【課題】標準寸法試料の最適観察倍率以外の倍率範囲においても倍率校正、測長値の校正が行える荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】倍率基準とする試料の試料拡大像を用いて倍率が校正された第１の倍率で試料像を取得する一画像内で前記偏向器によって荷電粒子線を所定量偏向させて記録した視野移動を含む第１の試料像から抽出した荷電粒子線偏向前後の視野の移動量と、第２の倍率で試料像を取得する一画像内で前記偏向器によって荷電粒子線を前記所定量偏向させて記録した視野移動を含む第２の試料像から抽出した荷電粒子線偏向前後の視野の移動量とをもとに、前記第２の倍率を校正する。 （もっと読む）

電子ビームを照射して、所望のパターンが形成された試料の表面を観察する試料観察装置であって、電子ビームを試料の表面に照射する電子銃と、電子ビームが試料の表面に照射されることにより、試料から生じる電子を検出する電子検出部と、電子検出部が検出した電子に基づいて、試料の表面上の位置と、当該位置に対応して電子検出部が検出した電子量との関係を示す信号プロファイルを生成する状態取得部と、試料の表面上のそれぞれの位置における、信号プロファイルの２階微分値を算出する微分器と、信号プロファイルの２階微分値に基づいて、試料の表面に設けられたパターンのエッジの位置を算出するエッジ位置算出部とを備える試料観察装置を提供する。
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【課題】高スループットでしかも高い信頼性で試料資料の検査、評価が可能な検査方法、検査装置の提供。
【解決手段】電子線装置は、荷電粒子線を発生する荷電粒子線発生手段７１と、前記一次荷電粒子線を複数本走査させて前記基板に照射する一次光学系７２と、前記荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線が投入される二次光学系７４と、前記二次光学系に投入された二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換する検出器を有する検出系７６と、前記電気信号に基づいて基板の評価を行う処理制御系７７と、を備え、前記パターン形成面を複数の領域に分割して、領域毎にパターンを形成することにより全体のパターン形成が行われるパターン形成面の評価において、上記分割した領域のつなぎの領域を選択して上記評価を行う。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた凹凸の大きく激しい表面構造や試料内部に埋設された特定構造物と、この特定構造物とは深さの異なる深さに埋設された構造物との距離を測定し得るようにする。
【解決手段】試料２の内部に埋設された特定構造物としての配線パターンに到達し、特定構造物で反射して試料表面から脱出するに足る入射エネルギーで配線パターンを含む領域に荷電粒子としての電子ビームを照射して走査する。特定構造物で反射した反射ビームと試料表面から脱出する際に試料表面で放出させる二次電子ビームを検出し、特定構造物と、その特定構造物の埋設深さとは異なる深さに埋設された構造物との距離を測長する。 （もっと読む）

【課題】 アライメントマークが認識領域から外れた状況下でも、比較的短時間でアライメントマークを検出することを可能とするアライメントマーク、及びアライメントマークの検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明のアライメントマーク１は、位置検出に使用されるメインパターン１ｍと、メインパターン１ｍの周囲に近接して設けられた複数のサブパターン１ｓを備える。サブパターン１ｓはメインパターン１ｍと異なる形状を有しており、メインパターン１ｍとサブパターン１ｓとの間隔を、位置ずれによりメインパターン１ｍが認識領域外に位置するときに、少なくとも１のサブパターン１ｓが認識領域内に位置する間隔とすることで、サブパターン１ｓによりフォーカスを合わせることが可能となる。認識エラーによる測長ＳＥＭの動作停止を回避することができるとともに、比較的短時間で、位置検出を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単なソフトを用いて、電極等の尖頭部の位置を正確に検出することのできるＸ線透視装置を提供する。
【解決手段】 透視対象物Ｗを透過したＸ線を検出するＸ線検出器２の出力に基づくＸ線透視像を画像処理する画像処理装置７に、透視対象物Ｗの尖頭部の座標を計測する機能を持たせ、その機能においては、Ｘ線透視像の輝度情報から粒子解析に基づいて透視対象物の端点を検出して、尖頭部の直交座標のうちの一方の座標を決定し、その座標情報に基づくエッジ検出により、他方の座標を決定する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの照射により生じる基板電流を検出する技術をさらに改善し、コンタクトホールの詳細な形状や半導体デバイスの内部状態を非破壊で検査する。
【解決手段】 平行電子ビーム２を試料５に照射して試料５に流れる電流を電流計９により測定する。電子ビーム２の加速電圧を変えて測定を繰り返し、データ処理装置１０において、加速電圧の違いによる試料５への電子ビーム２の透過率の違いに基づく電流値の違いから、試料５の深さ方向の構造に関する情報を求める。 （もっと読む）

検出されたウェハ欠陥座標値をＣＡＤデータを用いてレチクル座標値に変換する為のシステムと方法が記載される。ウェハ検査画像が得られ、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値が測定される。その後、前記ウェハ検査画像は、所定の画像フォーマットに変換される。試験中のデバイスのＣＡＤデータは、その後第２の画像作成の為に用いられが、その際も前記の所定の画像フォーマットによる。前記ＣＡＤ由来の画像と前記ウェハ由来の画像は、その後整合され、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値は、ＣＡＤ座標値に変換される。その後前記ＣＡＤ座標値は、前記検出されたウェハ欠陥に相当するレチクル欠陥の位置を特定するために、前記ウェハに代わって前記レチクルを介して進路を指示するように使用される。
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【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、ウエハ上面からの観察のみで入射電子線に対して影になる部分やウエハ内に埋設された構造の検査および定量評価を行い、三次元構造の表示を行なう検査装置および方法を提供する。
【解決手段】ウエハ表面の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分に到達し得るエネルギーを有する電子ビームを照射して、二次的に発生する信号による走査像を取得し(40)、パターンの立体モデルを生成する工程(41)と、得られた二次信号からパターンのエッジの位置情報を検出する工程(44)と信号強度を検出する工程(45)と、検出した情報から被検査パターンの特徴量を算出する工程(46)と、算出したパターンの特徴量から立体構造を構築し、パターンの三次元構造を表示する(47)工程により三次元構造を評価する。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥をキャラクタライズする方法を提供する。その方法は以下のようなアクションからなる。半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。
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【課題】
ＳＥＭの２次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたＳＥＭによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、被計測対象パターンにおいて傾斜角変化に対して感度が低い領域（平坦部領域）ａ、ｃ１については、チルト像取得部１５２１で観察方向φ（２）からチルト像（チルト２次電子画像）Ｉ（２）を取得し、形状計測部１５２３，１５２４で取得されるチルト像を用いて勾配（表面傾斜角）を推定し、該推定された勾配推定値（表面傾斜角推定値）を積分することによって立体形状Ｓ２ａ、Ｓ２ｃの計測を行うことで、高精度な３次元プロファイル（立体形状）の計測を可能にすることにある。 （もっと読む）

本発明は、方法および測定システムを提供する。当該方法は：測定画像情報を含む測定モデルを提供するステップと；上記測定画像情報を利用することにより測定領域を突き止めるステップと；測定結果情報を提供する為に少なくとも一つの測定を実施するステップと；を含む。
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