本発明は、プラットフォーム上のデータを転送するための、特に、プラットフォームの異なるコンポーネント間で同時にデータを転送するためのデータ転送デバイス（１０）に関する。少なくとも一つがインプットポート（１３、１４、１５）であり少なくとも一つがアウトプットポート（１６、１７、１８）である少なくとも三つのポート間でデータを同時に転送するように調整されたデータ転送デバイスが、示される。データ転送デバイス（１０）は、インプットポート（１３、１４、１５）とアウトプットポート（１６、１７、１８）との間でデータを転送する命令を実行する少なくとも二つのコントローラ（２０、２１）を含む。コントローラ（２０、２１）は、コントローラ（２０、２１）間で同期するための同期命令、及び／又はインプットポート（１３、１４、１５）とアウトプットポート（１６、１７、１８）を同期させるための同期命令を受信するよう調整されている。
（もっと読む）

【課題】より高いブレークダウン電圧に適した半導体素子構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板構造（１００）は、半導体基板（１）と、半導体基板（１）の上部にＧａＮタイプの層スタック（２０）とを備える。ＧａＮタイプ層スタック（２０）は、少なくとも１つのバッファ層（２１，２２）と、第１活性層（２）と、第２活性層（３）とを備え、第１活性層と第２活性層の界面において、能動素子領域が規定可能である。半導体基板（１）は、絶縁層（１２）の上に存在しており、所定のパターンに従って溝（１４）を規定するようにパターン化され、そのパターンは、こうした能動素子領域の下地となる少なくとも１つの溝（１４）を含み、前記溝（１４）は、絶縁層（１２）から、ＧａＮタイプ層スタック（２０）の少なくとも１つのバッファ層（２１，２２）の中まで延びて、前記少なくとも１つのバッファ層（２２）の範囲で過成長しており、第１および第２活性層（２，３）は、少なくとも能動素子領域の範囲で連続している。 （もっと読む）

本発明は、有機デバイスの製造方法に関し、下記のステップを含む。（ｉ）電気コンタクト構造（４）および絶縁部（３）を備えた表面を有する基板（１）を用意するステップ。（ｉｉ）第１仮保護層（９）を、前記電気コンタクト構造（４）の幾つかまたは全ての上に設けるステップ。（ｉｉｉ）第１表面改質層（６）を絶縁部（３）の上に設けること、及び／又は、第３表面改質層（１０）を、ステップ（ｉｉ）で保護されていない前記電気コンタクト構造（４）の上に設けるステップ。（ｉｖ）第１仮保護層（９）を除去するステップ。（ｖ）第２表面改質層（５）を、ステップ（ｉｉ）で保護された電気コンタクト構造の上に設けるステップ。（ｖｉ）前記第１表面改質層（６）を、ステップ（ｉｉｉ）で設けていなければ、絶縁部（３）の上に設けるステップ。（ｖｉｉ）有機半導体層（７）を、前記第１表面改質層（６）の少なくとも一部の上に、および前記第２表面改質層（５）の上に、そして、もし存在すれば、前記第３表面改質層（１０）の上に設けて、これにより前記有機デバイスを得るステップ。
（もっと読む）

【課題】電子静電放電保護を有する集積電子回路を設計する方法を提供する。
【解決手段】通常の動作の間の所与のパフォーマンスを有する集積電子回路１を設けるステップを含み、集積電子回路１は、電力供給ライン２と、電力供給ライン２により電力供給され、電子静電放電保護装置５により保護される少なくとも一つの能動装置４とを含み、更に、集積電子回路１上でＥＳＤイベントをシミュレートして、ＥＳＤイベントの間に、寄生ＥＳＤ電流経路が、電力供給ライン２と少なくとも一つの機能装置４との間で形成されるかどうか、及びどこで形成されるかを、決定するステップと、決定された寄生ＥＳＤ電流経路内で、少なくともＥＳＤイベントの一部の間に、この寄生ＥＳＤ電流経路を遮断する回路６を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】封止枠と蓋を含む封止部を有する微小機械素子（ＭＥＭＳ）において、封止の密閉度および信頼性を向上させる。
【解決手段】基板１１０上に絶縁層１０９および保護層１０７を形成し、保護層１０７上に形成された、例えばスイッチのような微小電気機械素子１００であって、蓋１１００および封止枠１０９０からなる封止部によって気密封止されており、封止部をまたぐ配線１０４が、絶縁層内に形成され、配線１０４と、保護層１０７上に形成された配線１０２、１０３とをつなぐ、前記保護層１０７を貫通するビア配線１０５が形成されている素子である。封止部をまたぐ配線１０４が絶縁層１０９内に埋め込まれているため、封止枠１０９０を平坦な面に形成することができ、信頼性の高い気密封止が実現される。 （もっと読む）

【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第１単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第２材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を１×１０^−６ｔｏｒｒから１×１０^−４ｔｏｒｒの間にし、第２材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第１単結晶材料の上にこれと接触して第２材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 （もっと読む）

【課題】伝送ラインや分布増幅器などの分配電子回路を開示する。
【解決手段】本発明は、インプットターミナル（２）と、アウトプットターミナル（３）と、電力供給ライン（４、５）と、インプットターミナル（２）とアウトプットターミナル（３）との間に設けられ一つのセクションから別のセクションへ電気信号を伝送するように配置された一連セクション（６１、６２、６３、６４、６５）とを含み、個々のセクション（６１、６２、６３、６４、６５）は、電子放電静電（ＥＳＤ）イベントの発生の際に対応するＥＳＤ電流を電力供給ライン（４、５）に運ぶように構成されたＥＳＤ保護（９）を含み、個々のセクション（６１、６２、６３、６４、６５）のＥＳＤ保護要素（９）は、ＥＳＤイベントの発生の際に、最初のセクション（６１）の前に後続のセクション（６２、６３、６４、６５）が起動されるように選択されている分配電子回路である。 （もっと読む）

【課題】基板上に逆Ｔ形状を有するフローティングゲートを持った不揮発性メモリ構造を形成する、複雑ではない方法を提起する。
【解決手段】半導体材料の基板に少なくとも一つのメモリセルアレイを備えた不揮発性メモリの製造方法であって、メモリセルは、ＳＴＩ構造によって、互いに自己整合され互いから分離される。メモリセルは、メモリセルアレイに沿った断面において逆Ｔ形状を有するフローティングゲートを備える。ここで、逆Ｔ形状は、フローティングゲートの側壁の上部を酸化させることにより形成され、それによって犠牲酸化物層を形成し、その後、ＳＴＩ構造をさらにエッチバックすると同時に犠牲酸化物層を除去する。 （もっと読む）

【課題】それぞれ少なくとも２つの巻数からなる２つのコイルを備え、２つの導電層に実現可能であって、これによりコイルの端子がこの構造の反対側に配置される、対称型トランスのための構造を提供する。
【解決手段】積層コイル構造を持つ対称型トランスは、それぞれ少なくとも２つの巻線を有する２つのコイルを備える。該構造は、４つの同じ基本エレメントを備え、各基本エレメントは、前記コイルの一部のための導電経路を提供するものである。トランスの端子は、該構造の反対側に配置されており、構造はチェーン式に容易に接続できる。本発明はまた、こうした構造を備えた半導体デバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】洗浄液に振動音響力を与えて半導体基板の表面を洗浄する方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板３０表面が圧電変換器３２から所定の距離になるように基板を配置する工程、基板と変換器との間に洗浄液５を供給する工程、変換器に交流の電流と電圧を供給することにより洗浄液に振動音響力を与える工程、基板と変換器を相対的に移動させる工程、表面と変換器との間の距離を測定する工程、または変換器に供給される電流と電圧との間の位相シフトを測定する工程、測定された距離を所望の距離と比較する工程、または測定された位相シフトを所望の位相シフトの値と比較する工程、表面と変換器との間の距離を調整して、この距離を所望の距離に実質的に等しくなるように維持する工程、または位相シフトを所望の位相シフトの値に等しくなるように維持する工程よりなる。 （もっと読む）