説明

ローム株式会社により出願された特許

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【課題】トンネルウィンドウやセレクトゲートの加工寸法のばらつき、およびセレクトゲートのアライメント精度を考慮する必要がなく、セルサイズを小さくすることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】不揮発性メモリセル7を半導体基板2上に選択的に備える半導体装置1が製造される。この製造方法は、ゲート絶縁膜23上において不揮発性メモリセル7用のアクティブ領域5に、セレクトゲート19を選択的に形成する工程と、セレクトゲート19に対して自己整合的に導入することによってn型トンネル拡散層11を形成する工程と、ゲート絶縁膜23の一部セレクトゲート19に対して自己整合的に除去し、その後の熱酸化によりトンネルウィンドウ25を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 読み取り対象物の画像の色をより忠実に再現することが可能なイメージセンサモジュールを提供すること。
【解決手段】 イメージセンサモジュール101は、線状光を出射する発光ユニット400と、複数の受光部を有するセンサIC600と、レンズユニット500と、ケース200と、を備えており、発光ユニット400は、青色光を発するLEDチップ441を有するLEDモジュール410と、導光体460と、黄色光を発する主蛍光体と、を有しており、かつ、青色光および黄色光を混色させることにより白色の線状光を出射し、上記複数の受光部は、互いに異なる第1ないし第3波長領域の光を受光する第1ないし第3グループに属するものを含む。 (もっと読む)


【課題】出力平滑コンデンサの低耐圧化(延いては大容量化)を実現する。
【解決手段】LEDドライバモジュール10は、交流電源が接続される入力端子LP1及びLP2と、入力端子LP1及びLP2に接続されて後段の回路部を保護する保護部11と、入力端子LP1及びLP2から保護部11を介して入力される交流電圧を整流する整流部12と、整流部12の出力からノイズ成分を除去するフィルタ部13と、フィルタ部13の出力から所望の直流電圧を生成するDC/DC変換部14と、DC/DC変換部14の出力を平滑してLED駆動電圧を生成する出力平滑部15と、LEDモジュールが接続される出力端子LP3及びLP4と、を有し、出力平滑部15は、出力端子LP3にLEDモジュールが接続されていないときには出力端子LP3と絶縁されており、出力端子LP3にLEDモジュールが接続されたときに出力端子LP3と電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】低オン抵抗および高耐電圧を両立させることができ、デバイスサイズの小型化、製造歩留まりの向上およびコストの低減を達成することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板5と、基板上5に形成され、ゲートトレンチ11が形成されたエピタキシャル層6と、ゲートトレンチ11の側面14および底面15に形成されたゲート絶縁膜17と、ゲートトレンチ11に埋め込まれ、ゲート絶縁膜17を介してエピタキシャル層6に対向しているゲート電極20と、エピタキシャル層6の表面側から裏面側へ向かって順に形成されたソース層25、チャネル層26およびドリフト層27とを含む半導体装置1において、オン抵抗Ronを変数yとし、耐電圧Vを変数xとする関数で表したときに、下記関係式(1)を成立させる。
y≦9×10−7−0.0004x+0.7001…(1) (もっと読む)


【課題】 高輝度化を図ることが可能なLEDモジュールを提供すること。
【解決手段】 本発明のLEDモジュール101は、LEDチップ210と、LEDチップ210が搭載された搭載面221aを有するチップ支持体221と、を備え、チップ支持体221は、搭載面221aから遠ざかるように突出し、かつLEDチップ210を囲む突出部222を有する。 (もっと読む)


【課題】基準電圧発生回路を構成するエンハンスメント型MOSFETとデプレッション型MOSFETとの間の温度特性の差を小さくすることができ、基準電圧発生回路の出力電圧の温度特性を改善することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板6上においてRef回路領域8およびCMOS領域7に跨るようにゲート絶縁膜66を形成した後、CMOS領域7の部分を選択的に除去する。次に、熱酸化により、ゲート絶縁膜66が除去されたCMOS領域7に第1ゲート絶縁膜12を形成し、同時に、Ref回路領域8に残っているゲート絶縁膜66を厚くして第1ゲート絶縁膜12よりも厚い第2ゲート絶縁膜13を形成する。 (もっと読む)


【課題】複数の電極パッド間の短絡を確実に防止することができ、従来に比べて信頼性の高い半導体チップおよびそれを備える半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】半導体基板11と、半導体基板11上に形成された層間絶縁膜12と、層間絶縁膜12上に形成された複数の電極パッド9と、層間絶縁膜12上に形成されたポリイミドからなる表面保護膜14であって、各電極パッド9を露出させるパッド開口22が形成された表面保護膜14とを含む半導体パッケージ1において、表面保護膜14において隣り合う電極パッド9の間に、当該隣り合う電極パッド9が同一のポリイミドに接しないように、表面保護膜14を選択的に除去したスリット開口23を形成する。 (もっと読む)


【課題】小型化と共に、コストの低廉化が可能なラミネート型エネルギーデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】正負極の活物質電極10,12に、電解液とイオンが通過するセパレータ30を介在させながら、正負極の引き出し電極32a,32bが露出するように、かつ正電極と負電極とが交互になるように積層した少なくとも2層以上の積層体を有する複数の単セルC1,C2と、単セルC1,C2同士を重ね合わせると共に、単セルC1,C2間に介在される仕切用ラミネートシート40cと、接続された単セルC1,C2の全体を封止する外装用ラミネートシート40と、外装用ラミネートシート40と仕切用ラミネートシート40cとの間に注入された電解液44とを備え、引き出し電極32a,32bを介して電気的に接続される。 (もっと読む)


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