説明

電磁波検出用装置及びそのような装置製造のための方法

膜及びその膜に少なくとも部分的に固定された検出器構造体を含む第一プレート、第一プレートに取付けられた第二プレート、その第一及び(又は)第二のプレートの上での表面搭載技術のための少なくとも1個所の接触点により電磁波を検出するための装置。それにより、検出器構造体と接触点の間の接続ラインで、少なくとも部分的に第一及び(又は)第二のプレートを通じていて、この接続ラインが少なくとも部分的に膜蒸着及び(又は)めっきにより作成されている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電磁波特に赤外線領域の波の検出及びそのような装置の製作法に関する。
【背景技術】
【0002】
電磁波の検出のための小型装置が多くの用途に用いられている。特に医用装置例えばいわゆる「耳で測る体温計」、赤外線領域の電磁波を検出するための装置が現在既に広く用いられている。家庭用雰囲気制御、家庭用安全警報システム、自動車用例えば室内雰囲気制御、高温計の代替品、及び他の多くの産業用途がそのような装置の多くの将来用途を提供している。
【0003】
赤外線検出器の分野では、特許文献1が下方の実装プレートを含む電磁波検出用装置を示していて、その上に検出器構造体を有する基板を組込む。上方プレートが下方の実装プレートに取付けられ、その一方で、支持構造体を維持する距離が上方プレートと下方プレートの間の距離を保っている。その上方プレートがレンズを有していて、そのレンズは微小構造体により上方プレート上に作られる。下方プレートは下方(後方)端部に向って開き、その上方(前方)端部で終わる空洞を有し、その上に検出器構造体が組込まれる。
【0004】
別の実施例で、特許文献1は薄膜に固定すべき検出器構造体を教示していて、その薄膜は上方プレート(のみ)に固定されている。
【0005】
特許文献1は下方プレート及びウエハー・レベル上に組込むべき支持構造体、さらに、ウエハーの一部として製造される上方プレートを開示している。特許文献1によると、2個のウエハーが配置され、お互いに接続される。その後で、各センサーは別々に製作される。
【0006】
特許文献1で開示された装置は、不正確な測定であり、高価な生産方法を必要とすると見られている。さらに、開示された装置の検出器構造体をその後の電子的評価装置に接続することは、場所をとるか、又は、実現が困難であると考えられている。
【0007】
特許文献2から、赤外線センサーが半導体基板の前側に固定された検出器構造体(サーミスター(thermistor)と共に知られている。このサーミスターはその裏側を下方プレートに取付けられている。検出器構造体の接続は下方プレートを通じて行われる。(サーミスターも取付けられている)下方プレートの上側で、自立している電線が第二プレート内の接続部を検出器構造体とサーミスターの上のコネクター(connectors)に接続している。
【0008】
そのサーミスターを搭載している下方プレートが、下方プレートの側壁に取付けられたカップ(cup)状カバーによりカバーされている。
【0009】
特許文献2から判明した装置は製造が困難で、費用がかかるので、不利である。
【0010】
この背景から出発して、安価な方法で製造できる電磁波検出のための装置を提案することが本発明の目的である。より正確に測定できる電磁波の検出装置を提案することが本発明の別の目的である。
【特許文献1】DE 199 23 606 A1
【特許文献2】DE 41 02 524 A1
【発明の開示】
【0011】
この問題は以下により電磁波を検出するための装置により解決される:
− 膜及びその膜に少なくとも部分的に固定された検出器構造体を含む第一プレート、
− 第一プレートに取付けられた第二プレート、
− 第一及び(又は)第二のプレートの上での表面実装技術のための少なくとも1個所の接触点、
それにより、検出器構造体と接触点の間の接続ライン(line)が少なくとも部分的に第一及び(又は)第二のプレートを通過し、又、この接続ラインが少なくとも部分的に膜蒸着及び(又は)めっきにより作成されている。
【0012】
さらに、この問題は以下により電磁波を検出するための装置により解決される:
− 膜及びその膜に少なくとも部分的に固定された検出器構造体を含む第一プレート、
− 第一プレートとその第一プレートに取付けられた第二プレートの中の第一閉鎖空洞に少なくとも部分的に接した膜、その第二プレートが第二閉鎖空洞を有し、その膜が少なくとも部分的に第二空洞に接している。
【0013】
好ましくは、膜は半導体基板から作られているが、ガラス、セラミックス、ポリマー、金属基板特にアルミニウムからも作ることができ、又、印刷回路基板としても作ることができる。生産面からは、第一プレートを形成するために、例えば半導体基板のように、膜をベース・プレート(base plate)に取付けることができる。例えば、ベース・プレートから空洞を削りだし、空洞に接する残部を残し、膜を形成するように、ベース・プレートから膜を直接作ることもできる。
【0014】
本発明に基づくと、検出器構造体を、膜の上側(内側)又は裏側(外側)に固定できる。さらに、第一プレートは、膜の上側又は裏側に少なくとも部分的に固定された検出器構造体と共にそれに通じている少なくとも1本の接続ラインを有することができる。さらに、第二プレートは、第二プレートと向かい合う膜の側に、又は、膜の反対側に配置された第一プレートの膜上に少なくとも部分的にある検出器構造体と共にそれに通じる少なくとも1本の接続ラインを有することができる。プレートと他のプレートに可能な各取付が、そのプレート間に密封リングを配置できる。好ましくは、装置のプレートは、多分、長方形又は正方形のブロック(block)のように完成装置を容易に扱える同じ側の長さを有するように設計されている。
【0015】
本発明の実施例に基づく装置は、第一及び(又は)第二のプレート上での表面実装技術のためのパッド(pads)又はボール(balls)のような少なくとも1個所の接触点、通常、2個所以上の接触点を有している。この実施例に基づく装置は、表面実装技術により周辺構造体に取付けるように、又、それにより、例えば、基板の寸法と重量の減少、機能と信頼性の向上、生産の完全な自動化と合理化のような、この技術と関連する利点を提供している。本発明に基づくプレート設計、及び、本発明に基づいて後述する生産方法により、表面実装技術により周辺構造体へのこの装置の取付けが可能になるように、電磁波検出用装置の生産と設計を可能にしている。
【0016】
好ましい実施例で、第二プレートが第一プレートの裏側に接続され、第一プレートが、第二プレートに面している膜の側に検出器構造体を含んでいる。単純化の理由で、本発明の別の側面がこの好ましい配置と関連付けて示されている。しかしながら、上記のように第一及び第二のプレート及び接続ラインに可能な配置にも適用できるように、以下に示す実施例の別の側面に開示を限定していない。
【0017】
第一プレートの裏側でこの第二プレートを用いることにより、接続ラインが第二プレートを通過して、第二プレートに面する第一プレートの側即ち第一プレートの裏側に配置されている。第一プレートの裏側上に検出器構造体を組込むことにより、検出器構造体と接続ラインの間の接続は、例えば、表面接触により容易に実現できる。これは特許文献2の自立電線を用いる方法で、高額費用を使ってのみ製造できる。例えば、本発明に基づくタイプの設計では、配置すべき接続ラインを通すようにプレートの切り込み部への材料蒸着により、接続ラインを作ることができる。
【0018】
本発明に基づき、各プレートを少なくとも部分的に通って検出器構造体向けの接続ラインを配置することは、特に、プレートの向かい合った面即ち他のプレートの方を向いている面で停止するように、各プレートの通って接続ラインを配置することを意味し、又、特に、これらの停止点が、この面と各プレートの外側側面の間のエッジ(edge)からの距離を測って配置することを意味する。各プレートのこの向かい合う面から、それゆえ、接続ラインが先ずプレート内に配置される。好ましい実施例で、接続ラインは、各プレートを完全に通って、特に直線で配置される。しかしながら、本発明に基づくと、他の要素への接続がこれを必要とする場合、プレート内に配置された接続ラインは、プレートの内側からそのプレートの側面のひとつに配置できる。
【0019】
本発明に基づく接続ラインは、さらに検出器構造体からの信号経路を周辺構造体上のラインに接続すると予測される装置の接触点間の接続部である。本発明は多数の検出器構造体を使用できるので、検出器構造体の接触の用語はこれらの接点が例えば熱電対の端点としうるが、例えば、サブ構造体それ自体としうるという意味で広く理解すべきである。それゆえ、接続ラインを単一製造ステップ(step)で生産される要素とは限らないが、いくつかのサブ要素から成るラインともしうる。本発明に基づき、これらのサブ要素の少なくともひとつを、上記のように、又、少なくともこれ又はひとつのサブ要素を膜蒸着及び(又は)めっきにより作成されるように、第一及び(又は)第二のプレートを通って配置される。
【0020】
膜蒸着のための技術の例は、蒸発(evaporation)、スパタリング(sputtering)、化学気相体積(CVD)である。例えば、めっきは電気めっき、又は、無電解めっきにより実現しうる。
【0021】
さらに、第二プレートを用いることは、検出器構造体の領域で第二プレート内に第二閉鎖空洞が形成される。さらに、そのような装置は、例えば、検出器構造体の領域内の空洞又は第一プレート内の開口部の閉鎖を有する特許文献1内の下方プレートに取付けられた上方プレートのような第一プレートの前側に取付けられた上方プレートを含めることができる。これにより、検出器構造体を上方空洞と下方空洞により囲むことができて、検出器構造体を物的集合体から分離できて、例えば、熱を検出器構造体に熱を伝え、それにより、測定値を補正できるので、測定精度が高くなる。
【0022】
本発明のこの側面のキー(key)は、その一体構造の中で、検出器構造体を搭載した膜が上側と下側で閉鎖空洞により囲まれ、その空洞は少なくとも検出器構造体の領域で膜を囲んでいる。閉鎖空洞の存在が、正確な測定のために、その空洞を通過する電磁波の歪みを生じさせず、かつ、その検出器構造体を周辺要素の影響から遮蔽する。一体の状態で、空洞は完全に閉鎖され、唯一の例外は、第一及び第二の空洞の間に流体の接続が存在することである。
【0023】
好ましくは、空洞の完全な閉鎖が第一及び第二のプレートの材料内に作られる空洞により以下のように実現する。その空洞は、これらの両プレートの向かい合う側に向ってのみ開いていて、それにより、その空洞が膜によってのみ完全に閉じられるようにする。しか
しながら、その空洞は、プレート内に切り込み部又は隙間として作られることがあり、その切り込み部又は隙間は、膜により、一方の側で閉じられる、又、例えば、第一プレート上に配置された下記の第三プレートのように、隙間のあるプレート上に配置された別のプレートにより他の側で閉じられる。
【0024】
好ましくは空洞が、本発明に基づく装置が取付けられている印刷回路基板等のような周囲の構造体の部分により区切られていない。周辺構造体に請求項の装置を固定するこのステップは、しばしば、そのように閉鎖された空洞が完全に密封されているという保証がない製造ステップにより行われるからである。
【0025】
好ましくは、特に設計では、空洞を区切っている膜とその膜に向かい合っている表面が存在し、その膜は、その膜による区切りと向かい合っている側で空洞を区切っていて、検出器構造体とこの表面の間の距離は2ないし3ミクロンの間である。
【0026】
空洞は流体好ましくは気体で充填できる。好ましい実施例に基づくと真空が空洞内で生じている。
【0027】
第一プレート、第二プレート、及び、適当な場合、第三プレートから作られる装置を設計する場合、本発明に基づく装置は作りやすい。各ウエハーの生産中に行われる膜上の検出器構造体の組込みと膜の製造のように、全ての接続と構造体の組込みと共に、別個のウエハーの一部としてプレートを製造できる。ウエハー・サンドウイッチを形成するために、ウエハーをお互いに取付けることにより、又、装置を得るためにウエハー・サンドウイッチを分離することにより、最小限の生産ステップによる製造が実現される。さらに、各ウエハーの製造を、種々の製造環境で、特に各プロセスのために指定された製造プラントで行なえる。そして、発明の装置を形成するために容易に組合わせできる。
【0028】
特別の実施例に基づき、例えば、上方プレートに関連して、特許文献1で開示されているように、第三プレートはレンズを含む。第三プレートを含むこの第三ウエハーは、例えば、ウエハー上でレンズを製造するために特定されている製造環境で製造できる。その一方で、その上に組込まれた検出器構造体と共に第一プレートを保持する第一ウエハーを、ウエハー上に検出器構造体を組込むように特定された製造環境で製造できる。
【0029】
第三プレートを含むウエハー、及び、第一プレートを含むウエハーのウエハー・サンドウイッチの製造のようなサブ構造体の別個の製造、及び、後の段階で、この第一ウエハー・サンドウイッチを第二プレートを含むウエハーに接続することは、本発明に基づく製造方法の一部として理解すべきであり、それは、多数の製造ステップの組合わせを可能にしている。
【0030】
本発明の製造方法に基づき、2枚のウエハーをお互いに接する場合、これは、コールド・シリコン・ボンディングを含むシリコン・ボンディング、陽極ボンディング、共晶ボンディング又はポリマーを用いたボンディング、はんだ、溶接特にレーザー溶接により、好ましく行なえる。
【0031】
好ましい実施例で、プレートはその向かい合った面でお互いに取付けられる。装置がウエハーをお互いに付けることにより作られる場合、これは特に有利である。付着面として向かい合った面を用いることは、大面積の場合、接続面として用いることもできる。
【0032】
好ましい実施例では、検出器構造体は少なくとも1個の熱電対を含む。そのような検出器構造体は赤外線領域の電磁波の検出に有利に使用でき、本発明に基づく装置を例えば温度計の一部として使用できる。しかしながら、本発明は熱電対を含む検出器構造体に限定
しない。例えば、検出器構造体には抵抗器(例えば、ボロメーター(Bolometer)を含めることができ、又は、例えば、熱膨張(例えば、Golay−Cells)に基づくこともできる。さらに、検出器構造体をバンド・ギャップ(band gap)検出器として装置を使用できるように設計できる。
【0033】
用いられる検出器構造体の種類により、検出器構造体の一部のみを膜に取付けるべきであり、他の部分は膜から離れた装置の他の部分に位置すべきである。例えば、特許文献2は、熱電対を用いて、高温接続点を膜の上に配置でき、低温接続点を基板上に配置できることを示している。
【0034】
別の好ましい実施例では、検出器構造体が、少なくとも2個の検出器のアレー(array)からなり、各チップ(chip)が少なくとも1個の熱電対を含む。熱電対と共に検出器を、検出器構造体を形成するために、アレーに接続することは製造上の利点を有する。
【0035】
好ましい実施例に基づいて、検出器構造体を、表面実装装置(surface mount device; SMD)の構造体として構成できる。そのような構造体により、第一プレートへの検出器構造体の接続を容易にしている。さらに、そのような構造体は、第一プレートの表面上で製造するために、接続点からSMD構造体へのコネクターを可能にしていて、少なくとも部分的に第二プレートを通過する接続ラインへの接続を容易にしている。
【0036】
別の好ましい実施例で、第二プレート及び適当な場合第三プレートが半導体基板を含む。例えば、第一プレート、第二プレート及び(又は)第三プレートが半導体の層を含むことができる。これは本発明に基づく製造の製造をこのように容易にする。各ウエハーを各半導体の層に基づいて組立てることができるからである。
【0037】
別の実施例に基づくと、第一プレート、第二プレート及び適当な場合第三プレートが、同じ半導体基板を含んでいる。これは特にその検出器構造体が周辺から断熱するのに有利である。用いられる各プレート内で同じ半導体基板を用いることは、基板を通過する熱伝導の制御を容易にし、装置を横断した温度勾配を阻止する。特に好ましい実施例で、半導体基板はシリコンである。しかしながら、第一プレート、第二プレート及び(又は)第三プレートをガラス、セラミックス、ポリマー及び金属の構造体特にアルミニウムから作ることもでき、印刷回路基板(PCB)として作ることもできる。
【0038】
好ましい実施例に基づくと、第三プレートは測定すべき電磁波が浸透可能である。これにより、第二(下方)プレートを別の対象物、本発明に基づく装置に取付けられるように装置を配置し、測定すべき電磁波が第三プレートを通って装置に入るように配置できる。
【0039】
別の可能な代替実施例では、第二プレートを、測定すべき電磁波が(多分)浸透できる。これにより、検出すべき電磁波の源に関連して本発明に基づく装置の種々の配置が可能である。特に、検出器構造体により受信され、検出されるために第二プレートが取付けられ、第二プレートより下に設けられた構造体、おそらくは印刷回路基板、内の隙間を電磁波が通過できる。
【0040】
好ましい実施例に基づき、その浸透可能なプレートが電磁波通過に影響する手段特にレンズを含む。これにより、検出すべき電磁波の焦点を検出器構造体上に形成し、それにより、より有効な検出を行なえる。
【0041】
本発明の好ましい実施例に基づくと、装置の外向きの側が少なくとも部分的に金または
アルミニウムのような反射材で被覆される。好ましくは、この反射材は、検出すべき電磁波が浸透可能になっていて、そのような浸透可能な部分を予測できる各プレートの部分を囲むように配置されている。反射材料の使用により、浸透可能部分を通過せず、それゆえ、検出すべき波の束の部分ではない電磁波により影響を受けない構造体の残りを可能にしている。
【0042】
代替又は追加で、本発明の好ましい実施例に基づくと、装置の外向きの側が少なくとも部分的に、ポリマーのような吸収材料で被覆される。好ましくはこの吸収材料が検出すべき電磁波が浸透可能になった、そのような浸透可能部分が予測される各プレートの部分を囲むように配置される。吸収材料の使用が、浸透可能部分を通過しない、又、それゆえ、吸収すべき波の束の部分ではない残りの波に対して可能になる。例えば、この場合、これは、装置の部分から反射した、及び、装置内への再反射をした電磁波による、測定された電磁波の値への影響を最小限にする配置で望まれている。
【0043】
本発明に基づく装置がそれぞれ検出器構造体の上側と下側の上方空洞と下方空洞と共に組込まれている場合、2個の空洞間の流体による接続を行うために有利でありうる。これにより、第一及び第二の空洞の間で圧力のバランスを取り、検出器構造体を保持する膜の曲げを防止し、そのような曲げられた膜から生じた測定誤差を防止する。
【0044】
別の実施例に基づくと、特定用途向け集積回路(ASIC)が、第一プレート、第二プレート、又は、第三プレートの少なくともひとつと接続されている。本発明に基づく装置内で、ASICを用いることにより、装置を多目的に使用できる。
【0045】
好ましい実施例では、第一プレートは検出器構造体から別に配置された温度センサーを含んでいる。そのような温度センサーは検出器構造体周辺の温度測定を行なえて、装置の校正に使える。
【0046】
本発明に基づくと、装置をもっと大型の構造体のコア(core)装置としうる。それゆえ、本装置は第一プレート、第二プレート及び第三プレートのみを有する装置に限定されない。第三プレートの上側又は第二プレートの裏側に別のプレートを取付けることができる。例えば、開口部を含む第四プレートを第三プレートの上側に配置できる。
【0047】
ここで、本発明の実施例を添付図面に関連させてさらに説明する。
【実施例1】
【0048】
図1に示すように、電磁波検出装置は第一プレート1,第二プレート2、及び、第三プレート3を含み、第二プレート2が第一プレート1の裏側に取付けられ、第三プレート3が第一プレート1の前側に取付けられている。密封リング4、5が、第一プレート1と第三プレート3の間に、又、第一プレート1と第二プレート2の間にそれぞれ配置されている。
【0049】
第一プレート1は、前側から検出器構造体7に通じる開口部6を有し、かつ、その開口部6がその前方の端部を第三プレート3により閉じられる。
【0050】
第二プレート2は、検出器構造体7の領域内に形成された空洞8を有している。
【0051】
第三プレートは、少なくとも部分的に、検出すべき電磁波が浸透可能になっているので、電磁波9が、それらの検出のために、第三プレート3から開口部6へ通過し、検出器構造体により取得できる。例えば、電磁波9が赤外線で、検出器構造体7が少なくとも1個の熱電対(サーモパイル(thermopile))から作られ、この熱放射を取得してそれにより電磁波9を検出する。
【0052】
さらに、図1は、プレート1の裏側に配置されているコネクター(図示せず)の接続点(図示せず)と接続するために、第二プレート2を通過する1本の接続ライン10を示している。別の接続ラインが第二プレートを通っているが、図1に示した装置の断面では見えない。
【0053】
その接続点は図2に示されている。図2に示すように、第一プレートはベース(base)として膜12を有している。その上に、ベース・プレート13だけでなく、検出器構造体7及び接触点11が配置されている。
【0054】
図2は接続点11から検出器構造体7に通じる接続部14を示す。
【0055】
図3は第二プレートを通る接続部10を示す。さらに、図3は、表面実装技術によりその装置から別の対象物への接続を容易にするために各接続ライン10の端部に配置されている接触点15を示している。
【図面の簡単な説明】
【0056】
【図1】本発明に基づく装置の概略側面図である。
【図2】分離状態での第一プレートの概略側面図である。
【図3】分離状態での第二プレートの概略側面図である。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
電磁波の検出のための装置で、
− 膜及びその膜に少なくとも部分的に固定された検出器構造体を含む第一プレート、
− 第一プレートに取付けられた第二プレート、
− 第一及び(又は)第二のプレートの上での表面実装技術のための少なくとも1個所の接触点、
を有し、検出器構造体と接触点の間の接続ラインが少なくとも部分的に第一及び(又は)第二のプレートを通っていて、かつ、この接続ラインが少なくとも部分的に膜蒸着及び(又は)めっきで作成されることを特徴とする装置。
【請求項2】
電磁波の検出のための装置で、
− 膜及びその膜に少なくとも部分的に固定された検出器構造体を含む第一プレート、
− その膜が第一プレート内の第一閉鎖空洞に少なくとも部分的に接すること、及び、
第二プレートが第一プレートに取付けられ、その第二プレートが第二閉鎖空洞を有し、その膜が少なくとも部分的にその第二空洞に接することを特徴とする装置。
【請求項3】
第一及び(又は)第二のプレート上での表面実装技術のために検出器構造体と接触点の間の接続ラインが少なくとも部分的に第一及び(又は)第二のプレートを通ること、及び、この接続ラインが少なくとも部分的に膜蒸着及び(又は)めっきにより作成されることを特徴とする請求項2に基づく装置。
【請求項4】
膜が少なくとも部分的に第一プレートの裏側に配置されていること、及び、検出器構造体が少なくとも部分的に第一プレートの裏側上で膜に固定されていることを特徴とする請求項3に基づく装置。
【請求項5】
プレートがその向き合った面でお互いに取付けられることを特徴とする請求項1から4のひとつに基づく装置。
【請求項6】
検出器構造体が少なくとも1個の熱電対を含むことを特徴とする請求項1から5のひとつに基づく装置。
【請求項7】
検出器構造体が、少なくとも2個の検出器のアレーから成っていて、それにより、各チップが少なくとも1個の熱電対を含むことを特徴とする請求項6に基づく装置。
【請求項8】
検出器構造体が表面実装装置(SMD)の構造体として構成されていることを特徴とする請求項1から7のひとつに基づく装置。
【請求項9】
第三プレートが第一及び第二の空洞を閉鎖することを特徴とする請求項2から8のひとつに基づく装置。
【請求項10】
第一及び(又は)第二のプレートが半導体基板を含むことを特徴とする請求項1から9のひとつに基づく装置。
【請求項11】
第三プレートが半導体基板を含むことを特徴とする請求項2から10のひとつに基づく装置。
【請求項12】
第一プレート、第二プレート及び(又は)第三プレートが半導体の層を含むことを特徴とする請求項2から11のひとつに基づく装置。
【請求項13】
第一プレート、第二プレート及び第三プレートが同じ半導体基板を含むことを特徴とする請求項11から12に基づく装置。
【請求項14】
第一プレート、第二プレート及び(又は)第三プレートがシリコンを含むことを特徴とする請求項13に基づく装置。
【請求項15】
第一プレート及び(又は)第三プレートを、測定すべき電磁波が浸透可能であることを特徴とする請求項2から14のひとつに基づく装置。
【請求項16】
第二プレートを、測定すべき電磁波が浸透可能であることを特徴とする請求項1から15のひとつに基づく装置。
【請求項17】
その浸透可能なプレートが電磁波の波の経路に影響することに対する手段を含むことを特徴とする請求項15又は16のひとつに基づく装置。
【請求項18】
装置の外向きの側が電磁波に対する反射材料で少なくとも部分的に被覆されていることを特徴とする請求項1から17のひとつに基づく装置。
【請求項19】
装置の外向きの側が電磁波に対する金属吸収材で少なくとも部分的に被覆されていることを特徴とする請求項1から18のひとつに基づく装置。
【請求項20】
装置が電場及び(又は)磁場から検出器構造体を遮蔽するように設計されたことを特徴とする請求項1から19のひとつに基づく装置。
【請求項21】
第一空洞と第二空洞の間を流体により接続していることを特徴とする請求項2から20のひとつに基づく装置。
【請求項22】
特定用途向け集積回路(ASIC)が第一プレート、第二プレート又は第三プレートの少なくともひとつと接続していることを特徴とする請求項1から21のひとつに基づく装置。
【請求項23】
第一プレートが、検出器構造体から別に配置された温度センサーを含むことを特徴とする請求項1から22のひとつに基づく装置。
【請求項24】
− 第一プレート及び第二プレートの少なくとも一方が第一及び第二のウエハーの部分として最初に製造されること。
− その後、第一ウエハー及び第二ウエハーがお互いに取付けられて、ウエハー・サンドウイッチを形成すること、及び、
− 装置がそのウエハー・サンドイッチから別々に離されること、
を特徴とする請求項1から23のひとつに基づく装置を製造する方法。
【請求項25】
− 第一プレート及び第二プレート及び第三プレートの少なくともひとつがウエハーの部分として最初に製造されること。
− その後、第一プレート、第二プレート及び第三プレートがお互いに取付けられること、及び、
− 装置がそのウエハーから別々に離されること、
を特徴とする請求項9から23のひとつに基づく装置を製造する方法。
【請求項26】
2枚のウエハーが、シリコン・ボンディング、陽極ボンディング、共晶ボンディング又はポリマーによるボンディングによりお互いに接合されることを特徴とする請求項24又
は25に基づく方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【公表番号】特表2008−544263(P2008−544263A)
【公表日】平成20年12月4日(2008.12.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−517333(P2008−517333)
【出願日】平成17年6月27日(2005.6.27)
【国際出願番号】PCT/EP2005/006898
【国際公開番号】WO2007/000172
【国際公開日】平成19年1月4日(2007.1.4)
【出願人】(505317300)エイチエル−プラナー・テクニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング (2)
【Fターム(参考)】