配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法およびそれに用いる配線基板
【課題】配線基板におけるピッチの狭いパッドとピッチの広いパッドとの間を接続する伝送線路における信号の伝送特性を、１０ＧＨｚを超える高周波の周波数帯域においても良好に測定することが可能な配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法およびそれに用いる配線基板を提供すること。
【解決手段】広いピッチで形成された信号用パッド４Ｓおよび接地用パッド４Ｇに接続された信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｓをそのピッチが狭まるように配線基板１０に設けるとともに、先端部が狭いピッチで配置された信号用接触端子９Ｓおよび接地用接触端子９Ｇを有するプローブ８を、信号用接触端子９Ｓの先端部と信号用プローブ接続パッド５Ｓとを接触させるとともに接地用接触端子９Ｇの先端部と接地用プローブ接続パッド５Ｇとを接触させることにより信号用外部接続パッドおよび接地用外部接続パッドに接続して測定する。
【解決手段】広いピッチで形成された信号用パッド４Ｓおよび接地用パッド４Ｇに接続された信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｓをそのピッチが狭まるように配線基板１０に設けるとともに、先端部が狭いピッチで配置された信号用接触端子９Ｓおよび接地用接触端子９Ｇを有するプローブ８を、信号用接触端子９Ｓの先端部と信号用プローブ接続パッド５Ｓとを接触させるとともに接地用接触端子９Ｇの先端部と接地用プローブ接続パッド５Ｇとを接触させることにより信号用外部接続パッドおよび接地用外部接続パッドに接続して測定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の高周波信号伝送特性の測定およびそれに用いる配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を搭載するための配線基板においては、半導体素子の作動の高速化・高周波化に伴い、例えば１０ＧＨｚを超える高周波の周波数帯域における信号の伝送特性が良好であることが求められる場合がある。このような場合、配線基板の設計者は、配線基板を構成する絶縁材料の誘電率や誘電正接、導体の電導率などを勘案の上、信号が伝播される伝送線路の特性インピーダンスや信号の伝送モード等がなるべく一定になるように設計する。しかしながら、実際には複雑な要因が絡まり、設計どおりに信号が伝播されることは少なく、配線基板の伝送線路を信号が良好に伝播するかどうかは、伝送線路の両端に測定装置のプローブを当てるとともに高周波信号を伝送線路の一端から入力し、その信号の反射損や透過損を測定することにより判断している。
【０００３】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、半導体素子をフリップチップ接続により搭載するフリップチップＢＧＡタイプの配線基板２０において伝送線路の伝送特性を測定する従来の方法を示す。配線基板２０は、セラミックス材料や樹脂材料から成り、上面中央部に半導体素子を搭載するための搭載部１１ａを有する絶縁基板１１と、銅等の良導電性材料から成り、絶縁基板１１の搭載部１１ａから絶縁基板１１の内部を介して絶縁基板１１の下面に導出する信号線路１２Ｓおよび接地線路１２Ｇを含む配線導体とを有している。信号線路１２Ｓおよび接地線路１２Ｇは、互いに対になって信号を伝送する伝送線路を形成しており、搭載部１１ａにおいて半導体素子の電極が接続される直径が７０〜１００μｍ程度の円形の信号用半導体素子接続パッド１３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド１３Ｇを含む複数の半導体素子接続パッドを１００〜２００μｍ程度のピッチで有しているとともに、絶縁基板１１の下面において外部電気回路の配線導体に接続される直径が４００〜６００μｍ程度の円形の信号用外部接続パッド１４Ｓおよび接地用外部接続パッド１４Ｇを含む複数の外部接続パッドを８００〜１２００μｍ程度のピッチで有している。
【０００４】
そして、この配線基板２０において信号線路１２Ｓおよび接地線路１２Ｇから成る伝送線路における信号の伝送特性を測定するには、伝送特性を測定するための測定装置のプローブ１５と１７とを信号用半導体素子接続パッド１３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド１３Ｇと信号用外部接続パッド１４Ｓおよび接地用外部接続パッド１４Ｇとにそれぞれ接続し、例えば信号用半導体素子接続パッド１３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド１３Ｇから信号を入力し、信号用半導体素子接続パッド１３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド１３Ｇに戻ってくる信号や信号用外部接続パッド１４Ｓおよび接地用外部接続パッド１４Ｇに到達する信号の量を測定したり、逆に信号用外部接続パッド１４Ｓおよび接地用外部接続パッド１４Ｇから信号を入力し、信号用外部接続パッド１４Ｓおよび接地用外部接続パッド１４Ｇに戻ってくる信号や信号用半導体素子接続パッド１３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド１３Ｇに到達する信号の量を測定したりすることにより、伝送線路の反射損や挿入損を求める方法が採られている。
【０００５】
なお、信号用半導体素子接続パッド１３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド１３Ｇに接続されるプローブ１５は、中央部に信号用半導体素子接続パッド１３Ｓに接続される信号用接触端子１６Ｓが配置されているとともに、その両側に接地用半導体素子接続パッド１３Ｇに接続される接地用接触端子１６Ｇが配置されている。プローブ１５における信号用接触端子１６Ｓと接地用接触端子１６Ｇとはその先端部が半導体素子接続パッド１３Ｓおよび１３Ｇの配列ピッチに対応した１００〜２００μｍのピッチであるとともに信号用接触端子１６Ｓにおける特性インピーダンスが例えば５０Ωになるように配置されており、信号用接触端子１６Ｓの先端部を信号用半導体素子接続パッド１３Ｓに接触させるとともに接地用接触端子１６Ｇの先端部を接地用半導体素子接続パッド１３Ｇに接触させることにより、それぞれが信号用半導体素子接続パッド１３Ｓ，接地用半導体素子接続パッド１３Ｇに接続される。
【０００６】
他方、信号用外部接続パッド１４Ｓおよび接地用外部接続パッド１４Ｇに接続されるプローブ１７は、中央部に信号用外部接続パッド１４Ｓに接続される信号用接触端子１８Ｓが配置されているとともに、その両側に接地用外部接続パッド１４Ｇに接続される接地用接触端子１８Ｇが配置されている。このプローブ１７においては、両側の接地用接触端子１８Ｇの先端部の幅が中央部の信号用接触端子１８Ｓよりも広くなっており、信号用接触端子１８Ｓと接地用接触端子１８Ｇとは中央の信号用接触端子１８Ｓの先端部と両側の接地用接触端子１８Ｇの外側先端部とが外部接続パッド１４Ｓおよび１４Ｇの配列ピッチに対応した８００〜１２００μｍのピッチであるとともに信号用接触端子１８Ｓにおける特性インピーダンスが例えば５０Ωになるように配置されており、信号用接触端子１８Ｓを信号用外部接続パッド１４Ｓに接触させるとともに接地用接触端子１８Ｇを接地用外部接続パッド１４Ｇに接触させることにより、それぞれが信号用外部接続パッド１４Ｓ，接地用外部接続パッド１４Ｇに接続される。
【０００７】
しかしながら、この従来の方法においては、半導体素子接続パッド１３Ｓおよび１３Ｇに接続されるプローブ１５は、半導体素子接続パッド１３Ｓおよび１３Ｇに接触する先端部のピッチが半導体素子接続パッド１３Ｓおよび１３Ｇのピッチに対応した１００〜２００μｍの狭いピッチであるものの、外部接続パッド１４Ｓおよび１４Ｇに接続されるプローブ１７は、外部接続パッド１４Ｓおよび１４Ｇに接触する先端部のピッチが外部接続パッド１４Ｓおよび１４Ｇのピッチに対応した８００〜１２００μｍの広いピッチとなっている。このようにプローブ１７において外部接続パッド１４Ｓおよび１４Ｇに接触する先端部のピッチが８００〜１２００μｍの広いピッチである場合、１０ＧＨｚ以下の周波数帯域における信号の伝送特性は十分に測定することが可能であるものの、１０ＧＨｚを超える周波数帯域においては、良好に測定することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２６４３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、配線基板におけるピッチの狭いパッドとピッチの広いパッドとの間を接続する伝送線路における信号の伝送特性を、１０ＧＨｚを超える高周波の周波数帯域においても良好に測定することが可能な配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法およびそれに用いる配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法は、第一のピッチで設けられた第一の信号用パッドおよび第一の接地用パッドと、前記第一のピッチより広い第二のピッチで設けられた第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドと、前記第一の信号用パッドと前記第二の信号用パッドとの間を接続する信号線路および前記第一の接地用パッドと前記第二の接地用パッドとの間を接続する接地線路とを有する配線基板の前記第一の信号用パッドおよび前記第一の接地用パッドと前記第二の信号用パッドおよび前記第二の接地用パッドとの間における高周波信号伝送特性を、両者間に測定装置のプローブを接続して測定する配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法であって、前記配線基板の表面に前記第二の信号用パッドに接続された信号用プローブ接続パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続された接地用プローブ接続パッドを前記信号用プローブ接続パッドと前記接地用プローブ接続パッドとのピッチが前記第二のピッチより狭い第三のピッチに狭まるように設けるとともに、先端部が前記第一のピッチで配置された第一の信号用接触端子および第一の接地用接触端子を有する第一のプローブを、前記第一の信号用接触端子の先端部と前記第一の信号用パッドとを接触させるとともに前記第一の接地用接触端子の先端部と前記第一の接地用パッドとを接触させることにより前記第一の信号用パッドおよび前記第一の接地用パッドに接続するとともに、先端部が前記第三のピッチで配置された第二の信号用接触端子および第二の接地用接触端子を有する第二のプローブを、前記第二の信号用接触端子の先端部と前記信号用プローブ接続パッドとを接触させるとともに前記第二の接地用接触端子の先端部と前記接地用プローブ接続パッドとを接触させることにより前記第二の信号用パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続して測定することを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の配線基板は、第一のピッチで設けられた第一の信号用パッドおよび第一の接地用パッドと、前記第一のピッチより広い第二のピッチで設けられた第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドと、前記第一の信号用パッドと前記第二の信号用パッドとの間を接続する信号線路および前記第一の接地用パッドと前記第二の接地用パッドとの間を接続する接地線路とを有する配線基板であって、前記第二の信号用パッドに接続された信号用プローブ接続パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続された接地用プローブ接続パッドを前記信号用プローブ接続パッドと前記接地用プローブ接続パッドとのピッチが前記第二のピッチより狭い第三のピッチに狭まるように設けたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法によれば、第一のピッチよりも広い第二のピッチで形成された第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドに、前記第二の信号用パッドに接続された信号用プローブ接続パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続された接地用プローブ接続パッドを前記信号用プローブ接続パッドと前記接地用プローブ接続パッドとのピッチが前記第二のピッチより狭い第三のピッチに狭まるように配線基板に設けるとともに、先端部が前記第三のピッチで配置された第二の信号用接触端子および第二の接地用接触端子を有する第二のプローブを、前記第二の信号用接触端子の先端部と前記信号用プローブ接続パッドとを接触させるとともに前記第二の接地用接触端子の先端部と前記接地用プローブ接続パッドとを接触させることにより前記第二の信号用パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続することから、たとえ第二のピッチが８００〜１２００μｍと広いものであったとしても、第三のピッチを例えば１００〜２００μｍの狭いものとすることにより、測定装置と第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドとを接触端子の先端部のピッチが狭いプローブを用いて接続することにより測定することが可能となるので、１０ＧＨｚを超える周波数帯域においても配線基板の高周波信号伝送特性を良好に測定することができる。
【００１３】
また、本発明の配線基板によれば、第一のピッチよりも広い第二のピッチで形成された第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドに、前記第二の信号用パッドに接続された信号用プローブ接続パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続された接地用プローブ接続パッドを前記信号用プローブ接続パッドと前記接地用プローブ接続パッドとのピッチが前記第二のピッチより狭い第三のピッチに狭まるように設けたことから、たとえ第二のピッチが８００〜１２００μｍと広いものであったとしても、第三のピッチを例えば１００〜２００μｍの狭いものとすることにより、測定装置と第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドとを接触端子の先端部のピッチが狭いプローブを用いて接続することにより測定することが可能となるので、１０ＧＨｚを超える周波数帯域においても配線基板の高周波信号伝送特性を良好に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は、本発明の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法およびそれに用いる配線基板の実施形態の一例を説明するための簡略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す測定方法および配線基板を説明するための簡略下面図である。
【図２】（ａ）は、従来の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法を説明するための簡略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す測定方法および配線基板を説明するための簡略下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
次に、本発明の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法およびそれに用いる配線基板を図１（ａ），（ｂ）を基にして説明する。図１（ａ）に示すように、本発明の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法に用いられる本発明の配線基板１０は、アルミナや窒化アルミニウム、ムライト、ガラスセラミックス等のセラミックス材料や、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂、アリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する樹脂材料から成り、上面中央部に半導体素子を搭載するための搭載部１ａを有する絶縁基板１と、タングステンやモリブデン、銅等の金属から成り、絶縁基板１の搭載部１ａから絶縁基板１の内部を介して絶縁基板１の下面に導出する信号線路２Ｓおよび接地線路２Ｇを含む配線導体とを有している。信号線路２Ｓおよび接地線路２Ｇは、互いに対になって信号を伝送する伝送線路を形成しており、搭載部１ａにおいて半導体素子の電極が接続される直径が７０〜１００μｍ程度の円形の信号用半導体素子接続パッド３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド３Ｇを含む複数の半導体素子接続パッドを例えば格子状の並びに１００〜２００μｍ程度のピッチで有しているとともに、絶縁基板１の下面において外部電気回路の配線導体に接続される直径が４００〜６００μｍ程度の円形の信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇを含む複数の外部接続パッドを例えば格子状の並びに８００〜１２００μｍ程度のピッチで有している。
【００１６】
さらに本発明においては、配線基板１０の下面に、信号用外部接続パッド４Ｓに接続された信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇに接続された接地用プローブ接続パッド５Ｇを備えている。信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｇは、信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇと同じ材料により形成されており、通常は、それぞれが対応する信号用外部接続パッド４Ｓまたは接地用外部接続パッド４Ｇと一体的に同時形成されている。信号用プローブ接続パッド５Ｓと接地用プローブ接続パッド５Ｇとは、その一端側においてそのピッチが信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇのピッチよりも狭いピッチに狭まるように形成されており、ピッチが狭まった部分におけるピッチは半導体素子接続パッド３Ｓ，３Ｇのピッチと同じ１００〜２００μｍである。
【００１７】
そして、この配線基板１０において信号線路２Ｓおよび接地線路２Ｇから成る伝送線路における高周波信号伝送特性を測定するには、伝送特性を測定するための測定装置のプローブ６と８とを信号用半導体素子接続パッド３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド３Ｇと信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｇとにそれぞれ接続し、例えば信号用半導体素子接続パッド３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド３Ｇから信号を入力し、信号用半導体素子接続パッド３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド３Ｇに戻ってくる信号や信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｇに到達する信号の量を測定したり、逆に信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｇから信号を入力し、信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｇに戻ってくる信号や信号用半導体素子接続パッド３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド３Ｇに到達する信号の量を測定したりすることにより、伝送線路の反射損や挿入損を求める方法が採られる。
【００１８】
なお、信号用半導体素子接続パッド３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド３Ｇに接続されるプローブ６は、中央部に信号用半導体素子接続パッド３Ｓに接続される信号用接触端子７Ｓが配置されているとともに、その両側に接地用半導体素子接続パッド３Ｇに接続される接地用接触端子７Ｇが配置されている。プローブ６における信号用接触端子７Ｓと接地用接触端子７Ｇとはその先端部が半導体素子接続パッド３Ｓおよび３Ｇの配列ピッチに対応した１００〜２００μｍのピッチであるとともに信号用接触端子７Ｓにおける特性インピーダンスが例えば５０Ωになるように配置されており、信号用接触端子７Ｓの先端部を信号用半導体素子接続パッド３Ｓに接触させるとともに接地用接触端子７Ｇの先端部を接地用半導体素子接続パッド３Ｇに接触させることにより、それぞれが信号用半導体素子接続パッド３Ｓ，接地用半導体素子接続パッド３Ｇに接続される。
【００１９】
他方、信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｇに接続されるプローブ８は、中央部に信号用プローブ接続パッド５Ｓに接続される信号用接触端子９Ｓが配置されているとともに、その両側に接地用プローブ接続パッド５Ｇに接続される接地用接触端子９Ｇが配置されている。プローブ８における信号用接触端子９Ｓと接地用接触端子９Ｇとはその先端部がプローブ接続パッド５Ｓおよび５Ｇの配列ピッチに対応した１００〜２００μｍのピッチであるとともに信号用接触端子９Ｓにおける特性インピーダンスが例えば５０Ωになるように配置されており、信号用接触端子９Ｓの先端部を信号用プローブ接続パッド５Ｓに接触させるとともに接地用接触端子９Ｇの先端部を接地用プローブ接続パッド５Ｇに接触させることにより、それぞれが信号用プローブ接続パッド５Ｓ，接地用プローブ接続パッド５Ｇに接続される。
【００２０】
このとき、本発明の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法によれば、８００〜１２００μｍの広いピッチで形成された信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇに、信号用外部接続パッド４Ｓに接続された信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇに接続された接地用プローブ接続パッド５Ｇを、信号用プローブ接続パッド５Ｓと接地用プローブ接続パッド５Ｇとのピッチが外部接続パッド４Ｓ，４Ｇのピッチより狭い１００〜２００μｍのピッチに狭まるように配線基板１０に設けるとともに、先端部が１５０から２００μｍのピッチで配置された信号用接触端子９Ｓおよび接地用接触端子９Ｇを有するプローブ８を、信号用接触端子９Ｓの先端部と信号用プローブ接続パッド５Ｓとを接触させるとともに接地用接触端子９Ｇの先端部と接地用プローブ接続パッド５Ｇとを接触させることにより信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇに接続することから、たとえ外部接続パッド４Ｓ，４Ｇのピッチが８００〜１２００μｍと広いものであったとしても、プローブ接続パッド５Ｓ，５Ｇのピッチを１００〜２００μｍに狭めることにより、測定装置と信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇとを接触端子９Ｓ，９Ｇの先端部のピッチが１００〜２００μｍの狭いプローブ８を用いて接続することにより測定することが可能となるので、１０ＧＨｚを超える周波数帯域においても配線基板１０の高周波信号伝送特性を良好に測定することができる。
【００２１】
また、本発明の配線基板１０によれば、８００〜１２００μｍの広いピッチで形成された信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇに、信号用外部接続パッド４Ｓに接続された信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇに接続された接地用プローブ接続パッド５Ｇを、信号用プローブ接続パッド５Ｓと接地用プローブ接続パッド５Ｇとのピッチが外部接続パッド４Ｓ，４Ｇのピッチより狭い１００〜２００μｍのピッチに狭まるように配線基板１０に設けたことから、たとえ外部接続パッド４Ｓ，４Ｇのピッチが８００〜１２００μｍと広いものであったとしても、プローブ接続パッド５Ｓ，５Ｇのピッチを１００〜２００μｍに狭めることにより、測定装置と信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇとを接触端子９Ｓ，９Ｇの先端部のピッチが１００〜２００μｍの狭いプローブ８を用いて接続することにより測定することが可能となるので、１０ＧＨｚを超える周波数帯域においても配線基板１０の高周波信号伝送特性を良好に測定することができる。ちなみに、本発明者が、特性インピーダンスを５０Ωに整合させた信号線路とその両側の接地線路とからなる伝送線路の両端にそれぞれピッチが２００μｍのプローブを接続した本発明に対応する解析モデルと、前記伝送線路の一端にピッチが２００μｍのプローブを接続させるとともに他端にピッチが１０００μｍのプローブを接続した従来技術に対応する解析モデルとを電磁界シミュレーターを用いて解析した結果によると、本発明に対応するモデルでは従来技術に対応するモデルに対して伝送線路の両端のプローブ間の２０ＧＨｚにおける射損が５ｄＢ程度改善されるとともに、挿入損が０．１ｄＢ程度改善される結果となった。
【００２２】
なお本発明は、上述の実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更は可能であり、例えば上述の実施形態例では、配線基板１０の上面に設けられた半導体素子接続パッド３Ｓ，３Ｇと配線基板１０の下面に設けられた外部接続パッド４Ｓ，４Ｇとの間の伝送特性を測定する場合について説明したが、配線基板の上面側に設けられたパッド同士の間や配線基板の下面側に設けられたパッド同士の間の伝送特性を測定する場合に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００２３】
１ 絶縁基板
２Ｓ 信号線路
２Ｇ 接地線路
３Ｓ 信号用半導体素子接続パッド（第一の信号パッド）
３Ｇ 接地用半導体素子接続パッド（第一の接地パッド）
４Ｓ 信号用外部接続パッド（第二の信号パッド）
４Ｇ 接地用外部接続パッド（第二の接地パッド）
５Ｓ 信号用プローブ接続パッド
５Ｇ 接地用プローブ接続パッド
６ プローブ（第一のプローブ）
７Ｓ 信号用接触端子（第一の信号用接触端子）
７Ｇ 接地用接触端子（第一の接地用接触端子）
８ プローブ（第二のプローブ）
９Ｓ 信号用接触端子（第二の信号用接触端子）
９Ｇ 接地用接触端子（第二の接地用接触端子）
１０ 配線基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の高周波信号伝送特性の測定およびそれに用いる配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を搭載するための配線基板においては、半導体素子の作動の高速化・高周波化に伴い、例えば１０ＧＨｚを超える高周波の周波数帯域における信号の伝送特性が良好であることが求められる場合がある。このような場合、配線基板の設計者は、配線基板を構成する絶縁材料の誘電率や誘電正接、導体の電導率などを勘案の上、信号が伝播される伝送線路の特性インピーダンスや信号の伝送モード等がなるべく一定になるように設計する。しかしながら、実際には複雑な要因が絡まり、設計どおりに信号が伝播されることは少なく、配線基板の伝送線路を信号が良好に伝播するかどうかは、伝送線路の両端に測定装置のプローブを当てるとともに高周波信号を伝送線路の一端から入力し、その信号の反射損や透過損を測定することにより判断している。
【０００３】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、半導体素子をフリップチップ接続により搭載するフリップチップＢＧＡタイプの配線基板２０において伝送線路の伝送特性を測定する従来の方法を示す。配線基板２０は、セラミックス材料や樹脂材料から成り、上面中央部に半導体素子を搭載するための搭載部１１ａを有する絶縁基板１１と、銅等の良導電性材料から成り、絶縁基板１１の搭載部１１ａから絶縁基板１１の内部を介して絶縁基板１１の下面に導出する信号線路１２Ｓおよび接地線路１２Ｇを含む配線導体とを有している。信号線路１２Ｓおよび接地線路１２Ｇは、互いに対になって信号を伝送する伝送線路を形成しており、搭載部１１ａにおいて半導体素子の電極が接続される直径が７０〜１００μｍ程度の円形の信号用半導体素子接続パッド１３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド１３Ｇを含む複数の半導体素子接続パッドを１００〜２００μｍ程度のピッチで有しているとともに、絶縁基板１１の下面において外部電気回路の配線導体に接続される直径が４００〜６００μｍ程度の円形の信号用外部接続パッド１４Ｓおよび接地用外部接続パッド１４Ｇを含む複数の外部接続パッドを８００〜１２００μｍ程度のピッチで有している。
【０００４】
そして、この配線基板２０において信号線路１２Ｓおよび接地線路１２Ｇから成る伝送線路における信号の伝送特性を測定するには、伝送特性を測定するための測定装置のプローブ１５と１７とを信号用半導体素子接続パッド１３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド１３Ｇと信号用外部接続パッド１４Ｓおよび接地用外部接続パッド１４Ｇとにそれぞれ接続し、例えば信号用半導体素子接続パッド１３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド１３Ｇから信号を入力し、信号用半導体素子接続パッド１３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド１３Ｇに戻ってくる信号や信号用外部接続パッド１４Ｓおよび接地用外部接続パッド１４Ｇに到達する信号の量を測定したり、逆に信号用外部接続パッド１４Ｓおよび接地用外部接続パッド１４Ｇから信号を入力し、信号用外部接続パッド１４Ｓおよび接地用外部接続パッド１４Ｇに戻ってくる信号や信号用半導体素子接続パッド１３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド１３Ｇに到達する信号の量を測定したりすることにより、伝送線路の反射損や挿入損を求める方法が採られている。
【０００５】
なお、信号用半導体素子接続パッド１３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド１３Ｇに接続されるプローブ１５は、中央部に信号用半導体素子接続パッド１３Ｓに接続される信号用接触端子１６Ｓが配置されているとともに、その両側に接地用半導体素子接続パッド１３Ｇに接続される接地用接触端子１６Ｇが配置されている。プローブ１５における信号用接触端子１６Ｓと接地用接触端子１６Ｇとはその先端部が半導体素子接続パッド１３Ｓおよび１３Ｇの配列ピッチに対応した１００〜２００μｍのピッチであるとともに信号用接触端子１６Ｓにおける特性インピーダンスが例えば５０Ωになるように配置されており、信号用接触端子１６Ｓの先端部を信号用半導体素子接続パッド１３Ｓに接触させるとともに接地用接触端子１６Ｇの先端部を接地用半導体素子接続パッド１３Ｇに接触させることにより、それぞれが信号用半導体素子接続パッド１３Ｓ，接地用半導体素子接続パッド１３Ｇに接続される。
【０００６】
他方、信号用外部接続パッド１４Ｓおよび接地用外部接続パッド１４Ｇに接続されるプローブ１７は、中央部に信号用外部接続パッド１４Ｓに接続される信号用接触端子１８Ｓが配置されているとともに、その両側に接地用外部接続パッド１４Ｇに接続される接地用接触端子１８Ｇが配置されている。このプローブ１７においては、両側の接地用接触端子１８Ｇの先端部の幅が中央部の信号用接触端子１８Ｓよりも広くなっており、信号用接触端子１８Ｓと接地用接触端子１８Ｇとは中央の信号用接触端子１８Ｓの先端部と両側の接地用接触端子１８Ｇの外側先端部とが外部接続パッド１４Ｓおよび１４Ｇの配列ピッチに対応した８００〜１２００μｍのピッチであるとともに信号用接触端子１８Ｓにおける特性インピーダンスが例えば５０Ωになるように配置されており、信号用接触端子１８Ｓを信号用外部接続パッド１４Ｓに接触させるとともに接地用接触端子１８Ｇを接地用外部接続パッド１４Ｇに接触させることにより、それぞれが信号用外部接続パッド１４Ｓ，接地用外部接続パッド１４Ｇに接続される。
【０００７】
しかしながら、この従来の方法においては、半導体素子接続パッド１３Ｓおよび１３Ｇに接続されるプローブ１５は、半導体素子接続パッド１３Ｓおよび１３Ｇに接触する先端部のピッチが半導体素子接続パッド１３Ｓおよび１３Ｇのピッチに対応した１００〜２００μｍの狭いピッチであるものの、外部接続パッド１４Ｓおよび１４Ｇに接続されるプローブ１７は、外部接続パッド１４Ｓおよび１４Ｇに接触する先端部のピッチが外部接続パッド１４Ｓおよび１４Ｇのピッチに対応した８００〜１２００μｍの広いピッチとなっている。このようにプローブ１７において外部接続パッド１４Ｓおよび１４Ｇに接触する先端部のピッチが８００〜１２００μｍの広いピッチである場合、１０ＧＨｚ以下の周波数帯域における信号の伝送特性は十分に測定することが可能であるものの、１０ＧＨｚを超える周波数帯域においては、良好に測定することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２６４３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、配線基板におけるピッチの狭いパッドとピッチの広いパッドとの間を接続する伝送線路における信号の伝送特性を、１０ＧＨｚを超える高周波の周波数帯域においても良好に測定することが可能な配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法およびそれに用いる配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法は、第一のピッチで設けられた第一の信号用パッドおよび第一の接地用パッドと、前記第一のピッチより広い第二のピッチで設けられた第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドと、前記第一の信号用パッドと前記第二の信号用パッドとの間を接続する信号線路および前記第一の接地用パッドと前記第二の接地用パッドとの間を接続する接地線路とを有する配線基板の前記第一の信号用パッドおよび前記第一の接地用パッドと前記第二の信号用パッドおよび前記第二の接地用パッドとの間における高周波信号伝送特性を、両者間に測定装置のプローブを接続して測定する配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法であって、前記配線基板の表面に前記第二の信号用パッドに接続された信号用プローブ接続パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続された接地用プローブ接続パッドを前記信号用プローブ接続パッドと前記接地用プローブ接続パッドとのピッチが前記第二のピッチより狭い第三のピッチに狭まるように設けるとともに、先端部が前記第一のピッチで配置された第一の信号用接触端子および第一の接地用接触端子を有する第一のプローブを、前記第一の信号用接触端子の先端部と前記第一の信号用パッドとを接触させるとともに前記第一の接地用接触端子の先端部と前記第一の接地用パッドとを接触させることにより前記第一の信号用パッドおよび前記第一の接地用パッドに接続するとともに、先端部が前記第三のピッチで配置された第二の信号用接触端子および第二の接地用接触端子を有する第二のプローブを、前記第二の信号用接触端子の先端部と前記信号用プローブ接続パッドとを接触させるとともに前記第二の接地用接触端子の先端部と前記接地用プローブ接続パッドとを接触させることにより前記第二の信号用パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続して測定することを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の配線基板は、第一のピッチで設けられた第一の信号用パッドおよび第一の接地用パッドと、前記第一のピッチより広い第二のピッチで設けられた第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドと、前記第一の信号用パッドと前記第二の信号用パッドとの間を接続する信号線路および前記第一の接地用パッドと前記第二の接地用パッドとの間を接続する接地線路とを有する配線基板であって、前記第二の信号用パッドに接続された信号用プローブ接続パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続された接地用プローブ接続パッドを前記信号用プローブ接続パッドと前記接地用プローブ接続パッドとのピッチが前記第二のピッチより狭い第三のピッチに狭まるように設けたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法によれば、第一のピッチよりも広い第二のピッチで形成された第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドに、前記第二の信号用パッドに接続された信号用プローブ接続パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続された接地用プローブ接続パッドを前記信号用プローブ接続パッドと前記接地用プローブ接続パッドとのピッチが前記第二のピッチより狭い第三のピッチに狭まるように配線基板に設けるとともに、先端部が前記第三のピッチで配置された第二の信号用接触端子および第二の接地用接触端子を有する第二のプローブを、前記第二の信号用接触端子の先端部と前記信号用プローブ接続パッドとを接触させるとともに前記第二の接地用接触端子の先端部と前記接地用プローブ接続パッドとを接触させることにより前記第二の信号用パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続することから、たとえ第二のピッチが８００〜１２００μｍと広いものであったとしても、第三のピッチを例えば１００〜２００μｍの狭いものとすることにより、測定装置と第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドとを接触端子の先端部のピッチが狭いプローブを用いて接続することにより測定することが可能となるので、１０ＧＨｚを超える周波数帯域においても配線基板の高周波信号伝送特性を良好に測定することができる。
【００１３】
また、本発明の配線基板によれば、第一のピッチよりも広い第二のピッチで形成された第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドに、前記第二の信号用パッドに接続された信号用プローブ接続パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続された接地用プローブ接続パッドを前記信号用プローブ接続パッドと前記接地用プローブ接続パッドとのピッチが前記第二のピッチより狭い第三のピッチに狭まるように設けたことから、たとえ第二のピッチが８００〜１２００μｍと広いものであったとしても、第三のピッチを例えば１００〜２００μｍの狭いものとすることにより、測定装置と第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドとを接触端子の先端部のピッチが狭いプローブを用いて接続することにより測定することが可能となるので、１０ＧＨｚを超える周波数帯域においても配線基板の高周波信号伝送特性を良好に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は、本発明の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法およびそれに用いる配線基板の実施形態の一例を説明するための簡略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す測定方法および配線基板を説明するための簡略下面図である。
【図２】（ａ）は、従来の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法を説明するための簡略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す測定方法および配線基板を説明するための簡略下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
次に、本発明の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法およびそれに用いる配線基板を図１（ａ），（ｂ）を基にして説明する。図１（ａ）に示すように、本発明の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法に用いられる本発明の配線基板１０は、アルミナや窒化アルミニウム、ムライト、ガラスセラミックス等のセラミックス材料や、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂、アリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する樹脂材料から成り、上面中央部に半導体素子を搭載するための搭載部１ａを有する絶縁基板１と、タングステンやモリブデン、銅等の金属から成り、絶縁基板１の搭載部１ａから絶縁基板１の内部を介して絶縁基板１の下面に導出する信号線路２Ｓおよび接地線路２Ｇを含む配線導体とを有している。信号線路２Ｓおよび接地線路２Ｇは、互いに対になって信号を伝送する伝送線路を形成しており、搭載部１ａにおいて半導体素子の電極が接続される直径が７０〜１００μｍ程度の円形の信号用半導体素子接続パッド３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド３Ｇを含む複数の半導体素子接続パッドを例えば格子状の並びに１００〜２００μｍ程度のピッチで有しているとともに、絶縁基板１の下面において外部電気回路の配線導体に接続される直径が４００〜６００μｍ程度の円形の信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇを含む複数の外部接続パッドを例えば格子状の並びに８００〜１２００μｍ程度のピッチで有している。
【００１６】
さらに本発明においては、配線基板１０の下面に、信号用外部接続パッド４Ｓに接続された信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇに接続された接地用プローブ接続パッド５Ｇを備えている。信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｇは、信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇと同じ材料により形成されており、通常は、それぞれが対応する信号用外部接続パッド４Ｓまたは接地用外部接続パッド４Ｇと一体的に同時形成されている。信号用プローブ接続パッド５Ｓと接地用プローブ接続パッド５Ｇとは、その一端側においてそのピッチが信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇのピッチよりも狭いピッチに狭まるように形成されており、ピッチが狭まった部分におけるピッチは半導体素子接続パッド３Ｓ，３Ｇのピッチと同じ１００〜２００μｍである。
【００１７】
そして、この配線基板１０において信号線路２Ｓおよび接地線路２Ｇから成る伝送線路における高周波信号伝送特性を測定するには、伝送特性を測定するための測定装置のプローブ６と８とを信号用半導体素子接続パッド３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド３Ｇと信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｇとにそれぞれ接続し、例えば信号用半導体素子接続パッド３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド３Ｇから信号を入力し、信号用半導体素子接続パッド３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド３Ｇに戻ってくる信号や信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｇに到達する信号の量を測定したり、逆に信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｇから信号を入力し、信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｇに戻ってくる信号や信号用半導体素子接続パッド３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド３Ｇに到達する信号の量を測定したりすることにより、伝送線路の反射損や挿入損を求める方法が採られる。
【００１８】
なお、信号用半導体素子接続パッド３Ｓおよび接地用半導体素子接続パッド３Ｇに接続されるプローブ６は、中央部に信号用半導体素子接続パッド３Ｓに接続される信号用接触端子７Ｓが配置されているとともに、その両側に接地用半導体素子接続パッド３Ｇに接続される接地用接触端子７Ｇが配置されている。プローブ６における信号用接触端子７Ｓと接地用接触端子７Ｇとはその先端部が半導体素子接続パッド３Ｓおよび３Ｇの配列ピッチに対応した１００〜２００μｍのピッチであるとともに信号用接触端子７Ｓにおける特性インピーダンスが例えば５０Ωになるように配置されており、信号用接触端子７Ｓの先端部を信号用半導体素子接続パッド３Ｓに接触させるとともに接地用接触端子７Ｇの先端部を接地用半導体素子接続パッド３Ｇに接触させることにより、それぞれが信号用半導体素子接続パッド３Ｓ，接地用半導体素子接続パッド３Ｇに接続される。
【００１９】
他方、信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用プローブ接続パッド５Ｇに接続されるプローブ８は、中央部に信号用プローブ接続パッド５Ｓに接続される信号用接触端子９Ｓが配置されているとともに、その両側に接地用プローブ接続パッド５Ｇに接続される接地用接触端子９Ｇが配置されている。プローブ８における信号用接触端子９Ｓと接地用接触端子９Ｇとはその先端部がプローブ接続パッド５Ｓおよび５Ｇの配列ピッチに対応した１００〜２００μｍのピッチであるとともに信号用接触端子９Ｓにおける特性インピーダンスが例えば５０Ωになるように配置されており、信号用接触端子９Ｓの先端部を信号用プローブ接続パッド５Ｓに接触させるとともに接地用接触端子９Ｇの先端部を接地用プローブ接続パッド５Ｇに接触させることにより、それぞれが信号用プローブ接続パッド５Ｓ，接地用プローブ接続パッド５Ｇに接続される。
【００２０】
このとき、本発明の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法によれば、８００〜１２００μｍの広いピッチで形成された信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇに、信号用外部接続パッド４Ｓに接続された信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇに接続された接地用プローブ接続パッド５Ｇを、信号用プローブ接続パッド５Ｓと接地用プローブ接続パッド５Ｇとのピッチが外部接続パッド４Ｓ，４Ｇのピッチより狭い１００〜２００μｍのピッチに狭まるように配線基板１０に設けるとともに、先端部が１５０から２００μｍのピッチで配置された信号用接触端子９Ｓおよび接地用接触端子９Ｇを有するプローブ８を、信号用接触端子９Ｓの先端部と信号用プローブ接続パッド５Ｓとを接触させるとともに接地用接触端子９Ｇの先端部と接地用プローブ接続パッド５Ｇとを接触させることにより信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇに接続することから、たとえ外部接続パッド４Ｓ，４Ｇのピッチが８００〜１２００μｍと広いものであったとしても、プローブ接続パッド５Ｓ，５Ｇのピッチを１００〜２００μｍに狭めることにより、測定装置と信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇとを接触端子９Ｓ，９Ｇの先端部のピッチが１００〜２００μｍの狭いプローブ８を用いて接続することにより測定することが可能となるので、１０ＧＨｚを超える周波数帯域においても配線基板１０の高周波信号伝送特性を良好に測定することができる。
【００２１】
また、本発明の配線基板１０によれば、８００〜１２００μｍの広いピッチで形成された信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇに、信号用外部接続パッド４Ｓに接続された信号用プローブ接続パッド５Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇに接続された接地用プローブ接続パッド５Ｇを、信号用プローブ接続パッド５Ｓと接地用プローブ接続パッド５Ｇとのピッチが外部接続パッド４Ｓ，４Ｇのピッチより狭い１００〜２００μｍのピッチに狭まるように配線基板１０に設けたことから、たとえ外部接続パッド４Ｓ，４Ｇのピッチが８００〜１２００μｍと広いものであったとしても、プローブ接続パッド５Ｓ，５Ｇのピッチを１００〜２００μｍに狭めることにより、測定装置と信号用外部接続パッド４Ｓおよび接地用外部接続パッド４Ｇとを接触端子９Ｓ，９Ｇの先端部のピッチが１００〜２００μｍの狭いプローブ８を用いて接続することにより測定することが可能となるので、１０ＧＨｚを超える周波数帯域においても配線基板１０の高周波信号伝送特性を良好に測定することができる。ちなみに、本発明者が、特性インピーダンスを５０Ωに整合させた信号線路とその両側の接地線路とからなる伝送線路の両端にそれぞれピッチが２００μｍのプローブを接続した本発明に対応する解析モデルと、前記伝送線路の一端にピッチが２００μｍのプローブを接続させるとともに他端にピッチが１０００μｍのプローブを接続した従来技術に対応する解析モデルとを電磁界シミュレーターを用いて解析した結果によると、本発明に対応するモデルでは従来技術に対応するモデルに対して伝送線路の両端のプローブ間の２０ＧＨｚにおける射損が５ｄＢ程度改善されるとともに、挿入損が０．１ｄＢ程度改善される結果となった。
【００２２】
なお本発明は、上述の実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更は可能であり、例えば上述の実施形態例では、配線基板１０の上面に設けられた半導体素子接続パッド３Ｓ，３Ｇと配線基板１０の下面に設けられた外部接続パッド４Ｓ，４Ｇとの間の伝送特性を測定する場合について説明したが、配線基板の上面側に設けられたパッド同士の間や配線基板の下面側に設けられたパッド同士の間の伝送特性を測定する場合に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００２３】
１ 絶縁基板
２Ｓ 信号線路
２Ｇ 接地線路
３Ｓ 信号用半導体素子接続パッド（第一の信号パッド）
３Ｇ 接地用半導体素子接続パッド（第一の接地パッド）
４Ｓ 信号用外部接続パッド（第二の信号パッド）
４Ｇ 接地用外部接続パッド（第二の接地パッド）
５Ｓ 信号用プローブ接続パッド
５Ｇ 接地用プローブ接続パッド
６ プローブ（第一のプローブ）
７Ｓ 信号用接触端子（第一の信号用接触端子）
７Ｇ 接地用接触端子（第一の接地用接触端子）
８ プローブ（第二のプローブ）
９Ｓ 信号用接触端子（第二の信号用接触端子）
９Ｇ 接地用接触端子（第二の接地用接触端子）
１０ 配線基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のピッチで設けられた第一の信号用パッドおよび第一の接地用パッドと、前記第一のピッチより広い第二のピッチで設けられた第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドと、前記第一の信号用パッドと前記第二の信号用パッドとの間を接続する信号線路および前記第一の接地用パッドと前記第二の接地用パッドとの間を接続する接地線路とを有する配線基板の前記第一の信号用パッドおよび前記第一の接地用パッドと前記第二の信号用パッドおよび前記第二の接地用パッドとの間における高周波信号伝送特性を、両者間に測定装置のプローブを接続して測定する配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法であって、前記配線基板の表面に前記第二の信号用パッドに接続された信号用プローブ接続パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続された接地用プローブ接続パッドを前記信号用プローブ接続パッドと前記接地用プローブ接続パッドとのピッチが前記第二のピッチより狭い第三のピッチに狭まるように設けるとともに、先端部が前記第一のピッチで配置された第一の信号用接触端子および第一の接地用接触端子を有する第一のプローブを、前記第一の信号用接触端子の先端部と前記第一の信号用パッドとを接触させるとともに前記第一の接地用接触端子の先端部と前記第一の接地用パッドとを接触させることにより前記第一の信号用パッドおよび前記第一の接地用パッドに接続するとともに、先端部が前記第三のピッチで配置された第二の信号用接触端子および第二の接地用接触端子を有する第二のプローブを、前記第二の信号用接触端子の先端部と前記信号用プローブ接続パッドとを接触させるとともに前記第二の接地用接触端子の先端部と前記接地用プローブ接続パッドとを接触させることにより前記第二の信号用パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続して測定することを特徴とする配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法。
【請求項２】
前記第一のピッチが１００〜２００μｍであり、前記第二のピッチが８００〜１２００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法。
【請求項３】
前記第三のピッチが１００〜２００μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法。
【請求項４】
第一のピッチで設けられた第一の信号用パッドおよび第一の接地用パッドと、前記第一のピッチより広い第二のピッチで設けられた第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドと、前記第一の信号用パッドと前記第二の信号用パッドとの間を接続する信号線路および前記第一の接地用パッドと前記第二の接地用パッドとの間を接続する接地線路とを有する配線基板であって、前記第二の信号用パッドに接続された信号用プローブ接続パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続された接地用プローブ接続パッドを前記信号用プローブ接続パッドと前記接地用プローブ接続パッドとのピッチが前記第二のピッチより狭い第三のピッチに狭まるように設けたことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
前記第一のピッチが１００〜２００μｍであり、前記第二のピッチが８００〜１２００μｍであることを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第三のピッチが１００〜２００μｍであることを特徴とする請求項４または５に記載の配線基板。
【請求項１】
第一のピッチで設けられた第一の信号用パッドおよび第一の接地用パッドと、前記第一のピッチより広い第二のピッチで設けられた第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドと、前記第一の信号用パッドと前記第二の信号用パッドとの間を接続する信号線路および前記第一の接地用パッドと前記第二の接地用パッドとの間を接続する接地線路とを有する配線基板の前記第一の信号用パッドおよび前記第一の接地用パッドと前記第二の信号用パッドおよび前記第二の接地用パッドとの間における高周波信号伝送特性を、両者間に測定装置のプローブを接続して測定する配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法であって、前記配線基板の表面に前記第二の信号用パッドに接続された信号用プローブ接続パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続された接地用プローブ接続パッドを前記信号用プローブ接続パッドと前記接地用プローブ接続パッドとのピッチが前記第二のピッチより狭い第三のピッチに狭まるように設けるとともに、先端部が前記第一のピッチで配置された第一の信号用接触端子および第一の接地用接触端子を有する第一のプローブを、前記第一の信号用接触端子の先端部と前記第一の信号用パッドとを接触させるとともに前記第一の接地用接触端子の先端部と前記第一の接地用パッドとを接触させることにより前記第一の信号用パッドおよび前記第一の接地用パッドに接続するとともに、先端部が前記第三のピッチで配置された第二の信号用接触端子および第二の接地用接触端子を有する第二のプローブを、前記第二の信号用接触端子の先端部と前記信号用プローブ接続パッドとを接触させるとともに前記第二の接地用接触端子の先端部と前記接地用プローブ接続パッドとを接触させることにより前記第二の信号用パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続して測定することを特徴とする配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法。
【請求項２】
前記第一のピッチが１００〜２００μｍであり、前記第二のピッチが８００〜１２００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法。
【請求項３】
前記第三のピッチが１００〜２００μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の高周波信号伝送特性の測定方法。
【請求項４】
第一のピッチで設けられた第一の信号用パッドおよび第一の接地用パッドと、前記第一のピッチより広い第二のピッチで設けられた第二の信号用パッドおよび第二の接地用パッドと、前記第一の信号用パッドと前記第二の信号用パッドとの間を接続する信号線路および前記第一の接地用パッドと前記第二の接地用パッドとの間を接続する接地線路とを有する配線基板であって、前記第二の信号用パッドに接続された信号用プローブ接続パッドおよび前記第二の接地用パッドに接続された接地用プローブ接続パッドを前記信号用プローブ接続パッドと前記接地用プローブ接続パッドとのピッチが前記第二のピッチより狭い第三のピッチに狭まるように設けたことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
前記第一のピッチが１００〜２００μｍであり、前記第二のピッチが８００〜１２００μｍであることを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第三のピッチが１００〜２００μｍであることを特徴とする請求項４または５に記載の配線基板。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１１−９５１９１（Ｐ２０１１−９５１９１Ａ）
【公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２５１４７２（Ｐ２００９−２５１４７２）
【出願日】平成２１年１０月３０日（２００９．１０．３０）
【出願人】（３０４０２４８９８）京セラＳＬＣテクノロジー株式会社 (213)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１０月３０日（２００９．１０．３０）
【出願人】（３０４０２４８９８）京セラＳＬＣテクノロジー株式会社 (213)
【Ｆターム（参考）】
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