【課題】電磁波を設定する際の処理時間を短縮する。
【解決手段】ＩＦ信号出力装置（電磁波出力装置）１０は、電磁波の出力時間、周波数、位相および振幅の設定値を、同時に更新するグループに対応付けて記録する設定値記録部１０２と、グループに対応付けられたパラメータの二種類以上の設定値を、電磁波に同時に設定する電磁波設定部（周波数設定部１０８ａ、位相設定部１０８ｂ、振幅設定部１０８ｃおよびタイミング設定部１１０）とを備える。グループに対応付けられていないパラメータ（例えば、出力時間）は、グループに関する設定よりも前に設定された値のままとする。ＩＦ信号出力装置１０は、上記のようにして設定された電磁波（ＩＦ信号）を出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチの低周波数領域での歪み特性を改善する。
【解決手段】制御ポートＰ３には、制御電圧Ｖ_Ｃが入力される。伝送路１０は、入力ポートＰ１と出力ポートＰ２の間を接続する。シャントスイッチ２０は、伝送路１０と接地端子の間に設けられる。シャントスイッチ２０は、そのドレイン、ソースの一方が伝送路１０と接続され、そのドレイン、ソースの他方が接地端子に接続されるＦＥＴ２２を備える。第１抵抗Ｒ１は、ＦＥＴ２２のゲートと制御ポートＰ３の間に設けられる。第２抵抗Ｒ２は、ＦＥＴ２２のゲートと伝送路１０の間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】可動接点を有するアクチュエータを収容して、可動接点と電気的に接続または切断される固定接点を精度よく形成されるスイッチ装置のパッケージ。
【解決手段】上面と下面との気密性を保ちつつ上面と下面とを電気的に接続するビアが設けられる第１基板と、第１基板の上面に設けられ、アクチュエータを収容する貫通孔が形成される第２基板と、第２基板の上面に設けられ、可動接点を有するアクチュエータを支持する第３基板と、を備えるスイッチ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】信号伝達特性の向上を図ることが可能なコネクタ及び半導体試験装置を提供する。
【解決手段】本発明のコネクタ１において、第１の半筒部６は、周方向の両端部の間隔が広がるように弾性変形した状態で絶縁部材５と嵌め合わされる。第２の半筒部７は、周方向の両端部の間隔が広がるように弾性変形した状態で、第１の半筒部６が嵌め合わされた絶縁部材５と嵌め合わされる。筐体２の挿入穴２１の内側には、組立体３の挿入が進むに従って、第１の半筒部６及び第２の半筒部７の周方向の中央部同士の間隔が狭まるように第１の半筒部６を案内するスロープが設けられる。 （もっと読む）

【課題】長寿命化したバイモルフ型圧電式アクチュエータの製造方法、スイッチ装置、伝送切替装置、および試験装置を提供する。
【解決手段】基板上に第１圧電素子層を形成する第１圧電素子層形成段階と、第１圧電素子層上に絶縁体の支持層を形成する支持層形成段階と、支持層上に第２圧電素子層を形成する第２圧電素子層形成段階と、基板の一部を除去して、第１圧電素子層、前記支持層、および前記第２圧電素子層を有するアクチュエータを形成する除去段階と、を備える。 （もっと読む）

【課題】長寿命化した圧電式アクチュエータを備えるスイッチ装置。
【解決手段】第１接点が設けられた基体と、第２接点を移動させて第１接点と接触または離間させるアクチュエータと、を備え、アクチュエータは、支持層と、支持層の上面に形成される第１圧電膜と、支持層を介して第１圧電膜に対向して、支持層の第１圧電膜が形成される面とは反対側の面に設けられ、駆動電圧に応じて伸縮してアクチュエータのそり量を変化させる第２圧電膜と、第１圧電膜および第２圧電膜のそれぞれの上面と下面とに、それぞれの駆動電圧を印加する電極層と、第２圧電膜と第２圧電膜の支持層側とは反対側の電極層との間に形成された導電性酸化物を含む第２導電性酸化物膜と、を有するスイッチ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】別の回路との同期を維持しつつ、負荷応答が改善されたスイッチング電源を提供する。
【解決手段】パルス幅変調器１０は、スイッチング電源４の出力電圧Ｖ_ＯＵＴに応じたフィードバック電圧Ｖ_ＦＢが所定の基準電圧Ｖ_ＲＥＦに近づくようにデューティ比が調節されるパルス幅変調信号Ｓ_ＰＷＭを生成する。下側コンパレータ３０は、フィードバック電圧Ｖ_ＦＢが下側しきい値電圧Ｖ_ＴＨ＿Ｌより低くなるとアサートされる第１比較信号ＣＭＰ１を生成する。ドライバ２０は、（ａ）第１比較信号ＣＭＰ１がネゲートされているときは、パルス幅変調信号Ｓ_ＰＷＭにもとづきスイッチングトランジスタＭ１を駆動し、（ｂ１）第１比較信号ＣＭＰ１がアサートされるときは、パルス幅変調信号Ｓ_ＰＷＭと同期し、かつ所定の第１パルス幅を有する第１固定パルス信号Ｓ１にもとづきスイッチングトランジスタＭ１を駆動する。 （もっと読む）

【課題】基板を迅速に固定することが可能な電子部品試験装置を提供する。
【解決手段】電子部品試験装置１は、第１のコネクタ１５を有するテストヘッド１０と、Ｚ方向に沿って第１のコネクタ１５に嵌合する第２のコネクタ２３を有し、テストヘッド１０の内部に収容されるピンエレクトロニクスカード２０と、テストヘッド１０にピンエレクトロニクスカード２０を固定する固定装置３０と、を備えており、固定装置３０は、テストヘッド１０のフレーム１６の溝１６１に係合するフック３２と、フック３２を溝１６１に対して相対的に進退させる進退手段と、Ｚ方向における溝１６１に対するフック３２の相対位置を調整する調整手段と、進退手段と調整手段とを操作する単一の操作部３７７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】端子密度の向上を図りつつも、信号伝送特性の劣化を抑制することが可能なコネクタを提供する。
【解決手段】本発明のケーブルアッセンブリでは、補助グランド導体４が支持絶縁部５８の下面と向かい合って配置されるとき、弾性変形片４５が弾性変形した状態で、支持絶縁部５８の下面から突出するグランド端子５４の先端部と接触する。 （もっと読む）

【課題】低い半波長電圧で、かつ、高い周波数で入力光を変調する光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、並走する第１光導波路および第２光導波路を有する誘電体膜と、誘電体膜上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、第１光導波路および第２光導波路の間に配置された信号線と、第１光導波路に対する第２光導波路とは反対側の第１領域に配置された第１グランド線と、第２光導波路に対する第１光導波路とは反対側の第２領域に配置された第２グランド線とを有するコプレーナ線路と、第１領域および第２領域において誘電体膜と接してまたは絶縁膜の内部に設けられ、第１光導波路および第２光導波路に対するバイアス電圧を印加する補助電極と、を備える光デバイスを提供する。 （もっと読む）