電子透かし生成装置、電子透かし検証装置、電子透かし生成方法及び電子透かし検証方法
【課題】悪意のある第三者によって行われる情報に対する改ざん行為を検知することが可能な、電子透かし生成装置、電子透かし検証装置、電子透かし生成方法及び電子透かし検証方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る電子透かし生成装置は、電子機器の特性を計測するセンサにより取得された物理データを利用して、前記電子機器を特徴付ける機器特徴情報を生成する機器特徴情報生成部と、前記機器特徴情報に対して情報の改ざんがなされたか否かを検知するために利用される電子透かし情報を生成する電子透かし生成部と、前記機器特徴情報を解析して、前記電子透かし情報を前記機器特徴情報に埋め込む位置を決定する埋め込み位置決定部と、前記電子透かし生成部が生成した前記電子透かし情報を、前記位置決定部が決定した前記機器特徴情報の位置に埋め込む電子透かし埋め込み部と、を備える。
【解決手段】本発明に係る電子透かし生成装置は、電子機器の特性を計測するセンサにより取得された物理データを利用して、前記電子機器を特徴付ける機器特徴情報を生成する機器特徴情報生成部と、前記機器特徴情報に対して情報の改ざんがなされたか否かを検知するために利用される電子透かし情報を生成する電子透かし生成部と、前記機器特徴情報を解析して、前記電子透かし情報を前記機器特徴情報に埋め込む位置を決定する埋め込み位置決定部と、前記電子透かし生成部が生成した前記電子透かし情報を、前記位置決定部が決定した前記機器特徴情報の位置に埋め込む電子透かし埋め込み部と、を備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子機器の特性を計測するセンサにより取得された物理データを利用して、前記電子機器を特徴付ける機器特徴情報を生成する機器特徴情報生成部と、
前記機器特徴情報に対して情報の改ざんがなされたか否かを検知するために利用される電子透かし情報を生成する電子透かし生成部と、
前記機器特徴情報を解析して、前記電子透かし情報を前記機器特徴情報に埋め込む位置を決定する埋め込み位置決定部と、
前記電子透かし生成部が生成した前記電子透かし情報を、前記位置決定部が決定した前記機器特徴情報の位置に埋め込む電子透かし埋め込み部と、
を備え、
前記埋め込み位置決定部は、前記機器特徴情報のうち、雑音が大きな位置、SN比が大きい位置または高周波数領域の何れかを、前記電子透かし情報を埋め込む位置として決定する、電子透かし生成装置。
【請求項2】
前記電子透かし生成部は、前記物理データ、時刻情報及び前記電子透かしを検証する検証装置との間で共有される共有情報の少なくとも何れかを用いて、前記電子透かし情報を生成する、請求項1に記載の電子透かし生成装置。
【請求項3】
前記電子透かし情報の埋め込まれた前記機器特徴情報は、自装置と前記検証装置との間に位置する中継装置を介して前記検証装置に送信されており、
前記電子透かし生成部は、前記時刻情報を少なくとも用いて前記電子透かし情報を生成し、
前記電子透かし情報生成装置は、前記電子透かし情報の埋め込まれた前記機器特徴情報を、定期的に前記検証装置に送信する、請求項2に記載の電子透かし生成装置。
【請求項4】
情報の改ざんがなされたか否かを検知するために利用される電子透かし情報が埋め込まれており、電子機器の特性を計測するセンサにより取得された物理データを利用して生成される機器特徴情報を解析して、前記電子透かし情報の埋め込まれている位置を特定する埋め込み位置特定部と、
前記電子透かし情報の埋め込まれた前記機器特徴情報のうち前記埋め込み位置特定部によって特定された位置から、前記電子透かし情報を抽出する電子透かし抽出部と、
前記電子透かし抽出部によって抽出された前記電子透かし情報を検証する電子透かし検証部と、
を備え、
前記埋め込み位置特定部は、前記機器特徴情報のうち、雑音が大きな位置、SN比が大きい位置または高周波数領域の何れかを、前記電子透かし情報が埋め込まれている位置として特定する、電子透かし検証装置。
【請求項5】
前記電子透かし情報は、前記物理データ、時刻情報及び前記電子透かしを生成する生成装置との間で共有される共有情報の少なくとも何れかを用いて生成されたものであり、前記電子透かし情報を生成するために利用した情報の種別は、前記生成装置との間で共有されており、
前記電子透かし検証部は、
前記生成装置との間で共有されている、前記電子透かし情報を生成するために利用した情報の種別に基づいて、前記電子透かし情報を生成し、
前記電子透かし抽出部が抽出した前記電子透かし情報と、生成した前記電子透かし情報とを比較することで、前記電子透かし情報の生成を行う、請求項4に記載の電子透かし検証装置。
【請求項6】
前記電子透かし情報の埋め込まれた前記機器特徴情報は、自装置と前記生成装置との間に位置する中継装置を介して前記生成装置から送信されており、
前記電子透かし情報は、前記時刻情報を少なくとも用いて生成されており、
前記電子透かし検証部は、電子透かし情報の検証に成功するか否かに基づいて、前記中継装置に生じた異常を検知する、請求項5に記載の電子透かし検証装置。
【請求項7】
電子機器の特性を計測するセンサにより取得された物理データを利用して、前記電子機器を特徴付ける機器特徴情報を生成するステップと、
前記機器特徴情報に対して情報の改ざんがなされたか否かを検知するために利用される電子透かし情報を生成するステップと、
前記機器特徴情報を解析して、前記電子透かし情報を前記機器特徴情報に埋め込む位置を決定するステップと、
前記電子透かし生成部が生成した前記電子透かし情報を、前記埋め込み位置を決定するステップにより決定された前記機器特徴情報の位置に埋め込むステップと、
を含み、
前記埋め込み位置を決定するステップでは、前記機器特徴情報のうち、雑音が大きな位置、SN比が大きい位置または高周波数領域の何れかを、前記電子透かし情報を埋め込む位置として決定する、電子透かし生成方法。
【請求項8】
情報の改ざんがなされたか否かを検知するために利用される電子透かし情報が埋め込まれており、電子機器の特性を計測するセンサにより取得された物理データを利用して生成される機器特徴情報を解析して、前記電子透かし情報の埋め込まれている位置を特定するステップと、
前記電子透かし情報の埋め込まれた前記機器特徴情報のうち、前記埋め込みを特定するステップにより特定された位置から、前記電子透かし情報を抽出するステップと、
前記電子透かし情報を抽出するステップによって抽出された前記電子透かし情報を検証するステップと、
を含み、
前記埋め込み位置を特定するステップでは、前記機器特徴情報のうち、雑音が大きな位置、SN比が大きい位置または高周波数領域の何れかを、前記電子透かし情報が埋め込まれている位置として特定する、電子透かし検証方法。
【請求項1】
電子機器の特性を計測するセンサにより取得された物理データを利用して、前記電子機器を特徴付ける機器特徴情報を生成する機器特徴情報生成部と、
前記機器特徴情報に対して情報の改ざんがなされたか否かを検知するために利用される電子透かし情報を生成する電子透かし生成部と、
前記機器特徴情報を解析して、前記電子透かし情報を前記機器特徴情報に埋め込む位置を決定する埋め込み位置決定部と、
前記電子透かし生成部が生成した前記電子透かし情報を、前記位置決定部が決定した前記機器特徴情報の位置に埋め込む電子透かし埋め込み部と、
を備え、
前記埋め込み位置決定部は、前記機器特徴情報のうち、雑音が大きな位置、SN比が大きい位置または高周波数領域の何れかを、前記電子透かし情報を埋め込む位置として決定する、電子透かし生成装置。
【請求項2】
前記電子透かし生成部は、前記物理データ、時刻情報及び前記電子透かしを検証する検証装置との間で共有される共有情報の少なくとも何れかを用いて、前記電子透かし情報を生成する、請求項1に記載の電子透かし生成装置。
【請求項3】
前記電子透かし情報の埋め込まれた前記機器特徴情報は、自装置と前記検証装置との間に位置する中継装置を介して前記検証装置に送信されており、
前記電子透かし生成部は、前記時刻情報を少なくとも用いて前記電子透かし情報を生成し、
前記電子透かし情報生成装置は、前記電子透かし情報の埋め込まれた前記機器特徴情報を、定期的に前記検証装置に送信する、請求項2に記載の電子透かし生成装置。
【請求項4】
情報の改ざんがなされたか否かを検知するために利用される電子透かし情報が埋め込まれており、電子機器の特性を計測するセンサにより取得された物理データを利用して生成される機器特徴情報を解析して、前記電子透かし情報の埋め込まれている位置を特定する埋め込み位置特定部と、
前記電子透かし情報の埋め込まれた前記機器特徴情報のうち前記埋め込み位置特定部によって特定された位置から、前記電子透かし情報を抽出する電子透かし抽出部と、
前記電子透かし抽出部によって抽出された前記電子透かし情報を検証する電子透かし検証部と、
を備え、
前記埋め込み位置特定部は、前記機器特徴情報のうち、雑音が大きな位置、SN比が大きい位置または高周波数領域の何れかを、前記電子透かし情報が埋め込まれている位置として特定する、電子透かし検証装置。
【請求項5】
前記電子透かし情報は、前記物理データ、時刻情報及び前記電子透かしを生成する生成装置との間で共有される共有情報の少なくとも何れかを用いて生成されたものであり、前記電子透かし情報を生成するために利用した情報の種別は、前記生成装置との間で共有されており、
前記電子透かし検証部は、
前記生成装置との間で共有されている、前記電子透かし情報を生成するために利用した情報の種別に基づいて、前記電子透かし情報を生成し、
前記電子透かし抽出部が抽出した前記電子透かし情報と、生成した前記電子透かし情報とを比較することで、前記電子透かし情報の生成を行う、請求項4に記載の電子透かし検証装置。
【請求項6】
前記電子透かし情報の埋め込まれた前記機器特徴情報は、自装置と前記生成装置との間に位置する中継装置を介して前記生成装置から送信されており、
前記電子透かし情報は、前記時刻情報を少なくとも用いて生成されており、
前記電子透かし検証部は、電子透かし情報の検証に成功するか否かに基づいて、前記中継装置に生じた異常を検知する、請求項5に記載の電子透かし検証装置。
【請求項7】
電子機器の特性を計測するセンサにより取得された物理データを利用して、前記電子機器を特徴付ける機器特徴情報を生成するステップと、
前記機器特徴情報に対して情報の改ざんがなされたか否かを検知するために利用される電子透かし情報を生成するステップと、
前記機器特徴情報を解析して、前記電子透かし情報を前記機器特徴情報に埋め込む位置を決定するステップと、
前記電子透かし生成部が生成した前記電子透かし情報を、前記埋め込み位置を決定するステップにより決定された前記機器特徴情報の位置に埋め込むステップと、
を含み、
前記埋め込み位置を決定するステップでは、前記機器特徴情報のうち、雑音が大きな位置、SN比が大きい位置または高周波数領域の何れかを、前記電子透かし情報を埋め込む位置として決定する、電子透かし生成方法。
【請求項8】
情報の改ざんがなされたか否かを検知するために利用される電子透かし情報が埋め込まれており、電子機器の特性を計測するセンサにより取得された物理データを利用して生成される機器特徴情報を解析して、前記電子透かし情報の埋め込まれている位置を特定するステップと、
前記電子透かし情報の埋め込まれた前記機器特徴情報のうち、前記埋め込みを特定するステップにより特定された位置から、前記電子透かし情報を抽出するステップと、
前記電子透かし情報を抽出するステップによって抽出された前記電子透かし情報を検証するステップと、
を含み、
前記埋め込み位置を特定するステップでは、前記機器特徴情報のうち、雑音が大きな位置、SN比が大きい位置または高周波数領域の何れかを、前記電子透かし情報が埋め込まれている位置として特定する、電子透かし検証方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66A】
【図66B】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71A】
【図71B】
【図71C】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81A】
【図81B】
【図82】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66A】
【図66B】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71A】
【図71B】
【図71C】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81A】
【図81B】
【図82】
【公開番号】特開2011−155323(P2011−155323A)
【公開日】平成23年8月11日(2011.8.11)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−13674(P2010−13674)
【出願日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【公序良俗違反の表示】
(特許庁注:以下のものは登録商標)
1.ZIGBEE
【出願人】(000002185)ソニー株式会社 (34,172)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年8月11日(2011.8.11)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【公序良俗違反の表示】
(特許庁注:以下のものは登録商標)
1.ZIGBEE
【出願人】(000002185)ソニー株式会社 (34,172)
【Fターム(参考)】
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