説明

金属粉末の製造方法及び該方法により得られる金属粉末を用いたはんだペースト

【課題】ファインピッチはんだ粉末としての使用に好適な、体積累積中位径D50が1〜5μmの範囲内の金属粉末を簡便な方法で非常に収率良く回収する。
【解決手段】少なくとも1種の卑な金属の陽イオンを主成分として含む第1水溶液と2価クロムイオンを含む第2水溶液とを混合することにより還元反応させて体積累積中位径D50が1〜5μmの金属粉末を製造するに際して、上部が開口した反応容器内部に各先端に排出口を有する第1及び第2供給管の少なくとも各先端部分を導入し、この各先端を容器内底部で互いに間隔を空けて対向するように設置し、第1供給管から第1水溶液を、第2供給管から第2水溶液をそれぞれ容器に導入して、容器底部にて両水溶液を接触させ還元反応を行って金属粉末の核を生じさせ、接触させた両水溶液を容器内に滞留させて、還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、接触させた両水溶液を容器上部から溢れさせる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子基板の接点材料などに用いられる導電性ペースト向けのファインピッチはんだ粉末としての使用に好適な、体積累積中位径(Median径;D50)が1〜5μmの範囲内の金属粉末の製造方法及び該方法により得られる金属粉末を用いたはんだペーストに関する。
【背景技術】
【0002】
電子部品接合に用いられるはんだは環境の面から鉛フリー化が進められ、現在では、錫を主成分として構成されたはんだ粉末が採用されている。はんだ粉末のような微細な金属粉末を得る方法としては、ガスアトマイズ法や回転ディスク法などといったアトマイズ法や、メルトスピニング法、回転電極法などといった機械的プロセスによる方法が知られている。ガスアトマイズ法は、誘導炉やガス炉で金属を溶融した後、金属を溶融した溶湯を貯えるタンディッシュと呼ばれる容器の底のノズルから溶融金属を流下させ、その周囲より高圧ガスを吹き付けて粉化する方法である。回転ディスク法とも呼ばれる遠心力アトマイズ法は、溶融した金属を高速で回転するディスク上に落下させて、接線方向に剪断力を加えて破断して微細粉を作る方法である。
【0003】
一方、電子部品の微細化とともに接合部品のファインピッチ化も進んでおり、より微細な粒径のはんだ粉末が求められているため、こうしたファインピッチ化に向けた技術の改良も盛んに行われている。例えば、ガスアトマイズ法を改良した技術として、ガスを巻き込ませた状態の金属溶湯をノズルから噴出させ、このノズルの周囲から高圧ガスを吹き付ける金属微粉末の製造方法が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。上記特許文献1に記載の方法では、溶湯がノズルを通過する際にガスを巻き込ませることによって、ノズルから出湯した時点で溶湯がすでに分断され、より小さな粉末を製造することができる。
【0004】
また、上記方法とは別の微細な金属粉末を得る方法として、金属塩を含有する水溶液に三塩化チタンを添加し、この三塩化チタンの還元作用を用いて金属粉末等を製造することが開示されている(例えば、特許文献2参照。)。上記特許文献2に記載の方法によれば、安全かつ簡単に粒径の小さい高純度微粉末を製造することができ、微粉末を製造する際に、粉塵公害などが発生せず、低コストで微粉末を製造することができる。
【0005】
更に、第1鉄イオンとクエン酸イオンを含む混合液と、銀塩を含む水溶液とをそれぞれ別のノズルから流出させ、流下途中で合流させて混合し、自然流下中に反応させる銀微粒子コロイド分散液の製造方法が知られている(例えば、特許文献3参照。)。上記特許文献3に記載の方法によれば、銀微粒子の粒径制御が容易で、かつ生産性に優れる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2004−18956号公報(請求項1、段落[0014])
【特許文献2】特許第3018655号公報(請求項1、段落[0007])
【特許文献3】特開2004−68072号公報(請求項1、段落[0009])
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかし、上記特許文献1に記載の方法では、ファインピッチの微細な粉末を得るためには、アトマイズ法で得られた金属微粉末を分級して採取する必要があるため、歩留まりが非常に悪いという問題がある。また、アトマイズ法で得られた歩留まりの良い7μm程度の金属粉末では印刷性が悪く、微小なバンプを狭ピッチに形成することができない。
【0008】
また、上記特許文献2に記載の方法では、高周波を用いた手法によって微細な粉末を得ることはできるが、設備費などのイニシャルコストが非常にかかる問題がある。
昨今の経済状況では高周波炉などイニシャルコストのかかる装置を導入するには困難が大きい。またいずれの系も高温での製造のため危険を伴う。
【0009】
更に、上記特許文献3に記載の方法では、銀のナノ粒子製造に関するものであるが、シングルミクロンサイズの粒子を得ることはできておらず、この方法をはんだ粉末の製造に適用したとしても、ファインピッチに適したはんだ粉末を得ることはできない。
【0010】
本発明の目的は、ファインピッチはんだ粉末としての使用に好適な、体積累積中位径(Median径;D50)が1〜5μmの範囲内の金属粉末を簡便な方法で非常に収率良く回収し得る、金属粉末の製造方法及び該方法により得られる金属粉末を用いたはんだペーストを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の第1の観点は、少なくとも1種の卑な金属の陽イオンを主成分として含む第1水溶液と2価クロムイオンを含む第2水溶液とを混合することにより還元反応させて体積累積中位径D50が1〜5μmの金属粉末を製造する方法において、上部が開口した反応容器の内部に各先端に排出口を有する第1及び第2供給管の少なくとも各先端部分を導入し、かつ、第1及び第2供給管の各先端を容器内の底部で互いに間隔を空けて対向するように設置し、第1供給管から第1水溶液を、第2供給管から第2水溶液をそれぞれ容器に導入して、容器底部にて両水溶液を接触させ還元反応を行って金属粉末の核を生じさせ、接触させた両水溶液を容器内に滞留させることにより、還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、接触させた両水溶液を容器上部から溢れさせることを特徴とする。
【0012】
本発明の第2の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に第1水溶液に含まれる卑な金属が、Sn、Co、Bi、Ge、Ni及びInからなる群より選ばれた1種又は2種以上の金属であることを特徴とする。
【0013】
本発明の第3の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に第1水溶液に貴な金属の陽イオンを更に含み、第1水溶液に含まれる貴な金属が、Au、Ag及びCuからなる群より選ばれた1種又は2種以上の金属であることを特徴とする。
【0014】
本発明の第4の観点は、第1ないし第3の観点に基づく発明であって、更に第1供給管及び第2供給管の内径が4〜12mm、対向する第1供給管の先端及び第2供給管の先端の間隔が4〜10cm、反応容器の容量が0.1〜1L、第1水溶液に含まれる金属の陽イオンの合計モル濃度及び第2水溶液に含まれる2価クロムイオンのモル濃度がそれぞれ0.1〜2.0mol/L、第1水溶液及び第2水溶液のそれぞれの流量が0.05〜2.0L/分であることを特徴とする。
【0015】
本発明の第5の観点は、第1ないし第4の観点に基づく発明であって、更に第1水溶液が、金属粉末の凝集を抑制する分散剤を更に含むことを特徴とする。
【0016】
本発明の第6の観点は、第1ないし第5の観点に基づく発明であって、更に得られる金属粉末の体積累積中位径D50が、1〜5μmであることを特徴とする。
【0017】
本発明の第7の観点は、第1ないし第6の観点に基づく製造方法により得られた金属粉末とはんだ用フラックスを混合しペースト化してなるはんだペーストである。
【0018】
本発明の第8の観点は、第7の観点に基づく発明であって、更に電子部品の実装に用いることを特徴とする。
【発明の効果】
【0019】
本発明の金属粉末の製造方法は、上部が開口した反応容器の内部に各先端に排出口を有する第1及び第2供給管の少なくとも各先端部分を導入し、かつ、第1及び第2供給管の各先端を容器内の底部で互いに間隔を空けて対向するように設置し、第1供給管から少なくとも1種の卑な金属の陽イオンを主成分として含む第1水溶液を、第2供給管から2価クロムイオンを含む第2水溶液をそれぞれ容器に導入して、容器底部にて両水溶液を接触させ還元反応を行って金属粉末の核を生じさせ、接触させた両水溶液を容器内に滞留させることにより、還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、接触させた両水溶液を容器上部から溢れさせることを特徴とする。
【0020】
このような一定の領域で連続的に還元反応する状況を作り出し、且つ、還元反応時間を制御可能な構成としたので、ファインピッチはんだ粉末としての使用に好適な、体積累積中位径D50が1〜5μmの範囲内の金属粉末を簡便な方法で非常に収率良く回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】本発明の製造方法で使用する装置の概略図である。
【図2】本発明の製造方法で使用する別の形態の装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
【0023】
本発明の金属粉末の製造方法は、少なくとも1種の卑な金属の陽イオンを主成分として含む第1水溶液と2価クロムイオンを含む第2水溶液とを混合することにより還元反応させ、体積累積中位径D50が1〜5μmの金属粉末を製造するものである。
【0024】
第1水溶液に含まれる卑な金属としては、Sn、Co、Bi、Ge、Ni及びInからなる群より選ばれた1種又は2種以上の金属が挙げられる。また、第1水溶液には貴な金属の陽イオンを更に含んでもよい。第1水溶液に含まれる貴な金属としては、Au、Ag及びCuからなる群より選ばれた1種又は2種以上の金属が挙げられる。第1水溶液には、金属粉末の凝集を抑制する分散剤を含ませることが好ましい。分散剤としては、セルロースやポリビニルピロリドン(PVP)などの高分子分散剤が挙げられる。第1水溶液の調製は、少なくとも1種の卑な陽イオンを主成分として含む塩酸水溶液や硫酸水溶液をpH2以下、好ましくはpH0.5に調整し、分散剤を添加することにより行われる。
【0025】
第2水溶液に含まれる2価クロムイオンは、還元剤としての機能を有する。この2価クロムイオンは不安定であるため、第2水溶液は第1水溶液と混合する際にその都度調製することが好ましい。具体的には、例えば、塩化第2クロム溶液を非酸化性雰囲気下、好ましくは窒素ガス雰囲気下で金属亜鉛に接触させてクロムを還元し、塩化第1クロム溶液としたものを用いるとよい。塩化第2クロム溶液はpH0〜2に調整することが好ましい。それはpHが上限値を越えると、3価クロムイオンが水酸化物として沈殿するという不具合が生じ易いからである。第2水溶液中の2価クロムイオンは、還元反応に必要なモル濃度を第1水溶液中の陽イオンのモル濃度に合わせ、第1水溶液と同じ容量を用意する。
【0026】
本発明の金属粉末の製造方法の特徴ある構成は、図1に示すように、上部が開口した反応容器11の内部に各先端に排出口を有する第1供給管12a及び第2供給管12bの少なくとも各先端部分を導入し、かつ、第1供給管12a及び第2供給管12bの各先端を反応容器11内の底部で互いに間隔を空けて対向するように設置し、第1供給管12aから第1水溶液を、第2供給管12bから第2水溶液をそれぞれ反応容器11に導入して、反応容器11底部にて両水溶液を接触させ還元反応を行って金属粉末の核を生じさせ、接触させた両水溶液を反応容器11内に滞留させることにより、還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、接触させた両水溶液を反応容器11上部から溢れさせるところにある。この際に、必要に応じて反応容器11内部を撹拌することで、第1供給管12aより供給される第1水溶液と第2供給管12bより供給される第2水溶液をより効率的に接触させることも可能である。なお、図2に示すように、第1供給管12a及び第2供給管12bを反応容器11の側部下方の外部から内部へと貫通させて、第1供給管12a及び第2供給管12bの各先端部分のみを反応容器11内部に設けた構成としても良い。
【0027】
第1水溶液を第1供給管から、第2水溶液を第2供給管からそれぞれ連続的に導入し、反応容器底部で両水溶液を接触させることで、均一な金属粒子の核を生じさせ、続いて、両水溶液の混合液を反応容器内に滞留させることにより、金属粉末の核を一定の粒径まで成長させ、その後、接触させた両水溶液を反応容器上部から溢れさせる。これにより、ファインピッチはんだ粉末としての使用に好適な、体積累積中位径D50が1〜5μmの範囲内の金属粉末を得ることができる。また、導入された一定量の第1水溶液及び第2水溶液が接触し、一定の領域で連続的に還元反応する状況を作り出すことで、結果として、金属粉末を簡便な方法で非常に収率良く回収することができる。なお、反応容器上部から溢れた金属粉末は、既に反応が終了したものであるため、更なる成長(反応)をすることはない。
【0028】
本発明の製造方法では、第1供給管及び第2供給管の内径や対向する第1供給管の先端及び第2供給管の先端の間隔、反応容器の容量、反応溶液の流量を変更することで、還元反応時間を制御できるため、必要に応じて、製造する粒子径の変更が可能である。
【0029】
また、本発明の製造方法は湿式法であり、水溶液調製や、還元反応ともに室温程度の温度で実施可能であるため、イニシャルコストが多大にかかる特殊な装置類も不要である。
【0030】
更に、還元反応は反応容器11の限られた領域内で進行し、終了するため、連続的に第1水溶液及び第2水溶液を導入して金属粉末の製造を行うことができ、スケールアップの際にも諸条件の大幅な変更が不要となる。
【0031】
本発明の金属粉末の製造方法では、図1に示すような製造装置10が使用される。この製造装置10では、反応容器11と第1供給管12aと第2供給管12bと回収槽13を備える。反応容器11及び回収槽13は上部が開口した形状を有する。そして回収槽13は、反応容器11上部から溢れ出る金属粉末を含む両水溶液の混合液を回収するために、反応容器11よりもその口径が一回り大きなものが選択される。この反応容器11の内部には、各先端に排出口を有する第1供給管12a及び第2供給管12bがそれぞれ導入される。第1供給管12a及び第2供給管12bの各先端は反応容器11内の底部で互いに間隔を空けて対向するように設置される。第1供給管12a及び第2供給管12bの形状は、排出口となる先端部分が折れ曲がったL字状が好適である。また、第1供給管12a及び第2供給管12bは同じ長さ及び形状であることが好ましい。更に、第1供給管12a及び第2供給管12bはそれぞれ同じ口径とされる。内部に第1供給管12a及び第2供給管12bがそれぞれ導入された反応容器11は、回収槽13の内部に、その底部と間隔を空けて設けられる。また、製造装置10内は、非酸化性雰囲気下とすることが好ましい。具体的には窒素ガスを導入した雰囲気下で還元反応させることが好ましい。
【0032】
このように構成された製造装置10の第1供給管12aからは第1水溶液を、第2供給管12bからは第2水溶液をそれぞれ反応容器11底部に導入する。第1水溶液と第2水溶液は、互いに同じ流量となるように第1供給管12a及び第2供給管12bにそれぞれ導入する。
【0033】
図1に示すように、第1供給管12a及び第2供給管12bにそれぞれ導入した第1水溶液及び第2水溶液は、反応容器11底部にて接触し、金属粒子の核が形成される。接触した両水溶液の混合液中で形成された金属粒子の核は、反応容器11内に所定の時間滞留させることで、一定の粒径にまで成長する。反応容器11内で一定の粒径にまで成長した金属粉末を含む両水溶液の混合液は、第1水溶液及び第2水溶液を連続的に導入しているため、反応容器の上部へと送られ、その後、反応容器11上部から溢れ出ることにより、回収槽13に回収される。
【0034】
本発明の製造方法では、第1供給管及び第2供給管の内径が4〜12mm、対向する第1供給管の先端及び第2供給管の先端の間隔が4〜10cm、反応容器の容量が0.1〜1L、第1水溶液に含まれる金属の陽イオンの合計モル濃度及び第2水溶液に含まれる2価クロムイオンのモル濃度がそれぞれ0.1〜2.0mol/L、第1水溶液及び第2水溶液のそれぞれの流量が0.05〜2.0L/分の範囲内で、その目的とする粒径に合わせて金属粉末を製造することが好適である。
【0035】
回収槽13に回収された金属粉末を含有するスラリー状の混合液は、水洗、アルコール置換後、減圧乾燥が行われ、更に篩などを用いて解砕が行われることにより、均一な粒子径の金属粉末が得られる。
【0036】
本発明の製造方法により得られる金属粉末は、体積累積中位径D50が1〜5μmであり、ファインピッチ用途のはんだ粉末として好適に用いることができる。
【0037】
本発明のはんだペーストは、前述した製造方法により得られる金属粉末とはんだ用フラックスを混合しペースト化したものである。はんだ用フラックスは、市販されているRAやRMAタイプのフラックスを使用することができる。フラックス比率は10〜20質量%の割合が好ましい。金属粉末とはんだ用フラックスとの混合物は、万能混練機などで解砕、混練が行われ、はんだペーストが作製される。得られたはんだペーストは、ファインピッチ化が進んでいる電子部品、例えば、パッケージ用途、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)用有機セラミック基板、又はCPU(Central Processing Unit)、GPU(Graphic Processing Unit)、チップセット用有機基板等の実装に好適に用いることができる。
【実施例】
【0038】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
【0039】
<実施例1>
先ず、塩化第一スズ(SnCl2)113.83g及び分散剤としてPVP(平均分子量:8000)1.00gをそれぞれ含むpH0.5に調整された塩酸水溶液を1L用意し、これを第1水溶液とした。また、塩化クロム六水和物(CrCl3・6H2O)399.75gをイオン交換水で1.0Lにメスアップした3価クロム水溶液を、亜鉛粒540.00gを充填したガラス製カラムに通液することで得られた2価クロムイオンを含む水溶液を1L用意し、これを第2水溶液とした。
【0040】
次に、図1に示す反応装置の第1供給管から第1水溶液を、第2供給管から第2水溶液を、それぞれ0.1L/分の流量で反応容器底部に導入し、反応容器底部にて両水溶液を接触させ還元反応を行って金属粉末の核を生じさせ、接触させた両水溶液の混合液を反応容器に1分間滞留させることにより、還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、接触させた両水溶液を反応容器上部から溢れさせることで、Sn粉末を連続的に合成した。なお、第1供給管及び第2供給管には内径が全て6mmのものを、反応容器の底部に設置した対向する第1供給管の先端及び第2供給管の先端の間隔を5cmに、反応容器には容器容量が0.2Lのものを使用し、反応に用いた反応容器、第1供給管、第2供給管、反応後の回収槽は全て窒素ガス置換により、不活性ガス雰囲気下で作業を行った。
【0041】
次に、反応容器から回収槽へとオーバーフローした混合液中のSn粉末は、十分な量のイオン交換水で水洗を行い、減圧乾燥後、篩などを用いて解砕を行った。最終的に得られたSn粉末量は68.8gであった。またこのSn粉末について粒度分布測定を行った結果、体積累積中位径D50は1.89μmであった。
【0042】
<実施例2>
先ず、塩化第一スズ(SnCl2)を113.83g、塩化銅二水和物(CuCl2・2H2O)を1.35g及び分散剤としてPVP(平均分子量:8000)を1.00g含むpH0.5に調整された塩酸水溶液を1L用意し、これを第1水溶液とした。また、塩化クロム六水和物(CrCl3・6H2O)399.75gをイオン交換水で1.0Lにメスアップした3価クロム水溶液を、亜鉛粒540.00gを充填したガラス製カラムに通液することで得られた2価クロムイオンを含む水溶液を1L用意し、これを第2水溶液とした。
【0043】
次に、図1に示す反応装置の第1供給管から第1水溶液を、第2供給管から第2水溶液を、それぞれ0.125L/分の流量で反応容器底部に導入し、反応容器底部にて両水溶液を接触させ還元反応を行って金属粉末の核を生じさせ、接触させた両水溶液の混合液を反応容器に1分間滞留させることにより、還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、接触させた両水溶液を反応容器上部から溢れさせることで、Sn−Cu粉末を連続的に合成した。なお、第1供給管及び第2供給管には内径が全て6mmのものを、反応容器の底部に設置した対向する第1供給管の先端及び第2供給管の先端の間隔を6cmに、反応容器には容器容量が0.25Lのものを使用し、反応に用いた反応容器、第1供給管、第2供給管、反応後の回収槽は全て窒素ガス置換により、不活性ガス雰囲気下で作業を行った。
【0044】
次に、反応容器から回収槽へとオーバーフローした混合液中のSn−Cu粉末は、十分な量のイオン交換水で水洗を行い、減圧乾燥後、篩などを用いて解砕を行った。最終的に得られたSn−Cu粉末量は70.2gであった。またこのSn−Cu粉末について粒度分布測定を行った結果、体積累積中位径D50は3.18μmであった。
【0045】
<実施例3>
先ず、塩化第一スズ(SnCl2)を569.15g、塩化銅二水和物(CuCl2・2H2O)を6.75g及び分散剤としてPVP(平均分子量:8000)を5.00g含むpH0.5に調整された塩酸水溶液を5L用意し、これを第1水溶液とした。また、塩化クロム六水和物(CrCl3・6H2O)1998.75gをイオン交換水で5.0Lにメスアップした3価クロム水溶液を、亜鉛粒1080.00gを充填したガラス製カラムに通液することで得られた2価クロムイオンを含む水溶液を5L用意し、これを第2水溶液とした。
【0046】
次に、図1に示す反応装置の第1供給管から第1水溶液を、第2供給管から第2水溶液を、それぞれ0.25L/分の流量で反応容器底部に導入し、反応容器底部にて両水溶液を接触させ還元反応を行って金属粉末の核を生じさせ、接触させた両水溶液の混合液を反応容器に1分間滞留させることにより、還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、接触させた両水溶液を反応容器上部から溢れさせることで、Sn−Cu粉末を連続的に合成した。なお、第1供給管及び第2供給管には内径が全て8mmのものを、反応容器の底部に設置した対向する第1供給管の先端及び第2供給管の先端の間隔を7cmに、反応容器には容器容量が0.5Lのものを使用し、反応に用いた反応容器、第1供給管、第2供給管、反応後の回収槽は全て窒素ガス置換により、不活性ガス雰囲気下で作業を行った。
【0047】
次に、反応容器から回収槽へとオーバーフローした混合液中のSn−Cu粉末は、十分な量のイオン交換水で水洗を行い、減圧乾燥後、篩などを用いて解砕を行った。最終的に得られたSn−Cu粉末量は329.1gであった。またこのSn−Cu粉末について粒度分布測定を行った結果、体積累積中位径D50は4.82μmであった。
【0048】
<実施例4>
先ず、塩化第一スズ(SnCl2)を2276.6g、塩化銅二水和物(CuCl2・2H2O)を27.0g及び分散剤としてPVP(平均分子量:8000)を20.0g含むpH0.5に調整された塩酸水溶液を20L用意し、これを第1水溶液とした。また、塩化クロム六水和物(CrCl3・6H2O)7995.0gをイオン交換水で20.0Lにメスアップした3価クロム水溶液を、亜鉛粒5400.0gを充填したガラス製カラムに通液することで得られた2価クロムイオンを含む水溶液を20L用意し、これを第2水溶液とした。
【0049】
次に、図1に示す反応装置の第1供給管から第1水溶液を、第2供給管から第2水溶液を、それぞれ0.25L/分の流量で反応容器底部に導入し、反応容器底部にて両水溶液を接触させ還元反応を行って金属粉末の核を生じさせ、接触させた両水溶液の混合液を反応容器に1分間滞留させることにより、還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、接触させた両水溶液を反応容器上部から溢れさせることで、Sn−Cu粉末を連続的に合成した。なお、第1供給管及び第2供給管には内径が全て8mmのものを、反応容器の底部に設置した対向する第1供給管の先端及び第2供給管の先端の間隔を7cmに、反応容器には容器容量が0.5Lのものを使用し、反応に用いた反応容器、第1供給管、第2供給管、反応後の回収槽は全て窒素ガス置換により、不活性ガス雰囲気下で作業を行った。
【0050】
次に、反応容器から回収槽へとオーバーフローした混合液中のSn−Cu粉末は、十分な量のイオン交換水で水洗を行い、減圧乾燥後、篩などを用いて解砕を行った。最終的に得られたSn−Cu粉末量は1331.6gであった。またこのSn−Cu粉末について粒度分布測定を行った結果、体積累積中位径D50は4.58μmであった。
【0051】
<実施例5>
先ず、塩化第一スズ(SnCl2)を569.15g、塩化金酸四水和物(HAuCl4・4H2O)を82.75g及び分散剤としてPVP(平均分子量:8000)を5.00g含むpH0.5に調整された塩酸水溶液を5L用意し、これを第1水溶液とした。また、塩化クロム六水和物(CrCl3・6H2O)1998.75gをイオン交換水で5.0Lにメスアップした3価クロム水溶液を、亜鉛粒1080.00gを充填したガラス製カラムに通液することで得られた2価クロムイオンを含む水溶液を5L用意し、これを第2水溶液とした。
【0052】
次に、図1に示す反応装置の第1供給管から第1水溶液を、第2供給管から第2水溶液を、それぞれ0.25L/分の流量で反応容器底部に導入し、反応容器底部にて両水溶液を接触させ還元反応を行って金属粉末の核を生じさせ、接触させた両水溶液の混合液を反応容器に1分間滞留させることにより、還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、接触させた両水溶液を反応容器上部から溢れさせることで、Sn−Au粉末を連続的に合成した。なお、第1供給管及び第2供給管には内径が全て8mmのものを、反応容器の底部に設置した対向する第1供給管の先端及び第2供給管の先端の間隔を7cmに、反応容器には容器容量が0.5Lのものを使用し、反応に用いた反応容器、第1供給管、第2供給管、反応後の回収槽は全て窒素ガス置換により、不活性ガス雰囲気下で作業を行った。
【0053】
次に、反応容器から回収槽へとオーバーフローした混合液中のSn−Au粉末は、十分な量のイオン交換水で水洗を行い、減圧乾燥後、篩などを用いて解砕を行った。最終的に得られたSn−Au粉末量は330.5gであった。またこのSn−Au粉末について粒度分布測定を行った結果、体積累積中位径D50は2.73μmであった。
【0054】
<実施例6>
先ず、塩化第一スズ(SnCl2)を569.15g、塩化コバルト六水和物(CoCl2・6H2O)を159.76g及び分散剤としてPVP(平均分子量:8000)を5.00g含むpH0.5に調整された塩酸水溶液を5L用意し、これを第1水溶液とした。また、塩化クロム六水和物(CrCl3・6H2O)1998.75gをイオン交換水で5.0Lにメスアップした3価クロム水溶液を、亜鉛粒1080.00gを充填したガラス製カラムに通液することで得られた2価クロムイオンを含む水溶液を5L用意し、これを第2水溶液とした。
【0055】
次に、図1に示す反応装置の第1供給管から第1水溶液を、第2供給管から第2水溶液を、それぞれ0.33L/分の流量で反応容器底部に導入し、反応容器底部にて両水溶液を接触させ還元反応を行って金属粉末の核を生じさせ、接触させた両水溶液の混合液を反応容器に1.5分間滞留させることにより、還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、接触させた両水溶液を反応容器上部から溢れさせることで、Sn−Co粉末を連続的に合成した。なお、第1供給管及び第2供給管には内径が全て8mmのものを、反応容器の底部に設置した対向する第1供給管の先端及び第2供給管の先端の間隔を7cmに、反応容器には容器容量が0.5Lのものを使用し、反応に用いた反応容器、第1供給管、第2供給管、反応後の回収槽は全て窒素ガス置換により、不活性ガス雰囲気下で作業を行った。
【0056】
次に、反応容器から回収槽へとオーバーフローした混合液中のSn−Co粉末は、十分な量のイオン交換水で水洗を行い、減圧乾燥後、篩などを用いて解砕を行った。最終的に得られたSn−Co粉末量は321.5gであった。またこのSn−Co粉末について粒度分布測定を行った結果、体積累積中位径D50は4.54μmであった。
【0057】
<実施例7>
先ず、硫酸第一スズ(SnSO4)を128.86g、硝酸銀(AgNO3)を4.09g、硫酸銅五水和物(CuSO4・5H2O)を1.0g及び分散剤としてPVP(平均分子量:8000)を1.00g含むpH0.5に調整された硫酸水溶液を1L用意し、これを第1水溶液とした。また、硫酸クロム(Cr2(SO4)3)588.26gをイオン交換水で1.0Lにメスアップした3価クロム水溶液を、亜鉛粒540.00gを充填したガラス製カラムに通液することで得られた2価クロムイオンを含む水溶液を1L用意し、これを第2水溶液とした。
【0058】
次に、図1に示す反応装置の第1供給管から第1水溶液を、第2供給管から第2水溶液を、それぞれ0.125L/分の流量で反応容器底部に導入し、反応容器底部にて両水溶液を接触させ還元反応を行って金属粉末の核を生じさせ、接触させた両水溶液の混合液を反応容器に1分間滞留させることにより、還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、接触させた両水溶液を反応容器上部から溢れさせることで、Sn−Ag−Cu粉末を連続的に合成した。なお、第1供給管及び第2供給管には内径が全て6mmのものを、反応容器の底部に設置した対向する第1供給管の先端及び第2供給管の先端の間隔を6cmに、反応容器には容器容量が0.25Lのものを使用し、反応に用いた反応容器、第1供給管、第2供給管、反応後の回収槽は全て窒素ガス置換により、不活性ガス雰囲気下で作業を行った。
【0059】
次に、反応容器から回収槽へとオーバーフローした混合液中のSn−Ag−Cu粉末は、十分な量のイオン交換水で水洗を行い、減圧乾燥後、篩などを用いて解砕を行った。最終的に得られたSn−Ag−Cu粉末量は64.9gであった。またこのSn−Ag−Cu粉末について粒度分布測定を行った結果、体積累積中位径D50は3.36μmであった。
【0060】
<比較例1>
先ず、塩化第一スズ(SnCl2)を113.83g、塩化銅二水和物(CuCl2・2H2O)を1.35g及び分散剤としてPVP(平均分子量:8000)を1.00g含むpH0.5に調整された塩酸水溶液を1L用意し、これを第1水溶液とした。また、塩化クロム六水和物(CrCl3・6H2O)266.50gをイオン交換水で1.0Lにメスアップした3価クロム水溶液を、亜鉛粒540.00gを充填したガラス製カラムに通液することで得られた、2価クロムイオンを含む水溶液を1L用意し、これを第2水溶液とした。
【0061】
次に、窒素ガスで内部を不活性雰囲気とした容量2Lの四つ口セパラブルフラスコの上部口部より、第1水溶液及び第2水溶液をそれぞれ流速0.5L/分で注ぎ込み、攪拌により接触混合させ還元反応を行い、Sn−Cu粉末を合成した。
【0062】
反応終了後、Sn−Cu粉末は、十分な量のイオン交換水で水洗を行ったが、反応時或いは洗浄時に凝集が生じたようで、減圧乾燥後、篩を用いて解砕を行ったが、最終的に目開き100ミクロンの篩を通過し、粉末として得られたSn−Cu粉末は15.8gであった。また粉末として得られたSn−Cu粉末について粒度分布測定を行った結果、体積累積中位径D50は17.96μmであった。
【0063】
<比較例2>
先ず、塩化第一スズ(SnCl2)を569.15g、塩化銅二水和物(CuCl2・2H2O)イオンを6.75g及び分散剤としてPVP(平均分子量:8000)を5.00g含むpH0.5に調整された塩酸水溶液を5L用意し、これを第1水溶液とした。また、塩化クロム六水和物(CrCl3・6H2O)1332.50gをイオン交換水で5.0Lにメスアップした3価クロム水溶液を、亜鉛粒2700.00gを充填したガラス製カラムに通液することで得られた2価クロムイオンを含む水溶液を5L用意し、これを第2水溶液とした。
【0064】
次に、窒素ガスで内部を不活性雰囲気とした容量10Lの四つ口セパラブルフラスコの上部口部より、第1水溶液及び第2水溶液をそれぞれ流速0.8L/分で注ぎ込み、攪拌により接触混合させ還元反応を行い、Sn−Cu粉末を合成した。
【0065】
反応終了後、Sn−Cu粉末は、十分な量のイオン交換水で水洗を行ったが、反応時或いは洗浄時に凝集が生じたようで、減圧乾燥後、篩を用いて解砕を行ったが、最終的に目開き100ミクロンの篩を通過し、粉末として得られたSn−Cu粉末は85.9gであった。また粉末として得られたSn−Cu粉末について粒度分布測定を行った結果、体積累積中位径D50は13.86μmであった。
【0066】
【表1】

上記表1は、実施例1〜7及び比較例1,2の金属粉末の製造条件と得られた金属粉末の体積累積中位径D50を示したものである。
【0067】
この表1から明らかなように、本発明の製造方法を用いた実施例1〜7では、体積累積中位径D50が1.89〜4.82μmであった。これに対して比較例1,2では、体積累積中位径D50が10μmを越えており、本発明の製造方法を用いることで、体積累積中位径D50が1〜5μmの範囲内の金属粉末を簡便な方法で得られることが確認された。
【0068】
また、比較例1,2では、多くの凝集物が生じたため、粉末として得られる量が少なく、収率が低い結果となったが、実施例1〜7では、凝集物を生じることがなく、粉末として得られる量が多く、非常に収率良く回収することができることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【0069】
本発明の金属粉末の製造方法では、ファインピッチはんだ粉末としての使用に好適な、体積累積中位径D50が1〜5μmの範囲内の金属粉末を簡便な方法で非常に収率良く回収でき、得られた金属粉末は、狭ピッチバンプ形成用はんだ粉末として利用可能である。
【符号の説明】
【0070】
10 製造装置
11 反応容器
12a 第1供給管
12b 第2供給管
13 回収槽

【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも1種の卑な金属の陽イオンを主成分として含む第1水溶液と2価クロムイオンを含む第2水溶液とを混合することにより還元反応させて体積累積中位径(Median径;D50)が1〜5μmの金属粉末を製造する方法において、
上部が開口した反応容器の内部に各先端に排出口を有する第1及び第2供給管の少なくとも各先端部分を導入し、かつ、前記第1及び第2供給管の各先端を前記容器内の底部で互いに間隔を空けて対向するように設置し、
前記第1供給管から前記第1水溶液を、前記第2供給管から前記第2水溶液をそれぞれ前記容器に導入して、前記容器底部にて前記両水溶液を接触させ還元反応を行って金属粉末の核を生じさせ、
前記接触させた両水溶液を前記容器内に滞留させることにより、前記還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、前記接触させた両水溶液を前記容器上部から溢れさせる
ことを特徴とする金属粉末の製造方法。
【請求項2】
第1水溶液に含まれる卑な金属が、Sn、Co、Bi、Ge、Ni及びInからなる群より選ばれた1種又は2種以上の金属である請求項1記載の製造方法。
【請求項3】
第1水溶液に貴な金属の陽イオンを更に含み、前記第1水溶液に含まれる貴な金属が、Au、Ag及びCuからなる群より選ばれた1種又は2種以上の金属である請求項1記載の製造方法。
【請求項4】
第1供給管及び第2供給管の内径が4〜12mm、対向する第1供給管の先端及び第2供給管の先端の間隔が4〜10cm、反応容器の容量が0.1〜1L、第1水溶液に含まれる金属の陽イオンの合計モル濃度及び第2水溶液に含まれる2価クロムイオンのモル濃度がそれぞれ0.1〜2.0mol/L、前記第1水溶液及び前記第2水溶液のそれぞれの流量が0.05〜2.0L/分である請求項1ないし3いずれか1項に記載の製造方法。
【請求項5】
第1水溶液が、金属粉末の凝集を抑制する分散剤を更に含む請求項1ないし4いずれか1項に記載の製造方法。
【請求項6】
得られる金属粉末の体積累積中位径(Median径;D50)が、1〜5μmである請求項1ないし5いずれか1項に記載の製造方法。
【請求項7】
請求項1ないし6いずれか1項に記載の製造方法により得られた金属粉末とはんだ用フラックスを混合しペースト化してなるはんだペースト。
【請求項8】
電子部品の実装に用いる請求項7記載のはんだペースト。

【図1】
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【図2】
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【公開番号】特開2010−242158(P2010−242158A)
【公開日】平成22年10月28日(2010.10.28)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−91695(P2009−91695)
【出願日】平成21年4月6日(2009.4.6)
【出願人】(000006264)三菱マテリアル株式会社 (4,417)
【Fターム(参考)】