【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電性皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電性皮膜は、Ｐ、ＴｉおよびＯからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。この耐食導電性皮膜が基材表面に形成された耐食導電材は、従来になく優れた耐食性および導電性を発現する。特にＴｉ原子比（Ｔｉ／Ｔｉ＋Ｐ）が０．５〜０．８である場合やＮが導入された場合、その耐食導電性皮膜の耐食性は、導電性を低下させることなく著しく向上する。本発明の耐食導電性皮膜は、腐食環境下で高い導電性が要求される電極等に用いられると好ましい。例えば、本発明の耐食導電性皮膜により表面が被覆された燃料電池用セパレータは、耐食性および導電性に優れて好適である。 （もっと読む）

【課題】薄型板状アンテナにおいて指向性を主面に垂直な方向から主面内方向まで広角度とすること。
【解決手段】誘電体基板１０の主面である第１面１１に形成され、その第１面に垂直な方向に指向性を有するアンテナ素子２０と、第１面に平行な第２面１２において、アンテナ素子の少なくとも下方領域を含む領域において面状に形成されたグランド層３０とにより構成されるアンテナ領域を有する。アンテナ領域と誘電体基板の側面との間におけるグランド層が形成されていない領域に設けられ、主面に平行な方向に指向性を有する一対の第１導体線４１と第２導体線４２とからなるダイポールアンテナとを有する。これにより、指向性を主面に垂直な方向、及び、主面に平行な方向に拡大させた。 （もっと読む）

【課題】不凝縮気体が混入しても凝縮性の低下を起こさないヒートパイプを提供する。
【解決手段】容器に、非相溶性の２種類の冷媒１４，１６を収容する。第２冷媒１６は、第１冷媒よりの液密度が小さく、沸点が高い。発熱体２４にて加熱された第１冷媒１４が沸騰し、気泡１４ｖとなって液体の第２冷媒１６の層に送られる。第１冷媒の気泡１４ｖは、第２冷媒１６中で、第２冷媒１６および放熱器２６に冷やされ、第１冷媒１４は凝縮し、液滴１４ａｑとなる。液滴１４ａｑは降下し、液体の第１冷媒の層１４Ｌに戻る。第１冷媒は、第２冷媒中で凝縮するので、凝縮した液滴１４ａｑが不凝縮気体の濃い層に囲まれることがなく、不凝縮気体による熱および物質移動の阻害が生じない。 （もっと読む）

【課題】搭乗者が左操作または右操作を加えると移動方向を変える移動装置の操作を簡単化したい。搭乗者が右左折を意図して操作したのか、車線変更を意図して操作したのかが判別できないと操作を簡単化できない。
【解決手段】移動装置の位置を特定する位置特定装置と、移動装置が移動可能な経路網に存在する分岐点群の位置情報を示す分岐点群の位置情報ＤＢと、角速度指示値の計算装置を備えている。計算装置は、操作部が左操作された時の移動装置の位置から次の分岐点までの距離が所定値以下であれば当該分岐点で左折する角速度指示値を計算し、操作部が左操作された時の上記距離が所定値以上であれば左側へ車線変更する角速度指示値を計算し、操作部が右操作された時の上記距離が所定値以下であれば当該分岐点で右折する角速度指示値を計算し、操作部が右操作された時の上記距離が所定値以上であれば右側へ車線変更する角速度指示値を計算する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの表面に膜を成長させる技術であって、半導体装置を効率よく製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、チャンバ内に配置された半導体ウエハの表面に膜を成長させる動作と、チャンバ内に配置された半導体ウエハと前記膜とをエッチング可能なエッチングガスをチャンバ内に導入する動作とを実行可能な半導体製造装置のチャンバ内に半導体ウエハを搬入する搬入工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第１エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第１成膜工程と、チャンバから半導体ウエハを搬出するとともに、チャンバに別の半導体ウエハを搬入する入れ換え工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第２エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第２成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】貴金属の粗大粒子化を抑止でき、かつこの貴金属が含有された薬液が莫大な量となることもない触媒担持担体の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】触媒金属Ｐｂを修飾する貴金属Ｑを含有する薬液Ｓ”を希釈槽の溶媒Ｓ’内に投入して希釈液Ｓ２を生成すること、および、触媒金属Ｐｂが導電性担体Ｐａに担持された触媒担持担体の中間体Ｐが含有された懸濁液Ｓ１を反応槽に収容すること、からなる第１のステップ、希釈液Ｓ２を反応槽内の懸濁液Ｓ１に投入し、触媒金属Ｐｂの表面に貴金属Ｑを修飾させて触媒担持担体Ｒを生成するとともに、反応槽から溶媒を分離して希釈槽に戻してその再利用を図る第２のステップからなる触媒担持担体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高品質で、かつ長尺とされた炭化珪素単結晶を製造可能な炭化珪素単結晶製造装置、及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝３１内の台座３３に取り付けた炭化珪素種結晶３５の成長面３５ａに、原料ガスを供給して、炭化珪素種結晶３５に炭化珪素単結晶７１を成長させる炭化珪素単結晶製造装置であって、台座３３の厚さを薄くすることが可能な構成とし、炭化珪素単結晶７１の成長に応じて、台座３３の厚さを薄くする。 （もっと読む）

【課題】表面に金が修飾された白金粒子を少なくとも含む触媒を、外部電源を用いることなく、容易に量産できる触媒の製造装置を提供する。
【解決手段】銅イオンを含む酸水溶液を、白金粒子を担持した導電性担体で懸濁させた懸濁液を収容する懸濁液収容槽１０と、懸濁液収容槽１０からの懸濁液Ａが流下するように懸濁液収容槽に連通すると共に、銅材を収容することにより、懸濁液Ａに含まれる白金粒子の表面に銅層を析出させる銅析出槽２０と、銅析出槽２０からの懸濁液Ｂが流下するように銅析出槽２０に連通すると共に、内部に金イオンを含む金水溶液を収容しており、懸濁液と金水溶液とを混合することにより、懸濁液Ａに含まれる白金粒子の銅層の銅を、金水溶液Ｃの金に置換する金置換槽４０とを、少なくとも備え、懸濁液収容槽１０、銅析出槽２０、および金置換槽４０内を不活性ガスで置換可能なように、懸濁液収容槽１０、銅析出槽２０および金置換槽４０に不活性ガス供給源３が接続されている。 （もっと読む）

【課題】基底面転位が高度に配向しているＳｉＣ単結晶、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】基底面転位の直線性が高く、基底面転位が結晶学的に等価な３つの＜１１−２０＞方向に配向している１又は２以上の配向領域を有するＳｉＣ単結晶、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイス。このようなＳｉＣ単結晶は、｛０００１｝面最上位部側のオフセット角が小さく、かつオフセット方向下流側のオフセット角が大きい種結晶を用い、この種結晶の上に新たな結晶を成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】表面に銅層が被覆された白金粒子を少なくとも含む触媒を、外部電源を用いることなく、容易に量産することができる触媒の製造方法を提供する。
【解決手段】銅イオンを含む酸水溶液を、白金担持導電体３ａで懸濁した懸濁液１１に銅材１０を浸漬し、白金粒子３２の表面に銅層を析出させる析出工程Ｓ２１と、析出工程Ｓ２１における白金粒子の表面の銅層の析出状態を評価する評価工程Ｓ２０と、を含む。評価工程Ｓ２０は、参照極１６と、白金からなる作用極１４とを懸濁液１１に浸漬する浸漬工程Ｓ２２を含み、作用極Ｓ１１の表面に銅層を析出させながら、参照極１６に対する作用極１４の電位が一定電位となるまでの時間を測定する測定工程Ｓ２３と、測定後の作用極に析出した銅層を除去する除去工程Ｓ２４とからなる一連の工程を、繰り返し行い、繰り返し行われる前定工程Ｓ２３における測定時間毎の変化量に基づいて、析出工程Ｓ２１を終了する。 （もっと読む）