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Fターム[2C057AP32]の内容

インクジェット(粒子形成、飛翔制御) (80,135) | ヘッドの製造 (18,267) | 加工方法 (12,269) | エッチング使用 (2,606) | ドライエッチング (708)

Fターム[2C057AP32]に分類される特許

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【課題】 ノズル配置の高密度化と、圧電アクチュエータによる振動板の変位量の増大とを同時に実現することが可能な液体吐出ヘッド、液体吐出ヘッドの製造方法及び該液体吐出ヘッドを備えた画像形成装置を提供する。
【解決手段】 圧電層110の中心部(圧力室106の中心部と重なる領域)には中央電極116が形成されている。中央電極116は、環状の上部電極114内に接しないように形成されている。中央電極116は、圧電層110の開口部110Hを通じて、下部電極108と電気的に接続されており、下部電極108を介して接地されている。上部電極114に負の電荷が印加されると、圧電層110は、下部電極108から上部電極114に向かう方向に分極するとともに、中央電極116から上部電極114に向かう方向に分極する。このため、上部電極114と中央電極116との間に縦方向の歪み(縦方向の変位)が発生するので、振動板104の撓み変位量が増大する。 (もっと読む)


【課題】圧力発生素子とインク流路及び吐出口の位置関係を高精度かつ再現性良く制御できるインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】前記圧力発生素子が形成された基板上に第一の樹脂層、シリコン原子を含有するポジ型レジスト層を積層する工程と、該シリコン原子を含有するポジ型レジスト層に対して縮小投影露光装置を用いたi線露光及び現像処理を施しインク流路パターンの一部をパターニングする工程と、該シリコン原子を含有するポジ型レジスト層をマスクとして酸素プラズマを用いたドライエッチングにより該第一の樹脂層をパターニングしインク流路パターンを形成する工程と、該インク流路パターンの周囲に被覆樹脂層を形成する工程と、該被覆樹脂層に対して露光及び現像処理を施し該吐出口を形成する工程と、該インク流路パターンを溶解除去する工程と、を有するインクジェットヘッドの製造方法。 (もっと読む)


【課題】上凸変位駆動方式の液体吐出装置における応力に起因したマイクロクラックが抑制され、耐久性に優れた液体吐出装置を提供する。
【解決手段】液体吐出装置3Aは、圧電素子1Aが上部電極40側に凸変位駆動する素子であり、圧電体30の上部電極40側の面に、液体貯留室61の内壁面位置W又はその近傍、若しくは液体貯留室61の内壁面位置Wより外側の領域に溝部31が形成されている。上部電極がリング状電極の場合には、圧電体の上部電極側の面に、リング状の上部電極の内端面位置又はその近傍に溝部が形成される。 (もっと読む)


【課題】エッチング中の基板表面のVpp(RFバイアス電圧のピーク間電圧差)又はVdc(自己バイアス電圧)を正確に測定し、高精度加工を可能にするとともに、基板間の加工再現性を向上させる。
【解決手段】被エッチング材料の表面に保護膜により所定のマスクパターンが形成された基板(28)をチャンバ(12)内に配置し、チャンバ(12)内にプロセスガスを供給しながら、当該チャンバ内にプラズマを発生させ、マスクパターンの開口部分に対応する被エッチング材料をエッチングするエッチング工程と、エッチング工程におけるエッチング処理中に、基板(28)のマスクパターンが形成されている面の被エッチング材料の表面に接触させた導電性部材(36)を介して当該基板表面の電圧を測定する電圧測定工程と、電圧測定工程の測定結果に基づいてエッチング条件を制御する制御工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】撥液膜の耐擦性及び耐液性を向上させるインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるインクジェットヘッドの製造方法は、第1シリコン層(12)と第2シリコン層(14)の間に第1熱酸化膜(16)を有するSOI基板(18)を用い、SOI基板(18)の第2シリコン層(14)及び第1熱酸化膜(16)を貫いて第1シリコン層(12)に達するノズル開口部(30)を形成する開口部形成工程と、開口部形成工程の後に、第1シリコン層(12)を除去する第1シリコン層除去工程と、第1シリコン層除去工程によって露出した第1熱酸化膜(16)の表面上に撥液膜(58)を形成する撥液膜形成工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】良好な変位特性を得ることができる液体噴射ヘッドの製造方法及びアクチュエーター装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1電極を形成する工程と、第1電極の上方に圧電体前駆体膜を形成する工程と、圧電体前駆体膜を熱処理により結晶化させ、圧電体膜を形成する第1の加熱工程と、第2電極を形成する工程と、第1電極と第2電極間との間に電圧を印加しながら150℃以上の温度で、圧電体膜で構成される圧電体層を加熱処理する第2の加熱工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】圧電体の上部電極端面の近傍部分における電荷集中と応力集中が緩和され、耐久性に優れた圧電素子を提供する。
【解決手段】本発明の圧電素子1は、圧電体30と、圧電体30に電界を印加する下部電極20及び上部電極50とを備えた素子であり、上部電極50はパターン形成されており、上部電極50の端部50Eの領域は、圧電体30への電界印加時に、圧電体30の中心側から外周面側に向けて圧電体30にかかる電界強度が徐々に低下する構造を有している。 (もっと読む)


【課題】駆動耐久性に優れ、かつ高電圧駆動が可能で高密度化に対応でき、またプロセス適応性に優れた静電アクチュエータおよびその製造方法等を提供する。
【解決手段】電極基板3上に形成された個別電極5と、個別電極5に対して所定のギャップを介して対向配置された振動板6とを備え、個別電極5の対向面を階段状の多段構造に形成した静電アクチュエータ4であって、個別電極5の対向面の最上段と最下段とに、物性が異なる表面保護膜8a、8bを形成する。 (もっと読む)


【課題】酸化ジルコニウム層と第1電極との密着性を向上して、耐久性及び信頼性を向上した液体噴射ヘッド、液体噴射装置、アクチュエーター装置及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上方に設けられた酸化ジルコニウムを主成分とする酸化ジルコニウム層55と、該酸化ジルコニウム層55上に設けられた第1電極60、該第1電極60上に設けられた圧電体層70及び該圧電体層70上に設けられた第2電極80を具備する圧電素子300と、を具備し、前記酸化ジルコニウム層55は、前記第1電極60側の表面粗さRaが2.0より大きく、且つRmaxが10nm以下である。 (もっと読む)


【課題】インク吐出用のマイクロメカニカルなプランジャの耐久性を向上する。
【解決手段】パドル8は、ノズルチャンバ2内からノズルチャンバ2の1つの壁において規定されたインク噴出ノズル4を通って液体を噴出する。パドル8は、使用中はインク噴出ノズル4に対向しインク噴出ノズル4から間隔を置いて配置された略平らなプランジャ表面を提供するように構成された第1の部分と、第1の部分の周辺におけるプランジャ表面上に形成されて第1の部分の構造上の支持を行う第2の部分とを含み、それによって、使用中、プランジャが作動してインクを、インク噴出ノズル2を通って噴出している間、第2の部分がスペーサとしての役割を果たして、プランジャ表面がインク噴出ノズル4に触れるのを防止する。 (もっと読む)


【課題】圧電体膜を用いた圧電素子に係わり、特に、駆動電圧を高くすることなく大きな撓み変形が得られる圧電素子を提供する。
【解決手段】
圧電素子を、櫛形形状の導電性弾性板2と、導電性弾性板2の各櫛歯部に設けた圧電素子セグメント1a〜eと、により構成し、圧電素子セグメントを。、櫛歯部の一方の面に順次形成した第1の圧電体膜3及び第1の電極5と、他方の面に順次形成した第1の圧電体膜4と分極方向が同じ第2の圧電体膜及4び第2の電極6と、により構成し、第1の電極5及び第2の電極6の接続点と、導電性弾性板2と、の間に電圧を印加することにより第1の圧電体膜3と第2の圧電体膜4が同方向に撓み変形して大きな撓み変動が起こるようにした。 (もっと読む)


【課題】インクジェットヘッドを支持する支持基板に対する接合を良好におこなうことが可能で、かつ液体に対する耐性が高い壁面を有する供給口を備えたインクジェットヘッドを提供する。
【解決手段】面の結晶方位が{100}であり、表面にインクを吐出口から吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生素子を備えるSi基板と、前記吐出口と連通し、前記Si基板上にインクを保持する流路と、前記Si基板の前記表面とその裏面とを貫通して流路と連通し、該インク流路にインクを供給する供給口と、を有するインクジェットヘッドであって、前記供給口の壁面が、互いに対向する二つの{111}面を有するインクジェットヘッド。 (もっと読む)


【課題】基板の上層に形成された金の電極配線の電気的信頼性を確保することができる液体吐出ヘッド用基板の提供。
【解決手段】エネルギー発生素子と、素子に接する様に設けられた第1の電極層と、第1の電極層と素子とを覆う様に設けられた絶縁層と、絶縁層に形成された開口部を通じて第1の電極層に電気的に接続する第2の電極層014と、第1の電極層と第2の電極層との間に形成された空間015又は樹脂層016と、を有する液体吐出ヘッド用基板。 (もっと読む)


【課題】低電圧化を可能としたアクチュエータを提供する。
【解決手段】振動板Aと、振動板Aの一面に設けた振動板側電極8に密接して設けられて圧電変位して振動板Aを変位変形させる圧電素子Bと、を備え、圧電素子Bは、圧電素子側電極12及び振動板側電極間8に複数の圧電膜9、11と、各圧電膜と交互に積層された隣り合う複数の層からなる中間電極10と、を備え、各圧電膜は、中間電極10を構成する各層と、振動板側電極8又は圧電素子側電極12との間に電位を印加されることで変位するようにした。 (もっと読む)


【課題】高吐出口密度を有する記録素子基板の接着固定に必要な精度を容易に満足できるインクジェット記録ヘッド、記録素子基板、インクジェット記録ヘッドの製造方法、および記録素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】インクジェット記録ヘッド1は、インクが内部を通るとともに互いに離間して配された複数の流路を有する記録素子基板3を複数備えている。各記録素子基板3は、各流路が開口する複数のインク吐出口7が配された第1の面13と、第1の面13と交差して記録素子基板3の側面を形成するとともに、少なくとも一部がエッチング処理によって形成された第2の面15と、を有する。 (もっと読む)


【課題】耐久性の低下を抑制して圧電特性を向上することができる液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエーター装置を提供する。
【解決手段】ノズル開口に連通する圧力発生室12と、該圧力発生室12に圧力変化を生じさせると共に、下電極60と該下電極60上に形成された圧電体層70と該圧電体層70上に形成された上電極80とを具備する圧電素子300と、を具備し、前記上電極80は、イリジウム含有層81と、前記イリジウム含有層81上に形成され、イリジウムよりもヤング率の低い材料からなる電極層82と、を有する。 (もっと読む)


【課題】耐吐出液保護膜の組成を管理してアルカリ耐性を向上させることができるシリコン製ノズル基板等を提供すること。
【解決手段】ノズル孔11を有し、耐吐出液保護膜13を表面に形成したシリコン製ノズル基板1であって、液滴吐出側のシリコン基材100の表面100aと耐吐出液保護膜13との間の一部に、赤外線反射膜15を設けた。この場合、耐吐出液保護膜13が、シリコン基材100の液滴吐出側の面100aからノズル孔11の内壁11cまで連続して設けられ、赤外線反射膜15はアルミニウムを主成分とし、あるいは酸化チタンを主成分として、ノズルクリーニングの影響を受けない領域に形成されている。 (もっと読む)


【課題】ノズルプレートと流路形成基板とを接合する際、位置決めピンとの接触面積を減少することによりチッピングを防止し、歩留まりの向上および製造コストの低減を図った液滴吐出ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】液滴を吐出する複数のノズル孔5を有するノズルプレート1と、ノズル孔5のそれぞれに連通する吐出室13を加圧するアクチュエーターを備える流路形成基板2とを具備する液滴吐出ヘッドの製造方法において、ノズルプレート1及び流路形成基板2にそれぞれ複数箇所に多角形からなる位置決め孔6、7、11、12を形成する工程と、位置決め孔に治具50に設けられた円柱状の位置決めピン8を挿入し、ノズルプレート1と流路形成基板2とを位置決めして接合する工程とを有し、位置決め孔のうち一方6、11は、基準となる正多角形に形成され、他方7、12は、位置決めピン8との位置ずれを吸収するように長孔状の多角形に形成する。 (もっと読む)


【課題】吐出エネルギーを高めることができ、配線の引き回しや回路接続の自由度も向上する液滴吐出ヘッドを提案すること。
【解決手段】吐出液をそれぞれのノズル孔101から吐出させる複数の加圧室201が、対向する振動板の間に形成されたキャビティ基板200を備え、振動板の一方は複数の加圧室に対して共通の共通電極振動板211とされ、振動板の他方は複数の加圧室にそれぞれ対応した個別電極223を有した個別電極振動板221とされており、キャビテイ基板200に、共通電極振動板211と電極対を形成し複数の加圧室にそれぞれ対応した個別電極312を有した個別電極基板310と、個別電極振動板221と電極対を形成し複数の加圧室に対して共通の共通電極基板320とを、積層した液滴吐出ヘッド。 (もっと読む)


【課題】高い位置合わせ能力を要求することなしに、高精度で信頼性の高い静電アクチュエーターおよび液滴吐出ヘッドを得ること。
【解決手段】可撓性の振動板12が形成されたシリコン基板2と、振動板12に隙間22を介して対向する個別電極17を有したガラス基板3とが接合された静電アクチュエーターであって、シリコン基板2は、ガラス基板3と対向する面のほぼ全域に絶縁膜16aが成膜されたものであり、ガラス基板3は、個別電極17の表面に絶縁膜16bが成膜されているが、シリコン基板2との接合部20には絶縁膜16bが形成されていない。 (もっと読む)


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