説明

Fターム[2C057AP32]の内容

インクジェット(粒子形成、飛翔制御) (80,135) | ヘッドの製造 (18,267) | 加工方法 (12,269) | エッチング使用 (2,606) | ドライエッチング (708)

Fターム[2C057AP32]に分類される特許

161 - 180 / 708


【課題】高い位置合わせ能力を要求することなしに、高精度で信頼性の高い静電アクチュエーターおよび液滴吐出ヘッドを得ること。
【解決手段】可撓性の振動板12が形成されたシリコン基板2と、振動板12に隙間22を介して対向する個別電極17を有したガラス基板3とが接合された静電アクチュエーターであって、シリコン基板2は、ガラス基板3と対向する面のほぼ全域に絶縁膜16aが成膜されたものであり、ガラス基板3は、個別電極17の表面に絶縁膜16bが成膜されているが、シリコン基板2との接合部20には絶縁膜16bが形成されていない。 (もっと読む)


【課題】記録ヘッドの基板裏面側で外部との電気接続を行う構成において、工程の増大を抑制して上記電気接続部を形成し、記録ヘッドを小型化する。
【解決手段】貫通孔20を形成しその内部に突起状電極23を配置することによって基板10の上面側と裏面側との間の電気接続を行う。これにより、この表裏面間の電極接続のためには基本的に貫通孔20を形成する工程だけを実施すればよく、埋め込み電極を設ける場合のように製造工程の大幅な増大を回避することができる。 (もっと読む)


【課題】均一かつ精度の良いインク流路及びインク吐出口を有し、インク吐出特性にばらつきの少ない液体吐出ヘッドを簡便に作製することのできる方法を提供する。
【解決手段】(A)基体2の表面に、活性エネルギー線硬化型樹脂層3を形成し、活性エネルギー線硬化型樹脂層の表面に、活性エネルギー線透過物質4を付着させる工程と、(B)活性エネルギー線を透過し、吐出口のパターンの突起形状を有する原盤5を、活性エネルギー線透過物質に押し付け、突起形状を活性エネルギー線透過物質に転写する工程と、(C)活性エネルギー線硬化型樹脂層に対して液体流路のパターンに活性エネルギー線7を選択照射し、活性エネルギー線硬化型樹脂層を硬化する工程と、(D)原盤を除去する工程と、(E)活性エネルギー線硬化型樹脂層の未硬化部を除去する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】空隙内圧と大気圧の差圧解消や信頼性向上を目的とする空隙内へのガス導入を行う大気開放部を封止するときに封止材が不必要な部分に流れ出して接合不良、接続不良、特性不良を起こす。
【解決手段】空隙13に連通する連通路15と、連通路15を外部に連通させる大気開放孔42を有する大気開放部16と、大気開放部16の大気開放孔42を封止する封止材36と、大気開放部16の周囲を囲む凸段差部37とが設けられ、大気開放孔42を通じてガス導入を行った後に封止材36で大気開放孔42を封止するとき、封止材36の流動性が残っている段階でも凸段差部37で堰きとめられて、大気開放部16以外の箇所への流れ出しが防止される。 (もっと読む)


【課題】液保護膜の表面に傷やピンホール等を生じさせず、アルカリ耐性を向上させることができる高品質のシリコン製ノズル基板等を提供すること。
【解決手段】液滴を吐出するためのノズル孔11を有し、ノズル孔11の液導入側の面1bからノズル孔11の内壁11cまでドライ酸化膜12を形成し、ドライ酸化膜12にTa25 膜13を積層した。このとき、ノズル孔11の液導入側の面1bからノズル孔11の内壁11cまでドライ酸化膜12を形成し、ノズル孔11の液吐出側の面1aに撥水膜14をさらに形成し、ドライ酸化膜12に、ノズル孔11の液導入側の面1bからノズル孔11の内壁11cの開口部11dまで連続するTa25 膜13を積層する。 (もっと読む)


【課題】補助基板が取り付けられた本体基板が、所定位置に正確に位置決めされて基板の製造が行われる基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板の製造方法は、まず、本体基板1の表面側にパターンを形成すると共に、アライメントマーク7を形成する。そして、本体基板1の表面側に補助基板9を接着する。そして、形成されたアライメントマーク7とマスク15とが位置決めされた状態で、マスク15を介して本体基板1の裏面側に露光させ、本体基板1の裏面側にパターンを形成する。そして、本体基板1の裏面側にパターンが形成されると、本体基板1から補助基板9を剥離する。 (もっと読む)


【課題】突出型ノズルを備えるノズルプレート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ボディ部510と、ボディ部510から突出して形成されるノズル520と、を備えるノズルプレート500である。基板の下面を異方性ウェットエッチングによりノズルの下部を構成し、基板の上面を異方性ドライエッチングによりノズル上部を構成する。ノズルの外壁面は、基板の下面に対して所定角度に傾斜して形成されるため、ノズル520の壁はノズル520の吐出口から遠ざかるほど厚く形成され、強固なノズル構造が具現されうる。 (もっと読む)


【課題】絶縁耐圧に優れた液滴吐出ヘッド等を提供する。
【解決手段】複数のギャップ段差部20に電極部Aがそれぞれ形成された第2の基板2と、壁面の一部が振動板12からなる複数の吐出室13を有し、振動板12の吐出室と反対側の面上に絶縁膜15が成膜された第1の基板1とを少なくとも備え、振動板12及び絶縁膜15をギャップGを介して電極部Aと対向させ、ギャップ段差部20から電極部Aを取り出す電極取り出し部29を備えた液滴吐出ヘッドであって、ギャップ段差部20の電極取り出し部29の近傍にエッチング耐性を有する絶縁保護膜25を形成した。この絶縁保護膜25は、電極部Aのリード部22の端部近傍に形成する。 (もっと読む)


【課題】ノズル孔の傾斜部の傾斜角を所望の角度とすることができ、ノズル密度を高めることができ、ノズル孔の傾斜部が垂直部と段差を介さずに連続して形成され、ノズル孔の流路特性が最適化されて安定した吐出特性を有するノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材41の一方の面側から異方性ドライエッチングを行って、円筒孔部11cを形成する工程と、少なくとも円筒孔部11c内に酸化膜を形成する工程と、円筒孔部11cを形成した面と反対側の面からシリコン基材41を研磨して、円筒孔部11cの底部側に所望の傾斜角で拡径する第2のノズル孔部11bを形成し、研磨されず残った円筒孔部11cを第1のノズル孔部11aとする工程とを有するものである。 (もっと読む)


【課題】酸化ジルコニウム層の亀裂や剥離等の破壊を低減することができる液体噴射ヘッド、液体噴射装置、アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上方に形成された酸化シリコンを主成分とする第1の層50と、該第1の層50上に設けられたジルコニウムを熱酸化することにより形成された酸化ジルコニウムを主成分とする第2の層56と、該第2の層56上にスパッタリング法により形成された酸化ジルコニウムを主成分とする第3の層57と、該第3の層57の上方に形成された圧力発生素子300と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】より簡便な方法で、吐出性能の高いノズルとなる穴を形成することができるノズル基板の製造方法等を得る。
【解決手段】シリコン基板51に形成したフォトレジスト52に対して露光及び現像を行って、ノズル31を形成するためのシリコン露出部分周辺におけるフォトレジスト52に対して、傾斜部分を設けたパターンを形成する工程と、フォトレジスト52をマスクとして異方性ドライエッチングを行って、テーパ形状のノズル31となる穴を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】搬送が容易で厚さ制御を有効に行うことができるノズル基板の製造方法等を得る。
【解決手段】搬送等を容易に行えるように、周縁部分を残して研削等によりシリコン基板51を高精度に薄板化する工程と、薄板化した部分にエッチング等の加工を行って、少なくともノズル31となる穴を形成し、複数のノズル基板30を形成する工程と、シリコン基板51の複数のノズル基板30を切断、割断等により分離して個片化する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】吐出口周辺においてディッシング形状を有さず、安定した吐出特性を得ることができるノズル基板等を得る。
【解決手段】平板を貫通させて、液体を吐出するためのノズル31を形成した、シリコンからなるノズル基板30において、液滴の吐出面において、吐出口周辺部分が凹んだディッシング形状(ラウンド形状)とならないようにノズル31が基板の表面よりも突出した吐出口を有するようにする。 (もっと読む)


【課題】インクジェットプリンタヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】本方法は、半導体ウェーハ上に支持膜を形成する段階と、前記支持膜上に抵抗パターンを形成する段階と、前記抵抗パターンを含む前記基板の上部面を覆う保護膜を形成する段階と、前記保護膜及び支持膜をパターニングして前記半導体ウェーハの一部を露出する開口部を形成する段階と、前記半導体ウェーハを貫通するノズル部を形成する段階と、前記ノズル部にインクを供給するためのインクカートリッジを前記保護膜に付ける段階と、を含み、前記ノズル部を形成する段階は、前記開口部を通じて露出された前記半導体ウェーハを等方性エッチングして前記支持膜の下部に半球形の上部ノズル部を形成する段階と、前記開口部を通じて露出された前記上部ノズル部の下部面を異方性エッチングして前記半導体ウェーハを貫通する下部ノズル部を形成する段階と、を含む。 (もっと読む)


【課題】流路形成基板と圧力室形成基板とを接着させてなる、両者の十分な接着強度を維持しつつ、接着剤のはみ出しによる液体の変質、吐出性の低下などが抑制された液滴吐出ヘッド液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドの簡易な製造方法、及び、該液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】貫通孔20が形成された流路形成基板22と圧力室12を有する圧力室形成基板18とを接着剤24を介して接着してなる液滴吐出ヘッドであって、流路形成基板22における貫通孔20の、接着剤24との接触面端部が1〜100μmのR形状を有する。貫通孔端部のR形状は、パターン状のマスクを加熱してパターン状のマスクの端部にR形状を形成するキュア工程と、ドライエッチングによりに貫通孔を形成した後、さらに、形成された貫通孔の端部に低選択比でドライエッチングを行う貫通孔形成工程とを含む製造方法により簡易に形成しうる。 (もっと読む)


【課題】ノズル板に観測窓を形成することにより、ノズルに形成されるメニスカスを容易に観察でき、その結果、インクの吐出特性を効果的に把握できるインクジェットヘッドを提供する。
【解決手段】本発明に係るインクジェットヘッドは、インクを貯留するリザーバ、リザーバからインクの供給を受けるチャンバ、リザーバとチャンバを連結するリストリクタ、インクを吐出するノズル、及びチャンバとノズルの間に介在されるダンパを含むインクジェットヘッドであって、チャンバ、リザーバ、リストリクタ、及びダンパが形成されるボディ部と、ボディ部に接合され、ノズルが形成されるノズル板と、を含み、ノズル板は透明な材質からなり、ノズル板には、ノズルから離隔して形成され、ノズルに形成されるメニスカスを観測するための観測窓が形成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製作収率が向上され、各構成間の堅固な結合力に基づいて安定した品質を確保できるインクジェットヘッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるインクジェットヘッドは、インクを貯留するリザーバ、リザーバにインクを供給する流入口、リザーバからインクが供給されるチャンバ、リザーバとチャンバを連結するリストリクタ、インクを吐出するノズル、及びチャンバとノズルとの間に介在されるダンパ部を含むインクジェットヘッドであって、ダンパ部の一部、チャンバ、リザーバ、及びリストリクタが形成されたシリコン材質の第1プレートと、チャンバをカバーするように第1プレートの上面に接合されたガラス材質の振動板と、第1プレートの下面に接合され、ダンパ部の一部が形成されたガラス材質の第2プレートと、第2プレートの下面に接合され、ノズルが形成されたシリコン材質のノズル板とを含む。 (もっと読む)


基板を貫通する自己整合穴を形成し、流体供給経路を形成する方法は、まず、2つの反対の面を有する基板の第一の面の上に絶縁層を形成するステップと、絶縁層の上に加工物を形成するステップを含む。次に、絶縁層を貫通する開口部をエッチングにより形成し、開口部が絶縁層の上の加工物と物理的に整合するようにし、特徴物を保護材料の層で被覆する。保護材料の層のパターン形成によって、絶縁層から開口部を露出させる。基板の第一の面からのドライエッチングによって、絶縁層の開口部の位置に対応する基板の止まり穴状態の供給穴が形成され、この止まり穴状態の供給穴は底を有する。その後、基板の第二の面を研磨し、全面エッチングによって基板全体を貫通する穴を形成する。
(もっと読む)


【課題】ノズル形成部材の撥水層の耐久性及び撥水性のいずれも両立して向上することができる液体吐出ヘッドの提供。
【解決手段】ノズル板3は、ノズル基材31の液滴吐出側の面に撥水層32が形成され、撥水層32は、フッ素樹脂層からなり、単分子の層32a、二量体の層32b、多量体又はコポリマー(分子鎖)が絡み合った層32cで構成され、これらの単分子の層32a、二量体の層32b、多量体の層32cがいずれもノズル板3の表面に露出した状態で形成されている。 (もっと読む)


【課題】吐出口の中心軸に関して対称に配置された複数の連通路を微細に形成することに適した記録ヘッドを提供する。
【解決手段】記録ヘッドは、液体に熱エネルギーを作用させることにより、前記液体を吐出口から吐出させる記録ヘッドであって、前記吐出口の下に配され前記液体が前記吐出口から吐出されるように前記液体に圧力を加えるための加圧空間を含む供給室と、前記液体を前記供給室へ供給する液体供給流路及び前記液体供給流路と前記供給室とを仕切る仕切り部を含む半導体基板とを備え、前記仕切り部には、前記液体供給流路を前記供給室へ連通させる複数の連通路が形成されており、前記複数の連通路は、前記吐出口の中心軸に関して対称に配されており、前記仕切り部は、前記半導体基板における前記仕切り部の周辺より高い濃度で不純物を有する半導体で形成されている。 (もっと読む)


161 - 180 / 708