超音波フリップチップ実装方法およびそれに用いられる基板
【課題】半導体チップと基板間の電極の接合状態にバラツキの少ない超音波フリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】超音波フリップチップ実装方法は、半導体チップ１００の一方の主面に複数のバンプ電極１０６を形成するステップと、バンプ電極１０６を、基板上の対応する電極パターン１３２に接触させ半導体チップに超音波振動を印加するステップとを含む。ここで、電極パターン１３２は、超音波の振動方向Ｖに対して斜め方向に配向されている。これにより、電極パターン１３２の超音波振動に寄与し得る実効的な幅Ｗ１（Ｗ１＞Ｗ）を得る。
【解決手段】超音波フリップチップ実装方法は、半導体チップ１００の一方の主面に複数のバンプ電極１０６を形成するステップと、バンプ電極１０６を、基板上の対応する電極パターン１３２に接触させ半導体チップに超音波振動を印加するステップとを含む。ここで、電極パターン１３２は、超音波の振動方向Ｖに対して斜め方向に配向されている。これにより、電極パターン１３２の超音波振動に寄与し得る実効的な幅Ｗ１（Ｗ１＞Ｗ）を得る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超音波フリップチップ実装方法およびそれに用いられる基板に関し、特に、基板上に形成される電極パターンの配列に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、携帯型コンピュータ、その他の小型電子機器の高機能化に伴い、電子機器に搭載される半導体チップの高集積化、狭ピッチ化が進んでいる。高集積化、狭ピッチ化された半導体チップを実装する技術の一つに、ベアチップを基板に接続するフリップチップ実装がある。フリップチップ実装では、半導体チップの集積回路面である主面に形成されたバンプ電極を、基板上に形成された導電性材料からなる電極パターンに対向させて直接接続させている。このようなフリップチップ実装は、半導体チップの電極をボンディングワイヤで基板に接続する方法に置き換わるものである。
【０００３】
フリップチップ実装において、半導体チップのバンプ電極を基板上の電極パターンに接合する方法として、超音波振動を利用した圧着または熱圧着がある。典型的な超音波振動による接合方法は、半導体チップのバンプ電極を基板上の電極パターンに対向させ、一定荷重が加わるようにバンプ電極を電極パターンに押圧し、その状態から半導体チップに超音波振動を印加するステップを含んでいる。このような超音波フリップチップ接合は、低温度での直接接合が可能でありかつ短時間で多数のバンプ電極を接合することができるという利点を有する。
【０００４】
特許文献１は、接合条件としての押圧力と超音波振動状態の時間的変化を表示可能な超音波フリップチップ実装装置を開示している。図１は、特許文献１などに開示される典型的な超音波フリップチップ実装装置の構成を示す斜視図である。超音波フリップチップ実装装置１０は、基板１２を支持するステージ１４、接合ツール１８の吸着面に通じるエア流路１６が形成された超音波ホーン２０、超音波ホーン２０に超音波振動を与える超音波振動子２２、荷重センサ２４を含み接合ツール１８をＺ方向に移動させる押圧部２６を含んで構成される。半導体チップＳは、その一面が接合ツール１８の吸着面によって吸着され、ステージ１４上の基板１２に対し位置決めされる。押圧部２６によって接合ツール１８がＺ方向に下降され、半導体チップＳのバンプ電極が基板１２上に形成された電極パターン１２Ａ、１２Ｂに一定荷重で押圧される。この押圧と同時またはそれから一定時間後に、超音波振動子２２により超音波ホーン２０を介して半導体チップＳに超音波振動が印加され、半導体チップＳのバンプ電極が基板１２上の電極パターン１２Ａ、１２Ｂに金属間結合される。超音波振動子２２は、電気エネルギーを機械エネルギーに変換するエネルギー変換器であり、例えば圧電素子などによって構成される。
【０００５】
また、特許文献２は、超音波フリップチップによる半導体チップの接合を確実にするため、予め基板上にアンダーフィル樹脂を供給し、次いで半導体チップの超音波フリップチップ接合を行う。このとき、半導体チップの側面には、粗面部が形成されており、超音波振動によりアンダーフィル樹脂が半導体チップの側面を這い上がるのを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−７９７２４号
【特許文献２】特開２００５−３０２７５０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の超音波フリップチップ実装方法には、次のような課題がある。図１において、超音波振動子２２が振動方向Ｖに振動するとき、ステージ１４の振動方向Ｖと平行な方向をＸ方向、それに直交する方向をＹ方向とする。図２は、ステージ上に搭載された基板をＸ−Ｙ平面で表した平面図である。同図に示すように、基板１２の主面には、半導体チップのバンプ電極に接合される複数の電極パターン１２Ａおよび１２Ｂが形成されている。電極パターン１２Ａおよび１２Ｂは、長手方向および短手方向を有する矩形状パターンであり、電極パターン１２Ａは、その長手方向がＸ方向に延在し、電極パターン１２Ｂは、その長手方向がＹ方向に延在している。言い換えれば、電極パターン１２Ａは、振動方向Ｖに平行に配向され、電極パターン１２Ｂは、振動方向Ｖと垂直な方向に配向されている。
【０００８】
図３Ａは、電極パターンの配向と振動方向Ｖが平行であるときの超音波振動の印加状態を示し、同図（ａ）は、模式的な平面図、同図（ｂ）は模式的な側面図である。ここで、バンプ電極４０は、半導体チップＳに形成された円錐系のＡｕバンプである。半導体チップＳに振動方向Ｖの超音波が印加されると、これに伴い、バンプ電極４０が振動方向Ｖに振動をする。電極パターン１２Ａは、振動方向Ｖと平行に配向されているため、バンプ電極４０は、電極パターン１２Ａの配向に沿って振動する。従って、電極パターン１２Ａは、バンプ電極４０が振動するのに十分な領域を提供し得るため、超音波エネルギーの伝達効率が良く、その結果、バンプ電極４０と電極パターン１２Ａの接合は良好である。
【０００９】
他方、図３Ｂは、電極パターンの配向が振動方向Ｖに直交するときの超音波振動の印加状態を示している。電極パターン１２Ｂの幅Ｗは、バンプ電極４０の狭ピッチに対応するため一定値以下に制限され、例えば、バンプ電極４０の外径に等しいかそれよりも幾分だけ大きい。半導体チップＳに超音波が印加されると、バンプ電極４０は、電極パターン１２Ｂの短手方向に振動する。電極パターン１２Ｂは、短手方向に十分な幅Ｗを有していないため、バンプ電極４０が振動するのに十分な領域を提供することができず、超音波エネルギーの伝達効率が悪くなる。このため、良好な接合状態を得るためには、より多くの超音波エネルギーを必要とする。従って、振動方向Ｖに一致する電極パターン１２Ａと振動方向Ｖに直交する電極パターン１２Ｂとが１つの半導体チップ内に混在すると、半導体チップのバンプ電極と電極パターン１２Ａ、１２Ｂの接合状態にバラツキが生じてしまう。
【００１０】
本発明は、このような従来の課題を解決し、半導体チップと基板間の電極の接合状態にバラツキの少ない超音波フリップチップ実装方法およびそれに用いられる基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る超音波フリップチップ実装方法は、半導体チップの一方の主面に複数の突起状の電極を形成するステップと、前記複数の突起状の電極を、基板上の対応する複数の導体パターンにそれぞれ接触させ、半導体チップに超音波振動を印加して前記複数の突起状の電極を前記複数の導体パターンに接合するステップとを含み、前記複数の導体パターンは、超音波の振動方向に対して斜め方向に配向されている。
【００１２】
好ましくは、前記複数の導体パターンのすべてが同一の配向角θで配向されている。好ましくは、配向角θは、４５度である。また、前記複数の導体パターンの第１組は、前記振動方向に対して配向角が４５度であり、前記複数の導体パターンの第２組は、前記振動方向と垂直方向に対して配向角が４５度であってもよい。好ましくは、前記導体パターンは、長手方向と短手方向とを有する矩形状パターンであり、長手方向が前記振動方向またはそれと垂直方向に対して４５度である。好ましくは、前記複数の突起状の電極は、Ａｕバンプであり、前記導体パターンは、銅リードである。
【００１３】
本発明に係る基板は、半導体チップの一方の主面に形成された複数の突起状の電極を超音波フリップチップ接合するときに用いられるものであり、基板上には、前記複数の突起状の電極に対応する複数の導体パターンが形成され、複数の導体パターンは、半導体チップに印加される超音波の振動方向に対して斜め方向に配向されている。好ましくは、前記複数の導体パターンの配向角は、４５度である。好ましくは、数の突起状の電極が接合されるべき前記複数の導体パターンのすべては、同一の配向角を有する。また、前記複数の導体パターンの第1組は、前記振動方向に対して配向角が４５度であり、前記複数の導体パターンの第２組の導体パターンは、前記振動方向と垂直な方向に対して配向角が４５度であってもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、複数の導体パターンが超音波の振動方向に対して斜め方向に配向されているため、従来の振動方向に平行または垂直に配向される導体パターンと比較して、超音波エネルギーの伝達効率のバラツキが抑制され、従って、半導体チップの突起状の電極と導体パターン間の接合状態のバラツキを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来の典型的な超音波フリップチップ実装装置の斜視図である。
【図２】従来の超音波フリップチップ実装に用いられる典型的な基板の電極パターンの例を示す平面図である。
【図３Ａ】振動方向と電極パターンの配向が平行であるときの超音波振動の印加状態を説明する図である。
【図３Ｂ】振動方向と電極パターンの配向が直交するときの超音波振動の印加状態を説明する図である。
【図４】本発明の実施例に係る超音波フリップチップ実装工程を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施例に係る超音波フリップチップ接合のフローチャートである。
【図６】本実施例における半導体チップと基板のフリップチップ接合を説明する概略断面図である。
【図７】本実施例における超音波フリップチップ接合に用いられる基板の概略平面図である。
【図８】本実施例におけるバンプ電極と電極パターンの位置関係を説明する図であり、同図（ａ）は模式的平面図、同図（ｂ）は模式的側面図である。
【図９】基板上の超音波フリップチップ接合された複数の半導体チップを示す斜視図である。
【図１０】本実施例により半導体チップが超音波フリップチップ接合された半導体装置の例を示す概略断面図である。
【図１１】本実施例により半導体パッケージが超音波フリップチップ接合される他の例を示す概略断面図である。
【図１２】本実施例により半導体パッケージが超音波フリップチップ接合される他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図面に記載された形状およびスケールは、発明の理解を容易にするために強調されており、必ずしも実際の製品と一致しないことに留意すべきである。
【実施例】
【００１７】
図４は、本発明の実施例に係る超音波フリップチップ実装工程を示すフローチャートである。先ず、回路素子が形成されたシリコン基板から矩形状の半導体チップを切断し、切断された半導体チップを基板上に超音波振動を利用してフリップチップ接合する（ステップＳ１０１）。フリップチップ接合は、好ましくは半導体チップと基板とを一定の温度に保持した状態で行われる。
【００１８】
次に、基板と半導体チップの間にアンダーフィル用樹脂が供給される（ステップＳ１０２）。アンダーフィル用樹脂は、液状化された状態で、例えば半導体チップの外周に沿って供給される。供給されたアンダーフィル用樹脂は、毛細管現象等により半導体チップの奥部にまで進行し、その後、硬化することで、半導体チップと基板間の接合を補強する。
【００１９】
次に、基板の裏面、すなわち半導体チップが接合された面と反対側の面にバンプ等の外部端子が接続され（ステップＳ１０３）、最後に、半導体チップ毎に対応するように基板を切断して個々の半導体装置を得る（ステップＳ１０４）。
【００２０】
次に、超音波フリップチップ接合の詳細について説明する。図５は、超音波フリップチップ接合のフローであり、図６は、半導体チップと基板の接合状態を説明するための概略断面図、図７は、基板の平面図である。また、超音波フリップチップ実装は、図１に示すような超音波フリップチップ実装装置を用いて行われる。
【００２１】
先ず、バンプ電極が形成された半導体チップを用意する（ステップＳ２０１）。図６に示すように、半導体チップ１００の回路形成面である主面１０２には、アルミニウム等から形成される複数の電極パッド１０４が２次元的に配置形成され、例えば、電極パッド１０４は、５０μｍのピッチで４４０個配列される。これらの電極パッド１０４上には、突起状のバンプ電極１０６が形成される。バンプ電極１０６は、例えば、ボンディングツールを用いて形成されたＡｕスタッドバンプであり、その直径は約３５μｍである。バンプ電極は、上記の方法以外にも、メッキ等のプロセスを用いて形成することができる。
【００２２】
次に、超音波ホーンの接合ツール１１０の吸着面に半導体チップの一面を吸着させ、半導体チップ１００をステージ上の基板１３０に位置決めする（ステップＳ２０２）。基板１３０は、その上面に導電領域としてＣｕ等の電極パターン１３２が形成され、電極パターン１３２は、半導体チップ１００の電極パッド１０４またはバンプ電極１０６と対応する位置に形成されている。電極パターン１３２は、内部配線１３６を介して基板裏面に形成される外部電極１３８に接続される。外部電極１３８には、例えば、ＢＧＡ用またはＣＳＰ用のはんだボール等の外部端子を接続することができる。なお、電極パターン１３２上には、Ａｕ等のバンプ１３４を形成するようにしてもよい。
【００２３】
基板上の電極パターン１３２は、図７に示すように、超音波振動子の振動方向ＶがＸ方向またはＹ方向であるとき、Ｘ方向またはＹ方向に対して配向角θで配向される。ここで、配向角θとは、電極パターンの長手方向が延在する方向とＸ方向またはＹ方向との成す角と定義する。図７に示す電極パターン１３２Ａ、１３２Ｂは、１つの半導体チップのバンプ電極に対応するものである。電極パターン１３２Ａは、Ｘ方向と配向角θで延在する矩形状パターンであり、電極パターン１３２Ｂは、Ｙ方向と配向角θで延在する矩形状パターンである。つまり、電極パターン１３２Ａと電極パターン１３２Ｂは、長手方向の延在する方向が互いに直交する。好ましくは、基板上の接合されるすべての電極パターンが配向角θ＝４５度を満足するように形成される。
【００２４】
半導体チップ１００と基板１３０との位置決めが完了すると、次に、半導体チップ１００が基板１３０に接近するように接合ツール１１０を下降させ（ステップＳ２０３）、荷重センサの検出結果をモニタしながらバンプ電極１０６を対応する電極パターン１３２Ａ、１３２Ｂに押圧させる（ステップＳ２０４）。バンプ電極１０６が電極パターン１３２Ａ、１３２Ｂに押圧されたら、超音波振動子に電気信号を与え、一定時間、超音波振動を半導体チップ１００に印加する（ステップＳ２０５）。
【００２５】
図８は、配向角θ＝４５度のときの超音波振動の印加状態を説明する図であり、同図（ａ）は、バンプ電極１０６と電極パターン１３２の関係を示す模式的平面図、同図（ｂ）は、それらの模式的側面図である。振動方向Ｖに対して配向角が斜め４５度であるため、振動方向Ｖの電極パターン１３２の実効的な幅Ｗ１は、Ｗ１＝√２×Ｗとなり、バンプ電極１０６の振動を受け取るに十分な領域または面積を提供することができる。その結果、従来の図２に示すＸおよびＹ方向に配列された電極パターンのときよりも、超音波エネルギーの伝達効率が改善され、バンプ電極１０６と電極パターン１３２との間の良好な接合を得ることができる。好ましくは、基板上の接合されるすべての電極パターンの配向角θを４５度にすることで、バンプ電極と電極パターン間でバラツキの少ないほぼ均一な接合を得ることができる。
【００２６】
半導体チップへの超音波振動の印加が終了すると、接合ツール１１０は上昇され（ステップＳ２０６）、次の半導体チップについて同様の超音波フリップチップ接合が行われる（ステップＳ２０７）。
【００２７】
図９は、基板１３０上に複数の半導体チップ１００が超音波フリップチップ接合され、それらが配列された様子を示している。ここでは１つの基板１３０上に多数の半導体チップ１００を超音波フリップチップ接合したが、１つの基板１３０上に１つの半導体チップをフリップチップ接合するものであってもよい。
【００２８】
図１０は、図９に示す基板から個々の半導体チップを切断したときの半導体装置の断面を示している。超音波フリップチップ接合を補強するために、基板１３０と半導体チップ１００との間にはアンダーフィル用樹脂１４０が充填されている。外部電極１３８は、そのまま外部端子として用いることができるが、外部電極１３８にバンプ１３８Ａを接続しても良い。
【００２９】
次に、超音波フリップチップ接合の他の例について説明する。上記した例は、ベアチップである半導体チップ１００を基板１３０に超音波フリップチップ接合したが、半導体チップの代わりに半導体パッケージを接合してもよい。図１１は、ＢＧＡまたはＣＳＰなどの表面実装用の半導体パッケージ２００を基板２１０に超音波フリップチップ接合するときの断面構造を示している。
【００３０】
半導体パッケージ２００は、パッケージの裏面２０２に２次元的に配列される複数の外部端子２０４を備えている。外部端子２０４は、例えば、はんだボールである。基板２１０の上面には、外部端子２０４に対応して複数の導電性ランドパターン２１２が形成され、導電性ランドパターン２１２は、内部配線２１４を介して基板裏面の外部電極２１６に接続される。好ましくは、すべての導電性ランドパターン２１２は、超音波の振動方向Ｖに対し配向角θ＝４５で配向され、これらの導電性ランドパターン２１２に外部端子２０４が超音波フリップチップ接合される。
【００３１】
さらに、超音波フリップチップ接合は、半導体パッケージ間の接合に適用されるものであってもよい。すなわち、半導体パッケージ上に半導体パッケージを搭載する、パッケージ・オン・パッケージ（ＰＯＰ）に適用することができる。
【００３２】
図１２に示すように、下部の半導体パッケージ３００は、多層配線基板３０２と、多層配線基板３０２の裏面に形成された複数のはんだボール３０４と、多層配線基板３０２の上面に形成されたモールド樹脂３０６とを備えている。半導体チップ３１０は、基板３０２上にダイアタッチ３０８を介して取り付けられ、半導体チップ３１０の電極は、ボンディングワイヤ３１２により基板上の銅パターン３１４に接続される。モールド樹脂３０６は、半導体チップ３１０およびボンディングワイヤ３１２を含む領域を封止している。銅パターン３１４は、多層配線基板３０２の内部配線を介してはんだボール３０４に接続される。また、銅パターン３１４は、超音波の振動方向Ｖに対して配向角が４５度で配向されている。
【００３３】
下部の半導体パッケージ３００上に、上部の半導体パッケージ４００が搭載される。上部の半導体パッケージ４００は、例えば基板４０２の上面に半導体チップ４０４、４０６を積層し、これらの半導体チップ４０４、４０６がモールド樹脂４０８によって封止されている。基板４０２の裏面には、その４方向に２列のはんだボール４１０が形成されている。これらのはんだボール４１０が、基板３０２の上面に形成された銅パターン３１４に超音波接合される。
【００３４】
以上のように、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００３５】
上記実施例では、図７に示すように、基板上のすべての電極パターン１３２Ａ、１３２Ｂが振動方向Ｖに関し配向角θが４５度となる例を示した。すべての電極パターンの配向角が４５度であれば、電極パターンの形成が容易となり、しかもすべての電極パターンの実効的な幅Ｗ１を均一にすることができるという利点がある。但し、電極パターンの配向角θは、必ずしも４５度に限定されるものではなく、０＜θ＜９０であれば、従来のＸおよびＹ方向の配向される電極パターンよりも実効的な幅Ｗ１を大きくすることができる。
【００３６】
さらに、基板上の接合されるべき電極パターンのすべてが同一の配向角であることが望ましいが、超音波振動に寄与することができる電極パターンの幅Ｗを十分に広くとることができる場合には、そのような一部の電極パターンをＸ方向またはＹ方向に配向するようにしてもよい。
【００３７】
さらに、電極パターンの形状は、長手方向と短手方向を有するパターンであればよく、必ずしも矩形状に限定されない。例えば、楕円状や多角形状であってもよい。さらに、基板上に形成される電極パターンは、必ずしもすべてが同一パターン形状でなくてもよい。なお、上記した導電性ランドパターン２１２や銅リード３１４は、電極パターンに含まれる一例である。
【００３８】
また上記実施例では、バンプ電極としてＡｕバンプを例示したが、超音波接合に用いることができる他の導電性材料から形成されたバンプ電極を用いることも可能である。さらに、バンプ電極の形成方法は、特に制限されるものではなく、ボンディングツール、メッキ等の種々の方法を用いることができる。さらに、バンプ電極の形状は、必要に応じて適宜選択し得るものである。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明に係る超音波フリップチップ実装方法は、小型化、高密度化、狭ピッチ化された半導体チップや半導体装置の表面実装に利用することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１２：基板
１４：ステージ
１８：接合ツール
２０：超音波ホーン
２２：超音波振動子
１２Ａ、１２Ｂ：電極パターン
１００：半導体チップ
１０２：回路形成面
１０４；電極パッド
１０６：バンプ電極
１１０：接合ツール
１３０：基板
１３２、１３２Ａ、１３２Ｂ：電極パターン
１３６：内部配線
１３８：外部電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超音波フリップチップ実装方法およびそれに用いられる基板に関し、特に、基板上に形成される電極パターンの配列に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、携帯型コンピュータ、その他の小型電子機器の高機能化に伴い、電子機器に搭載される半導体チップの高集積化、狭ピッチ化が進んでいる。高集積化、狭ピッチ化された半導体チップを実装する技術の一つに、ベアチップを基板に接続するフリップチップ実装がある。フリップチップ実装では、半導体チップの集積回路面である主面に形成されたバンプ電極を、基板上に形成された導電性材料からなる電極パターンに対向させて直接接続させている。このようなフリップチップ実装は、半導体チップの電極をボンディングワイヤで基板に接続する方法に置き換わるものである。
【０００３】
フリップチップ実装において、半導体チップのバンプ電極を基板上の電極パターンに接合する方法として、超音波振動を利用した圧着または熱圧着がある。典型的な超音波振動による接合方法は、半導体チップのバンプ電極を基板上の電極パターンに対向させ、一定荷重が加わるようにバンプ電極を電極パターンに押圧し、その状態から半導体チップに超音波振動を印加するステップを含んでいる。このような超音波フリップチップ接合は、低温度での直接接合が可能でありかつ短時間で多数のバンプ電極を接合することができるという利点を有する。
【０００４】
特許文献１は、接合条件としての押圧力と超音波振動状態の時間的変化を表示可能な超音波フリップチップ実装装置を開示している。図１は、特許文献１などに開示される典型的な超音波フリップチップ実装装置の構成を示す斜視図である。超音波フリップチップ実装装置１０は、基板１２を支持するステージ１４、接合ツール１８の吸着面に通じるエア流路１６が形成された超音波ホーン２０、超音波ホーン２０に超音波振動を与える超音波振動子２２、荷重センサ２４を含み接合ツール１８をＺ方向に移動させる押圧部２６を含んで構成される。半導体チップＳは、その一面が接合ツール１８の吸着面によって吸着され、ステージ１４上の基板１２に対し位置決めされる。押圧部２６によって接合ツール１８がＺ方向に下降され、半導体チップＳのバンプ電極が基板１２上に形成された電極パターン１２Ａ、１２Ｂに一定荷重で押圧される。この押圧と同時またはそれから一定時間後に、超音波振動子２２により超音波ホーン２０を介して半導体チップＳに超音波振動が印加され、半導体チップＳのバンプ電極が基板１２上の電極パターン１２Ａ、１２Ｂに金属間結合される。超音波振動子２２は、電気エネルギーを機械エネルギーに変換するエネルギー変換器であり、例えば圧電素子などによって構成される。
【０００５】
また、特許文献２は、超音波フリップチップによる半導体チップの接合を確実にするため、予め基板上にアンダーフィル樹脂を供給し、次いで半導体チップの超音波フリップチップ接合を行う。このとき、半導体チップの側面には、粗面部が形成されており、超音波振動によりアンダーフィル樹脂が半導体チップの側面を這い上がるのを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−７９７２４号
【特許文献２】特開２００５−３０２７５０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の超音波フリップチップ実装方法には、次のような課題がある。図１において、超音波振動子２２が振動方向Ｖに振動するとき、ステージ１４の振動方向Ｖと平行な方向をＸ方向、それに直交する方向をＹ方向とする。図２は、ステージ上に搭載された基板をＸ−Ｙ平面で表した平面図である。同図に示すように、基板１２の主面には、半導体チップのバンプ電極に接合される複数の電極パターン１２Ａおよび１２Ｂが形成されている。電極パターン１２Ａおよび１２Ｂは、長手方向および短手方向を有する矩形状パターンであり、電極パターン１２Ａは、その長手方向がＸ方向に延在し、電極パターン１２Ｂは、その長手方向がＹ方向に延在している。言い換えれば、電極パターン１２Ａは、振動方向Ｖに平行に配向され、電極パターン１２Ｂは、振動方向Ｖと垂直な方向に配向されている。
【０００８】
図３Ａは、電極パターンの配向と振動方向Ｖが平行であるときの超音波振動の印加状態を示し、同図（ａ）は、模式的な平面図、同図（ｂ）は模式的な側面図である。ここで、バンプ電極４０は、半導体チップＳに形成された円錐系のＡｕバンプである。半導体チップＳに振動方向Ｖの超音波が印加されると、これに伴い、バンプ電極４０が振動方向Ｖに振動をする。電極パターン１２Ａは、振動方向Ｖと平行に配向されているため、バンプ電極４０は、電極パターン１２Ａの配向に沿って振動する。従って、電極パターン１２Ａは、バンプ電極４０が振動するのに十分な領域を提供し得るため、超音波エネルギーの伝達効率が良く、その結果、バンプ電極４０と電極パターン１２Ａの接合は良好である。
【０００９】
他方、図３Ｂは、電極パターンの配向が振動方向Ｖに直交するときの超音波振動の印加状態を示している。電極パターン１２Ｂの幅Ｗは、バンプ電極４０の狭ピッチに対応するため一定値以下に制限され、例えば、バンプ電極４０の外径に等しいかそれよりも幾分だけ大きい。半導体チップＳに超音波が印加されると、バンプ電極４０は、電極パターン１２Ｂの短手方向に振動する。電極パターン１２Ｂは、短手方向に十分な幅Ｗを有していないため、バンプ電極４０が振動するのに十分な領域を提供することができず、超音波エネルギーの伝達効率が悪くなる。このため、良好な接合状態を得るためには、より多くの超音波エネルギーを必要とする。従って、振動方向Ｖに一致する電極パターン１２Ａと振動方向Ｖに直交する電極パターン１２Ｂとが１つの半導体チップ内に混在すると、半導体チップのバンプ電極と電極パターン１２Ａ、１２Ｂの接合状態にバラツキが生じてしまう。
【００１０】
本発明は、このような従来の課題を解決し、半導体チップと基板間の電極の接合状態にバラツキの少ない超音波フリップチップ実装方法およびそれに用いられる基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る超音波フリップチップ実装方法は、半導体チップの一方の主面に複数の突起状の電極を形成するステップと、前記複数の突起状の電極を、基板上の対応する複数の導体パターンにそれぞれ接触させ、半導体チップに超音波振動を印加して前記複数の突起状の電極を前記複数の導体パターンに接合するステップとを含み、前記複数の導体パターンは、超音波の振動方向に対して斜め方向に配向されている。
【００１２】
好ましくは、前記複数の導体パターンのすべてが同一の配向角θで配向されている。好ましくは、配向角θは、４５度である。また、前記複数の導体パターンの第１組は、前記振動方向に対して配向角が４５度であり、前記複数の導体パターンの第２組は、前記振動方向と垂直方向に対して配向角が４５度であってもよい。好ましくは、前記導体パターンは、長手方向と短手方向とを有する矩形状パターンであり、長手方向が前記振動方向またはそれと垂直方向に対して４５度である。好ましくは、前記複数の突起状の電極は、Ａｕバンプであり、前記導体パターンは、銅リードである。
【００１３】
本発明に係る基板は、半導体チップの一方の主面に形成された複数の突起状の電極を超音波フリップチップ接合するときに用いられるものであり、基板上には、前記複数の突起状の電極に対応する複数の導体パターンが形成され、複数の導体パターンは、半導体チップに印加される超音波の振動方向に対して斜め方向に配向されている。好ましくは、前記複数の導体パターンの配向角は、４５度である。好ましくは、数の突起状の電極が接合されるべき前記複数の導体パターンのすべては、同一の配向角を有する。また、前記複数の導体パターンの第1組は、前記振動方向に対して配向角が４５度であり、前記複数の導体パターンの第２組の導体パターンは、前記振動方向と垂直な方向に対して配向角が４５度であってもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、複数の導体パターンが超音波の振動方向に対して斜め方向に配向されているため、従来の振動方向に平行または垂直に配向される導体パターンと比較して、超音波エネルギーの伝達効率のバラツキが抑制され、従って、半導体チップの突起状の電極と導体パターン間の接合状態のバラツキを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来の典型的な超音波フリップチップ実装装置の斜視図である。
【図２】従来の超音波フリップチップ実装に用いられる典型的な基板の電極パターンの例を示す平面図である。
【図３Ａ】振動方向と電極パターンの配向が平行であるときの超音波振動の印加状態を説明する図である。
【図３Ｂ】振動方向と電極パターンの配向が直交するときの超音波振動の印加状態を説明する図である。
【図４】本発明の実施例に係る超音波フリップチップ実装工程を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施例に係る超音波フリップチップ接合のフローチャートである。
【図６】本実施例における半導体チップと基板のフリップチップ接合を説明する概略断面図である。
【図７】本実施例における超音波フリップチップ接合に用いられる基板の概略平面図である。
【図８】本実施例におけるバンプ電極と電極パターンの位置関係を説明する図であり、同図（ａ）は模式的平面図、同図（ｂ）は模式的側面図である。
【図９】基板上の超音波フリップチップ接合された複数の半導体チップを示す斜視図である。
【図１０】本実施例により半導体チップが超音波フリップチップ接合された半導体装置の例を示す概略断面図である。
【図１１】本実施例により半導体パッケージが超音波フリップチップ接合される他の例を示す概略断面図である。
【図１２】本実施例により半導体パッケージが超音波フリップチップ接合される他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図面に記載された形状およびスケールは、発明の理解を容易にするために強調されており、必ずしも実際の製品と一致しないことに留意すべきである。
【実施例】
【００１７】
図４は、本発明の実施例に係る超音波フリップチップ実装工程を示すフローチャートである。先ず、回路素子が形成されたシリコン基板から矩形状の半導体チップを切断し、切断された半導体チップを基板上に超音波振動を利用してフリップチップ接合する（ステップＳ１０１）。フリップチップ接合は、好ましくは半導体チップと基板とを一定の温度に保持した状態で行われる。
【００１８】
次に、基板と半導体チップの間にアンダーフィル用樹脂が供給される（ステップＳ１０２）。アンダーフィル用樹脂は、液状化された状態で、例えば半導体チップの外周に沿って供給される。供給されたアンダーフィル用樹脂は、毛細管現象等により半導体チップの奥部にまで進行し、その後、硬化することで、半導体チップと基板間の接合を補強する。
【００１９】
次に、基板の裏面、すなわち半導体チップが接合された面と反対側の面にバンプ等の外部端子が接続され（ステップＳ１０３）、最後に、半導体チップ毎に対応するように基板を切断して個々の半導体装置を得る（ステップＳ１０４）。
【００２０】
次に、超音波フリップチップ接合の詳細について説明する。図５は、超音波フリップチップ接合のフローであり、図６は、半導体チップと基板の接合状態を説明するための概略断面図、図７は、基板の平面図である。また、超音波フリップチップ実装は、図１に示すような超音波フリップチップ実装装置を用いて行われる。
【００２１】
先ず、バンプ電極が形成された半導体チップを用意する（ステップＳ２０１）。図６に示すように、半導体チップ１００の回路形成面である主面１０２には、アルミニウム等から形成される複数の電極パッド１０４が２次元的に配置形成され、例えば、電極パッド１０４は、５０μｍのピッチで４４０個配列される。これらの電極パッド１０４上には、突起状のバンプ電極１０６が形成される。バンプ電極１０６は、例えば、ボンディングツールを用いて形成されたＡｕスタッドバンプであり、その直径は約３５μｍである。バンプ電極は、上記の方法以外にも、メッキ等のプロセスを用いて形成することができる。
【００２２】
次に、超音波ホーンの接合ツール１１０の吸着面に半導体チップの一面を吸着させ、半導体チップ１００をステージ上の基板１３０に位置決めする（ステップＳ２０２）。基板１３０は、その上面に導電領域としてＣｕ等の電極パターン１３２が形成され、電極パターン１３２は、半導体チップ１００の電極パッド１０４またはバンプ電極１０６と対応する位置に形成されている。電極パターン１３２は、内部配線１３６を介して基板裏面に形成される外部電極１３８に接続される。外部電極１３８には、例えば、ＢＧＡ用またはＣＳＰ用のはんだボール等の外部端子を接続することができる。なお、電極パターン１３２上には、Ａｕ等のバンプ１３４を形成するようにしてもよい。
【００２３】
基板上の電極パターン１３２は、図７に示すように、超音波振動子の振動方向ＶがＸ方向またはＹ方向であるとき、Ｘ方向またはＹ方向に対して配向角θで配向される。ここで、配向角θとは、電極パターンの長手方向が延在する方向とＸ方向またはＹ方向との成す角と定義する。図７に示す電極パターン１３２Ａ、１３２Ｂは、１つの半導体チップのバンプ電極に対応するものである。電極パターン１３２Ａは、Ｘ方向と配向角θで延在する矩形状パターンであり、電極パターン１３２Ｂは、Ｙ方向と配向角θで延在する矩形状パターンである。つまり、電極パターン１３２Ａと電極パターン１３２Ｂは、長手方向の延在する方向が互いに直交する。好ましくは、基板上の接合されるすべての電極パターンが配向角θ＝４５度を満足するように形成される。
【００２４】
半導体チップ１００と基板１３０との位置決めが完了すると、次に、半導体チップ１００が基板１３０に接近するように接合ツール１１０を下降させ（ステップＳ２０３）、荷重センサの検出結果をモニタしながらバンプ電極１０６を対応する電極パターン１３２Ａ、１３２Ｂに押圧させる（ステップＳ２０４）。バンプ電極１０６が電極パターン１３２Ａ、１３２Ｂに押圧されたら、超音波振動子に電気信号を与え、一定時間、超音波振動を半導体チップ１００に印加する（ステップＳ２０５）。
【００２５】
図８は、配向角θ＝４５度のときの超音波振動の印加状態を説明する図であり、同図（ａ）は、バンプ電極１０６と電極パターン１３２の関係を示す模式的平面図、同図（ｂ）は、それらの模式的側面図である。振動方向Ｖに対して配向角が斜め４５度であるため、振動方向Ｖの電極パターン１３２の実効的な幅Ｗ１は、Ｗ１＝√２×Ｗとなり、バンプ電極１０６の振動を受け取るに十分な領域または面積を提供することができる。その結果、従来の図２に示すＸおよびＹ方向に配列された電極パターンのときよりも、超音波エネルギーの伝達効率が改善され、バンプ電極１０６と電極パターン１３２との間の良好な接合を得ることができる。好ましくは、基板上の接合されるすべての電極パターンの配向角θを４５度にすることで、バンプ電極と電極パターン間でバラツキの少ないほぼ均一な接合を得ることができる。
【００２６】
半導体チップへの超音波振動の印加が終了すると、接合ツール１１０は上昇され（ステップＳ２０６）、次の半導体チップについて同様の超音波フリップチップ接合が行われる（ステップＳ２０７）。
【００２７】
図９は、基板１３０上に複数の半導体チップ１００が超音波フリップチップ接合され、それらが配列された様子を示している。ここでは１つの基板１３０上に多数の半導体チップ１００を超音波フリップチップ接合したが、１つの基板１３０上に１つの半導体チップをフリップチップ接合するものであってもよい。
【００２８】
図１０は、図９に示す基板から個々の半導体チップを切断したときの半導体装置の断面を示している。超音波フリップチップ接合を補強するために、基板１３０と半導体チップ１００との間にはアンダーフィル用樹脂１４０が充填されている。外部電極１３８は、そのまま外部端子として用いることができるが、外部電極１３８にバンプ１３８Ａを接続しても良い。
【００２９】
次に、超音波フリップチップ接合の他の例について説明する。上記した例は、ベアチップである半導体チップ１００を基板１３０に超音波フリップチップ接合したが、半導体チップの代わりに半導体パッケージを接合してもよい。図１１は、ＢＧＡまたはＣＳＰなどの表面実装用の半導体パッケージ２００を基板２１０に超音波フリップチップ接合するときの断面構造を示している。
【００３０】
半導体パッケージ２００は、パッケージの裏面２０２に２次元的に配列される複数の外部端子２０４を備えている。外部端子２０４は、例えば、はんだボールである。基板２１０の上面には、外部端子２０４に対応して複数の導電性ランドパターン２１２が形成され、導電性ランドパターン２１２は、内部配線２１４を介して基板裏面の外部電極２１６に接続される。好ましくは、すべての導電性ランドパターン２１２は、超音波の振動方向Ｖに対し配向角θ＝４５で配向され、これらの導電性ランドパターン２１２に外部端子２０４が超音波フリップチップ接合される。
【００３１】
さらに、超音波フリップチップ接合は、半導体パッケージ間の接合に適用されるものであってもよい。すなわち、半導体パッケージ上に半導体パッケージを搭載する、パッケージ・オン・パッケージ（ＰＯＰ）に適用することができる。
【００３２】
図１２に示すように、下部の半導体パッケージ３００は、多層配線基板３０２と、多層配線基板３０２の裏面に形成された複数のはんだボール３０４と、多層配線基板３０２の上面に形成されたモールド樹脂３０６とを備えている。半導体チップ３１０は、基板３０２上にダイアタッチ３０８を介して取り付けられ、半導体チップ３１０の電極は、ボンディングワイヤ３１２により基板上の銅パターン３１４に接続される。モールド樹脂３０６は、半導体チップ３１０およびボンディングワイヤ３１２を含む領域を封止している。銅パターン３１４は、多層配線基板３０２の内部配線を介してはんだボール３０４に接続される。また、銅パターン３１４は、超音波の振動方向Ｖに対して配向角が４５度で配向されている。
【００３３】
下部の半導体パッケージ３００上に、上部の半導体パッケージ４００が搭載される。上部の半導体パッケージ４００は、例えば基板４０２の上面に半導体チップ４０４、４０６を積層し、これらの半導体チップ４０４、４０６がモールド樹脂４０８によって封止されている。基板４０２の裏面には、その４方向に２列のはんだボール４１０が形成されている。これらのはんだボール４１０が、基板３０２の上面に形成された銅パターン３１４に超音波接合される。
【００３４】
以上のように、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００３５】
上記実施例では、図７に示すように、基板上のすべての電極パターン１３２Ａ、１３２Ｂが振動方向Ｖに関し配向角θが４５度となる例を示した。すべての電極パターンの配向角が４５度であれば、電極パターンの形成が容易となり、しかもすべての電極パターンの実効的な幅Ｗ１を均一にすることができるという利点がある。但し、電極パターンの配向角θは、必ずしも４５度に限定されるものではなく、０＜θ＜９０であれば、従来のＸおよびＹ方向の配向される電極パターンよりも実効的な幅Ｗ１を大きくすることができる。
【００３６】
さらに、基板上の接合されるべき電極パターンのすべてが同一の配向角であることが望ましいが、超音波振動に寄与することができる電極パターンの幅Ｗを十分に広くとることができる場合には、そのような一部の電極パターンをＸ方向またはＹ方向に配向するようにしてもよい。
【００３７】
さらに、電極パターンの形状は、長手方向と短手方向を有するパターンであればよく、必ずしも矩形状に限定されない。例えば、楕円状や多角形状であってもよい。さらに、基板上に形成される電極パターンは、必ずしもすべてが同一パターン形状でなくてもよい。なお、上記した導電性ランドパターン２１２や銅リード３１４は、電極パターンに含まれる一例である。
【００３８】
また上記実施例では、バンプ電極としてＡｕバンプを例示したが、超音波接合に用いることができる他の導電性材料から形成されたバンプ電極を用いることも可能である。さらに、バンプ電極の形成方法は、特に制限されるものではなく、ボンディングツール、メッキ等の種々の方法を用いることができる。さらに、バンプ電極の形状は、必要に応じて適宜選択し得るものである。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明に係る超音波フリップチップ実装方法は、小型化、高密度化、狭ピッチ化された半導体チップや半導体装置の表面実装に利用することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１２：基板
１４：ステージ
１８：接合ツール
２０：超音波ホーン
２２：超音波振動子
１２Ａ、１２Ｂ：電極パターン
１００：半導体チップ
１０２：回路形成面
１０４；電極パッド
１０６：バンプ電極
１１０：接合ツール
１３０：基板
１３２、１３２Ａ、１３２Ｂ：電極パターン
１３６：内部配線
１３８：外部電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの一方の主面に複数の突起状の電極を形成するステップと、
前記複数の突起状の電極を、基板上の対応する複数の導体パターンにそれぞれ接触させ、半導体チップに超音波振動を印加して前記複数の突起状の電極を前記複数の導体パターンに接合するステップとを含み、
前記複数の導体パターンは、超音波の振動方向に対して斜め方向に配向されている、
超音波フリップチップ実装方法。
【請求項２】
前記複数の導体パターンのすべてが同一の配向角θで配向されている、請求項１に記載の実装方法。
【請求項３】
配向角θは、４５度である、請求項２に記載の実装方法。
【請求項４】
前記複数の導体パターンの第１組は、前記振動方向に対して配向角が４５度であり、前記複数の導体パターンの第２組は、前記振動方向と垂直方向に対して配向角が４５度である、請求項２または３に記載の実装方法。
【請求項５】
前記導体パターンは、長手方向と短手方向とを有する矩形状パターンであり、長手方向が前記振動方向またはそれと垂直方向に対して４５度である、請求項１ないし４いずれか１つに記載の実装方法。
【請求項６】
前記複数の突起状の電極は、Ａｕバンプであり、前記導体パターンは、銅リードである、請求項１ないし４いずれか１つに記載の実装方法。
【請求項７】
半導体チップの一方の主面に形成された複数の突起状の電極を超音波フリップチップ接合するときに用いられる基板であって、
基板上には、前記複数の突起状の電極に対応する複数の導体パターンが形成され、複数の導体パターンは、半導体チップに印加される超音波の振動方向に対して斜め方向に配向されている、基板。
【請求項８】
前記複数の導体パターンの配向角は、４５度である、請求項７に記載の基板。
【請求項９】
前記複数の突起状の電極が接合されるべき前記複数の導体パターンのすべては、同一の配向角を有する、請求項７または８に記載の基板。
【請求項１０】
前記複数の導体パターンの第1組は、前記振動方向に対して配向角が４５度であり、前記複数の導体パターンの第２組の導体パターンは、前記振動方向と垂直な方向に対して配向角が４５度である、請求項８または９に記載の基板。
【請求項１】
半導体チップの一方の主面に複数の突起状の電極を形成するステップと、
前記複数の突起状の電極を、基板上の対応する複数の導体パターンにそれぞれ接触させ、半導体チップに超音波振動を印加して前記複数の突起状の電極を前記複数の導体パターンに接合するステップとを含み、
前記複数の導体パターンは、超音波の振動方向に対して斜め方向に配向されている、
超音波フリップチップ実装方法。
【請求項２】
前記複数の導体パターンのすべてが同一の配向角θで配向されている、請求項１に記載の実装方法。
【請求項３】
配向角θは、４５度である、請求項２に記載の実装方法。
【請求項４】
前記複数の導体パターンの第１組は、前記振動方向に対して配向角が４５度であり、前記複数の導体パターンの第２組は、前記振動方向と垂直方向に対して配向角が４５度である、請求項２または３に記載の実装方法。
【請求項５】
前記導体パターンは、長手方向と短手方向とを有する矩形状パターンであり、長手方向が前記振動方向またはそれと垂直方向に対して４５度である、請求項１ないし４いずれか１つに記載の実装方法。
【請求項６】
前記複数の突起状の電極は、Ａｕバンプであり、前記導体パターンは、銅リードである、請求項１ないし４いずれか１つに記載の実装方法。
【請求項７】
半導体チップの一方の主面に形成された複数の突起状の電極を超音波フリップチップ接合するときに用いられる基板であって、
基板上には、前記複数の突起状の電極に対応する複数の導体パターンが形成され、複数の導体パターンは、半導体チップに印加される超音波の振動方向に対して斜め方向に配向されている、基板。
【請求項８】
前記複数の導体パターンの配向角は、４５度である、請求項７に記載の基板。
【請求項９】
前記複数の突起状の電極が接合されるべき前記複数の導体パターンのすべては、同一の配向角を有する、請求項７または８に記載の基板。
【請求項１０】
前記複数の導体パターンの第1組は、前記振動方向に対して配向角が４５度であり、前記複数の導体パターンの第２組の導体パターンは、前記振動方向と垂直な方向に対して配向角が４５度である、請求項８または９に記載の基板。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１０−２５８３０２（Ｐ２０１０−２５８３０２Ａ）
【公開日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１０８２８７（Ｐ２００９−１０８２８７）
【出願日】平成２１年４月２７日（２００９．４．２７）
【出願人】（３９００２０２４８）日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 (219)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月２７日（２００９．４．２７）
【出願人】（３９００２０２４８）日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 (219)
【Ｆターム（参考）】
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