【課題】白色ＬＥＤ用の励起光源に適したＧａＮ系発光ダイオード素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオード素子は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板と、該ｍ面ＧａＮ基板のおもて面上にＧａＮ系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成されたｎ側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が２０ｍＡのときの順方向電圧が４．０Ｖ以下である。 （もっと読む）

【課題】触媒の存在下における１，４−ブタンジオールの脱水素反応によりガンマブチロラクトンを製造するに当たり、経時による触媒の劣化を抑制してガンマブチロラクトンの生成速度を高めると共に、反応副生成物の生成を防止してガンマブチロラクトンを効率的に製造する。
【解決手段】周期表第８〜１１族に属する金属を含む触媒の存在下で、原料１，４−ブタンジオールの脱水素反応によりガンマブチロラクトンを製造する方法において、該原料１，４−ブタンジオール中の窒素含有化合物の濃度を窒素原子換算の濃度で０．５〜１５重量ｐｐｍとする。原料１，４−ブタンジオール中に所定濃度の窒素含有化合物を存在させることにより、副生成物の生成と触媒の経時劣化の抑制と、ガンマブチロラクトンの生成速度の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】補強構造を簡素化でき且つ十分な強度を発揮できる金属板基板型の太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】太陽電池モジュールは、金属板からなる長方形のシート状の基板１の表面に太陽電池セル２を配置し且つ基板１の裏面に幅方向に亙って補強用の桟３を複数配置して構成された金属板基板型のモジュールであり、各桟３がその長さ方向において湾曲した構造を備えていることにより、受光面Ｓがその幅方向において凸状に湾曲した形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ビスフェノールＡの晶析被処理液への磨耗粉の混入や異物の溶出等を防止できて、高品質のビスフェノールＡの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ビスフェノールＡを製造する際に、ビスフェノールＡを含む結晶を生成させる晶出機の冷却面に付着した結晶を掻き取るためのスクレーパーとして、シラン架橋高密度ポリエチレン樹脂、或いはポリフッ化ビニリデン樹脂から成る掻き取り片を有するものを用いる。 （もっと読む）

【課題】大型で品質が良好なIII族窒化物結晶を簡便で効率良く短期間で製造すること。
【解決手段】窒化物結晶からなる複数の下地基板を配置する下地基板準備工程、該複数の下地基板上に気相法により窒化物結晶層を成長させて一体となったシードを得るシード作成工程、および、 該シード上にアモノサーマル法によりIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】樹脂との複合化に際し、添加量を増加させた場合の複合材料の粘度上昇を抑制することができ、成形加工性を良好に維持することができる粉末状窒化ホウ素組成物を提供する。
【解決手段】窒化ホウ素と周期表第２Ａ族および／または第３Ａ族元素のホウ酸化物とを含有する粉末状窒化ホウ素組成物。周期表第２Ａ族および／または第３Ａ族元素、特にイットリウムを含有する化合物をＢＮ粉末と混合し、非酸化性ガス雰囲気下で加熱処理すると、ホウ酸化イットリウム等のホウ酸化物を含有した粉末状窒化ホウ素組成物が生成し、これを用いることで複合材料とした場合の粘度を低減でき、しかも、このようにして得られた粉末状窒化ホウ素組成物は、窒化ホウ素含有量が実質的に低減しているにもかかわらず、熱伝導率の低下は殆ど起こらない。 （もっと読む）

【課題】電池としてのエネルギー密度を低下させることなく、使用に伴う容量、およびハイレート放電時の放電性能の維持率を飛躍的に向上させることができる非水電解質電池を提供する。
【解決手段】正極活物質として充電電圧がＬｉ基準で４．４Ｖ以上で使用される活物質を含有する正極活物質含有層が正極集電体上に形成された正極であって、活物質含有層の活物質含有量が８５質量％以上であり、前記正極集電体は前記正極活物質含有層に接する面の平均表面粗さＲａが７０ｎｍ以上、５０００ｎｍ以下であることを特徴とするリチウム二次電池用正極。 （もっと読む）

【課題】種々の構成材料からなる半導体発光デバイス用パッケージに対する密着性、ガスバリア性、耐熱性、耐光性、成膜性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離、着色を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、必要に応じて蛍光体を保持することのできる新規な熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を硬化させた半導体デバイス用部材、およびこれらを用いた半導体発光デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）平均組成式が下記一般式（１）：
（Ｒ^１Ｒ^２ＳｉＯ_２／２）_ａ（Ｒ^３ＳｉＯ_３／２）_ｂ（ＳｉＯ_４／２）_ｃ（Ｏ_１／２Ｒ^４）_ｄ・・・（１）
で表され、エポキシ当量が２５０〜７００ｇ／当量であるポリシロキサン、（Ｂ）硬化剤および（Ｃ）硬化触媒を含む熱硬化性樹脂組成物であって、
該熱硬化性樹脂組成物を熱処理することで形成される硬化物について、動的粘弾性測定によって得られる損失正接（Ｔａｎδ）におけるピーク温度（Ｋ）に対するピーク半値幅（Ｋ）の比が０．１８以下であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物、該樹脂組成物を硬化させた硬化物よりなる半導体デバイス用部材、該半導体デバイス用部材を備えてなる半導体発光デバイス。 （もっと読む）

【課題】従来は高価且つ入手困難であった二弗化燐酸塩を、安価且つ入手容易な材料から簡便に効率よく、高い純度で得る。また、安全性を損なうこと無く、低温放電特性や大電流放電特性に優れ、なおかつ、高温保存特性やサイクル特性にも優れる電池を製造する。
【解決手段】六弗化燐酸塩と、分子中に下記式（１）で表わされる結合を有する化合物とを反応させる。


また、イオンを吸蔵及び放出し得る負極及び正極と非水系電解液とを備える非水系電解液二次電池に用いられる非水系電解液であって、少なくとも一種の非水系溶媒、六弗化燐酸塩及び下記式（１）で表される結合を有する化合物を混合した後に、系中に新たに生成した式（１）で表される結合を有する化合物より沸点の低い化合物を除去して得られた混合物を用いて調製されることを特徴とする、非水系電解液。
（もっと読む）

【課題】積層欠陥が少ないIII族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】III族窒化物からなり半極性面又は非極性面を主面とする種結晶１０１上にIII族窒化物半導体層１０２が形成されたIII族窒化物結晶１００であって、前記種結晶１０１の主面内の輝線密度（α）と前記III族窒化物半導体層１０２の前記主面と平行な面内の輝線密度（β）との比（β／α）が１０以下であるか、｜β−α｜が５０以下であるIII族窒化物結晶１００。 （もっと読む）