電気光学装置および電子機器
【課題】表示領域Ａの温度を精度良く検出する。
【解決手段】画素１１０がマトリクス状に配列する表示領域Ａをくまなく覆うように、 抵抗膜５０を設ける。抵抗膜５０は、ＩＴＯのような透明導電膜である。画素１１０における液晶素子は、画素電極とコモン電極１０８とで液晶を挟持する。このコモン電極１０８と抵抗膜５０とを絶縁膜を介して対向基板に設ける。抵抗膜５０は、対角の地点において、第１導通材９１ａを介し素子基板側の配線７２ａに接続される。温度情報変換回路４は、抵抗膜５０における２点間の抵抗値を、電圧降下分Ｖf等から求めて温度情報Ｔaを出力する。
【解決手段】画素１１０がマトリクス状に配列する表示領域Ａをくまなく覆うように、 抵抗膜５０を設ける。抵抗膜５０は、ＩＴＯのような透明導電膜である。画素１１０における液晶素子は、画素電極とコモン電極１０８とで液晶を挟持する。このコモン電極１０８と抵抗膜５０とを絶縁膜を介して対向基板に設ける。抵抗膜５０は、対角の地点において、第１導通材９１ａを介し素子基板側の配線７２ａに接続される。温度情報変換回路４は、抵抗膜５０における２点間の抵抗値を、電圧降下分Ｖf等から求めて温度情報Ｔaを出力する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示領域の温度を検出する電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置、例えば液晶装置は、２つの電極同士で液晶のような電気光学物質を挟持した液晶素子を有し、この液晶素子の透過率（または反射率、以下「透過率等」という）を画素毎に変化させることで、所定の画像を表示するものである。液晶素子は、２つの電極で保持される電圧が同じであっても温度によって透過率等が変化するので、温度に応じて映像信号を補正し、透過率等が変化しないような制御が実行される。また、温度を動作可能な範囲内に収めるために、温度に応じて冷却用ファンの回転数の制御も実行される。
このように温度に応じて各種の制御を実行するために、液晶の温度を検出する技術が各種提案されている。例えば、素子基板の表示領域に温度センサーを設ける技術（例えば特許文献１参照）や、走査電極の周囲を覆うように形成された、すなわち表示領域外に形成された透明導電パターンの両端部の抵抗値から温度を検出する技術（例えば特許文献２参照）などが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２５６８２１号公報
【特許文献２】特開平９−５７１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、素子基板の表示領域に温度センサーを設ける技術では、表示領域から表示領域外部へと引き出す配線が別途必要となるだけでなく、素子基板に設けられるトランジスターや配線等の製造プロセスに制約を加えてしまう。また、表示領域外に透明導電パターンを設ける技術では、表示領域の入射光に応じて変化する温度を精度良く検出することができない。
本発明は、上述した背景に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、表示領域の温度を精度良く検出することが可能な電気光学装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置にあっては、複数の画素と、透明性を有し、前記複数の画素が配列する領域に設けられた抵抗膜と、透明性を有し、前記抵抗膜に対し絶縁膜を介して設けられ、前記複数の画素にわたって共通のコモン電極と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、画素が配列する領域の温度が抵抗膜の抵抗値に反映されるので、当該領域の温度を精度良く検出することが可能になる。
【０００６】
本発明において、前記複数の画素の各々に対応する画素電極が設けられた第１基板と、前記抵抗膜、前記絶縁膜および前記コモン電極が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで挟持された電気光学物質と、前記第２基板に設けられた抵抗膜の異なる２地点を、前記第１基板に設けられた配線に、それぞれ個別に導通させる第１導通材を有する構成が好ましい。この構成によれば、第２基板に設けられた抵抗膜の抵抗値を検出するための２地点を、それぞれ第１導通材を介して第１基板側に引き出すことが可能になる。このような構成において、前記第２基板に設けられたコモン電極を前記第１基板に設けられた配線に導通させる第２導通材を有し、前記第１導通材が設けられる領域では、前記コモン電極および前記絶縁膜が除去されている態様も好ましい。第１導通材が設けられる領域では、前記コモン電極および前記絶縁膜が除去されているので、抵抗膜と配線との間隙は、コモン電極と配線との距離にほぼ等しくすることができる。このため、第１導通材と第２導通材とを共用することが可能になる。
さらに、本発明において、前記２地点における電位差を検出して、温度情報に変換する温度情報変換回路を有する構成が好ましい。また、前記２地点における抵抗値を検出してもよい。この構成によれば、精度良く検出した温度情報を用いて、各種の制御が可能になる。
【０００７】
また、本発明において、前記第１基板と前記第２基板とは、平面視したときに注入口で開いた枠状のシール材によって貼り合わせられ、前記抵抗膜は、平面視で、前記シール材に重なる領域に設けられる２つのシール対応部分と、前記画素電極の各々に対応する画素対応部分と、前記画素対応部分同士を接続する第１接続部分と、前記画素対応部分および前記２つのシール対応部分のいずれかとを接続する第２接続部分と、を含む構成が好ましい。透明性を有する抵抗膜は、比較的低抵抗である場合が多いが、この構成によれば、画素対応部分を第１接続部分によって適宜接続することによって、高抵抗化を図りやすくなる。また、シール材に重なる領域にも、シール対応部分として抵抗膜が設けられるので、第１基板と第２基板との間隙が均一化される。高抵抗化を図るためには、前記第１接続部分を、平面視で、縦または横側で隣り合う前記画素対応部分同士を接続させた態様が考えられる。また、表示に与える影響を少しでも抑えるには、前記第１接続部分を、平面視で、縦および横側で隣り合う前記画素対応部分同士を接続させた態様が考えられる。
また、上記構成において、前記シール対応部分同士の隙間のうち、一の隙間は、前記注入口に位置する態様も好ましい。隙間には抵抗膜が存在しないので、注入口の液道をその分だけ確保することができる。このため、液晶の注入を阻害されるのを防止することが可能になる。さらに、前記一の隙間は、他の隙間よりも平面視で広くすると、液道をその分だけ確保することができる。
なお、本発明は、電気光学装置や、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。このような電子機器としてはプロジェクターなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係る液晶パネルを含む電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】液晶パネルにおける画素の等価回路を示す図である。
【図３】電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図４】液晶パネルの外観構成を示す図である。
【図５】液晶パネルの構成を示す平面図である。
【図６】液晶パネルの要部構成を示す断面図である。
【図７】液晶パネルにおける対向基板を示す平面図である。
【図８】第２実施形態に係る液晶パネルの対向基板を示す平面図である。
【図９】第２実施形態に係る液晶パネルの要部構成を示す断面図である。
【図１０】第３実施形態に係る液晶パネルの対向基板を示す平面図である。
【図１１】第４実施形態に係る液晶パネルの対向基板を示す平面図である。
【図１２】電気光学装置を適用したプロジェクターの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜第１実施形態＞
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶パネル１００を含む電気光学装置１の電気的な構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１は、制御回路２、Ｄ／Ａ変換回路３、温度情報変換回路４および液晶パネル１００を含む構成となっている。
【００１０】
この電気光学装置１には、図示省略した上位装置から垂直走査信号Ｖs、水平走査信号Ｈsおよびドットクロック信号Ｃlkの同期信号に同期して映像信号Ｖidが供給される。映像信号Ｖidは、表示すべき画像における各画素の明るさ（階調レベル）を例えば８ビットで指定するデジタルデータである。
制御回路２は、上記同期信号に同期して各種のクロック信号や制御信号などを出力して各部を制御する。
Ｄ／Ａ変換回路３は、映像信号Ｖidを、階調レベルに応じた電圧であって信号Ｐolによって指定された極性の電圧のデータ信号Ｖaに変換するものである。詳細には、Ｄ／Ａ変換回路３は、映像信号Ｖidを、信号ＰolがＨレベルであって正極性が指定されていれば電圧Ｖcを基準として高位側電圧に変換する一方、信号ＰolがＬレベルであって負極性が指定されていれば、負極性が指示されていれば電圧Ｖcを基準として低位側電圧に変換して、データ信号Ｖaとして出力する。
【００１１】
なお、電圧Ｖcは、データ信号を交流駆動する際の振幅中心であり、後述する電源電圧ＶH、ＶLのほぼ中間電圧である（図３参照）。換言すれば、本実施形態では、データ信号の極性については、電圧Ｖcよりも高位側を正極性とし、低位側を負極性としている。一方、他の電圧については、後述する液晶素子の保持電圧を除き、電圧ＶL（＝Ｇnd）を基準とする。また、データ信号の極性を反転する理由は、画素を交流駆動するためである。本実施形態にあっては、１フレームでみたときに、すべての画素の極性と同一にするとともに、１フレーム毎に極性反転させる面反転方式としている。
【００１２】
液晶パネル１００では、ｍ行の走査線１１２が図１においてＸ（横）方向に延在する一方、ｎ列のデータ線１１４が走査線１１２と電気的な絶縁を保ちつつ、図１においてＹ（縦）方向に延在している。そして、走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応するように画素１１０がそれぞれ設けられている。このため、本実施形態において、画素１１０は、縦ｍ行×横ｎ列でマトリクス状に配列して表示領域Ａを構成することになる。なお、ｍ、ｎは、いずれも自然数である。
【００１３】
液晶パネル１００には、詳細については後述するが、表示領域Ａを覆うように抵抗膜５０が設けられている。抵抗膜５０は、図１において左下隅および右上隅の対角位置において、それぞれ第１導通材９１ａを介して配線７２ａに接続されている。
また、液晶パネル１００には、すべての画素１１０にわたって共通のコモン電極１０８が設けられている。コモン電極１０８には、左上隅および右下隅の対角位置において、それぞれ配線７２ｂおよび第２導通材９１ｂを介して電圧ＬＣcomが共通に印加されている。
【００１４】
温度情報変換回路４は、温度測定時には、配線７２ａを介して抵抗膜５０に電流を流すとともに、抵抗膜５０で生じた電圧降下分（電位差）Ｖfを測定し、測定した電圧降下分Ｖfを、流した電流値で除して抵抗膜５０の抵抗値を求める。抵抗膜５０は、表示領域Ａの温度に応じて抵抗が変化する性質を有するので、表示領域Ａの温度を反映した情報である。
ここで、抵抗膜５０が後述するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であれば、温度が高くになるにつれて抵抗値が減少する、という半導体に似た性質を有する。そこで、温度情報変換回路４は、例えば抵抗値と温度との関係を記憶したルックアップテーブルによって、抵抗値を温度情報Ｔaに変換して出力する。
なお、温度情報Ｔaは、例えば液晶パネル１００の冷却するファンの回転数制御や、映像信号Ｖidの補正などに用いられるが、このような構成については図示を省略している。
【００１５】
走査線駆動回路１３０は、制御回路２にしたがって１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１１２に、走査信号Ｇ(1)、Ｇ(2)、Ｇ(3)、…、Ｇ(m-1)、Ｇ(m)を供給する。
データ線駆動回路１４０は、Ｄ／Ａ変換回路３によって変換されたデータ信号Ｖaを、制御回路２にしたがって１、２、３、…、（ｎ−１）、ｎ列目のデータ線１１４に、順次サンプリングしてデータ信号ｄ(1)、ｄ(2)、ｄ(3)、…、ｄ(n-1)、d(n)として供給する。
【００１６】
図２は、画素１１０の等価回路を示す図である。なお、図２には、ｉ行目及び当該ｉ行目に対し下側で隣り合う（ｉ＋１）行目の走査線１１２と、ｊ列目及び当該ｊ列目に対し右側で隣り合う（ｊ＋１）列目のデータ線１１４との交差に対応する２×２の計４画素分の画素１１０が示されている。ここで、ｉ、（ｉ＋１）は、走査線１１２の行または画素１１０の行を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｍ以下の整数である。同様に、ｊ、（ｊ＋１）は、データ線１１４の列または画素１１０の列を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｎ以下の整数である。
【００１７】
図２に示されるように、各画素１１０は、Ｎチャネル型のＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスター）１１６と液晶素子１２０と補助容量１２５とを含む。
ここで、各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０におけるＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は液晶素子１２０の一端である画素電極１１８と補助容量１２５の一端とにそれぞれ接続されている。また、液晶素子１２０の他端は、コモン電極１０８である。このコモン電極１０８は、全ての画素１１０にわたって共通であって、本実施形態では電圧ＬＣcomに保たれている。また、補助容量１２５の他端は、容量線１１５であり、全ての画素１１０にわたって共通であって、コモン電極１０８と同じ電圧ＬＣcomに保たれている。このため、補助容量１２５は、画素１１０毎に液晶素子１２０に対して並列に接続された構成になっている。
なお、本実施形態において、液晶素子１２０は、例えば透過型であって、電圧無印加状態で透過率等が最小になるノーマリーブラックモードとする。
【００１８】
液晶パネル１００は、走査線１１２や、データ線１１４、ＴＦＴ１１６、画素電極１１８、補助容量１２５などが形成された素子基板と、抵抗膜５０や、コモン電極１０８などが形成された対向基板とが一定の間隙を保って、電極形成面が互いに対向するように貼り合わせられるとともに、この間隙に液晶１０５を挟持した構造になっている。このため、液晶素子１２０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とが液晶１０５を誘電体として挟持した一種の容量になる。
本実施形態では、素子基板および対向基板にガラス等の透明基板を用いるとともに、素子基板の対向面には、例えば高温ポリシリコンプロセスによって、ＴＦＴ１１６などとともに走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０が形成される。
なお、素子基板においては、高温ポリシリコンプロセスに限られず、低温シリコンプロセスを用いても良いし、素子基板にシリコン基板を用いて、いわゆるＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）型としても良い。ＬＣＯＳ型とした場合、制御回路２や、Ｄ／Ａ変換回路３をも含むように構成しても良い。シリコン基板は不透過なので、ＬＣＯＳ型とする場合には、液晶素子１２０は反射型で用いられる。
【００１９】
次に、電気光学装置１の表示動作について図３を参照して説明する。
図において、フレームとは、１カット（コマ）分の映像信号Ｖidが上位装置から供給される期間をいい、垂直同期信号Ｖsの周波数が６０Ｈｚである場合、その１周期分の１６．６７ミリ秒の期間をいう。
また、ｎフレームとは、正極性書込が指定されるフレームであり、（ｎ＋１）フレームとは、ｎフレームに続くフレームであって負極性書込が指定されるフレームである。このため、信号Ｐolの論理レベルは、ｎフレームでＨレベルとなり、（ｎ＋１）フレームでＬレベルとなって、フレーム毎に切り替えられる。
各フレームでは、上位装置から映像信号Ｖidが１行１列〜１行ｎ列、２行１列〜２行ｎ列、３行１列〜３行ｎ列、…、（ｍ−１）行１列〜（ｍ−１）行ｎ列、ｍ行１列〜ｍ行ｎ列という画素の順番で供給される。
【００２０】
さて、走査線駆動回路１３０は、１行１列〜１行ｎ列、すなわち１行目の画素に対応する映像信号Ｖidが供給される水平走査期間（Ｈ）において、制御回路２による制御にしたがって走査信号Ｇ(1)をＨレベルにする。
また、Ｄ／Ａ変換回路３は、ｎフレームにおいて、映像信号Ｖidを正極性のデータ信号Ｖaに変換する一方、データ線駆動回路１４０は、該データ信号Ｖaを、制御回路２による制御にしたがって１、２、３、…、（ｎ−１）、ｎ列目のデータ線１１４に順番にサンプリングする。走査信号Ｇ(1)がＨレベルであると、１行目のＴＦＴ１１６がオン状態となるので、データ線１１４にサンプリングされたデータ信号は、オン状態にあるＴＦＴ１１６を介して画素電極１１８に印加される。このため、１行１列〜１行ｎ列の液晶素子１２０には、それぞれ階調レベルに応じた正極性電圧が書き込まれる。
走査線駆動回路１３０は、２行目の画素に対応する映像信号Ｖidが供給される水平走査期間において走査信号Ｇ(2)をＨレベルにする一方、データ線駆動回路１４０は、２行目の画素に対応する映像信号Ｖidの変換信号であるデータ信号Ｖaを、１、２、３、…、（ｎ−１）、ｎ列目のデータ線１１４にサンプリングする。２行目のＴＦＴ１１６がオン状態となるので、データ線１１４にサンプリングされたデータ信号は、該ＴＦＴ１１６を介して画素電極１１８に印加され、これにより、２行１列〜２行ｎ列の液晶素子１２０には、それぞれ階調レベルに応じた正極性電圧が書き込まれる。
【００２１】
以下同様な動作が、３、４、…、（ｍ−１）、ｍ行目に対して実行され、これにより、各液晶素子に、階調レベルに応じた正極性電圧が書き込まれて、ｎフレームにおける透過像が作成されることになる。
次の（ｎ＋１）フレームにおいては、信号Ｐolの論理レベルが反転してＬレベルになるので、データ信号Ｖaは負極性に変換されるが、それ以外については、ｎフレームと同様な書込動作が実行される。これにより、各液晶素子には、それぞれ階調レベルに応じた負極性電圧が書き込まれて、（ｎ＋１）フレームにおける透過像が作成されることになる。
【００２２】
なお、図３では、コモン電極１０８への印加電圧ＬＣcomについては、ビデオ振幅中心の電圧Ｖcよりも若干低位側にオフセットされている。これは、ＴＦＴ１１６では、オンからオフした瞬間にドレイン電極、すなわち画素電極１１８の電圧を低下させるフィールドスルー（プッシュダウン、突き抜け）が発生するが、仮に電圧ＬＣcomを振幅中心の電圧Ｖcに一致させると、液晶素子１２０に印加される電圧の実効値は、フィールドスルーのために負極性の方が正極性よりも大きくなるので、これを相殺するためである。
また、走査信号Ｇ(1)〜Ｇ(m)におけるＨレベルは、選択電圧ＶHであり、Ｌレベルは非選択電圧ＶLである。
【００２３】
さらに、図３においては、ｉ行目の走査信号Ｇ(i)がＨレベルになったときのデータ信号Ｖaの電圧波形の一例についても示されている。本実施形態では、液晶素子１２０をノーマリーブラックモードとしているので、データ信号Ｖaは、正極性であれば、黒レベルの電圧Ｖb(+)から白レベルの電圧Ｖw(+)までの範囲であって、明るくなるように指定されるにつれて電圧Ｖcを基準に高位側の電圧となる（図において上向きの矢印で示される電圧）。一方、データ信号Ｖaは、負極性であれば、黒レベルの電圧Ｖb(-)から白レベルの電圧Ｖw(-)までの範囲であって、明るくなるように指定されるにつれて電圧Ｖcを基準に低位側の電圧となる（図において下向きの矢印で示される電圧）。
また、図３のデータ信号Ｖaにおいて、例えば（ｉ，４）という表記は、ｉ行４列の画素に対応する、という意味を示している。
【００２４】
続いて、本発明の特徴部分である抵抗膜５０およびその周辺について図４から図７までを参照して説明する。
このうち、図４は、液晶パネル１００の外観構成を示す斜視図であり、図５は、液晶パネル１００の構成を示す平面図であり、図６は、図５におけるＫ−ｋ線で液晶パネル１００を破断した断面図である。
液晶パネル１００は、特に図６に示されるように、素子基板１０１と対向基板１０２とが、スペーサー（図示省略）を分散させたシール材８０によって一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に例えばＶＡ（Vertical Alignment）型の液晶１０５を挟持した構造になっている。
【００２５】
図４および図５に示されるように、素子基板１０１と対向基板１０２とは、素子基板１０１の手前側（−Ｙ方向）の一辺が対向基板１０２から張り出している。この張り出した領域においてＸ方向に沿って複数の端子１０７が設けられている。複数の端子１０７は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板を介して、制御回路２や、Ｄ／Ａ変換回路３、温度情報変換回路４、図示省略した電源回路などに接続されている。
【００２６】
図５に示されるように、シール材８０は、平面視で対向基板１０２の縁辺に沿って額縁状に形成されるが、液晶１０５の注入口において、その一部が開口している。このため、液晶１０５の注入後に、注入口が、例えば紫外線硬化樹脂などの封止材９２によって封止されている。また、第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂが設けられる地点は、枠状に形成されるシール材８０の四隅であって外側である。詳細には、第１導通材９１ａは、四隅のうち対角位置の２箇所にそれぞれ設けられ、第２導通材９１ｂは、四隅のうち残りの２箇所にそれぞれ設けられている。なお、第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂには、例えば銀ペーストが用いられる。
【００２７】
さて、図６に示されるように、素子基板１０１のうち、対向基板１０２と対向する面には、画素電極１１８が、例えばＩＴＯなどの透明導電膜から形成されている。なお、ＩＴＯは、レアメタルのインジウムを用いているので、ＩＴＯの代替え材料として、酸化亜鉛、酸化錫（いわゆるＮＥＳＡ）などを用いても良い。
画素電極１１８は、上記透明導電膜を平面視で矩形にパターニングしたものである。
配線７２ａは、１つの端子１０７から第１導通材９１ａが設けられる地点まで引き回されている。なお、本実施形態において配線７２ａは、２系統設けられており、これらは電気的に独立している。
配線７２ｂは、別の端子１０７から第２導通材９１ｂが設けられる地点まで引き回されている。なお、配線７２ｂについても、２系統設けられているが、同じ電圧ＬＣcomを給電するものであるから、互いに接続して電気的に共通としても良い。
画素電極１１８や配線７２ａ、７２ｂの表面を覆うように保護膜（パッシベーション膜）１１が形成されているが、第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂが設けられる部分では、プラズマエッチングなどによって除去されている。これによって、第１導通材９１ａが設けられる部分では、配線７２ａが露出し、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、配線７２ｂが露出することになる。
なお、素子基板１０１には、走査線１１２、データ線１１４、ＴＦＴ１１６などが設けられるが、これらの配線についての断面構造については、図６において省略している。配向膜についても同様に省略している。
【００２８】
一方、対向基板１０２のうち、素子基板１０１と対向する面には、表示領域Ａの外側領域を見切るために遮光膜９５が設けられ、さらに、遮光膜９５や基板の表面を覆うように、シリコン酸化膜などからなる第１絶縁膜２１が形成されている。第１絶縁膜２１の表面には、上述したような透明導電膜が形成されるとともに、当該透明導電膜のパターニングによって抵抗膜５０が設けられている。
さらに、抵抗膜５０や第１絶縁膜２１の表面には、第２絶縁膜２２が形成されている。
第２絶縁膜２２の表面には、透明導電膜が形成されるとともに、当該透明導電膜のパターニングによってコモン電極１０８が設けられている。
抵抗膜５０は、その抵抗値によって温度を検出するために設けられるので、高い抵抗値が好ましいが、コモン電極１０８は、すべての液晶素子１２０の他端に共通の電圧ＬＣｃｏｍを印加するために設けられるので、低い抵抗値が要求される。抵抗膜５０を構成する透明導電膜とコモン電極１０８を構成する透明導電膜とは必ずしも同一材料を用いる必要がないが、同一材料を用いる場合には、抵抗膜５０を構成する透明導電膜を、コモン電極１０８を構成する透明導電膜よりも薄くなるように形成すれば良い。
次に、抵抗膜５０およびコモン電極１０８を平面視したときのパターニング形状について説明する。
【００２９】
図７は、素子基板１０１との貼り合わせ前の状態において、対向基板１０２の抵抗膜５０およびコモン電極１０８のパターニング形状をそれぞれ示す平面図である。なお、図７は、液晶パネル１００の平面図を示す図５とは異なり、対向基板１０２を、素子基板１０１側から観察した状態で示している。このため、対向基板１０２において抵抗膜５０およびコモン電極１０８は、図５では紙面奥側に位置しているのに対して、図７では紙面手前側に位置することになる。また、図７において、遮光膜９５、第１絶縁膜２１、第２絶縁膜２２および保護膜３１については、説明理解のために省略している。
本実施形態において抵抗膜５０は、図７に示されるように、平面視で第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂが設けられる四隅を含み、かつ、対向基板１０２の縁辺を除いた長方形にパターニングされている。一方、コモン電極１０８は、抵抗膜５０とほぼ同形状であるが、第１導通材９１ａが設けられる２箇所の地点で切り欠かれるようにパターニングされている。
【００３０】
説明を再び図６に戻すと、保護膜３１が、コモン電極１０８や第２絶縁膜２２の表面を覆うように形成されている。ただし、第１導通材９１ａが設けられる部分では、保護膜３１および第２絶縁膜２２がプラズマエッチングなどによって除去されている。これによって、第１導通材９１ａが設けられる部分では、抵抗膜５０が露出することになる。
また、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、保護膜３１だけが同様に除去されている。これによって、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、コモン電極１０８が露出することになる。
なお、対向基板１０２には、ほかに配向膜も設けられるが、素子基板１０１と同様に省略している。
【００３１】
素子基板１０１に例えば第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂがディスペンサーや印刷により塗布され、対向基板１０２にシール材８０が塗布されて、両基板が位置合わせされた上で貼り合わせられる。この後、注入口を介して液晶１０５が注入されて、当該注入口が封止材９２で封止される。
【００３２】
本実施形態では、抵抗膜５０に電流を流したときに生じる電圧降下分Ｖfによって、液晶パネル１００の温度を検出することができる。このとき、抵抗膜５０は、第２絶縁膜２２によってコモン電極１０８と電気的に絶縁されているので、抵抗膜５０に電流を流しても、表示になんら影響を与えることはない。換言すれば、電流を流すことによって抵抗膜５０の両端に大きな電位勾配が発生しても、表示に影響を与えなることはない。このため、温度測定時に大きな電位勾配をかけて、検出精度を高めることも可能である。また、抵抗膜５０は、表示領域Ａをくまなく覆っているので、表示領域Ａの温度を精度良く検出することが可能である。
【００３３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る液晶パネルについて説明する。この第２実施形態では、対向基板１０２の一部について構造を変更したものであり、それ以外については第１実施形態と共通である。
このため、第２実施形態に係る液晶パネルの外観構成については、図４に示した第１実施形態と共通であり、また、平面構成についても、図５に示した第１実施形態と共通である。そこで、第２実施形態については、対向基板１０２の相違部分を中心に説明することにする。
【００３４】
図８および図９を参照して説明する。図８は、第２実施形態に係る液晶パネル１００において、素子基板１０１との貼り合わせ前状態で対向基板１０２の抵抗膜５０およびコモン電極１０８のパターニング形状を示す平面図である。なお、図８は、図７と同様に、対向基板１０２を素子基板１０１側から観察した状態で示している。
また、図９は、液晶パネル１００の要部構成を断面図である。なお、図９は、図６と同様に、図５におけるＫ−ｋ線で液晶パネル１００を破断した場合の構造を示している。
【００３５】
第２実施形態に係る液晶パネル１００のうち、対向基板１０２における抵抗膜５０は、図８に示されるように、第１実施形態（図７参照）と比較して、第２導通材９１ｂが設けられる２箇所の地点で切り欠かれるようにパターニングされている。一方、コモン電極１０８については、第１実施形態（図７参照）と同じ形状にパターニングされている。このため、第２導通材９１ｂが設けられる地点において、コモン電極１０８の下地には、抵抗膜５０が設けられていない。
【００３６】
図９に示されるように、対向基板１０２のうち、素子基板１０１と対向する面には、遮光膜９５および第１絶縁膜２１が第１実施形態（図６参照）と同様に形成されている。第１絶縁膜２１の表面には、透明導電膜が形成されるとともに、平面視で図８に示されるようにパターニングされた抵抗膜５０が設けられている。
さらに、抵抗膜５０や第１絶縁膜２１の表面には、第２絶縁膜２２が形成されている。ただし、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、第２絶縁膜２２がプラズマエッチングなどによって除去されている。これによって、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、第１絶縁膜２１が露出することになる。
【００３７】
次に、第１絶縁膜２１および第２絶縁膜２２の表面には、透明導電膜が形成されるとともに、当該透明導電膜のパターニングによってコモン電極１０８が設けられている。
ここで、第２導通材９１ｂが設けられる部分には、抵抗膜５０および第２絶縁膜２２が除去されているので、この部分では、コモン電極１０８は、第１絶縁膜２１の表面に形成されることになる。
そして、保護膜３１が、コモン電極１０８や第２絶縁膜２２の表面を覆うように形成されている。ただし、第１導通材９１ａが設けられる部分では、保護膜３１および第２絶縁膜２２がプラズマエッチングなどによって除去されている。これによって、第１導通材９１ａが設けられる部分では、抵抗膜５０が露出することになる。
また、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、保護膜３１が同様に除去されている。これによって、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、第１絶縁膜２１の表面に形成されたコモン電極１０８が露出することになる。
以降、第１導通材９１ａ、第２導通材９１ｂおよびシール材８０の形成、貼り合わせ、液晶１０５の注入については、第１実施形態と共通である。
【００３８】
第２実施形態において、第１導通材９１ａが設けられる部分において接続対象である抵抗膜５０は、第１絶縁膜２１の表面に形成されている。第２導通材９１ｂが設けられる部分においても接続対象であるコモン電極１０８は、同様に第１絶縁膜２１の表面に形成されている。
このため、シール材８０のほかに、第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂにスペーサーを混入させて、素子基板１０１と対向基板１０２との間隙を所定値に保たせる場合に、第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂを共通化できる。したがって、第２実施形態によれば、第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂをディスペンサーで塗布する場合には、用いるディスペンサーを共用化できるし、また、印刷であれば、１回の印刷で同時に形成できるので、製造プロセスの複雑化を避けることが可能になる。
【００３９】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る液晶パネルについて説明する。この第３実施形態および以降の第４実施形態については、第２実施形態に係る対向基板１０２の抵抗膜５０のパターニング形状を変更したものであり、それ以外については第２実施形態と共通である。このため、第３実施形態および第４実施形態に係る液晶パネルの外観構成については、図４に示した第１実施形態と共通であり、また、平面構成についても、図５に示した第１実施形態と共通である。そこで、第３実施形態および第４実施形態については、対向基板１０２における抵抗膜５０のパターニング形状を中心に説明することにする。
【００４０】
図１０は、第３実施形態に係る液晶パネル１００のうち、対向基板１０２における抵抗膜のパターニング形状を示す平面図である。なお、この図において、コモン電極１０８のパターニング形状については、図８に示した第２実施形態と同じであるので、一部の表示を省略している。
図１０に示されるように、第３実施形態においては、抵抗膜５０は、次のような部分を有するようにパターニングされている。
すなわち、抵抗膜５０は、シール対応部分５１、５２と、素子基板１０１に設けられた画素電極１１８と対向する画素対応部分５３と、画素対応部分５３同士を接続する第１接続部分５４と、シール対応部分５１、５２のいずれかと画素対応部分５３とを接続する第２接続部分５５と、を含むようにパターニングされている。
シール対応部分５１、５２は、枠状のシール材８０に重なる領域に設けられるが、図においてパネルの左右中心付近の上および下側の２箇所で切り目が入れられて互いに分割されている。２箇所の切れ目のうち、図において下側の切れ目は、注入口９３の開口部分に設けられている。下側の切れ目の幅をＷ１とし、上側の切れ目の幅をＷ２としたときに、Ｗ１＞Ｗ２となっている。
なお、注入口９３については、切れ目によって抵抗膜５０が設けられないので、第２絶縁膜２２および保護膜３１についても除去しても良い。
【００４１】
また、画素対応部分５３は、図に示されるように左上隅に位置する部分から右上隅に位置する部分まで、上下の交互反転を繰り返しながら第１接続部分５４によって電気的に連結されている。
詳細には、画素対応部分５３のうち、図において上端に位置するもの（左上隅および右上隅に位置するものを除く）は、左側または右側のいずれかに位置するものと、下側に位置するものとに、それぞれ第１接続部分５４によって接続され、下端に位置するものは、左側または右側のいずれかに位置するものと、上側に位置するものとに、それぞれ第１接続部分５４によって接続される。また、画素対応部分５３のうち、図において上端および下端以外に位置するものは、上側および下側に位置するものと、それぞれ第１接続部分５４によってそれぞれ接続される。
なお、第２接続部分５５は、本実施形態では２箇所あり、そのうち１箇所は、図において左側のシール対応部分５１と左上隅に位置する画素対応部分５３とを接続する部分であり、他の１箇所は、右側のシール対応部分５２と右上隅に位置する画素対応部分５３とを接続する部分である。
また、図１０において、画素対応部分５３については縦８行×横１２列で配列しているが、これは、説明の簡略化のためであり、実際には、画素１１０（画素電極１１８）に対向するように縦ｍ行×横ｎ列で配列している。
【００４２】
抵抗膜５０は、第１または第２実施形態ではベタ状であったが、第３実施形態では、電気的にみて、左上隅に位置する部分から右上隅に位置する部分まで延在する細長い抵抗体になるので、比較的大きな抵抗値を持たせることができる。
シール材８０は、抵抗膜５０（シール対応部分５１、５２）が設けられる部分に位置する。このため、シール材８０は、高さが揃えられた状態で形成されるので、セル厚の均一化が図られる。なお、シール対応部分５１、５２の２箇所ある切れ目のうち、１箇所は、シール材８０の開口である注入口９３に配置しているので、セル厚に与える影響は小さい。
また、注入口９３においては抵抗膜５０が存在しないので、その分、液晶の封入時において液道（液体の通り道）が確保される。さらに、注入口９３における切れ目の幅Ｗ１は、切れ目の幅Ｗ２よりも広い。このため、液晶の注入性を高めて、生産性を向上させることも可能になる。
【００４３】
＜第４実施形態＞
第３実施形態において、上端および下端以外に位置する画素対応部分５３では、第１接続部分５４が上側および下側の２箇所のみに位置する。抵抗膜５０を構成する透明導電膜では、反射率がゼロではないので、透過光のごく一部が反射する。このため、表示領域Ａを観察する角度によっては、第１接続部分５４が視認される場合もあれば、されない場合もあり、観察者に一種の違和感を与える可能性がある。
【００４４】
そこで、図１１に示されるように、上端、下端、左端および右端以外に位置する画素対応部分５３に、第１接続部分５４を上側、下側、左側および右側の四方向にそれぞれ設ける。このようにすると、第１接続部分５４は、観察角度によって変化が生じにくい等方性となるので、観察者に与える違和感を小さく抑えることが可能になる。
また、この第４実施形態でも、第１実施形態および第２実施形態と比較して、抵抗膜５０の抵抗値を大きくすることが可能である。
【００４５】
なお、第４実施形態では、抵抗値をかせぐために、２箇所ある第２接続部分５５の各々を、第１導通材９１ａが設けられない方の画素対応部分５３に配置させている。すなわち、シール対応部分５１では、左下隅に第１導通材９１ａが設けられるので、左上隅に位置する画素対応部分５３と第２接続部分５５によって接続されている。同様に、シール対応部分５２では、右上隅に第１導通材９１ａが設けられるので、左下隅に位置する画素対応部分５３と第２接続部分５５によって接続されている。
また、第３実施形態および第４実施形態については、対向基板１０２における抵抗膜５０を、第２実施形態のパターニング形状から変更したもの、として説明したが、第１実施形態のパターニング形状から変更したものとしても良いのはもちろんである。
【００４６】
＜応用例・変形例＞
本発明は、上述した実施形態に限られず、次のような応用・変形が可能である。
また、液晶素子１２０については、ノーマリーブラックモードではなくノーマリーホワイトモードとしても良いし、透過型ではなく、反射型としても良い。
本発明は、抵抗膜５０に対し絶縁膜を介し、複数の画素１１０にわたって共通のコモン電極１０８を有する構成に適用可能である。このため、本発明は、例えば画素電極とコモン電極とで無機または有機ＥＬ（Electro Luminescence）層を挟持したＥＬ装置や、画素電極とコモン電極とで電気泳動物質を挟持した電気泳動装置などにも適用可能である。
【００４７】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１を適用した電子機器について、プロジェクターを例にとって説明する。
図１２は、プロジェクターの構成を示す平面図である。
この図に示されるように、プロジェクター２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット２１０２が設けられている。このランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００４８】
このプロジェクター２１００では、実施形態に係る電気光学装置が、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応して３組設けられる。そして、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応する映像信号がそれぞれ上位装置から供給される。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂは、上述した液晶パネル１００と同様であり、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応する映像信号に応じて駆動される。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４によってカラー画像が投射されることとなる。
【００４９】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２１０８によって、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走査方向は、ライトバルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた像を表示する構成となっている。
【００５０】
なお、電子機器としては、図１２を参照して説明したプロジェクターの他、電子ビューファインダーや、リヤ・プロジェクション型のテレビジョン、ヘッドマウントディスプレイなどが挙げられる。
【符号の説明】
【００５１】
１…電気光学装置、２…制御回路、３…Ｄ／Ａ変換回路、４…温度情報変換回路、２１…第１絶縁膜、２２…第２絶縁膜、５０…抵抗膜、５１、５２…シール対応部分、５３…画素対応部分、５４…第１接続部分、５５…第２接続部分、７２ａ、７２ｂ…配線、９１ａ…第１導通材、９１ｂ…第２導通材、９３…注入口、１００…液晶パネル、１０５…液晶、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１８…画素電極、１２０…液晶素子、１３０…走査線駆動回路、１４０…テータ線駆動回路、２１００…プロジェクター。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示領域の温度を検出する電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置、例えば液晶装置は、２つの電極同士で液晶のような電気光学物質を挟持した液晶素子を有し、この液晶素子の透過率（または反射率、以下「透過率等」という）を画素毎に変化させることで、所定の画像を表示するものである。液晶素子は、２つの電極で保持される電圧が同じであっても温度によって透過率等が変化するので、温度に応じて映像信号を補正し、透過率等が変化しないような制御が実行される。また、温度を動作可能な範囲内に収めるために、温度に応じて冷却用ファンの回転数の制御も実行される。
このように温度に応じて各種の制御を実行するために、液晶の温度を検出する技術が各種提案されている。例えば、素子基板の表示領域に温度センサーを設ける技術（例えば特許文献１参照）や、走査電極の周囲を覆うように形成された、すなわち表示領域外に形成された透明導電パターンの両端部の抵抗値から温度を検出する技術（例えば特許文献２参照）などが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２５６８２１号公報
【特許文献２】特開平９−５７１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、素子基板の表示領域に温度センサーを設ける技術では、表示領域から表示領域外部へと引き出す配線が別途必要となるだけでなく、素子基板に設けられるトランジスターや配線等の製造プロセスに制約を加えてしまう。また、表示領域外に透明導電パターンを設ける技術では、表示領域の入射光に応じて変化する温度を精度良く検出することができない。
本発明は、上述した背景に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、表示領域の温度を精度良く検出することが可能な電気光学装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置にあっては、複数の画素と、透明性を有し、前記複数の画素が配列する領域に設けられた抵抗膜と、透明性を有し、前記抵抗膜に対し絶縁膜を介して設けられ、前記複数の画素にわたって共通のコモン電極と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、画素が配列する領域の温度が抵抗膜の抵抗値に反映されるので、当該領域の温度を精度良く検出することが可能になる。
【０００６】
本発明において、前記複数の画素の各々に対応する画素電極が設けられた第１基板と、前記抵抗膜、前記絶縁膜および前記コモン電極が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで挟持された電気光学物質と、前記第２基板に設けられた抵抗膜の異なる２地点を、前記第１基板に設けられた配線に、それぞれ個別に導通させる第１導通材を有する構成が好ましい。この構成によれば、第２基板に設けられた抵抗膜の抵抗値を検出するための２地点を、それぞれ第１導通材を介して第１基板側に引き出すことが可能になる。このような構成において、前記第２基板に設けられたコモン電極を前記第１基板に設けられた配線に導通させる第２導通材を有し、前記第１導通材が設けられる領域では、前記コモン電極および前記絶縁膜が除去されている態様も好ましい。第１導通材が設けられる領域では、前記コモン電極および前記絶縁膜が除去されているので、抵抗膜と配線との間隙は、コモン電極と配線との距離にほぼ等しくすることができる。このため、第１導通材と第２導通材とを共用することが可能になる。
さらに、本発明において、前記２地点における電位差を検出して、温度情報に変換する温度情報変換回路を有する構成が好ましい。また、前記２地点における抵抗値を検出してもよい。この構成によれば、精度良く検出した温度情報を用いて、各種の制御が可能になる。
【０００７】
また、本発明において、前記第１基板と前記第２基板とは、平面視したときに注入口で開いた枠状のシール材によって貼り合わせられ、前記抵抗膜は、平面視で、前記シール材に重なる領域に設けられる２つのシール対応部分と、前記画素電極の各々に対応する画素対応部分と、前記画素対応部分同士を接続する第１接続部分と、前記画素対応部分および前記２つのシール対応部分のいずれかとを接続する第２接続部分と、を含む構成が好ましい。透明性を有する抵抗膜は、比較的低抵抗である場合が多いが、この構成によれば、画素対応部分を第１接続部分によって適宜接続することによって、高抵抗化を図りやすくなる。また、シール材に重なる領域にも、シール対応部分として抵抗膜が設けられるので、第１基板と第２基板との間隙が均一化される。高抵抗化を図るためには、前記第１接続部分を、平面視で、縦または横側で隣り合う前記画素対応部分同士を接続させた態様が考えられる。また、表示に与える影響を少しでも抑えるには、前記第１接続部分を、平面視で、縦および横側で隣り合う前記画素対応部分同士を接続させた態様が考えられる。
また、上記構成において、前記シール対応部分同士の隙間のうち、一の隙間は、前記注入口に位置する態様も好ましい。隙間には抵抗膜が存在しないので、注入口の液道をその分だけ確保することができる。このため、液晶の注入を阻害されるのを防止することが可能になる。さらに、前記一の隙間は、他の隙間よりも平面視で広くすると、液道をその分だけ確保することができる。
なお、本発明は、電気光学装置や、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。このような電子機器としてはプロジェクターなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係る液晶パネルを含む電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】液晶パネルにおける画素の等価回路を示す図である。
【図３】電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図４】液晶パネルの外観構成を示す図である。
【図５】液晶パネルの構成を示す平面図である。
【図６】液晶パネルの要部構成を示す断面図である。
【図７】液晶パネルにおける対向基板を示す平面図である。
【図８】第２実施形態に係る液晶パネルの対向基板を示す平面図である。
【図９】第２実施形態に係る液晶パネルの要部構成を示す断面図である。
【図１０】第３実施形態に係る液晶パネルの対向基板を示す平面図である。
【図１１】第４実施形態に係る液晶パネルの対向基板を示す平面図である。
【図１２】電気光学装置を適用したプロジェクターの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜第１実施形態＞
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶パネル１００を含む電気光学装置１の電気的な構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１は、制御回路２、Ｄ／Ａ変換回路３、温度情報変換回路４および液晶パネル１００を含む構成となっている。
【００１０】
この電気光学装置１には、図示省略した上位装置から垂直走査信号Ｖs、水平走査信号Ｈsおよびドットクロック信号Ｃlkの同期信号に同期して映像信号Ｖidが供給される。映像信号Ｖidは、表示すべき画像における各画素の明るさ（階調レベル）を例えば８ビットで指定するデジタルデータである。
制御回路２は、上記同期信号に同期して各種のクロック信号や制御信号などを出力して各部を制御する。
Ｄ／Ａ変換回路３は、映像信号Ｖidを、階調レベルに応じた電圧であって信号Ｐolによって指定された極性の電圧のデータ信号Ｖaに変換するものである。詳細には、Ｄ／Ａ変換回路３は、映像信号Ｖidを、信号ＰolがＨレベルであって正極性が指定されていれば電圧Ｖcを基準として高位側電圧に変換する一方、信号ＰolがＬレベルであって負極性が指定されていれば、負極性が指示されていれば電圧Ｖcを基準として低位側電圧に変換して、データ信号Ｖaとして出力する。
【００１１】
なお、電圧Ｖcは、データ信号を交流駆動する際の振幅中心であり、後述する電源電圧ＶH、ＶLのほぼ中間電圧である（図３参照）。換言すれば、本実施形態では、データ信号の極性については、電圧Ｖcよりも高位側を正極性とし、低位側を負極性としている。一方、他の電圧については、後述する液晶素子の保持電圧を除き、電圧ＶL（＝Ｇnd）を基準とする。また、データ信号の極性を反転する理由は、画素を交流駆動するためである。本実施形態にあっては、１フレームでみたときに、すべての画素の極性と同一にするとともに、１フレーム毎に極性反転させる面反転方式としている。
【００１２】
液晶パネル１００では、ｍ行の走査線１１２が図１においてＸ（横）方向に延在する一方、ｎ列のデータ線１１４が走査線１１２と電気的な絶縁を保ちつつ、図１においてＹ（縦）方向に延在している。そして、走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応するように画素１１０がそれぞれ設けられている。このため、本実施形態において、画素１１０は、縦ｍ行×横ｎ列でマトリクス状に配列して表示領域Ａを構成することになる。なお、ｍ、ｎは、いずれも自然数である。
【００１３】
液晶パネル１００には、詳細については後述するが、表示領域Ａを覆うように抵抗膜５０が設けられている。抵抗膜５０は、図１において左下隅および右上隅の対角位置において、それぞれ第１導通材９１ａを介して配線７２ａに接続されている。
また、液晶パネル１００には、すべての画素１１０にわたって共通のコモン電極１０８が設けられている。コモン電極１０８には、左上隅および右下隅の対角位置において、それぞれ配線７２ｂおよび第２導通材９１ｂを介して電圧ＬＣcomが共通に印加されている。
【００１４】
温度情報変換回路４は、温度測定時には、配線７２ａを介して抵抗膜５０に電流を流すとともに、抵抗膜５０で生じた電圧降下分（電位差）Ｖfを測定し、測定した電圧降下分Ｖfを、流した電流値で除して抵抗膜５０の抵抗値を求める。抵抗膜５０は、表示領域Ａの温度に応じて抵抗が変化する性質を有するので、表示領域Ａの温度を反映した情報である。
ここで、抵抗膜５０が後述するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であれば、温度が高くになるにつれて抵抗値が減少する、という半導体に似た性質を有する。そこで、温度情報変換回路４は、例えば抵抗値と温度との関係を記憶したルックアップテーブルによって、抵抗値を温度情報Ｔaに変換して出力する。
なお、温度情報Ｔaは、例えば液晶パネル１００の冷却するファンの回転数制御や、映像信号Ｖidの補正などに用いられるが、このような構成については図示を省略している。
【００１５】
走査線駆動回路１３０は、制御回路２にしたがって１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１１２に、走査信号Ｇ(1)、Ｇ(2)、Ｇ(3)、…、Ｇ(m-1)、Ｇ(m)を供給する。
データ線駆動回路１４０は、Ｄ／Ａ変換回路３によって変換されたデータ信号Ｖaを、制御回路２にしたがって１、２、３、…、（ｎ−１）、ｎ列目のデータ線１１４に、順次サンプリングしてデータ信号ｄ(1)、ｄ(2)、ｄ(3)、…、ｄ(n-1)、d(n)として供給する。
【００１６】
図２は、画素１１０の等価回路を示す図である。なお、図２には、ｉ行目及び当該ｉ行目に対し下側で隣り合う（ｉ＋１）行目の走査線１１２と、ｊ列目及び当該ｊ列目に対し右側で隣り合う（ｊ＋１）列目のデータ線１１４との交差に対応する２×２の計４画素分の画素１１０が示されている。ここで、ｉ、（ｉ＋１）は、走査線１１２の行または画素１１０の行を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｍ以下の整数である。同様に、ｊ、（ｊ＋１）は、データ線１１４の列または画素１１０の列を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｎ以下の整数である。
【００１７】
図２に示されるように、各画素１１０は、Ｎチャネル型のＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスター）１１６と液晶素子１２０と補助容量１２５とを含む。
ここで、各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０におけるＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は液晶素子１２０の一端である画素電極１１８と補助容量１２５の一端とにそれぞれ接続されている。また、液晶素子１２０の他端は、コモン電極１０８である。このコモン電極１０８は、全ての画素１１０にわたって共通であって、本実施形態では電圧ＬＣcomに保たれている。また、補助容量１２５の他端は、容量線１１５であり、全ての画素１１０にわたって共通であって、コモン電極１０８と同じ電圧ＬＣcomに保たれている。このため、補助容量１２５は、画素１１０毎に液晶素子１２０に対して並列に接続された構成になっている。
なお、本実施形態において、液晶素子１２０は、例えば透過型であって、電圧無印加状態で透過率等が最小になるノーマリーブラックモードとする。
【００１８】
液晶パネル１００は、走査線１１２や、データ線１１４、ＴＦＴ１１６、画素電極１１８、補助容量１２５などが形成された素子基板と、抵抗膜５０や、コモン電極１０８などが形成された対向基板とが一定の間隙を保って、電極形成面が互いに対向するように貼り合わせられるとともに、この間隙に液晶１０５を挟持した構造になっている。このため、液晶素子１２０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とが液晶１０５を誘電体として挟持した一種の容量になる。
本実施形態では、素子基板および対向基板にガラス等の透明基板を用いるとともに、素子基板の対向面には、例えば高温ポリシリコンプロセスによって、ＴＦＴ１１６などとともに走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０が形成される。
なお、素子基板においては、高温ポリシリコンプロセスに限られず、低温シリコンプロセスを用いても良いし、素子基板にシリコン基板を用いて、いわゆるＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）型としても良い。ＬＣＯＳ型とした場合、制御回路２や、Ｄ／Ａ変換回路３をも含むように構成しても良い。シリコン基板は不透過なので、ＬＣＯＳ型とする場合には、液晶素子１２０は反射型で用いられる。
【００１９】
次に、電気光学装置１の表示動作について図３を参照して説明する。
図において、フレームとは、１カット（コマ）分の映像信号Ｖidが上位装置から供給される期間をいい、垂直同期信号Ｖsの周波数が６０Ｈｚである場合、その１周期分の１６．６７ミリ秒の期間をいう。
また、ｎフレームとは、正極性書込が指定されるフレームであり、（ｎ＋１）フレームとは、ｎフレームに続くフレームであって負極性書込が指定されるフレームである。このため、信号Ｐolの論理レベルは、ｎフレームでＨレベルとなり、（ｎ＋１）フレームでＬレベルとなって、フレーム毎に切り替えられる。
各フレームでは、上位装置から映像信号Ｖidが１行１列〜１行ｎ列、２行１列〜２行ｎ列、３行１列〜３行ｎ列、…、（ｍ−１）行１列〜（ｍ−１）行ｎ列、ｍ行１列〜ｍ行ｎ列という画素の順番で供給される。
【００２０】
さて、走査線駆動回路１３０は、１行１列〜１行ｎ列、すなわち１行目の画素に対応する映像信号Ｖidが供給される水平走査期間（Ｈ）において、制御回路２による制御にしたがって走査信号Ｇ(1)をＨレベルにする。
また、Ｄ／Ａ変換回路３は、ｎフレームにおいて、映像信号Ｖidを正極性のデータ信号Ｖaに変換する一方、データ線駆動回路１４０は、該データ信号Ｖaを、制御回路２による制御にしたがって１、２、３、…、（ｎ−１）、ｎ列目のデータ線１１４に順番にサンプリングする。走査信号Ｇ(1)がＨレベルであると、１行目のＴＦＴ１１６がオン状態となるので、データ線１１４にサンプリングされたデータ信号は、オン状態にあるＴＦＴ１１６を介して画素電極１１８に印加される。このため、１行１列〜１行ｎ列の液晶素子１２０には、それぞれ階調レベルに応じた正極性電圧が書き込まれる。
走査線駆動回路１３０は、２行目の画素に対応する映像信号Ｖidが供給される水平走査期間において走査信号Ｇ(2)をＨレベルにする一方、データ線駆動回路１４０は、２行目の画素に対応する映像信号Ｖidの変換信号であるデータ信号Ｖaを、１、２、３、…、（ｎ−１）、ｎ列目のデータ線１１４にサンプリングする。２行目のＴＦＴ１１６がオン状態となるので、データ線１１４にサンプリングされたデータ信号は、該ＴＦＴ１１６を介して画素電極１１８に印加され、これにより、２行１列〜２行ｎ列の液晶素子１２０には、それぞれ階調レベルに応じた正極性電圧が書き込まれる。
【００２１】
以下同様な動作が、３、４、…、（ｍ−１）、ｍ行目に対して実行され、これにより、各液晶素子に、階調レベルに応じた正極性電圧が書き込まれて、ｎフレームにおける透過像が作成されることになる。
次の（ｎ＋１）フレームにおいては、信号Ｐolの論理レベルが反転してＬレベルになるので、データ信号Ｖaは負極性に変換されるが、それ以外については、ｎフレームと同様な書込動作が実行される。これにより、各液晶素子には、それぞれ階調レベルに応じた負極性電圧が書き込まれて、（ｎ＋１）フレームにおける透過像が作成されることになる。
【００２２】
なお、図３では、コモン電極１０８への印加電圧ＬＣcomについては、ビデオ振幅中心の電圧Ｖcよりも若干低位側にオフセットされている。これは、ＴＦＴ１１６では、オンからオフした瞬間にドレイン電極、すなわち画素電極１１８の電圧を低下させるフィールドスルー（プッシュダウン、突き抜け）が発生するが、仮に電圧ＬＣcomを振幅中心の電圧Ｖcに一致させると、液晶素子１２０に印加される電圧の実効値は、フィールドスルーのために負極性の方が正極性よりも大きくなるので、これを相殺するためである。
また、走査信号Ｇ(1)〜Ｇ(m)におけるＨレベルは、選択電圧ＶHであり、Ｌレベルは非選択電圧ＶLである。
【００２３】
さらに、図３においては、ｉ行目の走査信号Ｇ(i)がＨレベルになったときのデータ信号Ｖaの電圧波形の一例についても示されている。本実施形態では、液晶素子１２０をノーマリーブラックモードとしているので、データ信号Ｖaは、正極性であれば、黒レベルの電圧Ｖb(+)から白レベルの電圧Ｖw(+)までの範囲であって、明るくなるように指定されるにつれて電圧Ｖcを基準に高位側の電圧となる（図において上向きの矢印で示される電圧）。一方、データ信号Ｖaは、負極性であれば、黒レベルの電圧Ｖb(-)から白レベルの電圧Ｖw(-)までの範囲であって、明るくなるように指定されるにつれて電圧Ｖcを基準に低位側の電圧となる（図において下向きの矢印で示される電圧）。
また、図３のデータ信号Ｖaにおいて、例えば（ｉ，４）という表記は、ｉ行４列の画素に対応する、という意味を示している。
【００２４】
続いて、本発明の特徴部分である抵抗膜５０およびその周辺について図４から図７までを参照して説明する。
このうち、図４は、液晶パネル１００の外観構成を示す斜視図であり、図５は、液晶パネル１００の構成を示す平面図であり、図６は、図５におけるＫ−ｋ線で液晶パネル１００を破断した断面図である。
液晶パネル１００は、特に図６に示されるように、素子基板１０１と対向基板１０２とが、スペーサー（図示省略）を分散させたシール材８０によって一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に例えばＶＡ（Vertical Alignment）型の液晶１０５を挟持した構造になっている。
【００２５】
図４および図５に示されるように、素子基板１０１と対向基板１０２とは、素子基板１０１の手前側（−Ｙ方向）の一辺が対向基板１０２から張り出している。この張り出した領域においてＸ方向に沿って複数の端子１０７が設けられている。複数の端子１０７は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板を介して、制御回路２や、Ｄ／Ａ変換回路３、温度情報変換回路４、図示省略した電源回路などに接続されている。
【００２６】
図５に示されるように、シール材８０は、平面視で対向基板１０２の縁辺に沿って額縁状に形成されるが、液晶１０５の注入口において、その一部が開口している。このため、液晶１０５の注入後に、注入口が、例えば紫外線硬化樹脂などの封止材９２によって封止されている。また、第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂが設けられる地点は、枠状に形成されるシール材８０の四隅であって外側である。詳細には、第１導通材９１ａは、四隅のうち対角位置の２箇所にそれぞれ設けられ、第２導通材９１ｂは、四隅のうち残りの２箇所にそれぞれ設けられている。なお、第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂには、例えば銀ペーストが用いられる。
【００２７】
さて、図６に示されるように、素子基板１０１のうち、対向基板１０２と対向する面には、画素電極１１８が、例えばＩＴＯなどの透明導電膜から形成されている。なお、ＩＴＯは、レアメタルのインジウムを用いているので、ＩＴＯの代替え材料として、酸化亜鉛、酸化錫（いわゆるＮＥＳＡ）などを用いても良い。
画素電極１１８は、上記透明導電膜を平面視で矩形にパターニングしたものである。
配線７２ａは、１つの端子１０７から第１導通材９１ａが設けられる地点まで引き回されている。なお、本実施形態において配線７２ａは、２系統設けられており、これらは電気的に独立している。
配線７２ｂは、別の端子１０７から第２導通材９１ｂが設けられる地点まで引き回されている。なお、配線７２ｂについても、２系統設けられているが、同じ電圧ＬＣcomを給電するものであるから、互いに接続して電気的に共通としても良い。
画素電極１１８や配線７２ａ、７２ｂの表面を覆うように保護膜（パッシベーション膜）１１が形成されているが、第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂが設けられる部分では、プラズマエッチングなどによって除去されている。これによって、第１導通材９１ａが設けられる部分では、配線７２ａが露出し、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、配線７２ｂが露出することになる。
なお、素子基板１０１には、走査線１１２、データ線１１４、ＴＦＴ１１６などが設けられるが、これらの配線についての断面構造については、図６において省略している。配向膜についても同様に省略している。
【００２８】
一方、対向基板１０２のうち、素子基板１０１と対向する面には、表示領域Ａの外側領域を見切るために遮光膜９５が設けられ、さらに、遮光膜９５や基板の表面を覆うように、シリコン酸化膜などからなる第１絶縁膜２１が形成されている。第１絶縁膜２１の表面には、上述したような透明導電膜が形成されるとともに、当該透明導電膜のパターニングによって抵抗膜５０が設けられている。
さらに、抵抗膜５０や第１絶縁膜２１の表面には、第２絶縁膜２２が形成されている。
第２絶縁膜２２の表面には、透明導電膜が形成されるとともに、当該透明導電膜のパターニングによってコモン電極１０８が設けられている。
抵抗膜５０は、その抵抗値によって温度を検出するために設けられるので、高い抵抗値が好ましいが、コモン電極１０８は、すべての液晶素子１２０の他端に共通の電圧ＬＣｃｏｍを印加するために設けられるので、低い抵抗値が要求される。抵抗膜５０を構成する透明導電膜とコモン電極１０８を構成する透明導電膜とは必ずしも同一材料を用いる必要がないが、同一材料を用いる場合には、抵抗膜５０を構成する透明導電膜を、コモン電極１０８を構成する透明導電膜よりも薄くなるように形成すれば良い。
次に、抵抗膜５０およびコモン電極１０８を平面視したときのパターニング形状について説明する。
【００２９】
図７は、素子基板１０１との貼り合わせ前の状態において、対向基板１０２の抵抗膜５０およびコモン電極１０８のパターニング形状をそれぞれ示す平面図である。なお、図７は、液晶パネル１００の平面図を示す図５とは異なり、対向基板１０２を、素子基板１０１側から観察した状態で示している。このため、対向基板１０２において抵抗膜５０およびコモン電極１０８は、図５では紙面奥側に位置しているのに対して、図７では紙面手前側に位置することになる。また、図７において、遮光膜９５、第１絶縁膜２１、第２絶縁膜２２および保護膜３１については、説明理解のために省略している。
本実施形態において抵抗膜５０は、図７に示されるように、平面視で第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂが設けられる四隅を含み、かつ、対向基板１０２の縁辺を除いた長方形にパターニングされている。一方、コモン電極１０８は、抵抗膜５０とほぼ同形状であるが、第１導通材９１ａが設けられる２箇所の地点で切り欠かれるようにパターニングされている。
【００３０】
説明を再び図６に戻すと、保護膜３１が、コモン電極１０８や第２絶縁膜２２の表面を覆うように形成されている。ただし、第１導通材９１ａが設けられる部分では、保護膜３１および第２絶縁膜２２がプラズマエッチングなどによって除去されている。これによって、第１導通材９１ａが設けられる部分では、抵抗膜５０が露出することになる。
また、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、保護膜３１だけが同様に除去されている。これによって、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、コモン電極１０８が露出することになる。
なお、対向基板１０２には、ほかに配向膜も設けられるが、素子基板１０１と同様に省略している。
【００３１】
素子基板１０１に例えば第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂがディスペンサーや印刷により塗布され、対向基板１０２にシール材８０が塗布されて、両基板が位置合わせされた上で貼り合わせられる。この後、注入口を介して液晶１０５が注入されて、当該注入口が封止材９２で封止される。
【００３２】
本実施形態では、抵抗膜５０に電流を流したときに生じる電圧降下分Ｖfによって、液晶パネル１００の温度を検出することができる。このとき、抵抗膜５０は、第２絶縁膜２２によってコモン電極１０８と電気的に絶縁されているので、抵抗膜５０に電流を流しても、表示になんら影響を与えることはない。換言すれば、電流を流すことによって抵抗膜５０の両端に大きな電位勾配が発生しても、表示に影響を与えなることはない。このため、温度測定時に大きな電位勾配をかけて、検出精度を高めることも可能である。また、抵抗膜５０は、表示領域Ａをくまなく覆っているので、表示領域Ａの温度を精度良く検出することが可能である。
【００３３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る液晶パネルについて説明する。この第２実施形態では、対向基板１０２の一部について構造を変更したものであり、それ以外については第１実施形態と共通である。
このため、第２実施形態に係る液晶パネルの外観構成については、図４に示した第１実施形態と共通であり、また、平面構成についても、図５に示した第１実施形態と共通である。そこで、第２実施形態については、対向基板１０２の相違部分を中心に説明することにする。
【００３４】
図８および図９を参照して説明する。図８は、第２実施形態に係る液晶パネル１００において、素子基板１０１との貼り合わせ前状態で対向基板１０２の抵抗膜５０およびコモン電極１０８のパターニング形状を示す平面図である。なお、図８は、図７と同様に、対向基板１０２を素子基板１０１側から観察した状態で示している。
また、図９は、液晶パネル１００の要部構成を断面図である。なお、図９は、図６と同様に、図５におけるＫ−ｋ線で液晶パネル１００を破断した場合の構造を示している。
【００３５】
第２実施形態に係る液晶パネル１００のうち、対向基板１０２における抵抗膜５０は、図８に示されるように、第１実施形態（図７参照）と比較して、第２導通材９１ｂが設けられる２箇所の地点で切り欠かれるようにパターニングされている。一方、コモン電極１０８については、第１実施形態（図７参照）と同じ形状にパターニングされている。このため、第２導通材９１ｂが設けられる地点において、コモン電極１０８の下地には、抵抗膜５０が設けられていない。
【００３６】
図９に示されるように、対向基板１０２のうち、素子基板１０１と対向する面には、遮光膜９５および第１絶縁膜２１が第１実施形態（図６参照）と同様に形成されている。第１絶縁膜２１の表面には、透明導電膜が形成されるとともに、平面視で図８に示されるようにパターニングされた抵抗膜５０が設けられている。
さらに、抵抗膜５０や第１絶縁膜２１の表面には、第２絶縁膜２２が形成されている。ただし、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、第２絶縁膜２２がプラズマエッチングなどによって除去されている。これによって、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、第１絶縁膜２１が露出することになる。
【００３７】
次に、第１絶縁膜２１および第２絶縁膜２２の表面には、透明導電膜が形成されるとともに、当該透明導電膜のパターニングによってコモン電極１０８が設けられている。
ここで、第２導通材９１ｂが設けられる部分には、抵抗膜５０および第２絶縁膜２２が除去されているので、この部分では、コモン電極１０８は、第１絶縁膜２１の表面に形成されることになる。
そして、保護膜３１が、コモン電極１０８や第２絶縁膜２２の表面を覆うように形成されている。ただし、第１導通材９１ａが設けられる部分では、保護膜３１および第２絶縁膜２２がプラズマエッチングなどによって除去されている。これによって、第１導通材９１ａが設けられる部分では、抵抗膜５０が露出することになる。
また、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、保護膜３１が同様に除去されている。これによって、第２導通材９１ｂが設けられる部分では、第１絶縁膜２１の表面に形成されたコモン電極１０８が露出することになる。
以降、第１導通材９１ａ、第２導通材９１ｂおよびシール材８０の形成、貼り合わせ、液晶１０５の注入については、第１実施形態と共通である。
【００３８】
第２実施形態において、第１導通材９１ａが設けられる部分において接続対象である抵抗膜５０は、第１絶縁膜２１の表面に形成されている。第２導通材９１ｂが設けられる部分においても接続対象であるコモン電極１０８は、同様に第１絶縁膜２１の表面に形成されている。
このため、シール材８０のほかに、第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂにスペーサーを混入させて、素子基板１０１と対向基板１０２との間隙を所定値に保たせる場合に、第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂを共通化できる。したがって、第２実施形態によれば、第１導通材９１ａおよび第２導通材９１ｂをディスペンサーで塗布する場合には、用いるディスペンサーを共用化できるし、また、印刷であれば、１回の印刷で同時に形成できるので、製造プロセスの複雑化を避けることが可能になる。
【００３９】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る液晶パネルについて説明する。この第３実施形態および以降の第４実施形態については、第２実施形態に係る対向基板１０２の抵抗膜５０のパターニング形状を変更したものであり、それ以外については第２実施形態と共通である。このため、第３実施形態および第４実施形態に係る液晶パネルの外観構成については、図４に示した第１実施形態と共通であり、また、平面構成についても、図５に示した第１実施形態と共通である。そこで、第３実施形態および第４実施形態については、対向基板１０２における抵抗膜５０のパターニング形状を中心に説明することにする。
【００４０】
図１０は、第３実施形態に係る液晶パネル１００のうち、対向基板１０２における抵抗膜のパターニング形状を示す平面図である。なお、この図において、コモン電極１０８のパターニング形状については、図８に示した第２実施形態と同じであるので、一部の表示を省略している。
図１０に示されるように、第３実施形態においては、抵抗膜５０は、次のような部分を有するようにパターニングされている。
すなわち、抵抗膜５０は、シール対応部分５１、５２と、素子基板１０１に設けられた画素電極１１８と対向する画素対応部分５３と、画素対応部分５３同士を接続する第１接続部分５４と、シール対応部分５１、５２のいずれかと画素対応部分５３とを接続する第２接続部分５５と、を含むようにパターニングされている。
シール対応部分５１、５２は、枠状のシール材８０に重なる領域に設けられるが、図においてパネルの左右中心付近の上および下側の２箇所で切り目が入れられて互いに分割されている。２箇所の切れ目のうち、図において下側の切れ目は、注入口９３の開口部分に設けられている。下側の切れ目の幅をＷ１とし、上側の切れ目の幅をＷ２としたときに、Ｗ１＞Ｗ２となっている。
なお、注入口９３については、切れ目によって抵抗膜５０が設けられないので、第２絶縁膜２２および保護膜３１についても除去しても良い。
【００４１】
また、画素対応部分５３は、図に示されるように左上隅に位置する部分から右上隅に位置する部分まで、上下の交互反転を繰り返しながら第１接続部分５４によって電気的に連結されている。
詳細には、画素対応部分５３のうち、図において上端に位置するもの（左上隅および右上隅に位置するものを除く）は、左側または右側のいずれかに位置するものと、下側に位置するものとに、それぞれ第１接続部分５４によって接続され、下端に位置するものは、左側または右側のいずれかに位置するものと、上側に位置するものとに、それぞれ第１接続部分５４によって接続される。また、画素対応部分５３のうち、図において上端および下端以外に位置するものは、上側および下側に位置するものと、それぞれ第１接続部分５４によってそれぞれ接続される。
なお、第２接続部分５５は、本実施形態では２箇所あり、そのうち１箇所は、図において左側のシール対応部分５１と左上隅に位置する画素対応部分５３とを接続する部分であり、他の１箇所は、右側のシール対応部分５２と右上隅に位置する画素対応部分５３とを接続する部分である。
また、図１０において、画素対応部分５３については縦８行×横１２列で配列しているが、これは、説明の簡略化のためであり、実際には、画素１１０（画素電極１１８）に対向するように縦ｍ行×横ｎ列で配列している。
【００４２】
抵抗膜５０は、第１または第２実施形態ではベタ状であったが、第３実施形態では、電気的にみて、左上隅に位置する部分から右上隅に位置する部分まで延在する細長い抵抗体になるので、比較的大きな抵抗値を持たせることができる。
シール材８０は、抵抗膜５０（シール対応部分５１、５２）が設けられる部分に位置する。このため、シール材８０は、高さが揃えられた状態で形成されるので、セル厚の均一化が図られる。なお、シール対応部分５１、５２の２箇所ある切れ目のうち、１箇所は、シール材８０の開口である注入口９３に配置しているので、セル厚に与える影響は小さい。
また、注入口９３においては抵抗膜５０が存在しないので、その分、液晶の封入時において液道（液体の通り道）が確保される。さらに、注入口９３における切れ目の幅Ｗ１は、切れ目の幅Ｗ２よりも広い。このため、液晶の注入性を高めて、生産性を向上させることも可能になる。
【００４３】
＜第４実施形態＞
第３実施形態において、上端および下端以外に位置する画素対応部分５３では、第１接続部分５４が上側および下側の２箇所のみに位置する。抵抗膜５０を構成する透明導電膜では、反射率がゼロではないので、透過光のごく一部が反射する。このため、表示領域Ａを観察する角度によっては、第１接続部分５４が視認される場合もあれば、されない場合もあり、観察者に一種の違和感を与える可能性がある。
【００４４】
そこで、図１１に示されるように、上端、下端、左端および右端以外に位置する画素対応部分５３に、第１接続部分５４を上側、下側、左側および右側の四方向にそれぞれ設ける。このようにすると、第１接続部分５４は、観察角度によって変化が生じにくい等方性となるので、観察者に与える違和感を小さく抑えることが可能になる。
また、この第４実施形態でも、第１実施形態および第２実施形態と比較して、抵抗膜５０の抵抗値を大きくすることが可能である。
【００４５】
なお、第４実施形態では、抵抗値をかせぐために、２箇所ある第２接続部分５５の各々を、第１導通材９１ａが設けられない方の画素対応部分５３に配置させている。すなわち、シール対応部分５１では、左下隅に第１導通材９１ａが設けられるので、左上隅に位置する画素対応部分５３と第２接続部分５５によって接続されている。同様に、シール対応部分５２では、右上隅に第１導通材９１ａが設けられるので、左下隅に位置する画素対応部分５３と第２接続部分５５によって接続されている。
また、第３実施形態および第４実施形態については、対向基板１０２における抵抗膜５０を、第２実施形態のパターニング形状から変更したもの、として説明したが、第１実施形態のパターニング形状から変更したものとしても良いのはもちろんである。
【００４６】
＜応用例・変形例＞
本発明は、上述した実施形態に限られず、次のような応用・変形が可能である。
また、液晶素子１２０については、ノーマリーブラックモードではなくノーマリーホワイトモードとしても良いし、透過型ではなく、反射型としても良い。
本発明は、抵抗膜５０に対し絶縁膜を介し、複数の画素１１０にわたって共通のコモン電極１０８を有する構成に適用可能である。このため、本発明は、例えば画素電極とコモン電極とで無機または有機ＥＬ（Electro Luminescence）層を挟持したＥＬ装置や、画素電極とコモン電極とで電気泳動物質を挟持した電気泳動装置などにも適用可能である。
【００４７】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１を適用した電子機器について、プロジェクターを例にとって説明する。
図１２は、プロジェクターの構成を示す平面図である。
この図に示されるように、プロジェクター２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット２１０２が設けられている。このランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００４８】
このプロジェクター２１００では、実施形態に係る電気光学装置が、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応して３組設けられる。そして、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応する映像信号がそれぞれ上位装置から供給される。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂは、上述した液晶パネル１００と同様であり、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応する映像信号に応じて駆動される。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４によってカラー画像が投射されることとなる。
【００４９】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２１０８によって、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走査方向は、ライトバルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた像を表示する構成となっている。
【００５０】
なお、電子機器としては、図１２を参照して説明したプロジェクターの他、電子ビューファインダーや、リヤ・プロジェクション型のテレビジョン、ヘッドマウントディスプレイなどが挙げられる。
【符号の説明】
【００５１】
１…電気光学装置、２…制御回路、３…Ｄ／Ａ変換回路、４…温度情報変換回路、２１…第１絶縁膜、２２…第２絶縁膜、５０…抵抗膜、５１、５２…シール対応部分、５３…画素対応部分、５４…第１接続部分、５５…第２接続部分、７２ａ、７２ｂ…配線、９１ａ…第１導通材、９１ｂ…第２導通材、９３…注入口、１００…液晶パネル、１０５…液晶、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１８…画素電極、１２０…液晶素子、１３０…走査線駆動回路、１４０…テータ線駆動回路、２１００…プロジェクター。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、
透明性を有し、前記複数の画素が配列する領域に設けられた抵抗膜と、
透明性を有し、前記抵抗膜に対し絶縁膜を介して設けられ、前記複数の画素にわたって共通のコモン電極と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の画素の各々に対応する画素電極が設けられた第１基板と、
前記抵抗膜、前記絶縁膜および前記コモン電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とで挟持された電気光学物質と、
前記第２基板に設けられた抵抗膜の異なる２地点を、前記第１基板に設けられた配線に、それぞれ個別に導通させる第１導通材を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２基板に設けられたコモン電極を前記第１基板に設けられた配線に導通させる第２導通材を有し、
前記第１導通材が設けられる領域では、前記コモン電極および前記絶縁膜が除去されている
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記２地点における電位差を検出して、温度情報に変換する温度情報変換回路を有する
ことを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１基板と前記第２基板とは、平面視したときに注入口で開いた枠状のシール材によって貼り合わせられ、
前記抵抗膜は、平面視で、
前記シール材に重なる領域に設けられる２つのシール対応部分と、
前記画素電極の各々に対応する画素対応部分と、
前記画素対応部分同士を接続する第１接続部分と、
前記画素対応部分および前記２つのシール対応部分のいずれかとを接続する第２接続部分と、を含む
ことを特徴とする請求項２、３または４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１接続部分は、
平面視で、縦または横側で隣り合う前記画素対応部分同士を接続する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１接続部分は、
平面視で、縦および横側で隣り合う前記画素対応部分同士を接続する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記シール対応部分の隙間のうち、一の隙間は、前記注入口に位置する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記一の隙間は、他の隙間よりも平面視で広い
ことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
複数の画素と、
透明性を有し、前記複数の画素が配列する領域に設けられた抵抗膜と、
透明性を有し、前記抵抗膜に対し絶縁膜を介して設けられ、前記複数の画素にわたって共通のコモン電極と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の画素の各々に対応する画素電極が設けられた第１基板と、
前記抵抗膜、前記絶縁膜および前記コモン電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とで挟持された電気光学物質と、
前記第２基板に設けられた抵抗膜の異なる２地点を、前記第１基板に設けられた配線に、それぞれ個別に導通させる第１導通材を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２基板に設けられたコモン電極を前記第１基板に設けられた配線に導通させる第２導通材を有し、
前記第１導通材が設けられる領域では、前記コモン電極および前記絶縁膜が除去されている
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記２地点における電位差を検出して、温度情報に変換する温度情報変換回路を有する
ことを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１基板と前記第２基板とは、平面視したときに注入口で開いた枠状のシール材によって貼り合わせられ、
前記抵抗膜は、平面視で、
前記シール材に重なる領域に設けられる２つのシール対応部分と、
前記画素電極の各々に対応する画素対応部分と、
前記画素対応部分同士を接続する第１接続部分と、
前記画素対応部分および前記２つのシール対応部分のいずれかとを接続する第２接続部分と、を含む
ことを特徴とする請求項２、３または４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１接続部分は、
平面視で、縦または横側で隣り合う前記画素対応部分同士を接続する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１接続部分は、
平面視で、縦および横側で隣り合う前記画素対応部分同士を接続する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記シール対応部分の隙間のうち、一の隙間は、前記注入口に位置する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記一の隙間は、他の隙間よりも平面視で広い
ことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−１９８３７８（Ｐ２０１２−１９８３７８Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６２３９７（Ｐ２０１１−６２３９７）
【出願日】平成２３年３月２２日（２０１１．３．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２２日（２０１１．３．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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