説明

東レエンジニアリング株式会社により出願された特許

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【課題】作業性の良い太陽電池モジュールの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池セル7,7の縁部7e,7e同士を重ね合わせ、半田5A,5Bによって縁部7e,7e同士を接合することで太陽電池モジュールが製造される。仮接合装置40では、重ね合わせ部8の一部に設けられ第一温度で凝固する仮付け半田5Aを、加熱した後に冷却して前記第一温度とすることで凝固させて、縁部7e,7e同士を仮接合させる。本接合装置50では、重ね合わせ部8の他部に設けられ第二温度で凝固する本付け半田5Bを、加熱した後に冷却して前記第二温度とすることで凝固させて、縁部7e,7e同士を本接合させる。 (もっと読む)


【課題】複数の塗布ヘッドを用いて、大きな塗布領域に均一にムラなく、色度の仕様に関する要求を満たすカラーフィルタを低コストで製造することのできる塗布方法を提供する。
【解決手段】インクを塗布する個々の塗布対象(画素要素)の上方を、予め吐出量が測定された複数のノズルが用意された塗布ヘッドバー5を移動させ、そのノズルのうちから所定の塗布量になるように選択されたノズルからインクを吐出して塗布を行う。従って、どの画素もインクの塗布量が規定の値に極めて近いインクを塗布することができる。 (もっと読む)


【課題】 従来の撥液性があるベース部材の上に、識別コードをマーキングすると、ベース部材と識別コードを形成するドットとの接触角が大きくなり、識別コードを形成するドットの密着力が低下し、識別コードを形成するドットがベース部材から剥がれ落ちてしまい、後で識別コードの識別が正しくできなくなる可能性があったので、識別コードとベース部材との密着力が高く、識別コードの識別が正しく行える、安価な識別コードのマーキング装置及び方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハーに、識別コードのマーキングをした後で、半導体チップに個片化する、半導体装置の製造工程において、前記半導体ウエハー上に、ベース部材を塗布するステップと、前記ベース部材の上に、識別コードをマーキングするステップとを有し、前記ベース部材と前記識別コードとを、同じ材料で形成することを特徴とする、識別コードのマーキング方法。 (もっと読む)


【課題】塗布膜に乾燥ムラが形成されるのを抑えることができる減圧乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板1を収容するチャンバ部10と、前記チャンバ部10に基板1を収容した状態で基板1の裏面に当接して基板1を支持する基板支持部20と、前記基板支持部20を駆動制御する制御装置と、を備える減圧乾燥装置であって、前記制御装置は、チャンバ部10が減圧乾燥環境下で、前記基板支持部20を駆動制御することにより、基板支持部20が基板1裏面に当接する当接位置を変更させる構成とする。 (もっと読む)


【課題】塗布膜に形成されるムラの発生を抑えるとともに、乾燥工程に要するタクトタイムを短縮できる予備乾燥装置、予備乾燥方法を提供する。
【解決手段】基板上に塗布された塗布膜を乾燥させる本乾燥装置により塗布膜を乾燥させる前に、前記塗布膜を予備的に乾燥させる予備乾燥装置であって、予備乾燥装置は、浮上搬送方式により基板を搬送しつつ、当該基板を加熱した浮上用気体で高温雰囲気に曝して基板上の塗布膜を予備的に乾燥させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 アンダーフィル剤内に残留したボイドが要因となって生じるチップ実装基板の品質劣化を防止することのできるディスペンス装置およびディスペンス方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板と基板に搭載されたチップとの間隙にアンダーフィル剤を減圧下で充填するディスペンス装置であって、前記アンダーフィル剤の充填開始から充填終了までの時間を計測する充填時間計測手段と、前記充填時間計測手段で計測したアンダーフィル剤の充填時間と、粘度変化時間とを比較し、アンダーフィル剤の粘度の変化に応じて前記基板の雰囲気を減圧状態から大気開放状態に変更する機能を備えたディスペンス装置およびディスペンス方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】塗布膜に乾燥ムラが形成されるのを抑えることができる減圧乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板1上に塗布された塗布膜を減圧環境下で乾燥させる乾燥装置であって、基板が収容される基板収容部を有するチャンバ部10と、基板収容部に配置され、基板を載置する基板載置面20aを有するプレート部20と、基板をプレート部に載置する位置と、プレート部から所定間隔離れた位置に位置させる基板浮上装置30と、を備えており、基板浮上装置は、基板を浮上させる気体を噴出する噴出部31を有しており、この噴出部がプレート部に埋設され、プレート部の基板載置面と、気体が噴出する噴出部の噴出面とが同一高さ位置に設定されていることにより、プレート部の基板載置面が略一様な平坦面に形成される構成とする。 (もっと読む)


【課題】 バンプ先端が所定の形状で作成することが出来る検査用プローブおよび検査用プローブの製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅張りポリイミドフィルム基材を用いてセミアディティブ法により形成したニッケルバンプのうち被検査電極と接触するバンプ先端形状が所定寸法のものと、フイルム上に所定寸法で形成したニッケルパッドとを、金属接合によって接合したことを特徴とする検査用プローブおよび検査用プローブの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 識別コードや任意のパターンのマーキング前に、マーキング対象物の移動速度に対する、前記光線偏向手段の偏向角速度の変化を計測する手段を提供する。
【解決手段】 マーキング対象物を所定の速度で移動させ、識別コードを生成する手段を用いて前記識別コードや任意のパターンに対応したマーキング光線を照射させ、前記マーキング光線を偏向させて前記マーキング対象物に照射させる光線偏向手段とを用い、前記マーキング対象物の移動に追従させて、前記マーキング光線の照射方向を変えられる、マーキング装置及び方法であって、前記光線偏向手段に向かって照準光線を照射させ、前記マーキング対象物の移動に同期して移動する光線照射位置検出器を用い、前記光線照射位置検出器に照射される前記照準光線の照射位置の変化を検出する手段を用いた装置及び方法。 (もっと読む)


【課題】製膜速度を低減させずに、製膜初期の膜質低下を防止し、安定して基板上に製膜することができるCVD装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、このチャンバ内に原料ガスを供給するガス供給部と、チャンバ内のガスを排気するガス排気部と、前記チャンバ内に開口し、前記ガス供給部に連通接続されるガス供給孔を有するカソード電極と、前記カソード電極に対向する位置に配置されるとともに基板が載置されるアノード電極とを備えており、前記カソード電極の基板側表面付近に原料ガスのプラズマを発生させることにより、前記基板上に薄膜を形成するCVD装置であって、前記カソード電極と前記アノード電極との間に、少なくとも基板表面を覆う開閉可能なシャッター部を備えており、このシャッター部は、開状態で基板とカソード電極とを対面するのを許容し、閉状態で基板とカソード電極とが対面するのを遮断する。 (もっと読む)


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