説明

DOWAエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】 低温焼結性、極性溶媒の分散性を併せ持つ金属粒子分散体組成物を提供する。
【解決手段】
【化1】


粒子表面にアミノ基を有する有機物が存在している平均一次粒子径1〜100nmの金属ナノ粒子と、下記式(1)で示される化合物と、分散溶媒とを含む金属粒子分散体組成物である。ただし、式(1)のRは分岐鎖を有するアルキル基および/又はアルケニル基を含有する炭素数が1ないし24であるアルキル基および/又はアルケニル基を示し、式(1)のAOは炭素数が1ないし4のオキシアルキレン基を示し、nはアルキレンオキシドの平均付加モル数を示す1以上20未満の値であり、式(1)のXはC、H、O原子のいずれかから構成される連結基である。 (もっと読む)


【課題】表面が凹凸形状でしかも所定の磁気特性を有するフェライト粒子を安定して製造できる方法を提供する。
【解決手段】MFe3−X(但し、MはMg,Mn,Ca,Ti,Cu,Zn,Sr,Niからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素,0≦X<1)で表される組成のフェライト粒子が生成するように成分調整された、平均粒径がいずれも3μm以上のFe成分原料とM成分原料、又はFe成分とM成分とを含有する平均粒径が3μm以上の仮焼成物と、媒体液とを混合してスラリーを得る工程と、前記スラリーを噴霧乾燥させて造粒物を得る工程と、前記造粒物を焼成して焼成物を得る工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】特に微粒子でありながら、磁気特性を維持しながら耐酸化性を改善させた金属磁性粉末の製造技術を提供する。
【解決手段】焼結防止元素を含有するオキシ水酸化鉄(α−FeOOH、ただしFeの一部が他の元素で置換されていても構わない)の粉末を弱還元性雰囲気に曝して個々の粒子の一部が金属鉄(α−Fe、ただしFeの一部が他の元素で置換されていても構わない)に還元された段階で還元反応の進行を止め、次いで弱酸化性雰囲気に曝すことによりウスタイト(FeO、ただしFeの一部が他の元素で置換されていても構わない)を合成し、そのウスタイトに対して還元熱処理を施す金属磁性粉の製法。 (もっと読む)


【課題】表面が凹凸形状でしかも所定の磁気特性と抵抗特性とを有するフェライト粒子を安定して製造できる方法を提供する。
【解決手段】MnFe3−X(但し、0≦X≦1)で表される組成のフェライト粒子が生成するように成分調整されたFe成分原料及びMn成分原料を媒体液中に投入してスラリーを得る工程と、前記スラリーを噴霧乾燥させて造粒物を得る工程と、前記造粒物を酸化雰囲気下で焼成して前駆体を得る第1焼成工程と、得られた前駆体を還元雰囲気下で焼成温度1050℃〜1300℃の範囲でさらに焼成して焼成物を得る第2焼成工程とを有することを特徴とする。ここで、フェライト粒子の表面形状の凹凸化をより促進させる観点からは、第1焼成工程における焼成温度は1150℃〜1300℃の範囲が好ましく、焼成時間は1.5時間以上が好ましい。 (もっと読む)


【課題】触媒性能を効果的に発現できる触媒担持型ディーゼルパティキュレートフィルターを提供する。
【解決手段】触媒担持型ディーゼルパティキュレートフィルターは、ディーゼルパティキュレートフィルター基材の表面に、第一の平均粒子径を有する第一の触媒粒子群から構成される第一の触媒コート層と、前記第一の触媒コート層の上層に前記第一の平均粒子径よりも大きい第二の平均粒子径を有する第二の触媒粒子群から構成される第二の触媒コート層とを備える。 (もっと読む)


【課題】デバイス化の工程で割れが発生することを抑制することが可能なIII族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物エピタキシャル基板10は、Si基板11と、該Si基板11と接する初期層14と、該初期層14上に形成され、Al組成比が0.5超え1以下のAlGaNからなる第1層15A1(15B1)およびAl組成比が0超え0.5以下のAlGaNからなる第2層15A2(15B2)を順次有する積層体を複数組有する超格子積層体15と、を有し、前記第2層のAl組成比が、前記基板から離れるほど漸減することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】同一の発光ピーク波長をもつ2層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板102の上面側に、中間電極104、下側第1導電型半導体層106、第1発光層108、第2導電型半導体層110、第1発光層108と同一の発光波長を有する第2発光層112、上側第1導電型半導体層114および上側電極116を順次具え、支持基板102の下面側に設けられる下側電極118と、上側第1導電型半導体層114および第2発光層112を貫通する凹部120に設けられ、第2導電型半導体層110と電気的に接続する基準電極122と、を有し、第1発光層108の電流が流れる有効領域108aを規制する絶縁部126を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】同一の発光ピーク波長をもつ2層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板102の上面側に、中間電極104、下側第1導電型半導体層106、第1発光層108、第2導電型半導体層110、第1発光層108と同一の発光波長を有する第2発光層112、上側第1導電型半導体層114および上側電極116を順次具え、支持基板102の下面側に設けられる下側電極118と、上側第1導電型半導体層114および第2発光層112を貫通する凹部120に設けられ、第2導電型半導体層110と電気的に接続する基準電極122と、を有し、第1発光層108の電流が流れる有効領域の一部が規制されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】導電性ペーストに用いた場合に、分散性及び導電性に優れた導電用銀被覆硝子粉及び導電用銀被覆硝子粉の製造方法、並びに該導電用銀被覆硝子粉を用いた導電性ペーストの提供。
【解決手段】表面処理剤を付着してなり、銀含有量が10質量%以上である導電用銀被覆硝子粉とする。前記表面処理剤が、ベンゾトリアゾール類、脂肪酸及びこれらの塩から選択される少なくとも1種である態様、前記表面処理剤が、ベンゾトリアゾール、ステアリン酸、オレイン酸、ラウリン酸及びこれらの塩から選択される少なくとも1種である態様などが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高いキャリア濃度を有し、かつ、高い結晶性を有するGaAs単結晶の製造方法およびGaAs単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】種結晶10、不純物となるSi原料12およびGaAs原料14、固体の二酸化ケイ素(石英板)、ならびに酸化ホウ素原料18をるつぼ4内に収容した状態で縦型ボート法を行い、GaAs単結晶20を成長させる。成長前の加熱により石英板が融解し、原料溶融時点では既にGaAs融液15と液体B2O319との界面近傍に、極めてSiO2濃度の高い層(SiO2高濃度層17)が形成されるため、原料融解時から結晶成長時にわたって、ホウ素濃度を低く抑えることができる。 (もっと読む)


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