【課題】ＴＳＶの研磨においてスループットの向上が可能な研磨用スラリーを提供する。
【解決手段】研磨用スラリーは、シリコン貫通ビアを構成するバリアメタル、銅および二酸化シリコンの研磨に用いられる研磨用スラリーであって、平均粒径が３０ｎｍであるコロイダルシリカと、平均粒径が８０ｎｍであるコロイダルシリカと、マロン酸と、Ｌ−アラニンと、ベンゾトリアゾールと、リン酸と、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムと、ジノニルスルホコハク酸ナトリウムとを含み、酸性である。 （もっと読む）

【課題】圧縮弾性特性と材料破壊強度とを兼ね備えた発泡体の提供。
【解決手段】基板２上に湿式凝固法によって形成された発泡層３を備え、発泡層３は、少なくとも一層の中間層４を有する。発泡層３は、中間層４によって分離された複数の分離層３ａ、３ｂを有する。分離層３ａ、３ｂは、互いにその気泡形状が異なる。 （もっと読む）

【課題】シリコンの研磨速度を向上させる。
【解決手段】研磨用組成物は、シリカ粒子と、ＮＨ_２（ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ）_ｎＨ（ｎは２以上の整数）からなるポリエチレンアミンとを含む。シリカ粒子は、シリコンの研磨に用いられる粒子からなり、例えば、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、およびコロイダルシリカとヒュームドシリカとの混合物のいずれかからなる。ポリエチレンアミンは、ジエチレントリアミン（ＮＨ_２（ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ）_２Ｈ）、トリエチレンテトラミン（ＮＨ_２（ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ）_３Ｈ）、テトラエチレンペンタミン（ＮＨ_２（ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ）_４Ｈ）およびペンタエチレンヘキサミン（ＮＨ_２（ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ）_５Ｈ）のいずれかからなる。 （もっと読む）

【課題】作動条件の調整、および研磨の再現性の確保を容易にする。
【解決手段】研磨パッド１内に、センサ７と、前記センサ７により得られる検出情報を記憶するメモリ９と、電源部１１の駆動により外部と非接触で通信する通信手段（コントロールＩＣ１０）とが埋設されている。上記構成の研磨パッド１と、研磨パッドに備える通信手段１０と非接触で通信が可能な通信部６とを含んで研磨情報管理システムが構成される。さらに、研磨装置は、上記構成の研磨パッド１と、該研磨パッドに備える通信手段１０と非接触で送受信が可能な通信部６とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスにおいて窒化ケイ素膜のＣＭＰによる研磨速度を向上することができる窒化ケイ素研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の窒化ケイ素研磨用組成物は、コロイダルシリカと、リン酸系化合物および硫酸化合物からなる研磨助剤とを含む。さらに酸化剤を含むことで、窒化ケイ素膜の研磨速度に対する金属膜の研磨速度の比である第１選択比、および窒化ケイ素膜の研磨速度に対する酸化絶縁膜の研磨速度の比である第２選択比を制御する。 （もっと読む）

【課題】被加工物を保持する被加工物保持材の強度を高めて破損しにくくする。
【解決手段】基材１に、樹脂溶液を塗工し、湿式凝固して発泡層２を形成し、発泡層２の裏面の基材１を剥離し、発泡層２を、平滑部材３で挟んで加熱加圧し、発泡層２の表裏面２ａ−１，２ｂ−１側の気泡等を押し潰して緻密にして強度を高めるとともに、発泡層２の密度分布が、厚み方向の表裏面側よりも中央部側で小さくなるように徐々に傾斜した分布としている。 （もっと読む）

【課題】被加工物を保持する被加工物保持材の保持面からの研磨液などの水分の浸透を抑制できるとともに、強度を高めて破損しにくくする。
【解決手段】基材１に、樹脂溶液を塗工し、湿式凝固して発泡層２を形成し、発泡層２の裏面の基材１を剥離し、発泡層２を、平滑部材３で挟んで加熱加圧し、発泡層２の表裏面２ａ−１，２ｂ−１側に、気泡等が押し潰されて空隙部が少ない緻密な層２ａ−１ａ，２ｂ−１ｂを形成し、この緻密な層２ａ−１ａ，２ｂ−１ｂによって、研磨液等の浸透を阻止するとともに、強度を高めて破断しにくいものとしている。 （もっと読む）

【課題】 低比重にもかかわらず、研磨パッドとして好適な硬度と弾性を有するポリウレタン発泡体、及びそれを用いてなる研磨パッドを提供すること。
【解決手段】 （Ａ）ポリイソシアネートと（Ｂ）ポリオールと（Ｃ）分子量が４００以下の鎖延長剤と（Ｄ）水とを含有する配合組成物を反応させて得られ、配合組成物中に、（Ａ）成分として、ＭＤＩが主成分として配合されてなり、該ＭＤＩの配合量が、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の各成分の合計重量を１００重量部としたときに、４５〜７０重量部である。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子が形成される基板の裏面を研削する裏面研削工程を含む薄型半導体デバイスの製造方法であって、裏面研削が不足であったり進み過ぎたりするのを防止することができるとともに、研削加工の高速化を図ることができて、生産効率を向上させることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの製造方法は、ステップｓ２のイオン注入工程と、ステップｓ６の裏面研削工程とを含む。ステップｓ２のイオン注入工程では、シリコン基板１中に、導電型領域を形成することがないイオン２を注入し、結晶構造が変化した構造変化層３を形成する。そして、ステップｓ６の裏面研削工程では、シリコン基板１における半導体素子４が形成される面とは反対側の裏面を研削し、研削速度の変化が検出された時点で研削加工を停止する。 （もっと読む）

【課題】 裏面研削加工および裏面ＣＭＰ処理が施されて製造される薄型半導体デバイスに用いられる半導体デバイス用基板であって、裏面研削を過不足なく行うことが可能であるとともに、研削加工の高速化を図ることができて、生産効率を向上させることができる半導体デバイス用基板を提供することである。
【解決手段】 半導体デバイス用基板１０は、結晶性のシリコン基板１１の内部に、構造変化層１２が形成されたものである。この構造変化層１２は、導電型領域を形成することがないイオンが注入されてなる層であって、シリコンとは異なる結晶構造に変化した層である。 （もっと読む）