【課題】 耐酸性及び軟性に優れた 鉛フリーはんだ合金、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｎ−Ｚｎ系 鉛フリーはんだ合金に、Ａｇを１〜５重量％添加させ、Ａｇ−Ｚｎ合金相であるガンマ（γ）及びエプシロン（ε）相の分率を５〜２０体積％に形成することで、前記 鉛フリーはんだ合金の軟性だけではなく前記合金の耐酸性を大幅に改善させる。 （もっと読む）

【課題】はんだ成分を自己組織化により基板の電極上に偏在させることにより、保存性、運搬性、及び使用時のハンドリング性に優れ、電極上に選択的にはんだバンプ又ははんだ接合を形成できるリフローフィルムを提供し、更にこれを用いたはんだバンプ又ははんだ接合の簡便な形成方法、これにより形成されたボイドが少なく高さばらつきが少ないはんだバンプ及びはんだバンプ付き基板を提供する。
【解決手段】ポリビニルアルコールと、分子量５００以下の水に溶解または分散する化合物と、分散したはんだ粒子とを含むフィルム２１であって、前記分子量５００以下の化合物はポリビニルアルコール１００質量部に対して２０〜３００質量部であるリフローフィルム、および基板１０の電極１２面側に前記リフローフィルムを載置する工程、さらに平板１２を載置する工程、加熱する工程、及び前記リフローフィルムを溶解除去する工程を含むはんだバンプ形成方法。 （もっと読む）

【課題】従来のフォームはんだ製造方法は、所定量の金属粒を直接溶融はんだ中に投入してから金属粒を分散させるため、フォームはんだ中にフラックスが微量残っていた。そのため従来のフォームはんだ製造方法で得られたフォームはんだではんだ付けを行うとボイドが発生したり、部品が傾斜したりして充分な接合強度が得られなかった。
【解決手段】本発明では、熱分解可能なフラックスと高融点金属粒からなる混合物で混合母合金を作製し、さらに混合母合金を大量の溶融はんだに投入・攪拌してビレットを作製する。そして該ビレットを押出、圧延、打ち抜き工程を経てペレットやワッシャーにする。 （もっと読む）

【課題】 鉛を実質的に含有しない接合材を用い、高温条件においても良好な機械的強度を保持可能な接合体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、金属材料の溶融温度が２６０℃以上であり、鉛及び金を主成分とした金属合金を代替する接合材料として、被接合部に物理蒸着法により形成されるＳｎと、前記Ｓｎより高融点を有する金属材料とからなる接合層を、他方の被接合部に接合することにより、３００℃以上４５０℃以下の温度範囲において、良好な接合状態が確保でき、かつ高い高温強度を維持することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】薄くて、かつ均一な厚さのプリコートハンダ層が形成できるとともに、ＩＭＣの発生が抑えられ、特にプリコートハンダ層の形成に用いた場合に優れたプリコート用ハンダペーストを提供する。
【解決手段】ハンダ粉末とハンダ用フラックスとを含有するプリコート用のハンダペーストにおいて、ハンダ粉末１０は銅からなる中心核と中心核を被覆する錫からなる被覆層とを有するＡ粉末１１と銀からなるＢ粉末１２との混合粉末であって、ハンダ粉末の平均粒径が０．１〜５．０μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非硬化性であり、信頼できるはんだ付け接続を容易にし、かつ従来のエポキシベースのアンダーフィル材料との混和を容易にするようにカスタマイズすることができるフラックス剤を提供する。
【解決手段】カルボン酸、および式（Ｉ）で表されるポリアミンフラックス剤を当初成分として含むフラックス組成物とする。


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は独立して水素、置換Ｃ_１−８０アルキル基、非置換Ｃ_１−８０アルキル基等。Ｒ^７は少なくとも２つの第三級炭素を有する非置換Ｃ_５−８０アルキル基、少なくとも２つの第三級炭素を有する置換Ｃ_５−８０アルキル基等。） （もっと読む）

【課題】酸化防止剤を用いたフラックスにおいて、鉛フリーソルダペーストの保存安定性や加熱時の耐だれ性、耐ソルダボール性を改善すること。
【解決手段】酸化防止剤（Ａ）を含むフリーソルダペースト用フラックスにおいて、ベース樹脂（Ｂ）としてα，β−不飽和カルボン酸変性ロジン水素化物（ｂ１）を、また添加剤として下記般式（１）で表される化合物（Ｃ）を使用する。
【化１】


（式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はいずれも水素又は炭素数１〜３のアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】Sn-Sb系はんだ合金を用いた半導体装置であって、ヒートサイクル時の耐クラック性をより向上した半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】はんだ合金により導電性部材間を接合してなる半導体装置において、前記はんだ合金は、主成分としてSnおよびSbを含有するものとし、前記SnとSbとから生成される金属間化合物の粒径サイズを20μｍ以上とする。半導体装置の製造方法としては、はんだ合金による接合時に、はんだ合金を溶融した後の冷却速度、即ち、はんだ合金の液相線から固相線を通過する冷却勾配（℃／sec）を、２．５〜０．１とする。 （もっと読む）

【課題】ビスマスと錫とを主成分とする粘り性に優れ安価であり、ビスマスと錫とが均一的に分布するな低融点無鉛ハンダ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】低融点無鉛ハンダは、第１所定Ｗｔ％のビスマスと、第２所定Ｗｔ％の錫と銅を含む金属群とからなり、前記金属群は、前記第２所定Ｗｔ％の第３所定Ｗｔ％の銅と、前記第２所定Ｗｔ％の０Ｗｔ％から３Ｗｔ％との間の銀と、残りが錫からなり、前記第１所定Ｗｔ％が５４Ｗｔ％と５６Ｗｔ％との間にあり、前記第２所定Ｗｔ％が４６Ｗｔ％と４４Ｗｔ％との間にあり、 前記第３所定Ｗｔ％が０．６Ｗｔ％と０．８Ｗｔ％の間にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】仮に濡れ性・はんだ溶融性が悪いはんだ合金を用いた場合においても、リフロー時におけるはんだボールを十分に抑制できるはんだ組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のはんだ組成物は、２４０℃以下の融点を有する鉛フリーはんだ粉末と、ロジン系樹脂、活性剤およびチクソ剤を含有するフラックスとを含有し、前記活性剤は、下記一般式（１）で表される多価カルボン酸を含有することを特徴とする。


（前記一般式（１）中、ＸはＯ、Ｓ、ＮＨ、ＮまたはＰを示し、ｍは１〜３の整数を示し、ｎは２または３を示す。） （もっと読む）