電極基板
【課題】本発明の目的は、透明性と導電性とを両立した電極基板を提供することにある。
【解決手段】本発明の電極基板は、透明性基材上に第１導電性物質からなる第１導電層と第２導電性物質からなる第２導電層とを形成してなるものであって、該第１導電層は、該透明性基材上に形成され、該第２導電層は、該第１導電層の少なくとも一部を覆うようにして該透明性基材上に形成され、該第２導電層の幅は、該第１導電層の幅を１とする場合１．５以上３００以下であり、該第２導電性物質は、該第１導電性物質よりも高い光透過率を有するが、導電性は第１導電性物質より低いことを特徴としている。
【解決手段】本発明の電極基板は、透明性基材上に第１導電性物質からなる第１導電層と第２導電性物質からなる第２導電層とを形成してなるものであって、該第１導電層は、該透明性基材上に形成され、該第２導電層は、該第１導電層の少なくとも一部を覆うようにして該透明性基材上に形成され、該第２導電層の幅は、該第１導電層の幅を１とする場合１．５以上３００以下であり、該第２導電性物質は、該第１導電性物質よりも高い光透過率を有するが、導電性は第１導電性物質より低いことを特徴としている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明性基材上に導電層を形成した電極基板であって、透明性と導電性とを兼ね備えた電極基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、有機ＥＬ（有機エレクトロルミネセンス）、電子ペーパー等に使用される電極基板は、透明性と導電性とを兼ね備えることが要求される。これは、透明性が不十分である場合は表示画面が暗くなり、また導電性が不十分である場合は表示画面の面積を大きくすることが困難であるとともに応答速度も遅くなるからである。
【０００３】
このような電極基板に用いられる透明電極としては、従来よりＩＴＯ（Ｉｎ／Ｓｎ酸化物）やＺｎ系酸化物が用いられてきたが、これらの透明電極においては導電性を向上させるためには厚みを厚くしなければならず、逆に厚みを厚くすると透明性が低減するという相反する特性を両立されることが求められてきた。また、これらの透明電極は、高価な金属の酸化物を用いていることから、コストを節減する目的からも薄い厚みで導電性を高めることが必要とされてきた。さらに、これらの透明電極は、酸化物で構成されることからクラック等を生じ易くこれによる導電性不良を防止するためにその強度を向上させることも必要とされている。また、これらの酸化物は結晶化が不十分であると導電性が低下する傾向を示すが、電極を形成する基材が樹脂等で構成されている場合には酸化物の形成条件が制限され、十分な結晶化が得られないことから特にその導電性の低下が問題とされていた。
【０００４】
これらの諸点を解決することを目的として、種々の試みが提案されているが（特許文献１〜４）、その性能を向上させるべくさらなる改善が求められている。
【特許文献１】特開２０００−０７２５２６号公報
【特許文献２】特開２０００−０７２５３７号公報
【特許文献３】特開２００３−０７８１５３号公報
【特許文献４】特開２００４−３５５９７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記のような現状に鑑みなされたものであって、その目的とするところは透明性と導電性とを高度に両立させた電極基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、従来技術のように１層のみの導電層により透明性と導電性とを両立させるのではなく、透明性を担保する導電層と導電性を担保する導電層とを２層に分けて形成するという全く新規な知見に基づきなされたものである。
【０００７】
すなわち、本発明の電極基板は、透明性基材上に第１導電性物質からなる第１導電層と第２導電性物質からなる第２導電層とを形成してなるものであって、該第１導電層は、該透明性基材上に形成され、該第２導電層は、該第１導電層の少なくとも一部を覆うようにして該透明性基材上に形成され、該第２導電層の幅は、該第１導電層の幅を１とする場合１．５以上３００以下であり、該第２導電性物質は、該第１導電性物質よりも高い光透過率を有するが、導電性は第１導電性物質より低いことを特徴としている。
【０００８】
ここで、上記第１導電性物質は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、およびＣｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属または該金属を含む合金であり、上記第２導電性物質は、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、およびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物であることが好ましい。
【０００９】
また、上記第１導電層は、その厚みが０．００１μｍ以上５μｍ以下であって、その幅が１μｍ以上３ｍｍ以下であり、上記第２導電層は、その厚みが０．００１μｍ以上１μｍ以下であって、その幅が１．５μｍ以上であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明は、上記の電極基板を含んでなる部品または製品にも関する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の電極基板は、上記のような構成を有することにより、透明性と導電性とを高度に両立させることに成功したものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明では、図面を用いて説明しているが、本願の図面において同一の参照符号を付したものは、同一部分または相当部分を示している。
【００１３】
＜電極基板＞
図１にその模式的な断面図を示したように本発明の電極基板１００は、透明性基材１０１上に第１導電性物質からなる第１導電層１０２と第２導電性物質からなる第２導電層１０３とを形成してなるものであって、該第１導電層１０２は、透明性基材１０１上に形成され、該第２導電層１０３は、第１導電層１０２の少なくとも一部を覆うようにして透明性基材１０１上に形成される。
【００１４】
すなわち、本発明の電極基板１００は、透明性基材１０１上に第１導電層１０２と第２導電層１０３という２つの異なった導電層を形成させたことを特徴とするものであり、第１導電層１０２により主として導電性を担保させ、第２導電層１０３により主として透明性を担保させたものである。このような構成としたことにより、透明性と導電性とを高度に両立させることが可能となったものである。本発明において、このような第１導電層と第２導電層とからなる導電層は、通常、透明性基材上に細線状の配線パターン（または配線回路）を形成することが多い。
【００１５】
なお、このような本発明の電極基板は、上記のような構成を電極基板の一部のみに含む場合であっても本発明の範囲に含まれるものとし、第１導電層および第２導電層以外の他の導電層や他の回路構成要素がたとえ形成されていたとしても本発明の範囲を逸脱するものではない。
【００１６】
＜透明性基材＞
本発明で用いられる透明性基材は、透明性を有しかつ絶縁性である限り特に限定はなく、この種の用途に使用される従来公知の絶縁性透明基材を特に限定なくいずれのものでも使用することができる。なお、本発明における透明性基材は、波長３５０〜８００ｎｍの光透過率が５０％以上となるものであることが好ましく、さらにその光透過率が８０％以上となることが好ましい。光透過率が５０％未満では、透明電極としての役割を奏さなくなる場合があるからである。
【００１７】
このような透明性基材としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂、アラミド、液晶ポリマー、ポリイミド等のポリマー類、ガラス、およびこれらの表面に対して透明性でかつ絶縁性の有機化合物または無機化合物をコーティングしたものからなる群より選ばれる少なくとも１種を素材として選択することが好ましい。特に、ＰＥＴは、安価でありかつ割れ等が発生することもなく強度に優れているため特に好適に用いることができる。
【００１８】
また、透明性基材の厚みは、３μｍ以上５ｍｍ以下とすることが好ましい。その厚みが３μｍ未満の場合、強度が十分でなかったり加工が困難となることがあり、５ｍｍを超えると光透過率が悪化する場合がある。より好ましい厚みは、その上限が３ｍｍ、さらに好ましくは１ｍｍ、その下限が３０μｍ、さらに好ましくは５０μｍである。
【００１９】
＜第１導電層＞
本発明の第１導電層は、主として電極基板の導電性を担保する作用を有するものであり、第１導電性物質からなり上記透明性基材上に形成される。このような第１導電層は、通常、細線状の配線パターンを構成するようにして形成される。
【００２０】
ここで、該第１導電性物質は、良好な導電性を有する限り特に限定なくいずれのものも用いることができるが、とりわけＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、およびＣｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属または該金属を含む合金を用いることが好ましい。これらの金属または合金は、安価であるとともに導電性に優れており、しかもクラック等が発生することもなく優れた強度（すなわち安定した品質）を有するものとなるからである。特にＣｕは、安価かつ電気抵抗が低く（すなわち導電性が良好であり）、優れた延性を示し、またクラックが発生することもないため、特に好適に用いることができる。
【００２１】
また、このような第１導電性物質で構成される第１導電層は、その第１導電性物質の種類にもよるが、その厚みが０．００１μｍ以上５μｍ以下であって、その幅が１μｍ以上３ｍｍ以下であることが好ましい。その厚みが０．００１μｍ未満となる場合、ピンホールが生じ易くこれにより電気抵抗が高くなることがあり、５μｍを超えると幅を狭くすることが困難となり結果的に透明性を悪化させることになる。一方、その幅が１μｍ未満となる場合、導電性が低下することがあり、３ｍｍを超えると透明性が悪化することがある。このように、当該第１導電層は、それ自体が透明性を有するものではないが、厚みおよび幅を低減すること（すなわち細線化すること）により、高い導電性を保持しつつ光遮蔽性（光透過性の低下）を防止することを意図している。
【００２２】
このような第１導電層のより好ましい厚みは、その上限が０．５μｍ、さらに好ましくは０．３μｍ、その下限が０．０１μｍ、さらに好ましくは０．１μｍである。また第１導電層のより好ましい幅は、その上限が５０μｍ、さらに好ましくは１５μｍ、その下限が３μｍ、さらに好ましくは５μｍである。
【００２３】
なお、本発明の第１導電層は、互いに異なる第１導電性物質により、複数の層として形成することもできる。たとえば、透明性基材上にまずＮｉとＣｒとからなる合金で構成される層（便宜的に「第１導電層ａ」と記す）を形成し、その上にＣｕからなる層（便宜的に「第１導電層ｂ」と記す）を形成したものなどを挙げることができる。この場合、第１導電層ａの幅と第１導電層ｂの幅とは同じとし、第１導電層ａの厚みと第１導電層ｂの厚みの合計を、第１導電層の厚みとする。
【００２４】
なお、第１導電層はこのように本質的に金属である第１導電性物質で構成されるため、マイグレーション（配線や電極として使用した金属が絶縁物の上を移動し絶縁不良や短絡を発生させる現象をいう）を発生させ易いというデメリットを有しているが、このマイグレーションの発生は後述の第２導電層を形成する（特に第１導電層を覆うようにして第２導電層を形成する）ことにより防止することができる。このように本発明は、本発明の構成を有することにより、第１導電層におけるマイグレーションの発生を極めて有効に防止できるという効果を発揮するものである。
【００２５】
＜第２導電層＞
本発明の第２導電層は、導電性を有しつつ主として透明性を担保する作用を有するものであり、第２導電性物質からなり、上記第１導電層の少なくとも一部を覆うようにして透明性基材上に形成される。このような第２導電層は、上記のように細線状に形成された第１導電層の全面を覆うようにして形成されることが好ましいが、部分的に第１導電層が表面に露出していても本発明の範囲を逸脱するものではない。
【００２６】
ここで、該第２導電性物質は、導電性でかつ透明性であるものである限り特に限定されないが、とりわけＲｕ、Ｒｅ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、およびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物とすることが好ましい。導電性を有しつつ、優れた透明性を有するものとなるからである。このような第２導電性物質としてより好ましくは、ＩＴＯ（ＳｎとＩｎの酸化物、質量比でＳｎ／Ｉｎ／Ｏ＝２〜１５／６５〜９５／３〜３０）、ＳｎＯ（Ｓｎの酸化物）、ＲｕＯ（Ｒｕの酸化物）、ＲｅＯ（Ｒｅの酸化物）、ＺｎＯ（Ｚｎの酸化物）等を挙げることができる。
【００２７】
また、このような第２導電性物質で構成される第２導電層は、その厚みが０．００１μｍ以上１μｍ以下であって、その幅が１．５μｍ以上であることが好ましい。その厚みが０．００１μｍ未満となる場合、ピンホールが生じ易くこれにより電気抵抗が高くなることがあり、１μｍを超えると透明性を悪化させることになる。一方、その幅が１．５μｍ未満となる場合、相対的に第１導電層の比率が高くなり透明性が悪化する。一方その幅の上限は特に限定されず、第１導電層の幅に対して後述の比率となる範囲内で任意に設定することが可能である。このように、当該第２導電層は、上記第１導電層に比し導電性は低いものの、透明性を向上させることを意図している。また、第１導電層を覆うようにしてこの第２導電層を形成することにより第１導電層のマイグレーションの発生を防止することができる。
【００２８】
このような第２導電層のより好ましい厚みは、その上限が０．１μｍ、さらに好ましくは０．０５μｍ、その下限が０．０１μｍ、さらに好ましくは０．０３μｍである。また、第２導電層のより好ましい幅は、その上限が６００μｍ、さらに好ましくは３００μｍ、その下限が４．５μｍ、さらに好ましくは７．５μｍである。
【００２９】
＜第１導電層と第２導電層の特性＞
上記のような本発明の第２導電層の幅は、上記第１導電層の幅を１とする場合１．５以上３００以下とすることを要する。これにより、電極基板全体として十分な導電性と十分な透明性とを両立したものとなる。第２導電層の幅が１．５未満となる場合、所定の導電性を得るのに第１導電層の比率が高くなることから十分な透明性を得ることができず、また第２導電層の幅が３００を超えると第２導電層の比率が高くなることから十分な導電性を得ることが困難となる。第２導電層のより好ましい幅は、上記第１導電層の幅を１とする場合、その上限は１００、さらに好ましくは５０、その下限が１０、さらに好ましくは２０である。
【００３０】
なお、ここで第１導電層の幅とは、細線状に形成される第１導電層の長さ方向に対する垂直方向（横方向）の長さをいい、たとえば図１を例にとるとＷ1で表わされる長さを示し、第２導電層の幅とは同様にして同図でＷ2で表わされる長さをいうものとする。このようにそれぞれの幅は、両者が積層されている同一地点の幅を比較するものとする。
【００３１】
また、上記のように規定される第１導電層と第２導電層の幅の割合は、長さ方向の全領域において満たされていることが理想であるが、長さ方向の２０％以下の領域において上記割合を満たさない部分が含まれていても本発明の範囲を逸脱するものではない。
【００３２】
さらに、第１導電層を構成する第１導電性物質と第２導電層を構成する第２導電性物質において、該第２導電性物質は、該第１導電性物質よりも高い光透過率を有するが、導電性は該第１導電性物質より低いことを要する。これにより、第１導電層により導電性を担保させ、第２導電層により透明性を担保させることができる。なお、本発明でいう導電性とは、電気伝導度をいうが、電気抵抗値を指標としても差し支えない。
【００３３】
なお、ここで光透過率および導電性は、比較する第１導電性物質と第２導電性物質とを同一の測定条件で測定するものとするが、その測定条件は従来公知のいずれの測定条件で測定されたものであってもよい。
【００３４】
＜製造方法＞
本発明の電極基板は、上記のような構成を有する限り特にその製造方法が限定されるものではない。たとえば以下のような製造方法Ａ〜Ｄのいずれかにより製造することができるが、これのみに限定されるものではない。
【００３５】
＜製造方法Ａ＞
透明性基材上に、第１導電層が所望の細線状の配線パターン（以下単に「細線状」と記す）を形成するようにレジストを塗布し、露光、現像する。次いで、その所望の細線状に第１導電性物質をスパッタリングすることにより第１導電層を形成した後、レジストを剥離させる。
【００３６】
続いて、上記のようにして細線状に形成した第１導電層を覆うようにして第２導電層が形成されるようなパターンでレジストを塗布し、露光、現像する。次いで、そのパターン状に第２導電性物質をスパッタリングすることにより第２導電層を形成した後、レジストを剥離させる。このようにして、透明性基材上に第１導電層と第２導電層とを形成してなる電極基板を製造することができる。
【００３７】
＜製造方法Ｂ＞
透明性基材上の全面に第１導電性物質をスパッタリングすることにより第１導電層を形成する。次いで、この第１導電層が所望の細線状に形成されるようなパターンでその第１導電層上にレジストを塗布し、露光、現像する。その後、エッチングを行なうことにより不要部の第１導電層を除去した後、レジストを剥離することにより細線状に第１導電層を形成する。
【００３８】
続いて、上記のようにして第１導電層が形成された透明性基材の全面に第２導電性物質をスパッタリングすることにより第２導電層を形成する。次いで、この第２導電層が上記第１導電層を覆うものとなるようなパターンでその第２導電層上にレジストを塗布し、露光、現像する。その後、エッチングを行なうことにより不要部の第２導電層を除去した後、レジストを剥離することにより第１導電層を覆うようにして第２導電層を形成する。このようにして、透明性基材上に第１導電層と第２導電層とを形成してなる電極基板を製造することができる。
【００３９】
＜製造方法Ｃ＞
透明性基材上に第１導電層が所望の細線状に形成されるようなパターンでレジストを塗布し、露光、現像する。次いで、その所望の細線状に第１導電性物質をスパッタリングすることにより第１導電層を形成した後、レジストを剥離させる。
【００４０】
続いて、上記のようにして第１導電層が形成された透明性基材の全面に第２導電性物質をスパッタリングすることにより第２導電層を形成する。次いで、この第２導電層が上記第１導電層を覆うものとなるようなパターンでその第２導電層上にレジストを塗布し、露光、現像する。その後、エッチングを行なうことにより不要部の第２導電層を除去した後、レジストを剥離することにより第１導電層を覆うようにして第２導電層を形成する。このようにして、透明性基材上に第１導電層と第２導電層とを形成してなる電極基板を製造することができる。
【００４１】
＜製造方法Ｄ＞
透明性基材の全面に第１導電層が形成された基材を用い、この第１導電層が所望の細線状に形成されるようなパターンでその第１導電層上にレジストを塗布し、露光、現像する。その後、エッチングを行なうことにより不要部の第１導電層を除去した後、レジストを剥離することにより細線状に第１導電層を形成する。
【００４２】
続いて、上記のようにして細線状に形成した第１導電層を覆うようにして第２導電層が形成されるようなパターンでレジストを塗布し、露光、現像する。次いで、そのパターン状に第２導電性物質をスパッタリングすることにより第２導電層を形成した後、レジストを剥離させる。このようにして、透明性基材上に第１導電層と第２導電層とを形成してなる電極基板を製造することができる。
【００４３】
なお、上記の製造方法Ａ〜Ｄにおけるレジストは、ドライフィルムを用いることも可能である。また、第１導電層を形成する前の透明性基材上に対して、および／または第２導電層を形成する前の第１導電層上に対して、洗浄や陽イオン照射などの各種前処理を行なうこともできる。
【００４４】
また、上記の製造方法Ａ〜Ｄにおいて、第１導電層および第２導電層は、スパッタリングにより形成されているが、その形成方法はこれのみに限られるものではなく、蒸着、電気めっき、無電解めっき、印刷等の従来公知のいずれの方法をも採用することができる。また、第１導電層および第２導電層の配線パターンの形成方法も特に限定されず、直接的にパターンを形成する方法であってもよいし、エッチングによりパターンを形成する方法であってもよい。
【００４５】
＜用途＞
本発明の電極基板は、液晶表示装置、有機ＥＬ、電子ペーパー、太陽電池等の電子製品／電気製品の電極として極めて有効に用いることができる。なお、本発明は、このように本発明の電極基板を含む液晶表示装置、有機ＥＬ、電子ペーパー、太陽電池等の製品または部品をも対象とするものである。
【００４６】
さらにまた、このような製品または部品には、本発明の電極基板をその一部に含む電極基板が含まれる。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４８】
＜実施例１＞
透明性基材１０１として１００μｍの厚みを有するフイルム状のＰＥＴ（商品名：ルミナー、東レ社製）を用い、これに厚み１０μｍのドライフィルム（商品名：ＲＹ３３１０、日立化成工業社製）をラミネートした。そして、第１導電層が所望の細線状の配線パターンを形成するようにこのラミネートしたドライフィルム１０４に対して、露光、現像した（図２）。
【００４９】
続いて、このドライフィルム１０４によりパターンを形成した透明性基材１０１をスパッタリング装置に投入し、Ａｒガスを使用してイオンガンにより陽イオンを照射した。引き続き、第１導電性物質としてＮｉ／Ｃｒ合金（質量比でＮｉ／Ｃｒ＝８０／２０）をスパッタリングし、引き続きそのＮｉ／Ｃｒ合金上に第１導電性物質としてＣｕをスパッタリングすることにより第１導電層１０２を形成した（図３、ただし第１導電層は１層として示してある）。ＦＩＢ（集束イオンビーム）装置を用いてこの第１導電層の断面を観察したところ、Ｎｉ／Ｃｒ合金層の厚みは０．０１μｍであり、Ｃｕ層の厚みは０．３μｍであった。
【００５０】
次いで、この第１導電層１０２を形成した透明性基材１０１をレジスト剥離装置に投入し、水酸化ナトリウム水溶液を吹き付けることにより、パターンを形成しない部分のドライフィルム１０４を第１導電層が付着した状態で剥離させることにより、パターン状の第１導電層を形成した（図４）。ここで、光学顕微鏡を用いてこの透明性基材１０１の表面を観察したところ、第１導電層１０２が透明性基材１０１上に幅１０μｍの細線状の配線パターン（配線回路）を形成していることが確認できた。
【００５１】
続いて、このように第１導電層１０２によるパターンが形成された透明性基材１０１上に上記と同じドライフィルム１０５をラミネートし、第２導電層１０３がこの第１導電層１０２を覆うようにして形成されるように露光、現像した（図５）。
【００５２】
次いで、このドライフィルム１０５がラミネートされた透明性基材１０１をスパッタリング装置に投入し、Ａｒガスを使用してイオンガンにより陽イオンを照射した。引き続き、第２導電性物質としてＩＴＯ（Ｓｎ、Ｉｎの酸化物；質量比でＳｎ／Ｉｎ＝１０／９０）にさらに少量の酸素を投入しながらスパッタリングすることにより第１導電層１０２上に第２導電性物質であるＩＴＯ（質量比でＳｎ／Ｉｎ／Ｏ＝７．３／７３．２／１９．５）からなる第２導電層１０３を形成した（図６）。ＦＩＢ装置を用いてこの第２導電層１０３の断面を観察したところ、その厚みは０．０３μｍであった。
【００５３】
続いて、このように第２導電層１０３を形成した透明性基材１０１をレジスト剥離装置に投入し、水酸化ナトリウム水溶液を吹き付けることにより、ドライフィルム１０５を第２導電層１０３が付着した状態で剥離させることにより、透明性基材１０１上に第１導電層１０２と第２導電層１０３とを形成してなる本発明の電極基板１００を得た（図１）。光学顕微鏡を用いてこの電極基板１００の表面を観察したところ、透明性基材１０１上に細線状の配線パターン（配線回路）として形成された第１導電層１０２を覆うようにして幅２５０μｍの第２導電層１０３が形成されていることが確認できた。なお、配線パターン（配線回路）において、隣り合う第２導電層間は２０μｍの間隔を有するように設計した。
【００５４】
＜実施例２＞
実施例１と同じ透明性基材１０１を準備し、この透明性基材１０１をスパッタリング装置に投入し、Ａｒガスを使用してイオンガンにより陽イオンを照射した。引き続き、第１導電性物質としてＮｉ／Ｃｒ合金（質量比でＮｉ／Ｃｒ＝８０／２０）を透明性基材１０１の片側全面にスパッタリングし、引き続きそのＮｉ／Ｃｒ合金上に第１導電性物質としてＣｕをスパッタリングすることにより透明性基材１０１の片側全面に第１導電層１０２を形成した（図７、ただし第１導電層は１層として示してある）。ＦＩＢ装置を用いてこの第１導電層１０２の断面を観察したところ、Ｎｉ／Ｃｒ合金層の厚みは０．０１μｍであり、Ｃｕ層の厚みは０．３μｍであった。
【００５５】
次いで、上記で形成した第１導電層１０２上に実施例１で用いたのと同じドライフィルム１０４をラミネートし、第１導電層１０２が所望の細線状の配線パターンを形成するようにこのラミネートしたドライフィルム１０４に対して、露光、現像した（図８）。
【００５６】
続いて、これをエッチング装置に投入し、第１導電層１０２をエッチングするとともにドライフィルム１０４を剥離させることにより、透明性基材１０１上にパターン状の第１導電層１０２を形成した（図９）。ここで、光学顕微鏡を用いてこの透明性基材１０１の表面を観察したところ、第１導電層１０２が透明性基材１０１上に幅１０μｍの細線状の配線パターン（配線回路）を形成していることが確認できた。
【００５７】
続いて、このように第１導電層１０２によるパターンが形成された透明性基材１０１をスパッタリング装置に投入し、Ａｒガスを使用してその表面に対してイオンガンにより陽イオンを照射した。引き続き、その表面の全面に対して、第２導電性物質としてＩＴＯ（Ｓｎ、Ｉｎの酸化物；質量比でＳｎ／Ｉｎ＝１０／９０）にさらに少量の酸素を投入しながらスパッタリングすることにより、第１導電層１０２がパターン状に形成された透明性基体１０１上の全面に第２導電性物質であるＩＴＯ（質量比でＳｎ／Ｉｎ／Ｏ＝７．３／７３．２／１９．５）からなる第２導電層１０３を形成した（図１０）。ＦＩＢ装置を用いてこの第２導電層１０３の断面を観察したところ、その厚みは０．０３μｍであった。
【００５８】
次いで、上記で形成した第２導電層１０３上に上記と同じドライフィルム１０５をラミネートし、第２導電層１０３が第１導電層１０２を覆い所望の細線状の配線パターンを形成するようにこのラミネートしたドライフィルム１０５に対して、露光、現像した（図１１）。
【００５９】
続いて、これをエッチング装置に投入し、不要部分の第２導電層１０３をエッチングするとともにドライフィルム１０５を剥離させることにより、透明性基材１０１上に第１導電層１０２と第２導電層１０３とを形成してなる本発明の電極基板１００を得た（図１）。光学顕微鏡を用いてこの電極基板１００の表面を観察したところ、透明性基材１０１上に細線状の配線パターン（配線回路）状に形成された第１導電層１０２を覆うようにして幅２５０μｍの第２導電層１０３が形成されていることが確認できた。なお、配線パターン（配線回路）において、隣り合う第２導電層間は２０μｍの間隔を有するように設計した。
【００６０】
＜実施例３＞
透明性基材１０１上にパターン状の第１導電層１０２を形成させるところまでは、全て実施例１と同様にして行なった（図２〜４）。
【００６１】
引き続き、実施例２と同様にして、透明性基材１０１上に細線状の配線パターン（配線回路）状に形成された第１導電層１０２を覆うようにして第２導電層１０３を形成することにより（図９〜１１）、本発明の電極基板１００を得た（図１）。
【００６２】
＜実施例４＞
透明性基材１０１上にパターン状の第１導電層１０２を形成させるところまでは、全て実施例２と同様にして行なった（図７〜９）。
【００６３】
引き続き、実施例１と同様にして、透明性基材１０１上に細線状の配線パターン（配線回路）状に形成された第１導電層１０２を覆うようにして第２導電層１０３を形成することにより（図４〜６）、本発明の電極基板１００を得た（図１）。
【００６４】
＜実施例５＞
実施例１において、第２導電層の幅を１８μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００６５】
＜実施例６＞
実施例１において、第２導電層の幅を１００μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００６６】
＜実施例７＞
実施例１において、第２導電層の幅を５００μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００６７】
＜実施例８＞
実施例１において、第２導電層の幅を１０００μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００６８】
＜実施例９＞
実施例１において、第２導電層の幅を２５００μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００６９】
＜実施例１０＞
実施例１において、第１導電層を構成するＣｕ層に代えてＮｉからなるＮｉ層（厚み０．３μｍ）を形成することを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００７０】
＜実施例１１＞
実施例１において、ＩＴＯに代えてＳｎＯにより第２導電層（厚み０．０３μｍ、幅２５０μｍ）を構成することを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００７１】
＜比較例１＞
実施例１と同じ透明性基材１０１を準備し、この透明性基材１０１をスパッタリング装置に投入し、実施例１と同様にしてＡｒガスを使用してイオンガンにより陽イオンを照射した。引き続き、実施例１と同じ第２導電性物質としてＩＴＯにさらに少量の酸素を投入しながらスパッタリングすることにより透明性基材１０１の片側全面に第２導電層１０３を形成した。
【００７２】
次いで、上記で形成した第２導電層１０３上に実施例１で用いたのと同じドライフィルム１０４をラミネートし、第２導電層１０３が実施例１と同じ細線状の配線パターンを形成するようにこのラミネートしたドライフィルム１０４に対して、露光、現像した。
【００７３】
続いて、これをエッチング装置に投入し、第２導電層１０３をエッチングするとともにドライフィルム１０４を剥離させることにより、透明性基材１０１上にパターン状の第２導電層１０３のみを形成した比較例の電極基板を得た（図１２）。
【００７４】
ＦＩＢ装置を用いてこの電極基板の第２導電層１０３の断面を観察したところ、その厚みは０．０５μｍであった。また、光学顕微鏡を用いてこの透明性基材１０１の表面を観察したところ、第２導電層１０３が実施例１と同様の幅２５０μｍの細線状の配線パターン（配線回路）を形成していることが確認できた。
【００７５】
＜比較例２＞
比較例１において、第２導電層の厚みを０．２μｍとすることを除き、他は全て比較例１と同様にして比較例の電極基板を得た。
【００７６】
＜比較例３＞
実施例１において、第２導電層を形成せず第１導電層のみを形成したことを除き、他は全て実施例１と同様にして比較例の電極基板を得た。
【００７７】
＜比較例４＞
実施例１において、第２導電層の幅を１３μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして比較例の電極基板を得た。
【００７８】
＜比較例５＞
実施例１において、第２導電層の幅を３５００μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして比較例の電極基板を得た。
【００７９】
＜評価＞
上記の実施例１〜１１および比較例１〜５で得られた電極基板を用いて、以下のようにして導電性、透明性、耐マイグレーション性を評価した。その評価結果を表１に示す。
【００８０】
（導電性の評価−電気抵抗の測定）
電気抵抗測定装置（三菱化学社製、品番：ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用いて四端子法により、１点当りの測定面積を直径２０ｍｍのサークルとし、配線パターン（配線回路）部において異なった５点（ただしこの５点の測定箇所は各実施例／比較例間で共通とする）の電気抵抗値を測定し、その平均値を表１に示す。各実施例／比較例間で配線パターンは第２導電層間の間隔が上記の通り２０μｍとなるように設計されているため、各測定箇所においては第１導電層の幅と第２導電層の幅の比率に応じて両者が存在することとなる。なお、その数値が小さいもの程導電性に優れていることを示す。
【００８１】
（導電性の評価−線間電気伝導度の測定）
ＬＣＲメータ（カスタム社製、品番：ＥＬＣ−１００）を用いて、配線パターン（配線回路）部の両端間の電気伝導度を測定し、その結果を表１に示す。各実施例／比較例間で配線パターンの両端間の距離は等しくなるように設計されているため、数値が小さいもの程、導電性に優れていることを示す。
【００８２】
（透明性の評価）
濁度計（日本電色工業社製、品番：ＮＤＨ−２０００）を用いて、上記の電気抵抗の測定と同じ測定面積および測定箇所（５点）で配線パターン（配線回路）部の光透過率を測定し、その平均値を表１に示す。各実施例／比較例間で配線パターンは第２導電層間の間隔が上記の通り２０μｍとなるように設計されているため、各測定箇所においては第１導電層の幅と第２導電層の幅の比率に応じて両者が存在することとなる。なお、その数値が大きいもの程、透明性に優れていることを示す。
【００８３】
（耐マイグレーション性の評価）
マイグレーション試験装置（ＥＳＰＥＣ社製、品番：ＡＭＩ−０２５−ＰＬ−５）を用いて、電極基板を温度８５℃、湿度８５％に保持しながら配線パターン（配線回路）部に６０ｍＶの電圧を４８時間継続して印加した。その後、その配線パターン部を光学顕微鏡で観察することによりマイグレーションの有無を確認した。第１導電層のマイグレーションが発生しているものは「有」、マイグレーションが発生していないものは「無」とし、その結果を表１に示す。
【００８４】
【表１】
【００８５】
表１より明らかなように、本発明の構成を有する電極基板は、比較例の電極基板に比し、導電性と透明性とを高度に両立していた。
【００８６】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
【００８７】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の電極基板の模式的断面図である。
【図２】電極基板の製造途中の仕掛品であって、透明性基材上にドライフィルムをラミネートし露光、現像した状態の模式的断面図である。
【図３】電極基板の製造途中の仕掛品であって、ドライフィルム上に第１導電層を形成した状態の模式的断面図である。
【図４】電極基板の製造途中の仕掛品であって、透明性基材上に配線パターン状の第１導電層を形成した状態の模式的断面図である。
【図５】電極基板の製造途中の仕掛品であって、透明性基材上に第２導電層形成用のドライフィルムをラミネートし露光、現像した状態の模式的断面図である。
【図６】電極基板の製造途中の仕掛品であって、第１導電層上に第２導電層を形成した状態の模式的断面図である。
【図７】電極基板の製造途中の仕掛品であって、透明性基材上の片側全面に第１導電層を形成した状態の模式的断面図である。
【図８】電極基板の製造途中の仕掛品であって、第１導電層上にドライフィルムをラミネートし露光、現像した状態の模式的断面図である。
【図９】電極基板の製造途中の仕掛品であって、透明性基材上に配線パターン状の第１導電層を形成した状態の模式的断面図である。
【図１０】電極基板の製造途中の仕掛品であって、第１導電層上に第２導電層を形成した状態の模式的断面図である。
【図１１】電極基板の製造途中の仕掛品であって、第２導電層上にドライフィルムをラミネートし露光、現像した状態の模式的断面図である。
【図１２】比較例の電極基板の模式的断面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１００ 電極基板、１０１ 透明性基材、１０２ 第１導電層、１０３ 第２導電層、１０４，１０５ ドライフィルム。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明性基材上に導電層を形成した電極基板であって、透明性と導電性とを兼ね備えた電極基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、有機ＥＬ（有機エレクトロルミネセンス）、電子ペーパー等に使用される電極基板は、透明性と導電性とを兼ね備えることが要求される。これは、透明性が不十分である場合は表示画面が暗くなり、また導電性が不十分である場合は表示画面の面積を大きくすることが困難であるとともに応答速度も遅くなるからである。
【０００３】
このような電極基板に用いられる透明電極としては、従来よりＩＴＯ（Ｉｎ／Ｓｎ酸化物）やＺｎ系酸化物が用いられてきたが、これらの透明電極においては導電性を向上させるためには厚みを厚くしなければならず、逆に厚みを厚くすると透明性が低減するという相反する特性を両立されることが求められてきた。また、これらの透明電極は、高価な金属の酸化物を用いていることから、コストを節減する目的からも薄い厚みで導電性を高めることが必要とされてきた。さらに、これらの透明電極は、酸化物で構成されることからクラック等を生じ易くこれによる導電性不良を防止するためにその強度を向上させることも必要とされている。また、これらの酸化物は結晶化が不十分であると導電性が低下する傾向を示すが、電極を形成する基材が樹脂等で構成されている場合には酸化物の形成条件が制限され、十分な結晶化が得られないことから特にその導電性の低下が問題とされていた。
【０００４】
これらの諸点を解決することを目的として、種々の試みが提案されているが（特許文献１〜４）、その性能を向上させるべくさらなる改善が求められている。
【特許文献１】特開２０００−０７２５２６号公報
【特許文献２】特開２０００−０７２５３７号公報
【特許文献３】特開２００３−０７８１５３号公報
【特許文献４】特開２００４−３５５９７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記のような現状に鑑みなされたものであって、その目的とするところは透明性と導電性とを高度に両立させた電極基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、従来技術のように１層のみの導電層により透明性と導電性とを両立させるのではなく、透明性を担保する導電層と導電性を担保する導電層とを２層に分けて形成するという全く新規な知見に基づきなされたものである。
【０００７】
すなわち、本発明の電極基板は、透明性基材上に第１導電性物質からなる第１導電層と第２導電性物質からなる第２導電層とを形成してなるものであって、該第１導電層は、該透明性基材上に形成され、該第２導電層は、該第１導電層の少なくとも一部を覆うようにして該透明性基材上に形成され、該第２導電層の幅は、該第１導電層の幅を１とする場合１．５以上３００以下であり、該第２導電性物質は、該第１導電性物質よりも高い光透過率を有するが、導電性は第１導電性物質より低いことを特徴としている。
【０００８】
ここで、上記第１導電性物質は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、およびＣｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属または該金属を含む合金であり、上記第２導電性物質は、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、およびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物であることが好ましい。
【０００９】
また、上記第１導電層は、その厚みが０．００１μｍ以上５μｍ以下であって、その幅が１μｍ以上３ｍｍ以下であり、上記第２導電層は、その厚みが０．００１μｍ以上１μｍ以下であって、その幅が１．５μｍ以上であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明は、上記の電極基板を含んでなる部品または製品にも関する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の電極基板は、上記のような構成を有することにより、透明性と導電性とを高度に両立させることに成功したものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明では、図面を用いて説明しているが、本願の図面において同一の参照符号を付したものは、同一部分または相当部分を示している。
【００１３】
＜電極基板＞
図１にその模式的な断面図を示したように本発明の電極基板１００は、透明性基材１０１上に第１導電性物質からなる第１導電層１０２と第２導電性物質からなる第２導電層１０３とを形成してなるものであって、該第１導電層１０２は、透明性基材１０１上に形成され、該第２導電層１０３は、第１導電層１０２の少なくとも一部を覆うようにして透明性基材１０１上に形成される。
【００１４】
すなわち、本発明の電極基板１００は、透明性基材１０１上に第１導電層１０２と第２導電層１０３という２つの異なった導電層を形成させたことを特徴とするものであり、第１導電層１０２により主として導電性を担保させ、第２導電層１０３により主として透明性を担保させたものである。このような構成としたことにより、透明性と導電性とを高度に両立させることが可能となったものである。本発明において、このような第１導電層と第２導電層とからなる導電層は、通常、透明性基材上に細線状の配線パターン（または配線回路）を形成することが多い。
【００１５】
なお、このような本発明の電極基板は、上記のような構成を電極基板の一部のみに含む場合であっても本発明の範囲に含まれるものとし、第１導電層および第２導電層以外の他の導電層や他の回路構成要素がたとえ形成されていたとしても本発明の範囲を逸脱するものではない。
【００１６】
＜透明性基材＞
本発明で用いられる透明性基材は、透明性を有しかつ絶縁性である限り特に限定はなく、この種の用途に使用される従来公知の絶縁性透明基材を特に限定なくいずれのものでも使用することができる。なお、本発明における透明性基材は、波長３５０〜８００ｎｍの光透過率が５０％以上となるものであることが好ましく、さらにその光透過率が８０％以上となることが好ましい。光透過率が５０％未満では、透明電極としての役割を奏さなくなる場合があるからである。
【００１７】
このような透明性基材としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂、アラミド、液晶ポリマー、ポリイミド等のポリマー類、ガラス、およびこれらの表面に対して透明性でかつ絶縁性の有機化合物または無機化合物をコーティングしたものからなる群より選ばれる少なくとも１種を素材として選択することが好ましい。特に、ＰＥＴは、安価でありかつ割れ等が発生することもなく強度に優れているため特に好適に用いることができる。
【００１８】
また、透明性基材の厚みは、３μｍ以上５ｍｍ以下とすることが好ましい。その厚みが３μｍ未満の場合、強度が十分でなかったり加工が困難となることがあり、５ｍｍを超えると光透過率が悪化する場合がある。より好ましい厚みは、その上限が３ｍｍ、さらに好ましくは１ｍｍ、その下限が３０μｍ、さらに好ましくは５０μｍである。
【００１９】
＜第１導電層＞
本発明の第１導電層は、主として電極基板の導電性を担保する作用を有するものであり、第１導電性物質からなり上記透明性基材上に形成される。このような第１導電層は、通常、細線状の配線パターンを構成するようにして形成される。
【００２０】
ここで、該第１導電性物質は、良好な導電性を有する限り特に限定なくいずれのものも用いることができるが、とりわけＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、およびＣｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属または該金属を含む合金を用いることが好ましい。これらの金属または合金は、安価であるとともに導電性に優れており、しかもクラック等が発生することもなく優れた強度（すなわち安定した品質）を有するものとなるからである。特にＣｕは、安価かつ電気抵抗が低く（すなわち導電性が良好であり）、優れた延性を示し、またクラックが発生することもないため、特に好適に用いることができる。
【００２１】
また、このような第１導電性物質で構成される第１導電層は、その第１導電性物質の種類にもよるが、その厚みが０．００１μｍ以上５μｍ以下であって、その幅が１μｍ以上３ｍｍ以下であることが好ましい。その厚みが０．００１μｍ未満となる場合、ピンホールが生じ易くこれにより電気抵抗が高くなることがあり、５μｍを超えると幅を狭くすることが困難となり結果的に透明性を悪化させることになる。一方、その幅が１μｍ未満となる場合、導電性が低下することがあり、３ｍｍを超えると透明性が悪化することがある。このように、当該第１導電層は、それ自体が透明性を有するものではないが、厚みおよび幅を低減すること（すなわち細線化すること）により、高い導電性を保持しつつ光遮蔽性（光透過性の低下）を防止することを意図している。
【００２２】
このような第１導電層のより好ましい厚みは、その上限が０．５μｍ、さらに好ましくは０．３μｍ、その下限が０．０１μｍ、さらに好ましくは０．１μｍである。また第１導電層のより好ましい幅は、その上限が５０μｍ、さらに好ましくは１５μｍ、その下限が３μｍ、さらに好ましくは５μｍである。
【００２３】
なお、本発明の第１導電層は、互いに異なる第１導電性物質により、複数の層として形成することもできる。たとえば、透明性基材上にまずＮｉとＣｒとからなる合金で構成される層（便宜的に「第１導電層ａ」と記す）を形成し、その上にＣｕからなる層（便宜的に「第１導電層ｂ」と記す）を形成したものなどを挙げることができる。この場合、第１導電層ａの幅と第１導電層ｂの幅とは同じとし、第１導電層ａの厚みと第１導電層ｂの厚みの合計を、第１導電層の厚みとする。
【００２４】
なお、第１導電層はこのように本質的に金属である第１導電性物質で構成されるため、マイグレーション（配線や電極として使用した金属が絶縁物の上を移動し絶縁不良や短絡を発生させる現象をいう）を発生させ易いというデメリットを有しているが、このマイグレーションの発生は後述の第２導電層を形成する（特に第１導電層を覆うようにして第２導電層を形成する）ことにより防止することができる。このように本発明は、本発明の構成を有することにより、第１導電層におけるマイグレーションの発生を極めて有効に防止できるという効果を発揮するものである。
【００２５】
＜第２導電層＞
本発明の第２導電層は、導電性を有しつつ主として透明性を担保する作用を有するものであり、第２導電性物質からなり、上記第１導電層の少なくとも一部を覆うようにして透明性基材上に形成される。このような第２導電層は、上記のように細線状に形成された第１導電層の全面を覆うようにして形成されることが好ましいが、部分的に第１導電層が表面に露出していても本発明の範囲を逸脱するものではない。
【００２６】
ここで、該第２導電性物質は、導電性でかつ透明性であるものである限り特に限定されないが、とりわけＲｕ、Ｒｅ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、およびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物とすることが好ましい。導電性を有しつつ、優れた透明性を有するものとなるからである。このような第２導電性物質としてより好ましくは、ＩＴＯ（ＳｎとＩｎの酸化物、質量比でＳｎ／Ｉｎ／Ｏ＝２〜１５／６５〜９５／３〜３０）、ＳｎＯ（Ｓｎの酸化物）、ＲｕＯ（Ｒｕの酸化物）、ＲｅＯ（Ｒｅの酸化物）、ＺｎＯ（Ｚｎの酸化物）等を挙げることができる。
【００２７】
また、このような第２導電性物質で構成される第２導電層は、その厚みが０．００１μｍ以上１μｍ以下であって、その幅が１．５μｍ以上であることが好ましい。その厚みが０．００１μｍ未満となる場合、ピンホールが生じ易くこれにより電気抵抗が高くなることがあり、１μｍを超えると透明性を悪化させることになる。一方、その幅が１．５μｍ未満となる場合、相対的に第１導電層の比率が高くなり透明性が悪化する。一方その幅の上限は特に限定されず、第１導電層の幅に対して後述の比率となる範囲内で任意に設定することが可能である。このように、当該第２導電層は、上記第１導電層に比し導電性は低いものの、透明性を向上させることを意図している。また、第１導電層を覆うようにしてこの第２導電層を形成することにより第１導電層のマイグレーションの発生を防止することができる。
【００２８】
このような第２導電層のより好ましい厚みは、その上限が０．１μｍ、さらに好ましくは０．０５μｍ、その下限が０．０１μｍ、さらに好ましくは０．０３μｍである。また、第２導電層のより好ましい幅は、その上限が６００μｍ、さらに好ましくは３００μｍ、その下限が４．５μｍ、さらに好ましくは７．５μｍである。
【００２９】
＜第１導電層と第２導電層の特性＞
上記のような本発明の第２導電層の幅は、上記第１導電層の幅を１とする場合１．５以上３００以下とすることを要する。これにより、電極基板全体として十分な導電性と十分な透明性とを両立したものとなる。第２導電層の幅が１．５未満となる場合、所定の導電性を得るのに第１導電層の比率が高くなることから十分な透明性を得ることができず、また第２導電層の幅が３００を超えると第２導電層の比率が高くなることから十分な導電性を得ることが困難となる。第２導電層のより好ましい幅は、上記第１導電層の幅を１とする場合、その上限は１００、さらに好ましくは５０、その下限が１０、さらに好ましくは２０である。
【００３０】
なお、ここで第１導電層の幅とは、細線状に形成される第１導電層の長さ方向に対する垂直方向（横方向）の長さをいい、たとえば図１を例にとるとＷ1で表わされる長さを示し、第２導電層の幅とは同様にして同図でＷ2で表わされる長さをいうものとする。このようにそれぞれの幅は、両者が積層されている同一地点の幅を比較するものとする。
【００３１】
また、上記のように規定される第１導電層と第２導電層の幅の割合は、長さ方向の全領域において満たされていることが理想であるが、長さ方向の２０％以下の領域において上記割合を満たさない部分が含まれていても本発明の範囲を逸脱するものではない。
【００３２】
さらに、第１導電層を構成する第１導電性物質と第２導電層を構成する第２導電性物質において、該第２導電性物質は、該第１導電性物質よりも高い光透過率を有するが、導電性は該第１導電性物質より低いことを要する。これにより、第１導電層により導電性を担保させ、第２導電層により透明性を担保させることができる。なお、本発明でいう導電性とは、電気伝導度をいうが、電気抵抗値を指標としても差し支えない。
【００３３】
なお、ここで光透過率および導電性は、比較する第１導電性物質と第２導電性物質とを同一の測定条件で測定するものとするが、その測定条件は従来公知のいずれの測定条件で測定されたものであってもよい。
【００３４】
＜製造方法＞
本発明の電極基板は、上記のような構成を有する限り特にその製造方法が限定されるものではない。たとえば以下のような製造方法Ａ〜Ｄのいずれかにより製造することができるが、これのみに限定されるものではない。
【００３５】
＜製造方法Ａ＞
透明性基材上に、第１導電層が所望の細線状の配線パターン（以下単に「細線状」と記す）を形成するようにレジストを塗布し、露光、現像する。次いで、その所望の細線状に第１導電性物質をスパッタリングすることにより第１導電層を形成した後、レジストを剥離させる。
【００３６】
続いて、上記のようにして細線状に形成した第１導電層を覆うようにして第２導電層が形成されるようなパターンでレジストを塗布し、露光、現像する。次いで、そのパターン状に第２導電性物質をスパッタリングすることにより第２導電層を形成した後、レジストを剥離させる。このようにして、透明性基材上に第１導電層と第２導電層とを形成してなる電極基板を製造することができる。
【００３７】
＜製造方法Ｂ＞
透明性基材上の全面に第１導電性物質をスパッタリングすることにより第１導電層を形成する。次いで、この第１導電層が所望の細線状に形成されるようなパターンでその第１導電層上にレジストを塗布し、露光、現像する。その後、エッチングを行なうことにより不要部の第１導電層を除去した後、レジストを剥離することにより細線状に第１導電層を形成する。
【００３８】
続いて、上記のようにして第１導電層が形成された透明性基材の全面に第２導電性物質をスパッタリングすることにより第２導電層を形成する。次いで、この第２導電層が上記第１導電層を覆うものとなるようなパターンでその第２導電層上にレジストを塗布し、露光、現像する。その後、エッチングを行なうことにより不要部の第２導電層を除去した後、レジストを剥離することにより第１導電層を覆うようにして第２導電層を形成する。このようにして、透明性基材上に第１導電層と第２導電層とを形成してなる電極基板を製造することができる。
【００３９】
＜製造方法Ｃ＞
透明性基材上に第１導電層が所望の細線状に形成されるようなパターンでレジストを塗布し、露光、現像する。次いで、その所望の細線状に第１導電性物質をスパッタリングすることにより第１導電層を形成した後、レジストを剥離させる。
【００４０】
続いて、上記のようにして第１導電層が形成された透明性基材の全面に第２導電性物質をスパッタリングすることにより第２導電層を形成する。次いで、この第２導電層が上記第１導電層を覆うものとなるようなパターンでその第２導電層上にレジストを塗布し、露光、現像する。その後、エッチングを行なうことにより不要部の第２導電層を除去した後、レジストを剥離することにより第１導電層を覆うようにして第２導電層を形成する。このようにして、透明性基材上に第１導電層と第２導電層とを形成してなる電極基板を製造することができる。
【００４１】
＜製造方法Ｄ＞
透明性基材の全面に第１導電層が形成された基材を用い、この第１導電層が所望の細線状に形成されるようなパターンでその第１導電層上にレジストを塗布し、露光、現像する。その後、エッチングを行なうことにより不要部の第１導電層を除去した後、レジストを剥離することにより細線状に第１導電層を形成する。
【００４２】
続いて、上記のようにして細線状に形成した第１導電層を覆うようにして第２導電層が形成されるようなパターンでレジストを塗布し、露光、現像する。次いで、そのパターン状に第２導電性物質をスパッタリングすることにより第２導電層を形成した後、レジストを剥離させる。このようにして、透明性基材上に第１導電層と第２導電層とを形成してなる電極基板を製造することができる。
【００４３】
なお、上記の製造方法Ａ〜Ｄにおけるレジストは、ドライフィルムを用いることも可能である。また、第１導電層を形成する前の透明性基材上に対して、および／または第２導電層を形成する前の第１導電層上に対して、洗浄や陽イオン照射などの各種前処理を行なうこともできる。
【００４４】
また、上記の製造方法Ａ〜Ｄにおいて、第１導電層および第２導電層は、スパッタリングにより形成されているが、その形成方法はこれのみに限られるものではなく、蒸着、電気めっき、無電解めっき、印刷等の従来公知のいずれの方法をも採用することができる。また、第１導電層および第２導電層の配線パターンの形成方法も特に限定されず、直接的にパターンを形成する方法であってもよいし、エッチングによりパターンを形成する方法であってもよい。
【００４５】
＜用途＞
本発明の電極基板は、液晶表示装置、有機ＥＬ、電子ペーパー、太陽電池等の電子製品／電気製品の電極として極めて有効に用いることができる。なお、本発明は、このように本発明の電極基板を含む液晶表示装置、有機ＥＬ、電子ペーパー、太陽電池等の製品または部品をも対象とするものである。
【００４６】
さらにまた、このような製品または部品には、本発明の電極基板をその一部に含む電極基板が含まれる。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４８】
＜実施例１＞
透明性基材１０１として１００μｍの厚みを有するフイルム状のＰＥＴ（商品名：ルミナー、東レ社製）を用い、これに厚み１０μｍのドライフィルム（商品名：ＲＹ３３１０、日立化成工業社製）をラミネートした。そして、第１導電層が所望の細線状の配線パターンを形成するようにこのラミネートしたドライフィルム１０４に対して、露光、現像した（図２）。
【００４９】
続いて、このドライフィルム１０４によりパターンを形成した透明性基材１０１をスパッタリング装置に投入し、Ａｒガスを使用してイオンガンにより陽イオンを照射した。引き続き、第１導電性物質としてＮｉ／Ｃｒ合金（質量比でＮｉ／Ｃｒ＝８０／２０）をスパッタリングし、引き続きそのＮｉ／Ｃｒ合金上に第１導電性物質としてＣｕをスパッタリングすることにより第１導電層１０２を形成した（図３、ただし第１導電層は１層として示してある）。ＦＩＢ（集束イオンビーム）装置を用いてこの第１導電層の断面を観察したところ、Ｎｉ／Ｃｒ合金層の厚みは０．０１μｍであり、Ｃｕ層の厚みは０．３μｍであった。
【００５０】
次いで、この第１導電層１０２を形成した透明性基材１０１をレジスト剥離装置に投入し、水酸化ナトリウム水溶液を吹き付けることにより、パターンを形成しない部分のドライフィルム１０４を第１導電層が付着した状態で剥離させることにより、パターン状の第１導電層を形成した（図４）。ここで、光学顕微鏡を用いてこの透明性基材１０１の表面を観察したところ、第１導電層１０２が透明性基材１０１上に幅１０μｍの細線状の配線パターン（配線回路）を形成していることが確認できた。
【００５１】
続いて、このように第１導電層１０２によるパターンが形成された透明性基材１０１上に上記と同じドライフィルム１０５をラミネートし、第２導電層１０３がこの第１導電層１０２を覆うようにして形成されるように露光、現像した（図５）。
【００５２】
次いで、このドライフィルム１０５がラミネートされた透明性基材１０１をスパッタリング装置に投入し、Ａｒガスを使用してイオンガンにより陽イオンを照射した。引き続き、第２導電性物質としてＩＴＯ（Ｓｎ、Ｉｎの酸化物；質量比でＳｎ／Ｉｎ＝１０／９０）にさらに少量の酸素を投入しながらスパッタリングすることにより第１導電層１０２上に第２導電性物質であるＩＴＯ（質量比でＳｎ／Ｉｎ／Ｏ＝７．３／７３．２／１９．５）からなる第２導電層１０３を形成した（図６）。ＦＩＢ装置を用いてこの第２導電層１０３の断面を観察したところ、その厚みは０．０３μｍであった。
【００５３】
続いて、このように第２導電層１０３を形成した透明性基材１０１をレジスト剥離装置に投入し、水酸化ナトリウム水溶液を吹き付けることにより、ドライフィルム１０５を第２導電層１０３が付着した状態で剥離させることにより、透明性基材１０１上に第１導電層１０２と第２導電層１０３とを形成してなる本発明の電極基板１００を得た（図１）。光学顕微鏡を用いてこの電極基板１００の表面を観察したところ、透明性基材１０１上に細線状の配線パターン（配線回路）として形成された第１導電層１０２を覆うようにして幅２５０μｍの第２導電層１０３が形成されていることが確認できた。なお、配線パターン（配線回路）において、隣り合う第２導電層間は２０μｍの間隔を有するように設計した。
【００５４】
＜実施例２＞
実施例１と同じ透明性基材１０１を準備し、この透明性基材１０１をスパッタリング装置に投入し、Ａｒガスを使用してイオンガンにより陽イオンを照射した。引き続き、第１導電性物質としてＮｉ／Ｃｒ合金（質量比でＮｉ／Ｃｒ＝８０／２０）を透明性基材１０１の片側全面にスパッタリングし、引き続きそのＮｉ／Ｃｒ合金上に第１導電性物質としてＣｕをスパッタリングすることにより透明性基材１０１の片側全面に第１導電層１０２を形成した（図７、ただし第１導電層は１層として示してある）。ＦＩＢ装置を用いてこの第１導電層１０２の断面を観察したところ、Ｎｉ／Ｃｒ合金層の厚みは０．０１μｍであり、Ｃｕ層の厚みは０．３μｍであった。
【００５５】
次いで、上記で形成した第１導電層１０２上に実施例１で用いたのと同じドライフィルム１０４をラミネートし、第１導電層１０２が所望の細線状の配線パターンを形成するようにこのラミネートしたドライフィルム１０４に対して、露光、現像した（図８）。
【００５６】
続いて、これをエッチング装置に投入し、第１導電層１０２をエッチングするとともにドライフィルム１０４を剥離させることにより、透明性基材１０１上にパターン状の第１導電層１０２を形成した（図９）。ここで、光学顕微鏡を用いてこの透明性基材１０１の表面を観察したところ、第１導電層１０２が透明性基材１０１上に幅１０μｍの細線状の配線パターン（配線回路）を形成していることが確認できた。
【００５７】
続いて、このように第１導電層１０２によるパターンが形成された透明性基材１０１をスパッタリング装置に投入し、Ａｒガスを使用してその表面に対してイオンガンにより陽イオンを照射した。引き続き、その表面の全面に対して、第２導電性物質としてＩＴＯ（Ｓｎ、Ｉｎの酸化物；質量比でＳｎ／Ｉｎ＝１０／９０）にさらに少量の酸素を投入しながらスパッタリングすることにより、第１導電層１０２がパターン状に形成された透明性基体１０１上の全面に第２導電性物質であるＩＴＯ（質量比でＳｎ／Ｉｎ／Ｏ＝７．３／７３．２／１９．５）からなる第２導電層１０３を形成した（図１０）。ＦＩＢ装置を用いてこの第２導電層１０３の断面を観察したところ、その厚みは０．０３μｍであった。
【００５８】
次いで、上記で形成した第２導電層１０３上に上記と同じドライフィルム１０５をラミネートし、第２導電層１０３が第１導電層１０２を覆い所望の細線状の配線パターンを形成するようにこのラミネートしたドライフィルム１０５に対して、露光、現像した（図１１）。
【００５９】
続いて、これをエッチング装置に投入し、不要部分の第２導電層１０３をエッチングするとともにドライフィルム１０５を剥離させることにより、透明性基材１０１上に第１導電層１０２と第２導電層１０３とを形成してなる本発明の電極基板１００を得た（図１）。光学顕微鏡を用いてこの電極基板１００の表面を観察したところ、透明性基材１０１上に細線状の配線パターン（配線回路）状に形成された第１導電層１０２を覆うようにして幅２５０μｍの第２導電層１０３が形成されていることが確認できた。なお、配線パターン（配線回路）において、隣り合う第２導電層間は２０μｍの間隔を有するように設計した。
【００６０】
＜実施例３＞
透明性基材１０１上にパターン状の第１導電層１０２を形成させるところまでは、全て実施例１と同様にして行なった（図２〜４）。
【００６１】
引き続き、実施例２と同様にして、透明性基材１０１上に細線状の配線パターン（配線回路）状に形成された第１導電層１０２を覆うようにして第２導電層１０３を形成することにより（図９〜１１）、本発明の電極基板１００を得た（図１）。
【００６２】
＜実施例４＞
透明性基材１０１上にパターン状の第１導電層１０２を形成させるところまでは、全て実施例２と同様にして行なった（図７〜９）。
【００６３】
引き続き、実施例１と同様にして、透明性基材１０１上に細線状の配線パターン（配線回路）状に形成された第１導電層１０２を覆うようにして第２導電層１０３を形成することにより（図４〜６）、本発明の電極基板１００を得た（図１）。
【００６４】
＜実施例５＞
実施例１において、第２導電層の幅を１８μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００６５】
＜実施例６＞
実施例１において、第２導電層の幅を１００μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００６６】
＜実施例７＞
実施例１において、第２導電層の幅を５００μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００６７】
＜実施例８＞
実施例１において、第２導電層の幅を１０００μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００６８】
＜実施例９＞
実施例１において、第２導電層の幅を２５００μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００６９】
＜実施例１０＞
実施例１において、第１導電層を構成するＣｕ層に代えてＮｉからなるＮｉ層（厚み０．３μｍ）を形成することを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００７０】
＜実施例１１＞
実施例１において、ＩＴＯに代えてＳｎＯにより第２導電層（厚み０．０３μｍ、幅２５０μｍ）を構成することを除き、他は全て実施例１と同様にして本発明の電極基板を得た。
【００７１】
＜比較例１＞
実施例１と同じ透明性基材１０１を準備し、この透明性基材１０１をスパッタリング装置に投入し、実施例１と同様にしてＡｒガスを使用してイオンガンにより陽イオンを照射した。引き続き、実施例１と同じ第２導電性物質としてＩＴＯにさらに少量の酸素を投入しながらスパッタリングすることにより透明性基材１０１の片側全面に第２導電層１０３を形成した。
【００７２】
次いで、上記で形成した第２導電層１０３上に実施例１で用いたのと同じドライフィルム１０４をラミネートし、第２導電層１０３が実施例１と同じ細線状の配線パターンを形成するようにこのラミネートしたドライフィルム１０４に対して、露光、現像した。
【００７３】
続いて、これをエッチング装置に投入し、第２導電層１０３をエッチングするとともにドライフィルム１０４を剥離させることにより、透明性基材１０１上にパターン状の第２導電層１０３のみを形成した比較例の電極基板を得た（図１２）。
【００７４】
ＦＩＢ装置を用いてこの電極基板の第２導電層１０３の断面を観察したところ、その厚みは０．０５μｍであった。また、光学顕微鏡を用いてこの透明性基材１０１の表面を観察したところ、第２導電層１０３が実施例１と同様の幅２５０μｍの細線状の配線パターン（配線回路）を形成していることが確認できた。
【００７５】
＜比較例２＞
比較例１において、第２導電層の厚みを０．２μｍとすることを除き、他は全て比較例１と同様にして比較例の電極基板を得た。
【００７６】
＜比較例３＞
実施例１において、第２導電層を形成せず第１導電層のみを形成したことを除き、他は全て実施例１と同様にして比較例の電極基板を得た。
【００７７】
＜比較例４＞
実施例１において、第２導電層の幅を１３μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして比較例の電極基板を得た。
【００７８】
＜比較例５＞
実施例１において、第２導電層の幅を３５００μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして比較例の電極基板を得た。
【００７９】
＜評価＞
上記の実施例１〜１１および比較例１〜５で得られた電極基板を用いて、以下のようにして導電性、透明性、耐マイグレーション性を評価した。その評価結果を表１に示す。
【００８０】
（導電性の評価−電気抵抗の測定）
電気抵抗測定装置（三菱化学社製、品番：ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用いて四端子法により、１点当りの測定面積を直径２０ｍｍのサークルとし、配線パターン（配線回路）部において異なった５点（ただしこの５点の測定箇所は各実施例／比較例間で共通とする）の電気抵抗値を測定し、その平均値を表１に示す。各実施例／比較例間で配線パターンは第２導電層間の間隔が上記の通り２０μｍとなるように設計されているため、各測定箇所においては第１導電層の幅と第２導電層の幅の比率に応じて両者が存在することとなる。なお、その数値が小さいもの程導電性に優れていることを示す。
【００８１】
（導電性の評価−線間電気伝導度の測定）
ＬＣＲメータ（カスタム社製、品番：ＥＬＣ−１００）を用いて、配線パターン（配線回路）部の両端間の電気伝導度を測定し、その結果を表１に示す。各実施例／比較例間で配線パターンの両端間の距離は等しくなるように設計されているため、数値が小さいもの程、導電性に優れていることを示す。
【００８２】
（透明性の評価）
濁度計（日本電色工業社製、品番：ＮＤＨ−２０００）を用いて、上記の電気抵抗の測定と同じ測定面積および測定箇所（５点）で配線パターン（配線回路）部の光透過率を測定し、その平均値を表１に示す。各実施例／比較例間で配線パターンは第２導電層間の間隔が上記の通り２０μｍとなるように設計されているため、各測定箇所においては第１導電層の幅と第２導電層の幅の比率に応じて両者が存在することとなる。なお、その数値が大きいもの程、透明性に優れていることを示す。
【００８３】
（耐マイグレーション性の評価）
マイグレーション試験装置（ＥＳＰＥＣ社製、品番：ＡＭＩ−０２５−ＰＬ−５）を用いて、電極基板を温度８５℃、湿度８５％に保持しながら配線パターン（配線回路）部に６０ｍＶの電圧を４８時間継続して印加した。その後、その配線パターン部を光学顕微鏡で観察することによりマイグレーションの有無を確認した。第１導電層のマイグレーションが発生しているものは「有」、マイグレーションが発生していないものは「無」とし、その結果を表１に示す。
【００８４】
【表１】
【００８５】
表１より明らかなように、本発明の構成を有する電極基板は、比較例の電極基板に比し、導電性と透明性とを高度に両立していた。
【００８６】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
【００８７】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の電極基板の模式的断面図である。
【図２】電極基板の製造途中の仕掛品であって、透明性基材上にドライフィルムをラミネートし露光、現像した状態の模式的断面図である。
【図３】電極基板の製造途中の仕掛品であって、ドライフィルム上に第１導電層を形成した状態の模式的断面図である。
【図４】電極基板の製造途中の仕掛品であって、透明性基材上に配線パターン状の第１導電層を形成した状態の模式的断面図である。
【図５】電極基板の製造途中の仕掛品であって、透明性基材上に第２導電層形成用のドライフィルムをラミネートし露光、現像した状態の模式的断面図である。
【図６】電極基板の製造途中の仕掛品であって、第１導電層上に第２導電層を形成した状態の模式的断面図である。
【図７】電極基板の製造途中の仕掛品であって、透明性基材上の片側全面に第１導電層を形成した状態の模式的断面図である。
【図８】電極基板の製造途中の仕掛品であって、第１導電層上にドライフィルムをラミネートし露光、現像した状態の模式的断面図である。
【図９】電極基板の製造途中の仕掛品であって、透明性基材上に配線パターン状の第１導電層を形成した状態の模式的断面図である。
【図１０】電極基板の製造途中の仕掛品であって、第１導電層上に第２導電層を形成した状態の模式的断面図である。
【図１１】電極基板の製造途中の仕掛品であって、第２導電層上にドライフィルムをラミネートし露光、現像した状態の模式的断面図である。
【図１２】比較例の電極基板の模式的断面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１００ 電極基板、１０１ 透明性基材、１０２ 第１導電層、１０３ 第２導電層、１０４，１０５ ドライフィルム。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明性基材上に第１導電性物質からなる第１導電層と第２導電性物質からなる第２導電層とを形成してなる電極基板であって、
前記第１導電層は、前記透明性基材上に形成され、
前記第２導電層は、前記第１導電層の少なくとも一部を覆うようにして前記透明性基材上に形成され、
前記第２導電層の幅は、前記第１導電層の幅を１とする場合１．５以上３００以下であり、
前記第２導電性物質は、前記第１導電性物質よりも高い光透過率を有するが、導電性は第１導電性物質より低いことを特徴とする電極基板。
【請求項２】
前記第１導電性物質は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、およびＣｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属または該金属を含む合金であり、
前記第２導電性物質は、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、およびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物である請求項１記載の電極基板。
【請求項３】
前記第１導電層は、その厚みが０．００１μｍ以上５μｍ以下であって、その幅が１μｍ以上３ｍｍ以下であり、
前記第２導電層は、その厚みが０．００１μｍ以上１μｍ以下であって、その幅が１．５μｍ以上である請求項１または２に記載の電極基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の電極基板を含んでなる部品または製品。
【請求項１】
透明性基材上に第１導電性物質からなる第１導電層と第２導電性物質からなる第２導電層とを形成してなる電極基板であって、
前記第１導電層は、前記透明性基材上に形成され、
前記第２導電層は、前記第１導電層の少なくとも一部を覆うようにして前記透明性基材上に形成され、
前記第２導電層の幅は、前記第１導電層の幅を１とする場合１．５以上３００以下であり、
前記第２導電性物質は、前記第１導電性物質よりも高い光透過率を有するが、導電性は第１導電性物質より低いことを特徴とする電極基板。
【請求項２】
前記第１導電性物質は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、およびＣｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属または該金属を含む合金であり、
前記第２導電性物質は、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、およびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物である請求項１記載の電極基板。
【請求項３】
前記第１導電層は、その厚みが０．００１μｍ以上５μｍ以下であって、その幅が１μｍ以上３ｍｍ以下であり、
前記第２導電層は、その厚みが０．００１μｍ以上１μｍ以下であって、その幅が１．５μｍ以上である請求項１または２に記載の電極基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の電極基板を含んでなる部品または製品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００９−１８１７３６（Ｐ２００９−１８１７３６Ａ）
【公開日】平成２１年８月１３日（２００９．８．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１７８８９（Ｐ２００８−１７８８９）
【出願日】平成２０年１月２９日（２００８．１．２９）
【特許番号】特許第４１５６０２１号（Ｐ４１５６０２１）
【特許公報発行日】平成２０年９月２４日（２００８．９．２４）
【出願人】（５００３５６０３８）ＦＣＭ株式会社 (10)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年８月１３日（２００９．８．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１月２９日（２００８．１．２９）
【特許番号】特許第４１５６０２１号（Ｐ４１５６０２１）
【特許公報発行日】平成２０年９月２４日（２００８．９．２４）
【出願人】（５００３５６０３８）ＦＣＭ株式会社 (10)
【Ｆターム（参考）】
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