説明

NDフィルタ

【課題】蒸着回数を増やすことなくクラック等を抑制し、反射防止性能を向上させた安価なNDフィルタを提供する。
【解決手段】ND領域Aにおいて、第1、3、5、7層に真空蒸着法により反射防止層であるAl23膜53aと、第2、4、6、8層に光吸収層であるTiOx膜53bが交互に成膜し、第8層のTiOx膜53b上に、SiO2膜61aとMgF2膜61bを順次に成膜し反射防止膜61を形成する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、カメラやビデオカメラ等の撮影装置や光学機器等に使用されるNDフィルタに関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来から、デジタルスチールカメラやビデオカメラ等の光学機器には、その光量調節のために光量絞り装置が組み込まれている。光量絞り装置は絞り羽根の開閉によりCCD等の固体撮像素子へ入射する光量を調節するものであり、被写体が明るい場合により小さく絞り込まれるようになっている。従って、快晴時や高輝度の被写体を撮影する際には透過光量を減衰させるために、絞りは小絞りとなる。しかし、絞りが極端に小さくなり過ぎると光は絞りで回折し、画像の劣化を引き起こしてしまう。また、固体撮像素子が高感度化するに伴い、更に光量を減衰させる必要があり、この傾向が顕著になってきている。
【0003】
この問題の対策として、絞り羽根の一部にフィルム形状のND(Neutral Density)フィルタを貼り付けることにより、絞り開口が所定の大きさ以上のままでも光量を減衰させることができる。これにより、被写体が高輝度の際にも絞り開口を極端に小さく絞り込む必要がなくなり、絞り開口が所定の大きさより小さくならないように維持することができる。
【0004】
近年では、デジタルカメラやビデオカメラ等の高画質化に伴い、より適切な調整ができるように、1枚のNDフィルタに複数の異なる濃度領域を設けた多濃度NDフィルタや連続的な濃度勾配を設けたグラデーションNDフィルタが用いられるようになっている。
【0005】
また、絞り開口内においてNDフィルタの有無による画質の差が生ずることを避けるために、NDフィルタによる減光を行わない場合においても、NDフィルタの透明領域が絞り開口内に挿入されるように、透明領域を有するNDフィルタも用いられてきている。
【0006】
例えば、特許文献1においては、透明樹脂フィルム上にTiO膜、Al23膜、SiO2膜を蒸着した透明領域付きグラデーションNDフィルタが開示されている。また、特許文献2においてはグラデーションNDフィルタの作製方法が開示されている。
【0007】
NDフィルタの基本的な構成は、透明基板の片面に金属膜、金属酸化物、誘電体膜等の積層膜から成る光吸収膜であるND膜を成膜したものである。
【0008】
図18はNDフィルタ1の断面図を示しており、透明基板2の片面にND膜3を成膜し、裏面には反射防止膜4を成膜している。また、図19に示すように透明基板2の両面にND膜3を成膜してもよい。
【0009】
図20はND膜3の膜構成図を示しており、透明基板2上の第1、3、5、7層に反射防止膜であるAl23膜11、第2、4、6、8層に透過率を低下させるための光吸収膜であるTiOx膜12を交互に積層している。そして、最上層の第9層に反射防止膜として低屈折材料のSiO2膜13を成膜している。
【0010】
透過率は光吸収膜であるTiOx膜12の総膜厚によって変化し、この膜厚が厚くなるほど透過率は低下する。また、400〜700nmの範囲の波長に対する透過率の平坦性はTiOx膜12の組成を表すxによって変化するため、このxの値を適切に調整することにより、異なる光の波長に対する透過率の変動を少なくすることができる。また、Al23膜11の蒸着時に反射率をモニタリングすることにより、Al23膜11の膜厚を制御し、反射率を低くすることができる。
【0011】
最表層にSiO2膜13を光学膜厚n×d(n:屈折率、d:物理膜厚)でλ0/4(λ0;設定波長)蒸着することにより、更に反射防止効果を高めている。また、SiO2膜13の代りにMgF2膜を用いることもできる。
【0012】
CCD等の固体撮像素子は構造上、その表面において光を反射し易いため、CCDと対向するNDフィルタ1の表面の反射が大きいと、CCD表面で反射した光がNDフィルタ1の表面で再度反射し、CCDの別の画素に入射してしまい、ゴースト等の原因となる。従って、NDフィルタ1の表面の反射を抑制することは、優れた画質の写真や映像を撮影するためには極めて重要である。
【0013】
図21は透明領域付きのグラデーションNDフィルタの断面模式図を示している。基板2のND領域A上にはグラデーション濃度分布を有するND膜3が成膜されている。そして、ND膜3が成膜されていない透明領域Bの基板2上及びND膜3上には、単層の反射防止膜4を成膜されている。この反射防止膜4は空気の屈折率(屈折率n=1)に近い方が反射防止効果が高いため、通常は屈折率が小さいSiO2膜(n=1.46)やMgF2膜(n=1.36)が使用される。
【0014】
通常、基板2上にND膜3を成膜する場合には、基板2とND膜3、反射防止膜4との密着性を向上させるために基板2を加熱するが、合成樹脂製の基板2の場合には耐熱性の問題があり、基板温度の上限は100〜150℃程度である。
【0015】
【特許文献1】特開2004−205951号公報
【特許文献2】特許第3701931公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0016】
固体撮像素子の高感度化や高解像度化に対応し、フィルタ表面の更なる低反射率化の要求に答えるためには、反射防止膜4の反射率をできるだけ小さくする必要がある。特に、図21に示すような透明領域Bを有するフィルタにおいては、NDフィルタと比較して反射率が高い基板2の影響があるため、MgF2等の膜を成膜することが望ましい。
【0017】
しかし、合成樹脂製の透明領域付きのグラデーションNDフィルタにおいては、上述の温度範囲に加熱された基板2において、反射防止膜4としてMgF2膜を成膜すると、加熱温度が低いために膜強度が弱くクラックが発生し易い。一方、反射防止膜4としてSiO2膜を蒸着すれば、この温度範囲で蒸着しても、膜強度が強いのでクラックの発生を抑制することができる。しかし、SiO2膜はMgF2膜と比較すると屈折率が大きいため、反射率が高くなってしまう。
【0018】
また、このようなフィルタに関しては、成膜層数が成膜工程の回数となり、製造コストにそのまま関係してくるため、できるだけ少ない成膜工程回数で製造することが望ましい。
【0019】
本発明の目的は、上述の問題点を解消し、クラック等の発生を抑制しつつ、反射防止性能を向上させた安価なNDフィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0020】
上記目的を達成するための本発明に係るNDフィルタの技術的特徴は、透明樹脂基板上の一部の領域に光吸収膜を成膜したND領域と前記光吸収膜を成膜しない透明領域を有するNDフィルタにおいて、前記ND領域の表面及び前記透明領域の表面の両領域上にSiO2膜、MgF2膜の順に成膜した2つの層から成る反射防止膜を形成したことにある。
【発明の効果】
【0021】
本発明に係るNDフィルタによれば、クラックの発生を防止すると共に、ND膜の表面及び透明領域の透明樹脂基板上に反射防止効果の高い反射防止膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0022】
本発明を図1〜図17に図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
図1は撮影光学系の構成図を示し、レンズ21、光量調節部材22、レンズ23〜25、ローパスフィルタ26、CCD等から成る固体撮像素子27が順次に配列されている。光量調節部材22においては、絞り羽根支持板28に一対の絞り羽根29a、29bが可動に取り付けられている。絞り羽根29aには、絞り羽根29a、29bの駆動により形成される略菱形形状の開口部を通過する光束の透過量を減光するためのNDフィルタ30が接着されている。なお、NDフィルタ30は絞り羽根29aに取り付けず、独立して駆動するようにしてもよい。
【0023】
図2はNDフィルタ30を製造するための真空蒸着機のチャンバの構成図を示している。チャンバ41内には、蒸着源42、回転可能な蒸着傘43が設けられ、この蒸着傘43には基板治具44が配置されている。
【0024】
図3は基板治具44の拡大断面図を示しており、この基板治具44には図示しない基準ピンに貫通させてNDフィルタ30の基板となる透明樹脂基板51が位置決めして取り付けられている。そして、この透明樹脂基板51の下面には、所定の間隔を空けて蒸着パターンを形成するための開口部52aを有する蒸着パターン形成用マスク52が設けられている。
【0025】
NDフィルタ30に用いられる透明樹脂基板51としては、透明性及び機械的強度を有するものが好ましく、フィルム状のPET(ポリエチレンテレフタレート)やPEN(ポリエチレンナフタレート)の使用が可能である。更には、ポリカーボネート、ポリイミド系樹脂、ノルボルネン系樹脂、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、アクリル系樹脂等のフィルム状の合成樹脂基板を使用することが可能である。また、透明樹脂基板51の板厚としては、NDフィルタ30としての剛性を保持しながら、可能な限り薄いことが好ましい。具体的には、その板厚は300μm以下とすることが好ましく、より好ましくは50〜100μmである。本実施例においては板厚100μmのPET基板を用いている。
【0026】
透明樹脂基板51と蒸着パターン形成用マスク52をセットした基板治具44を、図2に示すチャンバ41の蒸着傘43に固定してZ軸を中心に回転し、蒸着パターン形成用マスク52の開口部52a上の透明樹脂基板51上にND膜53を蒸着する。マスク52の開口部52aの透明樹脂基板51上に形成されるND膜53は最も膜厚が厚く、高い濃度の均一濃度領域になる。マスク52が遮蔽する部分は膜厚が徐々に薄く低濃度になるため、濃度勾配を有するグラデーション領域となる。また、開口部52aから遠い部分はND膜53が形成されない透明な領域を形成することができる。
【0027】
図4はND膜53を成膜したND領域A及び透明領域Bの両領域上に同一工程で反射防止膜61を蒸着するための説明図、図5は反射防止膜61を蒸着したNDフィルタ30の断面図をそれぞれ示している。ND膜53の最上層まで成膜が完了すると、チャンバ41から基板治具44を取り出し、蒸着パターン形成用マスク52を取り外した後に、基板治具44を再度チャンバ41に固定し、ND膜53上及び透明領域Bに同一工程で反射防止膜61を成膜する。反射防止膜61は基板51側からSiO2膜61a、MgF2膜61bの順に成膜され、本実施例においては、SiO2膜61aの膜厚は物理膜厚で5nm、MgF2膜61bの膜厚は100nmである。
【0028】
反射防止膜61は基板51側から、SiO2膜61a、MgF2膜61bが順次に積層された膜である。SiO2膜61aの物理膜厚tsは0.8nm<ts≦95nm、MgF2膜61bの物理膜厚tmは30nm≦tm≦140nm、総膜厚taは35nm≦taであることが、反射率低減に効果があるため好ましい。
【0029】
SiO2膜61aの厚みが薄くなり過ぎると、反射防止膜61としての欠陥が多くなり、MgF2膜61bを成膜した際にクラックが発生し易い。そのため、基板51、膜の材質や成膜条件にもよるが、SiO2膜61aの物理膜厚は1nm以上が好ましい。
【0030】
図6はNDフィルタ30の膜構成図を示している。ND領域Aにおいて、第1、3、5、7層に真空蒸着法により反射防止層であるAl23膜53a、第2、4、6、8層に光吸収層であるTiOx膜53bを交互に成膜している。そして、第8層のTiOx膜53b上にSiO2膜61aとMgF2膜61bとを順次に積層した反射防止膜61を成膜している。
【0031】
反射防止層としては光吸収の少ない透明誘電体であればよく、Al23膜53aの他に、SiO2、SiO、MgF2、ZrO2、TiO2等から成る薄膜が使用できる。
【0032】
また、TiOx膜53bのxの値を制御することにより分光透過率の平坦性を調整することができるが、多層膜の層数や使用材料によっても特性は変化する。光吸収層としては、可視領域の光を吸収する特性を有する材料であればよく、TiOx膜53bの他に、Ti、Ni、Cr、NiCr、NiFe、Nb等の金属、合金、酸化物から成る薄膜も使用することができる。
【0033】
本実施例においては、ND膜53は真空蒸着法により成膜したが、スパッタ法、イオンプレーティング法等の成膜法により成膜することもできる。そして、図7に示す最終工程で反射防止膜61の成膜が完了すると、チャンバ41から基板治具44を取り出し、成膜が完了した透明樹脂基板51を取り出し、フィルタ形状に切断することにより、透明領域付きグラデーションNDフィルタ30を得ることができる。上述の均一濃度領域は実際には使用しない場合も考えられ、このような変形例も本発明の範囲に含まれる。
【0034】
本実施例においては、図6に示したように、第1、3、5、7層にAl23膜53a、第2、4、6、8層にTiOx膜53bから成る8層のND膜53を形成しがたが、材質や層構成、層数等は限定されるものではない。また、このとき必要な透過率は各積層膜の膜厚で調整する。
【0035】
このように製造されたグラデーションNDフィルタ30は、クラックの発生が見られず、良好な反射防止効果を得ることができた。
【0036】
表11は反射防止膜61の膜構成を変更して成膜し、クラックの発生、反射率の変化を比較した表を示している。SiO2膜61aの物理膜厚が1nmより小さいとクラックが発生し、1nm以上ではクラックの発生は見られなかった。
【0037】
【表1】

【0038】
図8〜図17はSiO2膜61aの各物理膜厚における分光反射率の特性グラフ図を示している。
【0039】
また、比較例1として、上述した反射防止膜61として光学膜厚でλ0/4(物理膜厚は92nm、設定波長λ0:540nm)に相当するSiO2膜を成膜した以外は同様の手順で、グラデーションNDフィルタを作製した。この比較例1においては、クラックの発生はないが、表2に示すように反射率が高くなっている。
【0040】
比較例2として、上述した反射防止膜61として、光学膜厚でλ0/4(物理膜厚は99nm、設定波長λ0:540nm)に相当するMgF2膜を成膜した。この比較例2においては、表2に示すように反射率が抑えられるが、透明領域においてクラックの発生が見られた。図8〜図17には、比較例1、2の分光反射率も併記している。
【0041】
【表2】

【0042】
上述の実施例及び比較例1、2から、反射防止膜61の膜厚としてはSiO2膜61aが1nm以上95nm以下で、かつMgF2膜61bの膜厚が30nm以上140nm以下で、かつ総膜厚は35nm以上とすることが好適であることが分かる。
【0043】
また、SiO2膜61aの膜厚が1nm以上55nm以下で、かつMgF2膜61bの膜厚が60nm以上100nm以下とすることが、より好適であることも分かる。
【0044】
更に、SiO2膜61aの膜厚が1nm以上5nm以下で、かつMgF2膜61bの膜厚が80nm以上100nm以下とすることが、最も好適であることも分かる。
【図面の簡単な説明】
【0045】
【図1】撮影光学系の概略図である。
【図2】真空蒸着機の構成図である。
【図3】基板治具の拡大断面図である。
【図4】反射防止膜を成膜するための説明図である。
【図5】NDフィルタの断面図である。
【図6】NDフィルタの膜構成図である。
【図7】基板からNDフィルタを切断する説明図である。
【図8】反射率特性のグラフ図である。
【図9】反射率特性のグラフ図である。
【図10】反射率特性のグラフ図である。
【図11】反射率特性のグラフ図である。
【図12】反射率特性のグラフ図である。
【図13】反射率特性のグラフ図である。
【図14】反射率特性のグラフ図である。
【図15】反射率特性のグラフ図である。
【図16】反射率特性のグラフ図である。
【図17】反射率特性のグラフ図である。
【図18】従来のNDフィルタの構成図である。
【図19】従来のNDフィルタの構成図である。
【図20】従来のNDフィルタの膜構成図である。
【図21】従来のNDフィルタの断面模式図である。
【符号の説明】
【0046】
21 レンズ群
22 光量調整部材
23〜25 レンズ
26 ローパスフィルタ
27 固体撮像素子
28 絞り羽根支持板
29a、29b 絞り羽根
30 NDフィルタ
41 チャンバ
42 蒸着源
43 蒸着傘
44 基板治具
51 透明樹脂基板
52 蒸着パターン形成用マスク
53 ND膜
53a Al23
53b TiOx膜
61 反射防止膜
61a SiO2
61b MgF2

【特許請求の範囲】
【請求項1】
透明樹脂基板上の一部の領域に光吸収膜を成膜したND領域と前記光吸収膜を成膜しない透明領域を有するNDフィルタにおいて、前記ND領域の表面及び前記透明領域の表面の両領域上にSiO2膜、MgF2膜の順に成膜した2つの層から成る反射防止膜を形成したことを特徴とするNDフィルタ。
【請求項2】
前記SiO2膜の物理膜厚tsは1nm≦ts≦95nm、かつ前記MgF2膜の物理膜厚tmは30nm≦tm≦140nmとし、総膜厚taは35nm≦taであることを特徴とする請求項1に記載のNDフィルタ。
【請求項3】
前記SiO2膜の物理膜厚tsは1nm≦ts≦55nm、かつ前記MgF2膜の物理膜厚tmは60nm≦tm≦100nmであることを特徴とする請求項1に記載のNDフィルタ。
【請求項4】
前記SiO2膜の物理膜厚tsは1nm≦ts≦5nm、かつ前記MgF2膜の物理膜厚tmは80nm≦tm≦100nmであることを特徴とする請求項1に記載のNDフィルタ。
【請求項5】
前記ND領域は濃度が連続的に変化するグラデーション領域を含むことを特徴とする請求項1〜4の何れか1つの請求項に記載のNDフィルタ。
【請求項6】
請求項1〜5の何れか1つの請求項に記載のNDフィルタと、光量調節部材と、該光量調節部材を駆動する駆動手段とを有し、前記光量調節部材の駆動に応じて所定の開口部を透過する光束の透過量を調節することを特徴とする光量絞り装置。

【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図5】
image rotate

【図6】
image rotate

【図8】
image rotate

【図9】
image rotate

【図10】
image rotate

【図11】
image rotate

【図12】
image rotate

【図13】
image rotate

【図14】
image rotate

【図15】
image rotate

【図16】
image rotate

【図17】
image rotate

【図18】
image rotate

【図19】
image rotate

【図20】
image rotate

【図21】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate

【図7】
image rotate


【公開番号】特開2008−276112(P2008−276112A)
【公開日】平成20年11月13日(2008.11.13)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−122414(P2007−122414)
【出願日】平成19年5月7日(2007.5.7)
【出願人】(000104652)キヤノン電子株式会社 (876)
【Fターム(参考)】