ａ（ゲートバスライン４１，データバスライン４２，容量バスライン４３）の配線パターンとの位置関係は、上述した図２（ａ）〜（ｃ）と同じである。
【００５２】
この第２実施の形態による液晶表示装置にあっても、第１実施の形態と同様に、前面（上層）側から外部の光が入射した場合（図４の実線矢印Ｃ）、バスライン４ａの上方に低反射層３ａが設けられているので、その外部光は低反射層３ａで遮断されてバスライン４ａまで到達せず、低反射層３ａは光反射率が低い金属にて形成されているので、低反射層３ａによる反射光は極めて少ないため（図４の点線矢印Ｄ）、反射光にて視認特性が劣化することはない。
【００５３】
なお、第１，第２実施の形態では、低反射層３ａとして金属膜を使用する場合について説明したが、金属膜に限るものではない。低反射層３ａは、低い光反射率の特性を有しておれば良く、金属酸化膜と金属膜との積層構成であっても良い。この場合、例えばＣｒＯx ／Ｃｒ，ＭｏＯx ／Ｍｏの積層体を使用できる。また、低反射層３ａは、樹脂膜であっても良く、ＢＭ１０ｂに用いられる黒レジスト樹脂を使用しても良い。
【００５４】
（第３実施の形態）
図５は、本発明の第３実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。図５において、図１，図４と同一または同様な部材には同一の番号を付してそれらの説明を省略する。
【００５５】
第３実施の形態は、低反射層として半導体膜を使用する実施の形態である。第３実施の形態では、図５に示すように、バッファ膜３の背面（図５では下面）に絶縁膜４に覆われた態様で、バスライン４ａと同じ形状にパターニングされた本発明の特徴部分である光反射率が低い層３ｂ（以下、低反射層３ｂという）が形成されている。第１，第２実施の形態と同様に、低反射層３ｂは、バスライン４ａを覆うが、ＴＦＴ形成領域を覆わないように形成されている。また、低反射層３ｂは、バスライン４ａより光反射率が低く、低反射層３ｂは、バスライン４ａと電気的に接続していない。
【００５６】
第３実施の形態にあっては、ＴＦＴ４４を作製するためのシリコン層を利用して低反射層３ｂを形成する。つまり、ＴＦＴ４４を作製する際に、バスライン４ａに沿ったシリコン層を残すことによって、低反射層３ｂを形成する。ＴＦＴ４４を構成するシリコン層を低反射層３ｂに併用できるので、低反射層を形成するための追加のプロセスが不要となる利点がある。
【００５７】
図６は、第３実施の形態における低反射層３ｂとバスライン４ａの配線パターンとの位置関係を示す模式図である。図６において、図２（ａ）〜（ｃ）と同一または同様な部材には同一の番号を付してそれらの説明を省略する。右上方から左下方に向かう細かいハッチングを付した領域が、低反射層３ｂの形成領域であり、左上方から右下方に向かう粗いハッチングを付した領域が、ポリシリコン領域４５である。全てのバスライン４ａ（ゲートバスライン４１，データバスライン４２及び容量バスライン４３）を覆うように、低反射層３ｂを設けた例を示しており、ＴＦＴ４４を作製するためにパターン化されたポリシリコン領域４５を除いた全てのバスライン４ａの上層（前面）側に位置して、半導体膜（シリコン層）からなる低反射層３ｂが形成されている。
【００５８】
この第３実施の形態による液晶表示装置にあっても、第１，第２実施の形態と同様に、前面（上層）側から外部の光が入射した場合（図５の実線矢印Ｅ）、バスライン４ａの上方に低反射層３ｂが設けられているので、その外部光は低反射層３ｂで遮断されてバスライン４ａまで到達せず、そして、低反射層３ａは光反射率が低い半導体膜で形成されているので、低反射層３ｂによる反射光は極めて少ないため（図５の点線矢印Ｆ）、反射光にて視認特性が劣化することはない。
【００５９】
（第４実施の形態）
図７は、本発明の第４実施の形態によるＯＬＥＤの構成を示す模式的断面図である。ＯＬＥＤは，前面（上方）側から背面（下方）側に、ガラス基板５２と、本発明の特徴部分である光反射率が低い層５３ａ（以下、低反射層５３ａという）が設けられたバッファ膜５３と、制御素子としてのＴＦＴ及びバスライン５４ａが設けられた絶縁膜５４と、画素電極６０ａ、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光素子６０ｂ、制御電極６０ｃが設けられた絶縁膜６０と、ガラス基板６１とをこの順に積層して構成されている。
【００６０】
バッファ膜５３の上層（前面）側には、バスライン５４ａと同じ形状にパターニングされた低反射層５３ａが形成されている。低反射層５３ａは、バスライン５４ａ（例えば金合金）よりも光反射率が低い金属にて作製されている。低反射層５３ａは、バスライン５４ａを覆うように形成されている。但し、低反射層５３ａは、ＴＦＴ形成領域を覆わない。この低反射層５３ａは、バスライン５４ａとは電気的に接続されない。
【００６１】
上述したような構成を有する第４実施の形態によるＯＬＥＤにあっては、前面（上層）側から外部の光が入射した場合（図７の実線矢印Ｇ）、バスライン５４ａの上方に低反射層５３ａが設けられているので、その外部光は低反射層５３ａで遮断されてバスライン５４ａまで到達しない。そして、低反射層５３ａは光反射率が低い金属にて形成されているので、低反射層５３ａによる反射光は極めて少ないため（図７の点線矢印Ｈ）、反射光によって視認特性が劣化することはない。
【００６２】
（第５実施の形態）
図８は、本発明の第５実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。図８において、図１と同一または同様な部材には同一の番号を付してそれらの説明を省略する。第５実施の形態では、光をよく反射する材料または層構成にてＢＭ１０ｂを構成しており、ＢＭ１０ｂは光を拡散する表面を有している。
【００６３】
バックライト３０から液晶パネル２０に導出された光（図８の矢印Ｉ）は、ＢＭ１０ｂで反射されるが、ＢＭ１０ｂの表面が光拡散性を有しているので、その反射光は拡散されて偏光状態が崩れる。よって、その反射光（図８の矢印Ｊ）は偏光フィルム１２に吸収されない。結果として、その反射光は、バックライト３０（導光板３２）で反射された後に、再び液晶パネル２０に導出される。この導出された光（図８の矢印Ｋ）は開口部を通過して視認側に到達する。
【００６４】
以上のように第５実施の形態では、ＢＭ１０ｂに照射された光も、視認に利用することができるため、開口率より多くの光を出力することが可能となり、パネル透過率の向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００６５】
１，１２ 偏光フィルム
２ ガラス基板（アレイ基板）
３ バッファ膜
３ａ，３ｂ 低反射層（光反射率が低い層）
４，１０ 絶縁膜
４ａ バスライン
５ 画素電極
６，８ 配向膜
７ 液晶層
９ 共通電極
１０ａ カラーフィルタ
１０ｂ ブラックマトリクス（ＢＭ）
１１ ガラス基板（カラーフィルタ基板）
１３ スペーサ
２０ 液晶パネル
３０ バックライト
３１ ＬＥＤ
３２ 導光板
４１ ゲートバスライン
４２ データバスライン
４３ 容量バスライン（補助容量に対するバスライン）
４４ ＴＦＴ
４５ ポリシリコン領域
５２，６１ ガラス基板（アレイ基板）
５３ バッファ膜
５３ａ 低反射層（光反射率が低い層）
５４，６０ 絶縁膜
５４ａ バスライン
６０ａ 画素電極
６０ｂ 発光素子
６０ｃ 制御電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各画素における輝度を制御して画像表示を行う表示装置に関し、特に、画素電極を設けた基板側から画像を視認する方式に有効な光反射抑制機構を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の進展に伴って、パーソナルコンピュータ，ＰＤＡ（Personal Digital Assistants)等に代表される電子機器が広く使用されるようになっている。このような電子機器の普及によって、オフィスでも屋外でも使用可能な携帯型の需要が発生しており、それらの小型・軽量化が要望されている。そのような目的を達成するための手段の一つとして液晶表示装置が広く使用されている。
【０００３】
液晶表示装置は大別すると反射型と透過型とに分類される。反射型は液晶パネルの前面から入射した光線を液晶パネルの背面で反射させてその反射光で画像を視認させる構成であり、透過型は液晶パネルの背面に備えられたバックライトからの透過光で画像を視認させる構成である。特に、フルカラー表示を行うパーソナルコンピュータ等の表示装置としては一般的に、カラーフィルタを用いた透過型のカラー液晶表示装置が使用されている。そして、カラー液晶表示装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）などの制御素子を用いたアクティブ駆動のものが広く使用されている。
【０００４】
このようなカラー液晶表示装置は、液晶パネルとバックライトとから構成されている。液晶パネルは、偏光フィルム、共通電極及びマトリクス状に配列されたカラーフィルタを有する一方のガラス基板、マトリクス状に配列された画素電極及びＴＦＴを有する他方のガラス基板、偏光フィルムなどを積層し、対向する２枚のガラス基板間に液晶を封入して構成されている。個々の画素電極はＴＦＴによってオン／オフ制御され、ＴＦＴに接続されたデータバスライン、ゲートバスラインなどのバスラインからの信号により、個々の画素における光透過率が制御されて、画像が表示される。また、液晶の駆動に十分な電荷を供給するために、各画素ごとに液晶と並列に補助容量を接続させている構成も知られている。バックライトは、液晶パネルの背面側に位置しており、白色光を出射するＬＥＤ（Laser Emitting Diode）とＬＥＤからの光を伝播して液晶パネル側へ拡散させる導光板とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３１０７９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
カラー液晶表示装置では、画素電極及びＴＦＴを有するガラス基板（アレイ基板ともいう）の背面（下方）にバックライトを設けて、共通電極及びカラーフィルタを有するガラス基板（カラーフィルタ基板ともいう）側から画像を視認する構成（以下、第１視認構成という）が一般的である。
【０００７】
図９は、このような第１視認構成をなす従来の液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。液晶表示装置は、液晶パネル２０とバックライト３０とから構成される。液晶パネル２０は、前面（上層）側から背面（下層）側に、偏光フィルム１２と、ガラス基板（カラーフィルタ基板）１１と、カラーフィルタ１０ａ及びブラックマトリクス（ＢＭ）１０ｂが設けられた絶縁膜１０と、共通電極９と、配向膜８と、液晶層７と、配向膜６と、画素電極５と、ＴＦＴ及びバスライン４ａが設けられた絶縁膜４と、バッファ膜３と、ガラス基板（アレイ基板）と２、偏光フィルム１とをこの順に積層して構成されている。液晶層７内にスペーサ１３が設けられている。バックライト３０は、液晶パネル２０の背面側（ガラス基板（アレイ基板）２の背面側）に位置しており、ＬＥＤ３１と導光板３２とを有している。
【０００８】
一方、上記の第１視認構成とは逆に、共通電極及びカラーフィルタを有するガラス基板（カラーフィルタ基板）の背面（下方）にバックライトを設けて、画素電極及びＴＦＴを有するガラス基板（アレイ基板）側から画像を視認する構成（以下、第２視認構成という）も知られている。
【０００９】
図１０は、このような第２視認構成をなす従来の液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。液晶表示装置は、液晶パネル２０とバックライト３０とから構成される。液晶パネル２０は、前面（上層）側から背面（下層）側に、偏光フィルム１と、ガラス基板（アレイ基板）２と、バッファ膜３と、ＴＦＴ及びバスライン４ａが設けられた絶縁膜４と、画素電極５と、配向膜６と、液晶層７と、配向膜８と、共通電極９と、カラーフィルタ１０ａ及びＢＭ１０ｂが設けられた絶縁膜１０と、ガラス基板（カラーフィルタ基板）１１と、偏光フィルム１２とをこの順に積層して構成されている。液晶層７内にスペーサ１３が設けられている。バックライト３０は、液晶パネル２０の背面側（ガラス基板（カラーフィルタ基板）１１の背面側）に位置しており、ＬＥＤ３１と導光板３２とを有している。
【００１０】
このような第２視認構成の利点として以下のような点が挙げられる。アビオニクス液晶表示装置のようにバックライト３０（ＬＥＤ３１）の光量が多い場合には、バックライト３０からの光によってＴＦＴが誤動作を引き起こす可能性があるが、共通電極９及びカラーフィルタ１０ａを有するガラス基板（カラーフィルタ基板）１１の背面（下方）にバックライト３０を設ける構成では、バックライト３０からの光をＢＭ１０ｂにて遮断することができる。ＢＭ１０ｂにて反射された光は、偏光フィルム１２で反射された後に開口部分を通過することが考えられる。しかしながら、ＢＭ１０ｂで反射した光は円偏光となるために偏光フィルム１２でほとんど吸収されるので、このようなことは起こりにくい。
【００１１】
また、このような第２視認構成の適用例として、ボトム発光タイプのＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）がある。このＯＬＥＤでは、画像光はアレイ基板から出射されて、アレイ基板側から画像が視認される。
【００１２】
但し、第２視認構成には問題点もある。第１視認構成の場合には、屋外での使用時に外光が前面（上方）から入射されても（図９の実線矢印Ｐ）、その入射光は反射率が低いＢＭ１０ｂにて遮断されるため、反射光の影響を受けることが少ない（図９の点線矢印Ｑ）。これに対して、第２視認構成の場合には、配線されたバスライン４ａが前面（上方）から直接見られる。バスライン４ａに使用される材料は、通常、その低抵抗性の観点から高反射性の金属（例えばアルミニウム合金など）が選ばれる。したがって、屋外などの外光の影響を受ける環境で第２視認構成の表示装置が使用されて外光が前面（上方）から入射された場合（図１０の実線矢印Ｘ）、入射光がバスライン４ａの表面にて反射され、その反射光が視認側に出射されて（図１０の実線矢印Ｙ）、コントラスト比が悪くなるという問題がある。
【００１３】
このような問題を解決する手法として２つのものが考えられる。第１の手法は、光学的フィルムを積層することである。入射光による表面反射を抑制するために、光学的フィルムが有効であり、例えば、円偏光子は表面反射を改善するための有効な部材の一つである。また、第２の手法は、バスラインの材料を低反射特性の材料に変更することである。
【００１４】
しかしながら、第１の手法では、光学的フィルム自身のより低い光透過性（円偏光子の光透過率は４０％程度である）によって表示装置の輝度低下が生じる。一方、第２の手法では、ドルーデモデル（Drude model)によれば、低反射特性の金属は基本的に高い抵抗特性を有しているため、光反射率が低い金属を選択した場合には、バスラインの抵抗が高くなり、この結果として、表示特性（例えば、表示均一性、小さい開口率による輝度特性など）が悪化する。
【００１５】
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、バスラインを覆うようにバスラインより光反射率が低い層を設けることにより、第２視認構成であっても、外光の影響を受けることなく、高いコントラスト比、高輝度特性などの優れた表示特性を呈することができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の表示装置は、表示すべき画像の夫々の画素に対応して輝度を制御する制御素子と、該制御素子を動作させるためのバスラインとを有する表示装置において、前記制御素子は覆わずに前記バスラインを覆うべく、前記バスラインより光反射率が低い層を備えていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の表示装置にあっては、バスラインより光反射率が低い層で、バスラインを覆っている。よって、前面側から入射された光はこの層で反射するが、この層の光反射率が低いため、わずかな反射光しか視認側に達せず、屋外で使用した場合にも、外光の影響は少ない。この際、反射光抑制用の特別な光学的フィルムを設けることがないため、表示装置の輝度低下は生じない。また、バスラインの材料を変えないため、バスラインの抵抗が高くなることもない。結果として、優れた表示特性が得られる。
【００１８】
本発明の表示装置は、前記制御素子及びバスラインが形成される基板と、該基板の表面を平滑化するための平滑化膜とを有しており、前記光反射率が低い層は前記平滑化膜の前記基板側に形成してあることを特徴とする。
【００１９】
本発明の表示装置にあっては、基板の表面を平滑化するための平滑化膜の基板側に光反射率が低い層を形成している。よって、この光反射率が低い層による反射光抑制機能が確実に得られる。
【００２０】
本発明の表示装置は、前記制御素子がＴＦＴであり、前記バスラインが、前記ＴＦＴへのデータバスライン及びゲートバスライン、並びに蓄積容量用のバスラインのうちの少なくとも一つのバスラインを含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明の表示装置にあっては、ＴＦＴへのデータバスライン及びゲートバスライン、並びに蓄積容量用のバスラインのうちの少なくとも一つのバスラインを覆うように、光反射率が低い層を設けている。よって、これらのバスラインからの反射光の影響を確実に抑制できる。
【００２２】
本発明の表示装置は、前記光反射率が低い層は、金属膜、または金属膜と金属酸化膜との積層膜であることを特徴とする。
【００２３】
本発明の表示装置にあっては、光反射率が低い層として金属膜または金属膜及び金属酸化膜の積層膜を使用して、バスラインからの反射光の影響を抑制する。
【００２４】
本発明の表示装置は、前記光反射率が低い層は、樹脂膜であることを特徴とする。
【００２５】
本発明の表示装置にあっては、光反射率が低い層として樹脂膜を使用して、バスラインからの反射光の影響を抑制する。例えば、ブラックマトリクスに用いる黒レジスト樹脂を使用できる。
【００２６】
本発明の表示装置は、前記光反射率が低い層は、半導体膜であることを特徴とする。
【００２７】
本発明の表示装置にあっては、光反射率が低い層として半導体膜を使用して、バスラインからの反射光の影響を抑制する。例えば、制御素子（ＴＦＴ）の作製材料と同じ材料を使用できるため、光反射率が低い層を形成するための追加の工程が不要である。
【００２８】
本発明の表示装置は、マトリクス状に配列された複数の各色のカラーフィルタと、隣り合う前記カラーフィルタの間に設けられたブラックマトリクスとを備えており、前記ブラックマトリクスは、光を拡散する表面を有することを特徴とする。
【００２９】
本発明の表示装置にあっては、ブラックマトリクスの表面が光を拡散する構造であるため、バックライトからの光はブラックマトリクスにて反射する際に散乱するため、その反射光は偏光フィルムに吸収されず、その後反射して開口部（カラーフィルタ領域）を通過して視認側へ出力される。よって、パネル透過率は向上する。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の表示装置によれば、バスラインより光反射率が低い層でバスラインを覆うようにしたので、屋外で使用してアレイ基板側から画像を視認する場合にあっても、外部から入射した光がバスラインで反射して視認側に戻って来ることがなく、外光の影響を低減でき、優れた表示特性を得ることができる。
【００３１】
また、本発明の表示装置によれば、ブラックマトリクスが光を拡散する表面を有するようにしたので、ブラックマトリクスでの反射光は散乱して偏光フィルムに吸収されず、その後反射して開口部（カラーフィルタ領域）を通過して視認側へ出力されるため、パネル透過率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】本発明（第１，第２実施の形態）における低反射層とバスラインの配線パターンとの位置関係を示す模式図である。
【図３】従来の液晶表示装置におけるバスラインの配線パターンを示す模式図である。
【図４】第２実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
【図５】第３実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
【図６】本発明（第３実施の形態）における低反射層とバスラインの配線パターンとの位置関係を示す模式図である。
【図７】第４実施の形態によるＯＬＥＤの構成を示す模式的断面図である。
【図８】第５実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
【図９】第１視認構成をなす従来の液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
【図１０】第２視認構成をなす従来の液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の表示装置について、図面を用いて具体的に説明する。この表示装置は、マトリクス状に複数の画素が配置されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置であり、カラーフィルタ方式にてカラー表示を行う液晶表示装置である。また、この表示装置は、第２視認構成（共通電極及びカラーフィルタを有するガラス基板の背面（下方）にバックライトを設けて、画素電極及びＴＦＴを有するガラス基板の側から画像を視認する構成）の液晶表示装置である。
【００３４】
本発明の液晶表示装置は、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、パーソナルコンピュータ、テレビ、自動車用ディスプレイ、航空用ディスプレイ、デジタルフォトフレーム、ポータブルＤＶＤプレーヤ等の電子機器で用いられる。
【００３５】
（第１実施の形態）
図１は、本発明の第１実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。液晶表示装置は、液晶パネル２０とバックライト３０とを備えている。
【００３６】
液晶パネル２０は、前面（上層）側から背面（下層）側に、偏光フィルム１と、ガラス基板（アレイ基板）２と、本発明の特徴部分である光反射率が低い層３ａ（以下、低反射層３ａという）が設けられたバッファ膜３と、制御素子としてのＴＦＴ及びバスライン４ａが設けられた絶縁膜４と、マトリクス状に配列された画素電極５と、配向膜６と、液晶層７と、配向膜８と、共通電極９と、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ１０ａ及びＢＭ１０ｂが設けられた絶縁膜１０と、ガラス基板（カラーフィルタ基板）１１と、偏光フィルム１２とをこの順に積層して構成されている。
【００３７】
平滑化膜としてのバッファ膜３は、ガラス基板２の表面を平滑にするための絶縁性の膜であり、例えばＳｉＯx ，ＳｉＮx などからなる。バッファ膜３がない場合には、ガラス基板２の表面の細かな傷などによって配線に傷がついたりして、表示特性に悪影響を及ぼす。
【００３８】
バッファ膜３の前面側（ガラス基板２側）には、バスライン４ａと同じ形状にパターニングされた低反射層３ａが形成されている。低反射層３ａは、バスライン４ａよりも光反射率が低い金属にて作製されている。バスライン４ａは、ＴＦＴへのデータバスライン及びゲートバスライン、並びに蓄積容量用のバスラインを含んでおり、アルミニウム合金にて作製されている。低反射層３ａは、これらのバスライン４ａを覆うように形成されている。但し、低反射層３ａは、ＴＦＴ形成領域を覆わない。また、この低反射層３ａは、バスライン４ａとは電気的に接続されない。両者は、接続されていなくても、直接対向している配置であるので、容量成分によって液晶表示装置の表示特性に影響を及ぼすことはない。
【００３９】
それぞれがポリイミド膜である対向する配向膜６，８間の空隙に液晶物質が充填されて液晶層７が形成されている。なお、１３は液晶層７の層厚を保持するためのスペーサである。カラーフィルタ１０ａの各着色画素間には、コントラスト向上のための光遮断パターンとしてＢＭ１０ｂが設けられている。ＢＭ１０ｂは、例えば黒レジスト樹脂にて形成される。
【００４０】
バックライト３０は、液晶パネル２０の背面側に位置しており、白色光を出射するＬＥＤ３１とＬＥＤ３１からの光を伝播して液晶パネル２０側へ拡散させる導光板３２とを有している。発光領域を構成する導光板３２の端面に臨ませた状態でＬＥＤ３１が備えられ、導光板３２はこのＬＥＤ３１から発光される白色光を自身の表面全体に導光すると共に上面へ拡散することにより、発光領域として機能する。
【００４１】
図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明における低反射層３ａとバスライン４ａの配線パターンとの位置関係を示す模式図である。なお、参考対照のために、低反射層３ａが設けられていない従来の液晶表示装置におけるバスラインの配線パターンを図３に示す。
【００４２】
図２（ａ）〜（ｃ），図３において、各画素電極５には、シリコン処理技術により作製されたＴＦＴ４４が形成されている。４１，４２は、それぞれＴＦＴ４４に対するゲートバスライン，データバスラインであり、４３は、補助容量に対するバスライン（以下、容量バスラインという）である。左上方から右下方に向かう粗いハッチングを付した領域が、ポリシリコン領域４５である。また、右上方から左下方に向かう細かいハッチングを付した領域が、低反射層３ａの形成領域である。
【００４３】
金属製の低反射層３ａは、バスライン４ａと同じ形状であって、入射光からバスライン４ａを遮蔽する。その低反射層３ａは、レーザアニーリングによる重合処理のために、ＴＦＴ領域は除くことが好ましい。その除去された領域は、ゲートバスライン４１及び／または容量バスライン４３に接続された補助容量領域を含んでいる。
【００４４】
図２（ａ）は、ゲートバスライン４１及び容量バスライン４３を覆うように、低反射層３ａを設けた例を示しており、パターン化されたポリンシリコン領域４５を除いたゲートバスライン４１及び容量バスライン４３の上層（前面）側に位置して、低反射層３ａが形成されている。
【００４５】
図２（ｂ）は、データバスライン４２を覆うように、低反射層３ａを設けた例を示しており、パターン化されたポリンシリコン領域４５を除いたデータバスライン４２の上層（前面）側に位置して、低反射層３ａが形成されている。
【００４６】
図２（ｃ）は、全てのバスライン４ａ（ゲートバスライン４１，データバスライン４２及び容量バスライン４３）を覆うように、低反射層３ａを設けた例を示しており、パターン化されたポリンシリコン領域４５を除いた全てのバスライン４ａの上層（前面）側に位置して、低反射層３ａが形成されている。
【００４７】
従来の液晶表示装置にあっては、前述したように、前面（上方）側から外部の光が入射した場合（図１０の実線矢印Ｘ）、その外部光はバスライン４ａで反射して、反射光が視認側に導出する（図１０の実線矢印Ｙ）ので、その反射光によって視認特性が劣化する。
【００４８】
これに対して、上述したような構成を有する第１実施の形態による液晶表示装置にあっては、前面（上層）側から外部の光が入射した場合（図１の実線矢印Ａ）、バスライン４ａの上方に低反射層３ａが設けられているので、その外部光は低反射層３ａで遮断されてバスライン４ａまで到達しない。そして、低反射層３ａは光反射率が低い金属にて形成されているので、低反射層３ａによる反射光は極めて少ないため（図１の点線矢印Ｂ）、反射光にて視認特性が劣化することはない。
【００４９】
（第２実施の形態）
図４は、本発明の第２実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。図４において、図１と同一または同様な部材には同一の番号を付してそれらの説明を省略する。
【００５０】
第１実施の形態では、バッファ膜３の前面側（ガラス基板２側）に低反射層３ａを設けたが、第２実施の形態では、図４に示すように、バッファ膜３の背面側（図４では下面側）に絶縁膜４に覆われた態様で、バスライン４ａと同じ形状にパターニングされた低反射層３ａが形成されている。第１実施の形態と同様に、低反射層３ａは、これらのバスライン４ａを覆うが、ＴＦＴ形成領域を覆わないように形成されている。また、低反射層３ａは、バスライン４ａと電気的に接続していない。
【００５１】
なお、第２実施の形態における低反射層３ａとバスライン４ａ（ゲートバスライン４１，データバスライン４２，容量バスライン４３）の配線パターンとの位置関係は、上述した図２（ａ）〜（ｃ）と同じである。
【００５２】
この第２実施の形態による液晶表示装置にあっても、第１実施の形態と同様に、前面（上層）側から外部の光が入射した場合（図４の実線矢印Ｃ）、バスライン４ａの上方に低反射層３ａが設けられているので、その外部光は低反射層３ａで遮断されてバスライン４ａまで到達せず、低反射層３ａは光反射率が低い金属にて形成されているので、低反射層３ａによる反射光は極めて少ないため（図４の点線矢印Ｄ）、反射光にて視認特性が劣化することはない。
【００５３】
なお、第１，第２実施の形態では、低反射層３ａとして金属膜を使用する場合について説明したが、金属膜に限るものではない。低反射層３ａは、低い光反射率の特性を有しておれば良く、金属酸化膜と金属膜との積層構成であっても良い。この場合、例えばＣｒＯx ／Ｃｒ，ＭｏＯx ／Ｍｏの積層体を使用できる。また、低反射層３ａは、樹脂膜であっても良く、ＢＭ１０ｂに用いられる黒レジスト樹脂を使用しても良い。
【００５４】
（第３実施の形態）
図５は、本発明の第３実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。図５において、図１，図４と同一または同様な部材には同一の番号を付してそれらの説明を省略する。
【００５５】
第３実施の形態は、低反射層として半導体膜を使用する実施の形態である。第３実施の形態では、図５に示すように、バッファ膜３の背面（図５では下面）に絶縁膜４に覆われた態様で、バスライン４ａと同じ形状にパターニングされた本発明の特徴部分である光反射率が低い層３ｂ（以下、低反射層３ｂという）が形成されている。第１，第２実施の形態と同様に、低反射層３ｂは、バスライン４ａを覆うが、ＴＦＴ形成領域を覆わないように形成されている。また、低反射層３ｂは、バスライン４ａより光反射率が低く、低反射層３ｂは、バスライン４ａと電気的に接続していない。
【００５６】
第３実施の形態にあっては、ＴＦＴ４４を作製するためのシリコン層を利用して低反射層３ｂを形成する。つまり、ＴＦＴ４４を作製する際に、バスライン４ａに沿ったシリコン層を残すことによって、低反射層３ｂを形成する。ＴＦＴ４４を構成するシリコン層を低反射層３ｂに併用できるので、低反射層を形成するための追加のプロセスが不要となる利点がある。
【００５７】
図６は、第３実施の形態における低反射層３ｂとバスライン４ａの配線パターンとの位置関係を示す模式図である。図６において、図２（ａ）〜（ｃ）と同一または同様な部材には同一の番号を付してそれらの説明を省略する。右上方から左下方に向かう細かいハッチングを付した領域が、低反射層３ｂの形成領域であり、左上方から右下方に向かう粗いハッチングを付した領域が、ポリシリコン領域４５である。全てのバスライン４ａ（ゲートバスライン４１，データバスライン４２及び容量バスライン４３）を覆うように、低反射層３ｂを設けた例を示しており、ＴＦＴ４４を作製するためにパターン化されたポリシリコン領域４５を除いた全てのバスライン４ａの上層（前面）側に位置して、半導体膜（シリコン層）からなる低反射層３ｂが形成されている。
【００５８】
この第３実施の形態による液晶表示装置にあっても、第１，第２実施の形態と同様に、前面（上層）側から外部の光が入射した場合（図５の実線矢印Ｅ）、バスライン４ａの上方に低反射層３ｂが設けられているので、その外部光は低反射層３ｂで遮断されてバスライン４ａまで到達せず、そして、低反射層３ａは光反射率が低い半導体膜で形成されているので、低反射層３ｂによる反射光は極めて少ないため（図５の点線矢印Ｆ）、反射光にて視認特性が劣化することはない。
【００５９】
（第４実施の形態）
図７は、本発明の第４実施の形態によるＯＬＥＤの構成を示す模式的断面図である。ＯＬＥＤは，前面（上方）側から背面（下方）側に、ガラス基板５２と、本発明の特徴部分である光反射率が低い層５３ａ（以下、低反射層５３ａという）が設けられたバッファ膜５３と、制御素子としてのＴＦＴ及びバスライン５４ａが設けられた絶縁膜５４と、画素電極６０ａ、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光素子６０ｂ、制御電極６０ｃが設けられた絶縁膜６０と、ガラス基板６１とをこの順に積層して構成されている。
【００６０】
バッファ膜５３の上層（前面）側には、バスライン５４ａと同じ形状にパターニングされた低反射層５３ａが形成されている。低反射層５３ａは、バスライン５４ａ（例えば金合金）よりも光反射率が低い金属にて作製されている。低反射層５３ａは、バスライン５４ａを覆うように形成されている。但し、低反射層５３ａは、ＴＦＴ形成領域を覆わない。この低反射層５３ａは、バスライン５４ａとは電気的に接続されない。
【００６１】
上述したような構成を有する第４実施の形態によるＯＬＥＤにあっては、前面（上層）側から外部の光が入射した場合（図７の実線矢印Ｇ）、バスライン５４ａの上方に低反射層５３ａが設けられているので、その外部光は低反射層５３ａで遮断されてバスライン５４ａまで到達しない。そして、低反射層５３ａは光反射率が低い金属にて形成されているので、低反射層５３ａによる反射光は極めて少ないため（図７の点線矢印Ｈ）、反射光によって視認特性が劣化することはない。
【００６２】
（第５実施の形態）
図８は、本発明の第５実施の形態による液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。図８において、図１と同一または同様な部材には同一の番号を付してそれらの説明を省略する。第５実施の形態では、光をよく反射する材料または層構成にてＢＭ１０ｂを構成しており、ＢＭ１０ｂは光を拡散する表面を有している。
【００６３】
バックライト３０から液晶パネル２０に導出された光（図８の矢印Ｉ）は、ＢＭ１０ｂで反射されるが、ＢＭ１０ｂの表面が光拡散性を有しているので、その反射光は拡散されて偏光状態が崩れる。よって、その反射光（図８の矢印Ｊ）は偏光フィルム１２に吸収されない。結果として、その反射光は、バックライト３０（導光板３２）で反射された後に、再び液晶パネル２０に導出される。この導出された光（図８の矢印Ｋ）は開口部を通過して視認側に到達する。
【００６４】
以上のように第５実施の形態では、ＢＭ１０ｂに照射された光も、視認に利用することができるため、開口率より多くの光を出力することが可能となり、パネル透過率の向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００６５】
１，１２ 偏光フィルム
２ ガラス基板（アレイ基板）
３ バッファ膜
３ａ，３ｂ 低反射層（光反射率が低い層）
４，１０ 絶縁膜
４ａ バスライン
５ 画素電極
６，８ 配向膜
７ 液晶層
９ 共通電極
１０ａ カラーフィルタ
１０ｂ ブラックマトリクス（ＢＭ）
１１ ガラス基板（カラーフィルタ基板）
１３ スペーサ
２０ 液晶パネル
３０ バックライト
３１ ＬＥＤ
３２ 導光板
４１ ゲートバスライン
４２ データバスライン
４３ 容量バスライン（補助容量に対するバスライン）
４４ ＴＦＴ
４５ ポリシリコン領域
５２，６１ ガラス基板（アレイ基板）
５３ バッファ膜
５３ａ 低反射層（光反射率が低い層）
５４，６０ 絶縁膜
５４ａ バスライン
６０ａ 画素電極
６０ｂ 発光素子
６０ｃ 制御電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示すべき画像の夫々の画素に対応して輝度を制御する制御素子と、該制御素子を動作させるためのバスラインとを有する表示装置において、
前記制御素子は覆わずに前記バスラインを覆うべく、前記バスラインより光反射率が低い層を備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記制御素子及びバスラインが形成される基板と、該基板の表面を平滑化するための平滑化膜とを有しており、前記光反射率が低い層は前記平滑化膜の前記基板側に形成してあることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記制御素子はＴＦＴであり、前記バスラインは、前記ＴＦＴへのデータバスライン及びゲートバスライン、並びに蓄積容量用のバスラインのうちの少なくとも一つのバスラインを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記光反射率が低い層は、金属膜、または金属膜と金属酸化膜との積層膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記光反射率が低い層は、樹脂膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記光反射率が低い層は、半導体膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
マトリクス状に配列された複数の各色のカラーフィルタと、隣り合う前記カラーフィルタの間に設けられたブラックマトリクスとを備えており、前記ブラックマトリクスは、光を拡散する表面を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１】
表示すべき画像の夫々の画素に対応して輝度を制御する制御素子と、該制御素子を動作させるためのバスラインとを有する表示装置において、
前記制御素子は覆わずに前記バスラインを覆うべく、前記バスラインより光反射率が低い層を備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記制御素子及びバスラインが形成される基板と、該基板の表面を平滑化するための平滑化膜とを有しており、前記光反射率が低い層は前記平滑化膜の前記基板側に形成してあることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記制御素子はＴＦＴであり、前記バスラインは、前記ＴＦＴへのデータバスライン及びゲートバスライン、並びに蓄積容量用のバスラインのうちの少なくとも一つのバスラインを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記光反射率が低い層は、金属膜、または金属膜と金属酸化膜との積層膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記光反射率が低い層は、樹脂膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記光反射率が低い層は、半導体膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
マトリクス状に配列された複数の各色のカラーフィルタと、隣り合う前記カラーフィルタの間に設けられたブラックマトリクスとを備えており、前記ブラックマトリクスは、光を拡散する表面を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１０−２４３５７７（Ｐ２０１０−２４３５７７Ａ）
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−８９０６２（Ｐ２００９−８９０６２）
【出願日】平成２１年４月１日（２００９．４．１）
【出願人】（５０３１４１０７５）統寶光電股▲ふん▼有限公司 (155)
【氏名又は名称原語表記】ＴＰＯ Ｄｉｓｐｌａｙｓ，Ｃｏｒｐ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１２，Ｋｅ Ｊｕｎｇ Ｒｄ，Ｓｃｉｅｎｃｅ−Ｂａｓｅｄ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｐａｒｋ，Ｃｈｕ−Ｎａｎ ３５０，Ｍｉａｏ−Ｌｉ Ｃｏｕｎｔｙ，Ｔａｉｗａｎ，Ｒ．Ｏ．Ｃ．
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月１日（２００９．４．１）
【出願人】（５０３１４１０７５）統寶光電股▲ふん▼有限公司 (155)
【氏名又は名称原語表記】ＴＰＯ Ｄｉｓｐｌａｙｓ，Ｃｏｒｐ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１２，Ｋｅ Ｊｕｎｇ Ｒｄ，Ｓｃｉｅｎｃｅ−Ｂａｓｅｄ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｐａｒｋ，Ｃｈｕ−Ｎａｎ ３５０，Ｍｉａｏ−Ｌｉ Ｃｏｕｎｔｙ，Ｔａｉｗａｎ，Ｒ．Ｏ．Ｃ．
【Ｆターム（参考）】
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