【課題】半導体集積回路素子に対して十分な電源供給を行なって半導体集積回路素子を良好に作動させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】第２のビア群における隣接する複数個ずつが第２のパッド７ＧのピッチＰ１より狭いピッチＰ２で寄り集まった複数のビアグループ６Ｂを形成しているとともに、隣接するビアグループ６Ｂに接続されたビアランド３Ｌ同士の間に第１の電源プレーン３Ｐが介在し、ビアランド３Ｌ同士の間の第１の電源プレーン３Ｐを通して第１のパッド７Ｐ群の各列から第１のスルーホール５Ｐへの導電路が形成されている特徴とする配線基板である。半導体素子接続パッド７への電源供給路が多数確保され半導体集積回路素子Ｓに対して十分な電源供給を行なって半導体集積回路素子Ｓを良好に作動させることができる。 （もっと読む）

【課題】位置決め孔を有する配線基板において、位置決め孔を用いた位置合わせ精度の高い配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板１の上面に、外部との接続に用いられる接続パッド２がその外周部をソルダーレジスト層３で覆われるとともにその中央部を前記ソルダーレジスト層３に設けられた開口部４内に露出させるようにして形成されているとともに、絶縁基板１に位置決め用のガイド孔６が形成されて成る配線基板であって、ソルダーレジスト層３は、ガイド６孔上にガイド孔６よりも小径でかつ開口部４と同時にフォトリソグラフィ技術により形成された位置決め孔７を有している配線基板である。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路素子の電極と導体柱とを半田を介して立体的に強固に接続することが可能であるとともに、両者を接続する半田の体積が小さいものであったとしても、半導体集積回路素子の下面と配線基板の上面との間隔を十分に保つことができ、両者の間に封止樹脂を良好に充填することが可能な配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板３の上面に被着された半導体素子接続パッド１０と、半導体素子接続パッド１０上に形成された導体柱１１と、絶縁基板３の上面に導体柱１１よりも低い厚みで被着されており、半導体素子接続パッド１０の外周部を覆うとともに、導体柱１１の側面を露出させる開口部６ａを有するソルダーレジスト層６とを備える配線基板５０である。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路素子の電極と導体柱とを半田を介して立体的に強固に接続することが可能であるとともに、両者を接続する半田の体積が小さいものであったとしても、半導体集積回路素子の下面と配線基板の上面との間隔を十分に保つことができ、両者の間に封止樹脂を良好に充填することが可能な配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板３の上面に被着された半導体素子接続パッド１０と、半導体素子接続パッド１０上に形成された導体柱１２と、導体柱１２の側面を覆うとともに導体柱１２の上面を露出させるソルダーレジスト層６とを備えて成る配線基板であって、導体柱１２は、その上面の中央部にソルダーレジスト層６の上面から５〜２０μｍ上方に突出する突起部１２ａを有している配線基板である。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路素子と配線基板との間の電気的な接続が絶たれたり、半導体集積回路素子に割れ等が発生したりすることを有効に防止して、搭載する半導体集積回路素子を正常に作動させることが可能な剛性の高い高密度配線の配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】内部がスルーホール導体８で覆われた直径が７５〜１５０μｍのスルーホール７を１５０〜３００μｍのピッチで有するとともに両主面にスルーホール７を覆うようにしてスルーホール導体８に接続されたコア配線導体１０を有する厚みが４００〜６００μｍの２枚のコア絶縁板６を、スルーホール７と一致する位置に直径が５０〜１２０μｍの貫通孔１１を有するとともに貫通孔１１内に導電ペースト１２が充填された厚みが５０〜２００μｍの絶縁接着層５を介して積層して成るコア基板１の上下面にビルドアップ絶縁層２とビルドアップ配線導体３とを形成した。 （もっと読む）

【課題】コア用の配線導体においても高密度な微細配線を有する配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】上下に貫通するスルーホール３を有する絶縁板１と、スルーホール３の内壁に被着されためっき導体から成るスルーホール導体４と、スルーホール３内を充填する孔埋め樹脂６と、スルーホール導体４と電気的に接続するようにスルーホール３周囲の絶縁板１上下面にサブトラクティブ法により形成された銅箔から成るスルーホールランド５と、孔埋め樹脂６およびスルーホールランド５および絶縁板１上に孔埋め樹脂６およびスルーホールランド５を覆うようにセミアディティブ法により形成されためっき導体から成る蓋めっき７および絶縁板１の上下面にセミアディティブ法により形成されためっき導体から成る配線導体８とを具備する配線基板である。 （もっと読む）

【課題】積層された２層の絶縁層に上面側と下面側とから金属箔から成る導体層を挟んで相対向して形成されたビアホール内に充填されたビア導体とこれらに接続される前記導体層との間にクラックが生じることを有効に防止でき、ビア導体を介した導体層同士の電気的接続信頼性が高い薄型で高密度配線の配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔から成る導体層２ａを挟んで上下に積層された２層の絶縁層１ａ，１ｂに、上面側と下面側とから導体層２ａを挟んで相対向するようにビアホール３ａ，３ｂが形成されているとともに、ビアホール３ａ，３ｂ内が導体層２ａに接続するめっきから成るビア導体４ａ，４ｂで充填されて成る配線基板であって、導体層２ａはビアホール３ａ，３ｂ同士の間に貫通孔８を有しているとともに、導体層２ａに接続するビア導体４ａと４ｂとが貫通孔８を介して一体化している。 （もっと読む）

【課題】電気的欠陥の発生部位を自動的に推測し、その推測に基づいて欠陥発生部位の特定および解析をより迅速に行なうことができる配線基板の電気的欠陥解析方法および電気的欠陥解析装置を提供すること。
【解決手段】端子間の電気的な接続状態を検査するとともに、配線基板のネット情報および設計配線情報を基に各配線ネットを構成する部位毎に電気的欠陥の発生する可能性の重み付けを行い、しかる後、端子間の接続状態の検査結果の情報と重み付けの情報とを基に演算することにより端子間の接続状態に異常のある配線ネットにおける欠陥発生部位を推測する。 （もっと読む）

【課題】
熱容量の異なる半導体素子接続パッドに半田バンプを介して半導体素子の電極を接続する際、半田バンプ同士の短絡を防ぎ半導体素子の正常作動が可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】
ビア導体２ａが充填された多数のビアホール１ｃを有する絶縁層１ｂの表面にビア導体２ａと一体的に形成された導体層２から成る第１の半導体素子接続パッド３ａと、絶縁層１ｂ上に形成された導体層２のみから成る第２の半導体素子接続パッド３ｂとが、第１の半導体素子接続パッド３ａの配列中に第２の半導体素子接続パッド３ｂが分散して配設されるとともに第１および第２の半導体素子接続パッド３ａおよび３ｂに半田バンプ５が溶着されて成る配線基板１０であって、第２の半導体素子接続パッド３ｂに溶着された半田バンプ５の体積が第１の半導体素子接続パッド３ａに溶着された半田バンプ５の体積より小さい配線基板１０である。 （もっと読む）

【課題】配線導体の幅および間隔が例えば３０μｍ以下の高密度配線を有する薄型の配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】上下面を有する絶縁層１にその上下面間を貫通する貫通孔２を設け、次に少なくとも貫通孔２内およびその周囲の上下面に貫通孔２を充填する第１のめっき導体４を被着させ、次に第１のめっき導体４をエッチングして上下面の第１のめっき導体４を除去するとともに、少なくとも貫通孔２の上下方向の中央部を充填するように第１のめっき導体４を残し、次に貫通孔２内の第１のめっき導体４よりも外側の部分を充填するとともに上下面で配線導体を形成する第２のめっき導体６をセミアディティブ法により形成する。 （もっと読む）