説明

DOWAエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】リフトオフ時に化合物半導体層の内部応力による化合物半導体層の割れが生じない半導体素子と半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、支持基板30上に半導体層が接合された構成を具備する半導体素子の製造方法であって、成長基板11上にリフトオフ層12を介して、半導体層からなる素子領域15aを形成する素子領域形成工程と、成長基板上に、柱状物21を形成する柱状物形成工程と、支持基板に、半導体層及び柱状物の上部を接合する接合工程と、リフトオフ層を除去することにより半導体層の下面と成長基板とを分離し、かつ柱状物と成長基板とを分離しないリフトオフ工程と、柱状物と支持基板とを分離する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】キャリア芯材自体の電気的特性が良好であり、環境依存性が小さい電子写真現像剤用キャリア芯材を提供する。
【解決手段】電子写真現像剤用キャリア芯材は、一般式:Feで表されるコア組成を主成分として有し、Naを30ppm以上400ppm以下含有する。このようなキャリア芯材については、キャリア芯材自体の環境依存性を小さくしながら、抵抗値の適正化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】見掛け密度が小さく且つ流動性に優れ、小さな動力で撹拌混合等を行うことができるフェライト粒子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】一般式(MFe3−x)O(但し、MはFe,Mg,Mn,Ca,Ti,Cu,Zn,Sr,Niからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属、0≦x≦1)で表されるフェライト粒子本体の表面をアルミナで被覆する。このようなフェライト粒子の製造方法としては、Fe原料とM原料、及び水を混合してスラリーを得る工程と、前記スラリーを噴霧乾燥させて造粒物を得る工程と、前記造粒物を焼成して焼成物前駆体を得る工程と、得られた焼成物前駆体の表面をアルミナで被覆する工程と、アルミナで表面を被覆した焼成物前駆体をさらに焼成する工程とを有する方法が好ましい。 (もっと読む)


【課題】従来よりも反りの値を低減させたIII族窒化物エピタキシャル基板を提供することを目的とする。
【解決手段】Si基板と、上記Si基板上に形成された超格子積層体と、上記超格子積層体上にエピタキシャル成長されたIII族窒化物積層体とを具え、上記超格子積層体が、上記Si基板側からAlN材料を含む第1層、AlxGa1-xN(0<x<1)材料を含む第2層、およびAlyGa1−yN(0≦y<1)材料を含む第3層(但し、第2層のAl組成xおよび第3層のAl組成yは、y<xの関係を有する)を順に有する積層体を複数組そなえることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来の導電性ペーストより低い温度で加熱しても導電膜の配線を形成することができるとともに、従来の導電性ペーストより体積抵抗率が低い導電膜の配線を形成することができ、且つ基板に対する密着性や印刷性に優れた導電性ペーストを提供する。
【解決手段】導電性ペーストは、金属成分と、バインダー樹脂またはバインダー樹脂および硬化剤と、分散剤が添加された溶剤とを含み、金属成分が平均粒径0.5μm以上の銀粒子と平均一次粒子径10〜200nmの銀微粒子とからなり、金属成分とバインダー樹脂(またはバインダー樹脂および硬化剤)の総量に対する金属成分が95質量%より多く、200℃で60分間加熱してバインダー樹脂を硬化させた後の体積抵抗率が10μΩ・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】単位面積あたりのエッチピット密度(EPD)で評価した結晶性の値が低く良好な結晶性を有するSiドープGaAs単結晶インゴット、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】GaAs化合物原料を別の合成炉で合成し、当該原料中にSiドーパントを挟み込んで、Siドーパントを収納したGaAs化合物原料31Bとした。当該Siドーパントを挟み込む位置は、当該GaAs化合物原料を溶融したとき、その平均温度より低くなる位置とした。単結晶成長装置のるつぼに種結晶を挿入した後に、Siドーパントを収納したGaAs化合物原料31B、液体封止剤32をるつぼに投入し、単結晶成長装置1にセットして加熱溶融後、当該液体封止剤を攪拌しながら、縦型温度傾斜法により融液を固化、結晶成長させてSiドープGaAs単結晶インゴット33を得る。 (もっと読む)


【課題】研削および研磨加工により薄厚化されたウェハを板から剥離する際、ウェハに損傷を与えることがなく、かつ剥離後のウェハの反りを小さくすることができるウェハの薄厚化加工方法および半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハ接合工程において、ウェハ100は、ウェハ100の半導体デバイス103側が繊維質を含まない保護シート104を有する接着剤105を介して前記固定板101に接合される。 (もっと読む)


【課題】キャリア芯材自体の電気的特性が良好であり、環境依存性が小さい電子写真現像剤用キャリア芯材を提供する。
【解決手段】電子写真現像剤用キャリア芯材は、一般式:Feで表されるコア組成を主成分として有し、Naを30ppm以上400ppm以下含有する。このようなキャリア芯材については、キャリア芯材自体の環境依存性を小さくしながら、抵抗値の適正化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】長期間使用しても電気抵抗が変動・低下することなく、また安定した帯電性が得られる磁気ブラシ帯電用のフェライト粒子を提供すること。
【解決手段】一般式MnFe3−x(但し、0≦x≦1)で表される材料を主成分とし、粒子の表面粗さを0.4〜0.6μmの範囲とし、飽和磁化を60emu/g以上とする。そして、X線回折で得られるFeとMnFeとのピーク強度比の、粉砕前と粉砕後の差を絶対値で0.015以下とする。ここで、Alは、Al換算で0.2〜2.0重量%の固溶しているのが好ましい。また、印加電圧1000Vのときの電気抵抗値は1.0×10〜9.0×10Ωの範囲であるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】バッファで改善された結晶性および平坦性を有効に機能積層体に引き継がせることにより、機能積層体の平坦性および結晶性を向上させた半導体素子をその製造方法とともに提供する。
【解決手段】基板1上に、バッファ2と、複数の窒化物半導体層を含む機能積層体3とを具える半導体素子100であって、機能積層体3は、バッファ2側にn型またはi型である第1のAlGa1−xN層4(0≦x<1)を有し、バッファ2と機能積層体3との間に、第1のAlGa1−xN層4とAl組成が略等しいp型不純物を含むAlGa1−zN調整層5(x−0.05≦z≦x+0.05、0≦z<1)を具え、バッファ2は、少なくとも機能積層体3側にAlαGa1−αN層(0≦α≦1)を含み、該AlαGa1−αN層のAl組成αと、第1のAlGa1−xN層4のAl組成xとの差が、0.1以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


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