【課題】メモリチップとコントローラとの間において高い信号品質を実現する。
【解決手段】メモリシステムは、コントローラと、第１のデータバスを介してコントローラに接続された第１のメモリモジュールと、第２のデータバスを介してコントローラに接続された第２のメモリモジュールとを備え、第１のメモリモジュールは、第１および第２のメモリチップと、第１のデータバスに接続された第１のデータ端子と、第１のデータ端子を第１および第２のメモリチップのうちのいずれに対して電気的に接続するかを切り替える第１のスイッチ部とを備え、第２のメモリモジュールは、第３および第４のメモリチップと、第２のデータバスに接続された第２のデータ端子と、第２のデータ端子を第３および第４のメモリチップのうちのいずれに対して電気的に接続するかを切り替える第２のスイッチ部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】セルトランジスタが形成された第１領域と周辺回路トランジスタが形成された第２領域を有する半導体装置において、周辺回路トランジスタの上部拡散層のチャネル領域への導電型ドーパントの分布を抑制し、セルトランジスタと周辺回路トランジスタにおける駆動電流の閾値電圧依存性のばらつきを低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を第1領域と第２領域に区分し、前記第２領域の前記基板上面を前記第1領域の前記基板上面より所定の掘り下げ量だけ掘り下げる工程と、前記第１領域に第１ピラーを、前記第２領域に前記第１ピラーよりも高さが前記掘り下げ量だけ低い第２ピラーを各々形成する工程と、前記第１及び第２ピラーの下部に第１拡散層を、上部に第２拡散層を各々形成する工程と、前記第１及び第２ピラーと前記第1拡散層の側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜側面にゲート電極を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】相変化記録材料から熱を急速に拡散させるための構造を有する相変化メモリとその製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜（１０、２０、３０）内に設けられた複数の導電プラグ（１２、１４）と、複数の導電プラグの夫々に接して設けられた相変化記録材料膜（１６）と、相変化記録材料膜に接して設けられた上部電極（１８）と、複数の導電プラグに接しないように導電プラグの側面領域に設けられた放熱のための金属材料部（２２）と、を有する相変化メモリ。 （もっと読む）

【課題】アドレス信号の配線に起因する配線容量を低減させ、アクセス速度の高速化を実現する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、複数のビット線と複数のワード線に対応して設けられた複数のメモリセルと、複数のメモリセルのいずれかを特定するためのアドレス信号を中継する中継バッファと、複数のワード線のうち、中継バッファにて中継されたアドレス信号に応じたワード線を選択するトランジスタを複数有するワード線ドライバ回路と、を備え、トランジスタでは、２つの拡散層のうち一方の拡散層が他のトランジスタの拡散層と共有し、拡散層を共有している２つのトランジスタで構成される複数の共有回路が、複数のトランジスタ群に分けられ、複数のトランジスタ群のうち隣り合う前記トランジスタ群の隙間部分に、隣り合うトランジスタ群のいずれかのゲート配線が設けられ、中継バッファはトランジスタ群のゲート配線と接続される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダイシングテープからピックアップする際の半導体チップの破損や、半導体チップのピックアップミスの発生を抑制可能な半導体チップのピックアップ方法を提供することを課題とする。
【解決手段】特定の処理により気化する犠牲接着層、及びテープ本体を有するダイシングテープを準備し、半導体チップ形成用母基板の面のうち、第１のバンプ電極が形成された面とは反対側に位置する面に、犠牲接着層を介してテープ本体を貼着し、次いで、第１のバンプ電極が形成された側から、ダイシング領域に沿って半導体チップ形成用母基板及び犠牲接着層を切断することで、半導体チップ及び犠牲接着層を個片化し、次いで、個片化された半導体チップのうち、ピックアップする半導体チップの第１のバンプ電極が形成された面を吸着保持し、吸着保持された半導体チップに形成された犠牲接着層を気化させる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン電流を十分に確保することが可能な信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】活性領域６を分断する２つの埋め込みゲート用の溝部８ａ，８ｂにゲート絶縁膜９を介して埋め込まれたゲート電極７ａ，７ｂと、２つの埋め込みゲート用の溝部８ａ，８ｂによって分断された３つの活性領域６ａ，６ｂ，６ｃのうち、中央部に位置する活性領域６ｂを分断するビットコンタクト用の溝部１１の両側面に、埋め込みゲート用の溝部８ａ，８ｂの底面と同程度の深さで不純物を拡散させることによって形成された第１の不純物拡散層１３ａ，１３ｂと、中央部を挟んだ両側に位置する活性領域６ａ，６ｃに、ゲート電極７ａ，７ｂの上面と同程度の深さで不純物を拡散させることによって形成された第２の不純物拡散層１４ａ，１４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】遅延回路の遅延量の最小値よりも短い相間隔を有する多相クロック信号を小さな回路規模で生成する。
【解決手段】縦列接続された遅延回路ＵＤ１〜ＵＤｎからなり、入力クロック信号ＩＧＣＫをｋ周期遅延させるディレイラインと、遅延回路ＵＤ１〜ＵＤｎからそれぞれ出力される出力クロック信号Ｎｏｄｅ１〜Ｎｏｄｅｎに基づいて互いに位相の異なる多相クロック信号ＤＴＣＫ１を生成するルーティング回路１３０とを備える。ｎとｋの最大公約数をＧＣＭ、入力クロック信号ＩＧＣＫの１サイクルをＧＣＫ、多相クロック信号ＤＴＣＫ１の相間隔をＵＩとした場合、相間隔ＵＩの長さは、ＵＩ＝ＧＣＫ×ＧＣＭ／ｎで与えられる。これにより、１個の遅延回路の遅延量の最小値よりも短い相間隔を有する多相クロック信号を小さな回路規模で生成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】通電領域表面の周辺の強電界の影響がナノワイヤに及び難くして、ホットキャリアの生成やオフリーク電流を低減する。半導体装置を高性能化する。
【解決手段】基板の表面よりも深い位置に配置され互いに対向する２つの側壁を有する導電膜と、導電膜の２つの側壁の側方に形成され互いに同じ導電型の半導体領域である第１及び第２の通電領域と、導電膜を貫通して２つの半導体領域どうしを接続し第１及び第２の通電領域の導電型とは逆導電型の半導体領域であるナノワイヤと、導電膜と前記ナノワイヤとの境界部に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】外部電圧変動によるコマンドラッチミスの発生を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置６００は、入力される第１のパルス信号１ｓｈｏｔ．ＣＭＤに由来する第１の入力信号と、入力される第２のパルス信号Ｏｕｔ．ＣＬＫに由来する第２の入力信号と、が入力されるラッチ回路６１２と、ラッチ回路の出力を第２のパルス信号に依存するタイミングで後段へ出力する出力回路６１３と、第２のパルス信号に基づいて、第１の入力信号のパルス幅を第１のパルス信号のパルス幅よりも大きくしてラッチ回路へ供給するか、または、第２の入力信号のパルス幅を第２のパルス信号のパルス幅よりも大きくしてラッチ回路へ供給する前処理回路６１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】隣接するトランジスタ間において、各々のゲート電極の電圧変化の影響が相互に及ばないようにする。
【解決手段】基板１００内の素子分離領域２２０で囲まれた活性領域と、活性領域内に形成された埋め込みゲート電極４１０ａ、４１０ｂと、埋め込みゲート電極４１０ａ、４１０ｂの間に設けられ、かつ埋め込みゲート電極４１０ａ、４１０ｂの底部の深さまで形成された拡散層領域３２０を有する。 （もっと読む）