【課題】半導体パターンの検査において、レシピの良不良診断および最適化の作業を自動的に行なう機能を備えた方法を提供する。
【解決手段】半導体パターン上に設定された測定点を含む領域について低倍率のＳＥＭ画像を取得する。次に、予めレシピとして登録されたアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定する。所定の推奨条件を満たさないと判定されたとき、ＳＥＭ画像上より、最適なアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンを選択する。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、試料上の任意の評価ポイント（ＥＰ）を自動で撮像し，評価ポイントに形成された回路パターンを自動で計測することを可能にする。
【解決手段】
本発明では、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、ＥＰの座標データと前記ＥＰを含む回路パターンの設計データを入力とし，前記ＥＰ座標データと設計データから，前記ＥＰ内に存在するパターンを計測するための測長カーソルの生成および測長方法の選択あるいは設定を自動で行うようにしてレシピを自動生成し，このレシピを用いて自動撮像・計測を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、停止時のドリフトが小さいステージ機構およびそれを備えた電子顕微鏡装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、本発明では、２以上の伸縮或いは揺動が可能な駆動素子を有し、当該２つの駆動素子の協働によりステージを移動させる試料ステージを提供する。２つの駆動素子の協働により、当該２つの駆動素子の動作を組合わせることによる種々の制御が可能となり、結果として、ステージの移動のみならず、停止時のドリフトの抑制が可能なステージ機構の提供が可能となる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、複数のパターンを含むテンプレートを用いたマッチングの際に、一部のパターンの変形や、テンプレートとＳＥＭ画像間に倍率誤差がある場合であっても、高精度なマッチングが可能な方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】
上記課題を解決するための一手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を選択的に用いてマッチングを行う方法、及びそれを実現するための装置を提案する。また、上記課題を解決するための他の手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンに基づく第１のマッチングを行った後、前記所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を用いて第２のマッチングを行う方法、及びそれを実現する装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は，試料の実際のパターンエッジ端に即した輪郭線情報を出力する電子顕微鏡システムを提供することにある。
【解決手段】
電子顕微鏡像のパターンエッジの各点において，パターンエッジに対して接線方向に該電子顕微鏡像を投影して局所投影波形を生成し，各点で生成した局所投影波形を，予め作成しておいた，試料の断面形状と電子線信号波形とを関連づけるライブラリに当てはめることによって，試料上に転写されたパターンの断面形状を推定し，断面形状に則したエッジ端の位置座標を求め，この位置座標の連なりとしてパターンの輪郭線を出力する。 （もっと読む）

【課題】
電子線シミュレーションを利用した，ＳＥＭ画像によるパターン計測においては，シミュレーションの精度が非常に重要となる。シミュレーション画像と実画像のマッチングを行うためには，計測対象形状や材料を適切にモデル化し，シミュレーション画像に反映する必要がある。
【解決手段】
本発明では，ＳＥＭ画像やＡＦＭなど他の計測装置により得られた情報に基づいて，シミュレーションと実画像のマッチング計測の精度に与える影響が大きな形状や寸法を適切に設定したシミュレーション画像を用いることにより，高精度なパターン計測を実現するようにした。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路パターンの欠陥検査において、欠陥検査回数を制限しつつ、致命欠陥の管理を容易にする。
【解決手段】
半導体集積回路の設計者が設計したパターン設計情報５に加え、パターンの重要度をその設計意図に応じて順位付けした設計意図情報６を記憶する。また、露光装置を介して、設計された回路パターンをウエハ上に露光転写する際に、露光装置の特性等によってシステマティックに発生する欠陥を、あらかじめシミュレーションによって予測し、ホットスポット情報７として記憶する。これら設計意図情報６とホットスポット情報７を組み合わせることによって、半導体集積回路の特性に対して、システマティックな欠陥が発生可能性の高い検査場所を限定し、欠陥検査時間を大幅に短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線ＣＴ装置を用いることなく、Ｘ線透視を行うことにより、アルミダイキャスト部品のボイド等の欠陥をはじめとして、透視対象物内部の特異部位の３次元位置情報を正確に知ることができ、加えて３次元の概略形状を知ることのできるＸ線透視を用いた３次元観測方法と、その方法を用いたＸ線透視装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１とＸ線検出器２の対と透視対象物Ｗとの相対位置を変化させ張ることにより、透視方向を少なくとも３方向に相違させた透視対象物Ｗの透視像を取得し、その各透視像上で特異部位の像を抽出し、各透視方向の透視像上で抽出された特異部位の像対応付けした後、各透視方向の透視像上の特異部位の像と、これらの各透視像を得たときのＸ線源１とＸ線検出器２の透視対象物Ｗに対する相対的な３次元位置情報を用いて、特異部位の３次元位置および／または３次元形状を算出し、表示する。 （もっと読む）

【課題】
外乱等の影響に依らず、焦点等の調整が行われた高画質画像に基づく測定が可能な試料
の検査，測定方法を提供すること。
【解決手段】
焦点調整が行われた電子ビームを走査して、前記パターンを測定するための画像、或いは測定のための位置合わせを行うための画像を形成し、当該画像の評価値と、予め取得された参照画像の画像評価値を比較し、当該参照画像との比較によって、前記形成された画像が所定の条件を満たさないと判断される場合に、前記電子ビームの焦点調整を再度実行する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】どのような多層プリント配線板の場合でも、その内層回路の状態を任意の角度から把握することが可能な非破壊検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】固定式Ｘ線発生器、固定式垂直透過Ｘ線検出器及び２Ｎ個以上（Ｎ≧１の整数）の可動式の傾斜透過Ｘ線検出器を用いてプリント配線板の内部回路構造を測定し、プリント配線板を透過したＸ線を、固定式垂直透過Ｘ線検出器及び２Ｎ個以上（Ｎ≧１の整数）の傾斜透過Ｘ線検出器を用いて検出し、この検出器で得られたＸ線強度を信号に変換し、この信号を用いて、当該プリント配線板が備える外層から内層に至るまでの回路形状を立体構造的に表示する測定方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の２本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の２本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、２本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 （もっと読む）

【課題】入力画像の画像幅が変化しても、高い精度にて欠陥検出処理を行うことができる画像処理装置を備えた外観検査装置を提供する。
【解決手段】画像処理装置は、入力画像を、各々、入力画像の画像幅と同一の画像幅を有し、且つ、所定の画像長さを有する、複数の画像ブロックに分割する。この画像ブロックを、隣接する２つの繰返しパターン毎に比較し、両者の差から欠陥を検出する。画像処理装置は、入力画像の画像幅と画像ブロックの画像長さに関するデータを有しており、入力画像の画像幅が変化しても、画像ブロックの各々を格納することができる画像メモリを有する。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高精度のパターン検査方法およびパターン検査装置を提供する。
【解決手段】走査領域内で所望のパターンの寸法を測定し、測定結果から統計量を算出し、算出結果が所定の閾値を超えた場合に、寸法測定に誤差が含まれていたものと判定して補正処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】
電子線を用いて欠陥を検出する検査装置において、電子線を用いた場合の、試料内のチップ内の回路パターンの種類や密度の差異によって生じる検査画像のコントラストの差異を原因とした検査性能の低下を防止する。
【解決手段】
試料に荷電粒子線を走査して得られる少なくとも２つの画像を比較して試料の回路パターンの欠陥を抽出する荷電粒子線を用いた検査方法または装置であって、あらかじめ定められた幅で荷電粒子線を走査しながら試料を連続的に移動し、回路パターンの種類または密度が異なる領域では、検査条件を変えて画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】プローブや試料を破損させるおそれがなく、すばやくプローブ先端を試料に接触させることができるプローブ付き顕微鏡を提供する。
【解決手段】プローブが試料方向に接近している最中に、顕微鏡から得られる画像を認識して、認識領域内のプローブ面積を計算することによってプローブから試料までの距離を計算する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１次光学系にプレチャージの機能も持たせてプレチャージユニットの設置を省略できるとともに、試料に対するプレチャージの領域と量を制御し、試料に応じた最適なプレチャージを行うことができる電子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】試料Ｓを載置するステージ３０と、
所定の照射領域１５を有する電子ビーム生成し、該電子ビームを前記試料に向けて照射する１次光学系１０と、
前記電子ビームの前記試料への照射により発生した、前記試料の構造情報を得た電子を検出し、所定の視野領域２５について前記試料の像を取得する２次光学系２０と、
前記所定の照射領域の位置を、前記所定の視野領域に対して変更可能な照射領域変更手段１３、１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置における倍率校正を精度良く行うために校正位置の特定が容易な校正用標準部材及びそれを用いた電子ビーム装置を提供する。
【解決手段】装置校正用標準部材の超格子パターン近傍に、校正位置を特定するためのマークもしくは標識を形成することで、校正位置の特定が可能な高精度測長校正が実現できる。異なる材料４、５が交互に積層された積層構造の超格子パターンの断面を有する基板１に、電子ビーム装置から放出される一次電子ビーム１１を照射して検出される二次荷電粒子の信号をもとに前記電子ビーム装置の倍率校正を行う校正用標準部材において、前記基板は、前記積層に並行した基板面上にあって前記超格子パターン断面に対して交差する方向に一定の間隔で配列された線状パターン３を有し、該線状パターン３の断面は前記超格子断面と略同一の平面内にあるよう構成して、前記線状パターンにより前記超格子パターンの位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】 走査電子顕微鏡で、試料の測長により得られた寸法をより精密に校正する。
【解決手段】 互いの間隔を空けて並んだ複数の校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…を備え、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…は、並んでいる方向の幅寸法が互いに異なり、各寸法が予め定められた寸法になっている校正用標準材４０を用いる。走査電子顕微鏡の画像処理装置には、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…の幅寸法の公証値を記憶しておき、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…の幅を実測し、各実測値と対応公証値との差を求め、各差と実測値との関係を校正関数として記憶し、これを用いて試料の実測値を補正する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、前記検査対象パターン画像を検査する検査手段は、検査対象パターンごとの変形量を使用して検査する。 （もっと読む）

【課題】撮像レシピ又は／及び計測レシピを自動かつ高速に生成できるようにして検査効率及び自動化率を向上させたＳＥＭ装置又はＳＥＭシステム並びにその方法を提供することにある。
【解決手段】ＳＥＭ装置又はＳＥＭシステムにおける撮像レシピ及び計測レシピ生成方法であって、レシピ演算部において、評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値を評価する評価ステップと、回路パターンの設計データ上の任意の領域をアドレッシングポイントとした場合における前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値を評価する評価ステップと、前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値と前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値との関係に基づいて、撮像レシピ及び計測レシピを決定する決定ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）