電子部品実装体の製造方法
【課題】樹脂コアを有するバンプ電極を備えた電子部品を簡便かつ確実に実装でき、歩留まりよく電子部品実装体を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子部品実装体の製造方法は、コアとなる樹脂の表面に導電膜が形成されたバンプ電極を有する電子部品と、金属端子を有する基板とを電気的に接続してなる電子部品実装体の製造方法であって、電子部品の少なくともバンプ電極を加熱し、樹脂の硬度を上昇させる加熱工程と、硬度を上昇させたバンプ電極を金属端子に接触させた状態で電子部品を基板に押圧し、電子部品を実装する実装工程と、を有することを特徴とする。
【解決手段】本発明の電子部品実装体の製造方法は、コアとなる樹脂の表面に導電膜が形成されたバンプ電極を有する電子部品と、金属端子を有する基板とを電気的に接続してなる電子部品実装体の製造方法であって、電子部品の少なくともバンプ電極を加熱し、樹脂の硬度を上昇させる加熱工程と、硬度を上昇させたバンプ電極を金属端子に接触させた状態で電子部品を基板に押圧し、電子部品を実装する実装工程と、を有することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品実装体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ドライバーＩＣ等の電子部品をフレキシブル基板上に実装する、いわゆるＣＯＦ(Chip On FPC)構造と称される実装構造が知られている。
このような実装構造に用いられるフレキシブル基板には、配線パターンに接続するＡｕ、Ｓｎ等の金属からなるランド（端子）が形成されている。一方、電子部品の表面には、絶縁膜を介してランドと電気的接続を得るためのバンプ電極が形成され、このバンプ電極は、絶縁膜上に露出した電極に導通されることで電子部品の電極としての機能を有する。
バンプ電極としては、コアとなる凸条形状の樹脂の表面がＡｕまたはＡｕ合金からなる導電膜で覆われた構造の樹脂コアバンプが多く用いられている。そして、このランドにバンプ電極を接続させた状態で、フレキシブル基板上に電子部品を実装することにより、電子部品の実装構造体が形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記の電子部品の実装構造体においては、フレキシブル基板上に電子部品がより強固にかつ確実に接続していることが望まれている。特に、ランドやバンプ電極がそれぞれ複数ずつあり、複数のランド−バンプ電極間をそれぞれ接続させる場合には、全てのランド−バンプ電極間が良好に接続していることが、信頼性を確保するうえで重要となっている。
この実装構造体のバンプ電極は、コアとなる樹脂の表面が導電膜で覆われた構造であるから、従来のＡｕ等の金属からなるバンプと比べて狭ピッチ化が可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−０４９２２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１記載の電子部品の実装方法では、バンプ電極（樹脂コア）を加熱加圧により変形させて基板との接続を行うが、Ａｕ−Ａｕ接合などの金属接合によりバンプ電極と基板上の端子とを接続するためにバンプ電極を加熱すると、樹脂コアが軟化して潰れ過ぎてしまう場合があった。このように樹脂コアが潰れてしまうと、電子部品の能動面と基板上の配線とがショートしてしまうため、実装条件の設定が難しくなる場合があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、樹脂コアを有するバンプ電極を備えた電子部品を簡便かつ確実に実装でき、歩留まりよく電子部品実装体を製造する方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子部品実装体の製造方法は、コアとなる樹脂の表面に導電膜が形成されたバンプ電極を有する電子部品と、金属端子を有する基板とを電気的に接続してなる電子部品実装体の製造方法であって、前記電子部品の少なくとも前記バンプ電極を加熱し、前記樹脂の硬度を上昇させる加熱工程と、硬度を上昇させた前記バンプ電極を前記金属端子に接触させた状態で前記電子部品を前記基板に押圧し、前記電子部品を実装する実装工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この製造方法によれば、電子部品を実装する実装工程に先立って、バンプ電極の樹脂の硬度を上昇させる加熱工程を有していることで、実装工程において電子部品を加熱したときに樹脂が軟化するのを防止することができ、実装時の基板上の金属端子の押圧力によって樹脂が過度に変形してしまうのを防止することができる。これにより、実装条件を厳密に制御する必要がなくなり、電子部品実装体を容易に製造することができる。また、バンプ電極が潰れるのを防止できることから、基板上の金属端子と電子部品の表面とが接触するのを防止できるので、金属端子と電子部品の短絡等の不具合の発生を防止でき、歩留まりよく電子部品実装体を製造することができる。
【０００９】
前記加熱工程が、前記電子部品が載置された載置台から圧着ツールを用いて前記電子部品を搬出し、前記圧着ツールに支持された前記電子部品を加熱する工程であり、前記実装工程が、加熱後の前記電子部品を前記圧着ツールを用いて前記基板上に移動させ、前記基板に実装する実装工程である製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、電子部品の実装に用いる圧着ツールに支持した状態で電子部品を加熱するので、実装処理の直前にバンプ電極の樹脂を適切な硬度に調整することができる。
【００１０】
前記加熱工程が、前記圧着ツールに設けられた加熱手段により前記電子部品を加熱する工程である製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、従来と同様の実装装置を用いて容易に実施できる製造方法となる。
【００１１】
前記加熱工程が、加熱手段を有する載置台に前記電子部品を載置した状態で前記加熱手段により前記電子部品を加熱する工程であり、前記実装工程が、前記電子部品を圧着ツールを用いて前記載置台から前記基板上へ搬送し、前記基板に実装する工程である製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、複数の電子部品を一括して加熱することができるので、効率良く電被部品実装体を製造することができる。
【００１２】
前記加熱工程が、加熱装置を用いて前記電子部品を加熱する工程であり、加熱後の前記電子部品を前記加熱装置から載置台へ搬送する搬送工程を有し、前記実装工程が、前記電子部品を圧着ツールを用いて前記載置台から前記基板上へ搬送し、前記基板に実装する工程である製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、載置台からの電子部品のピックアップ動作中にも加熱装置を用いて電子部品の加熱を行うことができるので、さらに効率良く電子部品実装体を製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係る製造方法を実施可能な実装装置を示す図。
【図２】製造対象の電子部品実装体（実装構造体）を示す側面図。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図４】電子部品及びフレキシブル基板を示す図。
【図５】第１実施形態の製造方法のフローチャート。
【図６】実装工程の説明図。
【図７】実装工程の説明図。
【図８】第２の実施形態に係る製造工程を示すフローチャート。
【図９】第３の実施形態に係る実装装置を示す図。
【図１０】第３の実施形態に係る製造工程を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
【００１５】
（第１の実施形態）
［実装装置］
図１は、第１の実施形態に係る製造方法を実施可能な実装装置を示す図である。
図１に示す実装装置１００は、実装部１０１と、ウェハ供給部１０２と、制御部１０３とを備えている。
実装部１０１は、基台１１０と、載置台１１１と、カメラ１１４と、実装ステージ１１５と、圧着ツール１１６と、カメラ１１７と、搬送レール１１８とを備えて構成されている。
ウェハ供給部１０２は、マガジン載置部１２１と、ウェハ搬送部１２２とを備えている。
制御部１０３は、実装装置１００を総合的に制御する装置であり、各部の動作状況を管理しつつ電子部品の実装動作を実行する。
【００１６】
実装部１０１において、概略平板状の基台１１０上に、載置台１１１、カメラ１１４及び実装ステージ１１５が設けられている。載置台１１１には、ダイシングシート２０２上に保持されたウェハ２０１が載置される。ウェハ２０１は、ダイシングにより個片化された複数の電子部品４を含む。カメラ１１４は圧着ツール１１６に保持された電子部品４を撮像する。実装ステージ１１５には、電子部品４が実装されるフレキシブル基板２が載置される。
【００１７】
圧着ツール１１６は、略鉛直方向に移動自在の加熱保持部１１９を備えている。本実施形態の場合、加熱保持部１１９は、電子部品４を真空吸着させるとともに、図示略の加熱手段を動作させることにより、吸着保持した電子部品４を所定温度に加熱可能に構成されている。加熱手段としては、電熱ヒーター等の公知の構成を採用することができる。加熱手段は、加熱保持部１１９に内蔵されていてもよく、圧着ツール１１６の本体部に設けられ、加熱保持部１１９に熱を供給する構成であってもよい。
【００１８】
カメラ１１７は、載置台１１１上のウェハ２０１及び実装ステージ１１５上のフレキシブル基板２を撮像する。圧着ツール１１６とカメラ１１７は、図示略のキャリッジに支持されており、このキャリッジを搬送レール１１８上で走行させることにより、載置台１１１と実装ステージ１１５との間を往復移動可能に構成されている。
【００１９】
ウェハ供給部１０２において、マガジン載置部１２１は、上面にマガジン２１０を載置した状態で図示略の昇降手段によりマガジン２１０を実装部１０１に対して昇降させ、内部に収容しているウェハ２０１を載置台１１１に対して位置合わせする。
【００２０】
ウェハ搬送部１２２は、ウェハ２０１（ダイシングシート２０２）の形状に応じた先端形状を有するアーム１２３を備えている。アーム１２３は、図示略の駆動機構により水平方向に移動され、マガジン載置部１２１上のマガジン２１０内へ挿脱可能である。ウェハ搬送部１２２は、アーム１２３を水平移動させることにより、ウェハ２０１をマガジン２１０と載置台１１１との間で搬送する。
【００２１】
［電子部品実装体の製造方法］
次に、実装装置１００を用いて製造可能な電子部品実装体とその製造方法について説明する。
図２は、製造対象の電子部品実装体（実装構造体）を示す側面図である。図３は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図４は、電子部品及びフレキシブル基板を示す図である。
【００２２】
＜電子部品実装体＞
まず、製造対象の電子部品実装体について説明する。
電子部品実装体１０は、図２及び図３に示すように、フレキシブル基板（可撓性基板）２と電子部品４とを接続した構成を備えている。かかる電子部品実装体１０は、実装装置１００を用いて製造することができる。
【００２３】
フレキシブル基板２は、プラスチックフィルム基板等の可撓性を有する基板１１と、基板１１上に形成された複数の金属端子１２とを備えている。金属端子１２は、基板１１上に形成された配線パターンと接続されている。なお、基板１１は、ガラス基板やプリント基板、半導体基板などの可撓性を有しない基板であってもよい。
【００２４】
金属端子１２は、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｃｕ等の単体金属や、Ａｕ合金、Ｓｎ合金、Ａｌ合金、Ｃｕ合金等の合金により形成されたストライプ状の金属膜により形成されている。金属端子１２は数μｍ程度の厚い金属膜からなり、その横断面（幅方向の断面）の形状は、略台形状である。
【００２５】
電子部品４は、ドライバーＩＣ等の半導体素子（図示略）が内蔵された絶縁材料からなるパッケージ２１と、パッケージ２１の能動面２１ａに形成された絶縁膜２２と、絶縁膜２２上に突設されるとともに上記半導体素子と導通するバンプ電極２３と、を備えている。
【００２６】
なお、本実施形態では能動面２１ａ上にバンプ電極２３が形成された電子部品４を例示しているが、能動面２１ａと反対側の面にバンプ電極２３が形成された構成であってもよい。またバンプ電極２３が、半導体素子ではなくパッケージ上に併設されたキャパシタやインダクタなどの受動素子に接続されている構成であってもよい。
【００２７】
バンプ電極２３は、図２及び図４（ａ）に示すように、絶縁膜２２上に形成された断面略半円状の凸条である樹脂２４と、樹脂２４の外周面に形成された複数の帯状の導電膜２５と、を備えている。バンプ電極２３は、樹脂２４をコアとし、その表面に形成された導電膜２５を電極とする樹脂コアバンプである。
【００２８】
樹脂２４は、絶縁性を有する熱硬化成分を含む樹脂材料からなるもので、具体的には、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。樹脂２４は、公知のリソグラフィ技術やエッチング技術により断面半円状の凸条に形成されている。
なお、樹脂の材質（硬度）や形状については、フレキシブル基板２の金属端子１２の形状や大きさ等により適宜、選択・設計される。例えば、樹脂２４は、断面半楕円状、断面略台形状の凸条であってもよい。
【００２９】
導電膜２５は、図４（ａ）に示すように、樹脂２４の外周面に所定の間隔で複数形成され、樹脂２４の外周面から幅方向の両側へ延びている。そして、導電膜２５は、絶縁膜２２に形成された図示略のコンタクトホールを介して、能動面２１ａの半導体素子等と電気的に接続されている。したがって導電膜２５は、電子部品４の外部接続端子として機能する。また複数の導電膜２５は樹脂２４の長手方向に沿って間隔を空けて設けられており、各々の導電膜２５が能動面２１ａに形成された半導体素子の端子に接続されている。
【００３０】
導電膜２５は、金属又は合金により構成され、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｐｄ、及びそれらの合金（例えば、ＴｉＷ、ＮｉＶ等）、鉛フリーはんだ等を用いることができる。導電膜２５は、単層の金属からなるものとしてもよく、複数の金属膜を積層した積層膜としてもよい。
【００３１】
導電膜２５の形成方法は特に限定されず、スパッタ法等の公知の成膜法で成膜し、その後帯状にパターニングしたものであってもよく、無電解メッキにより選択的に形成したものであってもよい。また、スパッタ法や無電解メッキにより下地膜を形成し、その後電解メッキにより下地膜上に上層膜を形成し、これら下地膜と上層膜とからなる積層膜により導電膜２５を形成してもよい。
導電膜２５を構成する金属あるいは合金の種類、層構造、形成方法、膜厚、幅等については、上述した樹脂２４と同様に、フレキシブル基板２の金属端子１２の形状や大きさ等により適宜、選択・設計される。
【００３２】
フレキシブル基板２は、図４（ｂ）に示すように、基板１１上に、先端に金属端子１２を有する複数の配線が形成された構成を備えている。基板１１の辺縁から基板中央部へ向かって延びる配線が互いに対向して配置された領域が、電子部品４が実装される実装領域１１Ａである。
【００３３】
上記構成を備えた電子部品４とフレキシブル基板２との接続構造は、図３に示すように、バンプ電極２３の導電膜２５に対してフレキシブル基板２の金属端子１２が押し込まれ、樹脂２４が一部変形した状態で金属端子１２の上面と導電膜２５とが金属接合している。かかる構造により、導電膜２５と金属端子１２とが電気的に接続されている。本実施形態の電子部品実装体１０では、金属端子１２と導電膜２５とが金属接合されているため、端子の接合部で十分な強度を得ることができ、ＮＣＰ（Non-Conductive Paste）などのアンダーフィル材を充填することなく簡便に低抵抗の接合部を形成することができる。
【００３４】
また、バンプ電極２３の樹脂２４が過度に変形していない（潰れていない）ため、フレキシブル基板２の金属端子１２は、電子部品４の絶縁膜２２には接触していない。これにより、金属端子１２と能動面２１ａの半導体素子との絶縁を良好に確保することができる。
【００３５】
次に、電子部品実装体の製造方法について、図５から図７を参照して説明する。
図５は、本実施形態の製造方法のフローチャートである。図６は、実装工程を示す斜視図。図７は、実装工程の説明図である。なお、図７には、図１のＡ−Ａ線に沿う位置に対応する断面図が示されている。
【００３６】
本実施形態の製造方法は、図５に示すように、工程Ｓ１１から工程Ｓ１７を有する。
まず、工程Ｓ１１では、ダイシングシート２０２上に保持されたウェハ２０１（電子部品４）を収容したマガジン２１０を用意する。そして、図１に示したマガジン載置部１２１に、マガジン２１０を載置する。
本実施形態では、ダイシングシート２０２上のウェハ２０１はダイシングにより複数の電子部品４に個片化されている。したがって、マガジン２１０内には、複数の電子部品４がダイシングシート２０２上に並べられたものが収容されている。
【００３７】
次に、工程Ｓ１２では、制御部１０３によりウェハ供給部１０２が制御され、ウェハ２０１を実装部１０１へ搬送する動作が実行される。具体的には、マガジン載置部１２１の昇降動作により、処理対象のウェハ２０１を搬出可能な位置に、マガジン２１０の高さが設定される。その後、ウェハ搬送部１２２によりアーム１２３が駆動され、アーム１２３の水平移動してマガジン２１０内に挿入される。そして、アーム１２３の先端によりマガジン２１０内のウェハ２０１及びダイシングシート２０２が押し出され、実装部１０１の載置台１１１上に載置される。
なお、載置台１１１には、ウェハ２０１を支持しているダイシングシート２０２を固定するとともに引き延ばすエキスパンド機構や、ウェハ２０１の下面から電子部品４を上方に押し上げるチップ押し上げ機構が備えられている。
【００３８】
次に、工程Ｓ１３では、制御部１０３により実装部１０１が制御され、ウェハ２０１から個片の電子部品４をピックアップする動作が実行される。具体的には、圧着ツール１１６及びカメラ１１７が載置台１１１上に移動し、カメラ１１７により載置台１１１上の電子部品４が撮像される。制御部１０３は、取得された電子部品４の画像データに基づいて電子部品４の良否を判定し、良品の電子部品４を選択する。上記良否の判定は、例えば検査結果に基づいて電子部品４上に付与されたマークの識別や、画像処理による割れや欠けの検出に基づいて行うことができる。
次いで、選択された良品の電子部品４に対して圧着ツール１１６の加熱保持部１１９を降下させて吸着させ、加熱保持部１１９を再び上昇させることでピックアップ動作は完了する。
【００３９】
次に、工程Ｓ１４では、加熱保持部１１９を介した電子部品４の加熱動作が開始される。具体的には、圧着ツール１１６に設けられた電熱ヒーター等の加熱手段を動作させ、電子部品４を設定温度（例えば２００℃〜５００℃）に加熱する。
次に、工程Ｓ１５では、加熱時間の経過が判定される。すなわち、電子部品４の加熱動作が、予め設定した加熱時間を経過するまで持続される。設定加熱時間の経過後、工程Ｓ１６へ移行する。
【００４０】
上記の工程Ｓ１４及びＳ１５により、バンプ電極２３の樹脂２４が加熱され、樹脂２４の硬度が上昇する。これにより、後段の実装工程における加熱加圧によってバンプ電極２３が潰れてしまうのを防止することが可能になる。
本実施形態の樹脂２４は熱硬化成分を含んでおり、加熱量に応じて硬度が上昇する範囲を有する。例えば、熱硬化性のポリイミド樹脂であれば、４００℃以上の温度で数分加熱することで、硬度が大きく上昇する。その一方で、上記のような４００℃以上の高温に保持する時間が長すぎると、樹脂が軟化したり劣化することにより硬度が低下する場合があるため、工程Ｓ１５における保持時間はこのような硬度の低下が生じない範囲に設定することが好ましい。
【００４１】
次に、工程Ｓ１６では、圧着ツール１１６により電子部品４が実装ステージ１１５上へ搬送される。実装ステージ１１５上には、図示略の搬送手段によりフレキシブル基板２が載置されている。
【００４２】
次に、工程Ｓ１７では、制御部１０３により実装部１０１が制御され、電子部品４をフレキシブル基板２に実装する動作が実行される。具体的には、図６に示すように、フレキシブル基板２上の実装領域１１Ａに対して電子部品４を圧着する動作が実行される。
【００４３】
図７（ａ）に示すように、電子部品４のバンプ電極２３が形成された面と、フレキシブル基板２の金属端子１２が形成された面とを対向配置され、バンプ電極２３の導電膜２５と、対応する金属端子１２との位置合わせが行われる。
【００４４】
より詳しくは、まず、カメラ１１４による電子部品４及び加熱保持部１１９の撮像動作が実行され、取得された画像データは制御部１０３へ送信される。制御部１０３では、取得された電子部品４及び加熱保持部１１９の画像データに基づいて、加熱保持部１１９に対する電子部品４（導電膜２５）の相対位置及び姿勢が検出される。
また、圧着ツール１１６とともに移動するカメラ１１７によるフレキシブル基板２の撮像動作が実行され、取得された画像データは制御部１０３へ送信される。制御部１０３では、取得されたフレキシブル基板２の画像データに基づいて、加熱保持部１１９（圧着ツール１１６）に対するフレキシブル基板２（金属端子１２）の相対位置及び姿勢が検出される。
そして、制御部１０３において、上記位置情報及び姿勢情報に基づいて、導電膜２５と金属端子１２との位置合わせが実行される。
【００４５】
電子部品４とフレキシブル基板２との位置合わせが完了したならば、図７（ｂ）に示すように、加熱保持部１１９に保持された電子部品４を降下させてフレキシブル基板２に密着させる。これにより、金属端子１２と、導電膜２５とが当接する。この状態から、加熱状態に保持されている電子部品４をフレキシブル基板２に押圧する。すると、図７（ｃ）に示すように、金属端子１２が導電膜２５に押し込まれて樹脂２４の一部と導電膜２５とが変形するとともに、上記の加圧加熱により、導電膜２５と金属端子１２とが金属接合され、電子部品４とフレキシブル基板２とが電気的に接続される。
【００４６】
ここで、図７（ｃ）に示す加圧加熱工程では、押圧力によってバンプ電極２３が変形するが、本実施形態では、工程Ｓ１４、Ｓ１５において電子部品４を加熱し、バンプ電極２３の樹脂２４の硬度を上昇させている。そのため、樹脂２４が過度に変形して潰れてしまうことがなく、金属端子１２と絶縁膜２２（能動面２１ａ）とが接触しない状態で電子部品４を実装することができる。
【００４７】
なお、加圧加熱工程におけるバンプ電極２３の変形量（樹脂２４の潰れ量）は、工程Ｓ１５における保持時間（加熱時間）によって制御することができる。先に記載のように、加熱開始からある時間までは加熱時間の長さに比例して樹脂２４の硬度が上昇する。したがって、加圧加熱工程における圧力が一定であれば、加熱時間の長さを変更することで、樹脂２４の硬度を調整することができ、バンプ電極２３の変形量を調整することができる。
【００４８】
上記の加圧加熱工程が完了したならば、加熱保持部１１９の吸着が解除され、加熱保持部１１９が上昇される。また、圧着ツール１１６の加熱手段による加熱が停止され、加熱保持部１１９の温度が下げられる。これにより、実装部１０１が次の電子部品４の実装動作を実行可能な状態とされる。
【００４９】
以上の工程により、電子部品４のバンプ電極２３の導電膜２５がフレキシブル基板２の金属端子１２に電気的に接続された電子部品実装体１０を作製することができる。作製された電子部品実装体１０は、図示略の搬送機構により実装ステージ１１５から搬出される。
【００５０】
以上、詳細に説明したように、本実施形態の電子部品実装体の製造方法では、圧着ツール１１６に保持した電子部品４をフレキシブル基板２に実装する前に、工程Ｓ１４、Ｓ１５において、電子部品４を所定温度にて所定時間保持する加熱動作を行い、バンプ電極２３の樹脂２４の硬度を上昇させている。これにより、電子部品４をフレキシブル基板２に実装する加圧加熱工程において電子部品４を加熱したときに樹脂２４が軟化してしまうのを防止でき、バンプ電極２３が過度に変形するのを防止することができる。したがって本実施形態の製造方法では、実装条件を厳密に制御しなくともバンプ電極２３と金属端子１２とを適切な状態で実装することができる。
また、樹脂２４が潰れてしまうのを防止できることから、金属端子１２と電子部品４の能動面２１ａとが接触する不具合を低減することができ、歩留まりよく電子部品実装体を製造することができる。
【００５１】
また本実施形態の製造方法では、電子部品４の実装時にバンプ電極２３を加熱して樹脂２４の硬度を上昇させるので、電子部品４の製造工程を変更することなく、他品種の電子部品実装体を製造することが可能である。
例えば、フレキシブル基板２ではなくガラス基板上に電子部品４をＣＯＧ(Chip On Glass)実装する場合、ガラス基板上の接続端子はスパッタ膜などを用いて形成された膜厚１００〜５００ｎｍ程度の薄膜である。そのため、樹脂２４の硬度が低くても電子部品４の能動面２１ａとガラス基板上の接続端子や配線とが接触してしまう可能性は低く、むしろ樹脂２４が軟らかい方が、導電膜２５とガラス基板上の接続端子との接触面積を増やす上で有利である。
【００５２】
このように、ＣＯＧ実装とＣＯＦ実装とでは、樹脂２４の硬度についての最適条件が異なることが想定される。従来は、樹脂２４の硬度を変更するには、バンプ電極２３を構成する樹脂２４の形成条件や構成材料を変更する必要があり、製品毎に電子部品４の製造工程を変更する必要があった。
これに対して本実施形態の製造方法では、樹脂２４の材質を変更しなくとも、実装時の加熱条件を変更するのみで樹脂２４の硬度を調整することができ、異なる基板への最適条件での実装が可能である。
【００５３】
なお、上記実施の形態では、圧着ツール１１６に備えられた加熱手段を用いて電子部品４を加熱することとしたが、圧着ツール１１６に保持された電子部品４のバンプ電極２３を加熱する手段としては、圧着ツール１１６とは別に儲けられた加熱装置であってもよい。例えば、図１に示すように、加熱保持部１１９と対向可能な位置にランプヒーターなどの加熱手段１２０を設け、圧着ツール１１６で電子部品４をピックアップした後、圧着ツール１１６を加熱手段１２０上に移動させて電子部品４のバンプ電極２３を加熱し、その後に実装ステージ１１５上に移動して実装工程を実施する製造方法とすることもできる。
【００５４】
（第２の実施形態）
上記第１の実施形態では、圧着ツール１１６に設けられた加熱手段を用いて電子部品４を加熱し、樹脂２４の硬度を上昇させる場合について説明したが、バンプ電極２３を加熱する方法は、上記実施形態に限られない。
例えば、図１に示すように、載置台１１１に電熱ヒーター等の加熱手段１１２を設置し、かかる加熱手段１１２によりウェハ２０１（電子部品４）を加熱する製造方法としてもよい。かかる製造方法を、第２の実施形態として、図８を参照しつつ以下に説明する。
【００５５】
図８は、第２の実施形態に係る製造工程を示すフローチャートである。
まず、図８に示す工程Ｓ２１及び工程Ｓ２２は、図５に示した工程Ｓ１１、Ｓ１２と同様である。具体的には、マガジン載置部１２１にウェハ２０１を収容したマガジン２１０が載置される。次いで、ウェハ搬送部１２２によりウェハ２０１が押し出され、実装部１０１の載置台１１１上に載置される。
【００５６】
次に、工程Ｓ２３では、載置台１１１に備えられた加熱手段１１２によりウェハ２０１の加熱動作が開始される。加熱手段１１２は、制御部１０３により制御される電熱ヒーター等からなり、載置台１１１のウェハ２０１が載置される台座部分を所定温度（例えば２００℃〜５００℃）に加熱可能に構成されている。
次に、工程Ｓ２４では、加熱時間の経過が判定される。すなわち、電子部品４の加熱動作が、予め設定した加熱時間を経過するまで持続される。設定加熱時間の経過後、工程Ｓ２５へ移行する。
【００５７】
上記の工程Ｓ２３及びＳ２４により、先の実施形態と同様に、バンプ電極２３の樹脂２４が加熱され、樹脂２４の硬度が上昇する。これにより、後段の実装工程における加熱加圧によってバンプ電極２３が潰れてしまうのを防止することが可能になる。
なお、加熱状態に保持する時間が長すぎると、樹脂が軟化したり劣化することにより硬度が低下する場合がある点も先の実施形態と同様であり、工程Ｓ２４における保持時間はこのような硬度の低下が生じない範囲に設定することが好ましい。また、工程Ｓ２４の終了後には、加熱手段１１２の動作条件を変更し、樹脂２４の硬度が変化しない温度範囲まで載置台１１１の温度を低下させる。
【００５８】
次に、工程Ｓ２５では、図５に示した工程Ｓ１４と同様に、ウェハ２０１から個片の電子部品４をピックアップする動作が実行される。制御部１０３は、圧着ツール１１６及びカメラ１１７を載置台１１１上に移動させ、良品の電子部品４を選択する。そして、選択された良品の電子部品４に対して圧着ツール１１６の加熱保持部１１９を降下させて吸着させ、加熱保持部１１９を再び上昇させる。
【００５９】
次に、工程Ｓ２６では、圧着ツール１１６により電子部品４が実装ステージ１１５上へ搬送される。実装ステージ１１５上には、図示略の搬送手段によりフレキシブル基板２が載置されている。
次に、工程Ｓ２７では、制御部１０３により実装部１０１が制御され、電子部品４をフレキシブル基板２に実装する動作が実行される。具体的な実装動作は、図６及び図７に示した第１実施形態の実装動作と同様である。
【００６０】
本実施形態の製造方法では、工程Ｓ２３及びＳ２４において、載置台１１１に備えられた加熱手段１１２によりバンプ電極２３を加熱することで、樹脂２４の硬度を所定の硬度にまで上昇させている。これにより、工程Ｓ２７の実装工程で電子部品４をフレキシブル基板２に押圧したときに、フレキシブル基板２の金属端子１２の押圧力によって樹脂２４が過度に変形してしまうのを防止することができる。その結果、金属端子１２によって樹脂２４が潰れてしまうのを防止でき、金属端子１２と絶縁膜２２（能動面２１ａ）とが接触しない状態で電子部品４を実装することができる。
【００６１】
また本実施形態の製造方法では、載置台１１１上に載置されたウェハ２０１の全体を加熱するので、数個から数百個の電子部品４を一括して加熱することができる。したがって先の実施形態と比較するとタクトタイムを短縮することができ、効率良く電子部品実装体１０を製造することができる。
【００６２】
（第３の実施形態）
上記第２の実施形態では、載置台１１１に設けられた加熱手段１１２によりウェハ２０１を加熱する場合について説明したが、ウェハ２０１を加熱する手段としては、載置台１１１に設けられたものに限られない。
例えば、図９に示すように、載置台１１１とは別に、電熱ヒーター等の加熱手段１１２を備えた加熱装置１１３を設け、加熱装置１１３によりウェハ２０１（電子部品４）を加熱する製造方法としてもよい。かかる製造方法を、第３の実施形態として、図９及び図１０を参照しつつ以下に説明する。
【００６３】
図９は、第３の実施形態に係る実装装置を示す図である。図１０は、第３の実施形態の製造工程を示すフローチャートである。
図９に示す実装装置１００Ａは、基台１１０上に加熱装置１１３が備えられている点で第１実施形態の実装装置１００と異なる。
加熱装置１１３は、載置台１１１とほぼ同等の高さにウェハ２０１を支持可能な台座部分と、かかる台座部分を加熱する電熱ヒーター等の加熱手段１１２とを備えている。加熱装置１１３は、マガジン載置部１２１と載置台１１１との間に配置されている。
【００６４】
本実施形態の製造方法は、図１０に示す工程Ｓ３１〜Ｓ３８を有している。
まず、工程Ｓ３１において、ウェハ２０１を収容したマガジン２１０がマガジン載置部１２１にセットされる。次いで、工程Ｓ３２において、ウェハ搬送部１２２のアーム１２３によりウェハ２０１がマガジン２１０から押し出され、実装部１０１へ供給される。アーム１２３により押し出されたウェハ２０１は、加熱装置１１３の台座部分に載置される。
【００６５】
次に、工程Ｓ３３では、ウェハ２０１が加熱装置１１３上に載置されたウェハ２０１の加熱動作が開始される。加熱手段１１２は、制御部１０３の制御のもと、ウェハ２０１を所定温度（例えば２００℃〜５００℃）に加熱する。
次に、工程Ｓ３４では、加熱時間の経過が判定される。すなわち、電子部品４の加熱動作が、予め設定した加熱時間を経過するまで持続される。設定加熱時間の経過後、工程Ｓ３５へ移行する。
【００６６】
上記の工程Ｓ３３及びＳ３４により、先の実施形態と同様に、バンプ電極２３の樹脂２４が加熱され、樹脂２４の硬度が上昇する。これにより、後段の実装工程における加熱加圧によってバンプ電極２３が潰れてしまうのを防止することが可能になる。
なお、加熱状態に保持する時間が長すぎると、樹脂が軟化したり劣化することにより硬度が低下する場合がある点も先の実施形態と同様であり、工程Ｓ３４における保持時間はこのような硬度の低下が生じない範囲に設定することが好ましい。また、工程Ｓ３４の終了後には、加熱手段１１２の動作条件を変更し、樹脂２４の硬度が変化しない温度範囲まで加熱装置１１３の温度を低下させる。
【００６７】
次に、工程Ｓ３５では、ウェハ２０１の移載動作が実行される。具体的には、制御部１０３による制御のもとで動作する図示略の移載装置により、加熱装置１１３から載置台１１１へ加熱処理後のウェハ２０１が搬送される。なお、上記の移載装置としては、特に限定されず、公知の搬送装置を用いることができる。例えば、ウェハ２０１を載置して水平移動する移載テーブルを備えたものや、ウェハ２０１を水平方向に搬送する搬送ベルトを備えたもの、あるいは、ウェハ２０１を支持又は吸着して搬送する搬送ロボットなどを用いることができる。
【００６８】
次に、工程Ｓ３６では、図５に示した工程Ｓ１４と同様に、ウェハ２０１から個片の電子部品４をピックアップする動作が実行される。制御部１０３は、圧着ツール１１６及びカメラ１１７を載置台１１１上に移動させ、良品の電子部品４を選択する。そして、選択された良品の電子部品４に対して圧着ツール１１６の加熱保持部１１９を降下させて吸着させ、加熱保持部１１９を再び上昇させる。
【００６９】
次に、工程Ｓ３７では、圧着ツール１１６により電子部品４が実装ステージ１１５上へ搬送される。実装ステージ１１５上には、図示略の搬送手段によりフレキシブル基板２が載置されている。
次に、工程Ｓ３８では、制御部１０３により実装部１０１が制御され、電子部品４をフレキシブル基板２に実装する動作が実行される。具体的な実装動作は、図６及び図７に示した第１実施形態の実装動作と同様である。
【００７０】
本実施形態の製造方法では、工程Ｓ３３及びＳ３４において、加熱装置１１３に備えられた加熱手段１１２によりバンプ電極２３を加熱することで、樹脂２４の硬度を所定の硬度にまで上昇させている。これにより、工程Ｓ３８の実装工程で電子部品４をフレキシブル基板２に押圧したときに、フレキシブル基板２の金属端子１２の押圧力によって樹脂２４が過度に変形してしまうのを防止することができる。その結果、金属端子１２によって樹脂２４が潰れてしまうのを防止でき、金属端子１２と絶縁膜２２（能動面２１ａ）とが接触しない状態で電子部品４を実装することができる。
【００７１】
また本実施形態の製造方法では、加熱装置１１３上に載置されたウェハ２０１の全体を加熱するので、数個から数百個の電子部品４を一括して加熱することができる。また、電子部品４のピックアップ動作が行われている期間中に、加熱装置１１３により次のウェハ２０１を加熱することができる。
したがって、先の第１実施形態及び第２実施形態と比較してもタクトタイムを短縮することができ、効率良く電子部品実装体１０を製造することができる。
【符号の説明】
【００７２】
４…電子部品、１０…電子部品実装体、１１…基板、１２…金属端子、２３…バンプ電極、２４…樹脂、２５…導電膜、１１１…載置台、１１２…加熱手段、１１３…加熱装置、１１６…圧着ツール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品実装体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ドライバーＩＣ等の電子部品をフレキシブル基板上に実装する、いわゆるＣＯＦ(Chip On FPC)構造と称される実装構造が知られている。
このような実装構造に用いられるフレキシブル基板には、配線パターンに接続するＡｕ、Ｓｎ等の金属からなるランド（端子）が形成されている。一方、電子部品の表面には、絶縁膜を介してランドと電気的接続を得るためのバンプ電極が形成され、このバンプ電極は、絶縁膜上に露出した電極に導通されることで電子部品の電極としての機能を有する。
バンプ電極としては、コアとなる凸条形状の樹脂の表面がＡｕまたはＡｕ合金からなる導電膜で覆われた構造の樹脂コアバンプが多く用いられている。そして、このランドにバンプ電極を接続させた状態で、フレキシブル基板上に電子部品を実装することにより、電子部品の実装構造体が形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記の電子部品の実装構造体においては、フレキシブル基板上に電子部品がより強固にかつ確実に接続していることが望まれている。特に、ランドやバンプ電極がそれぞれ複数ずつあり、複数のランド−バンプ電極間をそれぞれ接続させる場合には、全てのランド−バンプ電極間が良好に接続していることが、信頼性を確保するうえで重要となっている。
この実装構造体のバンプ電極は、コアとなる樹脂の表面が導電膜で覆われた構造であるから、従来のＡｕ等の金属からなるバンプと比べて狭ピッチ化が可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−０４９２２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１記載の電子部品の実装方法では、バンプ電極（樹脂コア）を加熱加圧により変形させて基板との接続を行うが、Ａｕ−Ａｕ接合などの金属接合によりバンプ電極と基板上の端子とを接続するためにバンプ電極を加熱すると、樹脂コアが軟化して潰れ過ぎてしまう場合があった。このように樹脂コアが潰れてしまうと、電子部品の能動面と基板上の配線とがショートしてしまうため、実装条件の設定が難しくなる場合があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、樹脂コアを有するバンプ電極を備えた電子部品を簡便かつ確実に実装でき、歩留まりよく電子部品実装体を製造する方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子部品実装体の製造方法は、コアとなる樹脂の表面に導電膜が形成されたバンプ電極を有する電子部品と、金属端子を有する基板とを電気的に接続してなる電子部品実装体の製造方法であって、前記電子部品の少なくとも前記バンプ電極を加熱し、前記樹脂の硬度を上昇させる加熱工程と、硬度を上昇させた前記バンプ電極を前記金属端子に接触させた状態で前記電子部品を前記基板に押圧し、前記電子部品を実装する実装工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この製造方法によれば、電子部品を実装する実装工程に先立って、バンプ電極の樹脂の硬度を上昇させる加熱工程を有していることで、実装工程において電子部品を加熱したときに樹脂が軟化するのを防止することができ、実装時の基板上の金属端子の押圧力によって樹脂が過度に変形してしまうのを防止することができる。これにより、実装条件を厳密に制御する必要がなくなり、電子部品実装体を容易に製造することができる。また、バンプ電極が潰れるのを防止できることから、基板上の金属端子と電子部品の表面とが接触するのを防止できるので、金属端子と電子部品の短絡等の不具合の発生を防止でき、歩留まりよく電子部品実装体を製造することができる。
【０００９】
前記加熱工程が、前記電子部品が載置された載置台から圧着ツールを用いて前記電子部品を搬出し、前記圧着ツールに支持された前記電子部品を加熱する工程であり、前記実装工程が、加熱後の前記電子部品を前記圧着ツールを用いて前記基板上に移動させ、前記基板に実装する実装工程である製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、電子部品の実装に用いる圧着ツールに支持した状態で電子部品を加熱するので、実装処理の直前にバンプ電極の樹脂を適切な硬度に調整することができる。
【００１０】
前記加熱工程が、前記圧着ツールに設けられた加熱手段により前記電子部品を加熱する工程である製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、従来と同様の実装装置を用いて容易に実施できる製造方法となる。
【００１１】
前記加熱工程が、加熱手段を有する載置台に前記電子部品を載置した状態で前記加熱手段により前記電子部品を加熱する工程であり、前記実装工程が、前記電子部品を圧着ツールを用いて前記載置台から前記基板上へ搬送し、前記基板に実装する工程である製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、複数の電子部品を一括して加熱することができるので、効率良く電被部品実装体を製造することができる。
【００１２】
前記加熱工程が、加熱装置を用いて前記電子部品を加熱する工程であり、加熱後の前記電子部品を前記加熱装置から載置台へ搬送する搬送工程を有し、前記実装工程が、前記電子部品を圧着ツールを用いて前記載置台から前記基板上へ搬送し、前記基板に実装する工程である製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、載置台からの電子部品のピックアップ動作中にも加熱装置を用いて電子部品の加熱を行うことができるので、さらに効率良く電子部品実装体を製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係る製造方法を実施可能な実装装置を示す図。
【図２】製造対象の電子部品実装体（実装構造体）を示す側面図。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図４】電子部品及びフレキシブル基板を示す図。
【図５】第１実施形態の製造方法のフローチャート。
【図６】実装工程の説明図。
【図７】実装工程の説明図。
【図８】第２の実施形態に係る製造工程を示すフローチャート。
【図９】第３の実施形態に係る実装装置を示す図。
【図１０】第３の実施形態に係る製造工程を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
【００１５】
（第１の実施形態）
［実装装置］
図１は、第１の実施形態に係る製造方法を実施可能な実装装置を示す図である。
図１に示す実装装置１００は、実装部１０１と、ウェハ供給部１０２と、制御部１０３とを備えている。
実装部１０１は、基台１１０と、載置台１１１と、カメラ１１４と、実装ステージ１１５と、圧着ツール１１６と、カメラ１１７と、搬送レール１１８とを備えて構成されている。
ウェハ供給部１０２は、マガジン載置部１２１と、ウェハ搬送部１２２とを備えている。
制御部１０３は、実装装置１００を総合的に制御する装置であり、各部の動作状況を管理しつつ電子部品の実装動作を実行する。
【００１６】
実装部１０１において、概略平板状の基台１１０上に、載置台１１１、カメラ１１４及び実装ステージ１１５が設けられている。載置台１１１には、ダイシングシート２０２上に保持されたウェハ２０１が載置される。ウェハ２０１は、ダイシングにより個片化された複数の電子部品４を含む。カメラ１１４は圧着ツール１１６に保持された電子部品４を撮像する。実装ステージ１１５には、電子部品４が実装されるフレキシブル基板２が載置される。
【００１７】
圧着ツール１１６は、略鉛直方向に移動自在の加熱保持部１１９を備えている。本実施形態の場合、加熱保持部１１９は、電子部品４を真空吸着させるとともに、図示略の加熱手段を動作させることにより、吸着保持した電子部品４を所定温度に加熱可能に構成されている。加熱手段としては、電熱ヒーター等の公知の構成を採用することができる。加熱手段は、加熱保持部１１９に内蔵されていてもよく、圧着ツール１１６の本体部に設けられ、加熱保持部１１９に熱を供給する構成であってもよい。
【００１８】
カメラ１１７は、載置台１１１上のウェハ２０１及び実装ステージ１１５上のフレキシブル基板２を撮像する。圧着ツール１１６とカメラ１１７は、図示略のキャリッジに支持されており、このキャリッジを搬送レール１１８上で走行させることにより、載置台１１１と実装ステージ１１５との間を往復移動可能に構成されている。
【００１９】
ウェハ供給部１０２において、マガジン載置部１２１は、上面にマガジン２１０を載置した状態で図示略の昇降手段によりマガジン２１０を実装部１０１に対して昇降させ、内部に収容しているウェハ２０１を載置台１１１に対して位置合わせする。
【００２０】
ウェハ搬送部１２２は、ウェハ２０１（ダイシングシート２０２）の形状に応じた先端形状を有するアーム１２３を備えている。アーム１２３は、図示略の駆動機構により水平方向に移動され、マガジン載置部１２１上のマガジン２１０内へ挿脱可能である。ウェハ搬送部１２２は、アーム１２３を水平移動させることにより、ウェハ２０１をマガジン２１０と載置台１１１との間で搬送する。
【００２１】
［電子部品実装体の製造方法］
次に、実装装置１００を用いて製造可能な電子部品実装体とその製造方法について説明する。
図２は、製造対象の電子部品実装体（実装構造体）を示す側面図である。図３は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図４は、電子部品及びフレキシブル基板を示す図である。
【００２２】
＜電子部品実装体＞
まず、製造対象の電子部品実装体について説明する。
電子部品実装体１０は、図２及び図３に示すように、フレキシブル基板（可撓性基板）２と電子部品４とを接続した構成を備えている。かかる電子部品実装体１０は、実装装置１００を用いて製造することができる。
【００２３】
フレキシブル基板２は、プラスチックフィルム基板等の可撓性を有する基板１１と、基板１１上に形成された複数の金属端子１２とを備えている。金属端子１２は、基板１１上に形成された配線パターンと接続されている。なお、基板１１は、ガラス基板やプリント基板、半導体基板などの可撓性を有しない基板であってもよい。
【００２４】
金属端子１２は、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｃｕ等の単体金属や、Ａｕ合金、Ｓｎ合金、Ａｌ合金、Ｃｕ合金等の合金により形成されたストライプ状の金属膜により形成されている。金属端子１２は数μｍ程度の厚い金属膜からなり、その横断面（幅方向の断面）の形状は、略台形状である。
【００２５】
電子部品４は、ドライバーＩＣ等の半導体素子（図示略）が内蔵された絶縁材料からなるパッケージ２１と、パッケージ２１の能動面２１ａに形成された絶縁膜２２と、絶縁膜２２上に突設されるとともに上記半導体素子と導通するバンプ電極２３と、を備えている。
【００２６】
なお、本実施形態では能動面２１ａ上にバンプ電極２３が形成された電子部品４を例示しているが、能動面２１ａと反対側の面にバンプ電極２３が形成された構成であってもよい。またバンプ電極２３が、半導体素子ではなくパッケージ上に併設されたキャパシタやインダクタなどの受動素子に接続されている構成であってもよい。
【００２７】
バンプ電極２３は、図２及び図４（ａ）に示すように、絶縁膜２２上に形成された断面略半円状の凸条である樹脂２４と、樹脂２４の外周面に形成された複数の帯状の導電膜２５と、を備えている。バンプ電極２３は、樹脂２４をコアとし、その表面に形成された導電膜２５を電極とする樹脂コアバンプである。
【００２８】
樹脂２４は、絶縁性を有する熱硬化成分を含む樹脂材料からなるもので、具体的には、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。樹脂２４は、公知のリソグラフィ技術やエッチング技術により断面半円状の凸条に形成されている。
なお、樹脂の材質（硬度）や形状については、フレキシブル基板２の金属端子１２の形状や大きさ等により適宜、選択・設計される。例えば、樹脂２４は、断面半楕円状、断面略台形状の凸条であってもよい。
【００２９】
導電膜２５は、図４（ａ）に示すように、樹脂２４の外周面に所定の間隔で複数形成され、樹脂２４の外周面から幅方向の両側へ延びている。そして、導電膜２５は、絶縁膜２２に形成された図示略のコンタクトホールを介して、能動面２１ａの半導体素子等と電気的に接続されている。したがって導電膜２５は、電子部品４の外部接続端子として機能する。また複数の導電膜２５は樹脂２４の長手方向に沿って間隔を空けて設けられており、各々の導電膜２５が能動面２１ａに形成された半導体素子の端子に接続されている。
【００３０】
導電膜２５は、金属又は合金により構成され、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｐｄ、及びそれらの合金（例えば、ＴｉＷ、ＮｉＶ等）、鉛フリーはんだ等を用いることができる。導電膜２５は、単層の金属からなるものとしてもよく、複数の金属膜を積層した積層膜としてもよい。
【００３１】
導電膜２５の形成方法は特に限定されず、スパッタ法等の公知の成膜法で成膜し、その後帯状にパターニングしたものであってもよく、無電解メッキにより選択的に形成したものであってもよい。また、スパッタ法や無電解メッキにより下地膜を形成し、その後電解メッキにより下地膜上に上層膜を形成し、これら下地膜と上層膜とからなる積層膜により導電膜２５を形成してもよい。
導電膜２５を構成する金属あるいは合金の種類、層構造、形成方法、膜厚、幅等については、上述した樹脂２４と同様に、フレキシブル基板２の金属端子１２の形状や大きさ等により適宜、選択・設計される。
【００３２】
フレキシブル基板２は、図４（ｂ）に示すように、基板１１上に、先端に金属端子１２を有する複数の配線が形成された構成を備えている。基板１１の辺縁から基板中央部へ向かって延びる配線が互いに対向して配置された領域が、電子部品４が実装される実装領域１１Ａである。
【００３３】
上記構成を備えた電子部品４とフレキシブル基板２との接続構造は、図３に示すように、バンプ電極２３の導電膜２５に対してフレキシブル基板２の金属端子１２が押し込まれ、樹脂２４が一部変形した状態で金属端子１２の上面と導電膜２５とが金属接合している。かかる構造により、導電膜２５と金属端子１２とが電気的に接続されている。本実施形態の電子部品実装体１０では、金属端子１２と導電膜２５とが金属接合されているため、端子の接合部で十分な強度を得ることができ、ＮＣＰ（Non-Conductive Paste）などのアンダーフィル材を充填することなく簡便に低抵抗の接合部を形成することができる。
【００３４】
また、バンプ電極２３の樹脂２４が過度に変形していない（潰れていない）ため、フレキシブル基板２の金属端子１２は、電子部品４の絶縁膜２２には接触していない。これにより、金属端子１２と能動面２１ａの半導体素子との絶縁を良好に確保することができる。
【００３５】
次に、電子部品実装体の製造方法について、図５から図７を参照して説明する。
図５は、本実施形態の製造方法のフローチャートである。図６は、実装工程を示す斜視図。図７は、実装工程の説明図である。なお、図７には、図１のＡ−Ａ線に沿う位置に対応する断面図が示されている。
【００３６】
本実施形態の製造方法は、図５に示すように、工程Ｓ１１から工程Ｓ１７を有する。
まず、工程Ｓ１１では、ダイシングシート２０２上に保持されたウェハ２０１（電子部品４）を収容したマガジン２１０を用意する。そして、図１に示したマガジン載置部１２１に、マガジン２１０を載置する。
本実施形態では、ダイシングシート２０２上のウェハ２０１はダイシングにより複数の電子部品４に個片化されている。したがって、マガジン２１０内には、複数の電子部品４がダイシングシート２０２上に並べられたものが収容されている。
【００３７】
次に、工程Ｓ１２では、制御部１０３によりウェハ供給部１０２が制御され、ウェハ２０１を実装部１０１へ搬送する動作が実行される。具体的には、マガジン載置部１２１の昇降動作により、処理対象のウェハ２０１を搬出可能な位置に、マガジン２１０の高さが設定される。その後、ウェハ搬送部１２２によりアーム１２３が駆動され、アーム１２３の水平移動してマガジン２１０内に挿入される。そして、アーム１２３の先端によりマガジン２１０内のウェハ２０１及びダイシングシート２０２が押し出され、実装部１０１の載置台１１１上に載置される。
なお、載置台１１１には、ウェハ２０１を支持しているダイシングシート２０２を固定するとともに引き延ばすエキスパンド機構や、ウェハ２０１の下面から電子部品４を上方に押し上げるチップ押し上げ機構が備えられている。
【００３８】
次に、工程Ｓ１３では、制御部１０３により実装部１０１が制御され、ウェハ２０１から個片の電子部品４をピックアップする動作が実行される。具体的には、圧着ツール１１６及びカメラ１１７が載置台１１１上に移動し、カメラ１１７により載置台１１１上の電子部品４が撮像される。制御部１０３は、取得された電子部品４の画像データに基づいて電子部品４の良否を判定し、良品の電子部品４を選択する。上記良否の判定は、例えば検査結果に基づいて電子部品４上に付与されたマークの識別や、画像処理による割れや欠けの検出に基づいて行うことができる。
次いで、選択された良品の電子部品４に対して圧着ツール１１６の加熱保持部１１９を降下させて吸着させ、加熱保持部１１９を再び上昇させることでピックアップ動作は完了する。
【００３９】
次に、工程Ｓ１４では、加熱保持部１１９を介した電子部品４の加熱動作が開始される。具体的には、圧着ツール１１６に設けられた電熱ヒーター等の加熱手段を動作させ、電子部品４を設定温度（例えば２００℃〜５００℃）に加熱する。
次に、工程Ｓ１５では、加熱時間の経過が判定される。すなわち、電子部品４の加熱動作が、予め設定した加熱時間を経過するまで持続される。設定加熱時間の経過後、工程Ｓ１６へ移行する。
【００４０】
上記の工程Ｓ１４及びＳ１５により、バンプ電極２３の樹脂２４が加熱され、樹脂２４の硬度が上昇する。これにより、後段の実装工程における加熱加圧によってバンプ電極２３が潰れてしまうのを防止することが可能になる。
本実施形態の樹脂２４は熱硬化成分を含んでおり、加熱量に応じて硬度が上昇する範囲を有する。例えば、熱硬化性のポリイミド樹脂であれば、４００℃以上の温度で数分加熱することで、硬度が大きく上昇する。その一方で、上記のような４００℃以上の高温に保持する時間が長すぎると、樹脂が軟化したり劣化することにより硬度が低下する場合があるため、工程Ｓ１５における保持時間はこのような硬度の低下が生じない範囲に設定することが好ましい。
【００４１】
次に、工程Ｓ１６では、圧着ツール１１６により電子部品４が実装ステージ１１５上へ搬送される。実装ステージ１１５上には、図示略の搬送手段によりフレキシブル基板２が載置されている。
【００４２】
次に、工程Ｓ１７では、制御部１０３により実装部１０１が制御され、電子部品４をフレキシブル基板２に実装する動作が実行される。具体的には、図６に示すように、フレキシブル基板２上の実装領域１１Ａに対して電子部品４を圧着する動作が実行される。
【００４３】
図７（ａ）に示すように、電子部品４のバンプ電極２３が形成された面と、フレキシブル基板２の金属端子１２が形成された面とを対向配置され、バンプ電極２３の導電膜２５と、対応する金属端子１２との位置合わせが行われる。
【００４４】
より詳しくは、まず、カメラ１１４による電子部品４及び加熱保持部１１９の撮像動作が実行され、取得された画像データは制御部１０３へ送信される。制御部１０３では、取得された電子部品４及び加熱保持部１１９の画像データに基づいて、加熱保持部１１９に対する電子部品４（導電膜２５）の相対位置及び姿勢が検出される。
また、圧着ツール１１６とともに移動するカメラ１１７によるフレキシブル基板２の撮像動作が実行され、取得された画像データは制御部１０３へ送信される。制御部１０３では、取得されたフレキシブル基板２の画像データに基づいて、加熱保持部１１９（圧着ツール１１６）に対するフレキシブル基板２（金属端子１２）の相対位置及び姿勢が検出される。
そして、制御部１０３において、上記位置情報及び姿勢情報に基づいて、導電膜２５と金属端子１２との位置合わせが実行される。
【００４５】
電子部品４とフレキシブル基板２との位置合わせが完了したならば、図７（ｂ）に示すように、加熱保持部１１９に保持された電子部品４を降下させてフレキシブル基板２に密着させる。これにより、金属端子１２と、導電膜２５とが当接する。この状態から、加熱状態に保持されている電子部品４をフレキシブル基板２に押圧する。すると、図７（ｃ）に示すように、金属端子１２が導電膜２５に押し込まれて樹脂２４の一部と導電膜２５とが変形するとともに、上記の加圧加熱により、導電膜２５と金属端子１２とが金属接合され、電子部品４とフレキシブル基板２とが電気的に接続される。
【００４６】
ここで、図７（ｃ）に示す加圧加熱工程では、押圧力によってバンプ電極２３が変形するが、本実施形態では、工程Ｓ１４、Ｓ１５において電子部品４を加熱し、バンプ電極２３の樹脂２４の硬度を上昇させている。そのため、樹脂２４が過度に変形して潰れてしまうことがなく、金属端子１２と絶縁膜２２（能動面２１ａ）とが接触しない状態で電子部品４を実装することができる。
【００４７】
なお、加圧加熱工程におけるバンプ電極２３の変形量（樹脂２４の潰れ量）は、工程Ｓ１５における保持時間（加熱時間）によって制御することができる。先に記載のように、加熱開始からある時間までは加熱時間の長さに比例して樹脂２４の硬度が上昇する。したがって、加圧加熱工程における圧力が一定であれば、加熱時間の長さを変更することで、樹脂２４の硬度を調整することができ、バンプ電極２３の変形量を調整することができる。
【００４８】
上記の加圧加熱工程が完了したならば、加熱保持部１１９の吸着が解除され、加熱保持部１１９が上昇される。また、圧着ツール１１６の加熱手段による加熱が停止され、加熱保持部１１９の温度が下げられる。これにより、実装部１０１が次の電子部品４の実装動作を実行可能な状態とされる。
【００４９】
以上の工程により、電子部品４のバンプ電極２３の導電膜２５がフレキシブル基板２の金属端子１２に電気的に接続された電子部品実装体１０を作製することができる。作製された電子部品実装体１０は、図示略の搬送機構により実装ステージ１１５から搬出される。
【００５０】
以上、詳細に説明したように、本実施形態の電子部品実装体の製造方法では、圧着ツール１１６に保持した電子部品４をフレキシブル基板２に実装する前に、工程Ｓ１４、Ｓ１５において、電子部品４を所定温度にて所定時間保持する加熱動作を行い、バンプ電極２３の樹脂２４の硬度を上昇させている。これにより、電子部品４をフレキシブル基板２に実装する加圧加熱工程において電子部品４を加熱したときに樹脂２４が軟化してしまうのを防止でき、バンプ電極２３が過度に変形するのを防止することができる。したがって本実施形態の製造方法では、実装条件を厳密に制御しなくともバンプ電極２３と金属端子１２とを適切な状態で実装することができる。
また、樹脂２４が潰れてしまうのを防止できることから、金属端子１２と電子部品４の能動面２１ａとが接触する不具合を低減することができ、歩留まりよく電子部品実装体を製造することができる。
【００５１】
また本実施形態の製造方法では、電子部品４の実装時にバンプ電極２３を加熱して樹脂２４の硬度を上昇させるので、電子部品４の製造工程を変更することなく、他品種の電子部品実装体を製造することが可能である。
例えば、フレキシブル基板２ではなくガラス基板上に電子部品４をＣＯＧ(Chip On Glass)実装する場合、ガラス基板上の接続端子はスパッタ膜などを用いて形成された膜厚１００〜５００ｎｍ程度の薄膜である。そのため、樹脂２４の硬度が低くても電子部品４の能動面２１ａとガラス基板上の接続端子や配線とが接触してしまう可能性は低く、むしろ樹脂２４が軟らかい方が、導電膜２５とガラス基板上の接続端子との接触面積を増やす上で有利である。
【００５２】
このように、ＣＯＧ実装とＣＯＦ実装とでは、樹脂２４の硬度についての最適条件が異なることが想定される。従来は、樹脂２４の硬度を変更するには、バンプ電極２３を構成する樹脂２４の形成条件や構成材料を変更する必要があり、製品毎に電子部品４の製造工程を変更する必要があった。
これに対して本実施形態の製造方法では、樹脂２４の材質を変更しなくとも、実装時の加熱条件を変更するのみで樹脂２４の硬度を調整することができ、異なる基板への最適条件での実装が可能である。
【００５３】
なお、上記実施の形態では、圧着ツール１１６に備えられた加熱手段を用いて電子部品４を加熱することとしたが、圧着ツール１１６に保持された電子部品４のバンプ電極２３を加熱する手段としては、圧着ツール１１６とは別に儲けられた加熱装置であってもよい。例えば、図１に示すように、加熱保持部１１９と対向可能な位置にランプヒーターなどの加熱手段１２０を設け、圧着ツール１１６で電子部品４をピックアップした後、圧着ツール１１６を加熱手段１２０上に移動させて電子部品４のバンプ電極２３を加熱し、その後に実装ステージ１１５上に移動して実装工程を実施する製造方法とすることもできる。
【００５４】
（第２の実施形態）
上記第１の実施形態では、圧着ツール１１６に設けられた加熱手段を用いて電子部品４を加熱し、樹脂２４の硬度を上昇させる場合について説明したが、バンプ電極２３を加熱する方法は、上記実施形態に限られない。
例えば、図１に示すように、載置台１１１に電熱ヒーター等の加熱手段１１２を設置し、かかる加熱手段１１２によりウェハ２０１（電子部品４）を加熱する製造方法としてもよい。かかる製造方法を、第２の実施形態として、図８を参照しつつ以下に説明する。
【００５５】
図８は、第２の実施形態に係る製造工程を示すフローチャートである。
まず、図８に示す工程Ｓ２１及び工程Ｓ２２は、図５に示した工程Ｓ１１、Ｓ１２と同様である。具体的には、マガジン載置部１２１にウェハ２０１を収容したマガジン２１０が載置される。次いで、ウェハ搬送部１２２によりウェハ２０１が押し出され、実装部１０１の載置台１１１上に載置される。
【００５６】
次に、工程Ｓ２３では、載置台１１１に備えられた加熱手段１１２によりウェハ２０１の加熱動作が開始される。加熱手段１１２は、制御部１０３により制御される電熱ヒーター等からなり、載置台１１１のウェハ２０１が載置される台座部分を所定温度（例えば２００℃〜５００℃）に加熱可能に構成されている。
次に、工程Ｓ２４では、加熱時間の経過が判定される。すなわち、電子部品４の加熱動作が、予め設定した加熱時間を経過するまで持続される。設定加熱時間の経過後、工程Ｓ２５へ移行する。
【００５７】
上記の工程Ｓ２３及びＳ２４により、先の実施形態と同様に、バンプ電極２３の樹脂２４が加熱され、樹脂２４の硬度が上昇する。これにより、後段の実装工程における加熱加圧によってバンプ電極２３が潰れてしまうのを防止することが可能になる。
なお、加熱状態に保持する時間が長すぎると、樹脂が軟化したり劣化することにより硬度が低下する場合がある点も先の実施形態と同様であり、工程Ｓ２４における保持時間はこのような硬度の低下が生じない範囲に設定することが好ましい。また、工程Ｓ２４の終了後には、加熱手段１１２の動作条件を変更し、樹脂２４の硬度が変化しない温度範囲まで載置台１１１の温度を低下させる。
【００５８】
次に、工程Ｓ２５では、図５に示した工程Ｓ１４と同様に、ウェハ２０１から個片の電子部品４をピックアップする動作が実行される。制御部１０３は、圧着ツール１１６及びカメラ１１７を載置台１１１上に移動させ、良品の電子部品４を選択する。そして、選択された良品の電子部品４に対して圧着ツール１１６の加熱保持部１１９を降下させて吸着させ、加熱保持部１１９を再び上昇させる。
【００５９】
次に、工程Ｓ２６では、圧着ツール１１６により電子部品４が実装ステージ１１５上へ搬送される。実装ステージ１１５上には、図示略の搬送手段によりフレキシブル基板２が載置されている。
次に、工程Ｓ２７では、制御部１０３により実装部１０１が制御され、電子部品４をフレキシブル基板２に実装する動作が実行される。具体的な実装動作は、図６及び図７に示した第１実施形態の実装動作と同様である。
【００６０】
本実施形態の製造方法では、工程Ｓ２３及びＳ２４において、載置台１１１に備えられた加熱手段１１２によりバンプ電極２３を加熱することで、樹脂２４の硬度を所定の硬度にまで上昇させている。これにより、工程Ｓ２７の実装工程で電子部品４をフレキシブル基板２に押圧したときに、フレキシブル基板２の金属端子１２の押圧力によって樹脂２４が過度に変形してしまうのを防止することができる。その結果、金属端子１２によって樹脂２４が潰れてしまうのを防止でき、金属端子１２と絶縁膜２２（能動面２１ａ）とが接触しない状態で電子部品４を実装することができる。
【００６１】
また本実施形態の製造方法では、載置台１１１上に載置されたウェハ２０１の全体を加熱するので、数個から数百個の電子部品４を一括して加熱することができる。したがって先の実施形態と比較するとタクトタイムを短縮することができ、効率良く電子部品実装体１０を製造することができる。
【００６２】
（第３の実施形態）
上記第２の実施形態では、載置台１１１に設けられた加熱手段１１２によりウェハ２０１を加熱する場合について説明したが、ウェハ２０１を加熱する手段としては、載置台１１１に設けられたものに限られない。
例えば、図９に示すように、載置台１１１とは別に、電熱ヒーター等の加熱手段１１２を備えた加熱装置１１３を設け、加熱装置１１３によりウェハ２０１（電子部品４）を加熱する製造方法としてもよい。かかる製造方法を、第３の実施形態として、図９及び図１０を参照しつつ以下に説明する。
【００６３】
図９は、第３の実施形態に係る実装装置を示す図である。図１０は、第３の実施形態の製造工程を示すフローチャートである。
図９に示す実装装置１００Ａは、基台１１０上に加熱装置１１３が備えられている点で第１実施形態の実装装置１００と異なる。
加熱装置１１３は、載置台１１１とほぼ同等の高さにウェハ２０１を支持可能な台座部分と、かかる台座部分を加熱する電熱ヒーター等の加熱手段１１２とを備えている。加熱装置１１３は、マガジン載置部１２１と載置台１１１との間に配置されている。
【００６４】
本実施形態の製造方法は、図１０に示す工程Ｓ３１〜Ｓ３８を有している。
まず、工程Ｓ３１において、ウェハ２０１を収容したマガジン２１０がマガジン載置部１２１にセットされる。次いで、工程Ｓ３２において、ウェハ搬送部１２２のアーム１２３によりウェハ２０１がマガジン２１０から押し出され、実装部１０１へ供給される。アーム１２３により押し出されたウェハ２０１は、加熱装置１１３の台座部分に載置される。
【００６５】
次に、工程Ｓ３３では、ウェハ２０１が加熱装置１１３上に載置されたウェハ２０１の加熱動作が開始される。加熱手段１１２は、制御部１０３の制御のもと、ウェハ２０１を所定温度（例えば２００℃〜５００℃）に加熱する。
次に、工程Ｓ３４では、加熱時間の経過が判定される。すなわち、電子部品４の加熱動作が、予め設定した加熱時間を経過するまで持続される。設定加熱時間の経過後、工程Ｓ３５へ移行する。
【００６６】
上記の工程Ｓ３３及びＳ３４により、先の実施形態と同様に、バンプ電極２３の樹脂２４が加熱され、樹脂２４の硬度が上昇する。これにより、後段の実装工程における加熱加圧によってバンプ電極２３が潰れてしまうのを防止することが可能になる。
なお、加熱状態に保持する時間が長すぎると、樹脂が軟化したり劣化することにより硬度が低下する場合がある点も先の実施形態と同様であり、工程Ｓ３４における保持時間はこのような硬度の低下が生じない範囲に設定することが好ましい。また、工程Ｓ３４の終了後には、加熱手段１１２の動作条件を変更し、樹脂２４の硬度が変化しない温度範囲まで加熱装置１１３の温度を低下させる。
【００６７】
次に、工程Ｓ３５では、ウェハ２０１の移載動作が実行される。具体的には、制御部１０３による制御のもとで動作する図示略の移載装置により、加熱装置１１３から載置台１１１へ加熱処理後のウェハ２０１が搬送される。なお、上記の移載装置としては、特に限定されず、公知の搬送装置を用いることができる。例えば、ウェハ２０１を載置して水平移動する移載テーブルを備えたものや、ウェハ２０１を水平方向に搬送する搬送ベルトを備えたもの、あるいは、ウェハ２０１を支持又は吸着して搬送する搬送ロボットなどを用いることができる。
【００６８】
次に、工程Ｓ３６では、図５に示した工程Ｓ１４と同様に、ウェハ２０１から個片の電子部品４をピックアップする動作が実行される。制御部１０３は、圧着ツール１１６及びカメラ１１７を載置台１１１上に移動させ、良品の電子部品４を選択する。そして、選択された良品の電子部品４に対して圧着ツール１１６の加熱保持部１１９を降下させて吸着させ、加熱保持部１１９を再び上昇させる。
【００６９】
次に、工程Ｓ３７では、圧着ツール１１６により電子部品４が実装ステージ１１５上へ搬送される。実装ステージ１１５上には、図示略の搬送手段によりフレキシブル基板２が載置されている。
次に、工程Ｓ３８では、制御部１０３により実装部１０１が制御され、電子部品４をフレキシブル基板２に実装する動作が実行される。具体的な実装動作は、図６及び図７に示した第１実施形態の実装動作と同様である。
【００７０】
本実施形態の製造方法では、工程Ｓ３３及びＳ３４において、加熱装置１１３に備えられた加熱手段１１２によりバンプ電極２３を加熱することで、樹脂２４の硬度を所定の硬度にまで上昇させている。これにより、工程Ｓ３８の実装工程で電子部品４をフレキシブル基板２に押圧したときに、フレキシブル基板２の金属端子１２の押圧力によって樹脂２４が過度に変形してしまうのを防止することができる。その結果、金属端子１２によって樹脂２４が潰れてしまうのを防止でき、金属端子１２と絶縁膜２２（能動面２１ａ）とが接触しない状態で電子部品４を実装することができる。
【００７１】
また本実施形態の製造方法では、加熱装置１１３上に載置されたウェハ２０１の全体を加熱するので、数個から数百個の電子部品４を一括して加熱することができる。また、電子部品４のピックアップ動作が行われている期間中に、加熱装置１１３により次のウェハ２０１を加熱することができる。
したがって、先の第１実施形態及び第２実施形態と比較してもタクトタイムを短縮することができ、効率良く電子部品実装体１０を製造することができる。
【符号の説明】
【００７２】
４…電子部品、１０…電子部品実装体、１１…基板、１２…金属端子、２３…バンプ電極、２４…樹脂、２５…導電膜、１１１…載置台、１１２…加熱手段、１１３…加熱装置、１１６…圧着ツール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアとなる樹脂の表面に導電膜が形成されたバンプ電極を有する電子部品と、金属端子を有する基板とを電気的に接続してなる電子部品実装体の製造方法であって、
前記電子部品の少なくとも前記バンプ電極を加熱し、前記樹脂の硬度を上昇させる加熱工程と、
硬度を上昇させた前記バンプ電極を前記金属端子に接触させた状態で前記電子部品を前記基板に押圧し、前記電子部品を実装する実装工程と、
を有することを特徴とする電子部品実装体の製造方法。
【請求項２】
前記加熱工程が、前記電子部品が載置された載置台から圧着ツールを用いて前記電子部品を搬出し、前記圧着ツールに支持された前記電子部品を加熱する工程であり、
前記実装工程が、加熱後の前記電子部品を前記圧着ツールを用いて前記基板上に移動させ、前記基板に実装する実装工程であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項３】
前記加熱工程が、前記圧着ツールに設けられた加熱手段により前記電子部品を加熱する工程であることを特徴とする請求項２に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項４】
前記加熱工程が、加熱手段を有する載置台に前記電子部品を載置した状態で前記加熱手段により前記電子部品を加熱する工程であり、
前記実装工程が、前記電子部品を圧着ツールを用いて前記載置台から前記基板上へ搬送し、前記基板に実装する工程であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項５】
前記加熱工程が、加熱装置を用いて前記電子部品を加熱する工程であり、
加熱後の前記電子部品を前記加熱装置から載置台へ搬送する搬送工程を有し、
前記実装工程が、前記電子部品を圧着ツールを用いて前記載置台から前記基板上へ搬送し、前記基板に実装する工程であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項１】
コアとなる樹脂の表面に導電膜が形成されたバンプ電極を有する電子部品と、金属端子を有する基板とを電気的に接続してなる電子部品実装体の製造方法であって、
前記電子部品の少なくとも前記バンプ電極を加熱し、前記樹脂の硬度を上昇させる加熱工程と、
硬度を上昇させた前記バンプ電極を前記金属端子に接触させた状態で前記電子部品を前記基板に押圧し、前記電子部品を実装する実装工程と、
を有することを特徴とする電子部品実装体の製造方法。
【請求項２】
前記加熱工程が、前記電子部品が載置された載置台から圧着ツールを用いて前記電子部品を搬出し、前記圧着ツールに支持された前記電子部品を加熱する工程であり、
前記実装工程が、加熱後の前記電子部品を前記圧着ツールを用いて前記基板上に移動させ、前記基板に実装する実装工程であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項３】
前記加熱工程が、前記圧着ツールに設けられた加熱手段により前記電子部品を加熱する工程であることを特徴とする請求項２に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項４】
前記加熱工程が、加熱手段を有する載置台に前記電子部品を載置した状態で前記加熱手段により前記電子部品を加熱する工程であり、
前記実装工程が、前記電子部品を圧着ツールを用いて前記載置台から前記基板上へ搬送し、前記基板に実装する工程であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項５】
前記加熱工程が、加熱装置を用いて前記電子部品を加熱する工程であり、
加熱後の前記電子部品を前記加熱装置から載置台へ搬送する搬送工程を有し、
前記実装工程が、前記電子部品を圧着ツールを用いて前記載置台から前記基板上へ搬送し、前記基板に実装する工程であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−２０９４０９（Ｐ２０１２−２０９４０９Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２５日（２０１２．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７３５７９（Ｐ２０１１−７３５７９）
【出願日】平成２３年３月２９日（２０１１．３．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２５日（２０１２．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２９日（２０１１．３．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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