【課題】
欠陥の特徴を的確に提示することが可能な欠陥画像表示画面を提供する。
【解決手段】
欠陥のサムネイル表示画面において、検査情報や欠陥種類等から、欠陥毎にその欠陥の特徴を最も顕著に表すような画像を決定し、表示する。また、欠陥の詳細表示画面において、検査情報や欠陥種類等を基に、その欠陥の特徴を顕著に表すように表示する画像やその画像の表示順序を定め、表示する。さらに、欠陥画像撮像中または欠陥画像撮像後に、予め指定した規則に基づいて別の欠陥画像取得装置や別の撮像条件により表示用の画像を撮像するためのステップを撮像シーケンスに追加する。 （もっと読む）

【課題】測長ＳＥＭの装置特性を電子線シミュレーションに反映させることで、電子線シミュレーションを用いた計測手法の安定化、高速化、高精度化をはかる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、予め、装置特性と画像取得条件とを反映した電子線シミュレーションを様々な対象パターン形状について行ってＳＥＭ模擬波形を生成し、該生成されたＳＥＭ模擬波形に対応するパターン形状情報との組合せをライブラリとして記憶しておくライブラリ作成過程と、取得した実電子顕微鏡画像と前記ＳＥＭ模擬波形とを比較して前記実電子顕微鏡画像と最も一致度の高い前記ＳＥＭ模擬波形を選択し、該選択されたＳＥＭ模擬波形に対応するパターン形状情報から計測対象パターンの形状を推定する計測過程とを有する測長ＳＥＭを用いた計測対象パターンの計測方法。 （もっと読む）

【課題】再計測に際して電子線照射による影響を最小限にし、計測対象パターンの形状を正確に計測する。
【解決手段】既に電子線を照射した領域外へ計測位置を自動的に移動させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、顕微鏡像の像分解能を客観的判断のもとに評価できる像評価方法の提供にある。
【解決手段】画像の部分領域の分解能を、前記画像全体或いは前記画像の一部領域に亘って求め、前記画像全体或いは前記一部領域に亘って平均化し、前記画像全体、或いは一部領域の分解能評価値とすることを特徴とする像評価方法を提供する。このような構成によれば、顕微鏡の像分解能の評価において、評価者の主観が入り込まないので、像分解能の評価値に対して高い精度と良い再現性を達成できる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、検出対象のパターンのパターン画像を取得するパターン画像取得方法およびパターン画像取得装置に関し、マスクなどの検出対象のパターンに対して回転させて平行とならないようにしてビームを走査しそのときの信号を検出してエッジ検出してパターン画像を取得し、迅速かつ安定かつ高精度にパターン画像を取得することを目的とする。
【構成】 検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向あるいは検出対象のパターンを回転させるステップと、検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向が回転された状態で、パターンを異なる位置で横切る複数本の走査を行ってラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルをもとにパターンのエッジ位置を検出するステップとを有する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、測長対象のパターンのエッジを検出するエッジ検出方法およびエッジ検出装置に関し、測長対象領域から取得した画像について、複数方向に所定量だけずらしてその差分を算出してこれらを合成し、ずらした量の太さをもつ輪郭線を自動生成し、画像から迅速かつ精度良好にパターンの輪郭線を生成して自動計測することを目的とする。
【構成】 測長対象のパターンを含む画像を取得するステップと、取得した画像について、複数方向に所定量だけずらしてその差分をそれぞれ算出するステップと、算出した複数の差分画像を合成し、パターンの輪郭線を生成するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】試料上にレジスト材料が形成されていても、その表面形状を、ミラー電子プロジェクション式検査装置によって検出可能にするパターン検査技術を提供する。
【解決手段】試料７のレジスト材料表面に照射することでその表面の電気伝導度を上げることのできる波長（１６０〜２５０ｎｍ）の紫外光を、紫外光源３０より試料表面に対して全反射する角度（試料水平方向に対して約１０度以下）以下で入射させることにより、試料表面のみを導電性にするよう構成する。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置等の微少寸法（ＣＤ値）を計測するのに用いられる荷電粒子線装置において，試料への電子ビームのランディング角がばらつきことに起因するＣＤ値ばらつきを低減する方法，及び，装置間の電子ビームランディング角の差違に起因する機差を低減する方法を提供する。
【解決手段】
結晶異方性エッチングの技術により作製した各面のなす角が既知の多面体構造物が視野内に複数含まれるように配置した較正用サンプルを用い，各多面体構造物の画像上での幾何学的な変形をもとに，視野内の各位置のビームランディング角を算出し，視野内の各位置のビームランディング角が等しくするビーム制御パラメータを予め登録しておき，寸法計測を行う際は，計測対象パターンの視野内での位置に応じて，上記登録したビーム制御パラメータを適用することにより，等しいビームランディング角にて，計測用の画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置で用いられる測長校正を高精度で行う標準部材を提供する。
【解決手段】一次元回折格子を貼り合せウェーハに配置させることにより実測ウェーハと同じ高さでの高精度校正や装置間校正が可能となる。かつ表面シリコン層に一定電圧を加える構成とすることにより二次電子信号強度が大きく取れ微弱電子ビームでも良好な二次電子信号像が得られる。さらに一次元回折格子をウェーハ内の複数箇所に設置させることにより大口径ウェーハにおける面内位置毎の校正が保証される。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスの製造プロセスをモニタする装置において，被評価パターンの断面形状，あるいは被評価パターンのプロセス条件，あるいは被評価パターンのデバイス特性を，パターンを非破壊で計測可能にする。
【解決手段】
露光プロセス，あるいはエッチングプロセスにおいて，被評価パターンのSEM像から，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を推定するのに有効な画像特徴量を算出し，前記画像特徴量を予めデータベースに保存しておいたパターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前期パターンのデバイス特性とSEM像から算出した前記画像特徴量とを関連づける学習データに照合することにより，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を算出する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦ露光用のフォトレジスト等、低Ｓ／Ｎの信号波形による寸法計測が必要な試料においても、精度の高い寸法計測を実現する電子線式寸法計測装置及びそれを用いた寸法計測方法を提供する。
【解決手段】電子線式寸法計測装置（測長ＳＥＭ装置）において、予め、寸法計測対象試料と同種のサンプル試料から得たサンプル信号波形（あるいは画像）の部分波形（あるいは部分画像）を登録しておき、寸法計測対象試料から得られた計測対象信号波形（あるいは画像）と前記サンプル登録波形の波形照合を行い、照合結果に基づき寸法計測対象パターンの寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、名目上同一構造の規則的グリッド中の特定構造での、たとえば電子顕微鏡像フィールドの位置設定について説明する。そのような構造はたとえば、チップ上のメモリセルであって良い。そのようなメモリセルは近年、たとえば1μm²未満の領域を有し、1000*1000のセル中に配列されている。変位中、構造のグリッド距離よりも大きなエラーが発生する可能性があり、その結果、像フィールドは意図しない構造に調節される。
【解決手段】 本発明の本質は、変位が多数の成分変位にさらに分割可能なことであり、それにより、成分変位あたりのエラーはグリッド距離の半分未満になる。各成分を変位させた後に、変位を決定することで、成分変位あたりのエラーは排除可能となる。この方法は自動化に適しており、それにより補正技術の手段によって像変位が決定される。 （もっと読む）

【課題】試料の材質に依存することなく試料表面の電位を一定にして精度よく試料を測定することのできる電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、前記試料から放出される電子を検出する検出手段と、前記電子ビーム照射手段に前記試料から二次電子が放出する電圧よりも低い加速電圧で電子ビームを照射させ、前記検出手段からの信号に基づき前記試料の表面が一定の電位になったと判定したときに前記電子ビームの照射を停止させる制御手段とを有する。前記制御手段は、前記電子ビーム照射手段に、前記電子ビームを試料の表面全体に照射させてもよいし、前記電子ビーム照射手段に、前記電子ビームを試料の測定部位を中心とした所定の範囲に照射させてもよい。 （もっと読む）

【課題】 手作業による不具合解析時などにおける測長検査の時間短縮を図ることが可能な走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）およびその画像表示方法を提供する。
【解決手段】 ＳＥＭ１は、ＳＥＭ画像取得部１１のほかに、試料１０５のＣＡＤデータに基づき生成され、その表面形状を表わしたＣＡＤ画像のデータを記憶するＣＡＤ画像記憶部１７を備える。まず、試料１０５の低倍率のＳＥＭ画像またはＣＡＤ画像を表示部１５に表示する。そして、その表示された画像の中で、操作情報入力部１６から拡大表示を指示する領域指定情報が入力されたときには、指定された領域の拡大ＣＡＤ画像を表示する。その後、その拡大ＣＡＤ画像の中で、拡大ＳＥＭ画像の表示を指示する領域記指定情報が入力されたときには、指定された領域に所定の電子ビームを照射し、その領域の拡大ＳＥＭ画像を取得し、その拡大ＳＥＭ画像を表示装置１５に表示する。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単で、試料の交換作業を短時間で行なえる真空搬送装置を実現し、しかも、占有面積が小さく、スループットを向上させた荷電粒子線検査装置を提供する。
【解決手段】２つの駆動源２，１０により回転および上下動作が可能なアーム１と、このアーム１の両端に、アーム１の回転に伴って回転するように支持されて試料を載置する第１のハンド２２と第２のハンド２３とを上下方向に離間させて配置して、アーム１の回転と上下動作の制御のみにより試料の搬送とその交換を可能した真空搬送装置２６を構成し、また、この真空搬送装置２６を荷電粒子線検査装置の予備排気室ではなく真空試料室内に配置した。 （もっと読む）

【課題】低倍率のＳＥＭ像で欠陥を検出し、高倍率のＳＥＭ画像で欠陥を観察する半導体デバイスの欠陥レビューにおいて、欠陥レビューの効率をあげて短時間に多数に欠陥をレビューできるようにする。
【解決手段】半導体デバイスの欠陥を観察する方法において、検査装置で検出した半導体デバイス上の欠陥を走査型電子顕微鏡を用いて第１の倍率で欠陥を含む画像を取得し、この取得した第１の倍率の欠陥を含む画像から参照画像を作成し、取得した第１の倍率の欠陥を含む画像とこの第１の倍率の欠陥を含む画像から作成した参照画像とを比較して欠陥を検出し、検出した欠陥を第１の倍率よりも大きい第２の倍率で撮像するようにした。 （もっと読む）

【課題】検査対象の表面の電位分布を均一にし、撮像した画像のコントラストを向上させる。
【解決手段】電子銃から放出された電子ビームを対象に照射し、対象から放出された電子を検出器を用いて検出し、前記対象の画像情報の収集、対象の欠陥の検査等を行う撮像装置において、前記対象に帯電した電荷を均一化若しくは低減化する手段を有する。 （もっと読む）

【課題】構造の３次元表面粗さを測定する改良された方法を提供すること。
【解決手段】事前に選択された測定距離にわたって事前に選択された間隔において、対象フィーチャの断面または「スライス」の連続をミリングするために、集束イオン・ビームが使用される。各断面が暴露される際、フィーチャの該当寸法を測定するために、走査電子顕微鏡が使用される。次いで、これらの連続「スライス」からのデータは、フィーチャについて３次元表面粗さを決定するために使用される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造過程にあるウェハ上の半導体装置の同一設計パターンの欠陥，異物，残渣等を電子線により検査する回路パターン検査装置において、条件設定の効率、検査時間の短縮及び検査の信頼性を向上する。
【解決手段】欠陥の存在を検出する為の大電流高速画像形成用の検出信号処理回路と、この欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位の画像形成用の検出信号処理回路とを独立に設ける。または、欠陥検出検査の為の第１の電子光学系と欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の電子光学系とを同一の真空容器内に並べて収容する。または欠陥検出検査の為の第１の検出器とこの欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の検出器とを設ける。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭ装置等において、撮像レシピを自動作成するための選択ルールを教示により最適化できるようにした撮像レシピ作成装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピを作成する撮像レシピ作成装置であって、半導体パターンのレイアウト情報を低倍視野で入力して記憶したデータベース８０５と、該データベースに記憶した半導体パターンのレイアウト情報を基に、教示により最適化された撮像ポイントを選択する選択ルールを含む自動作成アルゴリズムに従って前記撮像レシピを自動作成する撮像レシピ作成部８０６、８０９とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）