【課題】小型化と共に、コストの低廉化が可能なラミネート型エネルギーデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】正負極の活物質電極１０，１２に、電解液とイオンが通過するセパレータ３０を介在させながら、正負極の引き出し電極３２ａ，３２ｂが露出するように、かつ正電極と負電極とが交互になるように積層した少なくとも２層以上の積層体を有する複数の単セルＣ１，Ｃ２と、単セルＣ１，Ｃ２同士を重ね合わせると共に、単セルＣ１，Ｃ２間に介在される仕切用ラミネートシート４０ｃと、接続された単セルＣ１，Ｃ２の全体を封止する外装用ラミネートシート４０と、外装用ラミネートシート４０と仕切用ラミネートシート４０ｃとの間に注入された電解液４４とを備え、引き出し電極３２ａ，３２ｂを介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 使用者の負担を軽減させつつ適切に発光することが可能なＬＥＤモジュールを提供すること。
【解決手段】 基板２００と、基板２００に搭載されたＬＥＤチップ３００と、ＬＥＤチップ３００を覆う透光樹脂５００と、を備えるＬＥＤモジュール１０１であって、基板２００のうち透光樹脂５００から露出した領域に搭載され、ＬＥＤチップ３００に対して電気的に直列または並列に接続された１以上の電子部品６００を備える。 （もっと読む）

【課題】耐久性の向上可能な有機薄膜太陽電池およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に配置された第１電極層１１と、第１電極層上に配置された正孔輸送層１２と、正孔輸送層上に配置されたバルクへテロ接合有機活性層１４と、バルクへテロ接合有機活性層上に配置された第２電極層１６と、第２電極層の表面に配置した不動態膜２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】トンネルウィンドウやセレクトゲートの加工寸法のばらつき、およびセレクトゲートのアライメント精度を考慮する必要がなく、セルサイズを小さくすることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】不揮発性メモリセル７を半導体基板２上に選択的に備える半導体装置１が製造される。この製造方法は、ゲート絶縁膜２３上において不揮発性メモリセル７用のアクティブ領域５に、セレクトゲート１９を選択的に形成する工程と、セレクトゲート１９に対して自己整合的に導入することによってｎ型トンネル拡散層１１を形成する工程と、ゲート絶縁膜２３の一部セレクトゲート１９に対して自己整合的に除去し、その後の熱酸化によりトンネルウィンドウ２５を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 読み取り対象物の画像の色をより忠実に再現することが可能なイメージセンサモジュールを提供すること。
【解決手段】 イメージセンサモジュール１０１は、線状光を出射する発光ユニット４００と、複数の受光部を有するセンサＩＣ６００と、レンズユニット５００と、ケース２００と、を備えており、発光ユニット４００は、青色光を発するＬＥＤチップ４４１を有するＬＥＤモジュール４１０と、導光体４６０と、黄色光を発する主蛍光体と、を有しており、かつ、青色光および黄色光を混色させることにより白色の線状光を出射し、上記複数の受光部は、互いに異なる第１ないし第３波長領域の光を受光する第１ないし第３グループに属するものを含む。 （もっと読む）

【課題】出力平滑コンデンサの低耐圧化（延いては大容量化）を実現する。
【解決手段】ＬＥＤドライバモジュール１０は、交流電源が接続される入力端子ＬＰ１及びＬＰ２と、入力端子ＬＰ１及びＬＰ２に接続されて後段の回路部を保護する保護部１１と、入力端子ＬＰ１及びＬＰ２から保護部１１を介して入力される交流電圧を整流する整流部１２と、整流部１２の出力からノイズ成分を除去するフィルタ部１３と、フィルタ部１３の出力から所望の直流電圧を生成するＤＣ／ＤＣ変換部１４と、ＤＣ／ＤＣ変換部１４の出力を平滑してＬＥＤ駆動電圧を生成する出力平滑部１５と、ＬＥＤモジュールが接続される出力端子ＬＰ３及びＬＰ４と、を有し、出力平滑部１５は、出力端子ＬＰ３にＬＥＤモジュールが接続されていないときには出力端子ＬＰ３と絶縁されており、出力端子ＬＰ３にＬＥＤモジュールが接続されたときに出力端子ＬＰ３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗および高耐電圧を両立させることができ、デバイスサイズの小型化、製造歩留まりの向上およびコストの低減を達成することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板５と、基板上５に形成され、ゲートトレンチ１１が形成されたエピタキシャル層６と、ゲートトレンチ１１の側面１４および底面１５に形成されたゲート絶縁膜１７と、ゲートトレンチ１１に埋め込まれ、ゲート絶縁膜１７を介してエピタキシャル層６に対向しているゲート電極２０と、エピタキシャル層６の表面側から裏面側へ向かって順に形成されたソース層２５、チャネル層２６およびドリフト層２７とを含む半導体装置１において、オン抵抗Ｒ_ｏｎを変数ｙとし、耐電圧Ｖ_ｂを変数ｘとする関数で表したときに、下記関係式（１）を成立させる。
ｙ≦９×１０^−７ｘ^２−０．０００４ｘ＋０．７００１…（１） （もっと読む）

【課題】 高輝度化を図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供すること。
【解決手段】 本発明のＬＥＤモジュール１０１は、ＬＥＤチップ２１０と、ＬＥＤチップ２１０が搭載された搭載面２２１ａを有するチップ支持体２２１と、を備え、チップ支持体２２１は、搭載面２２１ａから遠ざかるように突出し、かつＬＥＤチップ２１０を囲む突出部２２２を有する。 （もっと読む）