説明

スタンレー電気株式会社により出願された特許

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【課題】 配光パターン上の所定箇所における照度を許容範囲内に収めることのできるプロジェクタ型前照灯を提供する。
【解決手段】 プロジェクタ型前照灯は、リフレクタと、リフレクタの後側焦点近傍に配置された光源バルブと、リフレクタの前側焦点近傍に、上端部が位置するように配置されたシェードと、リフレクタ、光源バルブ及びシェードの前方に配置された凸型レンズとを備えている。シェードの上端部における前面には溝が形成されている。 (もっと読む)


【課題】コストアップを招くことなく、簡単な構成で輝線の発生を防いで表示品位を高めることができる液晶用表面光源装置を提供すること。
【解決手段】出光面上にプリズムシート5を配置した導光板の端面近傍に光源を対向配置し、該光源から出射して前記導光板の端面から入射する光を該導光板の出光面から出射させ、該光を前記プレスムシート5によって偏向させて液晶ディスプレイ装置を背面側から照明する液晶用面状光源装置において、前記プリズムシート5の前記光源側端面又はその近傍に減光拡散処理を施す。ここで、前記減光拡散処理は、前記プリズムシート5の端面に凹凸形状5a〜5cを形成することによって、或はプリズムシート5の端面近傍にミシン目加工を施すことによってなされる。 (もっと読む)


【課題】 ZnO系化合物半導体素子の活性層の結晶品質をn型ドーパントの拡散によって落とさない。
【解決手段】 ZnO系化合物半導体素子は、III族元素とともに窒素(N)がドープされたn型半導体層と、前記n型半導体層の上方に形成されたp型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に形成された活性層とを含む。III属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、n型半導体層以外の他の層に対するIII属元素の拡散が抑制される。 (もっと読む)


【課題】 半導体層のエッチング時間の短縮化が望まれている。
【解決手段】 第1の膜及び半導体膜がこの順番に形成された積層基板の前記半導体膜の上に、マスクパターンを形成する。マスクパターンをエッチングマスクとして、半導体膜をエッチングすることにより、凹部を形成するとともに、凹部の底面の一部の領域に第1の膜が露出し、他の領域には、半導体膜の残渣が残っている状態でエッチングを停止させる。凹部の底面に露出した第1の膜を厚さ方向及び横方向にエッチングすることにより、残渣の下に空洞を形成する。積層基板を浸漬させた液体に超音波を印加することにより、空洞の上に残留している残渣を積層基板から脱離させる。 (もっと読む)


【課題】支持体間の可動錘の中央に設けられた両持ち梁あるいは片持ち梁はその剛性のために低周波数領域では屈曲せず、梁に設けられた圧電素子の発電量は極めて僅かであった。
【解決手段】キャビティ(空胴)101aが中央に形成された支持体101と、空胴101aの中央部に設けられ、外部振動による機械的振動によって励振される直方体の可動錘102と、支持体101と可動錘102との間に設けられた1対の圧電体層付の弾性梁103a、103bとにより構成されている圧電振動発電機10において、各弾性梁103a、103bの一端は支持体101の上端に結合され、他端が可動錘102の上端に結合され、各弾性梁103a、103bは折り返し構造をなしている。 (もっと読む)


【課題】 安定したp型ZnO系半導体結晶を得ることが可能なZnO系化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ZnO系化合物半導体の製造方法は、単結晶表面を有する基板を準備する工程と、亜鉛ビームと、酸素を含むガスをラジカル化した酸素ラジカルビームと、NガスとOガスとを混合したガスをラジカル化した窒素ラジカルビームとを、前記基板上に同時に照射して、窒素添加p型ZnO系化合物半導体を結晶成長する工程とを有し、前記NガスとOガスとを混合したガスの混合比O/Nが、0より大きく1以下である。 (もっと読む)


【課題】レーザ光を用いて、密着性高く、外観に優れ、接合強度が高い溶着部を含む樹脂成形品を製造する方法を提供する。
【解決手段】a)吸光性樹脂部材21の溶着領域と透光性樹脂部材22の対応する溶着領域27を対向圧接配置する工程と、b)前記溶着領域27の延在方向に沿う複数の溶着ラインを設定し、レーザビーム12sを前記透光性樹脂部材22から入射し、前記レーザビーム12sを前記複数溶着ラインに対して繰り返し照射し、溶着領域27全体を同時に加熱溶融する工程と、c)対向圧接配置された前記透光性樹脂部材22と前記吸光性樹脂部材21を溶融し溶着する工程、を含み、前記工程b)において、前記溶着領域27全体を溶融した状態で、幅方向一端側から他端側にかけて温度勾配を形成する。 (もっと読む)


【課題】電離電圧の高い放電ガスを用いながら、アーク放電を効率よく短時間に発生させ、薄膜素子を効率よく製造する。
【解決手段】圧力勾配型アーク放電プラズマガン10を用いてプラズマを発生させる。プラズマガン10は、陰極1と、第1、第2および第3中間電極2,3,7と、陽極4とを備える。陰極1と第1中間電極間2に電圧を印加してグロー放電を発生させた後、順次、第2中間電極3、第3中間電極7、陽極4に所定のタイミングで電圧を印加していき、陰極1との間にグロー放電を生じさせ、その後放電電流を上昇させることによりグロー放電をアーク放電に移行させる。これにより、3つの中間電極を備えた構成であっても短時間にグロー放電を安定して生じさせることができ、アーク放電に移行させることができる。 (もっと読む)


【課題】基板の温度制御変動を抑制し、高品質の膜を再現性よく成膜することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発源12およびプラズマ生成空間と、基板保持部に保持された基板14とをシャッター20で隔てた状態で、蒸発源を加熱し、プラズマ105を生成する。基板サセプタ13に内蔵された加熱源13aにより基板を加熱するとともに、シャッターの基板側の面に配置された輻射熱源により、蒸発源およびプラズマからシャッターに到達している熱量と同等の輻射熱量を供給して基板を加熱する。基板の温度が所定の温度に達した状態で、シャッターを開き、蒸発源からの蒸気をプラズマを通過させて、基板上に堆積させる。これにより、シャッターを開いても基板温度の変動を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】 液晶セルを用いて、入射光線の両方の偏光成分を偏向させることにより、光照射方向を変えることができる光照射装置を提供する。
【解決手段】 光照射装置は、所定方向に長いプリズムが形成されたプリズム層と、プリズム層上に形成された配向膜と、配向膜との界面で長軸方向がプリズム長さ方向に配向する液晶分子を有する液晶層とを含む第1の光偏向液晶セルと、所定方向に長いプリズムが形成されたプリズム層と、プリズム層上に形成された配向膜と、配向膜との界面で長軸方向がプリズム長さ方向に直交する方向に配向する液晶分子を有する液晶層とを含む第2の光偏向液晶セルとが、2層積層された構造を含み、さらに、光偏向液晶セルに電圧を印加する電圧印加装置と、光偏向液晶セルに光線を入射させる入射光学系とを有する。 (もっと読む)


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