説明

JX日鉱日石金属株式会社により出願された特許

11 - 20 / 482


【課題】希薄な水溶液中のレニウムイオンを、吸着して回収する手段を提供すること。
【解決手段】レニウムイオンを含む水溶液に、鉄還元細菌を接触させて、レニウムイオンを鉄還元細菌の菌体に吸着させる工程、菌体に吸着したレニウムイオンを、菌体とともに回収する工程、を含む、レニウムイオンを含む水溶液からレニウムイオンを回収する方法及びレニウムイオン含有沈殿を製造する方法、及び鉄還元細菌を含んでなるレニウムイオン吸着剤。 (もっと読む)


【課題】硫化鉱物から金を浸出した後、時間経過による浸出後液中の金濃度の低下を抑制可能な方法を提供する。
【解決手段】硫化鉱物中又は同硫化鉱物に対して浸出処理を行った後の浸出残渣中(以下、「原料」という)に含まれる金の浸出方法であって、塩素イオン、臭素イオン、銅イオン、及び鉄イオンを含有する酸性水溶液を酸化剤の供給下で原料に接触させて、原料中の金成分を浸出する工程を含み、金を浸出した酸性水溶液中の臭素イオン濃度を40g/L以上に、酸化還元電位を500mV(vs.Ag/AgCl)以上に保持する。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さRzが0.5μm以下であり、表面において(111)面の割合が60%以上であり、Cuめっき層及び/又はCuスパッタ層からなるグラフェン製造用銅箔10であり、又、所定の室内に加熱した前記グラフェン製造用銅箔10を配置すると共に、水素ガスと炭素含有ガスを供給し、グラフェン製造用銅箔10の銅めっき層の表面にグラフェンを形成するグラフェン形成工程と、グラフェンの表面に転写シートを積層し、グラフェンを転写シート上に転写しながら、グラフェン製造用銅箔10をエッチング除去するグラフェン転写工程とを有する、グラフェン20の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】放熱性、繰返し曲げ加工性、及び、形状維持性に優れた銅合金板を提供する。
【解決手段】Agを0〜1.0質量%、Tiを0〜0.08質量%、Niを0〜2.0質量%、Znを0〜3.5質量%、Cr、Fe、In、P、Si、Sn、及びZrの群から選択された一種以上を合計で0〜0.5質量%含有し、残部Cu及び不純物からなり、導電率が60%IACS以上であり、引張強さが350MPa以上であり、板表面の法線方向のステレオ三角に対し、ベクトル法による表示で用いられる等面積分割を行って得られたボックス番号1の結晶方位の集積度が1以上である銅合金板。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さRzが0.5μm以下であり、表面において(111)面の割合が60%以上を占めるグラフェン製造用銅箔10である。 (もっと読む)


【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したCu−Co−Si系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】0.5〜3.0質量%のCo及び0.1〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、板厚に対し45〜55%の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にEBSD測定を行い、結晶方位を解析したときに、次式で定義されるPが1〜8であるCu−Co−Si系合金:
P=(F1+0.2×F2)/(F3+F4)
(ただし、F1、F2、F3及びF4は、それぞれ、{1 0 0}<0 0 1>、{0 1 2}<1 0 0>、{3 6 2}<8 5 3>及び{2 3 1}<3 4 6>の各方位の面積率である)。 (もっと読む)


【課題】導電性、強度、及び曲げ加工性のバランスが改良されたCu−Ni−Si−Co系銅合金を提供する。
【解決手段】Ni:1.0〜2.5質量%、Co:0.5〜2.5質量%、Si:0.3〜1.2質量%を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、Siの質量濃度に対するNiとCoの合計質量濃度の比[Ni+Co]/Siが3.5≦[Ni+Co]/Si≦5.5であり、圧延方向に平行な断面において粒径が1〜50nmの範囲にある第二相粒子の平均粒径が2〜15nmであり、且つ、当該第二相粒子同士の平均距離が10〜50nmである電子材料用銅合金。 (もっと読む)


【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したCu−Co−Si系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】0.5〜3.0質量%のCo及び0.1〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にEBSD測定を行い、結晶方位を解析したときに、Cube方位{0 0 1}<1 0 0>の面積率が10〜80%、Brass方位{1 1 0}<1 1 2>の面積率が20%以下、Copper方位{1 1 2}<1 1 1>の面積率が20%以下であるCu−Co−Si系合金。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量%以上のCuからなるグラフェン製造用銅箔である。 (もっと読む)


【課題】 高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したチタン銅及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 1.5〜5.0質量%のTiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、引張強さが800MPa以上であり、板厚に対し45〜55%の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にEBSD測定を行い、結晶方位を解析したときに、Cube方位{0 0 1}<1 0 0>の面積率が5%以上、Brass方位{1 1 0}<1 1 2>の面積率が40%以下、Copper方位{1 1 2}<1 1 1>の面積率が20%以下であるチタン銅。 (もっと読む)


11 - 20 / 482