説明

関西電力株式会社により出願された特許

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【課題】 充電状態をより確実に把握することができ、出力容量を安定させることが可能なレドックスフロー電池の運転方法を提供する。
【解決手段】 複数のセルからなるセルスタック1を具えるレドックスフロー電池の運転方法である。正負極の電解液が供給・排出されるセルスタック1内の一部のセルで常時は直流/交流変換機225に接続されないセルを電解液の充電率測定に用いる補助セル2とする。そして、この補助セル2から得られる回路電圧によって主セル3の充電の停止や放電の停止を制御する。セルスタック1内に補助セル2を一体に具えることで、主セル3の通電を停止することなく確実に充電状態を把握することができると共に、測定した回路電圧により主セル3の充電や放電の停止を制御することで、出力容量が安定する。 (もっと読む)


【課題】 負荷周波数制御の速応性を高めかつ発電効率を向上させるとともに、瞬動予備力・運転予備力・待機予備力などアンシラリーサービスへ対応させる二次電池を用いたアンシラリーサービス提供方法およびシステムを実現する。
【解決手段】 一次,二次,配電用変電所21,22,24や需要家の設備構内にレドックスフロー電池などの二次電池31…36が分散配置され、これらの二次電池31…36の高速応答性と過負荷能力を利用し、負荷周波数制御,瞬動予備力,運転予備力,待機予備力,電圧維持などアンシラリーサービスへ対応させる。 (もっと読む)


【課題】 電力系統の送電限界を算出する場合、詳細安定度計算を繰り返し実行すれば、送電限界値を求めることできるが、詳細安定度計算の計算が完了するまでに長時間を要するため、速やかに送電限界値を求めることができない課題があった。
【解決手段】 詳細安定度計算と安定度判別を並列して行うが安定度判別には、過負荷判別、電力安定度判別、周波数限度、過渡安定度判別、動態安定度判別と5つの計算を行う内容を有し、安定または不安定と判断した時点で詳細安定度計算および安定度判別を中止し、安定度判別の判別結果が安定であることを示す場合には、送電量を増やして詳細安定度計算と安定度判別の並列実行を再度実行し、その判別結果が不安定であることを示す場合には、不安定になる直前の送電量を送電限界値と認定する。 (もっと読む)


【課題】 結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。
【解決手段】 本発明に係るSiC半導体1のイオン注入層2は、4H型SiCの{03−38}面から10°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっている。 (もっと読む)


【課題】 従来の整流型限流器ではスイッチング素子が1相当たり2個必要であり、これに伴いゲート制御回路やスナバ回路が2組ずつ必要となり装置構成が複雑で且つ高価になるとともに遮断速度が遅い。
【解決手段】 2つの電力系統の間に、4個のダイオードによるダイオードブリッジ整流回路を接続し、その直流端子間に直流リアクトルと1個のスイッチング素子の直列接続体を接続する。 (もっと読む)


【課題】 固体触媒を用いた気相反応で、水素及び二酸化炭素を含有するガスからジメチルエーテルを高収率及び高選択率で製造することができ、かつ耐久性に優れたジメチルエーテル合成触媒、及びそれを用いたジメチルエーテルの合成方法を提供すること。
【解決手段】 Cu、Zn、Al及びGaを含有し、更にアルカリ土類金属及び希土類元素から選ばれる1種以上の元素を含有するメタノール合成触媒と、Al及びZrを含有するメタノール脱水触媒の混合物からなることを特徴とするジメチルエーテル合成触媒、及びそれを用いた水素及び二酸化炭素を含有するガスからのジメチルエーテルの合成方法。 (もっと読む)



【課題】 放射される混合光について、放射強度の変化のみでなく、分光分布特性が変動するように制御することができる人工太陽光装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の人工太陽光装置は、放電ランプ、放電ランプ用分光分布制御手段、および放電ランプ入力電力制御手段を有してなる第1の光放射器と、白熱電球、白熱電球用分光分布制御手段、および白熱電球入力電力制御手段を有してなる第2の光放射器とを具えてなり、第1の光放射器の放電ランプ入力電力制御手段と第2の光放射器の白熱電球入力電力制御手段とが独立に作動されることにより、自然太陽光において観察される放射強度および分光分布特性の変化に対応した状態の混合光が放射される。第1の光放射器の放電ランプは、キセノンランプおよびメタルハライドランプの少なくとも一方または両方であり、第2の光放射器の白熱電球がハロゲンランプであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 逆方向特性の向上と、順方向導通時の損失抑制が両立でき、高速応答が可能で低損失のダイオードを提供すること。
【解決手段】 高不純物濃度n+ 半導体基板3上に、低不純物濃度のn型層2を備え、且つ、このn型層2の表面に、所定の幅WP で所定の深さLP を有する複数の高不純物濃度p+ 型領域1Aを所定の間隔WS で設け、さらに、これらn型層2とp+ 型領域1Aの全面にアノード電極4を設け、これにより、n型層2とアノード電極4の接合部にショットキー接合が形成され、さらに、このショットキー接合とp+ 型領域1Aの電気的な接続がアノード電極4により得られるようにし炭化けい素からなるダイオードにおいて、高不純物濃度p+ 型領域1Aの断面形状を横長の長円形にし、これらの間の間隔WS が最小になる位置が、基板表面から所定距離LS 、内側にくるようにしたもの。
【効果】 順方向導通時の抵抗を低減できる。 (もっと読む)



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