ＥＬ表示装置、ＥＬ表示装置の製造方法、及び電子機器
【課題】 表側と裏側で異なる画像を同時に表示することを実現した両面発光型のＥＬ表示装置と、当該ＥＬ表示装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】 ＥＬ表示装置１において、第１及び第２画素電極２３ａ、２３ｂと対向電極５０は、透明導電膜からなり、第１画素電極２３ａ上には、発光機能層１２の出射光を封止部材４６側から取り出す封止側発光領域７３が形成され、第２画素電極２３ｂ上には、発光機能層１２の出射光を基板２０側から取り出す基板側発光領域７４が形成され、封止側発光領域７３における第１画素電極２３ａ、及び基板側発光領域７４における対向電極５０の各々に隣接する遮光層７１、７２が形成され、封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４における発光機能層１２が各々独立して発光することを特徴とする。
【解決手段】 ＥＬ表示装置１において、第１及び第２画素電極２３ａ、２３ｂと対向電極５０は、透明導電膜からなり、第１画素電極２３ａ上には、発光機能層１２の出射光を封止部材４６側から取り出す封止側発光領域７３が形成され、第２画素電極２３ｂ上には、発光機能層１２の出射光を基板２０側から取り出す基板側発光領域７４が形成され、封止側発光領域７３における第１画素電極２３ａ、及び基板側発光領域７４における対向電極５０の各々に隣接する遮光層７１、７２が形成され、封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４における発光機能層１２が各々独立して発光することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ表示装置、ＥＬ表示装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、エレクトロルミネッセンス装置（以下、ＥＬ表示装置と称する。）においては、陰極、陽極の両方を透明電極として両側に発光させる、所謂両面発光型が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−３３２３９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記特許文献のＥＬ表示装置においては、ＥＬ表示装置の反対側が透けて見えるために、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転し、当該表側と裏側とで同時に異なる画像表示を行うことができないという問題があった。
また、当該文献においては、平坦化を用いたトップエミッション構造を有しておらず、マトリクス型のパネルにおいてはアレイ配線によって出射光の取り出し効率が低下するという問題もあった。
更には、表側と裏側の輝度のバランスを調整できない問題や、両面で発光領域が同じパネルでは情報量の変更ができないという問題もあった。
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、表側と裏側で異なる画像を同時に表示することを実現した両面発光型のＥＬ表示装置と、当該ＥＬ表示装置の製造方法と、ＥＬ表示装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
そこで、本発明者は、上記問題点を解決するために、以下の手段を有する本発明を想到した。
即ち、本発明のＥＬ表示装置においては、基板上に、単位画素内の複数のサブ画素毎に形成された第１及び第２画素電極と、当該第１及び第２画素電極に対向する対向電極と、前記第１及び第２画素電極と前記対向電極とによって挟持された発光機能層と、当該発光機能層を封止する封止部材とを具備し、前記第１及び第２画素電極と前記対向電極は、透明導電膜からなり、前記第１画素電極上には、前記発光機能層の出射光を前記封止部材側から取り出す封止側発光領域が形成され、前記第２画素電極上には、前記発光機能層の出射光を前記基板側から取り出す基板側発光領域が形成され、前記封止側発光領域における前記第１画素電極、及び前記基板側発光領域における前記対向電極の各々に隣接する遮光層が形成され、前記封止側発光領域及び前記基板側発光領域における発光機能層が各々独立して発光することを特徴としている。
【０００５】
ここで、封止側発光領域においては、第１画素電極と対向電極とによって挟持された発光機能層が発光すると、当該出射光は、遮光層が形成されている第１画素電極の側に出射することなく、対向電極と封止部材を透過して出射する。
一方、基板側発光領域においては、第２画素電極と対向電極とによって挟持された発光機能層が発光すると、当該出射光は、遮光層が形成されている対向電極の側に出射することなく、第２画素電極と基板を透過して出射する。
このような封止側発光領域及び基板側発光領域は、サブ画素毎に形成されていると共に、当該封止側発光領域及び基板側発光領域における発光機能層が各々独立して発光するので、サブ画素毎において封止部材側への発光と基板側への発光とを独立して行うことができる。
また、例えば単位画素内に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色で発光するサブ画素を備えている場合には、単位画素においてフルカラー表示を行うことができると共に、当該フルカラー表示を封止部材側と基板側とに各々異ならせて行うことができる。
【０００６】
このように、本発明においては、サブ画素毎に封止部材側への発光と基板側への発光とを独立させて行うことができるので、従来の両面発光型のＥＬ表示装置の問題を解決することができる。従来では、ＥＬ表示装置の反対側が透けて見えるために、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転し、当該表側と裏側とで同時に異なる画像表示を行うことができないという問題があった。これに対して、本発明は、封止側発光領域における第１画素電極と基板側発光領域における対向電極とに遮光層が形成され、更に封止側発光領域と基板側発光領域とにおいて独立して発光機能層が発光するので、ＥＬ表示装置の反対側が透けて見えることがなく、また、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転することもない。
また、封止側発光領域と基板側発光領域とにおいて独立して発光機能層が発光することから、各領域の輝度バランスを容易に調整することができ、各領域において情報量の変更も容易にできる。
【０００７】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記第１画素電極に形成された遮光層と、前記対向電極に形成された遮光層とのうち、少なくともいずれか一方は、光反射性を有していることを特徴としている。
このようにすれば、上記に記載したＥＬ表示装置と同様の効果が得られると共に、遮光層の光反射性によって、発光効率を向上させて高輝度の表示を実現できる。
具体的には、封止側発光領域における発光機能層の出射光は、対向電極と封止部材を透過して出射すると共に、第１画素電極に形成された光反射性の遮光層に反射した後に対向電極と封止部材を透過して出射する。
また、基板側発光領域における発光機能層の出射光は、第２画素電極と基板を透過して出射すると共に、対向電極に形成された光反射性の遮光層に反射した後に第２画素電極と基板を透過して出射する。
従って、遮光層が光反射性を有していることにより、封止側発光領域と基板側発光領域の各々において更に発光効率を向上させることができる。
【０００８】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記第１画素電極に形成された遮光層と、前記対向電極に形成された遮光層とのうち、少なくともいずれか一方は、光吸収性を有していることを特徴としている。
このようにすれば、上記に記載したＥＬ表示装置と同様の効果が得られると共に、光吸収性を備えた遮光層がブラックマトリクスとして機能し、コントラストの向上を図ることができる。
具体的には、基板側発光領域における対向電極に光吸収性の遮光層が形成されている場合では、当該遮光層が封止部材側から入射する外光を吸収するので、封止部材側に表示を行う画像のコントラストを向上することができる。また、当該遮光層により基板側から入射し発光層を透過する外光を吸収するので、偏向板等を付加することなく、基板側に表示を行う画像のコントラストを向上することができる。
また、封止側発光領域における第１画素電極に光吸収性の遮光層が形成されている場合では、当該遮光層が基板側から入射する外光を吸収するので、基板側に表示を行う画像のコントラストを向上することができる。また、当該遮光層により封止部材側から入射し発光層を透過する外光を吸収するので、偏向板等を付加することなく、封止部材側に表示を行う画像のコントラストを向上することができる。
従って、遮光層が光吸収性を有していることにより、封止側発光領域と基板側発光領域の各々において、コントラストを向上させた表示を行うことができる。
【０００９】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記第１及び第２画素電極の各々には、第１及び第２スイッチング素子が接続されており、当該第１及び第２スイッチング素子が駆動することによって前記発光機能層が発光することを特徴としている。
このようにすれば、第１及び第２スイッチング素子のスイッチング動作に応じて、発光機能層を発光させることができる。これにより、封止側発光領域と基板側発光領域との各々において、発光機能層を独立して発光させることができる。
【００１０】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記第１及び第２画素電極と、前記第１及び第２スイッチング素子との間には、平坦化層が形成されていることを特徴としている。
ここで、平坦化層とは、基板上に形成された第１及び第２スイッチング素子や、当該第１及び第２スイッチング素子に接続された配線等、の形状に起因する凹凸部や段差を埋設することで、平坦化を施す層膜である。また、当該平坦化層は、第１及び第２スイッチング素子と、第１及び第２画素電極と、の各々の電気的絶縁性を得るための層間絶縁層としても機能するものである。
このような平坦化層が第１及び第２画素電極と第１及び第２スイッチング素子との間に形成されることによって、第１及び第２画素電極を平坦面上に形成することができる。
また、平坦化膜が形成されることで、スイッチング素子の上方にも発光領域を形成できるので、当該スイッチング素子の上方に積極的に封止側発光領域を設けることができ、開口率が向上する。
【００１１】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記封止側発光領域において前記第１画素電極に形成された前記遮光層は、前記平坦化層を介して前記第１スイッチング素子と平面的に重なり合っていることを特徴としている。
本発明によれば、第１画素電極に形成された遮光層と、第１スイッチング素子とが平坦化層を介して平面的に重なり合っているので、基板側発光領域における出射光は、第２画素電極と基板を透過して出射する経路において、第１スイッチング素子によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
一方、従来においては、基板側に出射光を取り出す際に、スイッチング素子やアレイ配線等によって出射光が遮蔽されてしまい、取り出し効率の低下を招いていた。これに対し、本発明によればこのような問題を解決することができる。
【００１２】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子は、前記基板側発光領域を除く領域に形成されていることを特徴としている。
ここで、「基板側発光領域を除く領域」とは、例えば封止側発光領域や隔壁が形成されている領域を意味する。
このようにすれば、基板側発光領域における出射光は、第２画素電極と基板を透過して出射する経路において、第１スイッチング素子又は第２スイッチング素子によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
【００１３】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の各々は、容量素子に接続されており、当該容量素子は、前記封止側発光領域に重なり合っていることを特徴としている。
ここで、容量素子は、第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子におけるゲート電極とソース電極との間に絶縁膜が介在することで構成されていることが好ましい。
このようにすれば、基板側発光領域における出射光は、第２画素電極と基板を透過して出射する経路において、容量素子によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
【００１４】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の各々は、電源線に接続されており、当該電源線は、前記封止側発光領域に重なり合っていることを特徴としている。
本発明によれば、基板側発光領域における出射光が第２画素電極と基板とを透過して出射する経路において、電源線によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
【００１５】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記発光機能層を区画する隔壁が形成されており、当該隔壁は、前記平坦化層を介して前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子の少なくともいずれかと、平面的に重なり合っていることを特徴としている。
本発明によれば、基板側発光領域における出射光が第２画素電極と基板とを透過して出射する経路において、第１スイッチング素子や第２スイッチング素子によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
一方、従来においては、基板側に出射光を取り出す際に、スイッチング素子やアレイ配線等によって出射光が遮蔽されてしまい、取り出し効率の低下を招いていた。これに対し、本発明によればこのような問題を解決することができる。
【００１６】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記発光機能層は、前記封止側発光領域と前記基板側発光領域において共通に形成されていることを特徴としている。
このような発光機能層は、封止側発光領域と基板側発光領域とにおいて、共通に形成される。従って、封止側発光領域と基板側発光領域の各々に発光機能層を分けて形成する必要がないので、容易に発光機能層を形成できる。
【００１７】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記発光機能層は、前記封止側発光領域と前記基板側発光領域の各々に形成されていることを特徴としている。
本発明によれば、封止側発光領域と基板側発光領域との各々に独立して発光機能層が形成されるので、各発光領域において安定した膜厚で発光機能層を形成することができる。
【００１８】
また、本発明のＥＬ表示装置の製造方法においては、基板の上方に、第１及び第２スイッチング素子を形成する工程と、前記第１及び第２スイッチング素子の各々に接続する第１及び第２画素電極を形成する工程と、当該第１及び第２画素電極の上方に発光機能層を形成する工程と、前記第１及び第２画素電極に対向する対向電極を形成する工程と、前記発光機能層を封止する封止部材を形成する工程とを含み、前記第１及び第２画素電極と前記対向電極は透明導電膜からなり、前記封止側発光領域における前記第１画素電極、及び前記基板側発光領域における前記対向電極の各々に隣接する遮光層を形成し、前記第１画素電極上に、前記発光機能層の出射光を前記封止部材側から取り出す封止側発光領域を形成し、前記第２画素電極上に、前記発光機能層の出射光を前記基板側から取り出す基板側発光領域を形成することを特徴としている。
【００１９】
このような製造方法によって形成されたＥＬ表示装置においては、第１及び第２スイッチング素子のスイッチング動作に応じて、封止側発光領域及び基板側発光領域における発光機能層を各々独立して発光させることができる。
また、封止部材側への発光と基板側への発光とを独立させて行うことができるので、従来の両面発光型のＥＬ表示装置の問題を解決することができる。従来では、ＥＬ表示装置の反対側が透けて見えるために、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転し、当該表側と裏側とで同時に異なる画像表示を行うことができないという問題があった。これに対して、本発明は、封止側発光領域における第１画素電極と基板側発光領域における対向電極とに遮光層が形成され、更に封止側発光領域と基板側発光領域とにおいて独立して発光機能層が発光するので、ＥＬ表示装置の反対側が透けて見えることがなく、また、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転することもない。
また、封止側発光領域と基板側発光領域とにおいて独立して発光機能層が発光することから、各領域の輝度バランスを容易に調整することができ、各領域において情報量の変更も容易にできる。
【００２０】
また、本発明のＥＬ表示装置の製造方法においては、単位画素内の複数のサブ画素毎に前記第１及び第２画素電極を形成することを特徴としている。
このような封止側発光領域及び基板側発光領域は、サブ画素毎に形成されていると共に、当該封止側発光領域及び基板側発光領域における発光機能層が各々独立して発光するので、サブ画素毎において封止部材側への発光と基板側への発光とを独立して行うことができる。
【００２１】
また、本発明のＥＬ表示装置の製造方法においては、マスク蒸着法を利用することにより、前記基板側発光領域における前記対向電極に前記遮光層を形成することを特徴としている。
このようにすれば、対向電極上に遮光層を所定のマスクパターンに応じて蒸着して形成することができる。
【００２２】
また、本発明の電子機器においては、先に記載のＥＬ表示装置を表示部として具備することを特徴としている。
従って、本発明の電子機器としては、携帯電話機等の電子機器が挙げられる。このように電子機器の表示部に、本発明のＥＬ表示装置を採用することによって、表側及び裏側の両面で異なる画像を同時に表示できる表示部を備えた電子機器を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下では、本発明に係るＥＬ表示装置、及び電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、係る実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００２４】
（ＥＬ表示装置）
図１はＥＬ表示装置１の構成を模式的に示す平面図である。
本実施形態のＥＬ表示装置は、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたものであって、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下では、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式によって有機ＥＬ材料を発光駆動させるものである。
そして、特に本実施形態のＥＬ表示装置は、パネルの表側及び裏側から画像表示を行う両面発光型である。換言すれば、トップエミッション型とボトムエミッション型の表示を行う、所謂ダブルエミッション型である。
【００２５】
図１に示すようにＥＬ表示装置１は、電気絶縁性の基板２０上に、画素部３（図中一点鎖線枠内）と、当該画素部を被覆するカバー基板（後述）とを備えた構成となっている。
そして、画素部３においては、発光した出射光が基板２０を透過させて画像表示を行うと共に、カバー基板４６（後述）を透過させて画像表示を行うようになっている。
ここで、画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されており、実表示領域４には複数の画素が形成され、ダミー領域５の下層側には走査線駆動回路８０および検査回路９０が形成されている。
【００２６】
実表示領域４に形成された画素の各々には、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）のサブ画素が形成されており、当該ＲＧＢの各色サブ画素は、基板２０の側と、カバー基板４６の側の各々から発光するようになっている。また、ＲＧＢの各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。したがって表示を構成する最小要素となる表示領域を「サブ画素」、ＲＧＢの各色サブ画素から構成される表示領域を「画素」（単位画素）と称する。このような構成により、各サブ画素のＲＧＢの各色光が諧調されることで、画素毎にフルカラーの発光をダブルエミッション方式で行うようになっている。
なお、本実施形態においては、「サブ画素」を「サブピクセル」と称し、ＲＧＢの各色サブピクセルから構成される表示領域を「ピクセル」（単位画素）と称してもよい。
【００２７】
ダミー領域５の下層側に形成された走査線駆動回路８０は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備えており、実表示領域４のサブ画素毎に形成されたＴＦＴを動作駆動するようになっている。また、ダミー領域５の下層側に形成された検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する不図示の検査情報出力手段を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２８】
走査線駆動回路８０及び検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部及び駆動電圧導通部を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部及び駆動電圧導通部を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２９】
次に、図２〜図４を参照し、ＥＬ表示装置１の構成について詳細に説明する。
図２は、ＥＬ表示装置１の実表示領域４における一つのサブ画素の等価回路図である。
図３は、ＥＬ表示装置１の実表示領域４における一つのサブ画素を拡大視した拡大平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ´断面における断面図である。
【００３０】
図２の等価回路図に示すように、ＥＬ表示装置１は、スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型である。当該ＥＬ表示装置１は、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂと、当該走査線１０１Ｔ，１０１Ｂに対して直角に交差する方向に延びるデータ線１０２Ｔ，１０２Ｂと、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂに並列に延びる電源線１０３とが配線された構成を有する。これらの配線は、マトリクス状に配列されている複数のサブ画素Ｄの配列方向に延在している。即ち、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂは図中左右方向に延在し、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂ及び電源線１０３は、図中縦方向に延在している。本実施形態では、図２を参照して、サブ画素Ｄの一つ当たりの等価回路図を示しているが、マトリクス状に配列する複数のサブ画素Ｄは、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂ、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂ、電源線１０３に対して並列的に接続されている。
【００３１】
走査線１０１Ｔ，１０１Ｂには、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路２０１が接続されている。当該走査線駆動回路２０１は、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂの各々に対して、異なる走査信号を与えることが可能となっている。
また、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂには、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路２０２が接続されている。当該データ線駆動回路２０２は、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂの各々に対して、異なるデータ信号を与えることが可能となっている。
このように、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂやデータ線１０２Ｔ，１０２Ｂに信号を付与することが可能となっていることで、ＥＬ表示装置１は、後述するようにダブルエミッション方式の表示を行う。
【００３２】
また、サブ画素Ｄは、カバー基板４６の側に発光してトップエミッション表示を行う封止側発光領域７３と、基板２０の側に発光してボトムエミッション表示を行う基板側発光領域７４とを有している。
ここで、封止側発光領域７３においては、スイッチング用ＴＦＴ１２０と、駆動用ＴＦＴ（第１スイッチング素子）１２２によって、発光機能層１２（後述）が発光駆動する。
また、基板側発光領域７４においては、スイッチング用ＴＦＴ１２１と、駆動用ＴＦＴ（第２スイッチング素子）１２２によって、発光機能層１２が発光駆動する。
【００３３】
次に、各ＴＦＴの動作と、封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４における発光機能層１２の発光駆動について説明する。
まず、ＴＦＴ１２０において、走査線１０１Ｔを介して走査信号がゲート電極に供給されると、データ線１０２Ｔのデータ信号は、ＴＦＴ１２０のチャネルを介して、保持容量（容量素子）ＣＴに供給される。これにより、ＴＦＴ１２０のデータ信号は、保持容量ＣＴによって保持される。そして、ＴＦＴ１２０から供給されるデータ信号或いは保持容量ＣＴに保持されたデータ信号がＴＦＴ１２２のゲート電極に供給されると、電源線１０３の駆動電流は、ＴＦＴ１２２のチャネルを介して、画素電極から陰極に流れる。これにより、封止側発光領域７３において、画素電極と陰極とにより挟持された発光機能層１２は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００３４】
次に、ＴＦＴ１２１において、走査線１０１Ｂを介して走査信号がゲート電極に供給されると、データ線１０２Ｂのデータ信号は、ＴＦＴ１２１のチャネルを介して、保持容量（容量素子）ＣＢに供給される。これにより、ＴＦＴ１２１のデータ信号は、保持容量ＣＢによって保持される。そして、ＴＦＴ１２１から供給されるデータ信号或いは保持容量ＣＴに保持されたデータ信号がＴＦＴ１２３のゲート電極に供給されると、電源線１０３の駆動電流は、ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、画素電極から陰極に流れる。これにより、基板側発光領域７４において、画素電極と陰極とによって挟持された発光機能層１２は、これを流れる電流量に応じて発光する。
このようなＴＦＴ１２０，１２１，１２２，１２３の動作により、サブ画素Ｄは基板２０側及びカバー基板４６側の各々に向けて発光可能となっている。
【００３５】
次に、図３を参照して、サブ画素Ｄの平面図について説明する。
図３の平面図においては、サブ画素Ｄを構成する各種配線の積層構造を説明するために、当該各種配線を透過した図となっている。
また、図３に示す各構成要素は、基板２０上に形成されるものである。また、各構成要素（配線、ＴＦＴ、容量素子）の間には、層間絶縁膜が形成されており、電気的絶縁性が得られたものとなっている。また、層間絶縁膜には部分的にコンタクトホールが形成されており、各構成要素間を導通させている。
【００３６】
図３に示すように、ＥＬ表示装置１は、紙面左右方向にｎ番目のサブ画素Ｄ（ｎ）とｎ＋１番目のサブ画素Ｄ（ｎ＋１）が隣接した構造を有している。
また、ＥＬ表示装置１は、サブ画素Ｄ（ｎ），Ｄ（ｎ＋１）を跨ぐように、発光機能層１２の平面パターンとなる発光機能層領域１２ＡＲを有している。当該発光機能層領域１２ＡＲは、サブ画素Ｄ（ｎ）の基板側発光領域７４と、サブ画素Ｄ（ｎ＋１）の封止側発光領域７３とに対して、共通に形成されている。また、発光機能層領域１２ＡＲは、有機バンク２１の平面パターンとなるバンク領域（隔壁）２１ＡＲによって囲まれている。また、有機バンク領域２１ＡＲは、サブ画素Ｄ（ｎ），Ｄ（ｎ＋１）の各々の中央に形成されており、各サブ画素における封止側発光領域７３と基板側発光領域７４とを隔離させている。
【００３７】
なお、図３においては、バンク領域２１ＡＲは、紙面縦方向に延在すると共に、発光機能層領域１２ＡＲの両側に形成されているが、当該バンク領域２１ＡＲは、紙面左右方向にも延在して形成されているものである。従って、紙面縦方向及び左右方向に延在するバンク領域２１ＡＲによって、発光機能層領域１２ＡＲが囲まれて形成されている。
【００３８】
また、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４においては、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂは、サブ画素Ｄが隣接する方向に向けて延在し、当該封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４に重なっている。
これに対して、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂ、スイッチング用のＴＦＴ１２０，１２１、及び電源線１０３は、紙面縦方向に延在し、封止側発光領域７３のみに重なっている。また、ＴＦＴ１２０，１２１のチャネル領域は、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂに重なり合っており、当該走査線１０１Ｔ，１０１Ｂを、ＴＦＴ１２０，１２１のゲート電極としている。
【００３９】
また、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂは、複数の屈曲部Ｋを有している。このような屈曲部Ｋが形成されることにより、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂの両者が共に重なり合ったり、データ線１０２Ｔ，１０２ＢがＴＦＴ１２０，１２１に重なり合ったりすることがない。また、ＴＦＴ１２０，１２１と屈曲部Ｋとが重なる部分には、コンタクトホールＣが設けられており、データ線１０２Ｔと、ＴＦＴ１２０のソース領域とが電気的に接続され、データ線１０２Ｂと、ＴＦＴ１２１のソース領域とが電気的に接続されている。このような屈曲部Ｋが形成されることにより、封止側発光領域７３の面積内にデータ線１０２Ｔ，１０２ＢやＴＦＴ１２０，１２１を重ね合わせて集積することが可能となっている。
【００４０】
また、バンク領域２１ＡＲにおいては、これに重なるように駆動用のＴＦＴ１２２，１２３が配設されている。
ここで、ＴＦＴ１２２のドレイン領域４１Ｄ（後述）は、コンタクトホール４４ａ（後述）を介して、第１画素電極２３ａ（後述）に接続されている。また、ＴＦＴ１２３のドレイン領域となる高濃度不純物領域４１Ｄ（後述）は、コンタクトホール４４ａ（後述）を介して、第２画素電極２３ｂ（後述）に接続されている。
また、ＴＦＴ１２２のソース領域となる高濃度不純物領域４１Ｓ（後述）は、コンタクトホール４３ａ（後述）を介して、電源線１０３に接続されている。また、ＴＦＴ１２３のソース領域４１Ｓ（後述）は、コンタクトホール４３ａ（後述）を介して、電源線１０３に接続されている。
【００４１】
また、ＴＦＴ１２２のゲート電極４２は、ＴＦＴ１２０のドレイン電極と導通している。ここで、ＴＦＴ１２２のゲート電極４２の一部は、層間絶縁膜を介して電源線１０３と対向配置しており、先述の保持容量ＣＴを構成している。
また、ＴＦＴ１２３のゲート電極４２は、ＴＦＴ１２１のドレイン電極と導通している。ここで、ＴＦＴ１２３のゲート電極４２の一部は、層間絶縁膜を介して電源線１０３と対向配置しており、先述の保持容量ＣＢを構成している。従って、保持容量ＣＴ，ＣＢは、封止側発光領域７３に重なり合っている。
【００４２】
次に、図４を参照して、サブ画素Ｄの断面図について説明する。
図４に示すように、ＥＬ表示装置１は、基板２０とカバー基板（封止部材）４６との間に、ＴＦＴ素子部１１と、発光機能層１２と、封止部１３とを備えた構成となっている。また、当該ＥＬ表示装置１は、発光機能層１２の出射光を封止部１３に透過させてカバー基板４６の側から取り出す封止側発光領域７３と、発光機能層１２の出射光をＴＦＴ素子部１１に透過させて基板２０の側から取り出す基板側発光領域７４とを備え、封止側発光７３ａと基板側発光７４ａとを行うようになっている。
【００４３】
次に、ＥＬ表示装置１の各構成要素について詳述する。
基板２０は、基板側発光を行うための透明性基板からなる。透明性基板としては、ガラス基板や樹脂基板等が採用される。ガラス基板は、比較的耐熱性が高いことから、公知の半導体製造工程によってガラス基板上にＴＦＴを容易に形成することが可能となる。一方、樹脂基板は、可撓性を有していることから、フレキシブル性を備えたＥＬ表示装置１を実現するには適した材料である。
【００４４】
次に、基板２０上に形成されるＴＦＴ素子部１１について説明する。
ＴＦＴ素子部１１は、発光機能層１２をアクティブマトリクス駆動によって発光させるためのＴＦＴ１２２，１２３を有している。当該ＴＦＴ１２２、１２３の各々は、封止側発光と基板側発光とを各々行うためのスイッチング素子である。そして、当該２つのＴＦＴは、実表示領域４の各サブ画素Ｄ内に形成されている。また、ＴＦＴ１２２、１２３の近傍は、シリコン層４１、ゲート絶縁層８２、ゲート電極４２、層間絶縁膜８３、ソース電極４３（電源線１０３）、ドレイン電極４４、パッシベーション膜８４、及び平坦化層８５が順次積層された構成となっている。そして、平坦化層８５の表面には、後述する画素電極２３ａ、２３ｂが形成されている。
なお、本実施形態においては、基板２０上にシリコン層４１を形成した構成を採用したが、当該基板２０とシリコン層４１との間に下地保護層を形成してもよい。このような下地保護層は、基板２０からシリコン層４１に不純物が拡散するのを防止する、所謂バリア層として機能する層膜であり、その材料としては、ＳｉＯ２等の無機物を主体とする材料が採用される。
【００４５】
シリコン層４１は、半導体材料からなる半導体層であり、不純物が部分的にドーピングされることによって形成された高濃度不純物領域４１Ｓ、４１Ｄ及び低濃度不純物領域４１ｂ、４１ｃと、ゲート電極４２に対向する位置に形成されたチャネル領域４１ａと、を備える層膜である。ここで、高濃度不純物領域４１Ｓ、４１Ｄは、後述するように各々ソース電極４３、ドレイン電極４４に導通している。また、当該シリコン層４１は、下地保護層８１上に、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層を形成した後に、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させたポリシリコン層である。また、シリコン層４１は、基板２０の表面に部分的に形成されており、公知のフォトリソグラフィ法によってパターニングされることで、島状に形成されている。
なお、図４に示すシリコン層４１は、表示領域内に形成され、画素電極２３ａ、２３ｂに接続されるＴＦＴ１２２、１２３を構成するものであるが、図１に示した走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型及びＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）においても、基本構造はシリコン層４１と同様となっている。
【００４６】
ゲート絶縁層８２は、シリコン層４１の表面に形成されるものであり、ゲート電極４２との絶縁性を得るための層膜である。当該ゲート絶縁層８２は、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主成分とする材料からなり、プラズマＣＶＤ法や熱酸化法等の方法によって、約３０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚で形成されている。
【００４７】
ゲート電極４２は、ゲート絶縁層８２の表面全体にドープドシリコンやシリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜といった金属膜を形成した後に、フォトリソグラフィ法によってパターニングして形成されたものである。当該ゲート電極４２の膜厚は概ね５００ｎｍ程度である。
【００４８】
層間絶縁膜８３は、ゲート電極４２を埋設して平坦化すると共に、ゲート電極４２に対するソース電極４３及びドレイン電極４４の電気的絶縁性を得るための層膜である。このような層間絶縁膜８３は、スピンコート法等の塗布法や、ＣＶＤ等の気相成膜法によって形成される。ここで、塗布法を利用する場合では、ＳＯＧ膜等の無機材料やアクリル樹脂等の有機材料を溶媒と混合して塗布した後に、熱処理工程や焼成工程を施すことによって層間絶縁膜８３が形成される。また、気相成膜法を利用する場合では、ＳｉＯ２やＳｉＮ等によって層間絶縁膜８３が形成される。
【００４９】
ソース電極４３及びドレイン電極４４は、層間絶縁膜８３の表面に形成される層膜である。また、層間絶縁膜８３にはコンタクトホール４３ａ、４４ａが予め形成されており、当該ソース電極４３及びドレイン電極４４を形成することで、高濃度不純物領域４１Ｓ、４１Ｄの各々にソース電極４３及びドレイン電極４４が接続するようになっている。
ソース電極４３及びドレイン電極４４の形成方法としては、層間絶縁膜８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタル等の金属膜を２００ｎｍ〜８００ｎｍ程度の膜厚で形成した後に、ソース電極４３及びドレイン電極４４が形成されるべき領域を覆うようにエッチング用マスクを形成し、その後、金属膜をエッチングすることで、ソース電極４３及びドレイン電極４４を形成する。
【００５０】
パッシベーション膜８４は、ＳｉＮ等の材料を用いて、ＣＶＤ等の気相成膜法によって形成される層膜である。当該パッシベーション膜８４は、水分を遮蔽する機能を有しており、後述する平坦化層８５を形成する際に溶剤等に含まれる水分がＴＦＴ１２２、１２３の側に侵入するのを抑制している。
【００５１】
平坦化層８５は、ソース電極４３及びドレイン電極４４を形成することによって生じたパッシベーション膜８４の凹凸部を埋設して平坦化を施すための層膜である。これにより、平坦化層８５の表面、即ち、画素電極２３ａ、２３ｂの形成面が平坦化される。また、当該平坦化層８５は、層間絶縁層としても機能する層膜である。
【００５２】
このような平坦化層８５の形成方法としては、アクリル樹脂を含有した液体材料をスピンコート法により塗布した後に、熱処理によりキュアを施すことにより行われる。ここで、スピンコート法を施すことにより、ソース電極４３及びドレイン電極４４の形状に起因する凹凸部が埋設されて平坦化が行われる。
【００５３】
このような平坦化層８５の面上には、画素電極２３ａ、２３ｂが形成されると共に、平坦化層８５を貫通するようにコンタクトホールが形成され、当該コンタクトホールに埋設された配線を介して、画素電極２３ａ、２３ｂとドレイン電極４４とが接続されている。即ち、画素電極２３ａ、２３ｂは、ドレイン電極４４を介して、シリコン層４１の高濃度不純物領域４１Ｄに電気的に接続されている。
【００５４】
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、即ち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３ａ、２３ｂと接続されていない点を除いて上記ＴＦＴ１２２、１２３と同様の構造であり、同一のプロセスで形成される。
【００５５】
次に、ＴＦＴ素子部１１上に形成される画素電極２３ａ、２３ｂと、発光機能層１２と、陰極（対向電極）５０と、について説明する。
画素電極２３ａ、２３ｂの各々は、封止側発光領域７３に対応する第１画素電極と、基板側発光領域７４に対応する第２画素電極である。当該第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide（登録商標））（出光興産社製）等の透明性金属等によって形成され、これらの材料の単層構造や２層構造が好適に採用される。
【００５６】
また、第１画素電極２３ａと平坦化層８５との間には、光反射性を有する遮光層７１が形成されている。当該遮光層７１は、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属膜によって形成されたものである。また、当該遮光層７１とＴＦＴ１２２とは、平坦化層８５を介して平面的に重なり合っている。換言すれば、カバー基板４６側から見て、遮光層７１がＴＦＴ１２２を被覆するようになっている。また、ＴＦＴ１２２は、基板側発光領域７４にはみ出ていない構成となっている。これにより、基板側発光領域７４における出射光がＴＦＴ１２２を透過することがない。
なお、本実施形態においては、遮光層７１は光反射性を有するものとなっているが、遮光層７１の変形例として光吸収性を有していてもよい。この場合、顔料分散樹脂によって遮光層７１が形成されることが好ましい。
また、本実施形態においては、遮光層７１とＴＦＴ１２２とが平面的に重なり合っているが、遮光層７１とＴＦＴ１２３とが平面的に重なり合ってもよい。
また、本実施形態において、「重なり合っている」とは、両者が完全に一致して重なり合っている状態や、両者の各々の少なくとも一部分が重なり合っている状態を含むことを意味している。
【００５７】
また、画素電極２３ａ、２３ｂ上には、発光機能層１２と陰極５０とが形成されている。当該発光機能層１２は、正孔注入／輸送層７０及び有機ＥＬ層６０によって構成されている。
正孔注入／輸送層７０は、形成材料として。例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、又はそれらのドーピング体等を用いて形成された層膜である。具体的には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いて正孔注入／輸送層７０を形成することができる。
【００５８】
有機ＥＬ層６０は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が採用される。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。また、有機ＥＬ層６０の膜厚は、１００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００５９】
また、本実施形態のＥＬ表示装置１は、カラー表示を行うべく有機ＥＬ層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。例えば、有機ＥＬ層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用有機ＥＬ層６０Ｒ、緑色に対応した緑色用有機ＥＬ層６０Ｇ、青色に対応した青色用有機ＥＬ層６０Ｂとをそれぞれに対応するサブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これらサブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素が構成されている。
【００６０】
このような正孔注入／輸送層７０及び有機ＥＬ層６０は、サブ画素Ｄ（ｎ＋１）の封止側発光領域７３と、サブ画素Ｄ（ｎ）の基板側発光領域７４において共通に形成されたものであり、複数のサブ画素の各々を区画する有機バンク（隔壁）２１に囲まれた発光機能層領域１２ＡＲとして形成されたものである（図３参照）。
【００６１】
更に、有機バンク２１と平坦化層８５の間、又は第１画素電極２３ａと第２画素電極２３ｂとの間には、親液性制御層２５が形成されている。
親液性制御層２５は、例えばＳｉＯ２などの親液性材料を主体として形成されたものであって、画素電極２３ａ、２３ｂの上方において、正孔注入／輸送層７０及び有機ＥＬ層６０の各々を濡れ広がせるものである。また、当該親液性制御層２５は、親液性を付与するためたけでなく、第１画素電極２３ａと第２画素電極２３ｂの間に形成されている。これにより、遮光層７１が形成されることで生じる段差部に親液性制御層２５が形成されるので、当該段差部における電流集中や短絡を防ぐようになっている。
【００６２】
有機バンク２１は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などからなるものであって、その表面は親液性制御層２５よりも高い撥液性を有している。そして、画素電極２３ａ、２３ｂには親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、及び有機バンク２１に設けられた開口部２１ａの開口内部に、正孔注入／輸送層７０と、有機ＥＬ層６０とが画素電極２３ａ、２３ｂ側からこの順で積層されている。
また、有機バンク２１は、平坦化層８５を介してＴＦＴ１２２、１２３と平面的に重なり合っており、換言すれば、カバー基板４６側から見て、有機バンク２１がＴＦＴ１２２、１２３を被覆するようになっている。また、ＴＦＴ１２２、１２３は、封止側発光領域７３にはみ出ていない構成となっている。
なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２１を構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
【００６３】
なお、本実施形態においては、発光機能層１２は、正孔注入／輸送層７０と有機ＥＬ層６０とからなる２層構造を採用したが、有機ＥＬ層６０上に電子注入層を形成した３層構造を採用してもよい。
この場合、電子注入層を形成するための材料としては、例えばバソクプロインとセシウムの共蒸着膜が好適に採用される。バソクプロインとセシウムの共蒸着膜は、バソクプロインとセシウムを蒸発源とする共蒸着法により形成される。
また、このような材料以外にも、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属のハロゲン化物あるいは酸化物を含む材料を採用してもよい。アルカリ金属としては例えばＬｉ、Ｎａ、Ｃｓが用いられ、アルカリ土類金属としては例えばＣａ、Ｂａ、Ｓｒが用いられ、希土類金属としては例えばＳｍ、Ｔｂ、Ｅｒが用いられる。これら金属は、特にフッ化物として用いられ形成されているのが好ましいが、これ以外のハロゲン化物、すなわち塩化物や臭化物としてもよく、また、酸化物としてもよい。このような電子注入層Ｂの形成材料となる化合物において、ＬｉＦなど蒸着が可能なものについては、その化合物を溶媒トラップ法もしくはコールドトラップ法によるガス中蒸着法などにより、粒径が１μｍ以下の超微粒子に製造することが可能である（例えば「分散・凝集の解明と応用技術，（１９９２），Ｐ．３０」参照）。したがって、この超微粒子を分散媒中に均一に分散させて分散液（コロイド）とすることにより、液滴吐出法での塗布、すなわち液相プロセスでの成膜が可能となる。
【００６４】
陰極５０は、発光機能層１２の上方、及び有機バンク２１の上方に形成される電極である。
当該陰極５０は、図１に示す実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されている。陰極５０を形成するための材料としては、電子注入効果の大きい材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。また、これらの材料だけでは、電気抵抗が大きく電極として機能しないため、アルミニウムや金、銀、銅などの金属層やＩＴＯ、酸化錫などの金属酸化物導電層との積層体と組み合わせて用いてもよい。なお、本実施形態では、フッ化リチウムとマグネシウム金属、ＩＴＯの積層体を、透明性が得られる膜厚に調整して用いるものとする。
【００６５】
また、陰極５０には遮光層７２が形成されている。
当該遮光層７２は、光反射性を有しており、基板側発光領域７４の領域内と有機バンク２１の上方に形成されている。このような遮光層７２を構成する材料としては、先述の遮光層７１と同様に、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属膜が採用される。また、当該遮光層７２は、基板側発光領域７４と有機バンクを限定して形成されたものであって、封止側発光領域７３にははみ出ていない構成となっている。
また、先述の封止側発光領域７３内に形成された遮光層７１と、基板側発光領域７４内の形成された遮光層７２との平面的な位置関係について説明すると、遮光層７１の端部と遮光層７２の端部とが一致している、もしくは、遮光層７１の一部分と、遮光層７２の一部分とが重なるように形成されている。これにより、ＥＬ表示装置１の非発光状態では、封止側から見ても基板側から見ても、実表示領域４の全面が遮光層で覆われた状態となり、表裏光抜けが生じることがない。
また、ＥＬ表示装置１の発光状態においては、封止側発光領域７３で発光した出射光は封止側発光領域７３のみに出射され、基板側発光領域７４で発光した出射光は基板側発光領域７４のみに出射される。
なお、本実施形態においては、遮光層７２は光反射性を有するものとなっているが、遮光層７２の変形例として光吸収性を有していてもよい。この場合、顔料分散樹脂によって遮光層７２が形成されることが好ましい。
【００６６】
次に、陰極５０の上方に形成される封止部１３について説明する。
封止部１３は、陰極５０とカバー基板４６との間に形成されるものであり、陰極５０側から透明保護膜４５Ａと接着層４５Ｂとが順次積層されて構成されている。更に、接着層４５Ｂの上方には、カバー基板４６が設けられている。
透明保護膜４５Ａは、出射光を遮蔽することなく透過させると共に、ＥＬ表示装置１の外部から侵入する水分や酸素に対するガスバリア性を備えた部材である。この透明保護膜４５Ａの材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）等が採用される。なお、窒化シリコンを採用する場合には、透明性を有する程度に薄膜化する必要がある。
接着層４５Ｂは、透明保護膜４５Ａにカバー基板４６を接着すると共に、カバー基板４６の外部からの衝撃を緩衝する緩衝材としての機能を有するものである。
カバー基板４６は、基板側発光を行うための透明性基板からなる。透明性基板としては、ガラス基板や樹脂基板等が採用される。また、電気絶縁性を有することが好ましい。
【００６７】
次に、このように構成されたＥＬ表示装置１の動作について説明する。
不図示のゲート配線からゲート電極４２に電位が付与されると、ゲート電極４２の近傍で生じる電界の作用によってソース電極４３からドレイン電極４４に電流が流れる。即ち、これによってＴＦＴ１２２、１２３のオン・オフ状態が決まる。
ここで、ＴＦＴ１２２がオン状態となる場合では、陰極５０と第１画素電極２３ａとの間に電流が流れ、有機ＥＬ層６０において電子と正孔が結合することで出射光が生じる。また、その電流量によって発光強度が制御される。そして、出射光は、遮光層７１が形成されている第１画素電極２３ａの側に出射することなく、陰極５０とカバー基板４６を透過し、封止側発光領域７３から出射する。また、遮光層７１は光反射性を有しているので、第１画素電極２３ａの側に発光した出射光は、遮光層７１によって反射され、カバー基板４６を透過して封止側発光領域７３から出射する。このように、ＴＦＴ１２２のスイッチング状態によって、封止側発光領域７３における発光が制御される。
【００６８】
一方、ＴＦＴ１２３がオン状態となる場合では、陰極５０と第２画素電極２３ｂとの間に電流が流れ、有機ＥＬ層６０において電子と正孔が結合することで出射光が生じる。また、その電流量によって発光強度が制御される。そして、出射光は、遮光層７２が形成されている陰極５０の側に出射することなく、第２画素電極２３ｂと基板２０を透過し、基板側発光領域７４から出射する。また、遮光層７２は光反射性を有しているので、陰極５０の側に発光した出射光は、遮光層７２によって反射され、基板２０を透過して基板側発光領域７４から出射する。このように、ＴＦＴ１２３のスイッチング状態によって、基板側発光領域７４における発光が制御される。
【００６９】
このように本実施形態のＥＬ表示装置１においては、ＴＦＴ１２２、１２３の各々が独立に駆動することによって、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４とにおいて独立して発光させるようになっている。即ち、ＴＦＴ１２２、１２３を別々に駆動させて、ＥＬ表示装置１の表面側と裏面側で異なる表示を同時に行うことが可能となる。
また、当該封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４は、サブ画素毎に形成され、各サブ画素がＲ、Ｇ、Ｂの各色を発光するので、ＥＬ表示装置１の両面においてフルカラー表示が行われる。
【００７０】
上述したように、本実施形態のＥＬ表示装置１においては、封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４は、サブ画素毎に形成されていると共に、当該封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４における発光機能層１２が各々独立して発光するので、サブ画素毎においてカバー基板４６側への発光と基板２０側への発光とを独立して行うことができる。
また、例えば単位画素内に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色で発光するサブ画素を備えている場合には、単位画素においてフルカラー表示を行うことができると共に、当該フルカラー表示をカバー基板４６側と基板２０側とに各々異ならせて行うことができる。
【００７１】
このように、本実施形態においては、サブ画素毎にカバー基板４６側への発光と基板２０側への発光とを独立させて行うことができるので、従来の両面発光型のＥＬ表示装置の問題を解決することができる。従来では、ＥＬ表示装置の反対側が透けて見えるために、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転し、当該表側と裏側とで同時に異なる画像表示を行うことができないという問題があった。これに対して、本発明は、封止側発光領域７３における第１画素電極２３ａと基板側発光領域７４における陰極５０とに遮光層７１、７２が形成され、更に封止側発光領域７３と基板側発光領域７４とにおいて独立して発光機能層１２が発光するので、ＥＬ表示装置１の反対側が透けて見えることがなく、また、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転することもない。
また、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４とにおいて独立して発光機能層１２が発光することから、各領域７３、７４の輝度バランスを容易に調整することができ、各領域７３、７４において情報量の変更も容易にできる。
【００７２】
また、第１画素電極２３ａに形成された遮光層７１と、陰極５０に形成された遮光層７２とは、光反射性を有しているので、発光効率を向上させて高輝度の表示を実現できる。
具体的には、封止側発光領域７３における発光機能層１２の出射光は、陰極５０とカバー基板４６を透過して出射すると共に、第１画素電極２３ａに形成された光反射性の遮光層７１に反射した後に陰極５０と封止部材を透過して出射する。また、基板側発光領域７４における発光機能層１２の出射光は、第２画素電極２３ｂと基板２０を透過して出射すると共に、陰極５０に形成された光反射性の遮光層７２に反射した後に第２画素電極２３ｂと基板２０を透過して出射する。従って、遮光層が光反射性を有していることにより、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４の各々において更に発光効率を向上させることができる。
【００７３】
また、ＥＬ表示装置１においては、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの各々には、ＴＦＴ１２２とＴＦＴ１２３とが接続されており、当該ＴＦＴ１２２、１２３が駆動することによって発光機能層１２を発光させることができる。これにより、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４との各々において、発光機能層１２を独立して発光させることができる。
【００７４】
また、ＥＬ表示装置１においては、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂと、ＴＦＴ１２２、１２３との間に、平坦化層８５が形成されているので、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂを平坦面上に形成することができる。
また、平坦化膜８５が形成されることで、ＴＦＴ１２２、１２３の上方にも発光領域を形成できるので、当該ＴＦＴ１２２の上方に積極的に封止側発光領域７３を設けることができ、開口率が向上する。
【００７５】
また、ＥＬ表示装置１においては、封止側発光領域７３において第１画素電極２３ａに形成された遮光層７１は、平坦化層８５を介してＴＦＴ１２２と平面的に重なり合っているので、基板側発光領域７４における出射光は、第２画素電極２３ｂと基板２０を透過して出射する経路において、ＴＦＴ１２２によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域７４における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
一方、従来においては、基板側に出射光を取り出す際に、スイッチング素子やアレイ配線等によって出射光が遮蔽されてしまい、取り出し効率の低下を招いていた。これに対し、本実施形態によればこのような問題を解決することができる。
【００７６】
また、ＥＬ表示装置１においては、有機バンク２１が形成されており、当該有機バンク２１は平坦化層８５を介してＴＦＴ１２２、１２３と平面的に重なり合っているので、基板側発光領域７４における出射光は、第２画素電極２３ｂと基板２０を透過して出射する経路において、ＴＦＴ１２３によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域７４における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
一方、従来においては、基板２０側に出射光を取り出す際に、スイッチング素子やアレイ配線等によって出射光が遮蔽されてしまい、取り出し効率の低下を招いていた。これに対し、本実施形態によればこのような問題を解決することができる。
【００７７】
また、ＥＬ表示装置１においては、発光機能層１２は、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４において共通に形成されている。これにより、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４の各々に発光機能層１２を分けて形成する必要がないので、容易に発光機能層１２を形成できる。
【００７８】
また、ＥＬ表示装置１においては、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂ、電源線１０３、ＴＦＴ１２０，１２１、保持容量ＣＴ，ＣＢが基板発光領域７４に形成されていないので、基板側発光７４ａが遮蔽されるのを抑制できる。従って、出射光の取り出し効率を向上させることができる。
また、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂ、電源線１０３、ＴＦＴ１２０，１２１、保持容量ＣＴ，ＣＢは、封止側発光領域７３やバンク領域２１に形成されているので、出射光の遮蔽に寄与しない部分に形成することができる。
【００７９】
（ＥＬ表示装置の変形例１）
次に、ＥＬ表示装置の変形例１について説明する。
ここでは、上記のＥＬ表示装置１と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化している。
先に記載したＥＬ表示装置１においては、遮光層７１、７２が光反射性を有していたが、本変形例においては、当該遮光層７１、７２が光吸収性を有している。
【００８０】
このような構成を有するＥＬ表示装置１において、基板側発光領域７４における陰極５０に光吸収性の遮光層７２が形成されている場合では、当該遮光層７２がカバー基板４６側から入射する外光を吸収するので、カバー基板４６側に表示を行う画像のコントラストを向上することができる。
また、封止側発光領域７３における第１画素電極２３ａに光吸収性の遮光層７１が形成されている場合では、当該遮光層７１が基板２０側から入射する外光を吸収するので、基板２０側に表示を行う画像のコントラストを向上することができる。
従って、遮光層７１、７２が光吸収性を有していることにより、ブラックマトリクスとして機能するので、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４の各々において、コントラストを向上させた表示を行うことができる。
【００８１】
（ＥＬ表示装置の変形例２）
次に、ＥＬ表示装置の変形例２について説明する。
ここでは、上記のＥＬ表示装置１と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化している。
先に記載したＥＬ表示装置１においては、発光機能層１２がサブ画素毎に共通に形成されていたが、本変形例においては、前記封止側発光領域７３と前記基板側発光領域７４の各々に発光機能層１２が形成されている。
【００８２】
このような構成を有するＥＬ表示装置１においては、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４との各々に独立して発光機能層１２が形成されるので、各発光領域において安定した膜厚で発光機能層１２を形成することができる。
【００８３】
なお、上記のＥＬ表示装置１においては、サブ画素内に封止側発光領域７３と基板側発光領域７４とを備えた構成を採用したが、当該サブ画素内に形成することに限定せずに、ＥＬ表示装置のパネル部に、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４を備えた構成を採用してもよい。このようにすれば、パネル部の封止側発光領域７３において、カバー基板４６側に画像を表示することが可能となり、パネル部の基板側発光領域７４において、基板２０側に画像を表示することが可能となる。また、当該封止側発光領域７３と基板側発光領域７４は、各々独立して異なる画像を表示することができる。
【００８４】
（ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、図５〜図７を参照して、上記のＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。
図５〜図７は、上記の図２に対応する図面であって、ＥＬ表示装置１の実表示領域４における一つのサブ画素を拡大視した拡大断面図である。
【００８５】
まず、図５（ａ）に示すように、基板２０上にＴＦＴ１２２、１２３を形成する（第１及び第２スイッチング素子を形成する工程）。当該工程においては、公知の半導体製造工程を利用することで行われる。
更に、ＴＦＴ１２２、１２３の上方に層間絶縁膜８３を形成した後に、コンタクトホール４３ａ、４４ａを形成し、ソース電極４３及びドレイン電極４４を形成する。更に、パッシベーション膜８４を全面に形成した後に、ドレイン電極４４の一部を露出させる。当該吐出部分は、後に画素電極２３ａ、２３ｂと接触接合される部位である。
【００８６】
次に、図５（ｂ）に示すように、平坦化層８５を形成した後に、ドレイン電極４４の露出部分に対応させてコンタクトホール８５ａを形成する。
このような平坦化層８５は、スピンコート法等の塗布法によって塗布された後に、熱処理工程やキュア工程によって形成された層膜である。また、平坦化層８５を構成する具体的な材料としては、有機材料を主成分として含む材料が採用され、その中でも、例えば、アクリル樹脂膜を採用することが好ましい。なお、アクリル樹脂以外にも、他の有機材料としてポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂（以下、ＢＣＢ樹脂と称す）等を採用してもよい。
【００８７】
次に、図５（ｃ）に示すように、遮光層７１を形成する（封止側発光領域における第１画素電極に隣接する遮光層を形成）。
当該遮光層７１は、後に形成される第１画素電極２３ａの下層に位置する層膜であり、封止側発光領域７３に形成されるものである。また、当該遮光層７１は、光反射性又は光吸収性のいずれかの性質を有している。当該遮光層７１が光反射性を有している場合には、反射光を利用して封止側発光領域において出射させることができるので、発光効率の向上を図ることができる。また、当該遮光層７１が光吸収性を有している場合には、ブラックマトリクスとして機能するので、コントラストの向上が実現できる。
ここで、光反射性を有する場合には、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属膜を平坦化層８５の全面に形成した後に、フォトリソグラフィ技術やパターニング技術によって、所定のパターンに形成される。
また、光吸収性を有する場合には、顔料分散樹脂を含有する液体材料を平坦化層８５の全面に塗布形成した後に、キュア等の工程を経て、フォトリソグラフィ技術やパターニング技術によって、所定のパターンに形成される。
【００８８】
次に、図５（ｄ）に示すように、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂを形成する（第１及び第２スイッチング素子の各々に接続する第１及び第２画素電極を形成する工程）。
これにより、平坦化層８５のコンタクトホール８５ａを介して第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの各々が、ＴＦＴ１２２、１２３のドレイン電極４４に接触して導通状態となる。また、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂは、上記のようにＩＴＯ等の透明性導電膜を利用して形成される。更に、フォトリソグラフィ技術やパターニング技術によって、所定のパターンに形成される。
このような第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂは、サブ画素毎に形成される。これにより、各サブ画素内において、封止側発光と基板側発光とを行うことが可能となる。
【００８９】
次に、図６（ａ）に示すように、親液性制御層２５を形成する。
当該工程においては、第１画素電極２３ａと第２画素電極２３ｂとの間に形成される。当該親液性制御層２５は、ＳｉＯ２などの親液性材料を主体として形成されたものであって、画素電極２３ａ、２３ｂの上方において、正孔注入／輸送層７０及び有機ＥＬ層６０の各々を濡れ広がせるものである。また、当該親液性制御層２５は、親液性を付与するためたけでなく、第１画素電極２３ａと第２画素電極２３ｂの間に形成されることで、遮光層７１が形成されることで生じる段差部に親液性制御層２５が形成されることとなり、当該段差部における電流集中や短絡を防ぐようになる。
【００９０】
次に、図６（ｂ）に示すように、有機バンク２１を形成する。
当該工程においては、スピンコート法等の塗布法を利用して行われる。具体的には、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料を溶剤に溶解させて当該溶液を塗布した後に、キュアを行って硬化する。更に、レジスト塗布後にフォトリソグラフィ技術によってレジストを部分的に除去した後に、レジスト開口部の樹脂材料を除去することで、有機バンク２１が残留して形成される。なお、有機バンク２１の材料として、感光性の樹脂材料を採用すれば、レジスト塗布工程は不要になる。
【００９１】
次に、図６（ｃ）に示すように、発光機能層１２を形成する（第１及び第２画素電極の上方に発光機能層を形成する工程）。
当該発光機能層１２を構成する正孔注入／輸送層７０及び有機ＥＬ層６０の形成方法としては、液体吐出法が好適に用いられる。当該液体吐出法においては、各種材料を好適な溶媒に溶解させた液体材料を微細な領域に正確に吐出して定着させることができるので、フォトリソグラフィが不要になり、材料の無駄が発生せず、製造コストの低減が可能になる。
【００９２】
次に、図７（ａ）に示すように、陰極５０を形成する（第１及び第２画素電極に対向する対向電極を形成する工程）。
当該陰極５０の形成方法としては、蒸着法が利用される。当該蒸着法を利用することにより、有機ＥＬ層６０や有機バンク２１を含む実表示領域４の全面に陰極５０が形成される。
なお、本実施形態においては、有機ＥＬ層６０上に陰極５０を形成しているが、有機ＥＬ層６０と陰極５０との間に電子注入層を形成してもよい。当該電子注入層を形成するには、マスク蒸着法が用いられる。
【００９３】
次に、図７（ｂ）に示すように、遮光層７２を形成する（基板側発光領域における対向電極の各々に隣接する遮光層を形成）。
当該遮光層７２の形成方法としては、マスク蒸着法が利用される。当該蒸着法を利用することにより、所定の部位にみに遮光層７２を形成することが可能となる。
また、遮光層７２は、基板側発光領域７４に形成されるものである。また、当該遮光層７２は、光反射性又は光吸収性のいずれかの性質を有している。当該遮光層７２が光反射性を有している場合には、反射光を利用して基板側発光領域において出射させることができるので、発光効率の向上を図ることができる。また、当該遮光層７２が光吸収性を有している場合には、ブラックマトリクスとして機能するので、コントラストの向上が実現できる。
ここで、光反射性を有する場合には、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属膜を平坦化層８５の全面に形成した後に、フォトリソグラフィ技術やパターニング技術によって、所定のパターンに形成される。
また、光吸収性を有する場合には、顔料分散樹脂を含有する液体材料を平坦化層８５の全面に塗布形成した後に、キュア等の工程を経て、フォトリソグラフィ技術やパターニング技術によって、所定のパターンに形成される。
【００９４】
更に、図１に示すように、遮光層７２を含み陰極５０の上方に透明保護膜４５Ａを形成する。透明保護膜４５Ａの材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）等が採用される。なお、窒化シリコンを採用する場合には、透明性を有する程度に薄膜化する必要がある。
また、透明保護膜４５Ａの上方に接着層４５Ｂを配置して、カバー基板４６を貼り合わせる（発光機能層を封止する封止部材を形成する工程）ことによって、ＥＬ表示装置１が完成となる。
このように形成されたＥＬ表示装置１は、サブ画素内に封止側発光領域７３と基板側発光領域７４とを備え、両面発光が可能な所謂ダブルエミッション型のＥＬ表示装置となる。
【００９５】
上述したように、本実施形態のＥＬ表示装置１の製造方法においては、上記のＥＬ表示装置を製造することができるので、同様の効果が得られる。
特に、サブ画素毎に第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂを形成し、封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４を形成しているので、当該領域７３、７４における発光機能層１２が各々独立して発光させることができる。
また、マスク蒸着法を利用することにより、基板側発光領域７３における陰極５０に遮光層７２を形成しているので、当該遮光層７２を所定のマスクパターンに応じて蒸着して形成することができる。
【００９６】
（電子機器）
次に、図８及び図９を参照して、本発明に係る電子機器について説明する。本発明の電子機器の一実施形態たる携帯電話１０００は、図８に示す折り畳み状態と、図９に示す使用状態とを備えた折り畳み式の携帯電話であって、本体部１００１と、表示体部１００２とを有している。
【００９７】
表示体部１００２の内部には、上記の実施形態のＥＬ表示装置１が配置され、表示体部１００２にて表側表示面１００３と、裏側表示面１００４にて表示画面を視認できるように構成されている。このような携帯電話１０００によると、各種操作や各種状況に応じて、特に折り畳み状態と使用状態の状態変化に応じて、表側表示面１００３及び／又は裏側表示面１００４において、明るい表示画面を視認することができるようになる。
【００９８】
なお、本実施形態においては、折り畳み式の携帯電話を例示して説明したが、他の電子機器の表示部においても、表面発光型のＥＬ表示装置を適用することができる。
なお、本発明のＥＬ表示装置、及び電子機器は、先に示した形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を加えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明のＥＬ表示装置の構成を模式的に示す平面図。
【図２】本発明のＥＬ表示装置におけるサブ画素の等価回路図。
【図３】本発明のＥＬ表示装置におけるサブ画素の拡大平面図。
【図４】本発明のＥＬ表示装置におけるサブ画素の拡大断面図。
【図５】本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明するために図。
【図６】本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明するために図。
【図７】本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明するために図。
【図８】本発明の電子機器を示す斜視図。
【図９】本発明の電子機器を示す斜視図。
【符号の説明】
【０１００】
１ ＥＬ表示装置、 １２ 発光機能層、 １２ＡＲ 発光機能層領域（発光層）、 ２０ 基板、 ２１ 有機バンク（隔壁）、 ２１ＡＲ バンク領域（隔壁）、 ２３ａ 第１画素電極、 ２３ｂ 第２画素電極、 ４６ カバー基板（封止部材）、 ５０ 陰極（対向電極）、 ６０ 有機ＥＬ層（発光機能層）、 ７０ 正孔注入／輸送層（発光機能層）、 ７１、７２ 遮光層、 ７３ 封止側発光領域、７４ 基板側発光領域、 ８５ 平坦化層、 １２２ ＴＦＴ（第１スイッチング素子）、 １２３ ＴＦＴ（第２スイッチング素子）、 １０００ 携帯電話（電子機器）、 ＣＴ，ＣＢ 保持容量（容量素子）、 Ｄ サブ画素。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ表示装置、ＥＬ表示装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、エレクトロルミネッセンス装置（以下、ＥＬ表示装置と称する。）においては、陰極、陽極の両方を透明電極として両側に発光させる、所謂両面発光型が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−３３２３９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記特許文献のＥＬ表示装置においては、ＥＬ表示装置の反対側が透けて見えるために、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転し、当該表側と裏側とで同時に異なる画像表示を行うことができないという問題があった。
また、当該文献においては、平坦化を用いたトップエミッション構造を有しておらず、マトリクス型のパネルにおいてはアレイ配線によって出射光の取り出し効率が低下するという問題もあった。
更には、表側と裏側の輝度のバランスを調整できない問題や、両面で発光領域が同じパネルでは情報量の変更ができないという問題もあった。
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、表側と裏側で異なる画像を同時に表示することを実現した両面発光型のＥＬ表示装置と、当該ＥＬ表示装置の製造方法と、ＥＬ表示装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
そこで、本発明者は、上記問題点を解決するために、以下の手段を有する本発明を想到した。
即ち、本発明のＥＬ表示装置においては、基板上に、単位画素内の複数のサブ画素毎に形成された第１及び第２画素電極と、当該第１及び第２画素電極に対向する対向電極と、前記第１及び第２画素電極と前記対向電極とによって挟持された発光機能層と、当該発光機能層を封止する封止部材とを具備し、前記第１及び第２画素電極と前記対向電極は、透明導電膜からなり、前記第１画素電極上には、前記発光機能層の出射光を前記封止部材側から取り出す封止側発光領域が形成され、前記第２画素電極上には、前記発光機能層の出射光を前記基板側から取り出す基板側発光領域が形成され、前記封止側発光領域における前記第１画素電極、及び前記基板側発光領域における前記対向電極の各々に隣接する遮光層が形成され、前記封止側発光領域及び前記基板側発光領域における発光機能層が各々独立して発光することを特徴としている。
【０００５】
ここで、封止側発光領域においては、第１画素電極と対向電極とによって挟持された発光機能層が発光すると、当該出射光は、遮光層が形成されている第１画素電極の側に出射することなく、対向電極と封止部材を透過して出射する。
一方、基板側発光領域においては、第２画素電極と対向電極とによって挟持された発光機能層が発光すると、当該出射光は、遮光層が形成されている対向電極の側に出射することなく、第２画素電極と基板を透過して出射する。
このような封止側発光領域及び基板側発光領域は、サブ画素毎に形成されていると共に、当該封止側発光領域及び基板側発光領域における発光機能層が各々独立して発光するので、サブ画素毎において封止部材側への発光と基板側への発光とを独立して行うことができる。
また、例えば単位画素内に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色で発光するサブ画素を備えている場合には、単位画素においてフルカラー表示を行うことができると共に、当該フルカラー表示を封止部材側と基板側とに各々異ならせて行うことができる。
【０００６】
このように、本発明においては、サブ画素毎に封止部材側への発光と基板側への発光とを独立させて行うことができるので、従来の両面発光型のＥＬ表示装置の問題を解決することができる。従来では、ＥＬ表示装置の反対側が透けて見えるために、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転し、当該表側と裏側とで同時に異なる画像表示を行うことができないという問題があった。これに対して、本発明は、封止側発光領域における第１画素電極と基板側発光領域における対向電極とに遮光層が形成され、更に封止側発光領域と基板側発光領域とにおいて独立して発光機能層が発光するので、ＥＬ表示装置の反対側が透けて見えることがなく、また、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転することもない。
また、封止側発光領域と基板側発光領域とにおいて独立して発光機能層が発光することから、各領域の輝度バランスを容易に調整することができ、各領域において情報量の変更も容易にできる。
【０００７】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記第１画素電極に形成された遮光層と、前記対向電極に形成された遮光層とのうち、少なくともいずれか一方は、光反射性を有していることを特徴としている。
このようにすれば、上記に記載したＥＬ表示装置と同様の効果が得られると共に、遮光層の光反射性によって、発光効率を向上させて高輝度の表示を実現できる。
具体的には、封止側発光領域における発光機能層の出射光は、対向電極と封止部材を透過して出射すると共に、第１画素電極に形成された光反射性の遮光層に反射した後に対向電極と封止部材を透過して出射する。
また、基板側発光領域における発光機能層の出射光は、第２画素電極と基板を透過して出射すると共に、対向電極に形成された光反射性の遮光層に反射した後に第２画素電極と基板を透過して出射する。
従って、遮光層が光反射性を有していることにより、封止側発光領域と基板側発光領域の各々において更に発光効率を向上させることができる。
【０００８】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記第１画素電極に形成された遮光層と、前記対向電極に形成された遮光層とのうち、少なくともいずれか一方は、光吸収性を有していることを特徴としている。
このようにすれば、上記に記載したＥＬ表示装置と同様の効果が得られると共に、光吸収性を備えた遮光層がブラックマトリクスとして機能し、コントラストの向上を図ることができる。
具体的には、基板側発光領域における対向電極に光吸収性の遮光層が形成されている場合では、当該遮光層が封止部材側から入射する外光を吸収するので、封止部材側に表示を行う画像のコントラストを向上することができる。また、当該遮光層により基板側から入射し発光層を透過する外光を吸収するので、偏向板等を付加することなく、基板側に表示を行う画像のコントラストを向上することができる。
また、封止側発光領域における第１画素電極に光吸収性の遮光層が形成されている場合では、当該遮光層が基板側から入射する外光を吸収するので、基板側に表示を行う画像のコントラストを向上することができる。また、当該遮光層により封止部材側から入射し発光層を透過する外光を吸収するので、偏向板等を付加することなく、封止部材側に表示を行う画像のコントラストを向上することができる。
従って、遮光層が光吸収性を有していることにより、封止側発光領域と基板側発光領域の各々において、コントラストを向上させた表示を行うことができる。
【０００９】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記第１及び第２画素電極の各々には、第１及び第２スイッチング素子が接続されており、当該第１及び第２スイッチング素子が駆動することによって前記発光機能層が発光することを特徴としている。
このようにすれば、第１及び第２スイッチング素子のスイッチング動作に応じて、発光機能層を発光させることができる。これにより、封止側発光領域と基板側発光領域との各々において、発光機能層を独立して発光させることができる。
【００１０】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記第１及び第２画素電極と、前記第１及び第２スイッチング素子との間には、平坦化層が形成されていることを特徴としている。
ここで、平坦化層とは、基板上に形成された第１及び第２スイッチング素子や、当該第１及び第２スイッチング素子に接続された配線等、の形状に起因する凹凸部や段差を埋設することで、平坦化を施す層膜である。また、当該平坦化層は、第１及び第２スイッチング素子と、第１及び第２画素電極と、の各々の電気的絶縁性を得るための層間絶縁層としても機能するものである。
このような平坦化層が第１及び第２画素電極と第１及び第２スイッチング素子との間に形成されることによって、第１及び第２画素電極を平坦面上に形成することができる。
また、平坦化膜が形成されることで、スイッチング素子の上方にも発光領域を形成できるので、当該スイッチング素子の上方に積極的に封止側発光領域を設けることができ、開口率が向上する。
【００１１】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記封止側発光領域において前記第１画素電極に形成された前記遮光層は、前記平坦化層を介して前記第１スイッチング素子と平面的に重なり合っていることを特徴としている。
本発明によれば、第１画素電極に形成された遮光層と、第１スイッチング素子とが平坦化層を介して平面的に重なり合っているので、基板側発光領域における出射光は、第２画素電極と基板を透過して出射する経路において、第１スイッチング素子によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
一方、従来においては、基板側に出射光を取り出す際に、スイッチング素子やアレイ配線等によって出射光が遮蔽されてしまい、取り出し効率の低下を招いていた。これに対し、本発明によればこのような問題を解決することができる。
【００１２】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子は、前記基板側発光領域を除く領域に形成されていることを特徴としている。
ここで、「基板側発光領域を除く領域」とは、例えば封止側発光領域や隔壁が形成されている領域を意味する。
このようにすれば、基板側発光領域における出射光は、第２画素電極と基板を透過して出射する経路において、第１スイッチング素子又は第２スイッチング素子によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
【００１３】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の各々は、容量素子に接続されており、当該容量素子は、前記封止側発光領域に重なり合っていることを特徴としている。
ここで、容量素子は、第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子におけるゲート電極とソース電極との間に絶縁膜が介在することで構成されていることが好ましい。
このようにすれば、基板側発光領域における出射光は、第２画素電極と基板を透過して出射する経路において、容量素子によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
【００１４】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の各々は、電源線に接続されており、当該電源線は、前記封止側発光領域に重なり合っていることを特徴としている。
本発明によれば、基板側発光領域における出射光が第２画素電極と基板とを透過して出射する経路において、電源線によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
【００１５】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記発光機能層を区画する隔壁が形成されており、当該隔壁は、前記平坦化層を介して前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子の少なくともいずれかと、平面的に重なり合っていることを特徴としている。
本発明によれば、基板側発光領域における出射光が第２画素電極と基板とを透過して出射する経路において、第１スイッチング素子や第２スイッチング素子によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
一方、従来においては、基板側に出射光を取り出す際に、スイッチング素子やアレイ配線等によって出射光が遮蔽されてしまい、取り出し効率の低下を招いていた。これに対し、本発明によればこのような問題を解決することができる。
【００１６】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記発光機能層は、前記封止側発光領域と前記基板側発光領域において共通に形成されていることを特徴としている。
このような発光機能層は、封止側発光領域と基板側発光領域とにおいて、共通に形成される。従って、封止側発光領域と基板側発光領域の各々に発光機能層を分けて形成する必要がないので、容易に発光機能層を形成できる。
【００１７】
また、本発明のＥＬ表示装置においては、前記発光機能層は、前記封止側発光領域と前記基板側発光領域の各々に形成されていることを特徴としている。
本発明によれば、封止側発光領域と基板側発光領域との各々に独立して発光機能層が形成されるので、各発光領域において安定した膜厚で発光機能層を形成することができる。
【００１８】
また、本発明のＥＬ表示装置の製造方法においては、基板の上方に、第１及び第２スイッチング素子を形成する工程と、前記第１及び第２スイッチング素子の各々に接続する第１及び第２画素電極を形成する工程と、当該第１及び第２画素電極の上方に発光機能層を形成する工程と、前記第１及び第２画素電極に対向する対向電極を形成する工程と、前記発光機能層を封止する封止部材を形成する工程とを含み、前記第１及び第２画素電極と前記対向電極は透明導電膜からなり、前記封止側発光領域における前記第１画素電極、及び前記基板側発光領域における前記対向電極の各々に隣接する遮光層を形成し、前記第１画素電極上に、前記発光機能層の出射光を前記封止部材側から取り出す封止側発光領域を形成し、前記第２画素電極上に、前記発光機能層の出射光を前記基板側から取り出す基板側発光領域を形成することを特徴としている。
【００１９】
このような製造方法によって形成されたＥＬ表示装置においては、第１及び第２スイッチング素子のスイッチング動作に応じて、封止側発光領域及び基板側発光領域における発光機能層を各々独立して発光させることができる。
また、封止部材側への発光と基板側への発光とを独立させて行うことができるので、従来の両面発光型のＥＬ表示装置の問題を解決することができる。従来では、ＥＬ表示装置の反対側が透けて見えるために、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転し、当該表側と裏側とで同時に異なる画像表示を行うことができないという問題があった。これに対して、本発明は、封止側発光領域における第１画素電極と基板側発光領域における対向電極とに遮光層が形成され、更に封止側発光領域と基板側発光領域とにおいて独立して発光機能層が発光するので、ＥＬ表示装置の反対側が透けて見えることがなく、また、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転することもない。
また、封止側発光領域と基板側発光領域とにおいて独立して発光機能層が発光することから、各領域の輝度バランスを容易に調整することができ、各領域において情報量の変更も容易にできる。
【００２０】
また、本発明のＥＬ表示装置の製造方法においては、単位画素内の複数のサブ画素毎に前記第１及び第２画素電極を形成することを特徴としている。
このような封止側発光領域及び基板側発光領域は、サブ画素毎に形成されていると共に、当該封止側発光領域及び基板側発光領域における発光機能層が各々独立して発光するので、サブ画素毎において封止部材側への発光と基板側への発光とを独立して行うことができる。
【００２１】
また、本発明のＥＬ表示装置の製造方法においては、マスク蒸着法を利用することにより、前記基板側発光領域における前記対向電極に前記遮光層を形成することを特徴としている。
このようにすれば、対向電極上に遮光層を所定のマスクパターンに応じて蒸着して形成することができる。
【００２２】
また、本発明の電子機器においては、先に記載のＥＬ表示装置を表示部として具備することを特徴としている。
従って、本発明の電子機器としては、携帯電話機等の電子機器が挙げられる。このように電子機器の表示部に、本発明のＥＬ表示装置を採用することによって、表側及び裏側の両面で異なる画像を同時に表示できる表示部を備えた電子機器を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下では、本発明に係るＥＬ表示装置、及び電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、係る実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００２４】
（ＥＬ表示装置）
図１はＥＬ表示装置１の構成を模式的に示す平面図である。
本実施形態のＥＬ表示装置は、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたものであって、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下では、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式によって有機ＥＬ材料を発光駆動させるものである。
そして、特に本実施形態のＥＬ表示装置は、パネルの表側及び裏側から画像表示を行う両面発光型である。換言すれば、トップエミッション型とボトムエミッション型の表示を行う、所謂ダブルエミッション型である。
【００２５】
図１に示すようにＥＬ表示装置１は、電気絶縁性の基板２０上に、画素部３（図中一点鎖線枠内）と、当該画素部を被覆するカバー基板（後述）とを備えた構成となっている。
そして、画素部３においては、発光した出射光が基板２０を透過させて画像表示を行うと共に、カバー基板４６（後述）を透過させて画像表示を行うようになっている。
ここで、画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されており、実表示領域４には複数の画素が形成され、ダミー領域５の下層側には走査線駆動回路８０および検査回路９０が形成されている。
【００２６】
実表示領域４に形成された画素の各々には、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）のサブ画素が形成されており、当該ＲＧＢの各色サブ画素は、基板２０の側と、カバー基板４６の側の各々から発光するようになっている。また、ＲＧＢの各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。したがって表示を構成する最小要素となる表示領域を「サブ画素」、ＲＧＢの各色サブ画素から構成される表示領域を「画素」（単位画素）と称する。このような構成により、各サブ画素のＲＧＢの各色光が諧調されることで、画素毎にフルカラーの発光をダブルエミッション方式で行うようになっている。
なお、本実施形態においては、「サブ画素」を「サブピクセル」と称し、ＲＧＢの各色サブピクセルから構成される表示領域を「ピクセル」（単位画素）と称してもよい。
【００２７】
ダミー領域５の下層側に形成された走査線駆動回路８０は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備えており、実表示領域４のサブ画素毎に形成されたＴＦＴを動作駆動するようになっている。また、ダミー領域５の下層側に形成された検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する不図示の検査情報出力手段を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２８】
走査線駆動回路８０及び検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部及び駆動電圧導通部を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部及び駆動電圧導通部を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２９】
次に、図２〜図４を参照し、ＥＬ表示装置１の構成について詳細に説明する。
図２は、ＥＬ表示装置１の実表示領域４における一つのサブ画素の等価回路図である。
図３は、ＥＬ表示装置１の実表示領域４における一つのサブ画素を拡大視した拡大平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ´断面における断面図である。
【００３０】
図２の等価回路図に示すように、ＥＬ表示装置１は、スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型である。当該ＥＬ表示装置１は、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂと、当該走査線１０１Ｔ，１０１Ｂに対して直角に交差する方向に延びるデータ線１０２Ｔ，１０２Ｂと、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂに並列に延びる電源線１０３とが配線された構成を有する。これらの配線は、マトリクス状に配列されている複数のサブ画素Ｄの配列方向に延在している。即ち、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂは図中左右方向に延在し、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂ及び電源線１０３は、図中縦方向に延在している。本実施形態では、図２を参照して、サブ画素Ｄの一つ当たりの等価回路図を示しているが、マトリクス状に配列する複数のサブ画素Ｄは、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂ、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂ、電源線１０３に対して並列的に接続されている。
【００３１】
走査線１０１Ｔ，１０１Ｂには、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路２０１が接続されている。当該走査線駆動回路２０１は、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂの各々に対して、異なる走査信号を与えることが可能となっている。
また、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂには、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路２０２が接続されている。当該データ線駆動回路２０２は、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂの各々に対して、異なるデータ信号を与えることが可能となっている。
このように、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂやデータ線１０２Ｔ，１０２Ｂに信号を付与することが可能となっていることで、ＥＬ表示装置１は、後述するようにダブルエミッション方式の表示を行う。
【００３２】
また、サブ画素Ｄは、カバー基板４６の側に発光してトップエミッション表示を行う封止側発光領域７３と、基板２０の側に発光してボトムエミッション表示を行う基板側発光領域７４とを有している。
ここで、封止側発光領域７３においては、スイッチング用ＴＦＴ１２０と、駆動用ＴＦＴ（第１スイッチング素子）１２２によって、発光機能層１２（後述）が発光駆動する。
また、基板側発光領域７４においては、スイッチング用ＴＦＴ１２１と、駆動用ＴＦＴ（第２スイッチング素子）１２２によって、発光機能層１２が発光駆動する。
【００３３】
次に、各ＴＦＴの動作と、封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４における発光機能層１２の発光駆動について説明する。
まず、ＴＦＴ１２０において、走査線１０１Ｔを介して走査信号がゲート電極に供給されると、データ線１０２Ｔのデータ信号は、ＴＦＴ１２０のチャネルを介して、保持容量（容量素子）ＣＴに供給される。これにより、ＴＦＴ１２０のデータ信号は、保持容量ＣＴによって保持される。そして、ＴＦＴ１２０から供給されるデータ信号或いは保持容量ＣＴに保持されたデータ信号がＴＦＴ１２２のゲート電極に供給されると、電源線１０３の駆動電流は、ＴＦＴ１２２のチャネルを介して、画素電極から陰極に流れる。これにより、封止側発光領域７３において、画素電極と陰極とにより挟持された発光機能層１２は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００３４】
次に、ＴＦＴ１２１において、走査線１０１Ｂを介して走査信号がゲート電極に供給されると、データ線１０２Ｂのデータ信号は、ＴＦＴ１２１のチャネルを介して、保持容量（容量素子）ＣＢに供給される。これにより、ＴＦＴ１２１のデータ信号は、保持容量ＣＢによって保持される。そして、ＴＦＴ１２１から供給されるデータ信号或いは保持容量ＣＴに保持されたデータ信号がＴＦＴ１２３のゲート電極に供給されると、電源線１０３の駆動電流は、ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、画素電極から陰極に流れる。これにより、基板側発光領域７４において、画素電極と陰極とによって挟持された発光機能層１２は、これを流れる電流量に応じて発光する。
このようなＴＦＴ１２０，１２１，１２２，１２３の動作により、サブ画素Ｄは基板２０側及びカバー基板４６側の各々に向けて発光可能となっている。
【００３５】
次に、図３を参照して、サブ画素Ｄの平面図について説明する。
図３の平面図においては、サブ画素Ｄを構成する各種配線の積層構造を説明するために、当該各種配線を透過した図となっている。
また、図３に示す各構成要素は、基板２０上に形成されるものである。また、各構成要素（配線、ＴＦＴ、容量素子）の間には、層間絶縁膜が形成されており、電気的絶縁性が得られたものとなっている。また、層間絶縁膜には部分的にコンタクトホールが形成されており、各構成要素間を導通させている。
【００３６】
図３に示すように、ＥＬ表示装置１は、紙面左右方向にｎ番目のサブ画素Ｄ（ｎ）とｎ＋１番目のサブ画素Ｄ（ｎ＋１）が隣接した構造を有している。
また、ＥＬ表示装置１は、サブ画素Ｄ（ｎ），Ｄ（ｎ＋１）を跨ぐように、発光機能層１２の平面パターンとなる発光機能層領域１２ＡＲを有している。当該発光機能層領域１２ＡＲは、サブ画素Ｄ（ｎ）の基板側発光領域７４と、サブ画素Ｄ（ｎ＋１）の封止側発光領域７３とに対して、共通に形成されている。また、発光機能層領域１２ＡＲは、有機バンク２１の平面パターンとなるバンク領域（隔壁）２１ＡＲによって囲まれている。また、有機バンク領域２１ＡＲは、サブ画素Ｄ（ｎ），Ｄ（ｎ＋１）の各々の中央に形成されており、各サブ画素における封止側発光領域７３と基板側発光領域７４とを隔離させている。
【００３７】
なお、図３においては、バンク領域２１ＡＲは、紙面縦方向に延在すると共に、発光機能層領域１２ＡＲの両側に形成されているが、当該バンク領域２１ＡＲは、紙面左右方向にも延在して形成されているものである。従って、紙面縦方向及び左右方向に延在するバンク領域２１ＡＲによって、発光機能層領域１２ＡＲが囲まれて形成されている。
【００３８】
また、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４においては、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂは、サブ画素Ｄが隣接する方向に向けて延在し、当該封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４に重なっている。
これに対して、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂ、スイッチング用のＴＦＴ１２０，１２１、及び電源線１０３は、紙面縦方向に延在し、封止側発光領域７３のみに重なっている。また、ＴＦＴ１２０，１２１のチャネル領域は、走査線１０１Ｔ，１０１Ｂに重なり合っており、当該走査線１０１Ｔ，１０１Ｂを、ＴＦＴ１２０，１２１のゲート電極としている。
【００３９】
また、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂは、複数の屈曲部Ｋを有している。このような屈曲部Ｋが形成されることにより、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂの両者が共に重なり合ったり、データ線１０２Ｔ，１０２ＢがＴＦＴ１２０，１２１に重なり合ったりすることがない。また、ＴＦＴ１２０，１２１と屈曲部Ｋとが重なる部分には、コンタクトホールＣが設けられており、データ線１０２Ｔと、ＴＦＴ１２０のソース領域とが電気的に接続され、データ線１０２Ｂと、ＴＦＴ１２１のソース領域とが電気的に接続されている。このような屈曲部Ｋが形成されることにより、封止側発光領域７３の面積内にデータ線１０２Ｔ，１０２ＢやＴＦＴ１２０，１２１を重ね合わせて集積することが可能となっている。
【００４０】
また、バンク領域２１ＡＲにおいては、これに重なるように駆動用のＴＦＴ１２２，１２３が配設されている。
ここで、ＴＦＴ１２２のドレイン領域４１Ｄ（後述）は、コンタクトホール４４ａ（後述）を介して、第１画素電極２３ａ（後述）に接続されている。また、ＴＦＴ１２３のドレイン領域となる高濃度不純物領域４１Ｄ（後述）は、コンタクトホール４４ａ（後述）を介して、第２画素電極２３ｂ（後述）に接続されている。
また、ＴＦＴ１２２のソース領域となる高濃度不純物領域４１Ｓ（後述）は、コンタクトホール４３ａ（後述）を介して、電源線１０３に接続されている。また、ＴＦＴ１２３のソース領域４１Ｓ（後述）は、コンタクトホール４３ａ（後述）を介して、電源線１０３に接続されている。
【００４１】
また、ＴＦＴ１２２のゲート電極４２は、ＴＦＴ１２０のドレイン電極と導通している。ここで、ＴＦＴ１２２のゲート電極４２の一部は、層間絶縁膜を介して電源線１０３と対向配置しており、先述の保持容量ＣＴを構成している。
また、ＴＦＴ１２３のゲート電極４２は、ＴＦＴ１２１のドレイン電極と導通している。ここで、ＴＦＴ１２３のゲート電極４２の一部は、層間絶縁膜を介して電源線１０３と対向配置しており、先述の保持容量ＣＢを構成している。従って、保持容量ＣＴ，ＣＢは、封止側発光領域７３に重なり合っている。
【００４２】
次に、図４を参照して、サブ画素Ｄの断面図について説明する。
図４に示すように、ＥＬ表示装置１は、基板２０とカバー基板（封止部材）４６との間に、ＴＦＴ素子部１１と、発光機能層１２と、封止部１３とを備えた構成となっている。また、当該ＥＬ表示装置１は、発光機能層１２の出射光を封止部１３に透過させてカバー基板４６の側から取り出す封止側発光領域７３と、発光機能層１２の出射光をＴＦＴ素子部１１に透過させて基板２０の側から取り出す基板側発光領域７４とを備え、封止側発光７３ａと基板側発光７４ａとを行うようになっている。
【００４３】
次に、ＥＬ表示装置１の各構成要素について詳述する。
基板２０は、基板側発光を行うための透明性基板からなる。透明性基板としては、ガラス基板や樹脂基板等が採用される。ガラス基板は、比較的耐熱性が高いことから、公知の半導体製造工程によってガラス基板上にＴＦＴを容易に形成することが可能となる。一方、樹脂基板は、可撓性を有していることから、フレキシブル性を備えたＥＬ表示装置１を実現するには適した材料である。
【００４４】
次に、基板２０上に形成されるＴＦＴ素子部１１について説明する。
ＴＦＴ素子部１１は、発光機能層１２をアクティブマトリクス駆動によって発光させるためのＴＦＴ１２２，１２３を有している。当該ＴＦＴ１２２、１２３の各々は、封止側発光と基板側発光とを各々行うためのスイッチング素子である。そして、当該２つのＴＦＴは、実表示領域４の各サブ画素Ｄ内に形成されている。また、ＴＦＴ１２２、１２３の近傍は、シリコン層４１、ゲート絶縁層８２、ゲート電極４２、層間絶縁膜８３、ソース電極４３（電源線１０３）、ドレイン電極４４、パッシベーション膜８４、及び平坦化層８５が順次積層された構成となっている。そして、平坦化層８５の表面には、後述する画素電極２３ａ、２３ｂが形成されている。
なお、本実施形態においては、基板２０上にシリコン層４１を形成した構成を採用したが、当該基板２０とシリコン層４１との間に下地保護層を形成してもよい。このような下地保護層は、基板２０からシリコン層４１に不純物が拡散するのを防止する、所謂バリア層として機能する層膜であり、その材料としては、ＳｉＯ２等の無機物を主体とする材料が採用される。
【００４５】
シリコン層４１は、半導体材料からなる半導体層であり、不純物が部分的にドーピングされることによって形成された高濃度不純物領域４１Ｓ、４１Ｄ及び低濃度不純物領域４１ｂ、４１ｃと、ゲート電極４２に対向する位置に形成されたチャネル領域４１ａと、を備える層膜である。ここで、高濃度不純物領域４１Ｓ、４１Ｄは、後述するように各々ソース電極４３、ドレイン電極４４に導通している。また、当該シリコン層４１は、下地保護層８１上に、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層を形成した後に、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させたポリシリコン層である。また、シリコン層４１は、基板２０の表面に部分的に形成されており、公知のフォトリソグラフィ法によってパターニングされることで、島状に形成されている。
なお、図４に示すシリコン層４１は、表示領域内に形成され、画素電極２３ａ、２３ｂに接続されるＴＦＴ１２２、１２３を構成するものであるが、図１に示した走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型及びＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）においても、基本構造はシリコン層４１と同様となっている。
【００４６】
ゲート絶縁層８２は、シリコン層４１の表面に形成されるものであり、ゲート電極４２との絶縁性を得るための層膜である。当該ゲート絶縁層８２は、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主成分とする材料からなり、プラズマＣＶＤ法や熱酸化法等の方法によって、約３０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚で形成されている。
【００４７】
ゲート電極４２は、ゲート絶縁層８２の表面全体にドープドシリコンやシリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜といった金属膜を形成した後に、フォトリソグラフィ法によってパターニングして形成されたものである。当該ゲート電極４２の膜厚は概ね５００ｎｍ程度である。
【００４８】
層間絶縁膜８３は、ゲート電極４２を埋設して平坦化すると共に、ゲート電極４２に対するソース電極４３及びドレイン電極４４の電気的絶縁性を得るための層膜である。このような層間絶縁膜８３は、スピンコート法等の塗布法や、ＣＶＤ等の気相成膜法によって形成される。ここで、塗布法を利用する場合では、ＳＯＧ膜等の無機材料やアクリル樹脂等の有機材料を溶媒と混合して塗布した後に、熱処理工程や焼成工程を施すことによって層間絶縁膜８３が形成される。また、気相成膜法を利用する場合では、ＳｉＯ２やＳｉＮ等によって層間絶縁膜８３が形成される。
【００４９】
ソース電極４３及びドレイン電極４４は、層間絶縁膜８３の表面に形成される層膜である。また、層間絶縁膜８３にはコンタクトホール４３ａ、４４ａが予め形成されており、当該ソース電極４３及びドレイン電極４４を形成することで、高濃度不純物領域４１Ｓ、４１Ｄの各々にソース電極４３及びドレイン電極４４が接続するようになっている。
ソース電極４３及びドレイン電極４４の形成方法としては、層間絶縁膜８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタル等の金属膜を２００ｎｍ〜８００ｎｍ程度の膜厚で形成した後に、ソース電極４３及びドレイン電極４４が形成されるべき領域を覆うようにエッチング用マスクを形成し、その後、金属膜をエッチングすることで、ソース電極４３及びドレイン電極４４を形成する。
【００５０】
パッシベーション膜８４は、ＳｉＮ等の材料を用いて、ＣＶＤ等の気相成膜法によって形成される層膜である。当該パッシベーション膜８４は、水分を遮蔽する機能を有しており、後述する平坦化層８５を形成する際に溶剤等に含まれる水分がＴＦＴ１２２、１２３の側に侵入するのを抑制している。
【００５１】
平坦化層８５は、ソース電極４３及びドレイン電極４４を形成することによって生じたパッシベーション膜８４の凹凸部を埋設して平坦化を施すための層膜である。これにより、平坦化層８５の表面、即ち、画素電極２３ａ、２３ｂの形成面が平坦化される。また、当該平坦化層８５は、層間絶縁層としても機能する層膜である。
【００５２】
このような平坦化層８５の形成方法としては、アクリル樹脂を含有した液体材料をスピンコート法により塗布した後に、熱処理によりキュアを施すことにより行われる。ここで、スピンコート法を施すことにより、ソース電極４３及びドレイン電極４４の形状に起因する凹凸部が埋設されて平坦化が行われる。
【００５３】
このような平坦化層８５の面上には、画素電極２３ａ、２３ｂが形成されると共に、平坦化層８５を貫通するようにコンタクトホールが形成され、当該コンタクトホールに埋設された配線を介して、画素電極２３ａ、２３ｂとドレイン電極４４とが接続されている。即ち、画素電極２３ａ、２３ｂは、ドレイン電極４４を介して、シリコン層４１の高濃度不純物領域４１Ｄに電気的に接続されている。
【００５４】
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、即ち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３ａ、２３ｂと接続されていない点を除いて上記ＴＦＴ１２２、１２３と同様の構造であり、同一のプロセスで形成される。
【００５５】
次に、ＴＦＴ素子部１１上に形成される画素電極２３ａ、２３ｂと、発光機能層１２と、陰極（対向電極）５０と、について説明する。
画素電極２３ａ、２３ｂの各々は、封止側発光領域７３に対応する第１画素電極と、基板側発光領域７４に対応する第２画素電極である。当該第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide（登録商標））（出光興産社製）等の透明性金属等によって形成され、これらの材料の単層構造や２層構造が好適に採用される。
【００５６】
また、第１画素電極２３ａと平坦化層８５との間には、光反射性を有する遮光層７１が形成されている。当該遮光層７１は、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属膜によって形成されたものである。また、当該遮光層７１とＴＦＴ１２２とは、平坦化層８５を介して平面的に重なり合っている。換言すれば、カバー基板４６側から見て、遮光層７１がＴＦＴ１２２を被覆するようになっている。また、ＴＦＴ１２２は、基板側発光領域７４にはみ出ていない構成となっている。これにより、基板側発光領域７４における出射光がＴＦＴ１２２を透過することがない。
なお、本実施形態においては、遮光層７１は光反射性を有するものとなっているが、遮光層７１の変形例として光吸収性を有していてもよい。この場合、顔料分散樹脂によって遮光層７１が形成されることが好ましい。
また、本実施形態においては、遮光層７１とＴＦＴ１２２とが平面的に重なり合っているが、遮光層７１とＴＦＴ１２３とが平面的に重なり合ってもよい。
また、本実施形態において、「重なり合っている」とは、両者が完全に一致して重なり合っている状態や、両者の各々の少なくとも一部分が重なり合っている状態を含むことを意味している。
【００５７】
また、画素電極２３ａ、２３ｂ上には、発光機能層１２と陰極５０とが形成されている。当該発光機能層１２は、正孔注入／輸送層７０及び有機ＥＬ層６０によって構成されている。
正孔注入／輸送層７０は、形成材料として。例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、又はそれらのドーピング体等を用いて形成された層膜である。具体的には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いて正孔注入／輸送層７０を形成することができる。
【００５８】
有機ＥＬ層６０は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が採用される。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。また、有機ＥＬ層６０の膜厚は、１００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００５９】
また、本実施形態のＥＬ表示装置１は、カラー表示を行うべく有機ＥＬ層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。例えば、有機ＥＬ層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用有機ＥＬ層６０Ｒ、緑色に対応した緑色用有機ＥＬ層６０Ｇ、青色に対応した青色用有機ＥＬ層６０Ｂとをそれぞれに対応するサブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これらサブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素が構成されている。
【００６０】
このような正孔注入／輸送層７０及び有機ＥＬ層６０は、サブ画素Ｄ（ｎ＋１）の封止側発光領域７３と、サブ画素Ｄ（ｎ）の基板側発光領域７４において共通に形成されたものであり、複数のサブ画素の各々を区画する有機バンク（隔壁）２１に囲まれた発光機能層領域１２ＡＲとして形成されたものである（図３参照）。
【００６１】
更に、有機バンク２１と平坦化層８５の間、又は第１画素電極２３ａと第２画素電極２３ｂとの間には、親液性制御層２５が形成されている。
親液性制御層２５は、例えばＳｉＯ２などの親液性材料を主体として形成されたものであって、画素電極２３ａ、２３ｂの上方において、正孔注入／輸送層７０及び有機ＥＬ層６０の各々を濡れ広がせるものである。また、当該親液性制御層２５は、親液性を付与するためたけでなく、第１画素電極２３ａと第２画素電極２３ｂの間に形成されている。これにより、遮光層７１が形成されることで生じる段差部に親液性制御層２５が形成されるので、当該段差部における電流集中や短絡を防ぐようになっている。
【００６２】
有機バンク２１は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などからなるものであって、その表面は親液性制御層２５よりも高い撥液性を有している。そして、画素電極２３ａ、２３ｂには親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、及び有機バンク２１に設けられた開口部２１ａの開口内部に、正孔注入／輸送層７０と、有機ＥＬ層６０とが画素電極２３ａ、２３ｂ側からこの順で積層されている。
また、有機バンク２１は、平坦化層８５を介してＴＦＴ１２２、１２３と平面的に重なり合っており、換言すれば、カバー基板４６側から見て、有機バンク２１がＴＦＴ１２２、１２３を被覆するようになっている。また、ＴＦＴ１２２、１２３は、封止側発光領域７３にはみ出ていない構成となっている。
なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２１を構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
【００６３】
なお、本実施形態においては、発光機能層１２は、正孔注入／輸送層７０と有機ＥＬ層６０とからなる２層構造を採用したが、有機ＥＬ層６０上に電子注入層を形成した３層構造を採用してもよい。
この場合、電子注入層を形成するための材料としては、例えばバソクプロインとセシウムの共蒸着膜が好適に採用される。バソクプロインとセシウムの共蒸着膜は、バソクプロインとセシウムを蒸発源とする共蒸着法により形成される。
また、このような材料以外にも、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属のハロゲン化物あるいは酸化物を含む材料を採用してもよい。アルカリ金属としては例えばＬｉ、Ｎａ、Ｃｓが用いられ、アルカリ土類金属としては例えばＣａ、Ｂａ、Ｓｒが用いられ、希土類金属としては例えばＳｍ、Ｔｂ、Ｅｒが用いられる。これら金属は、特にフッ化物として用いられ形成されているのが好ましいが、これ以外のハロゲン化物、すなわち塩化物や臭化物としてもよく、また、酸化物としてもよい。このような電子注入層Ｂの形成材料となる化合物において、ＬｉＦなど蒸着が可能なものについては、その化合物を溶媒トラップ法もしくはコールドトラップ法によるガス中蒸着法などにより、粒径が１μｍ以下の超微粒子に製造することが可能である（例えば「分散・凝集の解明と応用技術，（１９９２），Ｐ．３０」参照）。したがって、この超微粒子を分散媒中に均一に分散させて分散液（コロイド）とすることにより、液滴吐出法での塗布、すなわち液相プロセスでの成膜が可能となる。
【００６４】
陰極５０は、発光機能層１２の上方、及び有機バンク２１の上方に形成される電極である。
当該陰極５０は、図１に示す実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されている。陰極５０を形成するための材料としては、電子注入効果の大きい材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。また、これらの材料だけでは、電気抵抗が大きく電極として機能しないため、アルミニウムや金、銀、銅などの金属層やＩＴＯ、酸化錫などの金属酸化物導電層との積層体と組み合わせて用いてもよい。なお、本実施形態では、フッ化リチウムとマグネシウム金属、ＩＴＯの積層体を、透明性が得られる膜厚に調整して用いるものとする。
【００６５】
また、陰極５０には遮光層７２が形成されている。
当該遮光層７２は、光反射性を有しており、基板側発光領域７４の領域内と有機バンク２１の上方に形成されている。このような遮光層７２を構成する材料としては、先述の遮光層７１と同様に、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属膜が採用される。また、当該遮光層７２は、基板側発光領域７４と有機バンクを限定して形成されたものであって、封止側発光領域７３にははみ出ていない構成となっている。
また、先述の封止側発光領域７３内に形成された遮光層７１と、基板側発光領域７４内の形成された遮光層７２との平面的な位置関係について説明すると、遮光層７１の端部と遮光層７２の端部とが一致している、もしくは、遮光層７１の一部分と、遮光層７２の一部分とが重なるように形成されている。これにより、ＥＬ表示装置１の非発光状態では、封止側から見ても基板側から見ても、実表示領域４の全面が遮光層で覆われた状態となり、表裏光抜けが生じることがない。
また、ＥＬ表示装置１の発光状態においては、封止側発光領域７３で発光した出射光は封止側発光領域７３のみに出射され、基板側発光領域７４で発光した出射光は基板側発光領域７４のみに出射される。
なお、本実施形態においては、遮光層７２は光反射性を有するものとなっているが、遮光層７２の変形例として光吸収性を有していてもよい。この場合、顔料分散樹脂によって遮光層７２が形成されることが好ましい。
【００６６】
次に、陰極５０の上方に形成される封止部１３について説明する。
封止部１３は、陰極５０とカバー基板４６との間に形成されるものであり、陰極５０側から透明保護膜４５Ａと接着層４５Ｂとが順次積層されて構成されている。更に、接着層４５Ｂの上方には、カバー基板４６が設けられている。
透明保護膜４５Ａは、出射光を遮蔽することなく透過させると共に、ＥＬ表示装置１の外部から侵入する水分や酸素に対するガスバリア性を備えた部材である。この透明保護膜４５Ａの材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）等が採用される。なお、窒化シリコンを採用する場合には、透明性を有する程度に薄膜化する必要がある。
接着層４５Ｂは、透明保護膜４５Ａにカバー基板４６を接着すると共に、カバー基板４６の外部からの衝撃を緩衝する緩衝材としての機能を有するものである。
カバー基板４６は、基板側発光を行うための透明性基板からなる。透明性基板としては、ガラス基板や樹脂基板等が採用される。また、電気絶縁性を有することが好ましい。
【００６７】
次に、このように構成されたＥＬ表示装置１の動作について説明する。
不図示のゲート配線からゲート電極４２に電位が付与されると、ゲート電極４２の近傍で生じる電界の作用によってソース電極４３からドレイン電極４４に電流が流れる。即ち、これによってＴＦＴ１２２、１２３のオン・オフ状態が決まる。
ここで、ＴＦＴ１２２がオン状態となる場合では、陰極５０と第１画素電極２３ａとの間に電流が流れ、有機ＥＬ層６０において電子と正孔が結合することで出射光が生じる。また、その電流量によって発光強度が制御される。そして、出射光は、遮光層７１が形成されている第１画素電極２３ａの側に出射することなく、陰極５０とカバー基板４６を透過し、封止側発光領域７３から出射する。また、遮光層７１は光反射性を有しているので、第１画素電極２３ａの側に発光した出射光は、遮光層７１によって反射され、カバー基板４６を透過して封止側発光領域７３から出射する。このように、ＴＦＴ１２２のスイッチング状態によって、封止側発光領域７３における発光が制御される。
【００６８】
一方、ＴＦＴ１２３がオン状態となる場合では、陰極５０と第２画素電極２３ｂとの間に電流が流れ、有機ＥＬ層６０において電子と正孔が結合することで出射光が生じる。また、その電流量によって発光強度が制御される。そして、出射光は、遮光層７２が形成されている陰極５０の側に出射することなく、第２画素電極２３ｂと基板２０を透過し、基板側発光領域７４から出射する。また、遮光層７２は光反射性を有しているので、陰極５０の側に発光した出射光は、遮光層７２によって反射され、基板２０を透過して基板側発光領域７４から出射する。このように、ＴＦＴ１２３のスイッチング状態によって、基板側発光領域７４における発光が制御される。
【００６９】
このように本実施形態のＥＬ表示装置１においては、ＴＦＴ１２２、１２３の各々が独立に駆動することによって、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４とにおいて独立して発光させるようになっている。即ち、ＴＦＴ１２２、１２３を別々に駆動させて、ＥＬ表示装置１の表面側と裏面側で異なる表示を同時に行うことが可能となる。
また、当該封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４は、サブ画素毎に形成され、各サブ画素がＲ、Ｇ、Ｂの各色を発光するので、ＥＬ表示装置１の両面においてフルカラー表示が行われる。
【００７０】
上述したように、本実施形態のＥＬ表示装置１においては、封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４は、サブ画素毎に形成されていると共に、当該封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４における発光機能層１２が各々独立して発光するので、サブ画素毎においてカバー基板４６側への発光と基板２０側への発光とを独立して行うことができる。
また、例えば単位画素内に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色で発光するサブ画素を備えている場合には、単位画素においてフルカラー表示を行うことができると共に、当該フルカラー表示をカバー基板４６側と基板２０側とに各々異ならせて行うことができる。
【００７１】
このように、本実施形態においては、サブ画素毎にカバー基板４６側への発光と基板２０側への発光とを独立させて行うことができるので、従来の両面発光型のＥＬ表示装置の問題を解決することができる。従来では、ＥＬ表示装置の反対側が透けて見えるために、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転し、当該表側と裏側とで同時に異なる画像表示を行うことができないという問題があった。これに対して、本発明は、封止側発光領域７３における第１画素電極２３ａと基板側発光領域７４における陰極５０とに遮光層７１、７２が形成され、更に封止側発光領域７３と基板側発光領域７４とにおいて独立して発光機能層１２が発光するので、ＥＬ表示装置１の反対側が透けて見えることがなく、また、パネルの表側と裏側とにおいて表示画像が反転することもない。
また、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４とにおいて独立して発光機能層１２が発光することから、各領域７３、７４の輝度バランスを容易に調整することができ、各領域７３、７４において情報量の変更も容易にできる。
【００７２】
また、第１画素電極２３ａに形成された遮光層７１と、陰極５０に形成された遮光層７２とは、光反射性を有しているので、発光効率を向上させて高輝度の表示を実現できる。
具体的には、封止側発光領域７３における発光機能層１２の出射光は、陰極５０とカバー基板４６を透過して出射すると共に、第１画素電極２３ａに形成された光反射性の遮光層７１に反射した後に陰極５０と封止部材を透過して出射する。また、基板側発光領域７４における発光機能層１２の出射光は、第２画素電極２３ｂと基板２０を透過して出射すると共に、陰極５０に形成された光反射性の遮光層７２に反射した後に第２画素電極２３ｂと基板２０を透過して出射する。従って、遮光層が光反射性を有していることにより、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４の各々において更に発光効率を向上させることができる。
【００７３】
また、ＥＬ表示装置１においては、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの各々には、ＴＦＴ１２２とＴＦＴ１２３とが接続されており、当該ＴＦＴ１２２、１２３が駆動することによって発光機能層１２を発光させることができる。これにより、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４との各々において、発光機能層１２を独立して発光させることができる。
【００７４】
また、ＥＬ表示装置１においては、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂと、ＴＦＴ１２２、１２３との間に、平坦化層８５が形成されているので、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂを平坦面上に形成することができる。
また、平坦化膜８５が形成されることで、ＴＦＴ１２２、１２３の上方にも発光領域を形成できるので、当該ＴＦＴ１２２の上方に積極的に封止側発光領域７３を設けることができ、開口率が向上する。
【００７５】
また、ＥＬ表示装置１においては、封止側発光領域７３において第１画素電極２３ａに形成された遮光層７１は、平坦化層８５を介してＴＦＴ１２２と平面的に重なり合っているので、基板側発光領域７４における出射光は、第２画素電極２３ｂと基板２０を透過して出射する経路において、ＴＦＴ１２２によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域７４における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
一方、従来においては、基板側に出射光を取り出す際に、スイッチング素子やアレイ配線等によって出射光が遮蔽されてしまい、取り出し効率の低下を招いていた。これに対し、本実施形態によればこのような問題を解決することができる。
【００７６】
また、ＥＬ表示装置１においては、有機バンク２１が形成されており、当該有機バンク２１は平坦化層８５を介してＴＦＴ１２２、１２３と平面的に重なり合っているので、基板側発光領域７４における出射光は、第２画素電極２３ｂと基板２０を透過して出射する経路において、ＴＦＴ１２３によって遮光されずに出射される。従って、基板側発光領域７４における出射光の取り出し効率を向上させることができる。
一方、従来においては、基板２０側に出射光を取り出す際に、スイッチング素子やアレイ配線等によって出射光が遮蔽されてしまい、取り出し効率の低下を招いていた。これに対し、本実施形態によればこのような問題を解決することができる。
【００７７】
また、ＥＬ表示装置１においては、発光機能層１２は、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４において共通に形成されている。これにより、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４の各々に発光機能層１２を分けて形成する必要がないので、容易に発光機能層１２を形成できる。
【００７８】
また、ＥＬ表示装置１においては、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂ、電源線１０３、ＴＦＴ１２０，１２１、保持容量ＣＴ，ＣＢが基板発光領域７４に形成されていないので、基板側発光７４ａが遮蔽されるのを抑制できる。従って、出射光の取り出し効率を向上させることができる。
また、データ線１０２Ｔ，１０２Ｂ、電源線１０３、ＴＦＴ１２０，１２１、保持容量ＣＴ，ＣＢは、封止側発光領域７３やバンク領域２１に形成されているので、出射光の遮蔽に寄与しない部分に形成することができる。
【００７９】
（ＥＬ表示装置の変形例１）
次に、ＥＬ表示装置の変形例１について説明する。
ここでは、上記のＥＬ表示装置１と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化している。
先に記載したＥＬ表示装置１においては、遮光層７１、７２が光反射性を有していたが、本変形例においては、当該遮光層７１、７２が光吸収性を有している。
【００８０】
このような構成を有するＥＬ表示装置１において、基板側発光領域７４における陰極５０に光吸収性の遮光層７２が形成されている場合では、当該遮光層７２がカバー基板４６側から入射する外光を吸収するので、カバー基板４６側に表示を行う画像のコントラストを向上することができる。
また、封止側発光領域７３における第１画素電極２３ａに光吸収性の遮光層７１が形成されている場合では、当該遮光層７１が基板２０側から入射する外光を吸収するので、基板２０側に表示を行う画像のコントラストを向上することができる。
従って、遮光層７１、７２が光吸収性を有していることにより、ブラックマトリクスとして機能するので、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４の各々において、コントラストを向上させた表示を行うことができる。
【００８１】
（ＥＬ表示装置の変形例２）
次に、ＥＬ表示装置の変形例２について説明する。
ここでは、上記のＥＬ表示装置１と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化している。
先に記載したＥＬ表示装置１においては、発光機能層１２がサブ画素毎に共通に形成されていたが、本変形例においては、前記封止側発光領域７３と前記基板側発光領域７４の各々に発光機能層１２が形成されている。
【００８２】
このような構成を有するＥＬ表示装置１においては、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４との各々に独立して発光機能層１２が形成されるので、各発光領域において安定した膜厚で発光機能層１２を形成することができる。
【００８３】
なお、上記のＥＬ表示装置１においては、サブ画素内に封止側発光領域７３と基板側発光領域７４とを備えた構成を採用したが、当該サブ画素内に形成することに限定せずに、ＥＬ表示装置のパネル部に、封止側発光領域７３と基板側発光領域７４を備えた構成を採用してもよい。このようにすれば、パネル部の封止側発光領域７３において、カバー基板４６側に画像を表示することが可能となり、パネル部の基板側発光領域７４において、基板２０側に画像を表示することが可能となる。また、当該封止側発光領域７３と基板側発光領域７４は、各々独立して異なる画像を表示することができる。
【００８４】
（ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、図５〜図７を参照して、上記のＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。
図５〜図７は、上記の図２に対応する図面であって、ＥＬ表示装置１の実表示領域４における一つのサブ画素を拡大視した拡大断面図である。
【００８５】
まず、図５（ａ）に示すように、基板２０上にＴＦＴ１２２、１２３を形成する（第１及び第２スイッチング素子を形成する工程）。当該工程においては、公知の半導体製造工程を利用することで行われる。
更に、ＴＦＴ１２２、１２３の上方に層間絶縁膜８３を形成した後に、コンタクトホール４３ａ、４４ａを形成し、ソース電極４３及びドレイン電極４４を形成する。更に、パッシベーション膜８４を全面に形成した後に、ドレイン電極４４の一部を露出させる。当該吐出部分は、後に画素電極２３ａ、２３ｂと接触接合される部位である。
【００８６】
次に、図５（ｂ）に示すように、平坦化層８５を形成した後に、ドレイン電極４４の露出部分に対応させてコンタクトホール８５ａを形成する。
このような平坦化層８５は、スピンコート法等の塗布法によって塗布された後に、熱処理工程やキュア工程によって形成された層膜である。また、平坦化層８５を構成する具体的な材料としては、有機材料を主成分として含む材料が採用され、その中でも、例えば、アクリル樹脂膜を採用することが好ましい。なお、アクリル樹脂以外にも、他の有機材料としてポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂（以下、ＢＣＢ樹脂と称す）等を採用してもよい。
【００８７】
次に、図５（ｃ）に示すように、遮光層７１を形成する（封止側発光領域における第１画素電極に隣接する遮光層を形成）。
当該遮光層７１は、後に形成される第１画素電極２３ａの下層に位置する層膜であり、封止側発光領域７３に形成されるものである。また、当該遮光層７１は、光反射性又は光吸収性のいずれかの性質を有している。当該遮光層７１が光反射性を有している場合には、反射光を利用して封止側発光領域において出射させることができるので、発光効率の向上を図ることができる。また、当該遮光層７１が光吸収性を有している場合には、ブラックマトリクスとして機能するので、コントラストの向上が実現できる。
ここで、光反射性を有する場合には、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属膜を平坦化層８５の全面に形成した後に、フォトリソグラフィ技術やパターニング技術によって、所定のパターンに形成される。
また、光吸収性を有する場合には、顔料分散樹脂を含有する液体材料を平坦化層８５の全面に塗布形成した後に、キュア等の工程を経て、フォトリソグラフィ技術やパターニング技術によって、所定のパターンに形成される。
【００８８】
次に、図５（ｄ）に示すように、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂを形成する（第１及び第２スイッチング素子の各々に接続する第１及び第２画素電極を形成する工程）。
これにより、平坦化層８５のコンタクトホール８５ａを介して第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの各々が、ＴＦＴ１２２、１２３のドレイン電極４４に接触して導通状態となる。また、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂは、上記のようにＩＴＯ等の透明性導電膜を利用して形成される。更に、フォトリソグラフィ技術やパターニング技術によって、所定のパターンに形成される。
このような第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂは、サブ画素毎に形成される。これにより、各サブ画素内において、封止側発光と基板側発光とを行うことが可能となる。
【００８９】
次に、図６（ａ）に示すように、親液性制御層２５を形成する。
当該工程においては、第１画素電極２３ａと第２画素電極２３ｂとの間に形成される。当該親液性制御層２５は、ＳｉＯ２などの親液性材料を主体として形成されたものであって、画素電極２３ａ、２３ｂの上方において、正孔注入／輸送層７０及び有機ＥＬ層６０の各々を濡れ広がせるものである。また、当該親液性制御層２５は、親液性を付与するためたけでなく、第１画素電極２３ａと第２画素電極２３ｂの間に形成されることで、遮光層７１が形成されることで生じる段差部に親液性制御層２５が形成されることとなり、当該段差部における電流集中や短絡を防ぐようになる。
【００９０】
次に、図６（ｂ）に示すように、有機バンク２１を形成する。
当該工程においては、スピンコート法等の塗布法を利用して行われる。具体的には、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料を溶剤に溶解させて当該溶液を塗布した後に、キュアを行って硬化する。更に、レジスト塗布後にフォトリソグラフィ技術によってレジストを部分的に除去した後に、レジスト開口部の樹脂材料を除去することで、有機バンク２１が残留して形成される。なお、有機バンク２１の材料として、感光性の樹脂材料を採用すれば、レジスト塗布工程は不要になる。
【００９１】
次に、図６（ｃ）に示すように、発光機能層１２を形成する（第１及び第２画素電極の上方に発光機能層を形成する工程）。
当該発光機能層１２を構成する正孔注入／輸送層７０及び有機ＥＬ層６０の形成方法としては、液体吐出法が好適に用いられる。当該液体吐出法においては、各種材料を好適な溶媒に溶解させた液体材料を微細な領域に正確に吐出して定着させることができるので、フォトリソグラフィが不要になり、材料の無駄が発生せず、製造コストの低減が可能になる。
【００９２】
次に、図７（ａ）に示すように、陰極５０を形成する（第１及び第２画素電極に対向する対向電極を形成する工程）。
当該陰極５０の形成方法としては、蒸着法が利用される。当該蒸着法を利用することにより、有機ＥＬ層６０や有機バンク２１を含む実表示領域４の全面に陰極５０が形成される。
なお、本実施形態においては、有機ＥＬ層６０上に陰極５０を形成しているが、有機ＥＬ層６０と陰極５０との間に電子注入層を形成してもよい。当該電子注入層を形成するには、マスク蒸着法が用いられる。
【００９３】
次に、図７（ｂ）に示すように、遮光層７２を形成する（基板側発光領域における対向電極の各々に隣接する遮光層を形成）。
当該遮光層７２の形成方法としては、マスク蒸着法が利用される。当該蒸着法を利用することにより、所定の部位にみに遮光層７２を形成することが可能となる。
また、遮光層７２は、基板側発光領域７４に形成されるものである。また、当該遮光層７２は、光反射性又は光吸収性のいずれかの性質を有している。当該遮光層７２が光反射性を有している場合には、反射光を利用して基板側発光領域において出射させることができるので、発光効率の向上を図ることができる。また、当該遮光層７２が光吸収性を有している場合には、ブラックマトリクスとして機能するので、コントラストの向上が実現できる。
ここで、光反射性を有する場合には、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属膜を平坦化層８５の全面に形成した後に、フォトリソグラフィ技術やパターニング技術によって、所定のパターンに形成される。
また、光吸収性を有する場合には、顔料分散樹脂を含有する液体材料を平坦化層８５の全面に塗布形成した後に、キュア等の工程を経て、フォトリソグラフィ技術やパターニング技術によって、所定のパターンに形成される。
【００９４】
更に、図１に示すように、遮光層７２を含み陰極５０の上方に透明保護膜４５Ａを形成する。透明保護膜４５Ａの材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）等が採用される。なお、窒化シリコンを採用する場合には、透明性を有する程度に薄膜化する必要がある。
また、透明保護膜４５Ａの上方に接着層４５Ｂを配置して、カバー基板４６を貼り合わせる（発光機能層を封止する封止部材を形成する工程）ことによって、ＥＬ表示装置１が完成となる。
このように形成されたＥＬ表示装置１は、サブ画素内に封止側発光領域７３と基板側発光領域７４とを備え、両面発光が可能な所謂ダブルエミッション型のＥＬ表示装置となる。
【００９５】
上述したように、本実施形態のＥＬ表示装置１の製造方法においては、上記のＥＬ表示装置を製造することができるので、同様の効果が得られる。
特に、サブ画素毎に第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂを形成し、封止側発光領域７３及び基板側発光領域７４を形成しているので、当該領域７３、７４における発光機能層１２が各々独立して発光させることができる。
また、マスク蒸着法を利用することにより、基板側発光領域７３における陰極５０に遮光層７２を形成しているので、当該遮光層７２を所定のマスクパターンに応じて蒸着して形成することができる。
【００９６】
（電子機器）
次に、図８及び図９を参照して、本発明に係る電子機器について説明する。本発明の電子機器の一実施形態たる携帯電話１０００は、図８に示す折り畳み状態と、図９に示す使用状態とを備えた折り畳み式の携帯電話であって、本体部１００１と、表示体部１００２とを有している。
【００９７】
表示体部１００２の内部には、上記の実施形態のＥＬ表示装置１が配置され、表示体部１００２にて表側表示面１００３と、裏側表示面１００４にて表示画面を視認できるように構成されている。このような携帯電話１０００によると、各種操作や各種状況に応じて、特に折り畳み状態と使用状態の状態変化に応じて、表側表示面１００３及び／又は裏側表示面１００４において、明るい表示画面を視認することができるようになる。
【００９８】
なお、本実施形態においては、折り畳み式の携帯電話を例示して説明したが、他の電子機器の表示部においても、表面発光型のＥＬ表示装置を適用することができる。
なお、本発明のＥＬ表示装置、及び電子機器は、先に示した形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を加えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明のＥＬ表示装置の構成を模式的に示す平面図。
【図２】本発明のＥＬ表示装置におけるサブ画素の等価回路図。
【図３】本発明のＥＬ表示装置におけるサブ画素の拡大平面図。
【図４】本発明のＥＬ表示装置におけるサブ画素の拡大断面図。
【図５】本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明するために図。
【図６】本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明するために図。
【図７】本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明するために図。
【図８】本発明の電子機器を示す斜視図。
【図９】本発明の電子機器を示す斜視図。
【符号の説明】
【０１００】
１ ＥＬ表示装置、 １２ 発光機能層、 １２ＡＲ 発光機能層領域（発光層）、 ２０ 基板、 ２１ 有機バンク（隔壁）、 ２１ＡＲ バンク領域（隔壁）、 ２３ａ 第１画素電極、 ２３ｂ 第２画素電極、 ４６ カバー基板（封止部材）、 ５０ 陰極（対向電極）、 ６０ 有機ＥＬ層（発光機能層）、 ７０ 正孔注入／輸送層（発光機能層）、 ７１、７２ 遮光層、 ７３ 封止側発光領域、７４ 基板側発光領域、 ８５ 平坦化層、 １２２ ＴＦＴ（第１スイッチング素子）、 １２３ ＴＦＴ（第２スイッチング素子）、 １０００ 携帯電話（電子機器）、 ＣＴ，ＣＢ 保持容量（容量素子）、 Ｄ サブ画素。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、単位画素内の複数のサブ画素毎に形成された第１及び第２画素電極と、当該第１及び第２画素電極に対向する対向電極と、前記第１及び第２画素電極と前記対向電極とによって挟持された発光機能層と、当該発光機能層を封止する封止部材と、
を具備し、
前記第１及び第２画素電極と前記対向電極は、透明導電膜からなり、
前記第１画素電極上には、前記発光機能層の出射光を前記封止部材側から取り出す封止側発光領域が形成され、
前記第２画素電極上には、前記発光機能層の出射光を前記基板側から取り出す基板側発光領域が形成され、
前記封止側発光領域における前記第１画素電極、及び前記基板側発光領域における前記対向電極の各々に隣接する遮光層が形成され、
前記封止側発光領域及び前記基板側発光領域における発光機能層が各々独立して発光することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第１画素電極に形成された遮光層と、前記対向電極に形成された遮光層とのうち、少なくともいずれか一方は、光反射性を有していることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１画素電極に形成された遮光層と、前記対向電極に形成された遮光層とのうち、少なくともいずれか一方は、光吸収性を有していることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第１及び第２画素電極の各々には、第１及び第２スイッチング素子が接続されており、当該第１及び第２スイッチング素子が駆動することによって前記発光機能層が発光することを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第１及び第２画素電極と、前記第１及び第２スイッチング素子との間には、平坦化層が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記封止側発光領域において、前記第１画素電極に形成された前記遮光層は、前記平坦化層を介して前記第１スイッチング素子と平面的に重なり合っていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子は、前記基板側発光領域を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の各々は、容量素子に接続されており、
当該容量素子は、前記封止側発光領域に重なり合っていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の各々は、電源線に接続されており、
当該電源線は、前記封止側発光領域に重なり合っていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記発光機能層を区画する隔壁が形成されており、
当該隔壁は、前記平坦化層を介して前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子の少なくともいずれかと、平面的に重なり合っていることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記発光機能層は、前記封止側発光領域と前記基板側発光領域において共通に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記発光機能層は、前記封止側発光領域と前記基板側発光領域の各々に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項１３】
基板の上方に、
第１及び第２スイッチング素子を形成する工程と、
前記第１及び第２スイッチング素子の各々に接続する第１及び第２画素電極を形成する工程と、
当該第１及び第２画素電極の上方に発光機能層を形成する工程と、
前記第１及び第２画素電極に対向する対向電極を形成する工程と、
前記発光機能層を封止する封止部材を形成する工程と、
を含み、
前記第１及び第２画素電極と前記対向電極は、透明導電膜からなり、
前記封止側発光領域における前記第１画素電極、及び前記基板側発光領域における前記対向電極の各々に隣接する遮光層を形成し、
前記第１画素電極上に、前記発光機能層の出射光を前記封止部材側から取り出す封止側発光領域を形成し、
前記第２画素電極上に、前記発光機能層の出射光を前記基板側から取り出す基板側発光領域を形成することを特徴とするＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１４】
単位画素内の複数のサブ画素毎に前記第１及び第２画素電極を形成することを特徴とする請求項１３に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１５】
マスク蒸着法を利用することにより、前記基板側発光領域における前記対向電極に前記遮光層を形成することを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板上に、単位画素内の複数のサブ画素毎に形成された第１及び第２画素電極と、当該第１及び第２画素電極に対向する対向電極と、前記第１及び第２画素電極と前記対向電極とによって挟持された発光機能層と、当該発光機能層を封止する封止部材と、
を具備し、
前記第１及び第２画素電極と前記対向電極は、透明導電膜からなり、
前記第１画素電極上には、前記発光機能層の出射光を前記封止部材側から取り出す封止側発光領域が形成され、
前記第２画素電極上には、前記発光機能層の出射光を前記基板側から取り出す基板側発光領域が形成され、
前記封止側発光領域における前記第１画素電極、及び前記基板側発光領域における前記対向電極の各々に隣接する遮光層が形成され、
前記封止側発光領域及び前記基板側発光領域における発光機能層が各々独立して発光することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第１画素電極に形成された遮光層と、前記対向電極に形成された遮光層とのうち、少なくともいずれか一方は、光反射性を有していることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１画素電極に形成された遮光層と、前記対向電極に形成された遮光層とのうち、少なくともいずれか一方は、光吸収性を有していることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第１及び第２画素電極の各々には、第１及び第２スイッチング素子が接続されており、当該第１及び第２スイッチング素子が駆動することによって前記発光機能層が発光することを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第１及び第２画素電極と、前記第１及び第２スイッチング素子との間には、平坦化層が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記封止側発光領域において、前記第１画素電極に形成された前記遮光層は、前記平坦化層を介して前記第１スイッチング素子と平面的に重なり合っていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子は、前記基板側発光領域を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の各々は、容量素子に接続されており、
当該容量素子は、前記封止側発光領域に重なり合っていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の各々は、電源線に接続されており、
当該電源線は、前記封止側発光領域に重なり合っていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記発光機能層を区画する隔壁が形成されており、
当該隔壁は、前記平坦化層を介して前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子の少なくともいずれかと、平面的に重なり合っていることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記発光機能層は、前記封止側発光領域と前記基板側発光領域において共通に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記発光機能層は、前記封止側発光領域と前記基板側発光領域の各々に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項１３】
基板の上方に、
第１及び第２スイッチング素子を形成する工程と、
前記第１及び第２スイッチング素子の各々に接続する第１及び第２画素電極を形成する工程と、
当該第１及び第２画素電極の上方に発光機能層を形成する工程と、
前記第１及び第２画素電極に対向する対向電極を形成する工程と、
前記発光機能層を封止する封止部材を形成する工程と、
を含み、
前記第１及び第２画素電極と前記対向電極は、透明導電膜からなり、
前記封止側発光領域における前記第１画素電極、及び前記基板側発光領域における前記対向電極の各々に隣接する遮光層を形成し、
前記第１画素電極上に、前記発光機能層の出射光を前記封止部材側から取り出す封止側発光領域を形成し、
前記第２画素電極上に、前記発光機能層の出射光を前記基板側から取り出す基板側発光領域を形成することを特徴とするＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１４】
単位画素内の複数のサブ画素毎に前記第１及び第２画素電極を形成することを特徴とする請求項１３に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１５】
マスク蒸着法を利用することにより、前記基板側発光領域における前記対向電極に前記遮光層を形成することを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載のＥＬ表示装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００６−１２８０７７（Ｐ２００６−１２８０７７Ａ）
【公開日】平成１８年５月１８日（２００６．５．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２２３６３０（Ｐ２００５−２２３６３０）
【出願日】平成１７年８月２日（２００５．８．２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年５月１８日（２００６．５．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年８月２日（２００５．８．２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]