【課題】高速かつ高精度のパターン検査方法およびパターン検査装置を提供する。
【解決手段】走査領域内で所望のパターンの寸法を測定し、測定結果から統計量を算出し、算出結果が所定の閾値を超えた場合に、寸法測定に誤差が含まれていたものと判定して補正処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画質のよしあしをリアルタイムで判断することができる検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置により撮像された複数枚のスキャン画像を積算して、１枚のＳＥＭ画像を構成し、電子線を用いて、線幅や欠陥を検査する方法及び装置において、スキャン画像毎に設計データとのマッチングを行い、マッチングの結果として、Ｓｈｉｆｔ_ｘ，Ｓｈｉｆｔ_ｙを算出し、スキャン画像毎のＳｈｉｆｔ_ｘの差分δｘ，Ｓｈｉｆｔ_ｙの差分δｘを算出し、上記差分δｘ又はδｙが閾値を超える場合に、ＳＥＭ画像の取得のリトライ処理を演算手段によって実行する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】
荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】
電子線を用いて欠陥を検出する検査装置において、電子線を用いた場合の、試料内のチップ内の回路パターンの種類や密度の差異によって生じる検査画像のコントラストの差異を原因とした検査性能の低下を防止する。
【解決手段】
試料に荷電粒子線を走査して得られる少なくとも２つの画像を比較して試料の回路パターンの欠陥を抽出する荷電粒子線を用いた検査方法または装置であって、あらかじめ定められた幅で荷電粒子線を走査しながら試料を連続的に移動し、回路パターンの種類または密度が異なる領域では、検査条件を変えて画像を取得する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、面積測定方法および面積測定プログラムに関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定してその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線で囲まれた内部の面積を算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特定の部分の寸法を高精度かつ高速に測定する。
【解決手段】
繰り返し構造からなる第１のパターンと、第１のパターンの上に繰り返し構造を跨いで形成された線状の第２のパターンと、を有する半導体装置の寸法測定に用いられる寸法測定装置である。寸法測定装置は、第１のパターンの形状に関する情報を取得する形状情報取得手段と、第２のパターンの顕微鏡による観察結果から、第２のパターンを構成する各部分の幅値を取得する幅値取得手段と、形状情報取得手段で取得した前記第１のパターンの形状に対応するように、第２のパターン上に複数の解析領域を設定する解析領域設定手段と、設定された解析領域ごとに、幅値取得手段で取得した幅値の中から、解析領域に含まれる部分の幅値を抽出し、抽出した幅値を用いて、第２のパターンの第１のパターンと重なる部分における寸法を決定する寸法決定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ラフネスを考慮したサンプリングによる異種計測装置間のキャリブレーション方法及びそのシステムを提供する。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ装置を用いて被計測対象のＣＤ平均寸法及びラフネスを計測するＣＤ−ＳＥＭ計測過程と、該ＣＤ−ＳＥＭ計測過程において計測されるラフネスを統計処理してキャリブレーションに必要な断面計測点数を算出する断面計測点数算出過程と、該断面計測点数算出過程で算出された断面計測点数を満たすように前記被計測対象に対して断面計測装置を用いて断面計測を実施し、該実施された断面計測結果において指定された断面計測高さのＣＤ平均寸法を算出する断面計測過程と、前記ＣＤ−ＳＥＭ計測過程で計測された前記被計測対象のＣＤ平均寸法と前記断面計測過程において算出された被計測対象の断面計測高さのＣＤ平均寸法との差であるキャリブレーション補正値を算出する補正値算出過程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
半導体検査において、設計データと撮影した半導体デバイスの画像を利用して、ＳＥＭ画像に含まれたノイズとパターンを精度よく分離する方法及び装置を提供することにある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、試料への電子ビームの照射に基づいて得られる画像から、前記試料上に形成されたパターンを細線化した画像を形成する際に、前記パターンを形成する線分の方向ごとに、予め登録された前記パターンのホワイトバンドの輝度分布情報を用いたピーク位置の検出を行い、当該検出によって、前記パターンの細線部分を抽出し、当該抽出に基づいて前記細線化されたパターンを表した画像を形成する方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

三次元目標物体の領域の画像を構築する画像データを提供する方法及び装置が開示される。本方法は、入射放射線を提供するステップと、少なくとも１つの検出器を介して、目標物体で散乱した放射線の強度を検出するステップと、目標物体に対して入射放射線を再位置決めするステップと、続けて、目標物体で散乱した放射線の強度を検出するステップと、３Ｄ物体の１つ又は複数の深さにおいて、入射放射線の少なくとも１つの特性の推定値を示すプローブ関数を求めるステップと、物体の１つ又は複数の領域の画像を、プローブ関数を使用して反復プロセスを介して構築することができる画像データを提供するステップとを含む。
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【課題】プローブや試料を破損させるおそれがなく、すばやくプローブ先端を試料に接触させることができるプローブ付き顕微鏡を提供する。
【解決手段】プローブが試料方向に接近している最中に、顕微鏡から得られる画像を認識して、認識領域内のプローブ面積を計算することによってプローブから試料までの距離を計算する。 （もっと読む）

【課題】 試料表面へ電子ビームを直接照射することなく、試料表面の凹凸を観察する。
【解決手段】 電子ビームを試料に照射し、試料から放出される二次電子を検出することによって試料表面の状態を観察する電子線装置を用いた試料観察方法において、試料の上に誘電体材料を載せ、試料と誘電体材料とを接触させることにより接触帯電を起こさせ、接触帯電に起因して誘電体材料表面に誘起される表面電位のコントラストを二次電子を用いた像によって観察することにより、試料表面の凹凸を観察する。 （もっと読む）

【課題】 測定面積を小さくでき、低コスト化が可能で、測定レンジの狭くないシート厚さ測定装置を提供する。
【解決手段】 放射線源１から出射された放射線２の、シート状物体３を通過した透過量を放射線検出器１４で検出し、透過量に基づいてシート状物体３の物理量を測定するシート物理量測定装置において、放射線２の照射範囲を検出する放射線アレイ検出部６１，６２と、放射線アレイ検出部６１，６２から出力される信号に基づいて、放射線検出器１４と放射線源１とのアラインメントずれによって放射線検出器６１，６２の出力に生じる誤差を補正する補正手段１０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 オンライン測定中でも測定面積の変更が容易なシート厚さ測定装置を提供する。
【解決手段】 放射線源１からシート状物体３に出射された放射線２の透過量を放射線検出器１４で検出し、シート状物体３の物理量を測定するシート物理量測定装置において、放射線検出器１４は１次元又は２次元のアレイ素子から構成され、アレイ素子のうちシート状物体３の測定領域７に対応した素子から出力される信号を選択する選択手段６を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１次光学系にプレチャージの機能も持たせてプレチャージユニットの設置を省略できるとともに、試料に対するプレチャージの領域と量を制御し、試料に応じた最適なプレチャージを行うことができる電子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】試料Ｓを載置するステージ３０と、
所定の照射領域１５を有する電子ビーム生成し、該電子ビームを前記試料に向けて照射する１次光学系１０と、
前記電子ビームの前記試料への照射により発生した、前記試料の構造情報を得た電子を検出し、所定の視野領域２５について前記試料の像を取得する２次光学系２０と、
前記所定の照射領域の位置を、前記所定の視野領域に対して変更可能な照射領域変更手段１３、１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置における倍率校正を精度良く行うために校正位置の特定が容易な校正用標準部材及びそれを用いた電子ビーム装置を提供する。
【解決手段】装置校正用標準部材の超格子パターン近傍に、校正位置を特定するためのマークもしくは標識を形成することで、校正位置の特定が可能な高精度測長校正が実現できる。異なる材料４、５が交互に積層された積層構造の超格子パターンの断面を有する基板１に、電子ビーム装置から放出される一次電子ビーム１１を照射して検出される二次荷電粒子の信号をもとに前記電子ビーム装置の倍率校正を行う校正用標準部材において、前記基板は、前記積層に並行した基板面上にあって前記超格子パターン断面に対して交差する方向に一定の間隔で配列された線状パターン３を有し、該線状パターン３の断面は前記超格子断面と略同一の平面内にあるよう構成して、前記線状パターンにより前記超格子パターンの位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】漏れが発生する前に管状被検体の劣化或いは破損を非破壊で検知可能な非破壊検査装置及び非破壊検査方法を提供すること。
【解決手段】管状被検体に放射線を側面から照射する放射線源と、前記管状被検体を透過した放射線を検出して透過画像を得るイメージセンサと、前記イメージセンサにより得られた前記透過画像から前記管状被検体の管壁画像情報を生成する画像情報生成手段と、前記画像情報生成手段により生成された前記管壁画像情報に基づいて、前記管状被検体の健全性を評価する評価手段とを具備することを特徴とする非破壊検査装置を使用する。 （もっと読む）

【課題】従来技術では極めて困難であった、感光体の表面に生じている電荷分布あるいは電位分布をミクロンオーダーで高分解能の計測を可能にする方法及び装置を提供する。
【解決手段】感光体試料１７に対して、荷電粒子ビームを照射する照射手段２と、該照射によって得られる荷電粒子の信号を検出する検出手段５と、感光体試料１７の電荷分布の状態を測定する測定手段としての画像処理手段５１と、感光体試料１７に複数の潜像パターンを形成するための露光手段３と、露光手段３の光源の発光を制御する発光制御手段としてのＬＤ駆動部２１及び制御手段２０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ−ＳＥＭによるレジストパターンの測定において、画像中の測定対象パターンが残し部（Ｌｉｎｅパターン）と抜き部（Ｓｐａｃｅパターン）を自動的に判定して正しく測定すると共に、レジストのシュリンク量を補正した真のレジストパターン寸法を測定することを可能にするレジストパターン測定方法及びレジストパターン測定装置を提供する。
【解決手段】２枚のレジストパターン画像を取得し、各レジストパターン画像においてレジストパターンの内側寸法と外側寸法を測定し、測定値の比較によってレジストパターンが残し部（Ｌｉｎｅパターン）と抜き部（Ｓｐａｃｅパターン）のどちらであるかを判定するとともに、測定値の差分からレジストのシュリンク量を算出する。このシュリンク量により、レジストパターンのＬｉｎｅ／Ｓｐａｃｅを正しく判別した上でシュリンクを考慮した真の寸法を測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】パターンの寸法測定に際して寸法測定範囲（ＲＯＩ）を自動的に設定する。
【解決手段】実パターンの輪郭ＥＲ１〜ＥＤＲの像と、実パターンの設計図形とのマッチングを実パターンの画像上で行い、設計図形の輪郭線ＥＤ１〜ＥＤ４に内接または外接する円ＣＬ１〜ＣＬ１０を設計図形に当てはめ、円ＣＬ１〜ＣＬ１０と輪郭線ＥＤ１〜ＥＤ４との接点を基準に寸法測定範囲（ＲＯＩ）ＲＡ〜ＲＨ，ＲＪ〜ＲＱ，ＲＳ，ＲＴを決定する。 （もっと読む）

【課題】測定位置を特定するためのパターンマッチングにおいて、大きさが変動することを想定したテンプレートの登録を簡便に行う処理及び、測定に十分な位置精度が得られ、なおかつ処理が高速なパターンマッチング処理を実現する。
【解決手段】測定位置を指定した際に測定位置そのものとは異なる位置決め用のテンプレートの大きさと位置を自動的に算出する手段を有し、算出したテンプレートの大きさと位置を表示する。また、分割された複数のテンプレートの全て、あるいはいくつかを用いて、パターンマッチングを行い、元の位置関係と相似であるものを抽出する構造マッチングを行う手段を有する。 （もっと読む）