電子部品、パッケージおよび赤外線センサ
【課題】 素子を基体表面上に直接配設することにより、電子部品をある程度低背化させることができる。しかしながら、一方で、素子を基体表面上に直接配設しているため、電子部品の製造時および使用時に基体から発生する気体分子の影響を素子が大きく受け、素子の特性が低下する可能性がある。
【解決手段】 主面に第１の凹部５を有する基体３と、第１の凹部５内に配設された素子７と、第１の凹部５を封止するように基体３上に配設された蓋体９とを備え、基体３が、素子７の下に位置する部分に第２の凹部１１を有し、第２の凹部１１の開口部が素子７の下に位置する部分と素子７の周囲に位置する部分とを有していて、第２の凹部１１において基体３が素子７から部分的に離隔し、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を更に備えた電子部品１とする。
【解決手段】 主面に第１の凹部５を有する基体３と、第１の凹部５内に配設された素子７と、第１の凹部５を封止するように基体３上に配設された蓋体９とを備え、基体３が、素子７の下に位置する部分に第２の凹部１１を有し、第２の凹部１１の開口部が素子７の下に位置する部分と素子７の周囲に位置する部分とを有していて、第２の凹部１１において基体３が素子７から部分的に離隔し、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を更に備えた電子部品１とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度センサ素子、赤外線センサ素子、ジャイロセンサ素子および水晶振動子のようなデバイスを真空封止する電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
加速度センサ素子、赤外線センサ素子、ジャイロセンサ素子および水晶振動子のような素子が内部に封止された電子部品においては、上記の素子の特性を高めるため、電子部品内に存在する気体分子の量を少なくすることが求められている。この気体分子の量を少なくするため、特許文献１に開示されているように、電子部品内にゲッター材を配設することが知られている。ゲッター材を配設することにより、電子部品内に存在する気体分子がゲッター材に吸着されるので、電子部品内に存在する気体分子の量を少なくすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２５１２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されている電子部品では、気体分子を吸着するためのゲッター材が、蓋体の内面上に配設されているため、電子部品の低背化（小型化）が困難となっていた。素子を基体表面上に直接配設することにより、電子部品をある程度低背化させることができる。しかしながら、一方で、素子を基体表面上に直接配設しているため、電子部品の製造時および使用時に基体から発生する気体分子の影響を素子が大きく受け、素子の特性が低下する可能性がある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、素子の特性を高めつつ小型化が可能な電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電子部品は、主面に第１の凹部を有する基体と、前記第１の凹部内に配設された素子と、前記第１の凹部を封止するように前記基体上に配設された蓋体とを備えた電子部品であって、前記基体は、前記素子の下に位置する部分に第２の凹部を有し、該第２の凹部を平面視した場合に、前記第２の凹部の開口部が前記素子の下に位置する部分と前記素子の周囲に位置する部分とを有していて、前記第２の凹部において前記基体が前記素子から部分的に離隔しているとともに、前記第２の凹部内に配設されたゲッター材を更に備えていることを特徴とするものである。
【０００７】
本発明の電子部品は、上記構成において、前記ゲッター材と電気的に接続され、前記ゲッター材を通電加熱する端子を更に備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の電子部品は、上記構成において、前記基体中の前記ゲッター材の下に位置する部分に埋設されたヒータを更に備えていることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の電子部品は、上記構成において、前記第２の凹部の開口部が、前記素子の周囲に位置する部分を複数有していることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明のパッケージは、主面に素子が配設される第１の凹部を有する基体を備えたパッケージであって、前記基体が前記素子から部分的に離隔するように前記素子の配設領域に第２の凹部を有し、該第２の凹部を平面視した場合に、前記第２の凹部の開口部が前記素子の下に位置する部分と前記素子の周囲に位置する部分とを有していて、前記第２の凹部内に配設されたゲッター材を更に備えていることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の赤外線センサは、基板と、該基板上に配設された請求項１に記載の電子部品と、前記素子に通電する通電部材とを備え、前記素子が赤外線センサ素子であるものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電子部品によれば、基体が、素子の下に位置する部分に第２の凹部を有し、第２の凹部を平面視した場合に、第２の凹部の開口部が素子の下に位置する部分と素子の周囲に位置する部分とを有していて、第２の凹部において基体が素子から部分的に離隔し、加えて、第２の凹部内に配設されたゲッター材を更に備えていることから、電子部品のサイズを小型化しつつ、電子部品の製造時および使用時における基体から発生する気体分子の素子への影響を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる電子部品を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態にかかる電子部品を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態にかかる電子部品を示す断面図である。
【図４】図３に示す実施形態にかかる電子部品のＡ−Ａ断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態にかかる電子部品の変形例を示すＡ−Ａ断面図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる赤外線センサを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の電子部品およびパッケージについて図面を用いて詳細に説明する。図１〜図６において、１は電子部品、３は基体、３ａは主面、５は第１の凹部、７は素子、９は蓋体、１１は第２の凹部、１３はゲッター材、１５は接続部材、１７は端子、１９はヒータ、２１はパッケージ、２３は赤外線センサ、２５は基体、２７は通電部材、２９は配線導体、３１は引出電極である。
【００１５】
図１に示す例のように、本発明の第１の実施形態にかかる電子部品１は、主面３ａに第１の凹部５を有する基体３と、第１の凹部５内に配設された素子７と、第１の凹部５を封止するように基体３上に配設された蓋体９とを備えている。
【００１６】
また、基体３は、素子７の下に位置する部分に第２の凹部１１を有し、第２の凹部１１を平面視した場合に、第２の凹部１１の開口部が素子７の下に位置する部分と素子７の周囲に位置する部分とを有している。また、第２の凹部１１において基体３が素子７から部分的に離隔している。そして、本実施形態にかかる電子部品１は、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を更に備えている。
【００１７】
本実施形態にかかる電子部品１は、素子７を基体３の凹部内に配設しているため、電子部品１の低背化が可能であるので、電子部品１のサイズを小型化することができる。また、基体３が素子７の下に位置する部分に第２の凹部１１を有し、また、第２の凹部１１において基体３が素子７から部分的に離隔していることから、基体３と素子７との接触面積を小さくすることができるので、電子部品１の製造時および使用時における基体３から発生する気体分子の素子７への影響を小さくすることができる。
【００１８】
さらに、本実施形態にかかる電子部品１は、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を更に備えているため、ゲッター材が蓋体の内面上に配設されている場合と比べて、広い面積を有する第２の凹部１１の底面にゲッター材を配置していることから、ゲッター材の表面積を大きくすることができるので、より多くの気体分子を吸着することができる。また、第２の凹部１１の開口部の一部が素子７の周囲に位置しているので、第２の凹部１１内に存在する気体分子だけでなく、第１の凹部５内に存在する気体分子もゲッター材１３によって吸着することができる。従って、電子部品１の製造時および使用時における基体３から発生する気体分子の素子７への影響をさらに小さくすることができる。このように、本実施形態にかかる電子部品１は、従来の電子部品と比較して、電子部品のサイズを小型化しつつ、電子部品から素子へ伝わる熱を抑制して素子７への熱による影響を小さくすることができる。
【００１９】
また、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を備えていることにより、電子部品１の、蓋体９によって封止された封止空間である第１の凹部内および第２の凹部内の圧力をより小さくすることができる。これは、電子部品１内に存在する気体分子がゲッター材１３に吸着されるからである。なお、第１の凹部内および第２の凹部内に存在する気体分子としては、電子部品１の製造時および使用時において、基体３および蓋体９のような電子部品１を構成する部材から発生するガスや製造時に混入するＨ２Ｏなどの気体が挙げられる。
【００２０】
言い換えれば、本実施形態にかかる電子部品１は、主面３ａに素子７が配設される第１の凹部５を有する基体３を備え、基体３が素子７から部分的に離隔するように素子７の配設領域に第２の凹部１１を有し、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を更に備えたパッケージ２１を具備している。このようなパッケージを用いることで、第２の凹部１１内に、従来のパッケージよりも広い面積でゲッター材１３を配置できるので、内部の圧力がより低い電子部品１を作製するうえで有効である。
【００２１】
さらに、本実施形態にかかる電子部品１は、第１の凹部５を封止するように基体３上に配設された蓋体９と、第１の凹部５内における配設領域に配設された素子７とを更に具備している。
【００２２】
本実施形態にかかる電子部品１は、主面３ａに第１の凹部５を有する基体３を備えている。この第１の凹部５内に、後述する素子７を配設するとともに、蓋体９を用いて第１の凹部５を封止することにより、電子部品１として用いることができる。
【００２３】
基体３としては、絶縁性の部材を用いることが好ましい。具体的には、例えば、アルミナセラミックスおよびムライトセラミックスのようなセラミックス材料を主成分としたものを用いることができる。
【００２４】
本実施形態にかかる電子部品１は、第１の凹部５内に配設された素子７を備えている。素子７としては、加速度センサ素子、赤外線センサ素子、ジャイロセンサ素子および水晶振動子のようなデバイスを用いることができる。例えば、赤外線センサを作製する場合には、素子７として赤外線センサ素子を第１の凹部５内に配設すればよい。また、加速度センサを作製する場合には、素子７として加速度センサ素子を第１の凹部５内に配設すればよい。
【００２５】
本実施形態にかかる電子部品１は、第１の凹部５を封止するように基体３上に配設された蓋体９を備えている。蓋体９としては、接合面にメタライズが形成されたセラミックスまたはガラスのような絶縁部材や、金属部材およびシリコンを用いることが好ましい。セラミックスの場合には、例えば、アルミナセラミックスおよびムライトセラミックスのようなセラミックス材料を主成分としたもの並びにガラス部材を用いることができる。
【００２６】
蓋体９は、接合部材１５を介して基体３と接合されている。接合部材１５を用いて基体３と蓋体９とを接合することにより、基体３と蓋体９との間を封止することができる。接合部材１５としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｃｕおよびこれらの合金を主成分とするものを用いることができる。
【００２７】
また、基体３は、主面３ａに垂直な断面において、素子７の下に位置する部分に第２の凹部１１を有している。そして、第２の凹部１１において基体３が素子７から部分的に離隔している。このため、基体３と素子７の接触面積を小さくすることができるので、基体３と素子７が接する部分で、基体３から素子７へ伝わる熱を抑制して素子７への熱による影響を小さくすることができる。
【００２８】
第２の凹部１１の深さはゲッター材１３の厚みよりも０．１ｍｍ以上深いことが好ましい。これは、第２の凹部１１の深さをゲッター材１３の厚みよりも０．１ｍｍ以上深くすることにより、ゲッター材１３の表面に１０〜２０μｍ程度の凹凸が生じても、素子７とゲッター材１３とが接触する可能性を小さくすることができるからである。また、第２の凹部１１の幅はゲッター材１３の幅よりも０．１ｍｍ以上広いことが好ましい。第２の凹部１１の幅はゲッター材１３の幅よりも０．１ｍｍ以上広くすることにより、ゲッター材１３を配置する位置がずれても、第２の凹部１１の内壁面とゲッター材１３とが接触する可能性を小さくすることができるからである。そのため、加熱時におけるゲッター材１３の活性の均一性を高めることができる。
【００２９】
また、基体３の寸法が縦５ｍｍ〜５０ｍｍ，横５ｍｍ〜５０ｍｍ，厚さ０．５ｍｍ〜５ｍｍであって、第１の凹部５の寸法が縦３．５ｍｍ〜４８ｍｍ，横３．５ｍｍ〜４８ｍｍ，深さ０．２ｍｍ〜４．５ｍｍの場合であれば、第２の凹部11の寸法は、縦２．５ｍｍ〜４６ｍｍ，横２．５ｍｍ〜４６ｍｍ，深さ０．１ｍｍ〜４ｍｍに形成されていることが好ましい。例えば、基体３の寸法が縦１５ｍｍ，横１５ｍｍ，厚さ２ｍｍであって、第１の凹部５の寸法が縦１０ｍｍ，横１０ｍｍ，深さ１ｍｍの場合であれば、第２の凹部11の寸法は、縦８ｍｍ，横８ｍｍ，深さ０．５ｍｍである。
【００３０】
また、本実施形態にかかる電子部品１のように、主面３ａに垂直な１つの断面において、主面３ａに平行な方向に対する素子７の幅Ｌ１が、主面３ａに平行な方向に対する第２の凹部１１の開口部の幅Ｌ２よりも大きい。これにより、基体３と素子７の接合面積を小さくしつつも、基体３によって素子７を安定して支持することができるので、素子７の位置ずれが生じる可能性を抑制することができる。具体的には、図１に示す例のように、主面３ａに垂直な断面において、素子７の一方の端部および他方の端部が基体３により支持されていることが好ましい。
【００３１】
また、このとき図１に示す例のように、素子７は、底面だけでなく側面の少なくとも一部においても基体３により支持されていることが好ましい。これにより、素子７の位置ずれが生じる可能性をさらに抑制することができるので、基体３によって素子７をさらに安定して支持することができる。
【００３２】
電子部品１は、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を備えている。
【００３３】
ゲッター材１３としては、化学的に活性な部材を用いることが好ましい。具体的には、Ｔｉ，Ｚｒ，ＦｅおよびＶを主成分とする金属粉末を、ニトロセルロース樹脂およびエチルセルロース樹脂等の有機溶剤と混合して、導体ペーストを作製し、スクリーン印刷法等の印刷方法によってゲッター材１３となる導体ペーストを所望の位置および厚さに印刷する。その後、不活性ガス雰囲気中（例えば、アルゴン雰囲気中）や真空雰囲気で２００℃〜３００℃で加熱して、有機溶剤を蒸発させて除去することによってゲッター材を配設することができる。配設の方法としては、一般的な蒸着方法，スパッタリング方法またはゲッター部材２２をタブレット状にして接着剤などを用いて接着させる方法によって形成しても良い。また、ゲッター材１３は縦２．４ｍｍ〜４５ｍｍ，横２．４ｍｍ〜４５ｍｍ，厚さ０．５μｍ〜１ｍｍであることが好ましい。ゲッター材１３の厚みが０．５μｍ以上である場合には、安定してガス吸着の効果をゲッター材１３から得ることができる。また、ゲッター材１３の厚みが１．０μｍ以下である場合には、ゲッター材１３の熱容量が過度に大きくなることを抑制することができるので、ゲッター材１３の加熱時におけるゲッター材１３の活性の均一性を高めることができる。
【００３４】
これは、ゲッター材１３の表面に吸着したガスとの化合物による酸化膜のような皮膜が形成されている場合、ゲッター材１３による気体分子を吸着する効果が小さくなる。しかしながら、ゲッター材１３を加熱することにより、ゲッター材１３の表面に存在するガスとの化合物をゲッター材１３の内部に拡散させることができる。これにより、ゲッター材１３の表面に新しい活性面を形成することができるので、ゲッター材１３による気体分子を吸着する効果を再び向上させることができる。なお、ゲッター材１３の表面に新しい活性面を効率良く形成するためには、ゲッター材１３は２５０〜５００℃で加熱することが好ましい。
【００３５】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００３６】
図２に示す例のように、本実施形態の電子部品１は、第１の実施形態と比較して、ゲッター材１３を加熱するためのヒータ１９を更に備えている。本実施形態においてヒータ１９は、基体３中のゲッター材１３の下に位置する部分に埋設されている。上記のヒータ１９を備えていることにより、電子部品１の第１の凹部５および第２の凹部１１の内圧をさらに小さくできるからである。
【００３７】
ヒータ１９は、例えば、タングステンの金属粉末を、ニトロセルロース樹脂およびエチルセルロース樹脂等の有機溶剤と混合して、導体ペーストを作製し、スクリーン印刷法等の印刷方法によってヒータ１９となる導体ペーストを基体３の内部に所望の位置に所望の厚さとなるように印刷することによって形成する。なお、このようなヒータ１９は、平面視でゲッター材と同程度の寸法で１０〜５０μｍの厚さに形成される。また、このようなヒータ１９を、例えばミアンダ状のパターン等に形成することによって、同じ面積であっても大きな熱を発生させることもできる。このようなヒータ１９は通電することによって発熱させることができるものである。そして、このようなヒータ１９に、例えば、２〜５Ａ程度の電流を１５〜３０分間印加して、ゲッター材１３が２５０〜５００℃の温度となるように加熱することによって、ゲッター材を活性化することができる。一方で、基体３および蓋体９まで加熱してしまうと、これらの部材からガスが発生して、電子部品１の内圧が大きくなるため、素子７の特性が低下する可能性がある。また、素子７が加熱されることにより、素子７の特性が低下する可能性もある。
【００３８】
従って、本実施形態にかかる電子部品１では、ヒータ１９が、基体３中のゲッター材１３の下に位置する部分に埋設されていることから、ゲッター材１３を効率良く加熱するとともに、基体３、蓋体９および素子７への加熱を抑制することができる。これにより、基体３および蓋体９からのガスの発生を抑制しつつ、ゲッター材１３の表面に新しい活性面を効率良く形成することができる。
【００３９】
特に、主面３ａに垂直な基体３の断面において、ヒータ１９が、ゲッター材１３における主面３ａに平行な方向の幅の範囲内に位置していることが好ましい。これにより、ヒータ１９で発生した熱がゲッター材１３に十分に伝わると共に、ゲッター材１３により伝わることによって、素子７へ熱が伝わることをさらに抑制することができるからである。
【００４０】
次に、本発明の第３の実施形態について説明をする。
【００４１】
図３および図４に示す例のように、本実施形態の電子部品１は、第１の実施形態と比較して、素子７が配置された第２の凹部１１を平面視した場合に、第２の凹部１１の開口部が、素子７の下に位置する部分と、素子７の周囲に位置する部分とを複数有している。このように、第２の凹部１１の開口部が、素子７の周囲に複数位置していることにより、第１の凹部５内に存在する気体分子と第２の凹部１１内に存在する気体分子とが循環しやすくなるので、第１の凹部５内に存在する気体分子および第２の凹部１１内に存在する気体分子をより効率よくゲッター材１３に吸着させることができる。
【００４２】
より具体的には、図４に示す例のように、平面視で素子７の上方および下方のそれぞれにおいて、第２の凹部１１の開口部が、第１の凹部５に向かって開口していることにより、第１の凹部５内に存在する気体分子を、より効率良くゲッター材１３に吸着させることができる。
【００４３】
また、図５に示す例のように、素子７が平面視で矩形状であって、素子７の四隅がそれぞれ基体３により支持されているとともに、素子７の４つのそれぞれの側面において、第２の凹部１１の開口部が、第１の凹部５に向かって開口している実施形態においても図４に示す例の場合と同様に、第１の凹部５内に存在する気体分子を、より効率良くゲッター材１３に吸着させることができる。
【００４４】
また、図５に示す例のように、平面視で矩形状の素子７と基体３とが素子７の角部で接合されていて、第２の凹部１１の内壁面のうち、素子７の角部付近に対応する部分が平面視で曲線である場合には、素子７と基体３との接合面に加わる応力を緩和させることができるので好ましい。
【００４５】
次に、本発明の電子部品の製造方法について詳細に説明する。
【００４６】
まず、主面３ａ上に第１の凹部５および第２の凹部１１を有する基体３を準備する。具体的には、アルミナセラミックスおよびムライトセラミックス等のセラミックス材料を主成分とするセラミックグリーンシートを積層して、第１の凹部５および第２の凹部１１を有するように積層体を作製する。そして、この積層体を焼成することにより、本実施形態にかかる基体３を作製することができる。なお、上記実施形態においては、セラミックグリーンシートに予め第１の凹部５および第２の凹部１１を形成しているが、セラミックグリーンシートを積層焼成した後に第１の凹部５および第２の凹部１１を形成してもよい。
【００４７】
次に、第１の凹部５の底面に、第２の凹部１１上に位置するように素子７を配設する。
【００４８】
次に、第１の凹部５を封止するように基体３の上面に蓋体９を配設する。蓋体９としては、基体３の主面３ａ上に配設され、凹部を封止することができるものであればよい。例えば、アルミナセラミックスおよびムライトセラミックスのようなセラミックス材料を主成分とした板状の部材、ガラスを主成分とする板状の部材、金属を主成分とする板状の部材、およびシリコンを主成分とする板状の部材の部材を用いることができる。
【００４９】
このとき、接合部材１５を用いて、基体３と蓋体９とを接合すればよい。接合部材１５としては、例えば、クラッドされたもの、プリフォームされたものおよびペースト状のものを用いることができる。また、このような接合部材１５は、メタライズによって基体３と蓋体９との接合面に配設してもよいし、ペースト状の接合部材１５を用いて印刷によって基体３および蓋体９における上記接合面に配設してもよい。そして、基体３および蓋体９における上記接合面に配設された接合部材１５を加熱溶融させることによって、基体３と蓋体９とを接合部材１５を介して接合する。
【００５０】
上記、蓋体９を用いて第１の凹部５を封止する工程は、常圧よりも低い圧力の下で行うことが好ましい。電子部品１の内圧を常圧よりも低くすることができるからである。より具体的には、真空チャンバーのような減圧装置を用いることにより、常圧よりも低い圧力の下で、第１の凹部５を封止することができる。このときの真空度は、減圧装置を用いることによって要求される電子部品１の内圧に応じて適宜設定すればよい。
【００５１】
以上のような製造方法によって、本実施形態にかかる電子部品１を製造することができる。
【００５２】
なお、上記電子部品１を製造する過程において、ゲッター材１３を加熱する工程を備えていることが好ましい。ゲッター材１３の表面に新しい活性面を形成することができるので、ゲッター材１３による気体分子を吸着する効果を再び向上させることができるからである。
【００５３】
特に、蓋体９と基体３とを接合する工程において上記ゲッター材１３を加熱することによって、ゲッター材１３を活性化することが好ましい。蓋体９と基体３とを接合する工程においては、基体３および蓋体９を加熱することによって基体３と蓋体９とを接合するので、基体３、蓋体９および接合部材１５からガスが発生しやすい。そのため、蓋体９と基体３とを接合する工程においてゲッター材１３を活性化させることにより、ゲッター材１３による気体分子を吸着する効果を高め、電子部品１の内圧をより小さくすることができるからである。
【００５４】
次に、本発明の一実施形態にかかる赤外線センサについて説明する。
【００５５】
図６に示す例の、赤外線センサ２３は、基板２５と、基板２５上に配設された上記実施形態に代表される電子部品１と、電子部品１が具備する素子７に通電する通電部材２７とを備えている。また、本実施形態における電子部品１が具備する素子７は、赤外線センサ素子である。
【００５６】
本実施形態の赤外線センサ２３によれば、電子部品１が、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を更に備えていることから、電子部品１の製造時および使用時における基体３から発生する気体分子の赤外線センサ素子への影響をさらに小さくすることができる。そのため、長期間の使用においても性能の低下が抑制された高性能の赤外線センサ２３とすることができる。
【００５７】
本実施形態における基板２５としては、電子部品１を保持することが可能な部材であればよく、具体的には、セラミックス板、樹脂板および金属板を用いることができる。また、本実施形態にかかる赤外線センサ２３は、赤外線センサ素子に通電する通電部材２７を備えている。本実施形態においては、通電部材２７として、第１の凹部５から赤外線センサ２３の外表面に引き出される引出電極３１と、引出電極３１と赤外線センサ素子とを電気的に接続する配線導体２９と、を備えた通電部材２７を用いている。
【００５８】
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何ら差し支えない。
【符号の説明】
【００５９】
１・・・電子部品
３・・・基体
３ａ・・・主面
５・・・第１の凹部
７・・・素子
９・・・蓋体
１１・・・第２の凹部
１３・・・ゲッター材
１５・・・接合部材
１７・・・端子
１９・・・ヒータ
２１・・・パッケージ
２３・・・赤外線センサ
２５・・・基板
２７・・・通電部材
２９・・・配線導体
３１・・・引出電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度センサ素子、赤外線センサ素子、ジャイロセンサ素子および水晶振動子のようなデバイスを真空封止する電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
加速度センサ素子、赤外線センサ素子、ジャイロセンサ素子および水晶振動子のような素子が内部に封止された電子部品においては、上記の素子の特性を高めるため、電子部品内に存在する気体分子の量を少なくすることが求められている。この気体分子の量を少なくするため、特許文献１に開示されているように、電子部品内にゲッター材を配設することが知られている。ゲッター材を配設することにより、電子部品内に存在する気体分子がゲッター材に吸着されるので、電子部品内に存在する気体分子の量を少なくすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２５１２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されている電子部品では、気体分子を吸着するためのゲッター材が、蓋体の内面上に配設されているため、電子部品の低背化（小型化）が困難となっていた。素子を基体表面上に直接配設することにより、電子部品をある程度低背化させることができる。しかしながら、一方で、素子を基体表面上に直接配設しているため、電子部品の製造時および使用時に基体から発生する気体分子の影響を素子が大きく受け、素子の特性が低下する可能性がある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、素子の特性を高めつつ小型化が可能な電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電子部品は、主面に第１の凹部を有する基体と、前記第１の凹部内に配設された素子と、前記第１の凹部を封止するように前記基体上に配設された蓋体とを備えた電子部品であって、前記基体は、前記素子の下に位置する部分に第２の凹部を有し、該第２の凹部を平面視した場合に、前記第２の凹部の開口部が前記素子の下に位置する部分と前記素子の周囲に位置する部分とを有していて、前記第２の凹部において前記基体が前記素子から部分的に離隔しているとともに、前記第２の凹部内に配設されたゲッター材を更に備えていることを特徴とするものである。
【０００７】
本発明の電子部品は、上記構成において、前記ゲッター材と電気的に接続され、前記ゲッター材を通電加熱する端子を更に備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の電子部品は、上記構成において、前記基体中の前記ゲッター材の下に位置する部分に埋設されたヒータを更に備えていることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の電子部品は、上記構成において、前記第２の凹部の開口部が、前記素子の周囲に位置する部分を複数有していることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明のパッケージは、主面に素子が配設される第１の凹部を有する基体を備えたパッケージであって、前記基体が前記素子から部分的に離隔するように前記素子の配設領域に第２の凹部を有し、該第２の凹部を平面視した場合に、前記第２の凹部の開口部が前記素子の下に位置する部分と前記素子の周囲に位置する部分とを有していて、前記第２の凹部内に配設されたゲッター材を更に備えていることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の赤外線センサは、基板と、該基板上に配設された請求項１に記載の電子部品と、前記素子に通電する通電部材とを備え、前記素子が赤外線センサ素子であるものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電子部品によれば、基体が、素子の下に位置する部分に第２の凹部を有し、第２の凹部を平面視した場合に、第２の凹部の開口部が素子の下に位置する部分と素子の周囲に位置する部分とを有していて、第２の凹部において基体が素子から部分的に離隔し、加えて、第２の凹部内に配設されたゲッター材を更に備えていることから、電子部品のサイズを小型化しつつ、電子部品の製造時および使用時における基体から発生する気体分子の素子への影響を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる電子部品を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態にかかる電子部品を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態にかかる電子部品を示す断面図である。
【図４】図３に示す実施形態にかかる電子部品のＡ−Ａ断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態にかかる電子部品の変形例を示すＡ−Ａ断面図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる赤外線センサを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の電子部品およびパッケージについて図面を用いて詳細に説明する。図１〜図６において、１は電子部品、３は基体、３ａは主面、５は第１の凹部、７は素子、９は蓋体、１１は第２の凹部、１３はゲッター材、１５は接続部材、１７は端子、１９はヒータ、２１はパッケージ、２３は赤外線センサ、２５は基体、２７は通電部材、２９は配線導体、３１は引出電極である。
【００１５】
図１に示す例のように、本発明の第１の実施形態にかかる電子部品１は、主面３ａに第１の凹部５を有する基体３と、第１の凹部５内に配設された素子７と、第１の凹部５を封止するように基体３上に配設された蓋体９とを備えている。
【００１６】
また、基体３は、素子７の下に位置する部分に第２の凹部１１を有し、第２の凹部１１を平面視した場合に、第２の凹部１１の開口部が素子７の下に位置する部分と素子７の周囲に位置する部分とを有している。また、第２の凹部１１において基体３が素子７から部分的に離隔している。そして、本実施形態にかかる電子部品１は、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を更に備えている。
【００１７】
本実施形態にかかる電子部品１は、素子７を基体３の凹部内に配設しているため、電子部品１の低背化が可能であるので、電子部品１のサイズを小型化することができる。また、基体３が素子７の下に位置する部分に第２の凹部１１を有し、また、第２の凹部１１において基体３が素子７から部分的に離隔していることから、基体３と素子７との接触面積を小さくすることができるので、電子部品１の製造時および使用時における基体３から発生する気体分子の素子７への影響を小さくすることができる。
【００１８】
さらに、本実施形態にかかる電子部品１は、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を更に備えているため、ゲッター材が蓋体の内面上に配設されている場合と比べて、広い面積を有する第２の凹部１１の底面にゲッター材を配置していることから、ゲッター材の表面積を大きくすることができるので、より多くの気体分子を吸着することができる。また、第２の凹部１１の開口部の一部が素子７の周囲に位置しているので、第２の凹部１１内に存在する気体分子だけでなく、第１の凹部５内に存在する気体分子もゲッター材１３によって吸着することができる。従って、電子部品１の製造時および使用時における基体３から発生する気体分子の素子７への影響をさらに小さくすることができる。このように、本実施形態にかかる電子部品１は、従来の電子部品と比較して、電子部品のサイズを小型化しつつ、電子部品から素子へ伝わる熱を抑制して素子７への熱による影響を小さくすることができる。
【００１９】
また、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を備えていることにより、電子部品１の、蓋体９によって封止された封止空間である第１の凹部内および第２の凹部内の圧力をより小さくすることができる。これは、電子部品１内に存在する気体分子がゲッター材１３に吸着されるからである。なお、第１の凹部内および第２の凹部内に存在する気体分子としては、電子部品１の製造時および使用時において、基体３および蓋体９のような電子部品１を構成する部材から発生するガスや製造時に混入するＨ２Ｏなどの気体が挙げられる。
【００２０】
言い換えれば、本実施形態にかかる電子部品１は、主面３ａに素子７が配設される第１の凹部５を有する基体３を備え、基体３が素子７から部分的に離隔するように素子７の配設領域に第２の凹部１１を有し、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を更に備えたパッケージ２１を具備している。このようなパッケージを用いることで、第２の凹部１１内に、従来のパッケージよりも広い面積でゲッター材１３を配置できるので、内部の圧力がより低い電子部品１を作製するうえで有効である。
【００２１】
さらに、本実施形態にかかる電子部品１は、第１の凹部５を封止するように基体３上に配設された蓋体９と、第１の凹部５内における配設領域に配設された素子７とを更に具備している。
【００２２】
本実施形態にかかる電子部品１は、主面３ａに第１の凹部５を有する基体３を備えている。この第１の凹部５内に、後述する素子７を配設するとともに、蓋体９を用いて第１の凹部５を封止することにより、電子部品１として用いることができる。
【００２３】
基体３としては、絶縁性の部材を用いることが好ましい。具体的には、例えば、アルミナセラミックスおよびムライトセラミックスのようなセラミックス材料を主成分としたものを用いることができる。
【００２４】
本実施形態にかかる電子部品１は、第１の凹部５内に配設された素子７を備えている。素子７としては、加速度センサ素子、赤外線センサ素子、ジャイロセンサ素子および水晶振動子のようなデバイスを用いることができる。例えば、赤外線センサを作製する場合には、素子７として赤外線センサ素子を第１の凹部５内に配設すればよい。また、加速度センサを作製する場合には、素子７として加速度センサ素子を第１の凹部５内に配設すればよい。
【００２５】
本実施形態にかかる電子部品１は、第１の凹部５を封止するように基体３上に配設された蓋体９を備えている。蓋体９としては、接合面にメタライズが形成されたセラミックスまたはガラスのような絶縁部材や、金属部材およびシリコンを用いることが好ましい。セラミックスの場合には、例えば、アルミナセラミックスおよびムライトセラミックスのようなセラミックス材料を主成分としたもの並びにガラス部材を用いることができる。
【００２６】
蓋体９は、接合部材１５を介して基体３と接合されている。接合部材１５を用いて基体３と蓋体９とを接合することにより、基体３と蓋体９との間を封止することができる。接合部材１５としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｃｕおよびこれらの合金を主成分とするものを用いることができる。
【００２７】
また、基体３は、主面３ａに垂直な断面において、素子７の下に位置する部分に第２の凹部１１を有している。そして、第２の凹部１１において基体３が素子７から部分的に離隔している。このため、基体３と素子７の接触面積を小さくすることができるので、基体３と素子７が接する部分で、基体３から素子７へ伝わる熱を抑制して素子７への熱による影響を小さくすることができる。
【００２８】
第２の凹部１１の深さはゲッター材１３の厚みよりも０．１ｍｍ以上深いことが好ましい。これは、第２の凹部１１の深さをゲッター材１３の厚みよりも０．１ｍｍ以上深くすることにより、ゲッター材１３の表面に１０〜２０μｍ程度の凹凸が生じても、素子７とゲッター材１３とが接触する可能性を小さくすることができるからである。また、第２の凹部１１の幅はゲッター材１３の幅よりも０．１ｍｍ以上広いことが好ましい。第２の凹部１１の幅はゲッター材１３の幅よりも０．１ｍｍ以上広くすることにより、ゲッター材１３を配置する位置がずれても、第２の凹部１１の内壁面とゲッター材１３とが接触する可能性を小さくすることができるからである。そのため、加熱時におけるゲッター材１３の活性の均一性を高めることができる。
【００２９】
また、基体３の寸法が縦５ｍｍ〜５０ｍｍ，横５ｍｍ〜５０ｍｍ，厚さ０．５ｍｍ〜５ｍｍであって、第１の凹部５の寸法が縦３．５ｍｍ〜４８ｍｍ，横３．５ｍｍ〜４８ｍｍ，深さ０．２ｍｍ〜４．５ｍｍの場合であれば、第２の凹部11の寸法は、縦２．５ｍｍ〜４６ｍｍ，横２．５ｍｍ〜４６ｍｍ，深さ０．１ｍｍ〜４ｍｍに形成されていることが好ましい。例えば、基体３の寸法が縦１５ｍｍ，横１５ｍｍ，厚さ２ｍｍであって、第１の凹部５の寸法が縦１０ｍｍ，横１０ｍｍ，深さ１ｍｍの場合であれば、第２の凹部11の寸法は、縦８ｍｍ，横８ｍｍ，深さ０．５ｍｍである。
【００３０】
また、本実施形態にかかる電子部品１のように、主面３ａに垂直な１つの断面において、主面３ａに平行な方向に対する素子７の幅Ｌ１が、主面３ａに平行な方向に対する第２の凹部１１の開口部の幅Ｌ２よりも大きい。これにより、基体３と素子７の接合面積を小さくしつつも、基体３によって素子７を安定して支持することができるので、素子７の位置ずれが生じる可能性を抑制することができる。具体的には、図１に示す例のように、主面３ａに垂直な断面において、素子７の一方の端部および他方の端部が基体３により支持されていることが好ましい。
【００３１】
また、このとき図１に示す例のように、素子７は、底面だけでなく側面の少なくとも一部においても基体３により支持されていることが好ましい。これにより、素子７の位置ずれが生じる可能性をさらに抑制することができるので、基体３によって素子７をさらに安定して支持することができる。
【００３２】
電子部品１は、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を備えている。
【００３３】
ゲッター材１３としては、化学的に活性な部材を用いることが好ましい。具体的には、Ｔｉ，Ｚｒ，ＦｅおよびＶを主成分とする金属粉末を、ニトロセルロース樹脂およびエチルセルロース樹脂等の有機溶剤と混合して、導体ペーストを作製し、スクリーン印刷法等の印刷方法によってゲッター材１３となる導体ペーストを所望の位置および厚さに印刷する。その後、不活性ガス雰囲気中（例えば、アルゴン雰囲気中）や真空雰囲気で２００℃〜３００℃で加熱して、有機溶剤を蒸発させて除去することによってゲッター材を配設することができる。配設の方法としては、一般的な蒸着方法，スパッタリング方法またはゲッター部材２２をタブレット状にして接着剤などを用いて接着させる方法によって形成しても良い。また、ゲッター材１３は縦２．４ｍｍ〜４５ｍｍ，横２．４ｍｍ〜４５ｍｍ，厚さ０．５μｍ〜１ｍｍであることが好ましい。ゲッター材１３の厚みが０．５μｍ以上である場合には、安定してガス吸着の効果をゲッター材１３から得ることができる。また、ゲッター材１３の厚みが１．０μｍ以下である場合には、ゲッター材１３の熱容量が過度に大きくなることを抑制することができるので、ゲッター材１３の加熱時におけるゲッター材１３の活性の均一性を高めることができる。
【００３４】
これは、ゲッター材１３の表面に吸着したガスとの化合物による酸化膜のような皮膜が形成されている場合、ゲッター材１３による気体分子を吸着する効果が小さくなる。しかしながら、ゲッター材１３を加熱することにより、ゲッター材１３の表面に存在するガスとの化合物をゲッター材１３の内部に拡散させることができる。これにより、ゲッター材１３の表面に新しい活性面を形成することができるので、ゲッター材１３による気体分子を吸着する効果を再び向上させることができる。なお、ゲッター材１３の表面に新しい活性面を効率良く形成するためには、ゲッター材１３は２５０〜５００℃で加熱することが好ましい。
【００３５】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００３６】
図２に示す例のように、本実施形態の電子部品１は、第１の実施形態と比較して、ゲッター材１３を加熱するためのヒータ１９を更に備えている。本実施形態においてヒータ１９は、基体３中のゲッター材１３の下に位置する部分に埋設されている。上記のヒータ１９を備えていることにより、電子部品１の第１の凹部５および第２の凹部１１の内圧をさらに小さくできるからである。
【００３７】
ヒータ１９は、例えば、タングステンの金属粉末を、ニトロセルロース樹脂およびエチルセルロース樹脂等の有機溶剤と混合して、導体ペーストを作製し、スクリーン印刷法等の印刷方法によってヒータ１９となる導体ペーストを基体３の内部に所望の位置に所望の厚さとなるように印刷することによって形成する。なお、このようなヒータ１９は、平面視でゲッター材と同程度の寸法で１０〜５０μｍの厚さに形成される。また、このようなヒータ１９を、例えばミアンダ状のパターン等に形成することによって、同じ面積であっても大きな熱を発生させることもできる。このようなヒータ１９は通電することによって発熱させることができるものである。そして、このようなヒータ１９に、例えば、２〜５Ａ程度の電流を１５〜３０分間印加して、ゲッター材１３が２５０〜５００℃の温度となるように加熱することによって、ゲッター材を活性化することができる。一方で、基体３および蓋体９まで加熱してしまうと、これらの部材からガスが発生して、電子部品１の内圧が大きくなるため、素子７の特性が低下する可能性がある。また、素子７が加熱されることにより、素子７の特性が低下する可能性もある。
【００３８】
従って、本実施形態にかかる電子部品１では、ヒータ１９が、基体３中のゲッター材１３の下に位置する部分に埋設されていることから、ゲッター材１３を効率良く加熱するとともに、基体３、蓋体９および素子７への加熱を抑制することができる。これにより、基体３および蓋体９からのガスの発生を抑制しつつ、ゲッター材１３の表面に新しい活性面を効率良く形成することができる。
【００３９】
特に、主面３ａに垂直な基体３の断面において、ヒータ１９が、ゲッター材１３における主面３ａに平行な方向の幅の範囲内に位置していることが好ましい。これにより、ヒータ１９で発生した熱がゲッター材１３に十分に伝わると共に、ゲッター材１３により伝わることによって、素子７へ熱が伝わることをさらに抑制することができるからである。
【００４０】
次に、本発明の第３の実施形態について説明をする。
【００４１】
図３および図４に示す例のように、本実施形態の電子部品１は、第１の実施形態と比較して、素子７が配置された第２の凹部１１を平面視した場合に、第２の凹部１１の開口部が、素子７の下に位置する部分と、素子７の周囲に位置する部分とを複数有している。このように、第２の凹部１１の開口部が、素子７の周囲に複数位置していることにより、第１の凹部５内に存在する気体分子と第２の凹部１１内に存在する気体分子とが循環しやすくなるので、第１の凹部５内に存在する気体分子および第２の凹部１１内に存在する気体分子をより効率よくゲッター材１３に吸着させることができる。
【００４２】
より具体的には、図４に示す例のように、平面視で素子７の上方および下方のそれぞれにおいて、第２の凹部１１の開口部が、第１の凹部５に向かって開口していることにより、第１の凹部５内に存在する気体分子を、より効率良くゲッター材１３に吸着させることができる。
【００４３】
また、図５に示す例のように、素子７が平面視で矩形状であって、素子７の四隅がそれぞれ基体３により支持されているとともに、素子７の４つのそれぞれの側面において、第２の凹部１１の開口部が、第１の凹部５に向かって開口している実施形態においても図４に示す例の場合と同様に、第１の凹部５内に存在する気体分子を、より効率良くゲッター材１３に吸着させることができる。
【００４４】
また、図５に示す例のように、平面視で矩形状の素子７と基体３とが素子７の角部で接合されていて、第２の凹部１１の内壁面のうち、素子７の角部付近に対応する部分が平面視で曲線である場合には、素子７と基体３との接合面に加わる応力を緩和させることができるので好ましい。
【００４５】
次に、本発明の電子部品の製造方法について詳細に説明する。
【００４６】
まず、主面３ａ上に第１の凹部５および第２の凹部１１を有する基体３を準備する。具体的には、アルミナセラミックスおよびムライトセラミックス等のセラミックス材料を主成分とするセラミックグリーンシートを積層して、第１の凹部５および第２の凹部１１を有するように積層体を作製する。そして、この積層体を焼成することにより、本実施形態にかかる基体３を作製することができる。なお、上記実施形態においては、セラミックグリーンシートに予め第１の凹部５および第２の凹部１１を形成しているが、セラミックグリーンシートを積層焼成した後に第１の凹部５および第２の凹部１１を形成してもよい。
【００４７】
次に、第１の凹部５の底面に、第２の凹部１１上に位置するように素子７を配設する。
【００４８】
次に、第１の凹部５を封止するように基体３の上面に蓋体９を配設する。蓋体９としては、基体３の主面３ａ上に配設され、凹部を封止することができるものであればよい。例えば、アルミナセラミックスおよびムライトセラミックスのようなセラミックス材料を主成分とした板状の部材、ガラスを主成分とする板状の部材、金属を主成分とする板状の部材、およびシリコンを主成分とする板状の部材の部材を用いることができる。
【００４９】
このとき、接合部材１５を用いて、基体３と蓋体９とを接合すればよい。接合部材１５としては、例えば、クラッドされたもの、プリフォームされたものおよびペースト状のものを用いることができる。また、このような接合部材１５は、メタライズによって基体３と蓋体９との接合面に配設してもよいし、ペースト状の接合部材１５を用いて印刷によって基体３および蓋体９における上記接合面に配設してもよい。そして、基体３および蓋体９における上記接合面に配設された接合部材１５を加熱溶融させることによって、基体３と蓋体９とを接合部材１５を介して接合する。
【００５０】
上記、蓋体９を用いて第１の凹部５を封止する工程は、常圧よりも低い圧力の下で行うことが好ましい。電子部品１の内圧を常圧よりも低くすることができるからである。より具体的には、真空チャンバーのような減圧装置を用いることにより、常圧よりも低い圧力の下で、第１の凹部５を封止することができる。このときの真空度は、減圧装置を用いることによって要求される電子部品１の内圧に応じて適宜設定すればよい。
【００５１】
以上のような製造方法によって、本実施形態にかかる電子部品１を製造することができる。
【００５２】
なお、上記電子部品１を製造する過程において、ゲッター材１３を加熱する工程を備えていることが好ましい。ゲッター材１３の表面に新しい活性面を形成することができるので、ゲッター材１３による気体分子を吸着する効果を再び向上させることができるからである。
【００５３】
特に、蓋体９と基体３とを接合する工程において上記ゲッター材１３を加熱することによって、ゲッター材１３を活性化することが好ましい。蓋体９と基体３とを接合する工程においては、基体３および蓋体９を加熱することによって基体３と蓋体９とを接合するので、基体３、蓋体９および接合部材１５からガスが発生しやすい。そのため、蓋体９と基体３とを接合する工程においてゲッター材１３を活性化させることにより、ゲッター材１３による気体分子を吸着する効果を高め、電子部品１の内圧をより小さくすることができるからである。
【００５４】
次に、本発明の一実施形態にかかる赤外線センサについて説明する。
【００５５】
図６に示す例の、赤外線センサ２３は、基板２５と、基板２５上に配設された上記実施形態に代表される電子部品１と、電子部品１が具備する素子７に通電する通電部材２７とを備えている。また、本実施形態における電子部品１が具備する素子７は、赤外線センサ素子である。
【００５６】
本実施形態の赤外線センサ２３によれば、電子部品１が、第２の凹部１１内に配設されたゲッター材１３を更に備えていることから、電子部品１の製造時および使用時における基体３から発生する気体分子の赤外線センサ素子への影響をさらに小さくすることができる。そのため、長期間の使用においても性能の低下が抑制された高性能の赤外線センサ２３とすることができる。
【００５７】
本実施形態における基板２５としては、電子部品１を保持することが可能な部材であればよく、具体的には、セラミックス板、樹脂板および金属板を用いることができる。また、本実施形態にかかる赤外線センサ２３は、赤外線センサ素子に通電する通電部材２７を備えている。本実施形態においては、通電部材２７として、第１の凹部５から赤外線センサ２３の外表面に引き出される引出電極３１と、引出電極３１と赤外線センサ素子とを電気的に接続する配線導体２９と、を備えた通電部材２７を用いている。
【００５８】
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何ら差し支えない。
【符号の説明】
【００５９】
１・・・電子部品
３・・・基体
３ａ・・・主面
５・・・第１の凹部
７・・・素子
９・・・蓋体
１１・・・第２の凹部
１３・・・ゲッター材
１５・・・接合部材
１７・・・端子
１９・・・ヒータ
２１・・・パッケージ
２３・・・赤外線センサ
２５・・・基板
２７・・・通電部材
２９・・・配線導体
３１・・・引出電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に第１の凹部を有する基体と、前記第１の凹部内に配設された素子と、前記第１の凹部を封止するように前記基体上に配設された蓋体とを備えた電子部品であって、前記基体は、前記素子の下に位置する部分に第２の凹部を有し、該第２の凹部を平面視した場合に、前記第２の凹部の開口部が前記素子の下に位置する部分と前記素子の周囲に位置する部分とを有していて、前記第２の凹部において前記基体が前記素子から部分的に離隔しているとともに、前記第２の凹部内に配設されたゲッター材を更に備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記ゲッター材と電気的に接続され、前記ゲッター材を通電加熱する端子を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記基体中の前記ゲッター材の下に位置する部分に埋設されたヒータを更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第２の凹部の開口部が、前記素子の周囲に位置する部分を複数有していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項５】
主面に素子が配設される第１の凹部を有する基体を備えたパッケージであって、前記基体が前記素子から部分的に離隔するように前記素子の配設領域に第２の凹部を有し、該第２の凹部を平面視した場合に、前記第２の凹部の開口部が前記素子の下に位置する部分と前記素子の周囲に位置する部分とを有していて、前記第２の凹部内に配設されたゲッター材を更に備えていることを特徴とするパッケージ。
【請求項６】
基板と、該基板上に配設された請求項１に記載の電子部品と、前記素子に通電する通電部材とを備え、前記素子が赤外線センサ素子である赤外線センサ。
【請求項１】
主面に第１の凹部を有する基体と、前記第１の凹部内に配設された素子と、前記第１の凹部を封止するように前記基体上に配設された蓋体とを備えた電子部品であって、前記基体は、前記素子の下に位置する部分に第２の凹部を有し、該第２の凹部を平面視した場合に、前記第２の凹部の開口部が前記素子の下に位置する部分と前記素子の周囲に位置する部分とを有していて、前記第２の凹部において前記基体が前記素子から部分的に離隔しているとともに、前記第２の凹部内に配設されたゲッター材を更に備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記ゲッター材と電気的に接続され、前記ゲッター材を通電加熱する端子を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記基体中の前記ゲッター材の下に位置する部分に埋設されたヒータを更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第２の凹部の開口部が、前記素子の周囲に位置する部分を複数有していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項５】
主面に素子が配設される第１の凹部を有する基体を備えたパッケージであって、前記基体が前記素子から部分的に離隔するように前記素子の配設領域に第２の凹部を有し、該第２の凹部を平面視した場合に、前記第２の凹部の開口部が前記素子の下に位置する部分と前記素子の周囲に位置する部分とを有していて、前記第２の凹部内に配設されたゲッター材を更に備えていることを特徴とするパッケージ。
【請求項６】
基板と、該基板上に配設された請求項１に記載の電子部品と、前記素子に通電する通電部材とを備え、前記素子が赤外線センサ素子である赤外線センサ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−２５１７０２（Ｐ２０１０−２５１７０２Ａ）
【公開日】平成２２年１１月４日（２０１０．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２９２２１３（Ｐ２００９−２９２２１３）
【出願日】平成２１年１２月２４日（２００９．１２．２４）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月４日（２０１０．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月２４日（２００９．１２．２４）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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