【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、
前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有すると共に、前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、［Ｉｎ］としたとき、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、それぞれ下式を満足するものである。
［Ｉｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］）＝０．０１〜０．２５未満
［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．５０〜０．８０
［Ｓｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．２０〜０．５０ （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化インジウムと；酸化ガリウムと；酸化亜鉛と；Ｓｉ、Ｎｉ、およびＨｆよりなる群から選択される少なくとも一種の金属（Ｍ金属）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、（１）ＩｎＧａＺｎＯ₄を主相とし、Ｍ金属の少なくとも一部は前記ＩｎＧａＺｎＯ₄に固溶しており、且つ、（２）ＺｎＭ_xＯ_y相およびＭ_xＯ_y相（ｘ、ｙは任意の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、分解能を維持しつつ測定範囲をより広げ得るひずみ測定装置およびひずみ測定方法を提供する。
【解決手段】本発明では、複数のマークＭを備える試験体ＳＭに外力を作用させる前後における試験体ＳＭの画像が、外力作用前画像および外力作用後画像として第１カメラ装置１１によって得られ、追跡マークＭｃとされる、前記複数のマークＭのうちの１つのマークＭの位置および所定の基準位置の間の基準距離と、前記外力作用前画像における追跡マークＭｃの位置と、前記外力作用後画像における追跡マークＭｃの位置とに基づいて、試験体ＳＭの伸縮率が求められる。ここで、追跡マークＭｃが外力作用後画像での所定の端部領域内に位置する場合には、複数のマークＭのうちの前記追跡マークＭｃと異なって前記端部領域外に位置するマークＭを新たな追跡マークＭｃとするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、組蓄電デバイスに対して、所定の安全性評価試験を行ない、爆発性成分のガスを含むガスが多量に発生する場合にも、チャンバーに過度の耐圧を要することがないばかりか、チャンバー内に前記爆発性成分のガスを含むガスが篭ることもなく、この爆発性成分のガスを含むガスに着火した場合でも燃焼ガスを安全に排出し、かつ、チャンバーの内壁面等に前記組蓄電デバイスから飛散する可燃性および腐食性を有する飛散物が付着し、次の試験に悪影響を及ぼすこともない安全性評価試験装置を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｌｉイオン電池モジュール２に対して、安全性評価試験が行なわれた際に発生する爆発性成分を含むガス等が、ガス供給手段１０等と補助ガス供給手段３０等からそれぞれ供給される空気とともに配管４０を通り排出されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率が低く耐熱性に優れた配線材料として汎用されているＡｌ−Ｎｄ／Ｌａ合金の耐アルカリ腐食性を向上させることが可能なＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、Ｎｄおよび／またはＬａを０．１〜３原子％含有するＡｌ基合金からなり、Ａｌ基合金中に含まれるＦｅ量が、Ｎｄおよび／またはＬａの合計量の１／７６以下に制御されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ＺｎＳｎＯ₃にＩｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃が固溶したＩｎ／Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＳｎＯ₃固溶体を有し、Ｚｎ_xＩｎ_yＯ_z相（ｘ、ｙ、ｚは任意の正の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】導電性と耐久性を兼ね備えた炭素皮膜を、先端が分割された基材に対して形成するようなコンタクトプローブピンにおいて、使用環境が高温になる様な状況下においても、Ｓｎ付着を極力低減し、長期間に亘って安定な電気的接触を保つことのできるコンタクトプローブピン、およびコンタクトプローブピンを用いた有用な検査方法を提供する。
【解決手段】本発明のコンタクトプローブピンは、先端が２つ以上の突起に分割され、該突起で被検面に繰り返し接触するコンタクトプローブピンであって、少なくとも前記突起の表面には、金属および／またはその炭化物を含有する炭素皮膜が形成されており、前記突起の各頂部には、被検面に接触する方向に対して略垂直方向の平坦面を有すると共に、当該平坦面の合計面積が５００μｍ²以上、５０００μｍ²以下である。 （もっと読む）

【課題】導電性と耐久性を兼ね備えた炭素皮膜を、先端が分割された基材に対して形成するようなコンタクトプローブピンにおいて、使用環境が高温になる様な状況下においても、Ｓｎ付着を極力低減し、長期間に亘って安定な電気的接触を保つことのできるコンタクトプローブピンを提供する。
【解決手段】先端が２つ以上の突起に分割され、該突起で被検面に繰り返し接触するコンタクトプローブピンであって、少なくとも前記突起の表面には、金属および／またはその炭化物を含有する炭素皮膜が形成されていると共に、前記突起の頂部における曲率半径が３０μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】鋼線の表面に樹脂を被覆した樹脂被覆ソーワイヤを用いてワークを切断したときに、加工変質層深さが浅く、平滑な表面の切断体が得られる切断体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る切断体の製造方法は、樹脂被覆ソーワイヤでワークを切断するにあたり、硬さを調節した樹脂で鋼線を被覆した樹脂被覆ソーワイヤに砥粒を吹き付け、切断面と樹脂被覆ソーワイヤとの間への砥粒の引き込みを前記樹脂によって抑制しつつ、前記ワークに対して前記被覆ソーワイヤが切り込む方向には、砥粒を引き込むことでワークを切断する方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非破壊であって測定環境をコントロールすることなく、基板上に導電性を持つ導電層を介して半導体層を形成した測定対象物における前記半導体層の結晶性を評価し得る半導体薄膜結晶性評価装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜結晶性評価装置Ｄａは、基板ＬＡ１上に導電性を持つ導電層ＬＡ２を介して半導体層Ａ３を形成した測定対象物ＷＡに、半導体層ＬＡ３の厚さよりも短い浸透長となる波長域の測定光を照射して、測定対象物ＷＡで反射した測定光の反射光を測定する測定部１と、測定部１の出力に基づいて反射スペクトルにおける所定のピークに関する情報を求め、この求めた前記情報に基づいて半導体層ＬＡ３における結晶性の評価を表す評価指標を求める演算部２とを備える。 （もっと読む）