説明

株式会社大阪チタニウムテクノロジーズにより出願された特許

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【課題】金属塩と金属粉との混合物から金属粉成分を分離する金属の製造方法において、製造に必要なエネルギーを低減することが可能な金属の製造方法を提供する。
【解決手段】金属塩と金属粉の混合物1を、スキマー11によって区分された第1のハース10の原料投入領域12に供給し、プラズマ19aを用いて金属塩の融点以上金属粉の融点未満に加熱、保持し、上層(金属塩が溶融した溶融塩2)と、下層(金属粉の濃度の高まった高濃度固液混合物3)の2層を形成する。そして、上層の溶融塩2を第1のハースの上部の排出口から、下層の高濃度固液混合物3を下層排出口14から排出する。続いて、高濃度固液混合物3を、金属粉の融点以上に加熱、保持し、高濃度固液混合物3中の金属粉を溶融させて溶融金属とし、上層(溶融塩4)と下層(溶融金属5)を形成し、溶融塩4から溶融金属5を分離し、溶融金属5を凝固させインゴット6とする。 (もっと読む)


【課題】原料SiHCl3への炭素不純物の経時的蓄積を経済的、効率的に回避、緩和することにより、製品品質の悪化を低コストで回避することができる多結晶シリコン製造方法を提供する。
【解決手段】SiHCl3生成工程から取り出されるSiHCl3及びSiCl4を含む硅素塩化物Aを第1精留工程へ送って、SiHCl3を主成分とする低沸点の硅素塩化物Bと、SiCl4を主成分とする高沸点の硅素塩化物Cとに分離する。硅素塩化物Bについては、第2精留工程へ送ってSiHCl3純度を高めた後に、多結晶シリコン製造工程へ原料として供給する。第2精留工程で不純物として分離された硅素塩化物Dは第1精留工程へ戻す。硅素塩化物Cについては、SiHCl3生成工程へ戻す。第2精留工程に炭素塩化物が蓄積した時点で、SiHCl3生成工程へ戻す硅素塩化物C中のSiHCl3濃度を0.1%以上とし、その蓄積が解消された時点で、元に戻す。 (もっと読む)


【課題】 袋詰めされた多結晶シリコンの破砕塊の保管中に、破砕塊の表面に生じるシミと呼ばれる異常酸化現象を簡単かつ確実に防止する。
【解決手段】 所定量の破砕塊を袋詰めしたシリコン製品10を、ポリエチレンシートからなる大袋20内に密封する。その大袋20を、SiO蒸着フィルムからなる水蒸気バリア梱包材40内に気密に封入する。水蒸気バリア梱包材40内の大袋20との間に、シリカゲルなどからなる複数の乾燥剤50を配置する。水蒸気バリア梱包材40内を低湿雰囲気に保持する。 (もっと読む)


【課題】 金属製の炉壁の内面に沿って耐火物層を有する流動塩化炉において、流動塩化操業に影響を与えることなく、流動塩化炉の炉壁の孔あき頻度を低下させる。耐火物層の乾燥期間を短縮する。
【解決手段】 耐火物層20に接する炉壁10に脱ガス孔14を設ける。脱ガス孔14を開閉可能とし、流動塩化操業開始前の耐火物層20の乾燥時に前記脱ガス孔14を開放状態とし、乾燥後の流動塩化操業開始後は前記脱ガス孔14を密閉状態とする。乾燥時には、開放された脱ガス孔14から強制吸引を行うことも可能である。 (もっと読む)


【課題】内部に隔離体を有する電解槽において、隔離体にかかる溶融塩による応力を低減する電解方法を提供する。
【解決手段】電解槽容器11の内部を隔離体である隔膜18によって、陽極12を含む陽極室21、陰極13を含む陰極室22に隔離する。陽極室21および陰極室22にそれぞれ溶融塩の注入口15および排出口17を設け、陽極室21内および陰極室22内に溶融塩を流動させて発生する圧損により、隔膜18に陽極室21側および陰極室22側から応力が互いに打ち消し合うようにかかるようにする。 (もっと読む)


【課題】Ca濃度の異なる溶融塩間で、含有する金属粒子等の移動を伴わず、Ca濃度の高い溶融塩からCa濃度の低い溶融塩へCaを移動させる方法を提供する。
【解決手段】主槽31と主槽31の内部に配置された副槽33を有するCa調整槽30において、副槽33の底面を多孔質板34で形成する。副槽33の注入口33aと排出口33bは下方において通過可能に配置された隔壁35によって隔離されている。注入口33aから副槽33に注入された第1の溶融塩41は、底面の多孔質板34に接しながら隔壁35の下方を通過して排出口33bから排出される。主槽31の注入口31aから注入された第2の溶融塩42は、副槽33の底面の多孔質板34に接しながら副槽33の下方を通過し、排出口31bから排出される。第1の溶融塩41よりもCa濃度の高い第2の溶融塩42から第1の溶融塩41へ多孔質板34を介してCaのみが移動する。 (もっと読む)


【課題】 CZ引上げ法による半導体用シリコン単結晶の製造や、太陽電池用多結晶シリコンの製造等に溶解原料として使用される多結晶シリコンを高度に洗浄する。洗浄コストを下げる。シリコンロス、薬液使用量、廃液による環境負荷を軽減する。NOxガス発生の問題を解決する。
【解決手段】 シーメンス法により還元反応炉内で多結晶シリコンを製造した後、還元反応炉を開放する前に、還元反応炉内に水蒸気を含む清浄なガスを導入し、多結晶シリコン1の表面に汚染が少ない酸化膜2を形成する。その多結晶シリコン1にフッ酸による洗浄処理を行い、多結晶シリコン1の表面に形成された汚染が少ない酸化膜2を除去する。 (もっと読む)


【課題】高強度かつ成形性に優れたチタン合金板を提供する。
【解決手段】Fe:0.8〜2.5%(質量%の意味、以下同じ)、O:0.10%以下(0%を含まない)を満たし、残部:Tiおよび不可避不純物からなるチタン合金板であって、金属組織が、六方最密充填構造であるα相の(0001)面の法線と圧延面の法線とがなす方位角の平均値:45°以下、α相の面積率:80〜97%、およびα相の平均結晶粒径:7.0μm以下を満たすことを特徴とする高強度かつ成形性に優れたチタン合金板。 (もっと読む)


【課題】 チタン粉末焼結体の製造において、大型で複雑な形状の焼結体についても、高強度で且つ低酸素なものを経済的に製造する。
【解決手段】 原料粉末として、粒径分布が2.5≦D90/D10≦12である純チタン又はチタン合金の球状ガスアトマイズ粉末を使用する。原料粉末の焼結に先立って、その粉末をバインダーであるPAVと共に温間で金型プレス成形する。 (もっと読む)


【課題】 スプラッシュ、更にはパーティクルの発生を顕著に抑制でき、しかも高強度で低コストなSiO焼結蒸着材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 析出SiOからなる原料粉末を蒸着材料形状に成形する。SiOの成形体を酸素含有雰囲気中で低温焼結する。低温焼結体を非酸化性雰囲気中で高温焼結する。SiO2 からなる標準試料をEPMAにより定量分析したときのO/Si比aの理論値a0 (≒1.14)に対する比(a/a0 )を補正係数Kとし、EPMAによるO/Si比の実測値Aを前記補正係数Kにより補正して得たO/Si比の補正値A1 (=1/K・A)から求めた酸素定量分析値O1 〔=100/(1+1/A1 )〕が、酸素含有雰囲気中での低温焼結により44〜49%となる。高温焼結での析出Siの弊害が抑制されることにより、焼結温度の上昇が可能となり、圧縮破壊強度が15MPa以上に上り、30MPa以上も可能となる。 (もっと読む)


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