【課題】本発明は、観察対象である試料の伸縮の変化を抑えることにより、観察対象の位置ずれを解消し、大幅なスループット向上を図った荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】本発明は、試料を保持する試料保持手段と、前記試料の温度の調整が可能な温度調節手段と、各種条件に基づき前記温度調節手段の制御が可能な温度調整手段制御手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】撮像ポイントに対応する撮像領域間が重なった場合、評価ポイントについて撮像される画像の品質が低下する。
【解決手段】荷電粒子線装置における撮像範囲間の重なりの有無を、コンピュータによる演算処理を通じて判定する。この際、重なりの有無の判定は、判定対象に対応する撮像範囲を構成する４つの頂角のうち隣り合う関係にある４組の２つの頂角と、他の１つの撮像範囲を構成する４つの頂角のうちの１つの頂角とによって形成される４つの三角形の面積の総和が、判定対象に対応する撮像範囲の面積と一致する否かによって実行する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置には、評価対象である試料の外周縁部の近傍において、等電位分布の対称性が乱れて荷電粒子線が偏向する不具合がある。
【解決手段】静電吸着式の試料保持機構の内部に設置される電極板を、同心円状に配置される内側の電極板と外側の電極板との２つで構成する。外側の電極板の外径は、試料の外径よりも大きい値に形成する。更に、外側の電極板と試料との重なり面積と、内側の電極板の面積とが概略等しい大きさになるように形成する。そして、内側の電極板には、基準電圧に対して正極性の任意の電圧を印加し、外側の電極板には基準電圧に対して負極性の任意の電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】回路動作上要求される仕上がり精度検証のため、電気特性をもつデバイスを包含するＦＯＶ（即ち、評価ポイント（ＥＰ））の配置すべき位置を容易に決定する。
【解決手段】ＣＡＤデータが有しているデバイス形状情報（回路設計データとレイアウト設計データを含む）から、電気特性測定に必要な構成領域を全てＦＯＶ内に収まるように、デバイス形状に沿ってＦＯＶを重ならないように配置するための画像取得条件を決定する。なお、デバイスの配線部分については、配線部分の形状によっては複数の基本構成図形の組み合わせで表わされるので、各構成図形に対してＦＯＶを配置する処理が実行される。セル部分については、セル外形枠と頂点を基準にＦＯＶが配置される。その際、何れかの頂点がＦＯＶ配置処理の開始点となり、別の頂点が同処理の終点となる。 （もっと読む）

【課題】
コンタミネーションの付着を低減する、微細な基準寸法を有する、電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材を提供する。
【解決手段】
少なくともシリコンを含み、予めピッチ寸法が求められている回折格子の配列よりなる電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材において、寸法校正用標準部材の溝パターンの表面に１ｎｍから５ｎｍのシリコン酸化膜を形成することによって、電子ビーム照射によって付着するコンタミネーション量を低減する。 （もっと読む）

レーザー穿孔されたボアホールを特性評価するための新規な方法について開示する。本方法は、寸法の特性評価にＸ線顕微鏡法を用いるものである。Ｘ線顕微鏡法の出力を処理することによって、レーザー穿孔システム及びスエージング装置などの自動化された製造システム内の製造装置を制御することができる。
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【課題】基板のトポグラフィカルフィーチャの測定において有用な方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いてガスが活性化される基板のコーティング方法が開示される。コーティングされた基板は次に、レジストフィーチャを断面方向で明らかにするために、イオンビームを用いてスライスされる。レジストのそれらのフィーチャは、走査電子顕微鏡を用いて測定され、基板のスライスを取って新たな断面を明らかにするために、焦点合わせされたイオンビームが用いられる。この新たな断面は次に、走査電子顕微鏡を用いて測定され、このようにしてフィーチャの３次元マップが作られ得る。 （もっと読む）

【課題】 互いに積層されてパッケージに収容された複数の単結晶基板の夫々について、パッケージを破壊することなく反りを測定する。
【解決手段】
パッケージにＸ線を照射するステップと、受光スリットの調節及びパッケージの高さ方向の位置調節を行うことにより、パッケージに収容された複数の単結晶基板により回折された複数の回折Ｘ線のなかから、所望の単結晶基板からの回折Ｘ線だけを選択的に検出するステップと、所望の単結晶基板からの回折Ｘ線のロッキング曲線を測定するステップと、パッケージを所定方向に一定距離移動させるステップとを含み、ロッキング曲線測定を行うステップとパッケージを所定方向に一定距離移動させるステップとを繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの高さ（深さ）測定を実現することが可能な試料高さ測定方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料上の第１の部分の高さと、第２の部分の高さの差違に関する情報と、前記第２の部分の輝度に関する情報を関連付けて記憶媒体に記憶させ、前記試料に荷電粒子線を走査したときに検出される荷電粒子に基づいて、前記第２の部分の輝度に関する情報を検出し、当該検出された輝度に関する情報と、前記記憶媒体に記憶された情報に基づいて、前記試料上の第１の部分と第２の部分との差違を求める方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】試料に形成された多数のパターンの座標を短時間で計測することが可能な座標計測装置を提供する。
【解決手段】偏向器１３により電子線１２を偏向走査することで、試料Ｍに形成された複数のパターンのＳＥＭ画像が画像取得手段３５により取得される。取得したＳＥＭ画像に含まれる複数のパターンのうちの一のパターンの座標がステージ位置に対応させられ、この一のパターンの座標に対する他のパターンの相対的な座標が座標計測手段３８により計測される。ステージ２２を移動させて又は移動させながら、ＳＥＭ画像を取得し、座標を計測させる制御を繰り返し実行する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の偏向量を抑えて観察像の像質を向上させることができる荷電粒子線装置及びその観察位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】ベース４０上を水平移動可能な粗動機構と、粗動機構上を水平移動可能な微動機構と、微動機構上に設けたトップテーブル４３と、ビーム偏向量に対して観察像の要求画質に応じて設定された許容範囲を記憶した記憶部７３Ｂと、撮像対象が観察領域に入るように粗動機構を制御する粗動機構制御部７２Ａと、撮像対象を含む低倍率の観察像の中心と撮像対象との座標ずれ量を算出するずれ量算出部７３Ｄと、座標ずれ量が許容範囲内か否かを判断する判断部７３Ｅと、座標ずれ量が小さくなるように微動機構を制御する微動機構制御部７２Ｂと、座標ずれ量が許容範囲内の場合に座標ずれ量だけビーム偏向量を補正する偏向補正制御部７０Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】より短時間で欠陥を撮像できる欠陥観察装置および欠陥観察方法を得ること。
【解決手段】この欠陥観察方法は、観察対象物の欠陥および基準マークの位置座標を取得するステップと、欠陥を検出して、この検出された欠陥位置に応じて位置座標を補正する第１の方法で欠陥を撮像するのに必要な第１の時間を算出するステップと、基準マークを検出して、この検出された基準マーク位置に応じて位置座標を補正する第２の方法で欠陥を撮像するのに必要な第２の時間を算出するステップと、第１、第２の時間を比較するステップと、比較結果に応じて、第１または第２の方法で位置座標を補正して欠陥を撮像するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡等で詳細に観察する装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ装置規模を小さくできる装置を提供する。
【解決手段】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布偏光素子及び空間フィルタを挿入する構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料表面の粒子の蛍光Ｘ線スペクトルに基づいて粒子径を測定する粒子径測定装置、粒子径測定方法及びコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】Ｘ線源１３からウェハ３表面にＸ線ビームが照射され、ウェハ３表面が走査されてウェハ３表面の各粒子の蛍光Ｘ線スペクトルが測定される。測定された蛍光Ｘ線スペクトル及び標準スペクトルデータベース２８１に格納されている標準スペクトルデータに基づいて粒子に含まれる元素が同定される。測定された蛍光Ｘ線スペクトルから、同定元素の蛍光Ｘ線スペクトルが抽出され、面積分強度が算出される。検量線データベース２８２から同定元素に対応する検量線を読み出して面積分強度と対応する粒子径が特定される。 （もっと読む）

【課題】微細な半導体パターンに対する広視野な撮像領域（ＥＰ）において、コンタミネーション、画像の撮像ずれや歪みに対してロバストなパノラマ画像合成を実現できるようにした走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成技術を提供することにある。
【解決手段】走査荷電粒子顕微鏡を用いた広視野な撮像領域（ＥＰ）におけるパノラマ画像合成技術において、各調整ポイントの配置並びに各局所撮像領域（及び各調整ポイントの撮像順からなる撮像シーケンスを最適化して撮像レシピとして作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検査装置による検査対象物の検査に先立って行う像の明るさと検査対象物の厚さとの関係の評価や空間分解能の評価を、従来に比して容易化すると同時に誤差を少なくすることのできるチャートを提供する。
【解決手段】検査対象物の表面もしくは内部に、当該検査対象物と同じ材質で、Ｘ線検査装置の調整もしくは解像度の評価を行うためのパターン３１，３２を一体に形成することにより、調整・評価のためのチャートと検査対象物とのテーブル等の上への載せ変え等を不要とし、検査対象物と同じ材質によるチャートにより検査装置の調整・評価を行うが故に、例えば明るさと厚さの関係において用いる係数の変換が不要となり、変換に伴う誤差を抑制することができ、更に、チャートの観察時に設定したＸ線条件をそのまま検査対象物のＸ線条件として採用することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの複雑な構造のばらつきを直感的かつ定量的に評価することができる外観検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物の像を検出する画像検出部６、検出した画像を処理する画像処理部９１、被検査物をスキャンするビーム制御系９２およびステージ制御系９３を有するスキャン制御部を備えた画像検出部１０と、検出した画像から外観を検査する外観検査処理部２０とを備えた外観検査装置において、外観検査処理部１０が、取得した複数の像を重ね合わせ、像の各点（ｘ，ｙ）における代表的な値（代表値データμ(ｘ，ｙ)）を求める代表値データ作成処理機能２１２と、複数の像の各点（ｘ、ｙ）における許容範囲の値（ばらつきデータσ(ｘ，ｙ)）とを求めるばらつきデータ作成処理機能２１３と、代表的値データとばらつきデータとを元に、検査対象物の良否を判定する判定処理機能２１４を有する。 （もっと読む）

【課題】半田接合部に存在するボイドを特定し、そのボイドによる影響を除くことにより、基準となる位置を正確に特定することができる半田接合部の基準位置特定方法および基準位置特定装置を提供する。
【解決手段】本方法は、基板上の電子部品の半田接合部に放射線を照射して透過放射線を検出する透過放射線検出工程と、検出した透過放射線の２次元強度分布からボイドと判定される領域の特徴情報を取得するボイド情報取得工程と、２次元強度分布の強度変化に関する特徴情報（エッジ画像）を取得する２次元強度分布特徴情報取得工程と、ボイド情報に基づいて２次元強度分布特徴情報からボイド情報を除去した２次元強度分布補正特徴情報（補正エッジ画像）を取得する２次元強度分布補正特徴情報取得工程と、２次元強度分布補正特徴情報から所定の特徴を示す情報を基準位置情報として抽出し、これに基づいて基準位置を特定する基準位置特定工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板全体としての変形態様をより容易に捉えることのできる基板変形認識方法及び基板変形認識装置及び基板変形認識プログラムを提供する。
【解決手段】予め基板上に設定した複数の目標位置について、基板を各目標位置に逐次移動させ、目標位置ごとに移動後の基板の位置を検出する第１の工程（ステップＳ１１〜Ｓ１３）と、各目標位置について、該目標位置と移動後の基板の位置とを関連付けした位置データを、記憶装置に記憶させる第２の工程（ステップＳ１４〜Ｓ１５）と、記憶装置に記憶された位置データをコンピュータに入力し、該コンピュータに、その位置データに基づくグラフィックデータを作成させるとともに、そのグラフィックデータを表示装置の画面に視認可能にグラフィック表示させ、該画面上のグラフィック表示に基づいて、基板の変形を認識する第３の工程と、を通じて、当該基板の変形特性を認識する。 （もっと読む）

【課題】半導体パターンの検査において、レシピの良不良診断および最適化の作業を自動的に行なう機能を備えた方法を提供する。
【解決手段】半導体パターン上に設定された測定点を含む領域について低倍率のＳＥＭ画像を取得する。次に、予めレシピとして登録されたアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定する。所定の推奨条件を満たさないと判定されたとき、ＳＥＭ画像上より、最適なアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンを選択する。 （もっと読む）