電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の製造方法
【課題】有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制し、機ＥＬ素子の発光強度を安定させる。
【解決手段】画素電極１０７と、画素電極１０７と対向する対向電極１０８と、画素電極１０７と対向電極１０８の間に挟み込まれた発光機能層１１０とを含む有機ＥＬ素子３００と、少なくとも１つのＴＦＴ部２００を含み、有機ＥＬ素子３００を駆動する駆動回路と、２枚の電極板の一方が電源線１０３に接続され、他方がグランド線１１５に接続された過渡電流吸収用コンデンサ１１４を備え、過渡電流吸収用コンデンサ１１４は、発光機能層１１０の下層に設けられ、過渡電流吸収用コンデンサ１１４の２枚の電極板のうち発光機能層１１０に近い第１の電極板１１４ａは、発光機能層１１０より発光された光を反射する反射板を兼ねる。
【解決手段】画素電極１０７と、画素電極１０７と対向する対向電極１０８と、画素電極１０７と対向電極１０８の間に挟み込まれた発光機能層１１０とを含む有機ＥＬ素子３００と、少なくとも１つのＴＦＴ部２００を含み、有機ＥＬ素子３００を駆動する駆動回路と、２枚の電極板の一方が電源線１０３に接続され、他方がグランド線１１５に接続された過渡電流吸収用コンデンサ１１４を備え、過渡電流吸収用コンデンサ１１４は、発光機能層１１０の下層に設けられ、過渡電流吸収用コンデンサ１１４の２枚の電極板のうち発光機能層１１０に近い第１の電極板１１４ａは、発光機能層１１０より発光された光を反射する反射板を兼ねる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置は、電気光学素子として有機ＥＬ素子を利用した電気光学装置である。有機ＥＬ表示装置は、自発光、高輝度、高視野角、薄型、高速応答、低消費電力といった優れた特徴を備えるとともに、ポリシリコンＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた周辺駆動回路により、さらなる小型化、軽量化が実現できることから注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は電流駆動素子である事から、有機ＥＬ素子に供給される電流は定常状態である事が望ましい。しかし、実際は電流供給の初期には過渡現象が発生し、その過渡現象により有機ＥＬ素子の発光強度が揺らぎ、輝度が安定しない場合がある。
【０００４】
電流の過渡現象から回路を保護するための手段として、例えば特許文献１には回路にコンデンサを設ける技術が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平２−２２３３７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は、画素電極と、前記画素電極と対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に挟み込まれた発光機能層とを含む発光素子と、少なくとも１つのトランジスタを含み、前記発光素子を駆動する駆動回路と、２枚の電極板の一方が電源供給線に接続され、他方がグランド線に接続された過渡電流吸収用コンデンサを備え、前記過渡電流吸収用コンデンサは、前記発光機能層の下層に設けられ、前記２枚の電極板のうち前記発光機能層に近い第１の電極板は、前記発光機能層より発光された光を反射する反射板を兼ねていることを特徴とするものである。
これにより、有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることができる。
また、第１の電極板が反射板を兼ねるようにしたので、画素電極を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置は、複数の走査線と、前記走査線に直交して配置される複数の信号線と、複数の電源供給線と、各走査線と各信号線との交点付近に設けられる複数の画素部を備え、前記画素部は、前記走査線を介して走査信号がゲートに供給される選択トランジスタと、前記選択トランジスタを介して前記信号線から供給される画素信号がゲートに供給される駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタを介して前記電源線に電気的に接続されたときに前記電源供給線から駆動電流が流れ込む画素電極と、前記画素電極と対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に挟み込まれた発光機能層と、２枚の電極板の一方が前記電源供給線に接続され、他方がグランド線に接続された過渡電流吸収用コンデンサを備え、前記過渡電流吸収用コンデンサは、前記発光機能層の下層に設けられ、前記２枚の電極板のうち前記発光機能層に近い第１の電極板は、前記発光機能層より発光された光を反射する反射板を兼ねていることを特徴とする。
これにより、有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることができる。
また、第１の電極板が反射板を兼ねるようにしたので、画素電極を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置は、前記選択トランジスタを介して前記信号線から供給される画素信号を保持する保持用コンデンサを備え、前記保持用コンデンサによって保持された画素信号が、前記駆動用トランジスタのゲートに供給されるものとすることができる。
また、ゲートがリセット線に接続され、ソースが選択トランジスタのドレインに接続され、ドレインがグランド線に接続され消去用トランジスタをさらに備えるものとしてもよい。
また、前記画素部が前記駆動用トランジスタのゲート電圧を補償するためのトランジスタを２つ備えるようにしてもよい。
【００１０】
また、前記駆動回路は、４つのトランジスタと１つのコンデンサを備え、外部に定電流源を有し、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動用トランジスタのゲート電圧は、前記定電流源に設定された電流量によって決定されるものとしてもよい。
【００１１】
本発明の電気光学装置は、過渡電流吸収用コンデンサの前記第１の電極板は、前記トランジスタのゲート電極と同一の層に形成され、前記第１の電極板に対向する第２の電極板は、前記トランジスタの半導体層と同一の層に形成されたものとすることが望ましい。
これにより、過渡電流吸収用コンデンサを形成するための製造工程を新たに設ける必要がなく、第１の電極板及び第２の電極板をトランジスタのゲート電極と半導体層の形成と同時に形成することができる。
【００１２】
また、過渡電流吸収用コンデンサの前記第１の電極板は、前記駆動用トランジスタのソース電極と同一の層に形成され、前記第１の電極板に対向する第２の電極板は、前記駆動用トランジスタのゲート電極と同一の層に形成されるようにしてもよい。
これにより、過渡電流吸収用コンデンサの第１の電極板及び第２の電極板をトランジスタのソース電極とゲート電極の形成と同時に形成することができる。
【００１３】
また、前記第１の電極板は、前記駆動用トランジスタのソース電極と同一の層に形成され、前記第１の電極板に対向する第２の電極板は、前記駆動用トランジスタの半導体層と同一の層に形成されるようにしてもよい。
これにより、過渡電流吸収用コンデンサの第１の電極板及び第２の電極板をトランジスタのソース電極と半導体層の形成と同時に形成することができる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置は、前記発光機能層と前記反射板との間の距離が、前記光のマイクロキャビティ効果が発生するように調整されているものとすることが望ましい。
これにより、発光される光の強度を上げることができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、画素電極と、前記画素電極と対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に挟み込まれた発光機能層とを含む発光素子と、少なくとも１つのトランジスタを含み、前記発光素子を駆動する駆動回路を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記トランジスタを形成する工程において、前記発光機能層の下の位置に、２枚の電極板の一方が電源供給線に接続され、他方がグランド線に接続され、前記２枚の電極板のうち前記発光機能層に近い第１の電極板は、前記発光機能層より発光された光を反射する反射板を兼ねた過渡電流吸収用コンデンサを同時に形成することを特徴とする。
これにより、有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることができる。
また、第１の電極板が反射板を兼ねるようにしたので、画素電極を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記トランジスタのゲート電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板を形成する工程と、前記トランジスタの半導体層と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板に対向する第２の電極板を形成する工程を備えることが望ましい。
これにより、過渡電流吸収用コンデンサを形成するための製造工程を新たに設ける必要がなく、第１の電極板及び第２の電極板をトランジスタのゲート電極と半導体層の形成と同時に形成することができる。
【００１７】
また、前記トランジスタのソース電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板を形成する工程と、前記トランジスタのゲート電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板に対向する第２の電極板を形成する工程を備えるようにしてもよい。
これにより、過渡電流吸収用コンデンサの第１の電極板及び第２の電極板をトランジスタのソース電極とゲート電極の形成と同時に形成することができる。
【００１８】
また、前記トランジスタのソース電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板を形成する工程と、前記トランジスタの半導体層と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板に対向する第２の電極板を形成する工程を備えるようにしてもよい。
これにより、過渡電流吸収用コンデンサの第１の電極板及び第２の電極板をトランジスタのソース電極と半導体層の形成と同時に形成することができる。
【００１９】
また、本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を表示部として備える。ここで、電子機器とは、電気光学装置を表示部として備えるあらゆる機器を含むもので、ディスプレイ装置、テレビジョン装置、電子ペーパ、時計、電卓、携帯電話、携帯情報端末等を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置（電気光学装置）１００の回路構成を示す図である。有機ＥＬ装置１００は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に直交して配置される複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線（電源供給線）１０３と、各走査線１０１と各信号線１０２との交点付近にそれぞれ設けられる複数の画素部Ａとを含んでいる。すなわち、本例の有機ＥＬ装置１００は、複数の画素部Ａを備え、当該各画素部がマトリクス状に配列されてなるアクティブマトリクス型の表示装置である。
【００２１】
各走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路１０５が接続されている。また、各信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０４が接続されている。各画素部Ａには、走査線１０１を介して走査信号がゲートに供給されるスイッチングトランジスタ（選択トランジスタ）１１２と、このスイッチングトランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持するコンデンサ（保持用コンデンサ）１１１と、このコンデンサ１１１によって保持された画素信号がゲートに供給される駆動用トランジスタ１１３と、この駆動用トランジスタ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続されたときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）と、この画素電極と対向する対向電極（陰極）との間に挟み込まれた発光機能層と、が設けられている。これらの画素電極と対向電極と発光機能層によって有機ＥＬ素子（発光素子）３００が構成されている。なお、発光機能層は正孔輸送層、発光層、電子注入層を含む。
【００２２】
この有機ＥＬ装置１００では、走査線１０１が駆動されてスイッチングトランジスタ１１２がオン状態となると、そのときの信号線１０２の電位がコンデンサ１１１に保持され、このコンデンサ１１１の状態に応じて、駆動用トランジスタ１１３のオン／オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極に電流がながれ、さらに発光機能層を介して陰極に電流がながれる。発光機能層は、この流れる電流量に応じて発光する。各発光機能層の発光状態を制御することにより、所望の画像表示を行うことができる。
【００２３】
さらに、有機ＥＬ装置１００は、一方の電極板が電源線１０３に接続され、他方の電極板がグランド線１１５に接続されたコンデンサ（過渡電流吸収用コンデンサ）１１４を備えている。コンデンサ１１４は有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制する。
【００２４】
図２は、有機ＥＬ装置１００の画素部Ａの構成を示す平面図である。また、図３は、図２のＢ−Ｂ’線での断面図である。
図２及び図３に示すように、画素部Ａは、ガラス基板１５１の上にＳｉＯ2膜による絶縁層１５２が形成されており、その上にＴＦＴ部２００、有機ＥＬ素子３００、及びコンデンサ１１４が形成されている。
【００２５】
ＴＦＴ部２００は、例えば図に示すようなトップゲート型のＴＦＴであり、絶縁層１５２の上にシリコン層１５３が形成されている。シリコン層１５３は、不純物が高濃度にドーピングされたソース領域１５３Ｓ、ドレイン領域１５３Ｄ、及びそれらの間のチャネル領域１５３Ｃを有する。
シリコン層１５３の上にはゲート絶縁膜１５４（ＳｉＯ2膜）が形成され、更にその上にゲート電極１５５が形成される。ゲート電極１５５の上には層間絶縁膜１５６が形成されている。層間絶縁膜１５６及びその下のゲート絶縁膜１５４に形成された開口部を介して、ソース領域１５３Ｓに接続されたソース電極１５７が形成され、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜からなる画素電極１０７と接続されている。
【００２６】
有機ＥＬ素子３００は、絶縁層１６０（ＳｉＯ2層）の上に形成され、画素電極１０７と対向電極１０８に挟まれた発光機能層１１０によって構成されている。有機ＥＬ装置１００は、ガラス基板１５１の反対側（図中ａ方向）から光を取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ装置である。トップエミッション構造の有機ＥＬ装置では、光を取り出す方向が基板と逆方向なので、基板上に設けられたＴＦＴ等により発光面積が小さくなることがないという利点がある。トップエミッション構造の有機ＥＬ装置では、一般に画素電極１０７を金属で形成することにより反射板を兼ねるようにし、発光機能層１１０から発光された光を画素電極１０７で反射することによりガラス基板１５１の反対側から光を取り出している。
【００２７】
しかし、実施の形態１では、画素電極１０７は透明電極とし、有機ＥＬ素子３００の下の層に設けられたコンデンサ１１４の第１の電極板１１４ａを反射板としている。一般に有機ＥＬ装置では、陽極（画素電極）としては金属電極よりも透明電極を用いた方が発光効率が良いという特徴があるので、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置でも、実施の形態１のように第１の電極板１１４ａを反射板として用いることにより、陽極を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
【００２８】
コンデンサ１１４は、第１の電極板１１４ａがゲート電極１５５と同一の層に形成されている。第１の電極板１１４ａは、ゲート電極１５５と同じ材料で形成され、ゲート電極１５５を形成する際に同時に形成することができる。また、コンデンサ１１４の第２の電極板１１４ｂは、シリコン層１５３と同一の層に同一の材料で形成されており、シリコン層１５３を形成する際に同時に形成することができる。
第２の電極板１１４ｂは、コンタクト部１５８と、層間絶縁膜１５６及びその下のゲート絶縁膜１５４に形成された開口部を貫通する接続用電極を介して電源線１０３に接続されている。一方、第１の電極板１１４ａはグランド線１１５に接続されている。これにより、コンデンサ１１４は、電源線１０３から画素電極１０７に供給される駆動電流の過渡現象を抑制する。
【００２９】
以上のように、実施の形態１によれば、有機ＥＬ素子３００の下部に、第２の電極板１１４ｂが電源線１０３に接続され、第１の電極板１１４ａがグランド線１１５に接続されたコンデンサ１１４を設けたことにより、有機ＥＬ素子３００に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることができる。
また、第１の電極板１１４ａが反射板を兼ねるようにしたので、画素電極１０７を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
さらに、第１の電極板１１４ａはＴＦＴ部２００のゲート電極１５５と同一の層に形成し、第２の電極板１１４ｂはシリコン層１５３と同一の層に形成するようにしたので、コンデンサ１１４を形成するための製造工程を新たに設ける必要がなく、それぞれゲート電極１５５とシリコン層１５３の形成と同時に形成することができる。
【００３０】
また、発光機能層１１０と第１の電極板１１４ａとの間の距離を調整することにより、マイクロキャビティ効果を利用できるようにすることも可能である。
例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）それぞれの光を発光する有機ＥＬ素子３００が配列されている場合、発光機能層１１０で発光されたそれぞれの光が、対向電極１０８と第１の電極板１１４ａ（反射板）で反射する際に生じる位相シフトをΦR、ΦG、ΦB、各色の光を発光する有機ＥＬ素子３００における対向電極１０８と第１の電極板１１４ａとの間の光学距離をＬR、ＬG、ＬB、対向電極１０８側から取り出される光のピーク波長をλR、λG、λB、とした場合、光学距離ＬR、ＬG、ＬBが式（１）を満たすように設定する。
２ＬR／λR＋ΦR／２π＝２ＬG／λG＋ΦG／２π＝２ＬB／λB＋ΦB／２π
＝ｑ＋１ …（１）
（ｑは０を含む正の整数。）
マイクロキャビティ効果を利用することにより、発光機能層１１０から発光された光を対向電極１０８と第１の電極板１１４ａの間で共振させて、外部に取り出す光の強度を強めることができる。
【００３１】
実施の形態２．
図４は、実施の形態２による有機ＥＬ装置１００の画素部Ａの構成を示す平面図である。また、図５は、図４のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【００３２】
実施の形態２では、有機ＥＬ素子３００の下部に、一方の電極板が電源線１０３に接続され、他方の電極板がグランド線１１５に接続されたコンデンサ１１４を備え、コンデンサ１１４は有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制する点は実施の形態１と同じである。
【００３３】
また、実施の形態１と同様に、画素電極１０７は透明電極とし、コンデンサ１１４の第１の電極板１１４ａを反射板としている。
ただし、実施の形態２では実施の形態１と異なり、コンデンサ１１４は、第１の電極板１１４ａがソース電極１５７と同一の層に形成されている。第１の電極板１１４ａは、ソース電極１５７と同じ材料で形成され、ソース電極１５７を形成する際に同時に形成することができる。また、コンデンサ１１４の第２の電極板１１４ｂは、ゲート電極１５５と同一の層に同一の材料で形成されており、ゲート電極１５５を形成する際に同時に形成することができる。
第１の電極板１１４ａは電源線１０３に接続され、第２の電極板１１４ｂはグランド線１１５に接続されている。これにより、コンデンサ１１４は、電源線１０３から画素電極１０７に供給される駆動電流の過渡現象を抑制する。
【００３４】
以上のように、実施の形態２によれば、有機ＥＬ素子３００の下部に、第１の電極板１１４ａが電源線１０３に接続され、第２の電極板１１４ｂがグランド線１１５に接続されたコンデンサ１１４を設けたことにより、有機ＥＬ素子３００に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることができる。
また、第１の電極板１１４ａが反射板を兼ねるようにしたので、画素電極１０７を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
さらに、第１の電極板１１４ａはＴＦＴ部２００のソース電極１５７と同一の層に形成し、第２の電極板１１４ｂはゲート電極１５５と同一の層に形成するようにしたので、コンデンサ１１４を形成するための製造工程を新たに設ける必要がなく、それぞれソース電極１５７とゲート電極１５５の形成と同時に形成することができる。
【００３５】
また、実施の形態１と同様に、発光機能層１１０と第１の電極板１１４ａとの間の距離を調整することにより、マイクロキャビティ効果を利用できるようにすることも可能である。
【００３６】
実施の形態３．
図６は、実施の形態３による有機ＥＬ装置１００の画素部Ａの構成を示す平面図である。また、図７は、図６のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【００３７】
実施の形態３では、有機ＥＬ素子３００の下部に、一方の電極板が電源線１０３に接続され、他方の電極板がグランド線１１５に接続されたコンデンサ１１４を備え、コンデンサ１１４は有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制する点は実施の形態１及び実施の形態２と同じである。
【００３８】
また、実施の形態１、２と同様に、画素電極１０７は透明電極とし、コンデンサ１１４の第１の電極板１１４ａを反射板としている。
ただし、実施の形態３では実施の形態１または実施の形態２と異なり、コンデンサ１１４は、第１の電極板１１４ａがソース電極１５７と同一の層に形成されている。第１の電極板１１４ａは、ソース電極１５７と同じ材料で形成され、ソース電極１５７を形成する際に同時に形成することができる。また、コンデンサ１１４の第２の電極板１１４ｂは、ゲート電極１５５と同一の層に同一の材料で形成されており、ゲート電極１５５を形成する際に同時に形成することができる。
第１の電極板１１４ａは電源線１０３に接続され、第２の電極板１１４ｂはグランド線１１５に接続されている。これにより、コンデンサ１１４は、電源線１０３から画素電極１０７に供給される駆動電流の過渡現象を抑制する。
【００３９】
以上のように、実施の形態３によれば、有機ＥＬ素子３００の下部に、第１の電極板１１４ａが電源線１０３に接続され、第２の電極板１１４ｂがグランド線１１５に接続されたコンデンサ１１４を設けたことにより、有機ＥＬ素子３００に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることができる。
また、第１の電極板１１４ａが反射板を兼ねるようにしたので、画素電極１０７を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
さらに、第１の電極板１１４ａはＴＦＴ部２００のソース電極１５７と同一の層に形成し、第２の電極板１１４ｂはゲート電極１５５と同一の層に形成するようにしたので、コンデンサ１１４を形成するための製造工程を新たに設ける必要がなく、それぞれソース電極１５７とゲート電極１５５の形成と同時に形成することができる。
【００４０】
また、実施の形態１と同様に、発光機能層１１０と第１の電極板１１４ａとの間の距離を調整することにより、マイクロキャビティ効果を利用できるようにすることも可能である。
【００４１】
実施の形態４．
実施の形態１、２及び３では、有機ＥＬ装置１００の回路構成は図１に示すように、２つのトランジスタと１つの電位保持用コンデンサ１１１、及び過渡電流吸収用コンデンサ１１４を備えている。しかし、画素回路の構成は、図１に示すものに限定されず、例えば、図８〜図１０に示すような構成の回路であってもよい。なお、図８〜図１０では１画素分の回路を示している。
図８に示す画素回路は、スイッチングトランジスタ１１２、駆動用トランジスタ１１３、有機ＥＬ素子３００、コンデンサ１１１、コンデンサ１１４の他に、消去用トランジスタ１１６を含んで構成される。消去用トランジスタ１１６は、ゲートがリセット線１１７に接続され、ソースがスイッチングトランジスタ１１２のドレインに接続され、ドレインがグランド線１１５に接続されている。
【００４２】
図８に示す画素回路の動作は以下の通りである。走査線１０１を介して走査信号が供給され、スイッチングトランジスタ１１２が選択されている期間には、信号線１０２を介して駆動用トランジスタ１１３のゲートにデータ信号が書き込まれる。駆動用トランジスタ１１３のソース−ドレイン経路を通じて、データ信号の大きさに応じた電流が電源線１０３から有機ＥＬ素子３００に供給される。これにより、有機ＥＬ素子３００がデータ信号の大きさに応じた輝度で発光する。また、リセット線１１７を介してリセット信号が供給され、消去用トランジスタ１１６が選択されている期間には、駆動用トランジスタ１１３のソース−ドレイン間の電位が０ボルトとなり、駆動用トランジスタ１１３はオフ状態となる。それにより、有機ＥＬ素子３００に電流が供給されなくなり、有機ＥＬ素子３００は非発光状態となる。
【００４３】
また、図９に示す画素回路は、３つのスイッチングトランジスタＳｗ−ＴＦＴ１，２，３、駆動用トランジスタＤｒ−ＴＦＴ、有機ＥＬ素子３００、コンデンサＣ１，Ｃ２、コンデンサ１１４を含んでいる。
図９に示す画素回路は、電圧プログラム方式の画素回路である。この画素回路の動作について説明する。まず、データ線Ｄａｔａの電圧が０ボルトの状態でＳｅｌｅｃｔ線に信号が入力されてＳｗ−ＴＦＴ１がオンになる。次に、ＡＺ線に信号が入力されてＳｗ−ＴＦＴ３もオンになる。さらに、ＡＺＢ線に信号が入力されてＳｗ−ＴＦＴ２がオンになる。これにより駆動用トランジスタＤｒ−ＴＦＴのゲート電圧が充電される。このとき、Ｄｒ−ＴＦＴのゲート電圧ＶＧは、有機ＥＬの発光閾値電圧Ｖｔｈよりも高い電位に充電される。次に、ＡＺＢ線の信号がオフになってＳｗ−ＴＦＴ２がオフになり、Ｄｒ−ＴＦＴのゲート電圧ＶＧが発光閾値電圧Ｖｔｈになるまで放電される。次に、ＡＺ線の信号がオフになってＳｗ−ＴＦＴ３がオフになる。次に、データ線Ｄａｔａからデータ信号Ｖｄａｔａが入力され、Ｄｒ−ＴＦＴのゲート電圧ＶＧがＶｔｈ＋Ｖｄａｔａとなる。次に、Ｓｅｌｅｃｔ線の信号とデータ信号Ｖｄａｔａがオフになると共に、ＡＺＢ線に信号が入力されてＳｗ−ＴＦＴ２がオンになることにより、ゲート電圧ＶＧによって有機ＥＬ素子３００に電流が流れ発光する。
【００４４】
また、図１０に示す画素回路は、３つのスイッチングトランジスタＳｗ−ＴＦＴ１，２，３、駆動用トランジスタＤｒ−ＴＦＴ、有機ＥＬ素子３００、コンデンサＣ１，Ｃ２、コンデンサ１１４を含んでいる。ＶＧＰは可変電流源である。
図１０に示す画素回路は、電流プログラム方式の画素回路である。この画素回路の動作について説明する。まず、Ｓｅｌｅｃｔ１線に信号が入力され、Ｓｗ−ＴＦＴ１，２がオンになる。Ｓｗ−ＴＦＴ１がオンになることによりＤｒ−ＴＦＴのゲート電圧ＶＧが上昇する。そして、ＶＧが一定値以上になるとＤｒ−ＴＦＴがオンになりドレインーソース間に電流が流れる。ここで、ＶＧＰには一定の電流が流れるようにプログラムされているため、Ｄｒ−ＴＦＴからＶＧＰに流れる電流量はＶＧＰにプログラムされた電流量によって決定される。よって、Ｄｒ−ＴＦＴのゲート電圧ＶＧもこの電流量により決まる。次に、Ｓｅｌｅｃｔ１線の信号をオフにし、Ｓｅｌｅｃｔ２線の信号をオンにすると、Ｓｗ−ＴＦＴ３がオンになる。このとき、Ｄｒ−ＴＦＴのプログラムされたゲート電圧ＶＧにしたがって有機ＥＬ素子３００に電流が流れ発光する。
【００４５】
いずれの回路を用いても、図１に示す画素回路を用いた場合と同様の効果を得ることができる。また、以上に示す画素回路の他にも、各種の電圧プログラム方式または電流プログラム方式の画素回路を用いることができる。
なお、電圧プログラム方式と電流プログラム方式は、有機ＥＬ素子を用いた画素へのデータ供給方法であり、電圧プログラム方式では、データ線に対するデータ信号の供給を電圧ベースで行い、電流プログラム方式ではデータ線に対するデータ信号の供給を電流ベースで行う。
【００４６】
電子機器
次に、上述した有機ＥＬ装置１００を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１１は、有機ＥＬ装置１００を備えた電子機器の具体例を示す斜視図である。図１１（Ａ）は、電子機器の一例である携帯電話機を示す斜視図である。この携帯電話機１０００は、本発明にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１００１を備えている。図１１（Ｂ）は、電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。この腕時計１１００は、本発明にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１１０１を備えている。図１１（Ｃ）は、電子機器の一例である携帯型情報処理装置１２００を示す斜視図である。この携帯型情報処理装置１２００は、キーボード等の入力部１２０１、演算手段や記憶手段などが格納された本体部１２０２、および本発明にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１２０３を備えている。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置の回路構成を示す図である。
【図２】図２は、実施の形態１による有機ＥＬ装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図３】図３は、図２のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図４】図４は、実施の形態２による有機ＥＬ装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図５】図５は、図４のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図６】図６は、実施の形態３による有機ＥＬ装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図７】図７は、図６のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図８】図８は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置の回路構成の他の例を示す図である。
【図９】図９は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置の回路構成の他の例を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置の回路構成の他の例を示す図である。
【図１１】本発明による電子機器の例を示した図である。
【符号の説明】
【００４８】
１００ 有機ＥＬ装置、１０１ 走査線、１０２ 信号線、１０３ 電源線、１０４ データ線駆動回路、１０５ 走査線駆動回路、１０７ 画素電極、１０８ 対向電極、１１０ 発光機能層、１１１ コンデンサ、１１２ スイッチングトランジスタ、１１３ 駆動用トランジスタ、１１４ コンデンサ、１１４ａ 第１の電極板、１１４ｂ 第２の電極板、１１５ グランド線、１１６ 消去用トランジスタ、１１７ リセット線、１５１ ガラス基板、１５２ 絶縁層、１５３ シリコン層、１５３Ｓ ソース領域、１５３Ｄ ドレイン領域、１５３Ｃ チャネル領域、１５４ ゲート絶縁膜、１５５ ゲート電極、１５６ 層間絶縁膜、１５７ ソース電極、１５８，１５９ コンタクト部、１６０，１６１ 絶縁層、１６２ 感光性アクリル層、１６３ 透明シール層、２００ ＴＦＴ部、３００ 有機ＥＬ素子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置は、電気光学素子として有機ＥＬ素子を利用した電気光学装置である。有機ＥＬ表示装置は、自発光、高輝度、高視野角、薄型、高速応答、低消費電力といった優れた特徴を備えるとともに、ポリシリコンＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた周辺駆動回路により、さらなる小型化、軽量化が実現できることから注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は電流駆動素子である事から、有機ＥＬ素子に供給される電流は定常状態である事が望ましい。しかし、実際は電流供給の初期には過渡現象が発生し、その過渡現象により有機ＥＬ素子の発光強度が揺らぎ、輝度が安定しない場合がある。
【０００４】
電流の過渡現象から回路を保護するための手段として、例えば特許文献１には回路にコンデンサを設ける技術が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平２−２２３３７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は、画素電極と、前記画素電極と対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に挟み込まれた発光機能層とを含む発光素子と、少なくとも１つのトランジスタを含み、前記発光素子を駆動する駆動回路と、２枚の電極板の一方が電源供給線に接続され、他方がグランド線に接続された過渡電流吸収用コンデンサを備え、前記過渡電流吸収用コンデンサは、前記発光機能層の下層に設けられ、前記２枚の電極板のうち前記発光機能層に近い第１の電極板は、前記発光機能層より発光された光を反射する反射板を兼ねていることを特徴とするものである。
これにより、有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることができる。
また、第１の電極板が反射板を兼ねるようにしたので、画素電極を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置は、複数の走査線と、前記走査線に直交して配置される複数の信号線と、複数の電源供給線と、各走査線と各信号線との交点付近に設けられる複数の画素部を備え、前記画素部は、前記走査線を介して走査信号がゲートに供給される選択トランジスタと、前記選択トランジスタを介して前記信号線から供給される画素信号がゲートに供給される駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタを介して前記電源線に電気的に接続されたときに前記電源供給線から駆動電流が流れ込む画素電極と、前記画素電極と対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に挟み込まれた発光機能層と、２枚の電極板の一方が前記電源供給線に接続され、他方がグランド線に接続された過渡電流吸収用コンデンサを備え、前記過渡電流吸収用コンデンサは、前記発光機能層の下層に設けられ、前記２枚の電極板のうち前記発光機能層に近い第１の電極板は、前記発光機能層より発光された光を反射する反射板を兼ねていることを特徴とする。
これにより、有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることができる。
また、第１の電極板が反射板を兼ねるようにしたので、画素電極を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置は、前記選択トランジスタを介して前記信号線から供給される画素信号を保持する保持用コンデンサを備え、前記保持用コンデンサによって保持された画素信号が、前記駆動用トランジスタのゲートに供給されるものとすることができる。
また、ゲートがリセット線に接続され、ソースが選択トランジスタのドレインに接続され、ドレインがグランド線に接続され消去用トランジスタをさらに備えるものとしてもよい。
また、前記画素部が前記駆動用トランジスタのゲート電圧を補償するためのトランジスタを２つ備えるようにしてもよい。
【００１０】
また、前記駆動回路は、４つのトランジスタと１つのコンデンサを備え、外部に定電流源を有し、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動用トランジスタのゲート電圧は、前記定電流源に設定された電流量によって決定されるものとしてもよい。
【００１１】
本発明の電気光学装置は、過渡電流吸収用コンデンサの前記第１の電極板は、前記トランジスタのゲート電極と同一の層に形成され、前記第１の電極板に対向する第２の電極板は、前記トランジスタの半導体層と同一の層に形成されたものとすることが望ましい。
これにより、過渡電流吸収用コンデンサを形成するための製造工程を新たに設ける必要がなく、第１の電極板及び第２の電極板をトランジスタのゲート電極と半導体層の形成と同時に形成することができる。
【００１２】
また、過渡電流吸収用コンデンサの前記第１の電極板は、前記駆動用トランジスタのソース電極と同一の層に形成され、前記第１の電極板に対向する第２の電極板は、前記駆動用トランジスタのゲート電極と同一の層に形成されるようにしてもよい。
これにより、過渡電流吸収用コンデンサの第１の電極板及び第２の電極板をトランジスタのソース電極とゲート電極の形成と同時に形成することができる。
【００１３】
また、前記第１の電極板は、前記駆動用トランジスタのソース電極と同一の層に形成され、前記第１の電極板に対向する第２の電極板は、前記駆動用トランジスタの半導体層と同一の層に形成されるようにしてもよい。
これにより、過渡電流吸収用コンデンサの第１の電極板及び第２の電極板をトランジスタのソース電極と半導体層の形成と同時に形成することができる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置は、前記発光機能層と前記反射板との間の距離が、前記光のマイクロキャビティ効果が発生するように調整されているものとすることが望ましい。
これにより、発光される光の強度を上げることができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、画素電極と、前記画素電極と対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に挟み込まれた発光機能層とを含む発光素子と、少なくとも１つのトランジスタを含み、前記発光素子を駆動する駆動回路を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記トランジスタを形成する工程において、前記発光機能層の下の位置に、２枚の電極板の一方が電源供給線に接続され、他方がグランド線に接続され、前記２枚の電極板のうち前記発光機能層に近い第１の電極板は、前記発光機能層より発光された光を反射する反射板を兼ねた過渡電流吸収用コンデンサを同時に形成することを特徴とする。
これにより、有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることができる。
また、第１の電極板が反射板を兼ねるようにしたので、画素電極を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記トランジスタのゲート電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板を形成する工程と、前記トランジスタの半導体層と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板に対向する第２の電極板を形成する工程を備えることが望ましい。
これにより、過渡電流吸収用コンデンサを形成するための製造工程を新たに設ける必要がなく、第１の電極板及び第２の電極板をトランジスタのゲート電極と半導体層の形成と同時に形成することができる。
【００１７】
また、前記トランジスタのソース電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板を形成する工程と、前記トランジスタのゲート電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板に対向する第２の電極板を形成する工程を備えるようにしてもよい。
これにより、過渡電流吸収用コンデンサの第１の電極板及び第２の電極板をトランジスタのソース電極とゲート電極の形成と同時に形成することができる。
【００１８】
また、前記トランジスタのソース電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板を形成する工程と、前記トランジスタの半導体層と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板に対向する第２の電極板を形成する工程を備えるようにしてもよい。
これにより、過渡電流吸収用コンデンサの第１の電極板及び第２の電極板をトランジスタのソース電極と半導体層の形成と同時に形成することができる。
【００１９】
また、本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を表示部として備える。ここで、電子機器とは、電気光学装置を表示部として備えるあらゆる機器を含むもので、ディスプレイ装置、テレビジョン装置、電子ペーパ、時計、電卓、携帯電話、携帯情報端末等を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置（電気光学装置）１００の回路構成を示す図である。有機ＥＬ装置１００は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に直交して配置される複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線（電源供給線）１０３と、各走査線１０１と各信号線１０２との交点付近にそれぞれ設けられる複数の画素部Ａとを含んでいる。すなわち、本例の有機ＥＬ装置１００は、複数の画素部Ａを備え、当該各画素部がマトリクス状に配列されてなるアクティブマトリクス型の表示装置である。
【００２１】
各走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路１０５が接続されている。また、各信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０４が接続されている。各画素部Ａには、走査線１０１を介して走査信号がゲートに供給されるスイッチングトランジスタ（選択トランジスタ）１１２と、このスイッチングトランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持するコンデンサ（保持用コンデンサ）１１１と、このコンデンサ１１１によって保持された画素信号がゲートに供給される駆動用トランジスタ１１３と、この駆動用トランジスタ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続されたときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）と、この画素電極と対向する対向電極（陰極）との間に挟み込まれた発光機能層と、が設けられている。これらの画素電極と対向電極と発光機能層によって有機ＥＬ素子（発光素子）３００が構成されている。なお、発光機能層は正孔輸送層、発光層、電子注入層を含む。
【００２２】
この有機ＥＬ装置１００では、走査線１０１が駆動されてスイッチングトランジスタ１１２がオン状態となると、そのときの信号線１０２の電位がコンデンサ１１１に保持され、このコンデンサ１１１の状態に応じて、駆動用トランジスタ１１３のオン／オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極に電流がながれ、さらに発光機能層を介して陰極に電流がながれる。発光機能層は、この流れる電流量に応じて発光する。各発光機能層の発光状態を制御することにより、所望の画像表示を行うことができる。
【００２３】
さらに、有機ＥＬ装置１００は、一方の電極板が電源線１０３に接続され、他方の電極板がグランド線１１５に接続されたコンデンサ（過渡電流吸収用コンデンサ）１１４を備えている。コンデンサ１１４は有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制する。
【００２４】
図２は、有機ＥＬ装置１００の画素部Ａの構成を示す平面図である。また、図３は、図２のＢ−Ｂ’線での断面図である。
図２及び図３に示すように、画素部Ａは、ガラス基板１５１の上にＳｉＯ2膜による絶縁層１５２が形成されており、その上にＴＦＴ部２００、有機ＥＬ素子３００、及びコンデンサ１１４が形成されている。
【００２５】
ＴＦＴ部２００は、例えば図に示すようなトップゲート型のＴＦＴであり、絶縁層１５２の上にシリコン層１５３が形成されている。シリコン層１５３は、不純物が高濃度にドーピングされたソース領域１５３Ｓ、ドレイン領域１５３Ｄ、及びそれらの間のチャネル領域１５３Ｃを有する。
シリコン層１５３の上にはゲート絶縁膜１５４（ＳｉＯ2膜）が形成され、更にその上にゲート電極１５５が形成される。ゲート電極１５５の上には層間絶縁膜１５６が形成されている。層間絶縁膜１５６及びその下のゲート絶縁膜１５４に形成された開口部を介して、ソース領域１５３Ｓに接続されたソース電極１５７が形成され、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜からなる画素電極１０７と接続されている。
【００２６】
有機ＥＬ素子３００は、絶縁層１６０（ＳｉＯ2層）の上に形成され、画素電極１０７と対向電極１０８に挟まれた発光機能層１１０によって構成されている。有機ＥＬ装置１００は、ガラス基板１５１の反対側（図中ａ方向）から光を取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ装置である。トップエミッション構造の有機ＥＬ装置では、光を取り出す方向が基板と逆方向なので、基板上に設けられたＴＦＴ等により発光面積が小さくなることがないという利点がある。トップエミッション構造の有機ＥＬ装置では、一般に画素電極１０７を金属で形成することにより反射板を兼ねるようにし、発光機能層１１０から発光された光を画素電極１０７で反射することによりガラス基板１５１の反対側から光を取り出している。
【００２７】
しかし、実施の形態１では、画素電極１０７は透明電極とし、有機ＥＬ素子３００の下の層に設けられたコンデンサ１１４の第１の電極板１１４ａを反射板としている。一般に有機ＥＬ装置では、陽極（画素電極）としては金属電極よりも透明電極を用いた方が発光効率が良いという特徴があるので、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置でも、実施の形態１のように第１の電極板１１４ａを反射板として用いることにより、陽極を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
【００２８】
コンデンサ１１４は、第１の電極板１１４ａがゲート電極１５５と同一の層に形成されている。第１の電極板１１４ａは、ゲート電極１５５と同じ材料で形成され、ゲート電極１５５を形成する際に同時に形成することができる。また、コンデンサ１１４の第２の電極板１１４ｂは、シリコン層１５３と同一の層に同一の材料で形成されており、シリコン層１５３を形成する際に同時に形成することができる。
第２の電極板１１４ｂは、コンタクト部１５８と、層間絶縁膜１５６及びその下のゲート絶縁膜１５４に形成された開口部を貫通する接続用電極を介して電源線１０３に接続されている。一方、第１の電極板１１４ａはグランド線１１５に接続されている。これにより、コンデンサ１１４は、電源線１０３から画素電極１０７に供給される駆動電流の過渡現象を抑制する。
【００２９】
以上のように、実施の形態１によれば、有機ＥＬ素子３００の下部に、第２の電極板１１４ｂが電源線１０３に接続され、第１の電極板１１４ａがグランド線１１５に接続されたコンデンサ１１４を設けたことにより、有機ＥＬ素子３００に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることができる。
また、第１の電極板１１４ａが反射板を兼ねるようにしたので、画素電極１０７を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
さらに、第１の電極板１１４ａはＴＦＴ部２００のゲート電極１５５と同一の層に形成し、第２の電極板１１４ｂはシリコン層１５３と同一の層に形成するようにしたので、コンデンサ１１４を形成するための製造工程を新たに設ける必要がなく、それぞれゲート電極１５５とシリコン層１５３の形成と同時に形成することができる。
【００３０】
また、発光機能層１１０と第１の電極板１１４ａとの間の距離を調整することにより、マイクロキャビティ効果を利用できるようにすることも可能である。
例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）それぞれの光を発光する有機ＥＬ素子３００が配列されている場合、発光機能層１１０で発光されたそれぞれの光が、対向電極１０８と第１の電極板１１４ａ（反射板）で反射する際に生じる位相シフトをΦR、ΦG、ΦB、各色の光を発光する有機ＥＬ素子３００における対向電極１０８と第１の電極板１１４ａとの間の光学距離をＬR、ＬG、ＬB、対向電極１０８側から取り出される光のピーク波長をλR、λG、λB、とした場合、光学距離ＬR、ＬG、ＬBが式（１）を満たすように設定する。
２ＬR／λR＋ΦR／２π＝２ＬG／λG＋ΦG／２π＝２ＬB／λB＋ΦB／２π
＝ｑ＋１ …（１）
（ｑは０を含む正の整数。）
マイクロキャビティ効果を利用することにより、発光機能層１１０から発光された光を対向電極１０８と第１の電極板１１４ａの間で共振させて、外部に取り出す光の強度を強めることができる。
【００３１】
実施の形態２．
図４は、実施の形態２による有機ＥＬ装置１００の画素部Ａの構成を示す平面図である。また、図５は、図４のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【００３２】
実施の形態２では、有機ＥＬ素子３００の下部に、一方の電極板が電源線１０３に接続され、他方の電極板がグランド線１１５に接続されたコンデンサ１１４を備え、コンデンサ１１４は有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制する点は実施の形態１と同じである。
【００３３】
また、実施の形態１と同様に、画素電極１０７は透明電極とし、コンデンサ１１４の第１の電極板１１４ａを反射板としている。
ただし、実施の形態２では実施の形態１と異なり、コンデンサ１１４は、第１の電極板１１４ａがソース電極１５７と同一の層に形成されている。第１の電極板１１４ａは、ソース電極１５７と同じ材料で形成され、ソース電極１５７を形成する際に同時に形成することができる。また、コンデンサ１１４の第２の電極板１１４ｂは、ゲート電極１５５と同一の層に同一の材料で形成されており、ゲート電極１５５を形成する際に同時に形成することができる。
第１の電極板１１４ａは電源線１０３に接続され、第２の電極板１１４ｂはグランド線１１５に接続されている。これにより、コンデンサ１１４は、電源線１０３から画素電極１０７に供給される駆動電流の過渡現象を抑制する。
【００３４】
以上のように、実施の形態２によれば、有機ＥＬ素子３００の下部に、第１の電極板１１４ａが電源線１０３に接続され、第２の電極板１１４ｂがグランド線１１５に接続されたコンデンサ１１４を設けたことにより、有機ＥＬ素子３００に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることができる。
また、第１の電極板１１４ａが反射板を兼ねるようにしたので、画素電極１０７を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
さらに、第１の電極板１１４ａはＴＦＴ部２００のソース電極１５７と同一の層に形成し、第２の電極板１１４ｂはゲート電極１５５と同一の層に形成するようにしたので、コンデンサ１１４を形成するための製造工程を新たに設ける必要がなく、それぞれソース電極１５７とゲート電極１５５の形成と同時に形成することができる。
【００３５】
また、実施の形態１と同様に、発光機能層１１０と第１の電極板１１４ａとの間の距離を調整することにより、マイクロキャビティ効果を利用できるようにすることも可能である。
【００３６】
実施の形態３．
図６は、実施の形態３による有機ＥＬ装置１００の画素部Ａの構成を示す平面図である。また、図７は、図６のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【００３７】
実施の形態３では、有機ＥＬ素子３００の下部に、一方の電極板が電源線１０３に接続され、他方の電極板がグランド線１１５に接続されたコンデンサ１１４を備え、コンデンサ１１４は有機ＥＬ素子に供給される電流の過渡現象を抑制する点は実施の形態１及び実施の形態２と同じである。
【００３８】
また、実施の形態１、２と同様に、画素電極１０７は透明電極とし、コンデンサ１１４の第１の電極板１１４ａを反射板としている。
ただし、実施の形態３では実施の形態１または実施の形態２と異なり、コンデンサ１１４は、第１の電極板１１４ａがソース電極１５７と同一の層に形成されている。第１の電極板１１４ａは、ソース電極１５７と同じ材料で形成され、ソース電極１５７を形成する際に同時に形成することができる。また、コンデンサ１１４の第２の電極板１１４ｂは、ゲート電極１５５と同一の層に同一の材料で形成されており、ゲート電極１５５を形成する際に同時に形成することができる。
第１の電極板１１４ａは電源線１０３に接続され、第２の電極板１１４ｂはグランド線１１５に接続されている。これにより、コンデンサ１１４は、電源線１０３から画素電極１０７に供給される駆動電流の過渡現象を抑制する。
【００３９】
以上のように、実施の形態３によれば、有機ＥＬ素子３００の下部に、第１の電極板１１４ａが電源線１０３に接続され、第２の電極板１１４ｂがグランド線１１５に接続されたコンデンサ１１４を設けたことにより、有機ＥＬ素子３００に供給される電流の過渡現象を抑制し、有機ＥＬ素子の発光強度を安定させることができる。
また、第１の電極板１１４ａが反射板を兼ねるようにしたので、画素電極１０７を金属とする必要がなくなり発光効率を高めることができる。
さらに、第１の電極板１１４ａはＴＦＴ部２００のソース電極１５７と同一の層に形成し、第２の電極板１１４ｂはゲート電極１５５と同一の層に形成するようにしたので、コンデンサ１１４を形成するための製造工程を新たに設ける必要がなく、それぞれソース電極１５７とゲート電極１５５の形成と同時に形成することができる。
【００４０】
また、実施の形態１と同様に、発光機能層１１０と第１の電極板１１４ａとの間の距離を調整することにより、マイクロキャビティ効果を利用できるようにすることも可能である。
【００４１】
実施の形態４．
実施の形態１、２及び３では、有機ＥＬ装置１００の回路構成は図１に示すように、２つのトランジスタと１つの電位保持用コンデンサ１１１、及び過渡電流吸収用コンデンサ１１４を備えている。しかし、画素回路の構成は、図１に示すものに限定されず、例えば、図８〜図１０に示すような構成の回路であってもよい。なお、図８〜図１０では１画素分の回路を示している。
図８に示す画素回路は、スイッチングトランジスタ１１２、駆動用トランジスタ１１３、有機ＥＬ素子３００、コンデンサ１１１、コンデンサ１１４の他に、消去用トランジスタ１１６を含んで構成される。消去用トランジスタ１１６は、ゲートがリセット線１１７に接続され、ソースがスイッチングトランジスタ１１２のドレインに接続され、ドレインがグランド線１１５に接続されている。
【００４２】
図８に示す画素回路の動作は以下の通りである。走査線１０１を介して走査信号が供給され、スイッチングトランジスタ１１２が選択されている期間には、信号線１０２を介して駆動用トランジスタ１１３のゲートにデータ信号が書き込まれる。駆動用トランジスタ１１３のソース−ドレイン経路を通じて、データ信号の大きさに応じた電流が電源線１０３から有機ＥＬ素子３００に供給される。これにより、有機ＥＬ素子３００がデータ信号の大きさに応じた輝度で発光する。また、リセット線１１７を介してリセット信号が供給され、消去用トランジスタ１１６が選択されている期間には、駆動用トランジスタ１１３のソース−ドレイン間の電位が０ボルトとなり、駆動用トランジスタ１１３はオフ状態となる。それにより、有機ＥＬ素子３００に電流が供給されなくなり、有機ＥＬ素子３００は非発光状態となる。
【００４３】
また、図９に示す画素回路は、３つのスイッチングトランジスタＳｗ−ＴＦＴ１，２，３、駆動用トランジスタＤｒ−ＴＦＴ、有機ＥＬ素子３００、コンデンサＣ１，Ｃ２、コンデンサ１１４を含んでいる。
図９に示す画素回路は、電圧プログラム方式の画素回路である。この画素回路の動作について説明する。まず、データ線Ｄａｔａの電圧が０ボルトの状態でＳｅｌｅｃｔ線に信号が入力されてＳｗ−ＴＦＴ１がオンになる。次に、ＡＺ線に信号が入力されてＳｗ−ＴＦＴ３もオンになる。さらに、ＡＺＢ線に信号が入力されてＳｗ−ＴＦＴ２がオンになる。これにより駆動用トランジスタＤｒ−ＴＦＴのゲート電圧が充電される。このとき、Ｄｒ−ＴＦＴのゲート電圧ＶＧは、有機ＥＬの発光閾値電圧Ｖｔｈよりも高い電位に充電される。次に、ＡＺＢ線の信号がオフになってＳｗ−ＴＦＴ２がオフになり、Ｄｒ−ＴＦＴのゲート電圧ＶＧが発光閾値電圧Ｖｔｈになるまで放電される。次に、ＡＺ線の信号がオフになってＳｗ−ＴＦＴ３がオフになる。次に、データ線Ｄａｔａからデータ信号Ｖｄａｔａが入力され、Ｄｒ−ＴＦＴのゲート電圧ＶＧがＶｔｈ＋Ｖｄａｔａとなる。次に、Ｓｅｌｅｃｔ線の信号とデータ信号Ｖｄａｔａがオフになると共に、ＡＺＢ線に信号が入力されてＳｗ−ＴＦＴ２がオンになることにより、ゲート電圧ＶＧによって有機ＥＬ素子３００に電流が流れ発光する。
【００４４】
また、図１０に示す画素回路は、３つのスイッチングトランジスタＳｗ−ＴＦＴ１，２，３、駆動用トランジスタＤｒ−ＴＦＴ、有機ＥＬ素子３００、コンデンサＣ１，Ｃ２、コンデンサ１１４を含んでいる。ＶＧＰは可変電流源である。
図１０に示す画素回路は、電流プログラム方式の画素回路である。この画素回路の動作について説明する。まず、Ｓｅｌｅｃｔ１線に信号が入力され、Ｓｗ−ＴＦＴ１，２がオンになる。Ｓｗ−ＴＦＴ１がオンになることによりＤｒ−ＴＦＴのゲート電圧ＶＧが上昇する。そして、ＶＧが一定値以上になるとＤｒ−ＴＦＴがオンになりドレインーソース間に電流が流れる。ここで、ＶＧＰには一定の電流が流れるようにプログラムされているため、Ｄｒ−ＴＦＴからＶＧＰに流れる電流量はＶＧＰにプログラムされた電流量によって決定される。よって、Ｄｒ−ＴＦＴのゲート電圧ＶＧもこの電流量により決まる。次に、Ｓｅｌｅｃｔ１線の信号をオフにし、Ｓｅｌｅｃｔ２線の信号をオンにすると、Ｓｗ−ＴＦＴ３がオンになる。このとき、Ｄｒ−ＴＦＴのプログラムされたゲート電圧ＶＧにしたがって有機ＥＬ素子３００に電流が流れ発光する。
【００４５】
いずれの回路を用いても、図１に示す画素回路を用いた場合と同様の効果を得ることができる。また、以上に示す画素回路の他にも、各種の電圧プログラム方式または電流プログラム方式の画素回路を用いることができる。
なお、電圧プログラム方式と電流プログラム方式は、有機ＥＬ素子を用いた画素へのデータ供給方法であり、電圧プログラム方式では、データ線に対するデータ信号の供給を電圧ベースで行い、電流プログラム方式ではデータ線に対するデータ信号の供給を電流ベースで行う。
【００４６】
電子機器
次に、上述した有機ＥＬ装置１００を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１１は、有機ＥＬ装置１００を備えた電子機器の具体例を示す斜視図である。図１１（Ａ）は、電子機器の一例である携帯電話機を示す斜視図である。この携帯電話機１０００は、本発明にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１００１を備えている。図１１（Ｂ）は、電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。この腕時計１１００は、本発明にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１１０１を備えている。図１１（Ｃ）は、電子機器の一例である携帯型情報処理装置１２００を示す斜視図である。この携帯型情報処理装置１２００は、キーボード等の入力部１２０１、演算手段や記憶手段などが格納された本体部１２０２、および本発明にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１２０３を備えている。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置の回路構成を示す図である。
【図２】図２は、実施の形態１による有機ＥＬ装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図３】図３は、図２のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図４】図４は、実施の形態２による有機ＥＬ装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図５】図５は、図４のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図６】図６は、実施の形態３による有機ＥＬ装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図７】図７は、図６のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図８】図８は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置の回路構成の他の例を示す図である。
【図９】図９は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置の回路構成の他の例を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置の回路構成の他の例を示す図である。
【図１１】本発明による電子機器の例を示した図である。
【符号の説明】
【００４８】
１００ 有機ＥＬ装置、１０１ 走査線、１０２ 信号線、１０３ 電源線、１０４ データ線駆動回路、１０５ 走査線駆動回路、１０７ 画素電極、１０８ 対向電極、１１０ 発光機能層、１１１ コンデンサ、１１２ スイッチングトランジスタ、１１３ 駆動用トランジスタ、１１４ コンデンサ、１１４ａ 第１の電極板、１１４ｂ 第２の電極板、１１５ グランド線、１１６ 消去用トランジスタ、１１７ リセット線、１５１ ガラス基板、１５２ 絶縁層、１５３ シリコン層、１５３Ｓ ソース領域、１５３Ｄ ドレイン領域、１５３Ｃ チャネル領域、１５４ ゲート絶縁膜、１５５ ゲート電極、１５６ 層間絶縁膜、１５７ ソース電極、１５８，１５９ コンタクト部、１６０，１６１ 絶縁層、１６２ 感光性アクリル層、１６３ 透明シール層、２００ ＴＦＴ部、３００ 有機ＥＬ素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、前記画素電極と対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に挟み込まれた発光機能層とを含む発光素子と、
少なくとも１つのトランジスタを含み、前記発光素子を駆動する駆動回路と、
２枚の電極板の一方が電源供給線に接続され、他方がグランド線に接続された過渡電流吸収用コンデンサを備え、
前記過渡電流吸収用コンデンサは、前記発光機能層の下層に設けられ、
前記２枚の電極板のうち前記発光機能層に近い第１の電極板は、前記発光機能層より発光された光を反射する反射板を兼ねていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
複数の走査線と、前記走査線に直交して配置される複数の信号線と、複数の電源供給線と、各走査線と各信号線との交点付近に設けられる複数の画素部を備え、
前記画素部は、
前記走査線を介して走査信号がゲートに供給される選択トランジスタと、
前記選択トランジスタを介して前記信号線から供給される画素信号がゲートに供給される駆動用トランジスタと、
前記駆動用トランジスタを介して前記電源線に電気的に接続されたときに前記電源供給線から駆動電流が流れ込む画素電極と、
前記画素電極と対向する対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極の間に挟み込まれた発光機能層と、
２枚の電極板の一方が前記電源供給線に接続され、他方がグランド線に接続された過渡電流吸収用コンデンサを備え、
前記過渡電流吸収用コンデンサは、前記発光機能層の下層に設けられ、
前記２枚の電極板のうち前記発光機能層に近い第１の電極板は、前記発光機能層より発光された光を反射する反射板を兼ねていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記選択トランジスタを介して前記信号線から供給される画素信号を保持する保持用コンデンサを備え、
前記保持用コンデンサによって保持された画素信号が、前記駆動用トランジスタのゲートに供給されることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
ゲートがリセット線に接続され、ソースが選択トランジスタのドレインに接続され、ドレインがグランド線に接続された消去用トランジスタをさらに備えたことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素部は、前記駆動用トランジスタのゲート電圧を補償するためのトランジスタを２つ備えたことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記駆動回路は、４つのトランジスタと１つのコンデンサを備え、
外部に定電流源を有し、
前記発光素子に流れる電流を制御する駆動用トランジスタのゲート電圧は、前記定電流源に設定された電流量によって決定されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１の電極板は、前記トランジスタのゲート電極と同一の層に形成され、
前記第１の電極板に対向する第２の電極板は、前記トランジスタの半導体層と同一の層に形成されたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１の電極板は、前記駆動用トランジスタのソース電極と同一の層に形成され、
前記第１の電極板に対向する第２の電極板は、前記駆動用トランジスタのゲート電極と同一の層に形成されたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１の電極板は、前記駆動用トランジスタのソース電極と同一の層に形成され、
前記第１の電極板に対向する第２の電極板は、前記駆動用トランジスタの半導体層と同一の層に形成されたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記発光機能層と前記反射板との間の距離が、前記光のマイクロキャビティ効果が発生するように調整されていることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０に記載のいずれかの電気光学装置を備えた電子機器。
【請求項１２】
画素電極と、前記画素電極と対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に挟み込まれた発光機能層とを含む発光素子と、
少なくとも１つのトランジスタを含み、前記発光素子を駆動する駆動回路を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記トランジスタを形成する工程において、前記発光機能層の下の位置に、２枚の電極板の一方が電源供給線に接続され、他方がグランド線に接続され、前記２枚の電極板のうち前記発光機能層に近い第１の電極板は、前記発光機能層より発光された光を反射する反射板を兼ねた過渡電流吸収用コンデンサを同時に形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記トランジスタのゲート電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板を形成する工程と、
前記トランジスタの半導体層と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板に対向する第２の電極板を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記トランジスタのソース電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板を形成する工程と、
前記トランジスタのゲート電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板に対向する第２の電極板を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記トランジスタのソース電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板を形成する工程と、
前記トランジスタの半導体層と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板に対向する第２の電極板を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
画素電極と、前記画素電極と対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に挟み込まれた発光機能層とを含む発光素子と、
少なくとも１つのトランジスタを含み、前記発光素子を駆動する駆動回路と、
２枚の電極板の一方が電源供給線に接続され、他方がグランド線に接続された過渡電流吸収用コンデンサを備え、
前記過渡電流吸収用コンデンサは、前記発光機能層の下層に設けられ、
前記２枚の電極板のうち前記発光機能層に近い第１の電極板は、前記発光機能層より発光された光を反射する反射板を兼ねていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
複数の走査線と、前記走査線に直交して配置される複数の信号線と、複数の電源供給線と、各走査線と各信号線との交点付近に設けられる複数の画素部を備え、
前記画素部は、
前記走査線を介して走査信号がゲートに供給される選択トランジスタと、
前記選択トランジスタを介して前記信号線から供給される画素信号がゲートに供給される駆動用トランジスタと、
前記駆動用トランジスタを介して前記電源線に電気的に接続されたときに前記電源供給線から駆動電流が流れ込む画素電極と、
前記画素電極と対向する対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極の間に挟み込まれた発光機能層と、
２枚の電極板の一方が前記電源供給線に接続され、他方がグランド線に接続された過渡電流吸収用コンデンサを備え、
前記過渡電流吸収用コンデンサは、前記発光機能層の下層に設けられ、
前記２枚の電極板のうち前記発光機能層に近い第１の電極板は、前記発光機能層より発光された光を反射する反射板を兼ねていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記選択トランジスタを介して前記信号線から供給される画素信号を保持する保持用コンデンサを備え、
前記保持用コンデンサによって保持された画素信号が、前記駆動用トランジスタのゲートに供給されることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
ゲートがリセット線に接続され、ソースが選択トランジスタのドレインに接続され、ドレインがグランド線に接続された消去用トランジスタをさらに備えたことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素部は、前記駆動用トランジスタのゲート電圧を補償するためのトランジスタを２つ備えたことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記駆動回路は、４つのトランジスタと１つのコンデンサを備え、
外部に定電流源を有し、
前記発光素子に流れる電流を制御する駆動用トランジスタのゲート電圧は、前記定電流源に設定された電流量によって決定されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１の電極板は、前記トランジスタのゲート電極と同一の層に形成され、
前記第１の電極板に対向する第２の電極板は、前記トランジスタの半導体層と同一の層に形成されたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１の電極板は、前記駆動用トランジスタのソース電極と同一の層に形成され、
前記第１の電極板に対向する第２の電極板は、前記駆動用トランジスタのゲート電極と同一の層に形成されたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１の電極板は、前記駆動用トランジスタのソース電極と同一の層に形成され、
前記第１の電極板に対向する第２の電極板は、前記駆動用トランジスタの半導体層と同一の層に形成されたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記発光機能層と前記反射板との間の距離が、前記光のマイクロキャビティ効果が発生するように調整されていることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０に記載のいずれかの電気光学装置を備えた電子機器。
【請求項１２】
画素電極と、前記画素電極と対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に挟み込まれた発光機能層とを含む発光素子と、
少なくとも１つのトランジスタを含み、前記発光素子を駆動する駆動回路を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記トランジスタを形成する工程において、前記発光機能層の下の位置に、２枚の電極板の一方が電源供給線に接続され、他方がグランド線に接続され、前記２枚の電極板のうち前記発光機能層に近い第１の電極板は、前記発光機能層より発光された光を反射する反射板を兼ねた過渡電流吸収用コンデンサを同時に形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記トランジスタのゲート電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板を形成する工程と、
前記トランジスタの半導体層と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板に対向する第２の電極板を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記トランジスタのソース電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板を形成する工程と、
前記トランジスタのゲート電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板に対向する第２の電極板を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記トランジスタのソース電極と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板を形成する工程と、
前記トランジスタの半導体層と同一層で前記発光機能層の下の位置に、前記第１の電極板に対向する第２の電極板を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００７−２９３０７６（Ｐ２００７−２９３０７６Ａ）
【公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１２１６７１（Ｐ２００６−１２１６７１）
【出願日】平成１８年４月２６日（２００６．４．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年４月２６日（２００６．４．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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