【課題】信号伝送のより高速化を図る。
【解決手段】入力信号Ｖｉｎと基準信号Ｖｒｅｆとを入力する第１の差動対（Ｑ３、Ｑ４が相当）と、第１の差動対のそれぞれ負荷となる第１及び第２のトランジスタＱ２、Ｑ１と、を含む第１の入力回路を備え、第１の入力回路の出力側となる第１のトランジスタＱ２は、第２のトランジスタＱ１に比べてゲート幅を長くする。 （もっと読む）

【課題】スクライブ線領域におけるダミーパターンが影響して配線形成の際に露光時のアライメント波形検出精度を低下させるおそれがあった。
【解決手段】複数の素子形成領域と、素子形成領域を相互に区画するスクライブ線領域と、素子形成領域において半導体基板上に配置された複数のパターンと、スクライブ線領域において半導体基板上に配置されるとともに、パターンと同様な構成の複数のダミーパターンと、パターン及びダミーパターンを含む半導体基板上に形成されるとともに、上面が平坦化された層間絶縁膜と、スクライブ線領域における層間絶縁膜に形成されるとともに、ダミーパターンと重ならない領域にて半導体基板に通じないように形成された穴状のアクセサリパターンと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ねじれや歪の発生を抑制し、マザーボードへの実装が阻害されることがない半導体装置を提供する。
【解決手段】単一の配線基板１０と、配線基板１０上に搭載された第１の半導体チップ２１１と、配線基板１０上に第１の半導体チップ２１１に並列して搭載された第２の半導体チップ２２０と、第１の半導体チップ２１１および第２の半導体チップ２２０を覆う封止体６０とを有している。第２の半導体チップ２２０は、複数の半導体チップ片２２１、２２２が高さ方向に積層されて成るチップ積層体である。第１の半導体チップ２１１の上面と、第２の半導体チップ２２０の上面とは、配線基板１０の表面からの高さが互いに等しい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型化を図ることが可能になると共に、絶縁リングで囲まれた貫通電極を狭ピッチで配置することの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】回路素子層５が形成される表面１ａ、及び裏面１ｂを有する半導体基板１と、半導体基板１を貫通し、かつ半導体基板１の表面１ａ側から半導体基板１の裏面１ｂ側に向かうにつれて幅が広くなる貫通電極７と、貫通電極７を囲むように半導体基板を貫通し、かつ半導体基板１の表面１ａ側から半導体基板１の裏面１ｂ側に向かうにつれて幅が狭くなる第１の絶縁リング３と、を有し、半導体基板１の厚さ方向Ａにおいて、第１の絶縁リング３の少なくとも一部と対向するように貫通電極７を配置する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化や材料コストの増加を招くことなく下層チップに接続されるボンディングワイヤと上層チップとの接触を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体チップ１３の一方の面にボンディングワイヤ１６−２を接続し、第２の半導体チップ１５の一方の面に接着部材１４を設け、コレットを用いて第２の半導体チップの他方の面を保持し、第２の半導体チップを保持した状態でコレットを冷却し、コレットを冷却した後に、コレットを移動させて、接着部材１４を第１の半導体チップ１３の一面に密着させ、第１の半導体チップ１３と第２の半導体チップ１５とを接着部材１４を介して接着する。 （もっと読む）

【課題】テスト時に、読み出しビット線に接続するＹスイッチと共通のローカル入出力線に接続される被救済ビット線に接続するＹスイッチに接続するＹＳ制御信号のオープン不良を検出可能とする半導体装置の提供。
【解決手段】テストモード時に、選択されたＹＳ制御信号（ＹＳ８）の非活性からメインアンプを活性化させる制御信号（ＭＡＥ）の活性化までの時間（ｔ４）を調整し、通常動作時よりも長くすることで、被救済ビット線に接続するＹスイッチに接続するＹＳ制御信号（ＹＳ０）のオープン不良を検出する。 （もっと読む）

【課題】同一平面上に形成された２つの配線が互いにショートするのを回避すること。
【解決手段】第１の方向（Ｘ）に複数本並べて配置された活性領域（５０）の各々は、第１の方向（Ｘ）と直交する第２の方向（Ｙ）に離間して配置された２つの縦型トランジスタ（５１）と、この２つの縦型トランジスタ（５１）の間に位置する縦型のゲート電極用ダミーピラー（１ａ）と、から成る。半導体装置（１００）は、複数本の活性領域（５０）の中央に位置するゲート電極用ダミーピラー（１ａ）へ給電するために第１の方向（Ｘ）へ延在して配置されたゲート給電配線（２３）と、２つの縦型トランジスタ（５１）間を接続するために、第２の方向（Ｙ）に延在し、かつゲート給電配線（２３）を迂回するように構成されたトランジスタ間接続配線（２１、１０Ａ、１６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力の低減と干渉の抑制を実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、直列に多段接続された第１及び第２のチップと制御チップとを備える。第１及び第２のチップのそれぞれの転送制御部は、識別信号が制御チップから供給されると当該識別信号後段のチップへ伝送し、制御チップが供給するクロック信号のｎ番目のパルスに基づいて、識別信号が表す識別情報を第２の記憶領域に書き込み、書き込みが終了するまでクロック信号の後段のチップへの伝送を阻止する。制御チップは、コマンドによって第１及び第２のチップを排他的にアクセスし、第１及び第２のチップのスイッチ制御回路は、コマンド及び識別情報に応じてそれぞれ対応する第１のスイッチ回路を互いに排他的に制御する。 （もっと読む）

【課題】アナログ電圧を使用することなく、クロック信号を高精度且つ広範囲に遅延させる。
【解決手段】入力ノード１１０ａと出力ノード１１０ｂとの間に直列接続された複数のワンショットパルス生成回路２０１〜２０ｎを備える。ワンショットパルス生成回路２０１〜２０ｎのそれぞれは、入力されたクロック信号の一方のエッジに応答して、ワンショットパルスを生成する。ワンショットパルスのパルス幅は、カウント値ＲＣＮＴに基づいて可変である。これにより、カウント値ＲＣＮＴを変化させることによって、ディレイライン１１０の遅延量を広範囲且つ高精度に変化させることが可能となる。しかも、アナログ電圧を使用しないことから、アナログ電圧の生成回路やその安定化回路などを設ける必要もなくなり、回路設計が容易となる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ間接続配線が吊りワード線と短絡してしまうのを回避すること。
【解決手段】第１の方向（Ｘ）に複数本並べて配置された活性領域（５０）の各々は、第１の方向（Ｘ）と直交する第２の方向（Ｙ）に離間して配置された２つの縦型トランジスタ（５１）と、この２つの縦型トランジスタ（５１）の間に位置するピラー（１ａ）と、から成る。半導体装置（１００）は、複数本の活性領域（５０）の中央の位置で、第１の方向（Ｘ）へ延在して配置された吊りワード線（２３）と、２つの縦型トランジスタ（５１）間を接続するために、第２の方向（Ｙ）に延在し、かつ吊りワード線（２３）を迂回するように構成されたトランジスタ間接続配線（２１、１０Ａ、１６）と、を備える。 （もっと読む）