【課題】スパッタリング時の窒化反応に依存せずに、ターゲットそのものが、バリア膜と同一成分となるように、かつ半導体デバイスの反応を効果的に防止でき、さらに、スパッタリング時にパーティクルの発生のない、例えばバリア膜用として、最適なスパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法及び同バリア膜を備えた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の組成を有するＴａ、Ｔａ珪化物、Ｔａホウ化物からなる焼結体スパッタリングターゲット、及びＴａ粉、Ｔａ珪化物粉及びＴａホウ化物粉を、ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の配合比となるように混合し、これを１０〜５０ＭＰａの加圧力、１７００〜２０００°Ｃでホットプレスにより焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】全てを湿式法により行う鉛の処理ができる方法が要望されている。
【解決手段】非鉄製錬の製錬中間物である鉛滓中の、銅・亜鉛を少なくとも除去する方法において、
鉛滓をスラリー化した液中に、酸素含有カ゛スを吹き込み、銅メタルを酸化しCuOとし、
硫酸第2鉄の酸化作用によりCu₂Oを酸化し、
硫酸を添加することにより、前記鉛滓中の亜鉛と銅を少なくとも浸出処理する鉛滓の浸出方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金においてＣｒ添加の効果をより良く発揮させることで飛躍的に特性の向上即ち、高強度・高導電性のコルソン系合金を提供することである。
【解決手段】Ｎｉ：１．０〜４．５質量％、Ｓｉ：０．５０〜１．２質量％、Ｃｏ：０．１〜２．５質量％、Ｃｒ：０．００３０〜０．３質量％を含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物から構成される銅合金であって、ＮｉとＣｏの合計質量のＳｉに対する質量濃度比（［Ｎｉ＋Ｃｏ］／Ｓｉ比）が４≦［Ｎｉ＋Ｃｏ］／Ｓｉ≦５であり、材料中に分散する大きさが０．１μｍ以上５μｍ以下のＣｒ−Ｓｉ化合物について、その分散粒子中のＳｉに対するＣｒの原子濃度比が１〜５であって、その分散密度が１×１０⁴個／ｍｍ²以上、１×１０⁶個／ｍｍ²以下である電子材料用銅合金。 （もっと読む）

【課題】曲げ反発力（スプリングバック）が低減された銅合金箔を提供する。
【解決手段】厚みtが20μm以下、Ra/t≦0.009（但し、Raは算術平均粗さ）であり、300℃×30分の熱処理後の(200)面のＩ／Ｉ_０が65以上である。 （もっと読む）

【課題】強度及び導電性に加えて、ばね限界値及び応力緩和特性にも優れた電子材料用のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金を提供する。
【解決手段】Ｎｉ：１．０〜２．５質量％、Ｃｏ：０．５〜２．５質量％、Ｓｉ：０．３〜１．２質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる電子材料用銅合金であって、母相中に析出した第二相粒子のうち、粒径が０．１μｍ以上１μｍ以下のものの個数密度が５×１０^５〜１×１０^７個／ｍｍ^２である電子材料用銅合金。 （もっと読む）

【課題】活物質としてＳｎＣｏ合金を用いたリチウム二次電池用負極の容量維持率を改善する。
【解決手段】銅又は銅合金箔と、その表面に形成されたＳｎＣｏ合金層とを有するリチウムイオン二次電池用負極であって、該銅又は銅合金箔は、銅又は銅合金箔基材と、該銅又は銅合金箔基材を被覆する複数の金属粒子を有する第１層と、各金属粒子を直接又は間接的にそれぞれ被覆する該金属粒子よりも径の小さな複数の突起を有するＮｉＳｎ合金からなる最外層とを備えているリチウムイオン二次電池用負極。 （もっと読む）

【課題】本発明はＴｅを含有するヘキサクロロロジウム酸アンモニウム水溶液からＲｈをロジウムスポンジとして回収する際に、テルル品位の低いロジウムスポンジをより確実に得ることのできる方法を提供する。
【解決手段】該溶液中に含まれるＲｈに対するＴｅの質量濃度比であるＴｅ／Ｒｈを分析し、Ｔｅ／Ｒｈが予め定められた値を超える場合には、この溶液からＴｅを分離する所定の工程をＴｅ／Ｒｈが予め定められた値以下になるまで繰り返し、Ｔｅ／Ｒｈの低減されたヘキサクロロロジウム酸アンモニウム水溶液を得て、該水溶液を還元処理してロジウムスポンジを得る。 （もっと読む）

【課題】寸法安定性を向上させたチタン銅を提供する。
【解決手段】
Ｔｉを２．５〜５．５原子％、Ｆｅ及びＨｆから選ばれる１種以上を合計で０．１〜０．４原子％、Ｃｒ、Ｎｉ及びＳｉの中から選ばれる１種又は２種以上を０〜０．２０原子％含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる銅合金において、以下の式によって定義されるＴｉの偏析率Ｓが１０％以下である銅合金。
Ｃａｖ：直角断面をＥＰＭＡにて板厚方向にライン分析したときのTi濃度の平均値
Ｃｍａｘ：直角断面をＥＰＭＡにて板厚方向にライン分析したときのTi濃度の最大値
Ｓ（％）＝（Ｃｍａｘ−Ｃａｖ）／Ｃａｖ×１００ （もっと読む）

【課題】電子材料用の銅合金として好適な機械的及び電気的特性を備え、機械的特性の均一なＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金を提供する。
【解決手段】Ｎｉ：１．０〜２．５質量％、Ｃｏ：０．５〜２．５質量％、Ｓｉ：０．３〜１．２質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる電子材料用銅合金であって、平均結晶粒径が１５〜３０μｍであり、観察視野０．５ｍｍ^２毎の最大結晶粒径と最小結晶粒径の差の平均が１０μｍ以下である電子材料用銅合金。 （もっと読む）

【課題】強度と導電性に優れた高強度高導電性二相銅合金箔を提供する。
【解決手段】質量％でFeを4％以上10％以下含有し残部Cu及び不可避的不純物からなり、Cu母相２と第二相４とからなる二相銅合金であって、Feを主体とする析出物がCu母相に析出している。さらに、Mg、Ag、Cr、P、Sn、Znが合金中に固溶およびまたは第二析出物として析出し、第二相４同士の間隔ｄ、厚みｔ１は圧延直角断面から見たとき、おのおの３μm以下、１μm以下、第二析出物の粒径が20〜100nmである。 （もっと読む）