【課題】 低温焼結性、極性溶媒の分散性を併せ持つ金属粒子分散体組成物を提供する。
【解決手段】
【化１】


粒子表面にアミノ基を有する有機物が存在している平均一次粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子と、下記式（１）で示される化合物と、分散溶媒とを含む金属粒子分散体組成物である。ただし、式（１）のＲは分岐鎖を有するアルキル基および／又はアルケニル基を含有する炭素数が１ないし２４であるアルキル基および／又はアルケニル基を示し、式（１）のＡＯは炭素数が１ないし４のオキシアルキレン基を示し、ｎはアルキレンオキシドの平均付加モル数を示す１以上２０未満の値であり、式（１）のＸはＣ、Ｈ、Ｏ原子のいずれかから構成される連結基である。 （もっと読む）

【課題】表面が凹凸形状でしかも所定の磁気特性を有するフェライト粒子を安定して製造できる方法を提供する。
【解決手段】Ｍ_ＸＦｅ_３−ＸＯ_４（但し、ＭはＭｇ，Ｍｎ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｎｉからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素，０≦Ｘ＜１）で表される組成のフェライト粒子が生成するように成分調整された、平均粒径がいずれも３μｍ以上のＦｅ成分原料とＭ成分原料、又はＦｅ成分とＭ成分とを含有する平均粒径が３μｍ以上の仮焼成物と、媒体液とを混合してスラリーを得る工程と、前記スラリーを噴霧乾燥させて造粒物を得る工程と、前記造粒物を焼成して焼成物を得る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】特に微粒子でありながら、磁気特性を維持しながら耐酸化性を改善させた金属磁性粉末の製造技術を提供する。
【解決手段】焼結防止元素を含有するオキシ水酸化鉄（α−ＦｅＯＯＨ、ただしＦｅの一部が他の元素で置換されていても構わない）の粉末を弱還元性雰囲気に曝して個々の粒子の一部が金属鉄（α−Ｆｅ、ただしＦｅの一部が他の元素で置換されていても構わない）に還元された段階で還元反応の進行を止め、次いで弱酸化性雰囲気に曝すことによりウスタイト（ＦｅＯ、ただしＦｅの一部が他の元素で置換されていても構わない）を合成し、そのウスタイトに対して還元熱処理を施す金属磁性粉の製法。 （もっと読む）

【課題】表面が凹凸形状でしかも所定の磁気特性と抵抗特性とを有するフェライト粒子を安定して製造できる方法を提供する。
【解決手段】Ｍｎ_ＸＦｅ_３−XＯ_４（但し、０≦Ｘ≦１）で表される組成のフェライト粒子が生成するように成分調整されたＦｅ成分原料及びＭｎ成分原料を媒体液中に投入してスラリーを得る工程と、前記スラリーを噴霧乾燥させて造粒物を得る工程と、前記造粒物を酸化雰囲気下で焼成して前駆体を得る第１焼成工程と、得られた前駆体を還元雰囲気下で焼成温度１０５０℃〜１３００℃の範囲でさらに焼成して焼成物を得る第２焼成工程とを有することを特徴とする。ここで、フェライト粒子の表面形状の凹凸化をより促進させる観点からは、第１焼成工程における焼成温度は１１５０℃〜１３００℃の範囲が好ましく、焼成時間は１．５時間以上が好ましい。 （もっと読む）

【課題】触媒性能を効果的に発現できる触媒担持型ディーゼルパティキュレートフィルターを提供する。
【解決手段】触媒担持型ディーゼルパティキュレートフィルターは、ディーゼルパティキュレートフィルター基材の表面に、第一の平均粒子径を有する第一の触媒粒子群から構成される第一の触媒コート層と、前記第一の触媒コート層の上層に前記第一の平均粒子径よりも大きい第二の平均粒子径を有する第二の触媒粒子群から構成される第二の触媒コート層とを備える。 （もっと読む）

【課題】デバイス化の工程で割れが発生することを抑制することが可能なIII族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物エピタキシャル基板１０は、Ｓｉ基板１１と、該Ｓｉ基板１１と接する初期層１４と、該初期層１４上に形成され、Ａｌ組成比が０．５超え１以下のＡｌＧａＮからなる第１層１５Ａ１（１５Ｂ１）およびＡｌ組成比が０超え０．５以下のＡｌＧａＮからなる第２層１５Ａ２（１５Ｂ２）を順次有する積層体を複数組有する超格子積層体１５と、を有し、前記第２層のＡｌ組成比が、前記基板から離れるほど漸減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域の一部が規制されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域１０８ａを規制する絶縁部１２６を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電性ペーストに用いた場合に、分散性及び導電性に優れた導電用銀被覆硝子粉及び導電用銀被覆硝子粉の製造方法、並びに該導電用銀被覆硝子粉を用いた導電性ペーストの提供。
【解決手段】表面処理剤を付着してなり、銀含有量が１０質量％以上である導電用銀被覆硝子粉とする。前記表面処理剤が、ベンゾトリアゾール類、脂肪酸及びこれらの塩から選択される少なくとも１種である態様、前記表面処理剤が、ベンゾトリアゾール、ステアリン酸、オレイン酸、ラウリン酸及びこれらの塩から選択される少なくとも１種である態様などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア濃度を有し、かつ、高い結晶性を有するＧａＡｓ単結晶の製造方法およびＧａＡｓ単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】種結晶１０、不純物となるＳｉ原料１２およびＧａＡｓ原料１４、固体の二酸化ケイ素（石英板）、ならびに酸化ホウ素原料１８をるつぼ４内に収容した状態で縦型ボート法を行い、ＧａＡｓ単結晶２０を成長させる。成長前の加熱により石英板が融解し、原料溶融時点では既にＧａＡｓ融液１５と液体Ｂ２Ｏ３１９との界面近傍に、極めてＳｉＯ２濃度の高い層（ＳｉＯ２高濃度層１７）が形成されるため、原料融解時から結晶成長時にわたって、ホウ素濃度を低く抑えることができる。 （もっと読む）